JP4974568B2

JP4974568B2 - 電界発光表示装置

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Publication number: JP4974568B2
Application number: JP2006104673A
Authority: JP
Inventors: ウチャンキム; ジョングンユン
Original assignee: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
Priority date: 2005-04-06
Filing date: 2006-04-05
Publication date: 2012-07-11
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Also published as: EP1710851B1; US20060226773A1; JP2006294612A; EP1710851A3; EP1710851A2; US7388329B2

Description

本発明は、電界発光表示装置に関するものである。

電界発光表示装置に使われる電界発光素子は、二つの電極の間に発光層が形成された自発光素子であった。電界発光素子は、材料によって無機エレクトロルミネッセンス素子と有機エレクトロルミネッセンス素子に分けることができた。また、電界発光素子は、発光層の駆動方式によって受動マトリックス型（ＰａｓｓｉｖｅＭａｔｒｉｘ）と能動マトリックス型（ＡｃｔｉｖｅＭａｔｒｉｘ）に分けられている。

このような電界発光表示装置の寿命は、主に表示装置の駆動時間と素子の劣化によって決定された。

電界発光表示装置の劣化は、内部から発生され熱と内部に浸透された酸化素と水分による酸化に起因する。これによる発光面積が漸次に減る。

これは、能動マトリックス型及び受動マトリックス型電界発光素子の共通の問題で、特に、受動マトリックス型より能動マトリックス型電界発光素子が熱による影響をもっと受けた。そして、発光面積が大きいほど、中央部分に発生する熱が外郭より高く示された。

図１は、一般的な電界発光素子の断面図である。

図１を参照すると、電界発光表示装置１００は、基板１１０上に第１電極１２０、発光部１３０及び第２電極１４０が形成されたピクセル回路部Ｐが構成された。前記第１電極１２０は、パターンされて絶縁膜によって絶縁されている。前記第１電極１２０上には、有機層の発光部１３０が形成されている。該発光部１３０上には、第２電極１４０が形成されている。内部に浸透された酸素と水分から前記ピクセル回路部Ｐの保護のために基板１１０には、シールドキャップ１６０を覆ってシーラント１７０で密封されている。

そして、水分または酸素から素子を保護するために、内部に吸湿剤１５０を挿入するか、または発熱による劣化を防止する目的で前記シールドキャップ１６０上に放熱板１８０を備えて接着剤１８５で接着されている。

しかし、このような電界発光表示装置１００は、単純に前記放熱板１８０に依存していて、ピクセル回路部Ｐの内部に形成された素子の熱を放出するには限界があるという問題点があった。

したがって、本発明は、従来の問題点を解決することを目的とする。

本発明に係る電界発光表示装置は、基板上に形成されたピクセル回路部と、前記ピクセル回路部が内部に収容されるようにシーラントにより前記基板に封止されるシールドキャップを含み、前記ピクセル回路部は、前記基板上に形成される絶縁膜と、前記基板上に形成され、前記絶縁膜により分離される第１電極と、前記絶縁膜の一部領域から上部に突出形成され、熱伝達係数が大きい金属で形成されるスペーサと、前記絶縁膜、前記第１電極及び前記スペーサをすべて覆うように形成された発光部と、前記発光部の全面上に形成された第２電極と、前記スペーサの頂上部に形成された第２電極を除外した第２電極の残りの部分上に形成され、前記第２電極と共に平坦部を形成する吸湿材と、前記スペーサの頂上部に形成された前記第２電極の部分と前記吸湿剤により形成される前記平坦部上にのみ形成される金属膜とを含み、前記シールドキャップは、前記金属膜と面接触し、前記スペーサ上での前記金属膜の幅は、前記第２電極の幅より広く形成され、前記発光部は、前記スペーサの側壁と上面全体をカバーするように形成される。

上記目的を達成するために、本発明は、例えば、以下の手段を提供する。
（項目１）
基板上に形成された第１電極、その第１電極上に形成された発光部、その発光部上に形成された第２電極を含むピクセル回路部と、
そのピクセル回路部内に位置し、前記基板上に形成されて前記発光部より高く突出形成されたスペーサ；及び
そのスペーサ上または上部に形成されたシールドキャップを含む電界発光表示装置。
（項目２）
前記ピクセル回路部の中央部に位置したスペーサの大きさは、外郭部に位置したスペーサの大きさより相対的に大きいことを特徴とする項目１記載の電界発光表示装置。
（項目３）
前記ピクセル回路部の中央部に位置した前記スペーサの個数は、外郭部に位置したスペーサの個数より相対的に多いことを特徴とする項目１記載の電界発光表示装置。
（項目４）
前記ピクセル回路部の位置によって前記スペーサの大きさ、個数及び模様を多様に配置することを特徴とする項目１記載の電界発光表示装置。
（項目５）
前記スペーサ上に形成された前記第２電極は、前記シールドキャップの内面と面接触することを特徴とする項目１記載の電界発光表示装置。
（項目６）
前記スペーサ上に形成された前記第２電極上には金属膜が形成され、その金属膜は、前記シールドキャップの内面と面接触することを特徴とする項目１記載の電界発光表示装置。
（項目７）
前記第２電極の上または前記スペーサの上に形成された前記第２電極の上の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成された吸湿材を含む項目１記載の電界発光表示装置。
（項目８）
前記スペーサの上部に形成された吸湿材は前記シールドキャップの内面と面接触することを含む項目７記載の電界発光表示装置。
（項目９）
前記シールドキャップの外側面には放熱板または冷却ファンの中で何れか一つ以上がさらに形成されたことを含む項目１記載の電界発光表示装置。
（項目１０）
前記発光部が形成された領域は発光領域で、その以外の領域は非発光領域と区分されることを特徴とする電界発光表示装置。
（項目１１）
前記吸湿材は、薄膜フィルム形態であることを特徴とする項目７記載の電界発光表示装置。
（項目１２）
前記スペーサ、前記シールドキャップ、前記放熱板または前記冷却ファンの中で何れか一つ以上は、熱伝逹の係数が大きい金属であることを特徴とする項目９記載の電界発光表示装置。
（項目１３）
前記スペーサは、パッシブマトリックスである場合、非発光領域の絶縁膜または隔壁が位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され、アクティブマトリックスである場合、薄膜トランジスタまたは保存キャパシタが位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成されたことを特徴とする項目１記載の電界発光表示装置。
（項目１４）
前記発光部は、有機発光層を含む項目１記載の電界発光表示装置。
（項目１５）
基板と、
前記基板上にパターンされた第１電極を含む発光領域と、
その第１電極上に形成された発光部と、
その発光部上に形成された第２電極と、
前記基板と前記第２電極の間に前記発光部より高く突出形成されたスペーサと、
そのスペーサが形成された前記第２電極と面接触するシールドキャップを含むことを特徴とする電界発光表示装置。
（項目１６）
前記スペーサは、前記発光領域の以外の領域に形成されたことを特徴とする項目１５記載の電界発光表示装置。
（項目１７）
前記スペーサは、パッシブマトリックスである場合、非発光領域の絶縁膜または隔壁が位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され、アクティブマトリックスである場合、薄膜トランジスタまたは貯蔵キャパシタが位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成されたことを特徴とする項目１５記載の電界発光表示装置。
（項目１８）
前記発光部は、有機発光層を含むことを特徴とする項目１５記載の電界発光表示装置。

本発明は、パネルの中心部と外郭部に位置する各素子の温度を均一で、かつ速く放出し得るようになり、色の変化や輝度の減少などの劣化を阻止するか、または劣化状態を同一に維持して信頼性の優秀な電界発光表示装置を提供し得るという効果がある。

（第１実施形態）
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の電界発光表示装置を詳細に説明する。

図２は、本発明の第１実施形態による電界発光表示装置の断面図で、図３は、図２のＢ部分を拡大した拡大図である。

図２を参照すると、本発明の第１実施形態による電界発光表示装置２００は、基板２１０上に第１電極２２０が形成され、該第１電極２２０は、パターンされて絶縁膜２２２によって絶縁される。前記第１電極２２０上には、有機層の発光部２３０が形成され、該発光部２３０上には、第２電極２４０が形成されてピクセル回路部Ｐが構成される。そして、該ピクセル回路部Ｐ上に形成された素子を保護する目的で吸湿剤２５０などが基板２１０に附着され、該基板２１０上に備えられたシールドキャップ２６０は、シーラント２７０で接着封止される。

一方、前記基板２１０と第２電極２４０の間には、前記発光部２３０より高く突出されたスペーサ２２４が形成され、前記第２電極２４０は、前記スペーサ２２４上に形成された第２電極２４０ａと前記発光部２３０上に形成された第２電極２４０ｂに区分される。

これによって、前記スペーサ２２４上に形成された第２電極２４０ａは、前記シールドキャップ２６０と面接触されてピクセル回路部Ｐの内部に位置した発光部２３０の発熱を第２電極２４０ａを通じて容易に放出し得るようになる。

このような前記スペーサ２２４は、前記絶縁膜２２２上に形成し得るが、普通、該絶縁膜２２２が形成された領域は、非発光領域に区分され、以外の発光部が形成されて光が放出される領域は発光領域に区分される。

図３のＢ部分を参照して詳しくは、絶縁膜２２２上に形成されたスペーサ２２４は、第２電極２４０ａがシールドキャップ２６０に接触されるように柱を形成し、ピクセル回路部Ｐの内部に発生した熱を容易に放出し得るようになる。また、スペーサ２２４が前記シールドキャップ２６０を支えている構造から形成されていて外部の圧力から素子を保護し得るようになる。

また、前記スペーサ２２４を熱伝逹の係数が大きい金属（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ））などから形成すると、内部から発熱された熱は、前記スペーサ２２４の柱に沿って前記シールドキャップ２６０に伝達され得るようになる。かつ、前記シールドキャップ２６０と基板２１０によって形成された空間は、発熱された温度が循環されるように誘導してより効果的に熱を発散し得るようになる。

一方、図２または図３に図示された電界発光表示装置は、パッシブマトリックス型に示したが、本発明は、パッシブ及びアクティブマトリックス型のすべてに適用可能であり、詳しくは次の説明を参照する。

もし、電界発光表示装置がパッシブマトリックスである場合、前記スペーサ２２４は、非発光領域である絶縁膜または隔壁が位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

また、電界発光表示装置がアクティブマトリックスである場合、前記スペーサ２２４は、薄膜トランジスタまたは貯蔵キャパシタが位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

しかし、前記スペーサ２２４は、位置に限定されることなく、発熱される熱を効果的に放出し得るなら、光が発光される領域を除いて何れかの所でも形成可能であることは勿論である。

そして図示してないが、スペーサ２２４上部に第２電極２４０ａを形成しなくて、スペーサ２２４の上部と面接触することが可能であることは勿論である。

（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態による電界発光表示装置の断面図である。

図４を参照すると、本発明の第２実施形態による電界発光表示装置４００は、基板４１０上に第１電極４２０が形成され、該第１電極４２０は、パターンされて絶縁膜４２２によって絶縁される。前記第１電極４２０上には、有機層の発光部４３０が形成され、発光部４３０上には、第２電極４４０が形成されてピクセル回路部Ｐが構成される。そして、該ピクセル回路部Ｐ上に形成された素子を保護する目的で吸湿剤４５０などが第２電極４４０に附着され、前記基板４１０上に備えられたシールドキャップ４６０は、シーラント４７０で接着封止される。

一方、前記基板４１０と第２電極４４０の間には、前記発光部４３０より高く突出されたスペーサ４２４が形成され、前記第２電極４４０は、前記スペーサ４２４上に形成された第２電極４４０ａと発光部４３０上に形成された第２電極４４０ｂに区分される。

ここで、前記吸湿剤４５０は、前記発光部４３０上に形成された第２電極４４０ｂ上に附着され、前記スペーサ４２４上に形成された第２電極４４０ａ上には金属膜４９０が形成される。

これによって、前記スペーサ４２４上に形成された第２電極４４０ａは、金属膜４９０と面接触された前記シールドキャップ４６０を通じてピクセル回路部Ｐの内部に位置した前記発光部４３０の発熱を前記第２電極４４０ａと金属膜４９０を通じて容易に放出し得るようになる。

このようなスペーサ４２４は、絶縁膜４２２上に形成し得るが、普通、該絶縁膜４２２が形成された領域は非発光領域に区分され、以外の発光部が形成されて光が放出される領域は発光領域に区分される。

更に詳しくは、前記絶縁膜４２２上に形成されたスペーサ４２４は、前記第２電極４４０ａ上に形成された金属膜４９０が前記シールドキャップ４６０に接触されるように柱を形成し、前記ピクセル回路部Ｐの内部に発生した熱を容易に放出し得るようになる。また、前記スペーサ４２４が前記シールドキャップ４６０を支えている構造から形成されていて外部の圧力から素子を保護し得るようになる。

また、前記スペーサ４２４を熱伝逹の係数が大きい金属（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ））などから形成すると、内部で発熱された熱は、前記スペーサ４２４の柱と金属膜４９０に沿って前記シールドキャップ４６０に伝達され得るようになる。かつ、前記シールドキャップ４６０と基板４１０によって形成された空間は、発熱された温度が循環されるように誘導してより効果的に熱を発散し得るようになる。

一方、図４に図示された電界発光表示装置は、パッシブマトリックス型で示したが、本発明は、パッシブ及びアクティブマトリックス型皆に適用可能であり、詳細には次の説明を参照する。

もし、電界発光表示装置がパッシブマトリックスである場合、前記スペーサ４２４は、非発光領域である絶縁膜または隔壁が位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

また、電界発光表示装置がアクティブマトリックスである場合、前記スペーサ４２４は、薄膜トランジスタまたは貯蔵キャパシタが位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

しかし、前記スペーサ４２４は、位置に限定されることなく、発熱される熱を効果的に放出し得るなら、光が発光される領域を除いた何れかの所でも形成可能であることは勿論で、前記金属膜４９０は材料に限定されない。

（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態による電界発光表示装置の断面図である。

図５を参照すると、本発明の第３実施形態による電界発光表示装置５００は、基板５１０上に第１電極５２０が形成され、該第１電極５２０は、パターンされて絶縁膜５２２によって絶縁される。前記第１電極５２０上には、有機層の発光部５３０が形成され、該発光部５３０上には、第２電極５４０が形成されてピクセル回路部Ｐが構成される。そして、該ピクセル回路部Ｐ上に形成された素子を保護する目的で吸湿剤５５０などが前記第２電極５４０上に附着され、前記基板５１０上に備えられたシールドキャップ５６０は、シーラント５７０で接着封止される。

一方、前記基板５１０と第２電極５４０の間には、前記発光部５３０より高く突出されたスペーサ５２４が形成され、前記第２電極５４０は、前記スペーサ５２４上に形成された第２電極５４０ａと前記発光部５３０上に形成された第２電極５４０ｂに区分される。

ここで、吸湿剤５５０は、前記第２電極５４０ｂ上に形成されるか、または前記スペーサ５２４の上部の前まで形成され、第２電極５４０ａの上部面には、金属膜５９０が形成される。

これによって、前記スペーサ５２４上に形成された第２電極５４０ａは、前記金属膜５９０と面接触された前記シールドキャップ５６０を通じて前記ピクセル回路部Ｐの内部に位置した前記発光部５３０の発熱を前記第２電極５４０ａと金属膜５９０を通じて容易に放出し得るようになる。

かつ、前記第２電極５４０ｂ上に形成された薄膜フィルム形態の吸湿剤５５０は、前記ピクセル回路部Ｐ上に形成された素子などが水分や酸素などによって劣化される現象を直接的に遮断し得る保護膜の役割を行い得るようになる。

このような前記スペーサ５２４は、前記絶縁膜５２２上に形成し得るが、普通、該絶縁膜５２２が形成された領域は非発光領域に区分され、以外の発光部が形成されて光が放出される領域は発光領域に区分される。

更に詳しくは、前記絶縁膜５２２上に形成された前記スペーサ５２４は、前記第２電極５４０ａ上に形成された前記金属膜５９０が前記シールドキャップ５６０に接触されるように柱を形成し、前記ピクセル回路部Ｐの内部に発生した熱を容易に放出し得るようになる。また、前記スペーサ５２４が前記シールドキャップ５６０を支えている構造から形成されていて外部の圧力から素子を保護し得るようになる。

また、前記スペーサ５２４を熱伝逹の係数が大きい金属（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ））などから形成すると、内部で発熱された熱は、前記スペーサ５２４の柱と前記金属膜５９０に沿って前記シールドキャップ５６０に伝達され得るようになる。かつ、前記シールドキャップ５６０と基板５１０によって形成された空間は、発熱された温度が循環されるように誘導してより効果的に熱を発散し得るようになる。

一方、図５に図示された電界発光表示装置は、パッシブマトリックス型で示したが、本発明は、パッシブ及びアクティブマトリックス型のすべてに適用可能であり、詳細には次の説明を参照する。

もし、電界発光表示装置がパッシブマトリックスである場合、前記スペーサ５２４は、非発光領域である絶縁膜または隔壁が位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

また、電界発光表示装置がアクティブマトリックスである場合、前記スペーサ５２４は、薄膜トランジスタまたは貯蔵キャパシタが位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

しかし、前記スペーサ５２４は、位置に限定されることなく、発熱される熱を効果的に放出し得るなら、光が発光される領域を除いた何れかの所でも形成可能であることが勿論で、前記金属膜５９０は、材料に限定されない。

（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態による電界発光表示装置の断面図である。

図６を参照すると、本発明の第４実施形態による電界発光表示装置６００は、基板６１０上に第１電極６２０が形成され、該第１電極６２０は、パターンされて絶縁膜６２２によって絶縁される。前記第１電極６２０上には、有機層の発光部６３０が形成され、該発光部６３０上には、第２電極６４０が形成されてピクセル回路部Ｐが構成される。そして、該ピクセル回路部Ｐ上に形成された素子を保護する目的で吸湿剤６５０などが基板６１０上に附着され、該基板６１０上に備えられたシールドキャップ６６０は、シーラント６７０で接着封止される。

一方、前記基板６１０と第２電極６４０の間には、前記発光部６３０より高く突出されたスペーサ６２４が形成され、前記第２電極６４０は、前記スペーサ６２４上に形成された第２電極６４０ａと発光部６３０上に形成された第２電極６４０ｂに区分される。

ここで、吸湿剤６５０は、前記基板６１０の何れか一方または図示されていないが、前記シールドキャップ６６０の何れか一方に形成されることができる。

一方、前記シールドキャップ６６０の外側面には、放熱板または冷却ファン６８０の中で何れか一つ以上が接着剤６８５などによって接着されるが、該接着剤６８５は、熱伝導性が優秀である。

これによって、前記スペーサ６２４上に形成された前記第２電極６４０ａは、前記シールドキャップ６６０と面接触されて前記ピクセル回路部Ｐの内部に位置した前記発光部６３０の発熱を前記第２電極６４０ａと接触された前記シールドキャップ６６０を通じて容易に放出し得るようになる。また、前記シールドキャップ６６０の外側面に形成された放熱板または冷却ファン６８０によって更に速く前記ピクセル回路部Ｐの内部の発熱温度を低め得るようになる。

前述したスペーサ６２４は、絶縁膜６２２上に形成し得るが、普通、該絶縁膜６２２が形成された領域は非発光領域に区分され、以外の発光部が形成されて光が放出される領域は発光領域に区分される。

更に詳しくは、前記絶縁膜６２２上に形成された前記スペーサ６２４は、前記第２電極６４０ａ上に形成された前記金属膜６９０が前記シールドキャップ６６０に接触されるように柱を形成し、前記ピクセル回路部Ｐの内部に発生した熱を容易に放出し得るようになる。また、前記スペーサ６２４が前記シールドキャップ６６０を支えている構造から形成されていて外部の圧力から素子を保護し得るようになるし、放熱板または前記冷却ファン６８０によって更に速く発熱温度を低め得るようになる。

また、前記スペーサ６２４や放熱板または前記冷却ファン６８０を熱伝逹の係数が大きい金属（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ））などから形成すると、内部で発熱された熱は、前記スペーサ６２４と放熱板または冷却ファン６８０を通じて効果的に放出し得るようになる。かつ、前記シールドキャップ６６０と基板６１０によって形成された空間は、発熱された温度が循環されるように誘導してより効果的に熱を発散し得るようになる。

一方、図６に図示された電界発光表示装置は、パッシブマトリックス型で示したが、本発明は、パッシブ及びアクティブマトリックス型のすべてに適用可能であり、詳細には次の説明を参照する。

もし、電界発光表示装置がパッシブマトリックスである場合、前記スペーサ６２４は、非発光領域である絶縁膜または隔壁が位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

また、電界発光表示装置がアクティブマトリックスである場合、前記スペーサ６２４は、薄膜トランジスタまたは貯蔵キャパシタが位置する領域の中で何れか一つまたは二つのすべてに形成され得るようになる。

しかし、前記スペーサ６２４は、位置に限定されることなく、発熱される熱を効果的に放出し得るなら、光が発光される領域を除いた何れかの所でも形成可能であることが勿論で、放熱板または冷却ファン５８０は、材料に限定されない。

以下、図７ないし図８（ｈ）は、本発明の各実施形態によってスペーサが位置される領域を説明する。

図７は、本発明の各実施形態によってスペーサが位置する一例を説明するためにパネルを示した図面で、図８（ａ）ないし図８（ｈ）は、図７のパネルに位置したスペーサの一例を示した図面である。

図７に図示されたように、電界発光表示装置のパネルを多数の領域に分けて、各領域の熱の発生量によってスペーサを相違に形成する。

ここで、パネルの温度分布は、パネルの中央部が外郭部に比べて相対的に熱発生量が大きくて温度が高く、外郭部に至るほど温度が低くなることを参照する。これによって、温度が高い中央部には直径が大きいスペーサを、外郭部には直径が小さいスペーサを形成するなど、スペーサは、多様に形成することもできる。

図８（ａ）を参照すると、温度が一番高いパネルの中央部７には、一番直径が大きいスペーサ８２４ａが形成された状態を図示する。

図８（ｂ）を参照すると、温度の高い中央の周囲部４、５、９、１０には、相対的に直径が小さいスペーサ８２４ｂが形成された状態を図示する。

図８（ｃ）を参照すると、パネルの側面の中央部２、６、８、１２には、三番目の大きさの直径を持つスペーサ８２４ｃが形成された状態を図示する。

図８（ｄ）を参照すると、最外郭１、３、１１、１３には、一番小さい直径のスペーサ８２４ｄが形成された状態を図示する。

これの他の実施形態として、図８（ｅ）ないし図８（ｈ）を参照すると、図８（ａ）で一番大きい直径のスペーサ８２４ａが形成された中央部７に４個のスペーサ８２４ｅを形成し、図８（ｂ）で中央の周囲部４、５、９、１０に３個のスペーサ８２４ｆが形成されることができる。

そして、図８（ｃ）の側面の中央部２、６、８、１２に２個のスペーサ８２４ｇを形成し、図８（ｄ）で最外郭１、３、１１、１３に１個のスペーサ８２４ｈが形成されることができる。

前述したパネルの温度分布は、シミュレーションを通じて分析及び測定し、スペーサの大きさ、位置、模様及び個数を相違に形成すると、発熱された熱を更に効果的に放出し得るようになる。また、順次に温度が低い領域に至るほどスペーサの個数を減らすか、または上下または左右の均衡を成して配置して熱発生量と熱放出量が均衡を成すようにすると、より効果的である。

本発明は、パネルの中心部と外郭部に位置する各素子の温度を均一で、かつ速く放出し得るようになり、色の変化や輝度の減少などの劣化を阻止するか、または劣化状態を同一に維持して信頼性の優秀な電界発光表示装置を提供するためのものである。

本発明に係る電界発光表示装置においては、基板上に形成された第１電極、該第１電極上に形成された発光部、該発光部上に形成された第２電極を含むピクセル回路部；該ピクセル回路部内に位置し、前記基板と前記第２電極の間に内在されて前記発光部より高く突出形成されたスペーサ；及び該スペーサの上部と接触するシールドキャップを含むことを特徴とする。

以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。

一般的な電界発光表示装置の断面図である。本発明の第１実施形態による電界発光表示装置の断面図である。図２のＢ部分を拡大した拡大図である。本発明の第２実施形態による電界発光表示装置の断面図である。本発明の第３実施形態による電界発光表示装置の断面図である。本発明の第４実施形態による電界発光表示装置の断面図である。本発明の各実施形態によってスペーサが位置する一例を説明するためにパネルを示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。ａ〜ｈは図７に位置したスペーサの一例を示した図面である。

符号の説明

２００電界発光表示装置
２１０基板２１０
２２０第１電極
２２２絶縁膜
２３０発光部
２４０第２電極
２５０吸湿剤
２６０シールドキャップ
２７０シーラント

Claims

基板上に形成されたピクセル回路部と、前記ピクセル回路部が内部に収容されるようにシーラントにより前記基板に封止されるシールドキャップを含み、
前記ピクセル回路部は、
前記基板上に形成される絶縁膜と、
前記基板上に形成され、前記絶縁膜により分離される第１電極と、
前記絶縁膜の一部領域から上部に突出形成され、熱伝達係数が大きい金属で形成されるスペーサと、
前記絶縁膜、前記第１電極及び前記スペーサをすべて覆うように形成された発光部と、
前記発光部の全面上に形成された第２電極と、
前記スペーサの頂上部に形成された第２電極を除外した第２電極の残りの部分上に形成され、前記第２電極と共に平坦部を形成する吸湿材と、
前記スペーサの頂上部に形成された前記第２電極の部分と前記吸湿剤により形成される前記平坦部上にのみ形成される金属膜と
を含み、
前記シールドキャップは、前記金属膜と面接触し、
前記スペーサ上での前記金属膜の幅は、前記第２電極の幅より広く形成され、
前記発光部は、前記スペーサの側壁と上面全体をカバーするように形成される
ことを特徴とする電界発光表示装置。
前記ピクセル回路部の中央部に位置したスペーサの大きさは、外郭部に位置したスペーサの大きさより相対的に大きいことを特徴とする請求項１記載の電界発光表示装置。
前記ピクセル回路部の中央部に位置した前記スペーサの個数は、外郭部に位置したスペーサの個数より相対的に多いことを特徴とする請求項１記載の電界発光表示装置。
前記シールドキャップの外側面には放熱板または冷却ファンの中で何れか一つ以上がさらに形成されたことを含む請求項１記載の電界発光表示装置。
前記発光部が形成された領域は発光領域で、その以外の領域は非発光領域と区分されることを特徴とする請求項１記載の電界発光表示装置。
前記吸湿材は、薄膜フィルム形態であることを特徴とする請求項１記載の電界発光表示装置。
前記スペーサ、前記シールドキャップ、前記放熱板または前記冷却ファンの中で何れか一つ以上は、熱伝逹の係数が大きい金属であることを特徴とする請求項４記載の電界発光表示装置。
前記発光部は、有機発光層を含む請求項１記載の電界発光表示装置。