KR101593059B1 - 유기전계발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 유기전계발광소자를 방열하기 위한 방열부재가 구비된 유기전계발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 화상이 구현되지 않는 OLED의 배면에 방열패드와 커버필름으로 이루어진 방열부재를 부착함으로써, OLED로부터 발생된 고온의 열을 외부로 효과적을 방출시켜 방열효과를 극대화시킬 수 있게 된다.
특히, 방열패드의 각 모서리부를 커팅된 구조로 형성하여, 커버필름과 OLED 배면과의 접착면적을 향상시키게 됨으로써, 방열패드와 OLED 배면과의 접착력을 더욱 향상시키게 된다.
유기전계발광소자, 방열패드, 모서리, 커버필름

Description

유기전계발광소자{Organic electro-luminescence device}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 유기전계발광소자를 방열하기 위한 방열부재가 구비된 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electro-luminescence device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있 다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
이러한 특성을 갖는 OLED는 크게 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 나뉘어 지는데, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성하는 반면, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터와 전류를 흘려보내주는 구동 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터에 한 프레임 동안 전압을 유지해 주는 캐패시터가 화소 별로 위치하도록 한다.
최근, 패시브 매트릭스 타입은 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입 OLED의 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, OLED는 하부 발광방식이다.
도시한 바와 같이, OLED(10)는 통상적으로 유리로 이루어지는 제 1 기판(1)과, 제 1 기판(1)과 마주하는 제 2 기판(2)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(1, 2)은 서로 이격되어 있고, 이의 가장자리부는 실패턴(seal pattern : 20)을 통해 봉지되어 합착된다.
이를 좀더 자세히 살펴보면, 제 1 기판(1)의 상부에는 각 화소영역(P) 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(11)과, 유기발광층(13)과, 제 2 전극(15)이 순차적으로 형성되어 있다. 제 1 전극(11)은 구동 박막트랜지스터(DTr)와 전기적으로 연결된다.
이와 같은 경우에, 제 1 전극(11)은 투명한 도전성물질로 이루어지며, 제 2 전극(15)은 불투명한 도전성물질로 이루어 질 수 있다. 이에 따라, 유기발광층(13)에서 발광된 빛은 제 1 전극(11) 방향으로 방출되게 된다.
그리고, 제 2 기판(2)의 내부면에는 외부로부터 침투된 수분을 제거하는 흡습제(17)가 형성된다.
한편, OLED(10)는 구동시 발생하는 열과 구동 박막트랜지스터(DTr)의 열화에 의해 수명이 급격히 감소되는 단점이 있다.
이에 최근에는 이러한 단점을 해소하기 위하여 OLED(10)를 모듈화화는 기구물에 팬(fan : 미도시)이나 히트파이프(heat pipe : 미도시)를 구성하는 것이 제안되었으나, 이와 같은 방열기구는 어느 정도의 효과는 있으나 가격대비 효과가 미미하며, 방열구조 및 그 설치가 복잡한 문제점을 갖는다.
또한, 이와 같은 방열구조는 OLED(10)의 경량 및 박형화 추세를 거스르는 문제점을 야기하게 되며, 특히 플렉서블 OLED(10)의 경우 이와 같은 문제점은 더욱 두드러지게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, OLED를 효과적으로 방열하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, 경량 및 박형의 OLED를 제공하고자 하는 것을 제 2 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 영상을 표시하는 표시면과 상기 표시면에 반대되는 배면을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서, 상기 유기전계발광소자의 배면에 접착성물질을 통해 부착되며, 각 모서리부가 커팅(cutting)된 구조인 방열패드와; 상기 방열패드를 감싸며, 가장자리가 상기 접착성물질과 접착되는 커버필름을 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.
이때, 상기 커버필름은 상기 방열패드의 사이즈와 상기 방열패드의 두께 그리고, 상기 접착성물질과 접착되는 접착폭을 포함하며, 상기 커버필름의 각 모서리부는 상기 접착성물질과 접착되는 접착폭이 적어도 2 ~ 3mm이다.
그리고, 상기 커버필름의 가장자리는 상기 접착성물질과 접착되는 접착폭이 적어도 2 ~ 3mm이며, 상기 커팅된 구조는 이등변삼각형 구조이다.
여기서, 상기 방열패드는 에폭시 등의 수지 조성물에 열전달 필러가 함유된 구조이며, 상기 열전달 필러는 흑연(graphite), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 등의 금속입자 중 선택된 하나이며, 상기 커버필름은 PTFE(poly tetra fluoroethylene)계열 필름, 난연성 PVC(poly vinyl chloride)필름, 난연성 폴리에스테르(poly ether)필름, PEI(poly cthylene imide)필름, 실리콘필름, 실리콘러버필름, 불소수지 필름, 절연재용 필름, 테프론필름 PVC(poly vinyl chloride) 재질의 보호필름, PE(polyethylene)재질의 필름, PO(poly olefin)재질의 필름 중 선택된 하나이다.
또한, 상기 접착성물질은 금속 에폭시를 포함하는 전도성 접착테이프이며, 상기 유기전계발광소자는, 서로 마주보는 제 1 및 2 기판을 포함하고, 상기 제 1 기판 내면에는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드가 형성되고, 상기 제 2 기판을 통해 인캡슐레이션된다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 화상이 구현되지 않는 OLED의 배면에 방열패드와 커버필름으로 이루어진 방열부재를 부착함으로써, OLED로부터 발생된 고온의 열을 외부로 효과적을 방출시켜 방열효과를 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
특히, 방열패드의 각 모서리부를 커팅된 구조로 형성하여, 커버필름과 OLED 배면과의 접착면적을 향상시키게 됨으로써, 방열패드와 OLED 배면과의 접착력을 더욱 향상시키게 되는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이다.
한편, OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 하부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 하부발광 방식 OLED(100)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(101)과, 제 1 기판(101)과 마주하며 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(102)으로 구성되며, 제 1 및 제 2 기판(101, 102)은 서로 이격되어 있고, 이의 가장자리부는 실패턴(seal pattern : 120)을 통해 봉지되어 합착된다.
그리고, 제 2 기판(102)의 내부면에는 외부로부터 침투된 수분을 제거하는 흡습제(118)가 형성된다.
여기서, 제 1 기판(101) 상에는 반도체층(103)이 형성되는데, 반도체층(103)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(103a) 그리고 액티브영역(103a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)으로 구성된다.
이러한 반도체층(103) 상부로는 게이트절연막(105)이 형성되어 있다.
게이트절연막(105) 상부로는 반도체층(103)의 액티브영역(103a)에 대응하여 게이트전극(107)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다.
또한, 게이트전극(107)과 게이트배선(미도시) 상부 전면에 제 1 층간절연막(109a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(109a)과 그 하부의 게이트절연막(105)은 액티브영역(103a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 구비한다.
다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 포함하는 제 1 층간절연막(109a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(116)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(103b, 103c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(110a, 110b)이 형성되어 있다.
이때, 소스 및 드레인 전극(110a, 110b)과 이들 전극(110a, 110b)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(103b, 103c)을 포함하는 반도체층(103)과 반도체층(103) 상부에 형성된 게이트절연막(105) 및 게이트전극(107)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.
이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다.
그리고, 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 도면에서는 반도체층(103)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질질실리콘으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다.
그리고, 소스 및 드레인전극(110a, 110b) 상부로 드레인전극(110b)을 노출시키는 드레인콘택홀(117)을 갖는 제 2 층간절연막(109b)이 형성되어 있다.
또한, 제 2 층간절연막(109b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다.
제 1, 2 전극(111, 115)과 그 사이에 형성된 유기발광층(113)은 유기전계발광 다이오드(E)를 이루게 된다.
제 1 전극(111)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(110b)과 연결되며, 제 1 전극(111)은 각 화소영역(P)별로 형성되는데, 각 화소영역(P) 별로 형성된 제 1 전극(111) 사이의 비화소영역(NA)에는 뱅크(bank : 119)가 위치한다.
즉, 뱅크(119)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(119)를 각 화소영역(P) 별 경계부로 하여 제 1 전극(111)이 화소영역(P) 별로 분리된 구조로 형성되어 있다.
이와 같은 경우에, 제 1 전극(111)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 제 2 전극(115)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질인 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd)으로 이루어진다.
따라서, 유기발광층(113)에서 발광된 빛은 제 1 전극(111)을 향해 방출되는 하부 발광방식으로 구동된다.
그리고, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송 층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수도 있다.
이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(115)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
이때, 발광된 빛은 투명한 제 1 전극(111)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
이와 같은 경우에, 제 1 기판(101)의 외면이 표시면이 된다. 이에 따라 제 2 기판(102)의 외면에는 방열부재(200)가 부착되어 OLED(100)에서 발생되는 열을 방열하는 역할을 하게 된다.
즉, OLED(100)는 구동 시 구동 박막트랜지스터(DTr)의 열화와 함께 발생하는 열에 의해 약 80 ~ 90℃정도 까지 온도가 상승하게 된다. 이와 같은 고열에 의해 OLED(100)의 수명이 급격히 감소하게 된다.
따라서, OLED(100)의 화상이 구현되지 않는 일면(이하, OLED의 배면이라 함)에 방열부재(200)를 구비함으로써, OLED(100)에서 발생되는 열을 방열하여 OLED(100)의 수명이 급격히 감소되는 문제점을 방지하는 것이다.
여기서, 방열부재(200)는 방열패드(210)와 방열패드(210)를 보호하기 위한 커버필름(220)으로 구성되는데, 이러한 방열부재(200)는 전도성 접착테이프(130)를 통해 OLED(100)의 배면에 부착된다.
이로 인하여 OLED(100)에서 발생한 고온의 열은 방열부재(200)를 통해 외부로 효과적으로 방열하게 되는 효과를 갖게 된다. 이에 대해 도 3을 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 3은 OLED 방열설계에 따른 OLED로부터 발생된 열의 이동경로를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도시한 바와 같이, OLED(100)의 화상이 구현되지 않는 배면에는 전도성 접착테이프(130)를 통해 방열부재(200)가 부착되어 있는데, 이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, OLED(100)의 배면에는 방열부재(200)의 방열패드(210)가 전도성 접착테이프(130)를 통해 부착되며, 이러한 방열패드(200)가 오염되는 것을 방지하기 위하여 방열패드(210)의 외측에는 커버필름(220)이 방열패드(210)를 완전히 덮도록 방열패드(210)와 부착된다.
여기서, 방열패드(210)는 에폭시 등의 수지 조성물에 열전달 필러가 함유된 형태로 구비될 수도 있는데, 일예로 흑연(graphite)을 진공증착 또는 스퍼터링 공정에 의해 고진공하에서 수지 조성물 상에 증착함으로써 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 열전달 필러가 흑연 재질로 형성할 경우, 방열패드(210)는 겹겹이 흑연층이 적층된 구조를 갖는 것이 바람직하고, 적층된 흑연층은 편상구조의 흑연을 발포하고 고압으로 압연함으로써 방열패드(210)를 형성하게 된다.
이때, 흑연 재질의 방열패드(210)는 검은색을 띠게 되므로, 열흡수율이 증가 하게 되고, 이에 따라 방열패드(210)는 높은 열전도특성을 갖게 된다.
따라서, 방열패드(210)로 전달된 열은 방열패드(210) 전체로 효과적으로 확산되게 된다.
또는 흑연 외에도 열전도성이 우수한 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 등의 금속입자 또는 고무 계열 또는 아크릴 계열 등의 재질로도 형성할 수도 있다.
이때, 알루미늄(Al)으로 방열패드(210)를 형성할 경우, 알루미늄은 순도 99.5%를 갖는 것이 바람직하며, 애노다이징(anodizing)처리를 통해, 검은색의 산화피막이 표면에 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 커버필름(220)은 PTFE(poly tetra fluoroethylene)계열의 다양한 종류로 구비될 수 있으며, 난연성 PVC(poly vinyl chloride)필름, 난연성 폴리에스테르(poly ether)필름, PEI(poly cthylene imide)필름, 실리콘필름, 실리콘러버필름, 불소수지 필름, 절연재용 필름, 테프론필름 PVC(poly vinyl chloride)재질의 보호필름, PE(polyethylene)재질의 필름, PO(poly olefin)재질의 필름 등이 사용된다.
그리고, 전도성 접착테이프(130)는 금속 에폭시, 일예로 은(Ag) 에폭시를 포함할 수 있으며, 전도성 접착테이프(130)는 접착제이면서도 높은 열 전도성을 갖는 것이 바람직하다.
따라서, OLED(100)가 구동하면서 발생되는 많은 열은 전도성 특성을 갖는 접착테이프(130)를 통해 방열패드(210)로 전달되고, 방열패드(210)는 열전도율이 뛰어나기 때문에 방열패드(210)로 전달된 고온의 열은 방열패드(210)의 전체로 효과 적으로 확산되게 된다.
이렇게 방열패드(210) 전체로 확산된 고온의 열은 외부 공기와 접촉하는 면적이 늘어나게 되고, 이를 통해 OLED(100)로부터 발생되는 고온의 열을 외부로 신속하고 효율적으로 방출시키게 된다.
이로 인하여, 기존에는 OLED(100)에 발생하는 열이 80 ~ 90℃ 이상 이였으나, 본 발명의 방열패드(210)를 통해 OLED(100)는 55 ~ 60℃로 온도가 낮아지게 된다.
따라서, OLED(100)의 수명이 급격히 감소되는 문제점을 방지하게 된다.
한편, 커버필름(220)은 방열패드(210)와 OLED(100) 배면과의 접착력을 더욱 향상시키는 역할을 하게 되는데, 즉, 커버필름(220)은 방열패드(210)의 사이즈보다 크게 형성되어, 방열패드(210)를 완전히 덮는 동시에 커버필름(220)의 가장자리는 전도성 접착테이프(130)와 접착됨으로써, 방열패드(210)와 OLED(100) 배면과의 접착력을 더욱 향상시키게 된다.
즉, 방열패드(210)는 OLED(100) 배면과 전도성 접착테이프(130)를 통해 1차 고정되며, 커버필름(220)을 통해 2차 고정되는 것이다.
도 4a ~ 4b는 커버필름과 방열패드의 사이즈를 개략적으로 도시한 단면도와 평면도이다.
도시한 바와 같이, 커버필름(220)은 방열패드(210)의 측면을 포함하여 방열패드(210)를 완전히 감싸도록 구비되며, 커버필름(220)의 가장자리는 OLED(100) 배면의 도전성 접착테이프(130)와 접착된다.
따라서, 방열패드(210)는 전도성 접착테이프(130)를 통해 OLED(100) 배면과 1차 고정되는 동시에 방열패드(210)를 감싸는 커버필름(220)과 전도성 접착테이프(130)의 접착을 통해 OLED(100) 배면과 2차 고정되어, OLED(100) 배면과 방열패드(210)의 접착력이 보다 향상되게 된다.
이때, 커버필름(220)은 방열패드(210)를 완전히 감싸기 위하여, 방열패드(210)에 비해 각 가장자리가 d2 만큼 더 큰 사이즈를 갖도록 형성한다.
여기서, d2는 방열패드(210)의 두께(w1)에 대응되는데, 이는 커버필름(220)이 방열패드(210)의 두께(w1)에 의해 형성되는 측면까지 완전히 덮은 후, 커버필름(220)의 가장자리가 OLED(100) 배면의 전도성 접착테이프(130)와 접착되기 위함이다.
이에, 커버필름(220)의 사이즈는 방열패드(210)의 측면까지 완전히 덮는 사이즈에 커버필름(220)의 가장자리 일부가 전도성 접착테이프(130)와 접착될 수 있는 사이즈를 갖도록 형성하는 것이다.
이때, 커버필름(220)과 전도성 접착테이프(130)는 적어도 2 ~ 3mm의 접착폭(s1)을 갖도록 접착되도록 하는 것이 바람직한데, 이는 접착폭(s1)이 2 ~ 3mm 이하일 경우 커버필름(220)과 전도성 접착테이프(130)와의 접착력 저하로 인하여, 커버필름(220)이 들뜨는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
따라서, 방열패드(210)의 사이즈가 d1이며, w1의 두께로 구비될 경우, 커버필름(220)의 사이즈는 방열패드(210)의 사이즈인 d1에 방열패드(210)의 네 가장자리 측면을 덮기 위하여 (4 × w1)의 사이즈를 더하며, 커버필름(220)과 전도성 접 착테이프(130)와의 최소한의 접착폭(s1)인 2 ~ 3mm를 더한 사이즈를 갖도록 하는 것이다.
(커버필름(220)의 사이즈(d2) = 방열패드(210) 사이즈(d1) + 방열패드(210)의 네 가장자리 측면두께(4 × w1) + 커버필름(220)과 전도성 접착테이프(130)의 접착폭(s1 = 2 ~ 3mm))
일예로, 방열패드(210)의 가로 × 세로 사이즈가 347 × 201mm이며, 방열패드(210)의 두께(w1)가 0.2mm 일 경우, 커버필름(220)의 가로 × 세로 사이즈는 351.2 × 203.2mm의 사이즈로 형성함으로써, 커버필름(220)이 방열패드(210)의 측면까지 완전히 덮으며, 커버필름(220)의 가장자리가 도전성 접찹테이프(130)와 접착됨으로써, 방열패드(210)를 커버필름(220)을 통해 OLED(도 3의 100) 배면에 2차 고정하게 된다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 방열패드(210)는 각 모서리부가 커팅(cutting)된 구조로 형성하는 것을 특징으로 한다.
커버필름(220)을 방열패드(210)의 측면을 포함하여 완전히 덮을 수 있는 사이즈로 구성한다 해도, 커버필름(220)을 통해 일정 두께를 갖는 방열패드(210)의 각 모서리부까지 완전히 덮을 수 없다.
특히, 방열패드(210)의 모서리부에 대응하는 커버필름(220)의 각 모서리부는 OLED(도 3의 100) 배면의 전도성 접착테이프(130)와 접착되지 않거나, 접착된다 하여도 최소 접착폭(s1)을 확보하지 못하여, 커버필름(220)의 모서리부가 들뜨는 현상을 발생시키게 된다.
이로 인하여, 방열패드(210)의 모서리부가 오염되거나, 방열패드(210)의 모서리부가 OLED(도 3의 100)로부터 들뜨게 됨으로써, OLED(도 3의 100)로부터 발생되는 고온의 열이 OLED(도 3의 100)의 모서리부에서는 외부로 방출되지 않게 되는 문제점을 야기하게 된다.
이에, 본 발명은 방열패드(210)의 모서리부를 커팅(cutting)된 구조로 형성함에 따라, 커버필름(220)의 각 모서리부가 전도성 접착테이프(130)와 적어도 최소 접착폭(s1) 이상으로 접착되도록 함으로써, 이와 같은 문제점을 방지하는 것이다.
즉, 본 발명은 방열패드(210)의 각 모서리부를 커팅된 구조로 형성하는데, 이때, 방열패드(210)의 각 모서리부의 커팅(cutting)구조의 커팅되는 크기는 커버필름(220)과 전도성 접착테이프(130)와의 접착되는 접착폭이 최소 접착폭(s1) 이상을 갖는 범위 내에서 커팅된 구조를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
따라서, 방열패드(210)의 각 모서리부에 대응되는 커버필름(220)의 모서리부는 전도성 접착테이프(130)와 도면상에 정의한 s2 만큼 접착폭(s2)을 갖게 된다.
이때, 커버필름(220)의 전도성 접착테이프(210)와 접착되는 모서리부의 접착폭(s2)은 커버필름(220)의 네 가장자리가 전도성 접착테이프(130)와 접착되는 접착폭(s1) 보다 크게 형성된다.
따라서, 커버필름(220)의 전도성 접착테이프(130)와 접착되는 모서리부는 접착력 저하가 발생되지 않는 최소 접착폭(s1) 이상을 갖게 되는 것을 알 수 있다.
또한, s2의 접착폭은 방열패드(210)의 커팅된 모서리 만큼에 대응되는 사이즈이다.
이때, 방열패드(210)의 모서리는 두 변의 길이(a)가 동일한 이등변삼격형 구조로 커팅하는 것이 바람직하며, 이와 같이, 이등변삼격형 구조로 방열패드(210)의 모서리를 커팅할 경우, 커버필름(220)과 전도성 접착테이프(130)는 커버필름(220)의 가장자리와 전도성 접착테이프(130)가 접착되는 s1의 접착폭에 비해 약 2.5배 정도 접착폭을 넓히게 된다.
일예로, 커버필름(220)의 가장자리와 전도성 접착테이프(130)가 접착되는 접착폭(s1)이 3mm일 경우, 방열패드의 모서리를 커팅된 구조로 형성할 경우, 커버필름(220)의 모서리부는 전도성 접착테이프(130)와 접착되는 접착폭(s2)이 7.5mm가 되는 것이다.
따라서, 방열패드(210)의 모서리부를 커버필름(220)이 완전히 감싸지 못해, 커버필름(220)의 모서리가 전도성 접착테이프(130)와 접착되지 않아, 방열패드(210)의 모서리부가 오염되거나, OLED(도 3의 100)로부터 들뜨게 되는 문제점을 방지할 수 있게 된다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 OLED(도 3의 100)는 화상이 구현되지 않는 OLED(도 3의 100)의 배면에 방열패드(210)와 커버필름(220)으로 이루어진 방열부재(200)를 부착함으로써, OLED(도 3의 100)로부터 발생된 고온의 열을 외부로 효과적을 방출시켜 방열효과를 극대화시킬 수 있게 된다.
또한, 본발명에 따른 OLED(도 3의 100)에서는, 간단한 구조의 방열부재(200)를 사용함에 따라, 방열구조 및 설치가 간단하고, 기존의 팬(fan)이나 히트파이프(heat pipe)를 구성하는 것에 비해 방열효과가 뛰어나며 경량 및 박형의 모습을 유지할 수 있다.
특히, 방열패드(210)의 각 모서리부를 커팅된 구조로 형성하여, 커버필름(220)과 OLED(도 3의 100) 배면과의 접착면적을 향상시키게 됨으로써, 방열패드(210)와 OLED(도 3의 100) 배면과의 접착력을 더욱 향상시키게 된다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스 타입 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 OLED 방열설계에 따른 OLED로부터 발생된 열의 이동경로를 개략적으로 도시한 단면도.
도 4a ~ 4b는 커버필름과 방열패드의 사이즈를 개략적으로 도시한 단면도와 평면도.

Claims (10)

  1. 영상을 표시하는 표시면과 상기 표시면에 반대되는 배면을 포함하는 유기전계발광소자에 있어서,
    상기 유기전계발광소자의 배면에 배치되는 접착성물질과;
    상기 접착성물질의 가장자리부를 노출시키며 상기 접착성물질에 의해 일면이 상기 유기전계발광소자의 배면에 부착되며, 각 모서리부가 커팅(cutting)된 구조를 갖는 방열패드와;
    상기 방열패드의 타면 및 측면을 감싸며, 상기 방열패드에 의해 노출된 상기 접착성물질에 의해 가장자리부가 상기 유기전계발광소자의 배면에 부착되는 커버필름
    을 포함하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버필름은 상기 방열패드의 사이즈와 상기 방열패드의 두께 그리고, 상기 접착성물질과 접착되는 접착폭을 포함하는 사이즈인 유기전계발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 커버필름의 각 모서리부는 상기 접착성물질과 접착되는 접착폭이 적어도 2 ~ 3mm인 유기전계발광소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 커버필름의 가장자리부는 상기 접착성물질과 접착되는 접착폭이 적어도 2 ~ 3mm인 유기전계발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 커팅된 구조는 이등변삼각형 구조인 유기전계발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 방열패드는 에폭시 등의 수지 조성물에 열전달 필러가 함유된 구조인 유기전계발광소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 열전달 필러는 흑연(graphite), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag) 등의 금속입자 중 선택된 하나인 유기전계발광소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버필름은 PTFE(poly tetra fluoroethylene)계열 필름, 난연성 PVC(poly vinyl chloride)필름, 난연성 폴리에스테르(poly ether)필름, PEI(poly cthylene imide)필름, 실리콘필름, 실리콘러버필름, 불소수지 필름, 절연재용 필름, 테프론필름 PVC(poly vinyl chloride)재질의 보호필름, PE(polyethylene)재질의 필름, PO(poly olefin)재질의 필름 중 선택된 하나인 유기전계발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착성물질은 금속 에폭시를 포함하는 전도성 접착테이프인 유기전계발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기전계발광소자는, 서로 마주보는 제 1 및 2 기판을 포함하고,
    상기 제 1 기판 내면에는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와 유기전계발광 다이오드가 형성되고,
    상기 제 2 기판을 통해 인캡슐레이션되는 유기전계발광소자.
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