KR100443831B1 - 액정표시소자의 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 69
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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Abstract
본 발명은 수율을 향상시킬 수 있는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 게이트전극 및 게이트패드를 형성하는 단계와; 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 소스전극, 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와; 무기보호막 상에 유기보호막을 형성하는 단계와; 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 전극패드와 드레인전극 상의 무기보호막을 노출시키고, 전극패드의 주변부의 유기보호막의 일부가 남도록 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계와; 현상된 유기보호막을 마스크로 무기보호막 및 게이트절연막을 패터닝하여 드레인접촉홀, 게이트접촉홀 및 데이터 접촉홀을 형성하는 단계와; 전극패드의 주변부에 일부 남아있는 유기보호막을 제거하여 도전성 필름과 접촉되어질 무기보호막을 노출시키고 상기 전극패드가 형성된 패드부를 제외한 화상표시부 상에 유기보호막의 일부가 남도록 유기보호막을 에싱하는 단계와; 무기보호막 및 유기보호막 상에 투명전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 수율을 향상시킬 수 있는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
통상, 액정표시(Liquid Crystal Display ; LCD) 소자는 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들이 비디오신호에 따라 광투과율을 조절함으로써 액정패널에 비디오신호에 해당하는 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정표시소자는 액정셀들이 액티브 매트릭스(Active Matrix) 형태로 배열된 액정패널과, 액정셀들을 구동하기 위한 구동 집적회로(Integrated Circuit; 이하, IC라 한다)들을 구비한다. 구동 IC들은 통상 칩(Chip) 형태로 제작되며 탭(TAB; Tape Autoamted Bonding) 방식인경우 TCP(Tape Carrier Package)에 실장되거나 COG(Chips On Glass) 방식인 경우 액정패널의 표면에 실장되게 된다. TAB 방식인 경우 구동 IC들은 TCP에 의해 액정패널에 마련된 패드부와 전기적으로 접속되어 있다.
도 1은 통상의 액정표시소자를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 액정표시소자는 하판(4)과 상판(6)이 대향하여 접착된 구조로 매트릭스 액정셀들이 위치하는 화상표시부(2)와, 구동 IC들과 화상표시부(2) 사이에 접속되는 게이트 패드부(GP) 및 데이터 패드부(DP)를 포함하게 된다.
화상표시부(2)에 있어서, 하판(4)에는 비디오신호가 인가되는 데이터라인들과 주사신호가 인가되는 게이트라인들이 서로 교차하여 배치되고, 그 교차부에 액정셀들을 스위칭하기 위한 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터에 접속되어 액정셀을 구동하는 화소전극이 형성되어 있다. 상판(6)에는 블랙 매트릭스에 의해 셀영역별로 분리되어 도포된 칼러필터들과, 칼러필터들의 표면에 공통 투명전극이 도포되어 있다. 이러한, 상/하판(6,4)은 스페이서에 의해 이격되어 셀갭이 마련되고, 그 셀갭에는 액정물질로 채워져 있다. 상판(6)과 하판(4)은 화상표시부(2) 외곽의 실링부(10)에 도포된 실링재에 의해 접착된다.
상판(6)과 중첩되지 않는 하판(4)의 가장자리 영역에는 게이트 패드부(GP)와, 데이터 패드부(DP)가 마련된다. 이 게이트 패드부(GP)는 게이트 구동 IC로부터 공급되는 게이트신호를 화상표시부(2)의 게이트라인들에 공급한다. 데이터 패드부(DP)는 데이터 구동IC로부터 공급되는 비디오신호를 화상표시부(2)의 데이터라인들에 공급한다.
이러한 구조를 가지는 액정표시소자에서 하판(4)에는 금속전극과 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 보호막이 전면 도포되어 있다. 이 보호막 위에 화소전극이 셀영역별로 형성되게 된다. 보호막은 화소의 개구율을 높이기 위한 유기보호막으로 형성된다.
게이트패드부(GP)의 게이트 패드(14)는 화상표시부(2)의 게이트라인과 함께 도 1에 도시된 바와 같이 하부기판(1) 상에 형성된다. 게이트 패드(14) 위에는 게이트절연막(22)과 유기보호막(24)이 순차적으로 전면도포된다. 이러한 게이트절연막(22)과 유기보호막(24)을 패터닝함으로써 게이트접촉홀(16a)이 형성된다. 유기보호막(24) 위에 게이트패드단자전극(20)이 형성됨으로써 게이트접촉홀(16a)을 통해 게이트패드(14)와 게이트패드단자전극(20)이 접속되게 된다.
데이터패드부의 데이터 패드(18)는 화상표시부(2)의 데이터라인과 함께 도 3에 도시된 바와 같이 하부기판(1) 상의 게이트절연막(22) 상에 형성된다. 게이트절연막(22) 상에 형성된 데이터 패드(18) 상에는 유기보호막(24)이 전면도포된다. 유기보호막(24)을 패터닝함으로써 데이터접촉홀(16b)이 형성된다. 유기보호막(24) 상에 데이터패드단자전극(26)이 형성됨으로써 데이터접촉홀(16b)을 통해 데이터패드(18)와 데이터패드단자전극(26)이 접속된다.
게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)는 TAB 방식에서 구동 IC가 실장된 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package ; 이하 "TCP"라 함)와 접촉된다. 게이트패드(14) 및 데이터패드(18)는 유기보호막(24) 상에 형성되는 게이트패드단자전극(20) 및 데이터패드단자전극(26)을 통해 TCP와 전기적으로 접속된다. 이는 TAB방식에서 요구되는 TCP의 접착과정 반복시 게이트패드(14) 및 데이터패드(18)의 손상을 방지하고, 게이트패드(14)와 데이터패드(18)가 노출되어 주변부의 수분과 반응하여 산화부식되는 것을 방지하기 위함이다.
TCP와 게이트패드단자전극(20) 및 데이터패드단자전극(26)을 전기적으로 접속시키기 위해 도 4에 도시된 바와 같이 이방성도전필름(Anisotopci Conductive Film)(12)이 형성된다. 이방성도전필름(12)에는 도전성 입자(28)들이 도포되며, 이 도전성입자(28)들은 TCP와 게이트패드단자전극(20) 및 데이터패드단자전극(26) 사이에 전류패스를 형성하게 된다.
그러나, 데이터패드부(DP) 및 게이트패드부(DP)에 TAB 방식으로 구동 IC가 실장되는 TCP를 접착하는 경우 미스얼라인에 의한 불량이 발생하게 되면 TCP 접착 및 분리하는 과정을 여러 번 반복해야만 한다. 이에 따라, 유기보호막(24)이 게이트절연막(22)과의 취약한 접착특성을 가짐에 따라 TCP를 분리해내는 과정에서 유기보호막(24)이 TCP를 따라 제거된다. 이 경우, 유기보호막(24)이 제거된 표면이 불균일함에 따라 TCP의 재접착시 취약한 접착특성을 가지게 되는 문제점이 있다.
또한, 게이트패드(14) 및 데이터패드(18) 상의 유기보호막(24)이 제거되면 그 위의 게이트패드단자전극(20) 및 데이터패드단자전극(26)과 함께 제거된다. 이에 따라, 게이트패드(14) 및 데이터패드(18)가 노출되어 손상을 입거나 산화됨으로써 게이트패드(14) 및 데이터패드(18)의 특성이 열화되는 문제점이 발생하게 된다.
뿐만 아니라, 원활한 리페어공정을 위해 잔존하는 유기보호막(24)을 제거하기 위해 마스크를 사용할 경우 생산성의 저감을 가져와 공정진행기간이 증가되는문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 수율을 향상시킬 수 있는 액정표시소자의 제조방법을 제공하는 것이다
도 1은 통상의 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 게이트패드부를 나타내는 단면도.
도 3은 도 1에 도시된 데이터패드부를 나타내는 단면도.
도 4는 도 2 및 도 3에 도시된 게이트패드부 및 데이터패드부 상에 형성되는 이방성도전필름을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도.
도 6은 도 5에서 선 "A-A'", "B-B'", "C-C'"를 따라 절취한 액정표시소자를 나타내는 단면도.
도 7은 도 6에 도시된 게이트패드부 및 데이터패드부의 무기보호막을 형성하기 위한 마스크를 나타내는 도면.
도 8a 내지 도 8g는 도 6에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
1,31 : 기판 2 : 화상표시부
4 : 하판 6 : 상판
10 : 실링부 12 : 이방성 도전필름
14,54 : 게이트패드 18,56 : 데이터패드
20,58 : 게이트패드단자전극 22,42 : 게이트절연막
24,48,62 : 보호막 26,60 : 데이터패드단자전극
32 : 게이트라인 34 : 데이터라인
36 : 게이트전극 38 : 소스전극
40 : 드레인전극 52 : 화소전극
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 게이트전극 및 게이트패드를 형성하는 단계와; 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 소스전극, 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와; 무기보호막 상에 유기보호막을 형성하는 단계와; 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 전극패드와 드레인전극 상의 무기보호막을 노출시키고, 전극패드의 주변부의 유기보호막의 일부가 남도록 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계와; 현상된 유기보호막을 마스크로 무기보호막 및 게이트절연막을 패터닝하여 드레인접촉홀, 게이트접촉홀 및 데이터 접촉홀을 형성하는 단계와; 전극패드의 주변부에 일부 남아있는 유기보호막을 제거하여 도전성 필름과 접촉되어질 무기보호막을 노출시키고 전극패드가 형성된 패드부를 제외한 화상표시부 상에 유기보호막의 일부가 남도록 유기보호막을 에싱하는 단계와; 무기보호막 및 유기보호막 상에 투명전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계는 유기보호막을 회절마스크를 이용하여 노광하고, 노광된 유기보호막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 화상표시부에는 무기보호막 및 유기보호막이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 무기보호막은 질화실리콘인 것을 특징으로 한다.
상기 유기보호막은 광반응성물질인 것을 특징으로 한다.
상기 광반응성물질은 포토아크릴인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법은 기판 상에 게이트전극 및 게이트패드를 형성하는 단계와; 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 소스전극, 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계와; 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와; 무기보호막 상에 유기보호막을 형성하는 단계와; 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 전극패드와 드레인전극 상의 무기보호막을 노출시키고 전극패드의 주변부의 유기보호막의 일부가 남도록 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계와; 도전성 필름과 접촉되어질 전극패드가 형성된 패드부에서의 무기보호막을 노출시키고, 패드부를 제외한 화상표시부에서의 유기보호막의 일부가 남도록 현상된 유기보호막을 마스크로 게이트절연막, 무기보호막 및 유기보호막을 패터닝하는 단계와; 유기보호막 상에 드레인전극과 접속되는 화소전극을 형성하고, 무기보호막 상에 게이트패드단자전극 및 데이터패드단자전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계는 유기보호막을 회절마스크를 이용하여 노광하고, 노광된 유기보호막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기보호막은 포토아크릴인 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 도 5 내지 도 8g를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.
도 5 및 도 6은 본 발명에 따른 액정표시소자를 나타내는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시소자는 매트릭스 액정셀들이 위치하는 화상표시부(TP)와, 구동 IC들(도시하지 않음)과 화상표시부(TP) 사이에 접속되는 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)를 구비하게 된다.
화상표시부(TP)에 있어서, 하판에는 데이터신호가 인가되는 데이터라인(34)들과 게이트신호가 인가되는 게이트라인(32)들이 서로 교차하게 배치된다. 그 교차부에는 액정셀들을 스위칭하며 게이트전극(36), 소스전극(38) 및 드레인전극(40)을 갖는 TFT와, TFT를 보호하기 위한 무기보호막(48)과 개구율을 높이기 위한 유기보호막(62)이 형성된다. 유기보호막(62) 상에 화소전극(52)이 셀영역별로 형성된다.
게이트패드부(GP)는 게이트라인(32)의 일측단에 위치하는 게이트 구동 IC(도시하지 않음)와 접속된다. 이 게이트패드부(GP)는 게이트 구동 IC로부터 TFT를 제어하기 위한 게이트신호를 화상표시부(TP)의 게이트라인(32)에 공급한다. 이러한 게이트패드부(GP)는 게이트라인(32)에 연결되는 게이트패드(54)와, 게이트 구동 IC와 접속되는 게이트패드단자전극(58)과, 게이트패드(54)와 게이트패드단자전극(58) 사이에 형성되는 게이트절연막(42) 및 무기보호막(48)을 구비한다.
데이터패드부(DP)는 데이터라인(34)의 일측단에 위치하는 데이터 구동 IC(도시하지 않음)와 접속된다. 이 데이터패드부(DP)는 데이터 구동 IC로부터 화상을 표시하기 위한 데이터신호를 화상표시부(TP)의 데이터라인(34)에 공급한다. 이러한 데이터패드부(DP)는 게이트절연막(42) 상에 형성되며 데이터라인(34)에 접속되는 데이터패드(56)와, 데이터 구동 IC와 접속되는 데이터패드단자전극(60)과, 데이터패드(56)와 데이터패드단자전극(60) 사이에 형성되는 무기보호막(48)을 구비한다.
이러한 액정표시소자의 게이트패드부(GP)와 데이터패드부(DP)에는 도 7에 도시된 바와 같이 회절마스크의 회절부와 투과부가 위치하게 된다. 투과부는 게이트접촉홀(50a), 드레인접촉홀(50b) 및 데이터접촉홀(50c)이 형성되는 영역에 대응되게 위치한다. 회절부는 슬릿(64)이 상대적으로 작은 폭으로 게이트접촉홀(50a) 및 데이터접촉홀(50b)을 제외한 패드부와 대응되게 위치한다. 이에 따라, 액정표시소자의 게이트패드부(GP)와 데이터패드부(DP)는 유기보호막(62)이 제거되고 게이트패드(GP)와 데이터패드(DP)를 무기보호막(48)에 의해 보호된다. 화상표시부(TP)는 개구율을 높이기 위한 무기보호막(48)과 유기보호막(62)에 의해 보호된다.
이와 같은 액정표시소자의 데이터패드부(DP)와 게이트패드부(GP)에서 유기보호막(62)이 모두 제거되어 TAB과정 반복시 유기보호막(62)의 취약한 접착특성에 의한 게이트패드단자전극(58) 및 데이터패드단자전극(60)이 제거되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 게이트패드부(GP)와 데이터패드부(DP)를 TCP에 접착시키기 위한 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film)이 무기보호막(48)과 직접 접촉하게 됨으로써 TAB의 접착력을 강화시킬 수 있게 된다.
도 8a 내지 도 8f는 도 6에 도시된 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다.
도 8a를 참조하면, 기판(31) 상에 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 게이트금속층이 증착된다. 게이트금속층으로는 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등이 형성된다. 이어서, 게이트금속층을 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝함으로써 게이트패드(54) 및 게이트전극(36)이 형성된다.
도 8b를 참조하면, 게이트패드(54) 및 게이트전극(36)이 형성된 기판(31) 상에 게이트절연막(42)이 형성된다. 게이트절연막(42)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx)이 사용된다. 게이트절연막(42)상에는 제1 및 제2 반도체층이 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 연속 증착된다. 제1 반도체층은 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 형성되며, 제2 반도체층은 N형 또는 P형의 불순물이 도핑된 비정질실리콘으로 형성된다. 이어서, 제1 및 제2 반도체층이 건식식각(Dry Etching) 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝됨으로써 활성층(44) 및 오믹접촉층(46)이 형성된다.
도 8c를 참조하면, 활성층(44) 및 오믹접촉층(46)이 형성된 게이트절연막(42) 상에 CVD방법 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 데이터금속층이 증착된다. 데이터금속층으로는 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)등으로형성된다. 이어서, 데이터금속층은 습식식각 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 데이터패드(56)와 소스전극(38) 및 드레인전극(40)이 형성된다. 그 다음, 소스전극(38)과 드레인전극(40) 사이로 노출된 오믹접촉층(46)이 건식식각 공정으로 제거되어 소스전극(38)과 드레인전극(40)을 분리시킨다. 오믹접촉층(46)이 일부 제거됨으로써 활성층(44)에서 소스 및 드레인전극(38,40)사이의 게이트전극(36)과 대응하는 부분은 채널이 된다.
도 8d를 참조하면, 데이터패드(56), 소스전극(38) 및 드레인전극(40)이 형성된 기판(31)의 게이트절연막(42) 상에 무기보호막(48)이 형성된다. 무기보호막(48)의 재질로는 무기절연물질로 형성되며, 바람직하게는 질화실리콘(SiNx)으로 형성된다.
무기보호막(48)이 형성된 기판(31) 상에 유기보호막(62)이 형성된다. 유기보호막(62)은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene), PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유기 절연물질을 이용하며, 여기에서는 바람직한 예로 포토아크릴을 들어 설명한다.
유기보호막(62)이 형성된 기판(31) 상부에 회절마스크(66)가 위치하게 된다. 회절마스크(66)는 회절부(66a), 투과부(66b) 및 차단부(66c)로 이루어진다. 회절마스크(66)의 투과부(66b)는 추후에 게이트접촉홀, 데이터접촉홀, 드레인접촉홀이 형성될 영역에 위치한다. 회절부(66a)는 게이트접촉홀 및 데이터접촉홀을 제외한 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP) 영역에 위치한다. 차단부(66c)는 그 이외의 영역에 위치한다.
도 8e를 참조하면, 기판(31) 상부에 위치하는 회절마스크(66)를 이용하여 유기보호막(62)을 노광 및 현상한다. 노광 및 현상공정으로 회절마스크(66)의 투과부(66b)에 해당하는 영역에는 유기보호막(62)이 제거되어 무기보호막(48)이 노출되고, 회절부(66a)에 해당하는 영역에는 유기보호막(62)의 원래 두께의 10~50%정도가 남게 되며, 차단부(66c)에 해당하는 영역에는 원래 두께에 해당하는 유기보호막(62)이 남게 된다.
도 8f를 참조하면, 유기보호막(62)을 마스크로 이용한 건식식각공정으로 게이트절연막(42) 및 무기보호막(48)을 패터닝함으로써 게이트접촉홀(50a), 드레인접촉홀(50b) 및 데이터접촉홀(50c)이 형성된다. 그리고, 유기보호막(62)을 에싱함으로써 유기보호막(62)은 화상표시부와 대응되는 영역에 형성된다. 이에 따라, 무기보호막(48)은 게이트접촉홀(50a), 드레인접촉홀(50b) 및 데이터접촉홀(50c)을 제외한 패드부에 형성된다. 유기보호막(62)은 회절마스크(66)의 차단부(66c)와 대응되는 영역인 화상표시부(TP)에 형성된다. 게이트접촉홀(50a), 드레인접촉홀(50b) 및 데이터접촉홀(50c)은 회절마스크(66)의 투과부(66b)와 대응되는 영역에 형성된다.
도 8g를 참조하면, 유기보호막(62) 및 무기보호막(48) 상에 스퍼터링(sputtering) 등과 같은 증착방법으로 투명전극층이 형성된다. 투명전극층은 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide : IZO) 또는 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide : ITZO)으로 사용된다. 이어서, 투명전극층이 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 화소전극(52), 게이트패드단자전극(58) 및 데이터패드단자전극(60)을 포함하는 투명전극패턴이 형성된다. 화소전극(52)은 유기보호막(62) 상에 형성되고, 유기보호막(62) 및 무기보호막(48)을 관통하는 드레인접촉홀(50a)을 통해 드레인전극(40)과 접속된다. 게이트패드단자전극(58)은 게이트절연막(42) 및 무기보호막(48)을 관통하는 게이트접촉홀(50a)을 통해 게이트패드(54)와 접속된다. 데이터패드단자전극(56)은 무기보호막(48)을 관통하는 데이터접촉홀(50c)을 통해 데이터패드(60)와 접속된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법에 의하면 회절노광을 이용하여 패드부의 유기보호막을 제거한다. 이에 따라, TAB 과정 반복시 유기보호막의 취약한 접착특성에 의한 투명전극의 제거를 방지할 수 있어 투명전극 제거에 의한 패드부의 손상 및 산화가 방지된다. 또한, 패드부의 유기보호막의 전면제거에 의해 TCP와 접촉되는 이방성도전필름이 무기보호막과 직접 접촉하게 되므로 TAB 접착력을 강화시킬 수 있게 된다. 뿐만 아니라, TCP의 리페어효율이 향상되어 수율 및 생산성이 향상된다.
Claims (9)
- 기판 상에 게이트전극 및 게이트패드를 형성하는 단계와;상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 소스전극, 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와;상기 무기보호막 상에 유기보호막을 형성하는 단계와;상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 전극패드와 상기 드레인전극 상의 상기 무기보호막을 노출시키고, 상기 전극패드의 주변부의 상기 유기보호막의 일부가 남도록 상기 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계와;상기 현상된 상기 유기보호막을 마스크로 상기 무기보호막 및 게이트절연막을 패터닝하여 드레인접촉홀, 게이트접촉홀 및 데이터 접촉홀을 형성하는 단계와;상기 전극패드의 주변부에 일부 남아있는 유기보호막을 제거하여 도전성 필름과 접촉되어질 상기 무기보호막을 노출시키고 상기 전극패드가 형성된 패드부를 제외한 화상표시부 상에 상기 유기보호막의 일부가 남도록 상기 유기보호막을 에싱하는 단계와;상기 무기보호막 및 유기보호막 상에 투명전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계는상기 유기보호막을 회절마스크를 이용하여 노광하고, 노광된 유기보호막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 화상표시부에는 상기 무기보호막 및 유기보호막이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 무기보호막은 질화실리콘인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기보호막은 광반응성물질인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 광반응성물질은 포토아크릴인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 기판 상에 게이트전극 및 게이트패드를 형성하는 단계와;상기 기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 소스전극, 드레인전극 및 데이터패드를 형성하는 단계와;상기 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와;상기 무기보호막 상에 유기보호막을 형성하는 단계와;상기 게이트 패드 및 데이터 패드를 포함하는 전극패드와 상기 드레인전극 상의 상기 무기보호막을 노출시키고 상기 전극패드의 주변부의 상기 유기보호막의 일부가 남도록 상기 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계와;도전성 필름과 접촉되어질 상기 전극패드가 형성된 패드부에서의 상기 무기보호막을 노출시키고, 상기 패드부를 제외한 화상표시부에서의 상기 유기보호막의 일부가 남도록 상기 현상된 상기 유기보호막을 마스크로 상기 게이트절연막, 무기보호막 및 유기보호막을 패터닝하는 단계와;상기 유기보호막 상에 화소전극을 형성하고, 상기 무기보호막 상에 게이트패드단자전극 및 데이터패드단자전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 유기보호막을 노광 및 현상하는 단계는상기 유기보호막을 회절마스크를 이용하여 노광하고, 노광된 유기보호막을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 유기보호막은 포토아크릴인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0081774A KR100443831B1 (ko) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 액정표시소자의 제조 방법 |
| US10/278,931 US6650380B2 (en) | 2001-12-20 | 2002-10-24 | Method of fabricating TFT-LCD device comprising double insulating layers |
| US10/621,328 US6850291B2 (en) | 2001-12-20 | 2003-07-18 | Method of fabricating liquid crystal display device |
| US10/621,327 US6949390B2 (en) | 2001-12-20 | 2003-07-18 | Method of fabricating liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0081774A KR100443831B1 (ko) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 액정표시소자의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030050984A KR20030050984A (ko) | 2003-06-25 |
| KR100443831B1 true KR100443831B1 (ko) | 2004-08-09 |
Family
ID=19717309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2001-0081774A KR100443831B1 (ko) | 2001-12-20 | 2001-12-20 | 액정표시소자의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6650380B2 (ko) |
| KR (1) | KR100443831B1 (ko) |
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| KR20030050984A (ko) | 2003-06-25 |
| US20030117561A1 (en) | 2003-06-26 |
| US20040018669A1 (en) | 2004-01-29 |
| US20040018655A1 (en) | 2004-01-29 |
| US6650380B2 (en) | 2003-11-18 |
| US6850291B2 (en) | 2005-02-01 |
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