KR100469976B1 - 액정패널 및 그 제조방법 - Google Patents

액정패널 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100469976B1
KR100469976B1 KR10-2002-0021282A KR20020021282A KR100469976B1 KR 100469976 B1 KR100469976 B1 KR 100469976B1 KR 20020021282 A KR20020021282 A KR 20020021282A KR 100469976 B1 KR100469976 B1 KR 100469976B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display area
gate
display
lower substrate
liquid crystal
Prior art date
Application number
KR10-2002-0021282A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030082793A (ko
Inventor
이병현
진교원
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR10-2002-0021282A priority Critical patent/KR100469976B1/ko
Publication of KR20030082793A publication Critical patent/KR20030082793A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100469976B1 publication Critical patent/KR100469976B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1306Details
    • G02F1/1309Repairing; Testing
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 스크라이브/브레이크 공정시 발생하는 전극링크의 단선을 방지할 수 있는 액정패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정패널은 상부기판과 하부기판 사이에 다수개의 액정셀들이 형성되는 표시영역과, 상기 표시영역에 형성되는 신호라인들과 신호링크들을 통해 접속된 패드부가 위치하는 비표시영역과, 상기 표시영역과 비표시영역사이에 상기 상부기판과 하부기판을 합착하기 위한 실링영역을 포함하며, 상기 표시영역의 하부기판 상에 형성되는 표시유기물층과, 상기 비표시영역의 상기 신호링크들을 가로질러 형성되는 상기 상부기판의 절단선을 따라 형성되는 비표시유기패턴을 구비한다.

Description

액정패널 및 그 제조방법{Liquid Crystal Panel and Fabricating Method Thereof}
본 발명은 액정패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 스크라이브/브레이크 공정시 발생하는 전극링크의 단선을 방지할 수 있는 액정패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상, 액정표시소자는 액정패널 상에 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들의 광투과율을 그에 공급되는 비디오 데이터 신호에 따라 조절함으로써 데이터 신호에 해당하는 화상을 액정패널 상에 표시하게 된다. 이러한 액정패널은 액정셀들에 전계를 인가하기 위한 전극들, 액정셀 별로 데이터 공급을 절환하기 위한 박막트랜지스터(Thin Film Transistor), 외부에서 공급되는 데이터를 액정셀들에 공급하는 신호라인 및 박막트랜지스터에 제어신호를 공급하기 위한 신호라인 등이 형성된 하판과, 칼라필터(color filter) 등이 형성된 상판과, 상판과 하판 사이에 형성되어 일정한 셀갭을 확보하는 스페이서(spacer)와, 스페이서에 의해 상하판 사이에 마련된 공간에 채워진 액정으로 구성된다.
이러한 구성의 액정패널은 통상 하나의 기판 상에 다수개가 형성된 다음 그 기판이 다수개로 분리됨으로써 다수개로 생산된다.
이와 같은 액정패널의 제조공정에 있어서, 하부기판 상에는 다수의 박막트랜지스터 어레이가 독립적으로 형성된다. 박막트랜지스터 어레이에는 게이트라인과 데이터라인이 서로 직교하게 형성되며, 이들 게이트라인과 데이터라인의 교차부 각각에는 박막트랜지스터와 화소전극이 형성된다. 이러한 하부기판은 다수의 칼라필터 어레이가 박막트랜지스터어레이와 대면될 수 있게끔 형성되어진 상부기판과 일정한 갭을 가지고 합착됨으로써 도 1과 같은 다수의 액정패널이 마련된다.
다수의 액정패널(2)은 상부기판과 하부기판이 합착된 후 도 1에 도시된 화상표시부(4A 내지 4D)를 개별적인 표시소자로 분리된다. 이를 위해, 도 2에 도시된 바와 같이 실링재(8)로 합착된 상부기판(2a)과 하부기판(2b)은 스크라이브(Scribe) /브레이크(Break) 공정을 통하여 상/하부 스크라이브선(USL,DSL)을 따라 절단된다. 스크라이브/브레이크공정은 상/하부 스크라이브선(USL,DSL)을 따라 상/하부기판(2a,2b) 상에 수직스크래치를 형성한 후 해머등을 이용하여 수직스크래치부분에 소정의 힘을 가해 상/하부기판(2a,2b)을 절단한다. 이 때, 상부 스크라이브선(USL)을 따라 절단되는 상부기판(2a)은 하부 스크라이브선(DSL)을 따라 절단되는 하부기판(2b)보다 상대적으로 적은 면적을 갖게 형성된다. 이에 따라, 도 3에 도시된 바와 같이 실링재(8)를 기준으로 화상표시부를 제외한 하부기판(2b)상에 형성되는 패드부(10)와, 패드부(10)와 화상표시부의 신호라인을 연결하기 위한 전극링크(12)가 노출된다. 즉, 상부 스크라이브선(USL) 하부에는 게이트절연막(14)의 상부 또는 하부에 위치하며 게이트절연막(14) 및/또는 무기보호막(16) 으로 덮여진 전극링크(12)가 노출된다.
이러한 종래 액정패널은 스크라이브/브레이크공정시 수직스크래치에 가해지는 소정의 힘이 하부기판(2b)까지 전달되어 전극링크(12)가 단선되는 경우가 흔히 발생한다. 또한, 수직스크래치에 가해지는 소정의 힘에 의해 상부기판(2a)이 하부기판(2b)쪽으로 휘어져 내려옴으로써 상부기판(2a)의 모서리에 의해 무기보호막(16) 및 전극링크(12)가 긁히게 되어 경우에 따라서는 전극링크(12)가 단선되는 경우가 발생하게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 스크라이브/브레이크 공정시 발생하는 전극링크의 단선을 방지할 수 있는 액정패널 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 다수개의 액정패널을 포함하는 기판을 나타내는 평면도.
도 2는 상/하부 스크라이브선을 따라 절취한 액정패널을 나타내는 단면도.
도 3은 도 2에서 절취된 하부기판을 상세히 나타내는 평면도.
도 4는 본 발명에 따른 액정패널을 나타내는 평면도.
도 5는 도 4에서 선"A-A'"를 따라 절취한 액정패널을 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 액정패널의 다른 형태를 나타내는 단면도.
도 7a 내지 도 7g는 도 5에 도시된 액정패널의 제조방법을 나타내는 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
2a,2b : 기판 4A, 4B,4C,4D : 화상표시부
8,38 : 실링재 10 : 패드부
12,40,42 : 전극링크 14,52 : 게이트절연막
16,54,50 : 절연막 48 : 링크보호막
56 : 게이트전극 58 : 소스전극
60 ; 드레인전극 68 : 화소전극
84 : 게이트라인 86 : 데이터라인
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정패널은 상부기판과 하부기판 사이에 다수개의 액정셀들이 형성되는 표시영역과, 상기 표시영역에 형성되는 신호라인들과 신호링크들을 통해 접속된 패드부가 위치하는 비표시영역과, 상기 표시영역과 비표시영역사이에 상기 상부기판과 하부기판을 합착하기 위한 실링영역을 포함하며, 상기 표시영역의 하부기판 상에 형성되는 표시유기물층과, 상기 비표시영역의 상기 신호링크들을 가로질러 형성되는 상기 상부기판의 절단선을 따라 형성되는 비표시유기패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 표시유기물층과 비표시유기패턴은 유기절연물질로 형성되며, 유기절연물질은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene), 또는PFCB(perfluorocyclobutane) 등으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시영역의 하부기판 상에는 게이트라인과, 게이트라인과 교차하는 데이터라인과, 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 형성되는 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터를 덮도록 형성되는 무기보호막과, 무기보호막 상에 위치하는 표시유기물층 상에 형성되는 화소전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 비표시영역은 게이트라인과 게이트링크를 통해 연결되는 게이트패드부와, 데이터라인과 데이터링크를 통해 연결되는 데이터패드부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 비표시유기패턴은 게이트링크와 데이터링크를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정패널의 제조방법은 상부기판과 하부기판 사이에 다수개의 액정셀들을 갖는 표시영역을 형성하는 단계와, 상기 표시영역에 형성되는 신호라인들과 신호링크들을 통해 접속되는 패드부가 위치하는 비표시영역을 형성하는 단계와, 상기 비표시영역과 표시영역사이에 상기 상부기판과 상기 하부기판을 합착하기 위한 실링재가 도포되는 실링영역을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 표시영역의 하부기판 상에 표시유기물층을 형성함과 동시에 상기 비표시영역의 하부기판 상에 상기 신호링크들을 가로지르도록 형성된 상기 상부기판의 절단선을 따라 비표시유기패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 액정패널의 제조방법은 하부기판 상에 표시영역의 게이트라인과 게이트전극 및 비표시영역의 게이트링크와 게이트패드를 형성하는 단계와, 하부기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와, 게이트절연막 상에 표시영역의 반도체층을 형성하는 단계와, 게이트절연막 상에 표시영역의 데이터라인, 소스 및 드레인전극과, 비표시영역의 데이터링크와 데이터패드를 형성하는 단계와, 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와, 무기보호막 상에 위치하는 표시유기물층 상에 화소전극과, 비표시유기패턴 상에 게이트단자전극 및 데이터단자전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 비표시유기패턴은 게이트링크와 데이터링크를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시유기물층과 비표시유기패턴은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene), 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 7g을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정패널을 나타내는 평면도이며, 도 5는 도 4에서 선"B-B'"를 따라 절취한 액정패널을 나타내는 단면도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 액정패널은 화상표시부(TP)와, 화상표시부(TP)를 제외한 영역에 형성되는 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)와, 패드부들(GP,DP)과 화상표시부(TP)의 신호라인을 연결하는 전극링크부(40,42)를 보호하기 위한 링크보호막(48)을 구비한다.
화상표시부(TP)에 있어서, 상부기판(32a) 상에는 도시하지 않은 블랙매트릭스에 의해 셀영역별로 분리되어 도포된 칼라필터와, 칼라필터들의 표면에 도포된 투명전극이 마련된다.
상부기판(32a)과 대면하는 하부기판(32b) 상에는 게이트라인(84)과 데이터라인(86)이 서로 직교되는 방향으로 형성된다. 게이트라인(84)과 데이터라인(86)의 교차부에는 TFT와 화소전극(68)이 형성된다.
TFT는 게이트라인(84)에 접속된 게이트전극(56), 데이터라인(86)에 접속된 소스전극(58) 및 접촉홀(66b)을 통해 화소전극(68)에 접속된 드레인전극(60)으로 이루어진다. 또한, TFT는 게이트전극(56)에 공급되는 게이트전압에 의해 소스전극(58)과 드레인전극(60)간에 채널을 형성하기 위한 반도체층(62,64)을 더 구비한다. 이러한 TFT의 게이트전극(56)과 반도체층(62,64) 사이에는 게이트절연막(52)이 형성되고, TFT와 화소전극(68) 사이에는 TFT를 보호하기 위한 무기보호막(54)과 유기보호막(50)이 형성된다. 유기보호막(50)은 낮은 유전율로 인해 화소전극(68)과 게이트라인(84) 또는 데이터라인(86)을 중첩시킬 수 있으므로 그 만큼의 화소전극(68)의 크기가 증대되어 개구율을 높이는 역할을 하게 된다.
게이트패드부(GP)는 게이트 구동 IC로부터 공급되는 게이트신호를 게이트링크(42)를 통해 화상표시부(TP)의 게이트라인(84)에 공급한다. 게이트패드(80)는 게이트절연막(52)과 무기보호막(54) 또는 게이트절연막(52)과 무기보호막(54)과 링크보호막(48)을 관통하는 접촉홀(66c)을 통해 게이트단자전극(76)과 접촉된다.
데이터패드부(DP)는 데이터 구동 IC로부터 공급되는 비디오신호를 데이터링크(40)를 통해 화상표시부(TP)의 데이터라인(86)에 공급된다. 데이터패드(82)는 무기보호막(54) 또는 무기보호막(54) 및 링크보호막(48)을 관통하는 접촉홀(66a)을 통해 데이터단자전극(78)과 접촉된다.
링크보호막(48)은 게이트링크(42)와 데이터링크(40)를 보호하기 위해 형성된다. 링크보호막(48)은 아크릴계(acryl)유기화합물, BCB(benzocyclobutene), 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 고분자물질인 유기절연물질로 약 1~2㎛의 두께로 형성된다. 유기절연물질로 형성되는 링크보호막(48)은 유연성이 상대적으로 강해 충격을 완충시키는 역할을 하게 된다.
이 링크보호막(48)은 상부기판(32a)의 스크라이브선(USL)을 따라 게이트링크(42)와 데이터링크(40)를 덮도록 형성되거나 도 6에 도시된 바와 같이 유기절연물질인 링크보호막(48)과 접착력이 상대적으로 낮은 무기물질인 실링재(38)를 제외한 이외의 영역에 형성된다.
이에 따라, 상부기판(32a)의 스크라이브/브레이크공정시 수직스크래치에 가해지는 소정의 힘이 하부기판(32b)까지 전달되는 것을 링크보호막(48)이 완충함으로써 게이트링크(42)와 데이터링크(40)의 단선을 방지할 수 있다. 또한, 상부기판(32a)의 수직스크래치에 가해지는 힘에 의해 하부기판(32b)쪽으로 휘어져 내려오는 상부기판(32a)의 모서리부분도 링크보호막(48)과 접촉되므로 게이트링크(42) 및 데이터링크(40)를 보호할 수 있다.
이러한 링크보호막(48)은 별도의 추가공정 없이 화상표시부(TP)의 유기보호막(50)과 동시에 형성된다.
이에 대하여 도 7a 내지 도 7g를 결부하여 상세히 설명하기로 한다.
도 7a를 참조하면, 하부기판(32b) 상에 게이트금속층을 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 증착한다. 게이트금속층은 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등이 이용된다. 이어서, 게이트금속층을 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝함으로써 게이트패드(도시하지 않음), 게이트링크(42), 게이트라인(84) 및 게이트전극(56)이 형성된다.
도 7b를 참조하면, 게이트패드, 게이트링크(42), 게이트라인(84) 및 게이트전극(56)이 형성된 하부기판(32b) 상에 게이트절연막(52)이 형성된다. 게이트절연막(52)은 무기절연물질인 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx)이 사용된다. 게이트절연막(52)상에는 제1 및 제2 반도체층이 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 연속 증착된다. 제1 반도체층은 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 형성되며, 제2 반도체층은 N형 또는 P형의 불순물이 도핑된 비정질실리콘으로 형성된다. 이어서, 제1 및 제2 반도체층이 건식식각(Dry Etching) 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 방법으로 패터닝됨으로써 활성층(62) 및 오믹접촉층(64)이 형성된다.
도 7c를 참조하면, 활성층(62) 및 오믹접촉층(64)이 형성된 게이트절연막(52) 상에 CVD방법 또는 스퍼터링(sputtering) 등의 증착방법으로 데이터금속층이 증착된다. 데이터금속으로는 구리(Cu), 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)등으로 형성된다. 이어서, 데이터금속층은 습식식각 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 데이터패드(도시하지 않음), 데이터라인(86), 데이터링크(40), 소스전극(58) 및 드레인전극(60)이 형성된다. 그 다음, 소스전극(58)과 드레인전극(60) 사이로 노출된 오믹접촉층(64)이 건식식각 공정으로 제거됨으로써 활성층(62)이 노출된다. 활성층(62)에서 소스 및 드레인전극(58,60)사이의 게이트전극(56)과 대응하는 부분은 채널이 된다.
도 7d를 참조하면, 데이터링크(40), 데이터패드, 데이터라인(86), 소스전극(58) 및 드레인전극(60)이 형성된 하부기판(32b) 상에 무기절연물질이 증착된다. 무기절연물질은 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx) 등의 이용된다. 무기절연물질이 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피공정으로 패터닝됨으로써 무기보호막(54)이 형성된다.
도 7e를 참조하면, 무기보호막(54) 상에 스핀코팅(Spin Coating) 등의 증착방법으로 유기절연물질이 증착된다. 유기절연물질은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene), 또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등이 이용된다. 유기절연물질이 건식식각 공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 유기보호막(50)과 링크보호막(48)이 형성된다. 유기보호막(50)은 화상표시부 영역의 무기보호막(54)상에 형성되며, 링크보호막(48)은 실링재가 형성될 영역을 제외한 화상표시부 이외의 영역에 형성되거나, 게이트링크(42)와 데이터링크(40)와 대응되는 영역 상에 형성된다.
또는 도 7d 및 7e에 도시된 무기보호막(54)과 유기보호막(50) 및 링크보호막(48)은 무기절연물질과 유기절연물질을 순차적으로 증착한 후 회절마스크 또는 하프턴마스크를 이용하여 동시에 패터닝하여 동시에 형성될 수도 있다.
도 7f를 참조하면, 링크보호막(48) 및/또는 유기보호막(50)이 형성된 하부기판(32b) 상에 스터퍼링(sputtering) 등과 같은 증착방법으로 투명전극층이 형성된다. 투명전극층의 재질로는 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide), 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide) 또는 인듐-틴-징크-옥사이드(Indium-Tin-Zinc-Oxide)으로 사용된다. 이어서, 투명전극층이 식각공정을 포함하는 포토리쏘그래피 공정으로 패터닝됨으로써 게이트단자전극(도시하지 않음), 데이터단자전극(도시하지 않음) 및 화소전극(68)이 형성된다. 화소전극(68)은 무기보호막(54) 및 유기보호막(50)을 관통하는 접촉홀(66b)을 통해 드레인전극(60)과 접속된다.
도 7g를 참조하면, 화소전극(68)이 형성된 하부기판(32b) 상의 화상표시부영역 상에 배향막(도시하지 않음)이 형성된다. 배향막이 형성된 하부기판(32b)과 별도로 형성된 상부기판(32a)은 화상표시부의 외곽에 도포된 실링재(38)에 의해 합착된다.
합착된 상부기판(32a)과 하부기판(32b)을 상부절단선(USL)과 하부절단선(DSL)을 따라 절취함으로써 액정패널이 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정패널 및 그 제조방법은 실링재를 제외한 이외의 영역 상에 링크보호막이 형성되거나 상부기판의 상부스크라이브선을 따라 전극링크가 형성되는 영역 상에 링크보호막이 형성된다. 이 링크보호막은 유기절연물질로 형성되어 스크라이브/브레이크공정시 상부기판의 수직스크래치에 가하는 소정의 힘을 완충함으로써 전극링크 및 패드부를 보호할 수 있다. 또한, 상부기판의 수직스크래치에 가해지는 힘에 의해 휘어져 하부기판 쪽으로 내려오는 상부기판의 모서리부분도 링크보호막과 접촉되므로 전극링크 및 패드부를 보호할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (9)

  1. 상부기판과 하부기판 사이에 다수개의 액정셀들이 형성되는 표시영역과, 상기 표시영역에 형성되는 신호라인들과 신호링크들을 통해 접속된 패드부가 위치하는 비표시영역과, 상기 표시영역과 비표시영역사이에 상기 상부기판과 하부기판을 합착하기 위한 실링영역을 포함하는 액정패널에 있어서,
    상기 표시영역의 하부기판 상에 형성되는 표시유기물층과,
    상기 비표시영역의 상기 신호링크들을 가로질러 형성되는 상기 상부기판의 절단선을 따라 형성되는 비표시유기패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시유기물층과 비표시유기패턴은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene) 및 PFCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나를 포함하는 유기절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시영역의 하부기판 상에 형성되는 게이트라인과,
    상기 게이트라인과 교차하는 데이터라인과,
    상기 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 형성되는 박막트랜지스터와,
    상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성되는 무기보호막과,
    상기 무기보호막 상에 위치하는 상기 표시유기물층 상에 상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정패널.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 비표시영역의 하부기판 상에 형성되며 상기 게이트라인과 게이트링크를 통해 연결되는 게이트패드부와,
    상기 비표시영역의 하부기판 상에 형성되며 상기 데이터라인과 데이터링크를 통해 연결되는 데이터패드부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정패널.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 비표시유기패턴은
    상기 게이트링크와 데이터링크를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널.
  6. 상부기판과 하부기판 사이에 다수개의 액정셀들을 갖는 표시영역을 형성하는 단계와,
    상기 표시영역에 형성되는 신호라인들과 신호링크들을 통해 접속되는 패드부가 위치하는 비표시영역을 형성하는 단계와,
    상기 비표시영역과 표시영역사이에 상기 상부기판과 상기 하부기판을 합착하기 위한 실링재가 도포되는 실링영역을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 표시영역의 하부기판 상에 표시유기물층을 형성함과 동시에 상기 비표시영역의 하부기판 상에 상기 신호링크들을 가로지르도록 형성된 상기 상부기판의 절단선을 따라 비표시유기패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 하부기판 상에 표시영역의 게이트라인과 게이트전극 및 비표시영역의 게이트링크와 게이트패드를 형성하는 단계와,
    상기 하부기판 상에 게이트절연막을 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 상에 표시영역의 반도체층을 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 상에 표시영역의 데이터라인, 소스 및 드레인전극과, 비표시영역의 데이터링크와 데이터패드를 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 상에 무기보호막을 형성하는 단계와,
    상기 무기보호막 상에 위치하는 상기 표시유기물층 상에 화소전극과, 상기 비표시유기패턴 상에 게이트단자전극 및 데이터단자전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정패널의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 비표시유기패턴은
    상기 게이트링크와 데이터링크를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 표시유기물층과 비표시유기패턴은 아크릴(Acryl)계 유기화합물, BCB(benzocyclobutene) 및 PFCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나를 포함하는 유기절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정패널의 제조방법.
KR10-2002-0021282A 2002-04-18 2002-04-18 액정패널 및 그 제조방법 KR100469976B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0021282A KR100469976B1 (ko) 2002-04-18 2002-04-18 액정패널 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0021282A KR100469976B1 (ko) 2002-04-18 2002-04-18 액정패널 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030082793A KR20030082793A (ko) 2003-10-23
KR100469976B1 true KR100469976B1 (ko) 2005-02-02

Family

ID=32379532

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0021282A KR100469976B1 (ko) 2002-04-18 2002-04-18 액정패널 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100469976B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05188387A (ja) * 1992-01-17 1993-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
JPH063638A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JPH0990399A (ja) * 1995-09-26 1997-04-04 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP2000194013A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Fujitsu Ltd 液晶表示装置用基板及びその製造方法
JP2000258745A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Optrex Corp 液晶表示素子の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05188387A (ja) * 1992-01-17 1993-07-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶パネルの製造方法
JPH063638A (ja) * 1992-06-23 1994-01-14 Citizen Watch Co Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JPH0990399A (ja) * 1995-09-26 1997-04-04 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JP2000194013A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Fujitsu Ltd 液晶表示装置用基板及びその製造方法
JP2000258745A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Optrex Corp 液晶表示素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030082793A (ko) 2003-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100443831B1 (ko) 액정표시소자의 제조 방법
KR100456151B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP4527615B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
US6930732B2 (en) Array substrate for a liquid crystal display
JP4733005B2 (ja) 有機半導体物質を利用した液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
KR101272488B1 (ko) 박막트랜지스터 기판, 이의 제조방법 및 이를 가지는 액정표시 패널과 이 액정 표시 패널의 제조방법
KR20070002447A (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20050035643A (ko) 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR20060073381A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101228475B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100499376B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
JP5424544B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板、それの製造方法及びそれを有する表示パネル
KR101107251B1 (ko) 폴리 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100469976B1 (ko) 액정패널 및 그 제조방법
KR20040061195A (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20080054629A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100558717B1 (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR100558713B1 (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR20050105422A (ko) 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR100558718B1 (ko) 액정표시패널 및 그 제조 방법
KR100482343B1 (ko) 로딩이펙트 방지를 위한 박막트랜지스터 어레이 기판 및그 제조방법
KR100404329B1 (ko) 액정 표시장치의 데이터 패드부 및 그 형성방법
KR100637061B1 (ko) 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
JP3377003B2 (ja) アクティブ素子アレイ基板の製造方法
KR100993458B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121228

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131227

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151228

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161214

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171218

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 15