KR20050041183A - 카세인을 이용한 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000005018 casein Substances 0.000 title claims abstract description 35
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 241001397173 Kali <angiosperm> Species 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
본 발명은 이미지센서의 제조방법에 관한 것으로, 특히 이미지 센서의 웨이퍼 후면연마 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 웨이퍼 후면연마시에 수용성 카세인(casein)을 도포하고 그 이후에 테이핑 공정을 진행하여 오염방지 및 웨이퍼 브로큰 위험을 감소시켰다. 이를 위한 본 발명은, 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈를 형성하고 상기 마이크로렌즈 상에 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계; 상기 패드오픈용 마스크를 제거한 후, 카세인을 웨이퍼 전면에 형성하는 단계; 상기 카세인 상에 테이프를 증착하고 웨이퍼 후면연마 공정을 진행하는 단계; 및 상기 테이프와 상기 카세인을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 발명은 이미지센서의 제조방법에 관한 것으로 특히, 웨이퍼 후면연마 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 패드 오픈 공정이 완료된 이후에 카세인을 도포한 후, 그 이후에 테이핑 공정을 포함하는 후면연마 공정을 진행함으로써, 저렴한 비용으로 파티클 오염방지 및 수율을 향상시킨 이미지센서의 제조방법에 관한 발명이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼리필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
도1은 통상의 CMOS 이미지센서에서 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(100)와, 포토다이오드(100)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(102)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(101)와, 원하는 값으로 플로팅확산영역의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅확산영역(102)를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(103)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(104), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(105)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터(106)가 형성되어 있다.
도2는 이러한 단위화소와 칼라필터 및 마이크로렌즈들을 포함하여 구성된 시모스 이미지센서의 제조공정 중에서, 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 패드를 오픈한 직후의 소자 단면을 도시한 단면도면이다.
이를 참조하여, 종래의 시모스 이미지센서의 제조공정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 반도체 기판(10) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(11)을 형성한다.
다음으로 적절한 이온주입 마스크를 이용하여 p형 웰(12)과 n형 웰(13)을 형성하고, 다음으로 게이트 전극(14)을 기판 상의 소정영역에 패터닝하여 형성한다.
이어서, 포토다이오드를 포함하여 구성된 단위화소(16)를 수광영역에 형성하고, LDD 영역을 구비한 트랜지스터의 소스/드레인에 해당하는 n형 이온주입 영역(17) 및 p형 이온주입 영역(18)을 형성한다.
다음으로 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 층간절연막(19)을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 제 1 금속배선(20)을 패터닝한다. 도1b에는 3개 층의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.
이어서, 제 2 내지 제 3 금속배선(22, 24) 및 제 1 내지 제 2 금속층간절연막(21, 23)을 적층형성한다.
이와같이 제 3 금속배선(24)까지 형성한 이후에, 소자를 습기나 스크래치로부터 보호하기 위해 페시베이션막(25)을 전체구조 상에 형성한다.
다음으로, 페시베이션막 상에 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하여 수광영역의 단위화소에 대응되는 영역에 칼라필터(26)를 형성한다.
이어서, 칼라필터(26)로 인한 단차를 보상하기 위해 평탄화막(27)을 형성하고, 상기 평탄화막(27) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다. 다음으로 마이크로렌즈를 보호하기 위한 마이크로렌즈 보호막(29)을 전체 구조상에 증착한다. 마이크로렌즈 보호막으로는 통상적으로 저온 산화막(Low Temperature Oxide : LTO)이 사용된다.
다음으로 패드를 오픈하기 위한 패드 오픈공정이 진행되는데, 먼저 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 전체 구조상에 도포하고, 패드 오픈영역이 노출되도록 상기 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 패터닝한다.
다음으로 패터닝된 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 마이크로렌즈 보호막(29)과 페시베이션막(25)을 차례로 식각하여 패드(24)를 노출시킨다. 미설명 부호 15는 게이트 스페이서(15)이다.
이어서, 도2b에 도시된 바와같이 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 제거한 이후, 전체 구조 상에 테이프(31)을 접착하는 테이핑 공정이 진행된다.
테이프는 후면 연마 공정으로부터 웨이퍼 전면의 패턴을 보호하는 역할 이외에도, 후면 연마 공정의 물리적인 힘을 흡수하여 웨이퍼 깨짐(wafer broken)을 방지하는 역할을 하기 때문에, 이러한 테이프의 사용은 후면 연마공정을 진행하는데 필수적이다.
이러한 점을 참조하여, 이미지센서의 웨이퍼 후면 연마공정을 간략히 설명하면 다음과 같다.
이미지센서의 웨이퍼 후면 연마공정은, 이미지센서 칩의 후면을 적정두께로 연마하여 외부 모듈과 광학렌즈와의 간격을 맞추기 위해 수행되는 공정이다.
즉, 이미지센서 칩은 와이어 본딩(wire bonding)이 완료된 이후에, 칩 동작에 치명적인 결함을 발생시키는 요인으로부터 칩을 안전하게 보호하기 위해 글래스(glass)를 덮음으로써 이미지센서 칩의 패키지(package) 공정이 마무리된다.
이러한 패키지 공정 다음으로, 완성된 패키지 위에 외부렌즈 포함하는 플라스틱 기구를 붙이고, 이를 인쇄회로기판 위에 장착하여 하나의 모듈(module)로 만든다. 이와 같은 모듈을 카메라 등의 제품에 삽입함으로써 실제 제품에서 이미지센서가 사용되는 것이다.
이와 같이 모듈을 제작할 때에, 이미지센서 칩과 외부 렌즈와의 촛점거리 등을 맞추기 위해 웨이퍼 후면 연마가 진행된다.
이와같은 웨이퍼 후면 연마공정에서는 파티클 등의 오염이 많이 발생하므로 이를 방지하는 방법이 필요한데, 종래에는 다음과 같은 방법이 사용되었다.
즉, 도2b에 도시된 바와같이 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 제거한 후, 웨이퍼 전면에 테이프(31)를 이용한 테이핑(taping) 공정을 진행한다.
이와같이 웨이퍼 전면에 테이핑 공정을 수행한 이후에, 후면연마를 수행하게 되면, 후면연마 중에 발생한 파티클 등은 테이프(31)에만 달라붙고, 칩에는 영향을 주지 못한다.
이후에, 상기 테이프를 떼어내면 공정이 완료되는데, 이러한 종래기술에서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 도2c에 도시된 바와같이 테이프 자체가 상당한 접착압력을 갖고 있으므로, 테이프를 떼어내는 와중에, 마이크로렌즈 보호막(29)에 균열이 생기는 문제점이 있었다.
또한, 테이프의 끈적끈적한 접착성분이 웨이퍼 전면에 남게 되는 문제가 있었다. 여기서, 테이프 찌꺼기는 어떠한 세정으로도 완벽하게 제거되지는 않기 때문에 테이프 찌꺼기에 의한 오염을 막을 수 없었으며, 이에 따라 소자의 수율이 심각하게 저하되었다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 이미지센서의 웨이퍼 후면 연마시에, 카세인을 이용하여 후면연마를 진행함으로써 저렴한 비용으로 파티클 오염을 방지하며, 수율을 향상시킨 이미지센서의 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈를 형성하고 상기 마이크로렌즈 상에 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계; 상기 패드오픈용 마스크를 제거한 후, 카세인을 웨이퍼 전면에 형성하는 단계; 상기 카세인 상에 테이프를 증착하고 웨이퍼 후면연마 공정을 진행하는 단계; 및 상기 테이프와 상기 카세인을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명에서는 종래의 문제점을 해결하기 위하여 다음과 같은 방법을 사용하였다. 즉, 패드오픈용 포토레지스트를 이용하여 패드오픈 공정을 진행한 후, 패드오픈용 포토레지스트는 제거한다. 다음으로 카세인을 도포하여 표면을 평탄화한 이후에, 테이핑 공정을 포함하는 후면연마 공정을 진행함으로써, 파티클 오염방지 및 수율을 향상시켰다.
본 발명에서 사용된 카세인은 수용성이므로, 순수(DI water)를 이용한 간단한 세정공정으로도 간단히 제거되는 장점이 있다. 또한, 카세인은 포토레지스트에 비해 저렴한 장점이 있어 생산비용 또한 절감할 수 있었다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도3a 내지 도3d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조방법을 도시한 공정단면도로서 이를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.
도3a에서 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 도포하고 이를 이용하여 패드를 오픈(open) 하기 까지의 공정은 종래기술과 동일하며, 이에 따라 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하기로 한다.
이러한 점을 참조하여 설명하면 먼저, 반도체 기판(10) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(11)을 형성한다.
다음으로 적절한 이온주입 마스크를 이용하여 p형 웰(12)과 n형 웰(13)을 형성하고, 다음으로 게이트 전극(14)을 기판 상의 소정영역에 패터닝하여 형성한다.
이어서, 포토다이오드를 포함하여 구성된 단위화소(16)를 수광영역에 형성하고, LDD 영역을 구비한 트랜지스터의 소스/드레인에 해당하는 n형 이온주입 영역(17) 및 p형 이온주입 영역(18)을 형성한다.
다음으로 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 층간절연막(19)을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 제 1 금속배선(20)을 패터닝한다. 도1b에는 3개 층의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.
이어서, 제 2 내지 제 3 금속배선(22, 24) 및 제 1 내지 제 2 금속층간절연막(21, 23)을 적층형성한다. 미설명 부호 15는 게이트 스페이서(15)이다.
이와같이 제 3 금속배선(24)까지 형성한 이후에, 소자를 습기나 스크래치(scratch)로부터 보호하기 위해 페시베이션막(25)을 전체구조 상에 형성한다.
다음으로, 페시베이션막 상에 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하여 수광영역의 단위화소에 대응되는 영역에 칼라필터(26)를 형성한다.
이어서, 칼라필터(26)로 인한 단차를 보상하기 위해 평탄화막(27)을 형성하고, 평탄화막(27) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다. 다음으로 마이크로렌즈를 보호하기 위한 마이크로렌즈 보호막(29)을 전체 구조 상에 증착한다.
다음으로 패드를 오픈하기 위한 패드 오픈공정이 진행되는데, 먼저 패드오픈용 포토레지스트(30)를 전체 구조 상에 도포하고, 패드 오픈부가 노출되도록 상기 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 패터닝한다.
다음으로 패터닝된 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 마이크로렌즈 보호막(29)과 페시베이션막(25)을 차례로 식각하여 패드(24)를 노출시킨다.
다음으로 도3b에 도시된 바와같이 패드 오픈용 포토레지스트(30)를 제거한 후, 카세인(casein)(50)을 전체 구조상에 도포한다. 결과적으로 패드 오픈부를 포함한 전체 구조상에 카세인(50)이 도포되어 평탄화된 표면을 이루게 된다.
여기서, 카세인은 수용성 물질이므로 순수(DI water)를 이용한 간단한 세정공정만으로도 제거가 가능한 장점이 있으며 또한, 포토레지스트보다 저렴한 장점이 있기 때문에 생산비를 절감할 수 있다. 이와같이 카세인을 이용하여 얻을 수 있는 장점에 대해서는 나중에 상세히 후술하기로 한다.
다음으로 도3c에 도시된 바와같이, 카세인(50) 상에 테이프(51)를 부착하는 테이핑 공정을 진행하게 되면, 테이프(51)는 패턴의 단차에 상관없이 평탄화된 카세인(50) 표면에 붙게 된다.
이와같이 테이핑 공정을 진행한 이후에 웨이퍼 후면 연마공정을 진행하면, 파티클 등의 오염물질은 테이프(51) 표면에만 달라붙고, 이미지센서 칩을 오염시키지는 못한다. 또한, 패드 오픈부는 카세인(50)으로 덮혀져 있으므로, 테이프 액이 이 부위로 침투하지 못함을 알 수 있다.
다음으로, 테이프를 떼어낸 후 세정공정을 진행한다. 이때, 테이프를 떼어내는 공정에서 테이프의 끈적끈적한 성분(테이프 찌꺼기)은 카세인(50)의 표면에만 남게 되어, 칩에는 영향을 주지 못한다.
또한, 본 발명에서 사용된 카세인(50)은 수용성이므로, 순수(DI water)를 이용한 간단한 세정공정만으로도 쉽게 제거되는 장점이 있다.
그리고, 본 발명에서는 패드 오픈부를 카세인(50)이 덮고 있기 때문에, 테이프를 떼어내는 과정에서, 패드 오픈부 주위의 마이크로렌즈 보호막(29)이 들뜨거나 하는 현상과 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
도3d는 간단한 세정공정만으로 카세인이 제거된 상태를 도시한 도면으로, 이를 참조하면, 테이프의 찌꺼기로 인한 오염이 방지되었으며 또한, 마이크로렌즈 보호막(29)의 손상도 전혀 없음을 알 수 있다.
전술한 장점이외에도 카세인을 이용한 본 발명의 장점을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명에서는 도3c에 도시된 바와같이, 패드 오픈용 포토레지스트를 제거한 이후에, 카세인을 전면에 도포하는 방법을 채택하고 있는데, 카세인 대신에 포토레지스트를 사용하는 방법을 생각해 볼 수 있다.
즉, 패드 오픈용 포토레지스트를 제거한 이후에, 별도의 포토레지스트를 카세인 대신 전체구조 상에 도포한 후, 테이핑 공정 및 후면연마를 진행하는 방법이다.
이 방법에서도 별도의 포토레지스트가 파티클 오염 및 마이크로렌즈 보호막의 균열을 방지할 수 있지만, 이 방법은 다음과 같은 단점이 있다.
먼저, 별도의 포토레지스트를 사용하는 방법은, 카세인을 사용하는 방법에 비해 생산비가 증가하는 단점이 있다.
다음으로, 본 발명에서 사용된 카세인은 순수를 이용한 간단한 세정공정만으로도 제거되는 장점이 있지만, 별도의 포토레지스트를 사용하는 경우에는 PR strip 공정을 통해 이를 제거해야만 한다.
이때, PR strip 공정은 솔벤트 등을 이용한 습식공정 또는 플라즈마 PR strip 공정이 적용될 수 있다. 이중에서 플라즈마 PR strip 공정의 경우, 후면연마로 인해 두께가 매우 얇아진 웨이퍼를 기계장치(예를 들면, arm)를 이용하여 처리하여야 하기 때문에, 이 과정에서 웨이퍼가 깨질 가능성이 매우 높아진다.
또한, 솔벤트 등을 이용한 습식방법으로 PR strip을 진행하는 경우도, 카세트 단위(예를 들면, 웨이퍼 25장)로 솔벤트 용액에 담그기 때문에, 웨이퍼 브로큰(wafer broken)의 가능성은 플라즈마 PR strip 방법에 비해 훨씬 감소하지만, 습식 PR strip 공정에서도 물리적인 충격이 가해지기 때문에(원활한 PR 제거를 위해 bath를 흔들어 준다.) 웨이퍼 브로큰의 가능성은 상존하고 있다.
하지만, 본 발명에서는 순수를 이용한 간단한 세정공정을 이용하여 카세인을 제거하고 있으므로, 웨이퍼 브로큰의 가능성이 매우 낮다.
전술한 본 발명은 시모스 이미지센서 이외에도 웨이퍼 후면연마 공정이 적용되는 전하결합소자 등의 이미지센서에도 적용가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명을 이미지센서에 적용하면, 저렴한 비용으로 마이크로렌즈 보호막의 균열현상과 테이프 찌꺼기의 잔류를 방지할 수 있어, 이미지센서의 성능과 수율을 향상시킬 수 있으며, 생산비를 절감할 수 있다.
도1은 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소 구조를 도시한 회로도,
도2a 내지 도2c는 종래기술에 따른 이미지센서의 웨이퍼 후면연마 공정을 도시한 공정단면도,
도3a 내지 도3d는 본 발명의 일실시예에 따른 공정단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 기판 11 : 필드산화막
12 : p형 웰 13 : n형 웰
14 : 게이트 전극 15 : 스페이서
16 : 단위화소 17 : n형 이온주입영역
18 : p형 이온주입영역 19 : 층간절연막
20 : 제 1 금속배선 21 : 제 1 금속층간절연막
22 : 제 2 금속배선` 23 : 제 2 금속층간절연막
24 : 제 3 금속배선 25 : 페시베이션막
26 : 칼라필터 27 : 평탄화막
28 : 마이크로렌즈 29 : 마이크로렌즈 보호막
30 : 패드오픈용 포토레지스트
31 : 테이프 50 : 카세인
51 : 테이프
Claims (3)
- 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈를 형성하고 상기 마이크로렌즈 상에 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계;상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계;상기 패드오픈용 마스크를 제거한 후, 카세인을 웨이퍼 전면에 형성하는 단계;상기 카세인 상에 테이프를 증착하고 웨이퍼 후면연마 공정을 진행하는 단계; 및상기 테이프와 상기 카세인을 제거하는 단계을 포함하는 이루어지는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지센서는 시모스 이미지센서 또는 전하결합소자인 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 카세인을 제거하는 단계는 순수를 이용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030076247A KR20050041183A (ko) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | 카세인을 이용한 이미지 센서의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020030076247A KR20050041183A (ko) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | 카세인을 이용한 이미지 센서의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050041183A true KR20050041183A (ko) | 2005-05-04 |
Family
ID=37242691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020030076247A KR20050041183A (ko) | 2003-10-30 | 2003-10-30 | 카세인을 이용한 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050041183A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866252B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-10-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100967482B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR101448284B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2014-10-13 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | 후면 조명된 이미지 센서들 |
-
2003
- 2003-10-30 KR KR1020030076247A patent/KR20050041183A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR101448284B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2014-10-13 | 인텔렉츄얼 벤처스 투 엘엘씨 | 후면 조명된 이미지 센서들 |
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