KR100381025B1 - 이물질 포획용 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents
이물질 포획용 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 이물질의 이동에 의한 이미지 센서의 기능저하를 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 칩의 가장자리나 회로가 구성되지 않는 영역 또는 금속배선 하부의 절연막을 식각하여 이물질을 가두기 위한 우물이나 도랑 등의 트렌치를 형성하고, 트렌치 내부에 이물질과 점착력이 양호한 물질로 포획층을 도포하여 트렌치에 포획된 이물질이 다시 돌아다니지 못하게 하는데 그 특징이 있다. 따라서, 이물질에 의한 제품 불량 또는 제품 사용시 이물질의 이동에 의한 이미지 센서의 기능 저하를 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 이미지 센서 제조 분야에 관한 것으로, 특히 이미지 센서 제조 공정에서 발생하는 이물질 포획용 트렌치를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류된다. 촬상관은 텔레비전을 중심으로 하여 화상처리기술을 구사한 계측, 제어, 인식 등에서 널리 상용되며 응용 기술이 발전되었다. 시판되는 고체의 이미지 센서는 MOS(metal-oxide-semiconductor)형과 CCD(charge coupled device)형의 2종류가 있다.
CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하여 광학적 이미지를 전기적 신호로 변환시키는 소자로서, 픽셀수 만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하고 있다. CMOS 이미지 센서는, 종래 이미지 센서로 널리 사용되고 있는 CCD 이미지센서에 비하여 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리 회로를 단일칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능할 뿐만 아니라, 호환성의 CMOS 기술을 사용하므로 제조 단가를 낮출 수 있고, 전력 소모 또한 크게 낮다는 장점을 지니고 있다.
도 1은 4개의 트랜지스터와 2개의 캐패시턴스 구조로 이루어지는 CMOS 이미지센서의 단위 픽셀을 보이는 회로도로서, 광감지를 위한 포토다이오드(PD)와 4개의 NMOS트랜지스터로 구성되는 CMOS 이미지센서의 단위 픽셀을 보이고 있다. 4개의 NMOS트랜지스터 중 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)는 포토다이오드(PD)에서 생성된 광전하를 플로팅 확산영역으로 운송하는 역할을 하고, 리셋 트랜지스터(Rx)는 신호검출을 위해 상기 플로팅확산영역에 저장되어 있는 전하를 배출하는 역할을 하고, 드라이브 트랜지스터(Dx)는 소스팔로워(Source Follower)로서 역할하며, 셀렉트 트랜지스터(Sx)는 스위칭(Switching) 및 어드레싱(Addressing)을 위한 것이다. 도면에서 "Cf"는 플로팅확산영역이 갖는 캐패시턴스를, "Cp"는 포토다이오드가 갖는 캐패시턴스를 각각 나타낸다.
이와 같이 구성된 이미지센서 단위픽셀에 대한 동작은 다음과 같이 이루어진다. 처음에는 리셋 트랜지스터(Rx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온(on)시켜 단위 픽셀을 리셋시킨다. 이때 포토다이오드(PD)는 공핍되기 시작하여 캐패시턴스 Cp는 전하축적(carrier changing)이 발생하고, 플로팅 확산영역의 캐패시턴스 Cf는 공급전압 VDD 전압까지 전하축전된다. 그리고 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 오프시키고 셀렉트 트랜지스터(Sx)를 온시킨 다음 리셋트랜지스터(Rx)를 오프시킨다. 이와 같은 동작 상태에서 단위픽셀 출력단(Out)으로부터 출력전압 V1을 읽어 버퍼에 저장시키고 난 후, 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)를 온시켜 빛의 세기에 따라 변화된 캐패시턴스 Cp의 캐리어들을 캐패시턴스 Cf로 이동시킨 다음, 다시 출력단(Out)에서 출력전압 V2를 읽어들여 V1 - V2에 대한 아날로그 데이터를 디지털 데이터로 변경시키므로 단위픽셀에 대한 한 동작주기가 완료된다.
도 2a 및 도 2b는 종래 기술 따라 반도체 기판(10) 상부에 제1 금속배선(M1), 제2 금속배선(M2) 및 제3 금속배선(M3), 보호막(11), 칼라필터(12), 평탄화층(13), 마이크로 렌즈(microlens, 14), 마이크로 렌즈 보호막(15)까지 형성한 것을 나타내는 단면도로서, 도 2a는 포토다이오드(PD), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx), 리셋 트랜지스터(Rx), 트랜스퍼 트랜지스터(Tx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sx) 등을 포함하는 픽셀 어레이(pixel) 부분을 보이고, 도 2b는 디지탈, 아날로그 논리소자 부분을 개략적으로 도시하고 있다. 도 2a 및 도 2b에서 도면부호 'A' 픽셀 어레이 부분의 하부구조를 나타내고, 'B'는 논리소자 부분의 하부구조를 나타낸다.
도 2b에 보이는 논리소자 부분에서 발생한 이물질들이 픽셀 어레이 부분까지 이동되어 포토다이오드로 광이 입사하는 것을 막아 픽셀이 제기능을 발휘하지 못하게 만든다.
이미지 센서는 집광소자이기 때문에 입사광의 경로에 이물질이 있으면 픽셀이 제기능을 발휘할 수 없게 된다. 이물질의 이동은 다음과 같이 다양한 원인에 의해서 발생한다. 즉, 패키지 내측벽에 붙어있던 이물질이 떨어져 움직이는 경우, 기판으로 사용하는 실리콘이 패키지를 위한 절단(sawing) 과정에서 가루모양으로 남아 움직이는 경우, 절단면이 인접한 곳(scribe line)의 산화막이 깨져 움직이는 경우가 있다.
이러한 원인에 의해 이동하는 이물질은 금속성 또는 산화막질, 실리콘 가루, 먼지 등이 주종을 이루는데, 이러한 물질들은 산화막과 점착력이 양호하지 못하다.이미지 센서의 최상부인 마이크로 렌즈의 보호막을 산화막으로 형성하고 있기 때문에 이물질과 점착력이 낮아 계속 칩 중앙부에 위치하고 있는 픽셀 어레이로 유입되어 마이크로 렌즈 사이에 끼여 광의 입사를 차단하게 된다.
이물질들이 픽셀 어레이 위로 올라와 돌아다니게 되고, 이로 인해 불량률이 증가하게 된다. 문제의 심각성은 제품이 양품, 불량품 판정시에는 양품으로 나타났다가 제품을 운반하고 사용시에 서서히 나타나게 된다는 것이다. 즉, 더욱이 출하시 양품으로 판정되었던 제품을 소비자가 사용하는 중에 이물질에 의해 불량이 발생하는 경우가 종종 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 이물질의 이동에 의한 이미지 센서의 기능저하를 방지할 수 있는, 이미지 센서 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 CMOS 이미지 센서의 단위픽셀 구조를 개략적으로 보이는 단면도,
도 2a 및 도 2b는 종래 기술 따른 이미지 센서의 공정 단면도,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예에 따른 CMOS 이미지 센서 제조 공정 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 도면 부호의 설명*
M1, M2, M3: 금속배선 A: 픽셀 어레이 부분의 하부구조
B: 논리소자 부분의 하부구조 T: 트렌치
PR1: 포토레지스트 패턴 PR: 포토레지스트
31: 산화막 32: 보호막
33: 마이크로 렌즈 보호막
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 다층의 절연막 내에 형성된 트렌치; 및 상기 트렌치 내부에 형성되어 칩 내부에서 이동하는 이물질을 포획하는 포획층을 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 픽셀 어레이 영역과 논리소자 영역 각각의 하부구조, 적어도 한층의 제1 절연막 및 최상부 금속배선 형성이 완료된 기판 상부에 제2 절연막을 형성하는 제1 단계; 상기 제2 절연막 상에 이물질 포획용 트렌치 형성 영역을 정의하며, 상기 픽셀 어레이 영역을 덮는 식각마스크를 형성하는 제2 단계; 상기 제2 절연막 및 상기 제1 절연막을 식각하여 트렌치를 형성하는 제3 단계; 상기 식각마스크를 제거하는 제4 단계; 및 상기 트렌치 내부에 이물질 포획층을 형성하는 제5 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 칩의 가장자리나 회로가 구성되지 않는 영역 또는 금속배선 하부의 절연막을 식각하여 이물질을 가두기 위한 우물이나 도랑 등의 트렌치를 형성하고, 트렌치 내부에 이물질과 점착력이 양호한 물질로 포획층을 도포하여 트렌치에 포획된 이물질이 다시 돌아다니지 못하게 하는데 그 특징이 있다. 따라서, 이물질에 의한 제품 불량 또는 제품 사용시 이물질의 이동에 의한 이미지 센서의 기능 저하를 방지할 수 있다.
이하 첨부된 도면 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 상세하게 설명한다. 도 3a 내지 도 3d에서 도면부호 'B'는 논리소자 부분의 하부구조를 나타낸다.
먼저 도 3a에 도시한 바와 같이, 제1 금속배선(M1), 제2 금속배선(M2) 및 제3 금속배선(M3) 즉, 최상부 금속배선 형성이 완료된 반도체 기판(30) 상부에 1000 Å 내지 8000 Å 두께의 산화막(31)을 형성하고, 상기 산화막(31)으로 덮인적어도 하나의 절연층 내에 이물질 포획용 트렌치를 형성하기 위한 포토레지스트 패턴(PR1)을 형성한다. 상기 트렌치는 칩의 가장자리 또는 회로가 구성되지 않는 부분 등에 형성되며, 픽셀 어레이 부분(도시하지 않음)은 상기 포토레지스트 패턴(PR1)으로 덮인다.
다음으로 도 3b에 보이는 바와 같이, 산화막(31) 하부의 다수의 절연층을 식각하여 트렌치(T)를 형성하고, 포토레지스트 패턴(PR1)을 제거한다. 3층의 금속배선을 형성하는 경우는 도 3b에 보이는 바와 같이 제1 금속배선(M1)과 제2 금속배선(M2) 사이의 절연막까지 식각하고, 2층의 금속배선을 형성할 경우에는 제1 금속배선(M1)과 기판(30) 사이의 절연막까지 식각하여 트렌치(T)를 형성한다. 이어서, 트렌치를 덮는 보호막(32)을 형성하고, 픽셀 어레이 부분(도시하지 않음)에는 칼라필터, 평탄화층 및 마이크로 렌즈 등을 형성하고, 전체 구조 상에 마이크로 렌즈 보호막(33)을 형성한다. 그리고, 마스크 공정, 식각 공정 등을 실시하여 전극단자인 패드(도시하지 않음) 부분을 노출시킨다.
그리고, 금속성, 산화막 등의 이물질과 점착력 양호한 물질 즉, 0.1g/㎜ 이상의 점착 특성을 가지며 도포 후 원하지 않는 부분은 용이하게 제거할 수 있는 물질로 포획층을 형성한다. 본 발명의 실시예에서는, 도 3c에 보이는 바와 같이 전체 구조 상에 양성 포토레지스트(PR)를 도포하고, 전면 노광(expose)을 진행한다. 이때, 트렌치 내에는 다른 영역보다 상대적으로 많은 PR이 두껍게 도포되어 있기 때문에 트렌치 내에는 포토레지스트 잔여물이 남고, 패드 부위에는 포토레지스트가 제거될 조건으로 전면 노광을 실시하여 포토레지스트를 부분적으로 제거할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 800 msec 내지 1000 msec 시간동안 노광을 진행한다. 한편, 포토레지스트 도포 후 전면식각을 실시하여 트렌치(T) 내부에만 포토레지스트를 잔류시킬 수도 있다.
전술한 바와 같은 과정에 따라 제조된 이미지 센서는 다층의 절연막 내에 이물질을 가두기 위한 트렌치를 구비함으로써, 픽셀 어레이로 이물질이 이동함에 따른 이미지 센서의 기능저하를 방지할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 이미지 센서의 논리소자 부분에 트렌치를 형성하고 상기 트렌치 내에 점착력이 우수한 물질을 도포하여 이물질을 포획함으로써 패키징 과정 등에서 발생한 이물질이 픽셀 어레이 부분으로 이동함에 따른 이미지 센서의 기능 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
Claims (12)
- 이미지 센서에 있어서,다층의 절연막 내에 형성된 트렌치; 및상기 트렌치 내부에 형성되어 칩 내부에서 이동하는 이물질을 포획하는 포획층을 포함하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서는 기판 상에 상하로 적층된 제1 금속배선, 제2 금속배선 및 제3 금속배선을 구비하고,상기 트렌치의 저면에 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선 사이의 절연막이 노출되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지 센서는 기판 상에 상하로 적층된 제1 금속배선 및 제2 금속배선을 구비하고,상기 트렌치의 저면에 제1 금속배선과 상기 기판 사이의 절연막이 노출되는것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 트렌치는 논리소자 상부를 덮는 절연막 또는 칩 가장자리의 절연막 내에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서,상기 포획층은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 이미지 센서 제조 방법에 있어서,픽셀 어레이 영역과 논리소자 영역 각각의 하부구조, 적어도 한층의 제1 절연막 및 최상부 금속배선 형성이 완료된 기판 상부에 제2 절연막을 형성하는 제1 단계;상기 제2 절연막 상에 이물질 포획용 트렌치 형성 영역을 정의하며, 상기 픽셀 어레이 영역을 덮는 식각마스크를 형성하는 제2 단계;상기 제2 절연막 및 상기 제1 절연막을 식각하여 트렌치를 형성하는 제3 단계;상기 식각마스크를 제거하는 제4 단계; 및상기 트렌치 내부에 이물질 포획층을 형성하는 제5 단계를 포함하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제5 단계에서,상기 포획층을 포토레지스트로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제5 단계는,전체 구조 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 포토레지스트를 전면노광하는 단계; 및상기 포토레지스트를 현상하여 상기 트렌치 내부에 포토레지스트를 잔류시키면서 전극단자를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 제5 단계는,전체 구조 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및상기 포토레지스트를 전면식각하여 상기 트렌치 내부에 포토레지스트를 잔류시키면서 전극단자를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제4 단계 후,상기 트렌치를 덮는 보호막을 형성하는 단계;상기 픽셀 어레이에 칼라필터, 평탄화층 및 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 및전체 구조 상에 마이크로 렌즈 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 이미지 센서는 기판 상에 상하로 적층된 제1 금속배선, 제2 금속배선 및 제3 금속배선을 구비하고,상기 제3 단계에서,그 저면에 상기 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선 사이의 절연막이 노출되는 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 이미지 센서는 기판 상에 상하로 적층된 제1 금속배선 및 제2 금속배선을 구비하고,상기 제3 단계에서,그 저면에 제1 금속배선과 상기 기판 사이의 절연막이 노출되는 트렌치를 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 제조 방법.
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100538803B1 (ko) * | 2003-05-24 | 2005-12-23 | 킹팍 테크놀로지 인코포레이티드 | 우량의 픽셀이 증가된 화상 센서 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150872A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ |
| KR20000003929A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03150872A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Ricoh Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ |
| US6040593A (en) * | 1998-06-29 | 2000-03-21 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Image sensor having self-aligned silicide layer |
| KR20000003929A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법 |
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