KR100549324B1 - 패드 오픈용 포토레지스트를 이용한 이미지센서의 제조방법 - Google Patents
패드 오픈용 포토레지스트를 이용한 이미지센서의 제조방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241001397173 Kali <angiosperm> Species 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
본 발명은 이미지센서의 제조방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 후면 연마시에 패드 오픈용 포토레지스트를 기판 상에 잔존시킨 상태에서, 테이핑 공정을 진행하여 파티클 오염 등을 방지한 발명이다. 이를 위한 본 발명은 웨이퍼 후면연마공정을 포함하는 이미지센서의 제조방법에 있어서, 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계; 상기 패드오픈용 마스크를 잔존한 채로 웨이퍼 전면에 테이프를 증착하는 테이핑 공정을 수행하는 단계; 웨이퍼 후면연마 공정을 진행하는 단계; 및 상기 테이프 및 상기 패드오픈용 마스크를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이미지센서, 후면 연마, 패드오픈용 PR, 테이핑, 파티클
Description
도1a는 통상적인 시모스 이미지센서의 단위화소 구조를 도시한 회로도,
도1b 내지 도1e는 종래기술에 따른 이미지센서의 후면연마 공정을 도시한 공정단면도,
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서의 후면연마 공정을 도시한 공정단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10 : 기판 11 : 필드산화막
12 : p형 웰 13 : n형 웰
14 : 게이트 전극 15 : 스페이서
16 : 단위화소 17 : n형 이온주입영역
18 : p형 이온주입영역 19 : 층간절연막
20 : 제 1 금속배선 21 : 제 1 금속층간절연막
22 : 제 2 금속배선` 23 : 제 2 금속층간절연막
24 : 제 3 금속배선 25 : 페시베이션막
26 : 칼라필터 27 : 평탄화막
28 : 마이크로렌즈 29 : 마이크로렌즈 보호막
30 : 패드오픈용 포토레지스트
31 : 테이프
본 발명은 이미지센서의 제조방법에 관한 것으로 특히, 후면 연마시에 패드오픈용 포토레지스트를 기판 상에 잔존시킨 채로 테이핑 공정을 진행하여 파티클 오염등을 방지한 이미지센서의 제조방법에 관한 발명이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼리필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.
도1a는 통상의 CMOS 이미지센서에서 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(100)와, 포토다이오드(100)에서 모아진 광전하를 플로팅확산영역(102)으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(101)와, 원하는 값으로 플로팅확산영역의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅확산영역(102)를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터(103)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(104), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(105)로 구성된다. 단위 화소 밖에는 출력신호(Output Signal)를 읽을 수 있도록 로드(load) 트랜지스터(106)가 형성되어 있다.
도1b는 이러한 단위화소와 칼라필터 및 마이크로렌즈들을 포함하여 구성된 시모스 이미지센서의 제조공정에서 패드 오픈 후, 웨이퍼 후면 연마공정이 수행되기 직전의 소자 단면을 도시한 단면도면이다.
이를 참조하여, 종래의 시모스 이미지센서의 제조공정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 반도체 기판(10) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(11)을 형성한다.
다음으로 적절한 이온주입 마스크를 이용하여 p형 웰(12)과 n형 웰(13)을 형성하고, 다음으로 스페이서(15)를 구비한 게이트 전극(14)을 기판 상의 소정영역에 패터닝하여 형성한다.
이어서, 포토다이오드를 포함하여 구성된 단위화소(16)를 수광영역에 형성하고, LDD 영역을 구비한 트랜지스터의 소스/드레인에 해당하는 n형 이온주입 영역(17) 및 p형 이온주입 영역(18)을 형성한다.
다음으로 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 층간절연막(19)을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 제 1 금속배선(20)을 패터닝한다. 도1b에는 3개 층의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.
이어서, 제 2 내지 제 3 금속배선(22, 24) 및 제 1 내지 제 2 금속층간절연막(21, 23)을 적층형성한다.
이와같이 제 3 금속배선(24)까지 형성한 이후에, 소자를 습기나 스크래치로부터 보호하기 위해 페시베이션막(25)을 전체구조 상에 형성한다.
다음으로, 페시베이션막 상에 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하여 수광영역의 단위화소에 대응되는 영역에 칼라필터(26)를 형성한다.
이어서, 칼라필터(26)로 인한 단차를 보상하기 위해 평탄막(27)을 형성하고, 평탄화막(27) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다. 다음으로 마이크로렌즈를 보호하기 위한 마이크로렌즈 보호막(29)을 전체 구조상에 증착한다.
다음으로 패드를 오픈하기 위한 패드 오픈공정이 진행되는데, 먼저 패드오픈용 포토레지스트(30)를 전체 구조상에 도포하고, 패드 오픈 영역이 노출되도록 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 패터닝한다.
다음으로 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 마이크로렌즈 보호막(29)과 페시베이션막(25)을 식각하여 패드(24)를 노출시킨다.
다음으로 도1c에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 제거한다. 즉, 도1c는 웨이퍼 후면 연마공정이 진행되기 직전의 종래구조를 도시한 도면이다.
이미지센서의 웨이퍼 후면 연마공정은 이미지센서 칩의 후면을 적정두께로 연마하여, 외부 모듈과 광학렌즈와의 간격을 맞추기 위해 수행되는 공정이다.
즉, 이미지센서 칩은 와이어 본딩이 완료된 이후에, 칩 동작에 치명적인 결함을 발생시키는 요인으로부터 칩을 안전하게 보호하기 위해 글래스(glass)를 덮음으로써 이미지센서 칩의 패키지(package) 공정이 마무리된다.
이러한 패키지 공정 다음으로, 완성된 패키지 위에 외부렌즈 포함하는 플라스틱 기구를 붙이고, 이를 인쇄회로기판 위에 장착하여 하나의 모듈(module)로 만든다. 이와 같은 모듈을 카메라 등의 제품에 삽입함으로써 실제 제품에서 이미지센서가 사용되는 것이다.
이와 같이 모듈을 제작할 때에, 이미지센서 칩과 외부 렌즈와의 촛점거리 등을 맞추기 위해 웨이퍼 후면 연마가 진행된다.
이와같은 웨이퍼 후면 연마공정에서는 파티클등의 오염이 많이 발생하므로 이를 방지하는 방법이 필요한데, 종래에는 다음과 같은 방법이 사용되었다.
즉, 도1c에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 제거한 후, 도1d에 도시된 바와같이 웨이퍼 전면에 테이프(31)를 이용한 테이핑(taping) 공정을 진행한다.
이와같이 웨이퍼 전면에 테이핑공정을 수행한 이후에 후면 연마를 수행하게 되면, 후면연마 중에 발생한 파티클 등이 테이프(31)에만 달라붙고, 칩에는 영향을 주지 못한다.
이후에, 상기 테이프를 떼어내면, 공정이 완료되는데, 이러한 종래기술에서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
즉, 도1e에 도시된 바와같이 테이프 자체가 상당한 접착압력을 갖고 있으므로, 테이프를 떼어내는 와중에, 마이크로렌즈 보호막(29)에 균열이 생기는 문제점이 있었다.
또한, 테이프의 끈적끈적한 접착성분이 웨이퍼 전면에 남게 되는 문제가 있어서, 소자의 수율을 심각하게 저하시키고 있었다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 패드오픈용 포토레지스트를 기판 상에 잔존한 상태로 테이핑공정을 진행하여 파티클 등으로 인한 오염과 마이크로렌즈 보호막의 균열을 방지한 이미지센서의 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 수광소자를 비롯한 관련소자들이 형성된 기판을 제공하는 단계와, 상기 수광소자의 단위화소에 대응되는 영역의 상기 기판 상에 칼라필터를 형성하는 단계와, 상기 칼라필터로 인한 단차를 보상하기 위하여 상기 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 칼라필터에 대응되는 영역의 상기 평탄화막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계와, 상기 마이크로렌즈를 덮도록 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계와, 상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조 상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 패드를 오픈하는 단계와, 상기 패드 오픈용 마스크를 잔존한 채로 웨이퍼 전면에 테이프를 증착하는 테이핑 공정을 수행하는 단계와, 상기 웨이퍼 후면에 대한 연마 공정을 진행하는 단계와, 상기 테이프 및 상기 패드 오픈용 마스크를 제거하는 단계을 포함하는 이미지센서의 제조방법을 제공한다.
본 발명에서는 종래의 문제점을 해결하기 위하여 다음과 같은 방법을 사용하였다. 즉, 패드오픈용 포토레지스트를 이용하여 패드오픈 공정을 진행한 후, 종래기술과 달리, 패드오픈용 포토레지스트를 제거하지 않은 상태에서, 웨이퍼 전면에 테이핑 공정을 진행한다. 이후에 웨이퍼 후면을 연마한 후, 패드오픈용 포토레지스트를 제거함으로써 종래의 문제점을 해결하였다.
즉, 테이프의 접착성분이 남더라도, 이는 패드오픈용 포토레지스트 상에만 남게 되고, 이미지센서 칩에는 영향을 미치지 않는다. 또한, 접착압력이 상당한 테이프를 떼어내는 와중에도, 마이크로렌즈 보호막 역시 패드오픈용 포토레지스트에 의해 보호받고 있기 때문에 그 균열을 방지할 수 있었다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
도2a 내지 도2d는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 후면 연마공정을 도시한 공정단면도로서 이를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.
먼저, 마이크로렌즈 보호막을 증착하고 패드오픈용 포토레지스트를 도포하기까지의 공정은 종래기술과 동일하므로, 동일한 도면부호를 사용하여 이를 설명한다.
즉, 도2a에 도시된 바와같이, 반도체 기판(10) 상에 활성영역과 필드영역을 정의하는 필드산화막(11)을 형성한다.
다음으로 적절한 이온주입 마스크를 이용하여 p형 웰(12)과 n형 웰(13)을 형성하고, 다음으로 스페이서(15)를 구비한 게이트 전극(14)을 기판 상의 소정영역에 패터닝하여 형성한다.
이어서, 포토다이오드를 포함하여 구성된 단위화소(16)를 수광영역에 형성하고, LDD 영역을 구비한 트랜지스터의 소스/드레인에 해당하는 n형 이온주입 영역(17) 및 p형 이온주입 영역(18)을 형성한다.
다음으로 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 층간절연막(19)을 형성하고, 상기 층간절연막 상에 제 1 금속배선(20)을 패터닝한다. 도2a에는 3개 층의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.
이어서, 제 2 내지 제 3 금속배선(22, 24) 및 제 1 내지 제 2 금속층간절연막(21, 23)을 적층형성한다.
이와같이 제 3 금속배선(24)까지 형성한 이후에, 소자를 습기나 스크래치로부터 보호하기 위해 페시베이션막(25)을 전체구조 상에 형성한다.
다음으로, 페시베이션막 상에 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하여 수광영역의 단위화소에 대응되는 영역에 칼라필터(26)를 형성한다.
이어서, 칼라필터(26)로 인한 단차를 보상하기 위해 평탄막(27)을 형성하고, 평탄화막(27) 상에 마이크로렌즈(28)를 형성한다. 다음으로 마이크로렌즈를 보호하기 위한 마이크로렌즈 보호막(29)을 전체 구조상에 증착한다.
다음으로 패드를 오픈하기 위한 패드 오픈공정이 진행되는데, 먼저 패드오픈용 포토레지스트(30)를 전체 구조상에 도포하고, 패드 오픈 영역이 노출되도록 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 패터닝한다.
다음으로 상기 패드오픈용 포토레지스트(30)를 이용하여 마이크로렌즈 보호막(29)과 페시베이션막(25)을 식각하여 패드(24)를 노출시킨다.
다음으로 도2b에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 제거하지 않은 상태에서 웨이퍼 전면에 테이프(31)를 이용한 테이핑 공정을 진행한다.
이와같이 테이핑공정을 진행한 이후에 웨이퍼 후면 연마공정을 진행하면, 파티클 등의 오염물질은 테이프 표면에 달라붙고, 이미지센서 칩을 오염시키지 않는다.
다음으로 도2c에 도시된 바와같이 테이프를 떼어낸다.
이때, 상기 테이프는 접착압력이 상당히 크기때문에, 마이크로렌즈 보호막이 균열되거나, 또는 테이프의 끈적끈적한 성분이 웨이퍼 표면에 남는 문제가 종래에는 있었으나, 본 발명에서는 이런 문제를 해결하였다.
즉, 도2c에 도시된 바와같이 마이크로렌즈 보호막(29) 패드오픈용 포토레지스트(30)로 보호받고 있기 때문에, 그 균열을 방지할 수 있으며 또한, 테이프의 끈적끈적한 성분이 남는다고 하더라도, 패드오픈용 포토레지스트(30) 상에 남기 때문에 소자의 특성을 악화시키지 않으며, 더구나 패드오픈용 포토레지스트(30)는 후속 공정을 통해 제거되기 때문에 소자의 신뢰성을 크게 증가시킬 수 있다.
이와같이 테이프를 떼어낸 다음에 도2d에 도시된 바와같이 패드오픈용 포토레지스트(30)를 습식식각법으로 제거하여 공정을 완료한다.
본 발명은 시모스 이미지센서 이외에도 웨이퍼 후면연마 공정이 적용되는 전하결합소자 등의 이미지센서에도 적용가능하다.
또한, 전술한 방법이외에도 기존의 방법대로 패드오픈용 포토레지스트를 제거한 이후에, 웨이퍼 후면 연마전에 추가로 포토레지스트 도포를 진행하고, 후면연마를 수행한 후, 상기 추가 포토레지스트를 제거하는 방법도 웨이퍼 핸들링 측면에서 고려해볼만 하다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식 을 가진자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명을 이미지센서에 적용하면, 마이크로렌즈 보호막의 균열현상과 테이프 찌꺼기의 잔류를 방지할 수 있어 이미지센서의 수율이 향상되는 효과가 있다.
Claims (4)
- 수광소자를 비롯한 관련소자 및 패드용 금속막이 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 수광소자의 단위화소에 대응되는 영역의 상기 기판 상에 칼라필터를 형성하는 단계;상기 칼라필터로 인한 단차를 보상하기 위하여 상기 기판 상에 평탄화막을 형성하는 단계;상기 칼라필터에 대응되는 영역의 상기 평탄화막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계;상기 마이크로렌즈를 덮도록 마이크로렌즈 보호막을 형성하는 단계;상기 마이크로렌즈 보호막을 포함하는 전체 구조 상에 패드 오픈용 마스크를 이용하여 상기 패드를 오픈하는 단계;상기 패드 오픈용 마스크를 잔존한 채로 웨이퍼 전면에 테이프를 증착하는 테이핑 공정을 수행하는 단계;상기 웨이퍼 후면에 대한 연마 공정을 진행하는 단계; 및상기 테이프 및 상기 패드 오픈용 마스크를 제거하는 단계을 포함하는 이미지센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 이미지센서는 시모스 이미지센서 또는 전하결합소자인 이미지센서의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 패드오픈용 마스크는 포토레지스트인 이미지센서의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 패드오픈용 마스크를 제거하는 단계는 습식식각법을 이용하는 이미지센서의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030050195A KR100549324B1 (ko) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 패드 오픈용 포토레지스트를 이용한 이미지센서의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030050195A KR100549324B1 (ko) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 패드 오픈용 포토레지스트를 이용한 이미지센서의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050011199A KR20050011199A (ko) | 2005-01-29 |
| KR100549324B1 true KR100549324B1 (ko) | 2006-02-02 |
Family
ID=37223290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030050195A KR100549324B1 (ko) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | 패드 오픈용 포토레지스트를 이용한 이미지센서의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100549324B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100945866B1 (ko) | 2007-12-24 | 2010-03-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100866252B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2008-10-30 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100928503B1 (ko) * | 2007-10-09 | 2009-11-26 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US9142586B2 (en) * | 2009-02-24 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pad design for backside illuminated image sensor |
| KR101963269B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2019-03-28 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20020014558A (ko) * | 2000-08-18 | 2002-02-25 | 박종섭 | 씨모스이미지센서 제조방법 |
| KR20020055034A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 박종섭 | 이미지센서 제조방법 |
| KR20030060603A (ko) * | 2002-01-10 | 2003-07-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서칩의 백그라인드시 결함 감소 방법 |
| KR20040079614A (ko) * | 2003-03-08 | 2004-09-16 | 삼성전자주식회사 | 이미지 반도체 장치 제조에서의 유기물 잔사 제거 방법 |
-
2003
- 2003-07-22 KR KR1020030050195A patent/KR100549324B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100945866B1 (ko) | 2007-12-24 | 2010-03-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20050011199A (ko) | 2005-01-29 |
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| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
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