JP5768396B2 - 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 - Google Patents
固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5768396B2 JP5768396B2 JP2011029966A JP2011029966A JP5768396B2 JP 5768396 B2 JP5768396 B2 JP 5768396B2 JP 2011029966 A JP2011029966 A JP 2011029966A JP 2011029966 A JP2011029966 A JP 2011029966A JP 5768396 B2 JP5768396 B2 JP 5768396B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- state imaging
- imaging device
- filter layer
- optical filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Description
前記フィルタ層は、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とが交互に複数積層された誘電体多層膜であって、前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部に形成されており、かつ、前記透明基板の側から前記固体撮像素子の側へ向かって幅が狭くなるように、側端面が傾斜しており、
前記接着層は、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の前記画素領域の周辺部分において、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせ、かつ、前記フィルタ層において傾斜する側端面を被覆するように設けられている、
固体撮像装置および電子機器が提供される。
前記光学フィルタ形成工程では、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とが交互に複数積層された誘電体多層膜を、前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部とを被覆し、前記透明基板の側から前記固体撮像素子の側へ向かって幅が狭くなるように、側端面が傾斜するように、前記フィルタ層を形成し、
前記接着層による貼り合わせ工程では、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の前記画素領域の周辺部分において、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせ、かつ、前記フィルタ層において傾斜する側端面を被覆するように、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせる、
固体撮像装置の製造方法が提供される。
1.実施形態1(キャビティ構造の場合)
2.実施形態2(キャビティレス構造の場合)
3.実施形態3(複数のレジストパターンを積層させて、フィルタ層を形成する場合)
4.実施形態4(フィルタ層がテーパー形状の場合)
5.実施形態5(3次元実装構造の場合)
6.その他
[1]装置構成
(1−1)カメラの要部構成
図1は、本発明にかかる実施形態1において、カメラ40の構成を示す構成図である。
固体撮像装置1の要部構成について説明する。
固体撮像装置1を構成するセンサ素子100について説明する。
図4は、本発明にかかる実施形態1において、センサ素子100の全体構成を示す図である。図4では、上面を示している。
図5は、本発明にかかる実施形態1において、センサ素子100の要部構成を示す図である。図5では、一部の断面を示している。
図6,図7は、本発明にかかる実施形態1において、画素Pを示す図である。
固体撮像装置1を構成する赤外カットフィルタ300について説明する。
固体撮像装置1を構成する接着層501について説明する。
以下より、上記の固体撮像装置1を製造する製造方法の要部について説明する。
まず、図10(a)に示すように、センサ素子100を形成する。
つぎに、図10(b)に示すように、赤外カットフィルタ300を形成する。
[フォトレジストパターンPRの条件]
・厚み:6.5〜11μm(赤外カットフィルタ層311として、30〜60層を積層して形成する誘電体多層膜よりも厚くする必要がある。誘電体多層膜の各層は、1/4λの厚みが必要なので、平均すると、厚みが150nmである(600nm/4)。よって、誘電体多層膜は、厚みが、4.5〜9μmであり、フォトレジストパターンPRについては、これよりも、2μ程度厚くすることが好適である。)
・傾斜角度:87〜89°
・材料:リフトオフ用レジスト
・各フォトレジストパターンPRの間の距離:50〜800μm(ダイシング後の残り幅が接着強度で必要なため。ダイシング前は、ダイシングストリート幅30〜100μm+(min50〜300×2)となる)
つぎに、図10(c)に示すように、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とを貼り合わせる。
[接着層501の条件]
・厚み:10〜70μm(実際には50μm。薄いと回折による干渉縞が出る場合があるため)
・幅:少なくても200μm程度
・材料:感光性のアクリル系エポキシ接着剤
つぎに、図11(d)に示すように、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とを貼り合わせたものの上下を反転させる。
つぎに、図11(e)に示すように、バンプ402を形成する。
つぎに、図11(f)に示すように、ダイシングを実施して、複数の固体撮像装置1に分割する。
以上のように、本実施形態の固体撮像装置においては、赤外カットフィルタ300は、ガラス基板301に赤外カットフィルタ層311が形成されている。そして、センサ素子100は、その赤外カットフィルタ300に対面するように配置されており、赤外カットフィルタ層311を介して入射する光を受光する画素が、半導体基板101の画素領域PAに複数配列されている。そして、この赤外カットフィルタ300とセンサ素子100との間には、接着層501が設けられており、両者を貼り合わせている。
(1)装置構成など
図15は、本発明にかかる実施形態2において、固体撮像装置の要部を示す図である。図15は、図3と同様に、断面を示している。
キャビティ部600がある場合、マイクロレンズMLの屈折率(たとえば、1.6前後)と空気の屈折率(1)との差によるレンズ効果によって、集光が生ずる。しかし、全体を接着剤で埋めると、接着剤の屈折率(1.5前後)とマイクロレンズML(たとえば、屈折率1.6前後)との間の屈折率差が小さいため、集光効率が落ちる。このため、マイクロレンズMLについては、屈折率が高い材料(たとえば、1.8〜2.2)を用いて形成し、低屈折率層110については、小さな屈折率(たとえば、1.33〜1.45)の材料を用いて形成している。これにより、屈折率差が0.6前後と大きくなり、集光効率を向上できる。
以上のように、本実施形態の赤外カットフィルタ層311は、実施形態1と同様に、ガラス基板301においてセンサ素子100に対面する側の面のうち、画素領域PAに対応する部分と、周辺領域SAの一部とを被覆するように形成されている。また、接着層501bは、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板301にて赤外カットフィルタ層311で被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層311の周辺部分とに少なくとも接している。
(1)製造方法など
図16は、本発明にかかる実施形態3において、赤外カットフィルタ300を形成する製造方法を示す図である。図16は、図12と同様に、断面を示している。
以上のように、本実施形態において、固体撮像装置は、実施形態1と同様に構成されている。
(1)装置構成など
図17は、本発明にかかる実施形態4において、固体撮像装置の要部を示す図である。図17は、図3と同様に、断面を示している。
以上のように、本実施形態の赤外カットフィルタ層311dは、実施形態1と同様に、ガラス基板301においてセンサ素子100に対面する側の面のうち、画素領域PAに対応する部分と、周辺領域SAの一部とを被覆するように形成されている。また、接着層501は、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板301にて赤外カットフィルタ層311dで被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層311dの周辺部分とに接している。
(1)装置構成など
図19,図20,図21は、本発明にかかる実施形態5において、固体撮像装置の要部を示す図である。
以上のように、本実施形態の赤外カットフィルタ層311は、実施形態1と同様に、ガラス基板301においてセンサ素子100eに対面する側の面のうち、画素領域PAに対応する部分と、周辺領域SAの一部とを被覆するように形成されている。また、接着層501eは、センサ素子100と赤外カットフィルタ300とが対面する面の周辺部分において、ガラス基板301にて赤外カットフィルタ層311で被覆されていない部分と、その赤外カットフィルタ層311の周辺部分とに少なくとも接している。
なお、本実施形態においては、センサ素子100の周辺領域SAに周辺回路の一部を設ける場合について説明したが、これに限定されない。センサ素子100の周辺領域SAに周辺回路を設けず、ロジック回路素子200に、図4で示した周辺回路の全てを設けるように、構成しても良い。その他、ロジック回路素子200に代えて、配線基板を設けても良い。すなわち、機能が異なる複数の半導体チップを積み重ねて、固体撮像装置を構成しても良い。
本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形例を採用することができる。
Claims (8)
- 透明基板にフィルタ層が形成されている光学フィルタと、
前記光学フィルタに対面するように配置されており、前記フィルタ層を介して入射する光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、
前記光学フィルタと前記固体撮像素子との間に設けられており、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層と
を有し、
前記フィルタ層は、
高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とが交互に複数積層された誘電体多層膜であって、前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部に形成されており、かつ、 前記透明基板の側から前記固体撮像素子の側へ向かって幅が狭くなるように、側端面が傾斜しており、
前記接着層は、
前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の前記画素領域の周辺部分において、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせ、かつ、前記フィルタ層において傾斜する側端面を被覆するように設けられている、
固体撮像装置。 - 前記光学フィルタと前記固体撮像素子とが対面する間にはキャビティ部が設けられており、
前記固体撮像素子は、前記キャビティ部を介して入射する光を前記画素が受光するように前記画素領域が設けられており、
前記接着層は、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とが対面する間において、前記キャビティ部の周辺を囲い、前記フィルタ層において傾斜する側端面を被覆するように、設けられている、
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 透明基板にフィルタ層を形成することで光学フィルタを形成する、光学フィルタ形成工程と、
光を受光する画素を半導体基板の画素領域に複数設けることで固体撮像素子を形成する、固体撮像素子形成工程と、
前記フィルタ層を介して入射する光を前記画素が受光するように前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを対面させた間に接着層を設けることによって、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせる、貼り合わせ工程と
を有し、
前記光学フィルタ形成工程では、
高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とが交互に複数積層された誘電体多層膜を、前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部とを被覆し、
前記透明基板の側から前記固体撮像素子の側へ向かって幅が狭くなるように、側端面が傾斜するように、
前記フィルタ層を形成し、
前記接着層による貼り合わせ工程では、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の前記画素領域の周辺部分において、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせ、かつ、前記フィルタ層において傾斜する側端面を被覆するように、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせる、
固体撮像装置の製造方法。 - 前記光学フィルタ形成工程では、前記透明基板に前記光学フィルタを複数形成し、
前記固体撮像素子形成工程では、前記半導体基板に前記固体撮像素子を複数形成し、
前記貼り合わせ工程では、前記複数の光学フィルタのそれぞれと前記複数の固体撮像素子とのそれぞれが対応するように、前記透明基板と前記半導体基板とを位置合わせして貼り合わせ、
前記透明基板と前記半導体基板とが貼り合わされた状態のものについてダイシング加工を実施することで、複数の固体撮像装置に分割する、
請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記光学フィルタ形成工程では、リフトオフ法によって前記透明基板に前記フィルタ層を形成する、
請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記光学フィルタ形成工程は、
前記透明基板の面において前記フィルタ層を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、フォトレジストパターンを形成する、フォトレジストパターン形成ステップと、 前記透明基板の上面と前記フォトレジストパターンの上面とを被覆するように、前記フォトレジストパターンが形成された前記透明基板の面にフィルタ層を成膜する、フィルタ層成膜ステップと、
前記フィルタ層が上面に被覆されたフォトレジストパターンを除去する、フォトレジストパターン除去ステップと
を含み、
前記フォトレジストパターン形成ステップでは、前記透明基板に近い側が狭い幅であって、前記透明基板から離れるに伴って幅が広がった断面形状になるように、前記フォトレジストパターンを形成する、
請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記光学フィルタ形成工程では、前記半導体基板に形成されたノッチ形状と同じノッチパターンを、前記フィルタ層の形成と同時に、前記透明基板に形成し、
前記貼り合わせ工程では、前記半導体基板のノッチ形状と、前記透明基板のノッチパターンとを用いて、前記半導体基板と前記透明基板とを位置合わせする、
請求項5に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 透明基板にフィルタ層が形成されている光学フィルタと、
前記光学フィルタに対面するように配置されており、前記フィルタ層を介して入射する光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、
前記光学フィルタと前記固体撮像素子との間に設けられており、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層と
を有し、
前記フィルタ層は、
高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とが交互に複数積層された誘電体多層膜であって、前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部に形成されており、かつ、 前記透明基板の側から前記固体撮像素子の側へ向かって幅が狭くなるように、側端面が傾斜しており、
前記接着層は、
前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の前記画素領域の周辺部分において、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせ、かつ、前記フィルタ層において傾斜する側端面を被覆するように設けられている、
電子機器。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029966A JP5768396B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
US13/352,820 US8872293B2 (en) | 2011-02-15 | 2012-01-18 | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
CN201710367389.7A CN107255842B (zh) | 2011-02-15 | 2012-02-15 | 固态成像器件及其制造方法以及电子装置 |
CN2012100333937A CN102647564A (zh) | 2011-02-15 | 2012-02-15 | 固态成像器件及其制造方法以及电子装置 |
CN201710368548.5A CN107255843A (zh) | 2011-02-15 | 2012-02-15 | 固态成像器件及其制造方法以及电子装置 |
US14/749,380 USRE46836E1 (en) | 2011-02-15 | 2015-06-24 | Imaging device and method of manufacturing the same and electronic apparatus |
US14/750,418 USRE46903E1 (en) | 2011-02-15 | 2015-06-25 | Imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011029966A JP5768396B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169489A JP2012169489A (ja) | 2012-09-06 |
JP5768396B2 true JP5768396B2 (ja) | 2015-08-26 |
Family
ID=46973357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011029966A Expired - Fee Related JP5768396B2 (ja) | 2011-02-15 | 2011-02-15 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5768396B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014061188A1 (ja) * | 2012-10-17 | 2014-04-24 | ソニー株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
WO2015012120A1 (ja) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
JP6300029B2 (ja) * | 2014-01-27 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 撮像素子、製造装置、製造方法 |
JP6535979B2 (ja) * | 2014-04-16 | 2019-07-03 | ソニー株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP6315262B2 (ja) | 2014-06-12 | 2018-04-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、撮像装置 |
JPWO2017010063A1 (ja) * | 2015-07-10 | 2018-07-12 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP6772450B2 (ja) * | 2015-11-10 | 2020-10-21 | Agc株式会社 | 近赤外線吸収型ガラスウェハおよび半導体ウェハ積層体 |
FR3050831B1 (fr) * | 2016-04-29 | 2018-04-27 | Silios Technologies | Dispositif d'imagerie multispectrale |
WO2020056706A1 (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Ningbo Semiconductor International Corporation (Shanghai Branch) | Image sensor module and method for forming the same |
JP2021012560A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 測距装置および生体認証装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3300476B2 (ja) * | 1993-06-15 | 2002-07-08 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2000162783A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Murata Mfg Co Ltd | 逆テーパ形レジストパターンの形成方法 |
JP2000188263A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層パターンの形成方法 |
JP2003017607A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Kyocera Corp | 撮像素子収納用パッケージ |
JP5030360B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2012-09-19 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2006049700A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2009016405A (ja) * | 2007-06-30 | 2009-01-22 | Zycube:Kk | 固体撮像装置 |
JP2010165939A (ja) * | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Sharp Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2010186871A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Toshiba Corp | 撮像デバイスの製造方法 |
JP2010287816A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Canon Inc | 基板の位置合わせ装置、及び基板の位置合わせ方法 |
-
2011
- 2011-02-15 JP JP2011029966A patent/JP5768396B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012169489A (ja) | 2012-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5768396B2 (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
USRE46903E1 (en) | Imaging device | |
JP5577965B2 (ja) | 半導体装置、および、その製造方法、電子機器 | |
TWI742573B (zh) | 固體攝像元件及其製造方法以及電子機器 | |
KR101351145B1 (ko) | 컬러 필터 어레이 정렬 마크 형성 방법, 이미지 센서 및 디지털 이미징 디바이스 | |
JP4987917B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP5556122B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器 | |
JP5810575B2 (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
JP4621048B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
TWI629776B (zh) | 固態影像裝置 | |
TWI467747B (zh) | 固態攝影裝置及其製造方法 | |
KR102079407B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2012169530A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
JP2015170620A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2015119154A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び電子機器 | |
JP2012178496A (ja) | 固体撮像装置、電子機器、半導体装置、固体撮像装置の製造方法 | |
JP5990867B2 (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 | |
WO2019171787A1 (ja) | 撮像素子および撮像素子の製造方法 | |
US20180358397A1 (en) | Methods of fabricating solid-state imaging devices having flat microlenses | |
JP2020136545A (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
JP2012175078A (ja) | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器、半導体装置 | |
JP2009176949A (ja) | 裏面照射型固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP6254827B2 (ja) | 積層型集積回路及びその製造方法 | |
US9312292B2 (en) | Back side illumination image sensor and manufacturing method thereof | |
JP2015142067A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、半導体装置、並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150608 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5768396 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |