KR100573072B1 - 웨이퍼 후면에서 수광하는 시모스 이미지센서 및 그제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 시모스 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 반도체 기판 후면에 칼라필터와 마이크로렌즈를 형성함으로써 반도체 기판의 후면으로부터 빛을 수광하는 방식을 채택한 시모스 이미지센서에 관한 발명이다. 이를 위한 본 발명은 반도체 기판의 전면에 수광소자와 최종금속배선 및 페시베이션막을 포함한 구조를 형성하고 패드 식각을 진행하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면을 일정두께 제거하는 후면연마 공정을 진행하는 단계; 연마된 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 상기 칼라필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 또한, 본 발명은 도체 기판의 전면에 형성된 수광소자; 상기 수광소자 상에 형성된 최종금속배선 및 상기 최종금속배선 상에 형성된 페시베이션막; 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 칼라필터; 및 상기 칼라필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함하여 이루어진다.

시모스 이미지센서, 후면 연마, 후면 수광

Description

웨이퍼 후면에서 수광하는 시모스 이미지센서 및 그 제조방법{CMOS IMAGE SENSOR WITH DETECTING LIGHT IN BACKSIDE OF WAFER AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1은 통상적인 시모스 이미지센서의 구조를 도시한 단면도,

도2a 내지 도2e는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서 제조방법을 도시한 공정단면도,

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

21 : 기판

22 : 소자분리막

23 : 포토다이오드

24 : 절연막

25 : 최종금속배선

26 : 페시베이션막

27 : 칼라필터

28 : 평탄화막

29 : 마이크로렌즈

본 발명은 시모스(CMOS) 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 웨이퍼(wafer)의 후면(backside)에서 빛을 수광하는 방식을 채택한 시모스 이미지센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자이다. 이중에서 전하결합소자(CCD : charge coupled device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 시모스 이미지센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수 만큼의 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.

또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적하에서 이러한 노력에는 한계가 있다. 따라서 광감도를 높여주 기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼리필터 상에 마이크로렌즈(microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.

도1은 종래기술에 따른 통상적인 CMOS 이미지센서의 단면구조를 도시한 단면도로서, 이를 참조하면 통상적인 시모스 이미지센서는 다음과 같이 구성되어 있다.

즉, 반도체 기판(11) 상에는 활성영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막(11)이 형성되어 있으며, 활성영역의 일부에는 빛을 수광하여 이를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드(13)가 형성되어 있다.

통상적으로 시모스 이미지센서의 단위화소는, 1개의 포토다이오드와 복수개의 트랜지스터들을 포함하여 이루어져 있으나, 설명의 편의를 위해 도1 에서는 포토다이오드(13)만을 도시하였다.

다음으로 포토다이오드 등이 형성된 반도체 기판(11) 상에는 금속배선전 절연막(Pre Metal Dielectrics : PMD), 층간절연막(IMD) 등의 각종 절연막이 형성되며, 또한 복수층의 금속배선이 형성된다. 하지만, 도1에서는 설명의 편의를 위해 이들을 모두 포함하여 하나의 절연막(14)으로 표시하였다.

다음으로, 절연막(14) 상에는 최종 금속배선(15)이 형성되며, 그 상부에는 습기나 스크래치로부터 소자를 보호하기 위한 페시베이션막(16)이 형성된다.

다음으로, 페시베이션막(16) 상에는 칼라필터(17)가 형성되는데, 이는 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하는 방식을 이용하여 형성되며, 칼라필터 형성용 물질로는 염색된 포토레지스트가 주로 사용되 고 있다.

이어서, 칼라필터(17)로 인한 단차를 보상하기 위해, 칼라필터(17) 상에 평탄막(18)이 형성되며, 평탄화막(18) 상에는 빛을 효율적으로 수광하기 위한 마이크로렌즈(19)가 형성된다.

여기서, 평탄화막(18)은 오버코팅 레이어(Over Coating Layer : OCL)라고 칭하기도 하며, 또한 마이크로렌즈(19)로는 광 투과성이 우수한 포토레지스트가 주로 사용되고 있다.

마이크로렌즈는 각각의 단위화소에 대응하여 사각형 형태를 갖도록 패터닝 되며, 이후 열공정을 이용한 플로우(flow) 공정을 통해 반구형의 돔(dome) 형태로 형성된다. 이와같이 마이크로렌즈(19)까지 형성된 다음에는, 패드 오픈 공정이 수행되지만, 이는 도1에 도시하지 않았다.

이후에 패드 오픈 공정 및 이미지센서의 반도체 기판 후면 연마공정이 진행되는 바, 이미지센서의 반도체 기판 후면 연마공정은 이미지센서 칩의 후면을 적정두께로 연마하여, 외부 모듈과 광학렌즈와의 간격을 맞추기 위해 수행되는 공정이다.

즉, 이미지센서 칩은 와이어 본딩이 완료된 이후에, 칩 동작에 치명적인 결함을 발생시키는 요인으로부터 칩을 안전하게 보호하기 위해 글래스(glass)를 덮음으로써 이미지센서 칩의 패키지(package) 공정이 마무리된다.

이러한 패키지 공정 다음으로, 완성된 패키지 위에 외부렌즈를 포함하여 이루어진 플라스틱 기구를 붙이고, 이를 인쇄회로기판 위에 장착하여 하나의 모듈(module)로 만든다. 이와 같은 모듈을 카메라나 핸드폰 등의 제품에 삽입함으로써 실제 제품에서 이미지센서가 사용되고 있다.

이와 같이 모듈을 제작할 때에, 이미지센서 칩과 외부 렌즈와의 촛점거리 등을 맞추기 위해 반도체 기판 후면 연마가 진행된다.

전술한 바와같은 종래기술에 따른 이미지센서의 문제점을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 이미지 센서의 집적도가 점차 높아짐에 따라(sub-micro 급으로 집적도가 점차 향상되는 추세임), 사용되는 금속배선의 갯수 역시 증가하고 있으며, 또한 포토다이오드와 마이크로렌즈 사이에 위치한 절연막의 두께 역시 점차로 증가하고 있다.

이로 인해, 마이크로렌즈와 포토다이오드 사이에 최적의 촛점거리(Focal Length)를 설정하기가 점차 어려워지고 있다. 즉, 후면연마 등이 진행되더라도, 마이크로렌즈와 포토다이오드 사이의 거리가 점차로 증가함에 따라 적절한 촛점거리 확보에 어려움을 격고 있었다.

종래에는 최적의 촛점거리를 설정하기 위하여, 후면연마 이외에도 절연막의 두께를 감소시키거나 또는 마이크로렌즈의 두께를 낮추는 방법이 적용되어 왔으나. 이러한 방법은 다음과 같은 문제점을 유발하였다.

먼저, 절연막의 두께를 줄이는 경우에는, 절연막의 두께가 얇아짐으로 인해 절연막의 신뢰성이 낮아지는 등의 문제가 발생하였다. 그리고 마이크로렌즈의 두께를 감소시키는 경우에는, 마이크로렌즈용 포토레지스트를 코팅(Photo Resist Coating)하는 공정 상의 한계에 직면하고 있으며, 또한 마이크로렌즈의 두께가 감소함에 따라 마이크로렌즈의 균일도가 저하되는 등의 문제점이 유발되었다.

다음으로 언급할 문제점은 도1에 도시된 페시베이션막(16)에 관련된 문제점이다.

페시베이션막(16)은 전술한 바와같이 습기나 스크래치로부터 소자를 보호할 목적으로 적용되는 막이다. 하지만, 도1에 도시된 종래 구조의 이미지센서에서는, 마이크로렌즈(19)를 통해 입사한 빛이 포토다이오드(13)까지 도달하기 위해서는, 필수적으로 페시베이션막(16)을 통과하여야 한다.

따라서, 사용가능한 페시베이션막의 종류도 빛의 투과율이 일정정도 이상인 막으로 제한될 수 밖에 없었다. 또한, 페시베이션막의 두께 역시 이러한 이유로 제한 받아왔으며, 질화막 계열의 페시베이션막은 투과율이 좋지 않은 관계로 적용이 제한되어 왔다.

하지만, 질화막 계열의 페시베이션막을 사용하게 되면, 이온주입공정에서 실리콘 기판에 발생한 결함(defects)을 효과적으로 치유(curing)해 줄수 있는 장점이 있으나, 전술한 이유때문에 그 적용이 어려운 단점이 있었다.

또한, 시모스 이미지센서의 집적도에 따라 제품별로 사용되는 절연막의 두께 및 금속배선의 갯수도 서로 상이한 결과, 이에 상응하는 촛점거리를 맞추기 위해서는 집적도에 따라 칼라필터 형성공정 및 마이크로렌즈 형성공정이 차이가 있을 수 밖에 없었다. 이는 곧 제품에 따라 공정공유가 이루어지지 않고 있음을 의미하며, 결과적으로 생산성 향상 및 최적의 촛점거리 확보에 불리한 요소로 작용하였다.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 후면에 칼라필터와 마이크로렌즈를 구비한 후면 수광 방식의 이미지센서 및 그 제조방법을 제공함을 그 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 기판 상에 수광소자와 최종금속배선 및 페시베이션막을 포함한 구조를 형성하고 패드 식각을 진행하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면을 일정두께 제거하는 후면연마 공정을 진행하는 단계; 연마된 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터를 형성하는 단계; 및 상기 칼라필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

또한, 본 발명은 반도체 기판 상에 수광소자와 최종금속배선 및 질화막 계열의 페시베이션막을 포함한 구조를 형성하고 패드 식각을 진행하는 단계; 상기 반도체 기판의 후면을 일정두께 제거하는 후면연마 공정을 진행하는 단계; 연마된 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터를 형성하는 단계; 상기 칼라필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 평탄화막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

또한, 본 발명은 반도체 기판의 전면에 형성된 수광소자; 상기 수광소자 상에 형성된 최종금속배선 및 상기 최종금속배선 상에 형성된 질화막 계열의 페시베이션막; 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 칼라필터; 상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막; 및 상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함하여 이루어진다.

또한, 본 발명은 반도체 기판의 전면에 형성된 수광소자; 상기 수광소자 상에 형성된 최종금속배선 및 상기 최종금속배선 상에 형성된 페시베이션막; 상기 반도체 기판의 후면에 형성된 칼라필터; 및 상기 칼라필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함하여 이루어진다.

본 발명에서는 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 패드 오픈 공정까지 완료된 이후에, 반도체 기판를 일정두께로 후면연마(Back Grinding)한 후, 웨이퍼 후면에 칼라필터와 마이크로렌즈를 형성함으로써 웨이퍼의 후면에서 빛을 수광하는 방식의 이미지센서를 형성하였다.

이러한 구조를 채택하게 되면, 빛이 포토다이오드 입사하는 경로에 페시베이션막이 존재하지 않으므로, 페시베이션막의 종류에 대한 제한이 없어질 뿐만 아니라, 페시베이션막의 두께 또한 종래보다 두텁게 설정할 수 있어 소자의 신뢰성이 증가될 수 있다.

그리고, 투과율에 대한 부담없이 질화막 계열의 페시베이션막을 적용할 수 있기 때문에 실리콘 기판에 존재하는 결함을 효과적으로 제거할 수 있다.

또한, 종래에는 최적의 촛점거리를 설정하기 위하여, 절연막 두께의 감소, 금속배선 두께의 감소와 같은 방법을 동원하여야 했으나, 본 발명에서는 포토다이오드와 마이크로렌즈 사이에 평탄화막과 칼라필터만이 존재하므로, 촛점거리 조절이 훨씬 용이하다.

뿐만아니라, 본 발명에서는 금속배선 층의 갯수가 증가하더라도, 촛점거리 확보에는 아무 문제가 없다. 즉, 종래보다 더욱 많은 갯수의 금속배선층을 사용할 수 있기 때문에 칩 사이즈 자체를 감소시킬 수 있는 장점도 있다.

또한, 이미지센서 소자의 집적도에 상관없이 칼라필터 형성공정과 마이크로렌즈 형성공정을 공유할 수 있어, 촛점거리 조절이 보다 용이해 졌으며, 생산성 역시 향상되는 효과도 기대할 수 있다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

도2a 내지 도2e는 본 발명의 일실시예에 따른 시모스 이미지센서 제조공정을 도시한 공정단면로서 이를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명한다.

먼저, 도2a에 도시된 바와같이 반도체 기판(21)의 전면에 활성영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막(22)을 형성하고, 활성영역 중 일부 영역에 빛을 수광하여 이를 전기적인 신호로 변환하는 포토다이오드(23)를 형성한다.

도2a에는 포토다이오드(23)만 도시되어 있으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며, 단위화소(unit pixel)를 구성하는 나머지 소자들(예를 들면, 복수개의 게이트 전극, 소스/드레인 영역 등)은 도시하지 않았다.

이와같이 포토다이오드(23)와 게이트 폴리실리콘, 소스/드레인 영역 등을 형 성한 이후에, 그 상부에 금속배선전 절연막(미도시)을 형성한다. 이후에 복수층의 금속배선 및 금속층간 절연막, 최종금속배선 등을 차례로 적층하여 형성한다.

마찬가지로, 도2a에는 설명의 편의를 위하여 절연막(24)만이 도시되어 있으나, 이 절연막(24)은 금속배선전 절연막 및 복수층의 금속배선, 그리고 금속층간 절연막을 모두 포함하는 막이다.

종래기술에서는 촛점거리 확보 때문에, 금속배선 및 각종 절연막의 두께가 일정이상으로 두꺼워 질 수 없었으나, 본 발명에서는 이러한 제한없이 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 정도의 두께를 확보할 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명에서는 촛점거리 확보에 대한 부담없이, 사용되는 금속배선층의 갯수를 늘릴 수도 있기 때문에, 칩 사이즈의 감소에도 유리하다.

이와같이 절연막 상에 최종금속배선(25)을 형성한 후, 최종금속배선 상에 페시베이션막(26)을 형성한다.

여기서, 페시베이션막(26)의 두께 역시 종래기술보다 두텁게 설정할 수 있으며 또한, 투과율이 떨어지는 질화막 계열의 페시베이션막도 적용가능하다. 이와같이 페시베이션막의 두께가 증가하는 경우에는 소자의 신뢰성이 향상될 수 있으며, 질화막 계열의 페시베이션막을 사용하는 경우에는 실리콘 기판에 형성된 결함(defect)을 치유하는 데도 용이한 장점이 있음은 전술한 바와같다.

이어서 패드를 오프시키는 공정이 진행되는데, 이는 도2a에는 도시되어 있지 않다.

다음으로 도2b에 도시된 바와같이 웨이퍼 후면을 일정두께 제거하는 후면연 마(back grinding) 공정이 진행된다. 후면 연마공정은 웨이퍼의 후면을 적정두께로 연마하여, 외부 모듈과 광학렌즈와의 간격을 맞추기 위해 수행되는 공정이다.

즉, 종래의 이미지센서 칩은 와이어 본딩이 완료된 이후에, 칩 동작에 치명적인 결함을 발생시키는 요인으로부터 칩을 안전하게 보호하기 위해 글래스(glass)를 덮음으로써 이미지센서 칩의 패키지(package) 공정이 마무리 되었다.

이러한 패키지 공정 다음으로, 완성된 패키지 위에 외부렌즈를 포함하여 이루어진 플라스틱 기구를 붙이고, 이를 인쇄회로기판 위에 장착하여 하나의 모듈(module)로 만든다. 이와 같은 모듈을 카메라나 핸드폰 등의 제품에 삽입함으로써 실제 제품에서 이미지센서가 사용되고 있다.

종래에는 이와 같이 모듈을 제작할 때에, 이미지센서 칩과 외부 렌즈와의 촛점거리 등을 맞추기 위해 웨이퍼 후면 연마가 진행되었다.

하지만. 본 발명에서는 패드 오픈 공정까지 진행된 다음에 웨이퍼 후면연마가 진행되며, 즉, 연마된 웨이퍼 후면에 칼라필터, 마이크로렌즈 등이 형성된다.

도2c는 후면연마가 진행된 반도체 기판(21)의 후면에 칼라필터(27)가 형성된모습을 도시한 도면이다. 칼라필터는 각각의 수광소자(23)에 대응하는 위치에 형성되며, 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다.

그리고, 칼라필터(27)는 통상의 방법 즉, 칼라필터 형성용 물질을 도포하고 이를 적절한 마스크를 이용하여 패턴닝하는 방식을 이용하여 형성되며, 칼라필터 형성용 물질로는 염색된 포토레지스트가 주로 사용되고 있다.

이어서, 칼라필터(27)로 인한 단차를 보상하기 위해, 칼라필터(27) 상에 평탄막(28)이 형성되며, 이러한 평탄화막(28)은 오버코팅 레이어(Over Coating Layer : OCL)라고 호칭되기도 한다.

다음으로 도2d에 도시된 바와같이 평탄화막(28) 상에 마이크로렌즈(29)가 형성된다. 마이크로렌즈(29)로는 광 투과성이 우수한 포토레지스트가 주로 사용되고 있다.

돔(dome)형태의 마이크로렌즈를 형성하는 방법은, 먼저 각각의 단위화소에 대응하여 사각형 형태를 갖도록 마이크로렌즈용 포토레지스트를 패터닝 한 후, 열공정을 이용한 플로우(flow) 공정을 수행하면 반구형의 돔(dome) 형태를 얻을 수 있다.

그리고, 도2d에는 도시되어 있지 않지만, 마이크로렌즈(29) 상에 마이크로렌즈 보호용 절연막을 추가로 형성할 수도 있다.

도2e는 본 발명의 일실시예에 따른 구조의 시모스 이미지센서에서, 웨이퍼의 후면에서 빛을 수광하는 모습을 도시한 도면이다.

이와같이 웨이퍼의 후면에 칼라필터와 마이크로렌즈를 구비하게 되면, 소자의 집적도에 상관없이 칼라필터 형성공정과 마이크로렌즈 형성공정을 공유할 수 있는 장점이 있음은 전술한 바와같다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명이 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

본 발명을 이미지센서에 적용하면, 다음과 같은 효과가 있다. 먼저, 금속배선과 절연막 및 페시베이션막의 두께를 증가시킬 수 있기 때문에 소자의 신뢰성이 향상된다. 또한, 기판에 발생한 결함을 치유하기 위해 투과율이 나쁜 질화막 계열의 페시베이션막을 사용하는 경우에도 수광효율의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 본원발명의 경우 최적의 촛점거리 확보에 용이하며, 소자의 집적도에 상관없이 칼라필터 형성공정 및 마이크로렌즈 형성공정을 공유할 수 있어 생산성이 향상될 수 있다. 이외에도 사용가능한 금속배선층의 갯수를 증가시킬 수 있어, 칩 사이즈가 감소되는 효과도 얻을 수 있다.

Claims (10)

1. 시모스 이미지센서의 제조방법에 있어서,

   반도체 기판의 전면에 수광소자와 최종금속배선 및 페시베이션막을 포함한 구조를 형성하고 패드 식각을 진행하는 단계;

   상기 반도체 기판의 후면을 일정두께 제거하는 후면연마 공정을 진행하는 단계;

   연마된 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터를 형성하는 단계; 및

   상기 칼라필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계

   를 포함하여 이루어지는 시모스 이미지센서의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 칼라필터와 상기 마이크로렌즈 사이에 평탄화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 마이크로렌즈 상에 마이크로렌즈 보호용 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
4. 시모스 이미지센서의 제조방법에 있어서,

   반도체 기판의 전면에 수광소자와 최종금속배선 및 질화막 계열의 페시베이션막을 포함한 구조를 형성하고 패드 식각을 진행하는 단계;

   상기 반도체 기판의 후면을 일정두께 제거하는 후면연마 공정을 진행하는 단계;

   연마된 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터를 형성하는 단계;

   상기 칼라필터 상에 평탄화막을 형성하는 단계; 및

   상기 평탄화막 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계

   를 포함하여 이루어지는 시모스 이미지센서의 제조방법.
5. 시모스 이미지센서의 제조방법에 있어서,

   수광소자와 최종금속배선 및 페시베이션막을 포함한 구조가 형성된 반도체 기판의 전면에 대해, 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터와 마이크로렌즈를 적층형성함으로써, 집적도에 상관없이 상기 수광소자와 상기 마이크로렌즈 사이의 거리를 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서의 제조방법.
6. 반도체 기판의 전면에 형성된 수광소자;

   상기 수광소자 상에 형성된 최종금속배선 및 상기 최종금속배선 상에 형성된 페시베이션막;

   상기 반도체 기판의 후면에 형성된 칼라필터; 및

   상기 칼라필터 상에 형성된 마이크로렌즈

   를 포함하여 이루어지는 시모스 이미지센서.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 칼라필터와 상기 마이크로렌즈 사이에 형성된 평탄화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.
8. 반도체 기판의 전면에 형성된 수광소자;

   상기 수광소자 상에 형성된 최종금속배선 및 상기 최종금속배선 상에 형성된 질화막 계열의 페시베이션막;

   상기 반도체 기판의 후면에 형성된 칼라필터;

   상기 칼라필터 상에 형성된 평탄화막; 및

   상기 평탄화막 상에 형성된 마이크로렌즈

   를 포함하여 이루어지는 시모스 이미지센서.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 마이크로렌즈 상에 형성된 마이크로렌즈 보호용 절연막을 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 시모스 이미지센서.

   반도체 기판의 전면에 형성된 수광소자;
10. 수광소자가 형성된 반도체 기판의 전면에 대응하여, 상기 반도체 기판의 후면에 칼라필터와 마이크로렌즈를 구비하여 후면 수광방식을 채택한 시모스 이미지센서.

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