JP4976327B2 - イメージセンサの製造方法 - Google Patents
イメージセンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4976327B2 JP4976327B2 JP2008095720A JP2008095720A JP4976327B2 JP 4976327 B2 JP4976327 B2 JP 4976327B2 JP 2008095720 A JP2008095720 A JP 2008095720A JP 2008095720 A JP2008095720 A JP 2008095720A JP 4976327 B2 JP4976327 B2 JP 4976327B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad
- film
- microlens
- image sensor
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
実施の形態は、イメージセンサの製造方法に関する。
イメージセンサ（Ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ）は、 光学映像（ｏｐｔｉｃａｌ ｉｍａｇｅ）を電気信号に変換する半導体素子であって、電荷結合素子（ＣＣＤ：ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅｖｉｃｅ ）とＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）イメージセンサ（ＣＩＳ）に大別される。
ＣＭＯＳイメージセンサは、単位画素内にフォトダイオードとＭＯＳトランジスタを形成し、各単位画素の電気信号を順次検出するスイッチング方式により映像を具現する。
ＣＭＯＳイメージセンサの光感度を上げるために、カラーフィルタ上にマイクロレンズが形成される。
前記マイクロレンズは、有機感光体に露光（ｅｘｐｏｓｅ）、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ）、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）を順に行って、半球形状に形成される。
しかし、前記有機感光体は物性が弱いため、パッケージング及びバンピングなどの後工程において、物理的衝撃によるクラックなどの損傷をマイクロレンズが受ける可能性がある。また、前記有機感光体は、相対的に粘性が強いので、パーティクルを吸着しレンズの不良を招く可能性もある。これを防ぐために、高硬度の酸化膜や窒化膜などを保護膜として使用する方法、または無機物を利用してハードマイクロレンズを具現する方法などが行われている。
そして、ＣＭＯＳイメージセンサの上部は、２５０℃以上の熱に弱い有機感光体で形成されているため、プラズマ工程によるインターフェーストラップ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｔｒａｐ）が発生し得る。
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、暗電流を防止できるイメージセンサの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成すべく、実施の形態によるイメージセンサの製造方法は、複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、前記層間絶縁膜上にカラーフィルタアレイを形成するステップと、前記カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、前記マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、前記キャッピング膜上にパッドマスクを形成するステップと、前記パッドを露出させるステップと、を含む。
本実施の形態によるイメージセンサの製造方法によれば、無機物でハードマイクロレンズを形成することで、後続のパッケージング及びバンピングなどの工程によるマイクロレンズの損傷を防止できる。
また、ギャップレスマイクロレンズを形成することで、イメージセンサの感度を向上させることができる。
さらに、マイクロレンズの表面にキャッピング膜が形成され、後続工程におけるプラズマにより発生し得る暗電流を防止し、イメージセンサの品質を向上させることができる。
以下、 実施の形態によるイメージセンサの製造方法を、添付断面図に基づき詳細に説明する。
図１乃至図６は、実施の形態によるイメージセンサの製造工程を示す断面図である。
図１に示すように、半導体基板１０上に層間絶縁膜２０が形成される。
図示されていないが、前記半導体基板１０にはフォトダイオード（図示せず）及び回路領域（図示せず）を含む光感知部（図示せず）が単位画素ごとに形成されている。
前記フォトダイオードを含む光感知部についてさらに詳しく説明すると、前記半導体基板１０上には、アクティブ領域とフィールド領域を定義する素子分離膜（図示せず）が形成されている。前記各単位画素は、光を受光し、光電荷を生成するフォトダイオード及び前記フォトダイオードに連結され、生成された光電荷を電気信号に変換するＣＭＯＳ回路を含む。
前記素子分離膜とフォトダイオードを含む関連素子とが形成された後、前記層間絶縁膜２０が半導体基板１０上に形成される。 図示されていないが、 前記層間絶縁膜２０には前記光感知部に連結される金属配線が形成されている。また、前記金属配線を含む前記層間絶縁膜２０は複数の層で形成され得る。また、前記金属配線はフォトダイオードに入射する光を遮らないように、意図的にレイアウトして形成され得る。
前記金属配線のうち最終の金属配線（図示せず）が形成される際、パッド２１が形成され得る。
前記パッド２１を含む層間絶縁膜２０上に、パッシベーション層３０が形成され得る。前記パッシベーション層３０は、湿気やスクラッチなどから素子を保護できる。例えば、前記パッシベーション層３０は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜のいずれか一つで形成され得る。また、前記パッシベーション層３０は、前記絶縁層のうち一層以上の積層構造でも形成され得る。図１に示すように、前記パッシベーション層３０は、ＴＥＯＳ膜３１が、１、０００〜５、０００Åの厚さで形成され、窒化膜３２が１、０００〜１０、０００Åの厚さで形成された積層構造で形成され得る。
一方、 前記パッシベーション層３０が形成されず、パッド２１が形成された層間絶縁膜２０上に、後続工程でカラーフィルタ４０が形成され得る。これはイメージセンサの全体の高さに影響を及ぼし、より薄型のイメージセンサを提供できる。
一方、前記パッシベーション層３０上に、前記パッド２１をオープンするための１次パッドオープン工程を行うこともできる。前記１次パッドオープン工程は、前記パッシベーション層３０上に、前記パッド領域に該当するホールを有するフォトレジストパターンを形成する。そして、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクにして前記パッシベーション層３０をエッチングして、前記パッド２１の上部表面を露出させることができる。したがって、前記１次パッドオープン工程を行った後、マイクロレンズを形成し、さらに２次パッドオープン工程を進行することもできる。前記１次パッドオープン工程は省略可能であり、本実施の形態では、前記１次パッドオープン工程を省略した場合を例に挙げて説明する。
前記パッシベーション層３０にカラーフィルタ４０が形成される。
前記カラーフィルタ４０は、カラーイメージの具現のために、三色のカラーフィルタ４０で形成され得る。前記カラーフィルタ４０を構成する物質としては、染色されたフォトレジストを用いる。各々の単位画素に一つのカラーフィルタ４０が形成され、入射する光から色を分離する。前記カラーフィルタ４０は、各々が別々の色を表すもので、レッド（Ｒｅｄ）、グリーン（Ｇｒｅｅｎ）及びブルー（Ｂｌｕｅ）の三色で構成され、隣接するカラーフィルタ同士では、互いに少しずつオーバーラップし、 段差が生じ得る。
これを補完するために、平坦化層５０が前記カラーフィルタ４０上に形成される。後続工程で形成されるマイクロレンズは、平坦化した表面上に形成される必要がある。したがって、前記カラーフィルタ４０による段差を除去するために、前記カラーフィルタ４０上に平坦化層５０が形成され得る。勿論、前記平坦化層５０は形成されなくてもいい。
前記カラーフィルタ４０上にマイクロレンズを形成するための第１絶縁膜６０が形成される。そして、前記第１絶縁膜６０上にマイクロレンズマスク２００が単位画素ごとに形成される。
前記第１絶縁膜６０は、酸化膜、窒化膜及び酸窒化膜のうち、いずれか一つで形成できる。例えば、前記第１絶縁膜６０は、約５０〜２５０℃で、ＳｉＯ2のような酸化膜を２、０００〜２０、０００Åの厚さで形成する。この際、前記酸化膜は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤなどで形成され得る。
前記マイクロレンズマスク２００は、前記第１絶縁膜６０上にフォトレジスト膜を塗布した後、パターニング及びリフロー工程によって形成され得る。前記マイクロレンズマスク２００はドーム形状に形成され得る。ここで、前記マイクロレンズマスク２００は、互いに所定距離離隔して形成され得る。
図２に示すように、前記第１絶縁膜６０にシードマイクロレンズ６１が形成される。前記シードマイクロレンズ６１は単位画素ごとに形成され得る。前記シードマイクロレンズ６１は、前記マイクロレンズマスク２００をエッチングマスクとして前記第１絶縁膜６０にエッチング工程を行って形成され得る。
前記第１絶縁膜６０に対するエッチング工程において、前記マイクロレンズマスク２００を構成するフォトレジスト膜と、前記第１絶縁膜を構成する酸化膜とを、１：０．７〜１．３のエッチング比でエッチングすることができる。
前記シードマイクロレンズ６１の形成のために行われる前記第１絶縁膜６０のエッチングは、フォトレジスト物質からなる前記マイクロレンズマスク２００がすべてエッチングされるまで、行われることができる。
例えば、前記第１絶縁膜６０のエッチング工程は、チャンバ内部でＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは０もしくは自然数である）のエッチングガスと、Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ２及びＮ２のような不活性気体を用いて行われることができる。
具体的には、前記第１絶縁膜６０に対するエッチング工程は、２７MHｚで６００〜１４００Wのソースパワーを印加し、２MHｚで０〜５００Ｗのバイアスパワーを印加して行われる。ここで、エッチングガスとしては４０〜１２０ｓｃｃｍのＣＦ４ガス、不活性気体としては２〜２０のＯ2ガス、または２００〜９００ｓｃｃｍのＡｒガスを使用できる。それにより、前記第１絶縁膜６０は約１，０００〜１９，０００ Å程度の厚さだけエッチングされ、前記シードマイクロレンズ６１が形成され得る。例えば、前記シードマイクロレンズ６１は１，０００〜６，０００Åの高さで形成する。
特にエッチング工程の際、前記バイアスパワーを与えないようにすることで、チャンバ内部で発生するプラズマから、前記半導体基板１０に移動するイオンのエネルギーを低くすることができる。従って、前記第１絶縁膜６０のエッチング損傷を減少させることができる。
これにより、プラズマ工程により前記半導体基板１０の界面で発生するトラップレベルによる暗電流の発生を防止できる。
前記工程により、図２に示すように、前記カラーフィルタ４０上に低温酸化膜からなるドーム形状のシードマイクロレンズ６１が形成される。この際、前記シードマイクロレンズ６１は、隣接するシードマイクロレンズ６１と互いに離隔して形成されることで、マージ（ｍｅｒｇｅ）現象を防止できる。
図３に示すように、前記シードマイクロレンズ６１を含む半導体基板１０上に第２絶縁膜７０が形成される。
前記第２絶縁膜７０は、前記シードマイクロレンズ６１を含む第１絶縁膜６０の上部表面に沿って蒸着される。それにより、隣接する前記シードマイクロレンズ６１は、互いに接触し得る。
したがって、前記シードマイクロレンズ６１と前記第２絶縁膜７０とからなるマイクロレンズ８０は連続したドーム形状をなし、 ギャップレス（ｇａｐｌｅｓｓ）マイクロレンズを形成できる。
前記第２絶縁膜７０は、前記第１絶縁膜６０と同様の物質で形成され得る。例えば、前記第２絶縁膜７０は、５０〜２５０℃の温度で、５００〜２０，０００ Åの厚さで酸化膜を蒸着して形成できる。
前記第２絶縁膜７０は、前記シードマイクロレンズ６１上に薄く蒸着されるので、前記マイクロレンズ８０の端部は、隣接するマイクロレンズ８０と連続的に接触する。これにより、マイクロレンズ８０間の間隙をゼロギャップ（ｚｅｒｏ ｇａｐ）のレベルまで減らすことで、イメージセンサのイメージ品質を高めることができる。
図４に示すように、前記マイクロレンズ８０が形成された半導体基板１０上に、キャッピング膜９０が形成される。前記キャッピング膜９０は、プラズマエッチング工程において誘発されるＵＶ照射により前記半導体基板１０と絶縁膜の間に発生するトラップレベルを防止する。
前記キャッピング膜９０は１００〜３，０００ Åの厚さで蒸着され得る。したがって、前記キャッピング膜９０は、前記半導体基板１０上に形成されたマイクロレンズ８０及び層間絶縁膜２０を全部覆うように形成され得る。
例えば、前記キャッピング膜９０は、有機反射防止膜（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｃｏａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ：ＢＡＲＣ）で形成され得る。前記キャッピング膜９０が有機反射防止膜で形成されると、プラズマエッチング工程で発生するＵＶ照射を吸収し、前記半導体基板１０と絶縁膜の間におけるトラップレベルの発生を防止できるようになる。
又は、前記キャッピング膜９０は金属膜で形成され得る。前記金属膜は、電気伝導度が１０−６ｏｈｍ／ｍ以上の金属物質を蒸着することで形成され得る。例えば、 前記キャッピング膜９０は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、窒化チタン（ＴｉＮ）などのような電気伝導度が１０-6〜１０３ｏｈｍ／ｍである物質を使用することができる。
前記キャッピング膜９０が金属膜で形成されると、プラズマエッチング工程で発生するＵＶ照射を反射するので、前記半導体基板１０と絶縁膜の間でトラップレベルの発生を防止できるようになる。
図５に示すように、前記キャッピング膜９０上に、パッドホール１１０を含むパッドマスク１００が形成される。
前記パッドマスク１００は、前記キャッピング膜９０上にフォトレジストを塗布した後、パターニングすることで形成され得る。前記パッドマスク１００のパッドホールによって、前記パッド２１領域に対する部分の前記キャッピング膜９０の上部表面は露出し、それ以外の領域は全て前記パッドマスク１００に覆われた状態になる。
次に、前記パッドマスク１００をエッチングマスクとして、前記パッド２１上部のキャッピング膜９０、第２絶縁膜７０、 第１絶縁膜６０及びパッシベーション層３０をエッチングし、パッドオープンホール２３が形成される。前記パッドオープンホール２３によって前記パッド２１は露出し得る。
前記パッドオープンホール２３は、ドライエッチング工程によって形成され得る。例えば、前記パッドオープンホール２３は、前記シードマイクロレンズ６１の形成に用いたエッチング工程により形成され得る。
即ち、前記パッドオープンホール２３は、チャンバ内部に２７MHｚで６００〜１４００Wのソースパワーを印加してエッチングを行い、ＣｘＨｙＦｚ（ｘ、ｙ、ｚは０もしくは自然数である）のエッチングガスと、Ａｒ、Ｈｅ、Ｏ２及びＮ２のような不活性気体を用いて形成され得る。
特に、前記プラズマエッチング工程が行われる間、ＵＶ照射が発生し得る。本実施の形態では、前記マイクロレンズ８０を含む半導体基板１０上にキャッピング膜９０が形成されているので、前記ＵＶ照射は前記半導体基板１０に吸収されなくなる。
即ち、前記キャッピング膜９０が有機反射防止膜で形成されている場合、ＵＶ照射は前記キャッピング膜９０に吸収されるので、前記ＵＶ照射が半導体基板１０内部に吸収されなくなり、暗電流の誘発を防止することができる。
又は、前記キャッピング膜９０が金属膜で形成されている場合、ＵＶ照射は前記キャッピング膜９０により反射されるので、前記ＵＶ照射は半導体基板１０内部に吸収されなくなり、暗電流の誘発を防止することができる。
図６に示すように、前記パッドマスク１００を除去して、前記半導体基板１０上に形成された前記パッド２１を露出させる。
前記パッドマスク１００の除去は、アッシング工程によって、０〜５０℃の温度で除去できる。
具体的には、前記パッドマスク１００の除去は、０℃の温度、即ち、温度を一切提供していない状態で、Ｏ２ ガスを用いて除去できる。これは、前記半導体基板１０が安着する下部電極（図示せず）の温度を下げることで行うことができる。
前記パッドマスク１００の除去において、有機反射防止膜からなるキャッピング膜９０を同時に除去できる。これは、前記キャッピング膜９０とパッドマスク１００が有機物で形成されているから可能である。
したがって、前記パッドマスク１００及び前記キャッピング膜９０の除去において、一般的にフォトレジスト膜を除去する際、２００℃以上で行われていた工程を、本実施の形態では、温度を調整することなく行うことによって、周辺温度によるマイクロレンズ８０の表面の損傷を防止することもできる。
前記キャッピング膜９０が金属膜で形成されている場合、前記パッドマスク１００を除去した後、前記金属膜からなるキャッピング膜９０の除去工程を行うことができる。
前記金属物質からなるキャッピング膜９０は、Ｆ、Ｃ１などのハロゲン族元素を含むエッチングガスを用いて除去できる。
１０・・半導体基板、２０・・層間絶縁膜、２１・・パッド、２３・・パッドオープンホール、３０・・パッシベーション層、３１・・ＴＥＯＳ膜、３２・・窒化膜、４０・・カラーフィルタ、５０・・平坦化層、６０・・第１絶縁膜、６１・・シードマイクロレンズ、７０・・第２絶縁膜、２００・・マイクロレンズマスク。
Claims (2)
- 複数の単位画素が形成された半導体基板上に、パッドを含む層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜上に、カラーフィルタアレイを形成するステップと、
前記カラーフィルタアレイ上にマイクロレンズを形成するステップと、
前記マイクロレンズを含む半導体基板上にキャッピング膜を形成するステップと、
前記キャッピング膜上に、パッドマスクを形成するステップと、
前記パッドを露出させるステップと、を含み、
前記キャッピング膜は有機反射防止膜（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ：ＢＡＲＣ）で形成され、
前記パッドは、前記パッドマスクをエッチングマスクとしてプラズマエッチングにより露出され、
前記パッドを露出させた後、アッシング工程によって前記パッドマスクと前記キャッピング膜が同時に除去されるステップをさらに含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記パッドマスク及び前記キャッピング膜は、Ｏ2ガスにより０〜５０℃で除去されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2007-0047887 | 2007-05-17 | ||
| KR1020070047887A KR100866252B1 (ko) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | 이미지 센서의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008288570A JP2008288570A (ja) | 2008-11-27 |
| JP4976327B2 true JP4976327B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=39869012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008095720A Expired - Fee Related JP4976327B2 (ja) | 2007-05-17 | 2008-04-02 | イメージセンサの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8222068B2 (ja) |
| JP (1) | JP4976327B2 (ja) |
| KR (1) | KR100866252B1 (ja) |
| CN (1) | CN101308821B (ja) |
| DE (1) | DE102008022299A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101010375B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2011-01-21 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| CN102544390B (zh) * | 2010-12-07 | 2015-03-25 | 群康科技(深圳)有限公司 | 微透镜结构的制造方法及包含其的影像显示系统 |
| JP6007694B2 (ja) | 2012-09-14 | 2016-10-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
| JP6200188B2 (ja) * | 2013-04-08 | 2017-09-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
| US9324755B2 (en) * | 2014-05-05 | 2016-04-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with reduced stack height |
| JP2017045786A (ja) * | 2015-08-25 | 2017-03-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| JP2019071333A (ja) * | 2017-10-06 | 2019-05-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| KR102486561B1 (ko) * | 2017-12-06 | 2023-01-10 | 삼성전자주식회사 | 재배선의 형성 방법 및 이를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2573382B2 (ja) * | 1990-01-16 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子の製法 |
| JP2000164836A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 固体撮像装置等の半導体装置の製造方法 |
| TW449929B (en) | 2000-08-02 | 2001-08-11 | Ind Tech Res Inst | Structure and manufacturing method of amorphous-silicon thin film transistor array |
| KR100533166B1 (ko) | 2000-08-18 | 2005-12-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법 |
| JP2004079608A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| KR100549324B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2006-02-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 패드 오픈용 포토레지스트를 이용한 이미지센서의 제조방법 |
| KR20050041183A (ko) * | 2003-10-30 | 2005-05-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 카세인을 이용한 이미지 센서의 제조방법 |
| TWI222178B (en) | 2003-11-12 | 2004-10-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of image sensor device |
| KR20050057968A (ko) * | 2003-12-11 | 2005-06-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 무기물의 마이크로렌즈를 갖는 이미지센서 제조 방법 |
| JP2006147661A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光装置とその製造方法およびカメラ |
| KR100745595B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 마이크로 렌즈 및 그 형성 방법 |
| US7153755B2 (en) * | 2005-01-26 | 2006-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process to improve programming of memory cells |
| JP2006351761A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| KR100698097B1 (ko) | 2005-08-23 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| TWI311356B (en) * | 2006-01-02 | 2009-06-21 | Advanced Semiconductor Eng | Package structure and fabricating method thereof |
| US20070235771A1 (en) * | 2006-04-05 | 2007-10-11 | Yan-Hsiu Liu | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
| US7781781B2 (en) * | 2006-11-17 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | CMOS imager array with recessed dielectric |
| JP5270841B2 (ja) | 2007-01-29 | 2013-08-21 | 株式会社タイトー | レッスンプログラム、記憶媒体 |
| US8030114B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-10-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and structure to reduce dark current in image sensors |
-
2007
- 2007-05-17 KR KR1020070047887A patent/KR100866252B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-04-02 JP JP2008095720A patent/JP4976327B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-02 US US12/113,965 patent/US8222068B2/en active Active
- 2008-05-06 DE DE102008022299A patent/DE102008022299A1/de not_active Withdrawn
- 2008-05-16 CN CN2008100992995A patent/CN101308821B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8222068B2 (en) | 2012-07-17 |
| DE102008022299A1 (de) | 2008-11-20 |
| KR100866252B1 (ko) | 2008-10-30 |
| US20080293181A1 (en) | 2008-11-27 |
| CN101308821B (zh) | 2010-07-21 |
| JP2008288570A (ja) | 2008-11-27 |
| CN101308821A (zh) | 2008-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4976327B2 (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| US7364933B2 (en) | Image sensor and method for forming the same | |
| JP2015029011A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 | |
| US20080286896A1 (en) | Method for manufacturing image sensor | |
| JP2008277800A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
| US7863073B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| US8084289B2 (en) | Method of fabricating image sensor and reworking method thereof | |
| US7601557B2 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
| US7687305B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| US20090090989A1 (en) | Image Sensor and Method of Manufacturing the Same | |
| US7416914B2 (en) | Method of fabricating CMOS image sensor | |
| US7829371B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| US20090114960A1 (en) | Image Sensor and a Method for Manufacturing the Same | |
| US7622320B2 (en) | CMOS image sensor and fabricating method thereof | |
| KR100928113B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR100843967B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR20100079177A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR101024733B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR101024765B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR20110073766A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20090050697A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20070000818A (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20100065972A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20100036674A (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111122 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120221 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120412 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |