KR20100065972A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 99
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 51
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 that is Chemical compound 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
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Abstract
실시예에 따른 이미지 센서는, 단위화소를 포함하는 픽셀부 및 로직회로를 포함하는 주변부가 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고 상기 픽셀부 및 주변부와 전기적으로 연결되도록 하부메탈을 포함하는 하부 절연층; 상기 하부절연층 상에 형성되고 상기 주변부의 하부메탈과 전기적으로 연결되는 상부메탈 및 패드를 포함하는 상부 절연층; 상기 상부 절연층 상에 형성된 보호층; 상기 픽셀부에 대응하는 상기 상부 절연층 및 보호층을 제거하여 상기 하부절연층을 노출시키는 픽셀오픈부; 상기 픽셀오픈부에 단위화소 별로 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함한다.
이미지 센서, 패드, 마이크로 렌즈
Description
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다.
이미지 센서(Image sensor)는 광학적 영상((optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하결합소자(charge coupled device: CCD)와 씨모스(CMOS; Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서(Image Sensor)(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지센서는 단위 화소 내에 포토 다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시키는 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
최근 씨모스 이미지 센서의 픽셀수가 증가하면서 상대적으로 픽셀은 작은 크기로 형성되고 있다. 픽셀 크기의 감소는 픽셀 위에 형성되는 마이크로 렌즈의 크기에 제한을 일으며 픽셀과 마이크로 렌즈의 포커스(Focus length)도 제한을 받게 되었다.
일반적으로 씨모스 이미지센서의 제조방법은 반도체 기판 상에 트랜지스터 및 포토다이오드를 포함하는 단위픽셀을 형성하고, 상기 단위픽셀 상에 금속배선을 포함하는 층간절연층을 형성한다. 상기 금속배선을 포함하는 층간절연층은 다층으로 형성되며 최상부 배선이 형성될 때 패드가 형성된다. 상기 금속배선 형성을 완료한 후 소자를 외부의 수분 및 스크래치로부터 보호하기 위한 보호막을 형성하고 상기 패드 오픈 공정을 수행한다. 상기 보호막 상에 상기 단위픽셀에 대응하도록 컬러필터 및 마이크로 렌즈을 형성한다.
그러나, 상기 컬러필터 어레이 또는 마이크로 렌즈 형성 공정 시 노출된 패드 금속의 표면이 부식 또는 손상되는 문제가 있다.
또한, 상기 패드는 알루미늄과 같은 금속으로 형성되어 이미지 센서의 이미지특성에 직접적으로 영향을 미쳐 난반사등의 문제점을 유발시킬 수 있다. 이러한 이유는 배선 중 가장 큰 면적을 차지하는 패드가 가장 큰 문제점으로 지적되어 있다.
또한, 상기 포토다이오드의 상부영역에 다층으로 형성된 층간절연층에 의해 상기 포토다이오드와 마이크로렌즈간의 초점거리가 멀어지게 되어 입사광의 손실이 발생되는 문제가 있다.
실시예에서는 패드 오픈 공정 시 픽셀부의 층간절연층에 픽셀오픈부가 형성되고, 상기 픽셀오픈부에 컬러필터 및 마이크로 렌즈를 형성함으로써 초점길이(Focal length)를 감소시켜 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 단위화소를 포함하는 픽셀부 및 로직회로를 포함하는 주변부가 형성된 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되고 상기 픽셀부 및 주변부와 전기적으로 연결되도록 하부메탈을 포함하는 하부 절연층; 상기 하부절연층 상에 형성되고 상기 주변부의 하부메탈과 전기적으로 연결되는 상부메탈 및 패드를 포함하는 상부 절연층; 상기 상부 절연층 상에 형성된 보호층; 상기 픽셀부에 대응하는 상기 상부 절연층 및 보호층을 제거하여 상기 하부절연층을 노출시키는 픽셀오픈부; 상기 픽셀오픈부에 단위화소 별로 형성된 컬러필터; 및 상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 반도체 기판 상에 단위화소를 포함하는 픽셀부 및 로직회로를 포함하는 주변부를 형성하는 단계; 상기 픽셀부 및 주변부와 전기적으로 연결되도록 상기 반도체 기판 상에 하부메탈 및 하부 절연층을 형성하는 단계; 상기 주변부의 하부메탈과 전기적으로 연결되도록 상기 하부절연층 상에 상부메탈 및 패드를 포함하는 상부 절연층을 형성하는 단계; 상기 상부 절연층 상에 보호층을 형성하는 단계; 상기 픽셀부에 대응하는 상기 상부 절연층 및 보호층을 제거하여 상기 하부절연층을 노출시키는 픽셀오픈부를 형성하는 단계; 상기 픽셀오픈부에 단위화소 별로 컬러필터를 형성하는 단계; 및 상기 컬러필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 포토다이오드와 마이크로 렌즈의 거리가 감소되어 포토다이오드의 수광률이 향상될 수 있다.
또한, 상기 포토다이오드에 대응하는 상부 절연층이 제거됨으로써 절연층에 의한 빛의 굴절 및 간섭현상을 감소시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(On/Over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도 8은 실시예에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도이다.
실시예에 따른 이미지센서는, 단위화소를 포함하는 픽셀부(A) 및 로직회로를 포함하는 주변부(B)가 형성된 반도체 기판(10); 상기 반도체 기판(10) 상에 형성되고 상기 픽셀부(A) 및 주변부(B)와 전기적으로 연결되도록 하부메탈(M1,M2)을 포함하는 하부 절연층(61,62); 상기 하부절연층(61,62) 상에 형성되고 상기 주변부(B) 의 하부메탈(M1,M2)과 전기적으로 연결되는 상부메탈(M3) 및 패드(P)를 포함하는 상부 절연층(63); 상기 상부 절연층(63) 상에 형성된 보호층(70); 상기 픽셀부(A)에 대응하는 상기 상부 절연층(63) 및 보호층(70)을 제거하여 상기 하부절연층(62)을 노출시키는 픽셀오픈부(82); 상기 픽셀오픈부(82)에 단위화소 별로 형성된 컬러필터(100); 및 상기 컬러필터(100) 상에 형성된 마이크로렌즈(120)를 포함한다.
예를 들어, 상기 하부메탈은 제1 및 제2 메탈(M1,M2)이고 상기 하부 절연층은 제1 및 제2 층간절연층(61,62)일 수 있다. 상기 상부메탈은 제3 메탈(M3)이고 상기 상부 절연층은 제3 층간절연층(63)일 수 있다.
상기 보호층(70)에는 상기 패드(P)를 노출시키는 패드오픈홀(81)이 형성되어 있다. 또한, 상기 픽셀오픈부(82)는 상기 보호층(70)보다 낮은 높이를 가지도록 단차(D)가 형성될 수 있다.
상기 픽셀오픈부(82)에는 패드보호 패턴(95)이 형성되고, 상기 패드보호 패턴(95)은 얇은 TEOS막(thin TEOS)으로 형성될 수 있다.
상기와 같이 픽셀오픈부(82)의 내부에 컬러필터(100) 및 마이크로렌즈(120)가 형성되어 포토다이오드(30)의 초점거리가 감소되어 수광율을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 마이크로렌즈(120) 또는 상기 컬러필터(100)가 상기 패드(P)보다 낮은 위치에 형성됨으로써 상기 패드(P)에 빛의 산란을 방지하여 이미지특성을 향상시킬 수 잇다.
도 8의 도면부호 중 미설명 도면부호는 이하 제조방법에서 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 8을 참조하여 실시예에 따른 이미지센서의 제조공정을 상세히 설명한다.
도 1을 참조하여, 픽셀부(A) 및주변부(B)가 형성된 반도체 기판(10) 상에 금속배선층(60)이 다층으로 형성된다.
상기 반도체 기판(10)에는 액티브 영역 및 필드 영역을 정의하는 소자분리막(20)이 형성되고, 상기 액티브 영역에는 단위화소가 형성되는 픽셀부(A) 및 로직회로가 형성되는주변부(B)가 형성된다.
도 2는 반도체 기판(10)의 픽셀부(A)에 형성된 복수개의 단위화소를 도시한 도면이고, 도 3은 상기 단위화소 중 하나를 도시한 평면도이다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 픽셀부(A)에는 포토다이오드(30) 및 씨모스 회로(40)로 이루어지는 단위화소가 복수개 형성된다. 상기 단위화소는 포토다이오드(30) 및 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)(40), 리셋 트랜지스터(Rx), 셀렉트 트랜지스터(Rx) 및 억세스 트랜지스터(Ax)로 구성되어 광전하를 전기적 신호로 변환시켜 이미지를 출력하게 된다.
도시되지는 않았지만, 상기 주변부(B)에는 제어 및 신호처리를 위한 로직회로가 형성된다.
다시 도 1을 참조하여 상기 픽셀부(A) 및주변부(B)가 형성된 반도체 기판(10) 상에 복수의 금속배선층(60)이 형성된다.
예를 들어, 상기 금속배선층(60)은 제1 메탈(M1)을 포함하는 제1 층간절연층(61), 제2 메탈(M2)을 포함하는 제2 층간절연층(62) 및 제3 메탈(M3)을 포함하는 제3 층간절연층(63)을 포함한다.
상기 제1 내지 제3 층간절연층(61,62,63)은 산화막 또는 질화막으로 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 메탈(M1,M2,M3)은 금속, 합금 또는 실리사이드를 포함한 다양한 전도성 물질, 즉 알루미늄, 구리, 코발트 또는 텅스텐 등으로 형성될 수 있다.
한편 상기 금속배선층(60)이 형성되기 전에 콘택플러그를 포함하는 금속전 절연층(PMD)(50)이 형성될 수 있다. 상기 콘택플러그는 상기 픽셀부(A) 및주변부(B)의 배선과 트랜지스터를 전기적으로 연결시킬 수 있다 .
상기 픽셀부(A) 상에 형성되는 상기 금속배선층(60)은 제1 메탈(M1) 및 제2 메탈(M2)을 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 픽셀부(A) 상에 형성되는 제1 메탈(M1) 및 제2 메탈(M2)은 상기 포토다이오드(30)로 입사되는 빛을 가리지 않도록 의도적으로 레이아웃되어 형성된다.
상기 주변부(B) 상에 형성되는 상기 금속배선층(60)은 제1 메탈(M1), 제2 메탈 및 제3 메탈(M3)을 포함한다. 상기 주변부(B)는 복잡한 신호처리 회로가 형성되어 상기 픽셀부(A)보다 복잡한 배선구조를 가질 수 있다.
한편, 상기 주변부(B)의 최상부 금속배선인 제3 메탈(M3)이 형성될 때 외부의 구동회로와 연결을 위한 패드(Pad)(P)가 동시에 형성될 수 있다.
다음으로 상기 제3 메탈(M3)이 형성된 제3 층간절연층(63) 상에 보호층(70)이 형성된다. 상기 보호층(70)은 습기나 스크래치로부터 하부의 소자를 보호하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 상기 보호층(70)은 USG 및 질화막이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하여, 상기 보호층(70) 상에 상기 패드(P)에 대응하는 상기 보호층(70)의 표면을 노출시키는 패드 마스크(210)가 형성된다. 상기 패드 마스크(210)는 상기 보호층(70) 상에 포토레지스트막을 스핀공정등을 통해 코팅하고 패턴 마스크(미도시)를 사용하여 노광(expose) 및 현상(development)하여 상기 패드(P)에 대응하는 상기 보호층(70)을 선택적으로 노출시킬 수 있다.
다음으로, 상기 보호층(70)에 패드오픈홀(81)이 형성된다. 상기 패드오픈홀(81)은 상기 상기 패드 마스크(210)를 식각마스크로 사용하는 식각공정에 의하여 상기 패드(P)에 대응하는 상기 보호층(70)을 선택적으로 식각함으로써 형성될 수 있다. 따라서, 상기 패드오픈홀(81)에 의하여 상기 패드(P)를 노출시킬 수 있다.
이후, 상기 패드 마스크(210)는 일반적인 애싱 공정에 의하여 제거하여 상기 재3 층간절연층(63)에 형성된 패드(P)를 노출시킬 수 있다.
도 5를 참조하여, 상기 보호층(70) 상에 상기 픽셀부(A)에 대응하는 상기 보호층(70)의 표면을 노출시키는 픽셀 마스크(220)가 형성된다. 상기 픽셀 마스크(220)는 상기 보호층(70) 상에 포토레지스트막을 스핀공정등을 통해 코팅하고 패턴 마스크(미도시)를 사용하여 노광 및 현상하여 상기 픽셀부(A)에 대응하는 상기 보호층(70)을 선택적으로 노출시킬 수 있다. 상기 패드 마스크(210)는 상기 패드오픈홀(81)에 의하여 노출된 상기 패드(P)를 가릴 수 있다.
다음으로, 상기 픽셀부(A)에 대응하는 제2 층간절연층(62)의 표면을 노출시키는 픽셀오픈부(82)가 형성된다. 상기 픽셀오픈부(82)는 상기 픽셀 마스크(220)를 식각마스크로 사용하는 식각공정에 의하여 상기 픽셀부(A)에 대응하는 보호층(70) 및 제3 층간절연층(63)을 식각함으로써 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 제1 내지 제3 층간절연층(61,62,63) 사이에는 질화막과 같은 식각정지막이 형성되어 있을 수 있다. 따라서, 상기 픽셀오픈부(82)는 상기 픽셀부(A)에 대응하는 상기 제2 층간절연층(62)을 선택적으로 노출시킬 수 있다.
상기 픽셀오픈부(82)는 상기 보호층(70) 및 제3 층간절연층(63)을 식각하여 형성되므로 상기 주변부(B)의 상부 표면과 단차(D)를 가질 수 있다.
이후, 상기 픽셀 마스크(220)는 일반적인 애싱 공정에 의하여 제거하여 상기 픽셀오픈부(82) 및 상기 패드(P)를 노출시킬 수 있다.
한편, 실시예에서는 상기 패드오픈홀(81) 및 픽셀오픈부(82)가 각각 형성되는 것을 예로 하였지만, 별도의 패턴 마스크에 의하여 상기 패드오픈홀(81) 및 픽셀오픈부(82)를 동시에 형성할 수도 있다.
도 6을 참조하여, 상기 픽셀오픈부(82) 및 패드오픈홀(81)이 형성된 금속배선층(60) 상에 패드보호층(90)이 형성된다. 상기 패드보호층(90)은 노출된 상기 패드(P) 상부에 형성되어 후속공정으로부터 상기 패드(P)가 오염되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 상기 패드보호층(90)은 얇은 테오스막(Thin TEOS)로 형성될 수 있다.
상기 패드보호층(90)은 얇은 막형태로 형성되어 상기 픽셀오픈부(82) 및 상기 패드오픈홀(81)의 단차를 따라 형성될 수 있다. 상기 패드보호층(90)이 TEOS막을 사용하므로 알루미늄과 같은 금속으로 이루어진 상기 패드(P)의 표면이 컬러필터 물질이나 현상용액에 있는 산소나 수소와 접촉하지 않게 되어 상기 패드(P)의 부식 또는 손상을 방지할 수 있다.
도 7을 참조하여, 상기 픽셀오픈부(82)의 패드보호층(90) 상에 컬러필터(100)가 형성된다. 상기 컬러필터(100)는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각각의 단위화소마다 하나의 컬러필터(100)가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다. 상기 컬러필터(100)는 상기 픽셀오픈부(82) 내부에 형성되어 상기 보호층(70)의 표면보다 낮은 높이를 가질 수 있다.
상기 컬러필터(100)는 각각 다른 색상을 나타내는 것으로 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 색으로 이루어져 인접한 컬러필터(120)들은 서로 약간씩 오버랩되어 단차를 가질 수 있다.
그리고, 상기 컬러필터(100)의 단차를 보완하기 위한 평탄화층(110)이 상기 컬러필터 상에 형성된다. 후속공정으로 형성된 마이크로렌즈(120)는 평탄화된 표면에 형성되어야 하며 이를 위해서는 상기 컬러필터(100)로 인한 단차를 제거해야 하므로, 상기 컬러필터(100) 상에 평탄화층(110)이 형성된다.
예를 들어, 상기 평탄화층(110)은 평탄화 물질을 상기 컬러필터 상에 코팅함으로써 형성된다. 상기 평탄화층(110)은 포토레지스트와 같은 유기물 물질(Organic) 또는 산화막과 같은 무기물 물질을 코팅하여 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 평탄화층(110) 상에 단위화소 별로 마이크로렌즈(120)가 형성된다. 예를 들어, 상기 마이크로렌즈(120)는 상기 평탄화층(110) 상에 포토레지스트막을 스핀 공정등을 통해 코팅하고 마이크로 렌즈용 마스크를 사용하여 노광(expose) 및 현상(development) 공정을 통해 렌즈패턴을 형성한다. 그리고, 상기 렌즈패턴을 리플로우(reflow) 시킴으로써 반구형태의 마이크로렌즈(120)를 형성할 수 있다.
상기와 같이 픽셀오픈부(82)의 내부에 상기 컬러필터(100) 및 마이크로렌즈(120)가 형성되어 상기 포토다이오드(30) 까지의 광경로가 단축될 수 있다. 즉, 상기 마이크로렌즈(120)와 상기 포토다이오드(30)의 광경로는 상기 보호층(70)과 상기 제2 층간절연층(62)의 단차만큼 단축될 수 있게 되어 입사광의 초점거리 감소에 따라 상기 포토다이오드(30)의 집광률 및 광감도를 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 컬러필터(100) 및 마이크로렌즈(120)가 상기 패드(P)보다 낮은 위치에 형성됨으로써 상기 패드(P)에 의한 빛의 산란을 원천적으로 방지할 수 있으므로 이미지 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 컬러필터(100) 및 마이크로렌즈(120) 형성공정 시 상기 패드(P)의 표면에 패드보호층(90)이 형성되어 있으므로 상기 컬러필터 형성용 물질 또는 마이크로렌즈 물질 및 현상물질과 상기 패드(P)가 직접적으로 접촉되지 않게되므로 상기 패드(P)의 손상 및 부식을 방지할 수 있다.
도 8을 참조하여, 상기 주변부(B)의 패드보호층(90)을 제거하여 상기 패드(P)를 노출시킨다. 예를 들어, 상기 픽셀부(A)의 마이크로렌즈(120)를 가리고 상기 주변부(B)의 패드보호층(90)을 노출시키는 보호마스크(미도시)를 형성한 후 상기 주변부(B)의 패드보호층(90)을 선택적으로 제거할 수 있다.
따라서, 상기 패드보호층(90)이 선택적으로 제거되어 상기 패드(P)는 노출되고 상기 픽셀오픈부(82)에는 패드보호 패턴(95)이 남아있을 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1 내지 도 8은 실시예에 따른 이미지센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
Claims (11)
- 단위화소를 포함하는 픽셀부 및 로직회로를 포함하는 주변부가 형성된 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성되고 상기 픽셀부 및 주변부와 전기적으로 연결되도록 하부메탈을 포함하는 하부 절연층;상기 하부절연층 상에 형성되고 상기 주변부의 하부메탈과 전기적으로 연결되는 상부메탈 및 패드를 포함하는 상부 절연층;상기 상부 절연층 상에 형성된 보호층;상기 픽셀부에 대응하는 상기 상부 절연층 및 보호층을 제거하여 상기 하부절연층을 노출시키는 픽셀오픈부;상기 픽셀오픈부에 단위화소 별로 형성된 컬러필터; 및상기 컬러필터 상에 형성된 마이크로렌즈를 포함하는 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 보호층에는 상기 패드를 노출시키는 패드오픈홀이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 픽셀오픈부는 상기 보호층보다 낮은 높이를 가지도록 단차가 형성된 것 을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제1항에 있어서,상기 픽셀오픈부에는 패드보호 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 제4항에 있어서,상기 패드보호 패턴은 얇은 TEOS막(thin TEOS)으로 형성된 것을 특징으로 하는 이미지센서.
- 반도체 기판 상에 단위화소를 포함하는 픽셀부 및 로직회로를 포함하는 주변부를 형성하는 단계;상기 픽셀부 및 주변부와 전기적으로 연결되도록 상기 반도체 기판 상에 하부메탈 및 하부 절연층을 형성하는 단계;상기 주변부의 하부메탈과 전기적으로 연결되도록 상기 하부절연층 상에 상부메탈 및 패드를 포함하는 상부 절연층을 형성하는 단계;상기 상부 절연층 상에 보호층을 형성하는 단계;상기 픽셀부에 대응하는 상기 상부 절연층 및 보호층을 제거하여 상기 하부절연층을 노출시키는 픽셀오픈부를 형성하는 단계;상기 픽셀오픈부에 단위화소 별로 컬러필터를 형성하는 단계; 및상기 컬러필터 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 보호층을 형성한 다음 상기 패드를 노출시키는 패드오픈홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지센서의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 패드오픈홀을 형성한 다음, 상기 픽셀오픈부 및 패드오픈홀을 포함하는 상기 반도체 기판 상에 패드보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 이미지센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 픽셀오픈부를 형성하는 단계는,상기 보호층 상에 상기 픽셀부에 대응하는 상기 보호층을 노출시키는 픽셀마스크를 형성하는 단계;상기 픽셀 마스크를 식각마스크로 사용하여 상기 픽셀부에 대응하는 상기 보호층 및 상부 절연층을 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 마이크로 렌즈를 형성한 다음 상기 패드에 대응하는 상기 패드보호층을 제거하는 단계를 더 포함하는 이미지센서의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 픽셀오픈부 및 패드오픈홀은 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
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| KR1020080124577A KR20100065972A (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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| KR (1) | KR20100065972A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146217A (zh) * | 2018-11-05 | 2020-05-12 | 三星电子株式会社 | 图像传感器及其制造方法 |
-
2008
- 2008-12-09 KR KR1020080124577A patent/KR20100065972A/ko not_active Application Discontinuation
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