KR100771376B1 - 이미지 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법이 개시되어 있다. 이미지 센서는 반도체 기판상에 배치된 화소, 상기 화소와 전기적으로 연결된 배선 구조물 및 상기 배선구조물을 덮는 절연막 구조물을 갖는 포토 다이오드 구조물, 상기 절연막 구조물 상에 배치되며 상기 배선 구조물과 연결된 패드부, 상기 패드부를 노출하는 개구를 갖는 보호막 패턴, 상기 보호막 패턴 상에 배치된 제1 절연막 패턴, 상기 제1 절연막 패턴 상에 상기 각 화소와 대응하여 배치되며 상기 제1 절연막 패턴과 동일한 물질로 이루어진 제2 절연막 패턴 및 상기 각 제2 절연막 패턴 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 포함한다.
Description
도 1 내지 도 6은 종래 기술에 의한 수직형 이미지 센서의 제조 방법이 개시되어 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 이미지 센서의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일실시예에 의한 이미지 센서의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
본 발명은 이미지 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학 영상(optical image)을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 개별 모스(MOS:metaloxide-silicon) 캐패시터(capacitor)가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 이중결합소자(CCD:charge coupled device)와 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로에 사용하는 씨모스(CMOS)기술을 이용하여 화소수 만큼 모스 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검 출하는 스위칭 방식을 채용한 씨모스(CMOS:complementary MOS) 이미지 센서가 있다.
일반적인 CMOS 이미지 센서는 픽셀 어레이(pixel array) 상부에 칼라필터층을 형성하여 특정 파장을 선택적으로 포토 다이오드에 전달함으로써 이미지를 재현하는 방법을 채택하고 있다.
그러나, 이 상술한 방법은 이미지를 재현함에 있어서 하나의 색상을 구현하는데 픽셀의 면적을 많이 차지하는 단점이 있다. 예를 들어, 자연광을 빛의 3원색으로 분해하는 RGB형 칼라필터의 경우 적색, 녹색, 청색을 검출하기 위하여 3개의 픽셀이 요구된다.
최근에는 픽셀 영역 상에 칼라필터층이 배열된 수평형 칼라필터 구조와 달리 하나의 화소에서 다양한 색상을 구현할 수 있는 수직형 포토 다이오드를 갖는 수직형 이미지 센서가 제안되었다. 수직형 이미지 센서의 수직형 포토 다이오드는 콘택 플러그와 연결되어 있다.
도 1 내지 도 6은 종래 기술에 의한 수직형 이미지 센서의 제조 방법이 개시되어 있다.
도 1을 참조하면, 반도체 기판상에는 제1 에피층(1)이 형성되고, 제1 에피층(1)에는 적색 파장의 광을 센싱하는 적색 포토 다이오드(5)가 형성된다. 이후, 적색 포토 다이오드(5)의 일부와 대응하는 제1 에피층(1)의 일부에는 고농도로 불순물이 주입되어 적색 포토 다이오드(5)와 전기적으로 연결된 제1 플러그(미도시)가 형성된다.
이후, 제1 에피층(1) 상에는 제2 에피층(10)이 형성되고, 제2 에피층(10)에는 녹색 파장의 광을 센싱하는 녹색 포토 다이오드(15)가 형성된다. 이때, 제2 에피층(10)에는 녹색 포토 다이오드(15)의 일부와 대응하는 제2 에피층(10)의 일부에는 고농도로 불순물이 주입되어 녹색 포토 다이오드(15)와 전기적으로 연결된 제2 플러그(미도시)가 형성된다. 제2 플러그를 형성하는 동안 제2 에피층(10) 중 제1 플러그와 대응하는 곳에도 불순물이 주입되어 제1 플러그와 연결된 제3 플러그(미도시)가 형성된다.
이어서, 제2 에피층(10) 상에는 제3 에피층(20)이 형성된다. 제3 에피층(20)에는 청색 파장의 광을 센싱하는 청색 포토 다이오드(25)가 형성된다.
이후, 제3 에피층(20)상에는 소자분리 트랜치가 형성되고, 소자 분리 트랜치의 내부에 산화물을 채워 소자 분리 패턴(21)이 형성된다.
소자 분리 패턴(21)이 형성된 후, 소자 분리 패턴(21)의 상면에는 평탄화막(27)이 형성되고, 평탄화막 상에는 적색 포토 다이오드(5), 녹색 포토 다이오드(15) 및 청색 포토 다이오드(25)와 전기적으로 연결된 배선 구조물(35) 및 배선 구조물(35)을 절연하는 절연막 구조물(30)이 형성된다.
이후, 절연막 구조물(30) 상에는 배선 구조물(35)과 전기적으로 연결된 패드부(45)가 형성된다.
패드부(45)가 형성된 후, 절연막 구조물(30) 상에는 전면적에 걸쳐 보호막(55)이 형성된다.
보호막(55)은 절연막 구조물(30) 상에 배치된 산화막(40) 및 산화막 상에 배 치된 질화막(50)을 포함한다.
보호막(55)이 형성된 후, 보호막(55) 상에는 사진 식각 공정을 포함하는 포토 공정에 의하여 형성된 포토레지스트 패턴(미도시)이 형성되고, 보호막(55)은 포토레지스트 패턴에 의하여 패터닝 되어 보호막(55)에는 개구가 형성된다. 패드부(45)는 보호막(55)의 개구에 의하여 노출된다.
도 2를 참조하면, 개구를 갖는 보호막(55)이 형성된 후, 보호막(55) 상에는 전면적에 걸쳐 TEOS막(60)이 형성된다. TEOS막(60)은 보호막(55)에 의하여 노출된 패드부(45)를 덮어 패드부(45)의 표면이 부식되는 것을 방지한다.
도 3을 참조하면, TEOS막(60)에 의하여 패드부(45) 및 보호막(55)이 덮인 후, TEOS막(60)상에는 마이크로 렌즈(70)가 형성된다.
도 4를 참조하면, TEOS막(60)상에 마이크로 렌즈(70)가 형성된 후, TEOS막(60)은 패드부(45)를 다시 노출하기 위해 식각 된다. 패드부(45)를 노출하기 위해 TEOS막(60)을 식각함으로써 패드부(45)는 노출되는 반면, 마이크로 렌즈(70)에 대응하는 부분에서는 난반사 문제가 발생된다.
난반사는 TEOS막(60) 및 TEOS막(60)의 하부에 배치된 질화막(50)의 식각 선택비의 차이로 인해 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(70)의 주변에 링 형상으로 발생된 부분에 의하여 발생 된다. 마이크로 렌즈(70)의 주변에 난반사를 일으키는 부분이 형성될 경우, 이미지 센서에서 발생된 영상의 표시 품질이 크게 감소되는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명의 하나의 목적은 이미지 센서에서 패드부를 노출한 후 마이크로 렌즈를 형성하는 도중 패드부의 부식을 방지할 뿐만 아니라 이미지 센서 부분에서 발생되는 난반사를 억제한 이미지 센서를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 이미지 센서의 제조 방법을 제공함에 있다.
이와 같은 본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위한 이미지 센서는 반도체 기판상에 배치된 화소, 상기 화소와 전기적으로 연결된 배선 구조물 및 상기 배선구조물을 덮는 절연막 구조물을 갖는 포토 다이오드 구조물, 상기 절연막 구조물 상에 배치되며 상기 배선 구조물과 연결된 패드부, 상기 패드부를 노출하는 개구를 갖는 보호막 패턴, 상기 보호막 패턴 상에 배치된 제1 절연막 패턴, 상기 제1 절연막 패턴 상에 상기 각 화소와 대응하여 배치되며 상기 제1 절연막 패턴과 동일한 물질로 이루어진 제2 절연막 패턴 및 상기 각 제2 절연막 패턴 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 포함한다.
본 발명의 다른 목적을 구현하기 위한 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판상에 배치된 화소, 상기 화소와 전기적으로 연결된 배선 구조물 및 상기 배선구조물을 덮는 절연막 구조물을 갖는 포토 다이오드 구조물을 형성하는 단계, 상기 절연막 구조물 상에 상기 배선 구조물과 연결된 패드부를 형성하는 단계, 상기 패드부를 노출하는 개구를 갖는 보호막 패턴을 형성하는 단계, 상기 패드부를 노출하는 개구를 갖고 상기 보호막 패턴 상면에 배치된 제1 절연막 패턴을 형성하는 단계, 상기 패드부 및 상기 제1 절연막 패턴을 덮는 제2 절연막을 형성하는 단계, 상 기 제2 절연막 상에 상기 화소와 대응하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계 및 상기 제2 절연막을 상기 마이크로 렌즈를 식각 마스크로 이용하여 패터닝하여 상기 패드부를 노출 및 상기 마이크로 렌즈의 하부에 배치된 제2 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서 및 이의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다.
이미지 센서
도 7은 본 발명의 일실시예에 의한 이미지 센서의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 이미지 센서(200)는 포토 다이오드 구조물(39), 패드부(45), 보호막 패턴(55), 제1 절연막 패턴(100), 제2 절연막 패턴(110) 및 마이크로 렌즈(120)를 포함한다.
포토 다이오드 구조물(39)은 포토 다이오드(5,15,25)를 포함하는 화소, 배선 구조물(35) 및 절연막 구조물(30)을 포함한다.
화소는 반도체 기판상에 배치된 제1 에피층(1)에 형성된 적색 포토 다이오드(5), 제1 에피층(1)을 덮는 제2 에피층(10)에 형성된 녹색 포토 다이오드(15) 및 제2 에피층(10)을 덮는 제3 에피층(20)에 형성된 청색 포토 다이오드(25)를 포함한다. 제3 에피층(20)에는 소자 분리 트랜치 내에 형성된 산화물을 갖는 소자 분리 패턴(21)이 배치된다.
화소의 제3 에피층(20) 상에는 평탄화층(27)이 배치될 수 있다.
배선 구조물(35)은 화소 상에 배치되며, 적색 포토 다이오드(5), 녹색 포토 다이오드(15) 및 청색 포토 다이오드(25)를 포함하는 화소와 전기적으로 연결된다.
절연막 구조물(30)은 배선 구조물(35)을 절연하는 역할을 한다.
절연막 구조물(30) 상에는 배선 구조물(35)과 연결되어 신호가 입/출입되는 패드부(45)가 형성된다.
포토 다이오드 구조물(39)의 배선 구조물(35) 상에는 패드부(45)를 노출하는 개구를 갖는 보호막 패턴(55)이 배치된다. 보호막 패턴(55)은 절연막 구조물(30) 상에 배치되며 패드부(45)를 노출하는 산화막 패턴(40) 및 산화막 패턴(40) 상에 배치되며 패드부(45)를 노출하는 질화막 패턴(50)을 포함한다.
제1 절연막 패턴(100)은 패드부(45)를 노출하며 보호막 패턴(55) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 절연막 패턴(100)은 약 300Å 내지 약 600Å의 두께를 갖는 TEOS 막을 패터닝하여 형성된다.
제2 절연막 패턴(110)은 제1 절연막 패턴(100) 상에 형성된다. 본 실시예에서, 제2 절연막 패턴(110)은 화소와 대응하는 곳에 형성된다. 본 실시예에서, 제2 절연막 패턴(110)은 제1 절연막 패턴(100)과 실질적으로 동일한 물질을 포함한다. 예를 들어, 제2 절연막 패턴(110)은 제1 절연막 패턴(100)과 실질적으로 동일하게 TEOS 물질을 포함한다.
마이크로 렌즈(120)는 각 화소와 대응하는 제2 절연막 패턴(120) 상에 배치 된다. 본 실시예에서, 마이크로 렌즈(120)는 외부에서 입사된 광을 집광하여 각 화소로 제공하는 역할을 한다.
본 실시예에서는 보호막 패턴(55) 상에 배치된 제1 절연막 패턴(100) 상에 제1 절연막 패턴(100)과 동일한 물질을 포함하는 제2 절연막 패턴(110)을 형성하여 마이크로 렌즈(120) 주변에 난반사를 일으키는 난반사부가 형성되는 것을 방지한다.
이미지 센서의 제조 방법
도 8 내지 도 10은 본 발명의 일실시예에 의한 이미지 센서의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.
도 8을 참조하면, 이미지 센서(200)를 제조하기 위해서 먼저, 반도체 기판상에는 포토 다이오드 구조물이 형성된다.
포토 다이오드 구조물(39)을 형성하는 공정은 포토 다이오드(5,15,25)를 포함하는 화소를 형성하는 공정, 배선 구조물(35)을 형성하는 공정 및 절연막 구조물(30)을 형성하는 공정을 포함한다.
화소를 형성하기 위해서 반도체 기판상에는 제1 에피층(1)이 형성되고, 제1 에피층(1)에는 적색 파장의 광을 센싱하는 적색 포토 다이오드(5)가 형성된다. 이후, 적색 포토 다이오드(5)의 일부와 대응하는 제1 에피층(1)의 일부에는 고농도로 불순물이 주입되어 적색 포토 다이오드(5)와 전기적으로 연결된 제1 플러그(미도시)가 형성된다.
이후, 제1 에피층(1) 상에는 제2 에피층(10)이 형성되고, 제2 에피층(10)에 는 녹색 파장의 광을 센싱하는 녹색 포토 다이오드(15)가 형성된다. 이때, 제2 에피층(10)에는 녹색 포토 다이오드(15)의 일부와 대응하는 제2 에피층(10)의 일부에는 고농도로 불순물이 주입되어 녹색 포토 다이오드(15)와 전기적으로 연결된 제2 플러그(미도시)가 형성된다. 제2 플러그를 형성하는 동안 제2 에피층(10) 중 제1 플러그와 대응하는 곳에도 불순물이 주입되어 제1 플러그와 연결된 제3 플러그(미도시)가 형성된다.
이어서, 제2 에피층(10) 상에는 제3 에피층(20)이 형성된다. 제3 에피층(20)에는 청색 파장의 광을 센싱하는 청색 포토 다이오드(25)가 형성된다.
이후, 제3 에피층(20)상에는 소자분리 트랜치가 형성되고, 소자 분리 트랜치의 내부에 산화물을 채워 소자 분리 패턴(21)이 형성된다.
소자 분리 패턴(21)이 형성된 후, 소자 분리 패턴(21)의 상면에는 평탄화막(27)이 형성되고, 평탄화막 상에는 적색 포토 다이오드(5), 녹색 포토 다이오드(15) 및 청색 포토 다이오드(25)와 전기적으로 연결된 배선 구조물(35) 및 배선 구조물(35)을 절연하는 절연막 구조물(30)이 형성된다.
이후, 절연막 구조물(30) 상에는 배선 구조물(35)과 전기적으로 연결된 패드부(45)가 형성된다.
패드부(45)가 형성된 후, 절연막 구조물(30) 상에는 전면적에 걸쳐 보호막 패턴(55)이 형성된다.
보호막 패턴(55)을 형성하기 위해서 절연막 구조물(30) 상에는 산화막(미도시)이 형성되고, 산화막 상에는 질화막(미도시)이 순차적으로 형성된다.
이후, 산화막 및 질화막 상에는 패드부(45)와 대응하는 곳을 개구하는 포토레지스트 패턴이 형성된다.
이어서, 산화막 및 질화막은 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 식각되어, 절연막 구조물(30) 상에는 패드부(45)를 노출하는 개구를 갖는 산화막 패턴(40) 및 질화막 패턴(50)이 형성된다.
산화막 패턴(40) 및 질화막 패턴(50)을 포함하는 보호막 패턴(55)이 형성된 후, 보호막 패턴(55) 및 노출된 패드부(45) 상에는 전면적에 걸쳐 제1 절연막(미도시)이 형성된다.
이후, 제1 절연막 중 패드부(45)와 대응하는 부분은 개구되어 보호막 패턴(55) 상에는 패드부(45)를 노출하는 제1 절연막 패턴(100)이 형성된다. 본 실시예에서, 제1 절연막 패턴(100)은 TEOS를 포함하는 TEOS막이고, 제1 절연막 패턴(100)의 두께는 약 300Å 내지 약 600Å이고, 바람직하게는 약 500Å이다.
도 9를 참조하면, 보호막 패턴(55) 상에 제1 절연막 패턴(100)이 형성된 후, 제1 절연막 패턴(100)이 덮이도록 보호막 패턴(55)에는 전면적에 걸쳐 제2 절연막(115)이 형성된다.
본 실시예에서, 제2 절연막(115)은, 예를 들어, 제1 절연막 패턴(100)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 절연막 패턴(100)은 TEOS 물질을 포함하므로, 제2 절연막(115) 역시 동일한 TEOS 물질을 포함한다.
도 10을 참조하면, 제1 절연막 패턴(100) 상에 제2 절연막(115)이 형성된 후, 제2 절연막(115) 상에는 마이크로 렌즈(120)가 형성된다. 본 실시예에서 마이 크로 렌즈(120)는 제2 절연막(115) 상에 폴리머를 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 열에 의하여 리플로우 시켜 형성할 수 있다.
도 7을 다시 참조하면, 도 10에 도시된 바와 같이 제2 절연막(115)상에 마이크로 렌즈(120)가 형성된 후, 제2 절연막(115)은 마이크로 렌즈(120)를 식각 마스크로 이용하여 패터닝되어, 제1 절연막 패턴(100) 상에는 패드부(45)를 개구하는 제2 절연막 패턴(110)이 형성되어 이미지 센서가 제조된다.
본 실시에에서, 제2 절연막 패턴(110)은 각 마이크로 렌즈(120)와 대응하는 곳에 형성된다. 한편, 마이크로 렌즈(120)를 식각 마스크로 이용하여 제2 절연막(115)을 식각할 때 제2 절연막(115)이 오버 에치되더라도 제2 절연막(115)의 하부에는 제2 절연막(115)과 동일한 물질로 이루어진 제1 절연막 패턴(110)이 배치되어 있기 때문에 식각 선택비 차이에 의하여 종래와 같이 난반사부가 형성되지 않게 된다.
앞서 상세하게 설명한 바에 의하면, 패드부의 부식을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 패드부의 부식을 방지하기 위한 절연막 패턴에 의하여 형성되는 난반사부의 형성을 방지할 수 있는 효과를 갖는다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이 해할 수 있을 것이다.
Claims (12)
- 반도체 기판상에 배치된 화소, 상기 화소와 전기적으로 연결된 배선 구조물 및 상기 배선구조물을 덮는 절연막 구조물을 갖는 포토 다이오드 구조물;상기 절연막 구조물 상에 배치되며 상기 배선 구조물과 연결된 패드부;상기 패드부를 노출하는 개구를 갖는 보호막 패턴;상기 보호막 패턴 상에 배치된 제1 절연막 패턴;상기 제1 절연막 패턴 상에 상기 각 화소와 대응하여 배치되며 상기 제1 절연막 패턴과 동일한 물질로 이루어진 제2 절연막 패턴; 및상기 각 제2 절연막 패턴 상에 배치된 마이크로 렌즈들을 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 화소는 적색 파장을 갖는 적색 광을 센싱하는 적색 포토 다이오드, 녹색 파장의 광을 센싱하는 녹색 포토 다이오드 및 청색 파장의 광을 센싱하는 청색 포토 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제2항에 있어서, 상기 적색 포토 다이오드는 상기 반도체층 상에 형성된 제1 에피층에 형성되고, 상기 녹색 포토 다이오드는 상기 제1 에피층을 덮는 제2 에피층에 형성되고, 상기 청색 포토 다이오드는 상기 제2 에피층을 덮는 제3 에피층 상에 배치된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막은 상기 포토다이오드 구조물 상에 배치된 산화막 패턴 및 상기 산화막 패턴 상에 배치된 질화막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막 패턴 및 제2 절연막 패턴은 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2 절연막 패턴들은 TEOS 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막 패턴의 두께는 300Å 내지 600Å인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 반도체 기판상에 배치된 화소, 상기 화소와 전기적으로 연결된 배선 구조물 및 상기 배선구조물을 덮는 절연막 구조물을 갖는 포토 다이오드 구조물을 형성하는 단계;상기 절연막 구조물 상에 상기 배선 구조물과 연결된 패드부를 형성하는 단계;상기 패드부를 노출하는 개구를 갖는 보호막 패턴을 형성하는 단계;상기 패드부를 노출하는 개구를 갖고 상기 보호막 패턴 상면에 배치된 제1 절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 패드부 및 상기 제1 절연막 패턴을 덮는 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막 상에 상기 화소와 대응하는 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 및상기 제2 절연막을 상기 마이크로 렌즈를 식각 마스크로 이용하여 패터닝하여 상기 패드부를 노출 및 상기 마이크로 렌즈의 하부에 배치된 제2 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 포토다이오드 구조물을 형성하는 단계에서, 상기 화소는 상기 반도체 기판상에 형성된 제1 에피층에 적색 포토 다이오드를 형성하는 단계;상기 제1 에피층을 덮는 제2 에피층에 녹색 포토 다이오드를 형성하는 단계; 및상기 제2 에피층을 덮는 제3 에피층에 청색 포토 다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계는상기 포토다이오드 구조물 상에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상에 질화막을 형성하는 단계; 및상기 산화막 및 상기 질화막을 패터닝하여 상기 패드부를 노출하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 절연막 패턴을 형성하는 단계는상기 보호막 상에 TEOS막을 형성하는 단계; 및상기 TEOS막을 패터닝하여 상기 보호막의 상기 개구와 대응하는 곳을 패터닝하여 개구를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 TEOS막의 두께는 300Å 내지 600Å인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
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| KR1020060131889A KR100771376B1 (ko) | 2006-12-21 | 2006-12-21 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR20040000878A (ko) * | 2002-06-26 | 2004-01-07 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서의 금속 패드 산화 방지방법 |
| KR20060073158A (ko) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20060076396A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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2006
- 2006-12-21 KR KR1020060131889A patent/KR100771376B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20060076396A (ko) * | 2004-12-29 | 2006-07-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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