DE102007059622A1 - Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung sieht einen Bildsensor und Verfahren zur Herstellung desselben vor, der eine Farbfilterschicht auf einem Halbleitersubstrat und ein Mikrolinsenarray auf der Farbfilterschicht enthält, wobei die Mikrolinse eine transparente leitfähige Schicht enthält.
Description
- HINTERGRUND
- Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Bildsensoren sind Halbleiterbauteile zum Umwandeln optischer Bilder in elektrische Signale. Die Erhöhung der Empfindlichkeit (z. B., die Rate, mit der das einfallende Licht in ein elektrisches Signal umgewandelt wird) ist eine Schlüsselüberlegung bei der Gestaltung und der Herstellung eines Bildsensors.
- Um die Wirksamkeit von Mikrolinsen zum Verdichten von Licht zu verbessern, ist ein Ansatz die Zwischenräume zwischen benachbarten Mikrolinsen im Wesentlichen zu beseitigen und eine Mikrolinsenreihe ohne Abstand zu erstellen. Dieser Ansatz erhöht die Übertragung des einfallenden Lichts, was zu einem Bauteil mit einem höheren Wirkungsgrad führt.
- Weitere Probleme bezüglich des höheren Wirkungsgrads entstehen, wenn eine Mikrolinsenreihe mit einem Photolackfilm ausgebildet wird. Partikel, wie Polymerpartikel, Siliziumpartikel und/oder Siliziumdioxidpartikel können an der Mikrolinse durch einen Prozess zum Schleifen der Wafer (Scheiben)-Rückseite und/oder einen Prozess zum Sägen des Wafers haften bleiben. Dies kann die Empfindlichkeit des Bildsensors schwächen, wodurch sich die Ausbeute bei den Bildsensoren verringert.
- ÜBERSICHT
- Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bieten einen Bildsensor und Verfahren zur Herstellung desselben, die in der Lage sind, die Empfindlichkeit und die Ausbeute eines Bildsensors-Halbleiterbauteils zu verbessern.
- Gemäß einer anderen Ausführungsform enthält der Bildsensor eine Farbfilterschicht auf dem Halbleitersubstrat und eine Mikrolinse auf der Farbfilterschicht. Die Mikrolinse enthält eine transparente leitfähige Schicht.
- Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors:
Ausbilden einer Schutzschicht auf einer unteren Struktur mit einer Photodiode und einer Verbindungsleitung,
Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Schutzschicht,
Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht auf der Farbfilterschicht,
Ausbilden eines Photolackfilms auf der transparenten leitfähigen Schicht,
Ausbilden einer Opfermikrolinse durch Musterbildung des Photolackfilms, und
Ausbilden einer Mikrolinse mit der transparenten leitfähigen Schicht durch Ätzen der Opfermikrolinse und der transparenten leitfähigen Schicht. - Gemäß einer anderen Ausführungsform umfasst ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors:
Ausbilden einer Schutzschicht auf einer unteren Struktur mit einer Photodiode und einer Verbindungsleitung,
Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Schutzschicht,
Ausbilden einer Planarisierungsschicht auf der Farbfilterschicht,
Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht auf der Planarisierungsschicht,
Ausbilden eines Photolackfilms auf der transparenten leitfähigen Schicht,
Ausbilden einer Opfermikrolinse durch Musterbildung des Photolackfilms, und
Ausbilden einer Mikrolinse mit einer transparenten leitfähigen Schicht durch Ätzen der Opfermikrolinse und der transparenten leitfähigen Schicht. - KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 bietet eine Querschnittansicht, die schematisch ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors mit Ausbildung einer transparenten leitfähigen Schicht17 und eines Photolackfilms19 über einer Farbfilterschicht15 darstellt. -
2 bietet eine Querschnittansicht, die schematisch ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors mit Ausbildung einer Opferlinsenreihe19a darstellt. -
3 bietet eine Querschnittansicht, die schematisch ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors mit Ausbildung einer Mikrolinsenreihe17a darstellt. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
- In der Beschreibung der verschiedenen Ausführungsformen versteht es sich, dass wenn eine Schicht (oder Film), ein Gebiet, ein Muster oder eine Struktur als "auf/über" oder "unter/unterhalb" einem anderen Substrat, einer anderen Schicht (oder Film), einem anderen Gebiet, einem anderen Pad oder einem anderen Muster liegend bezeichnet wird, dies direkt auf dem anderen Substrat, der anderen Schicht (oder dem Film), dem anderen Gebiet, dem anderen Pad oder dem anderen Muster sein kann oder auch dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können. Weiterhin versteht es sich, dass wenn eine Schicht (oder Film), ein Gebiet, ein Muster, ein Pad oder eine Struktur als "zwischen" zwei Schichten (oder Filmen), Gebieten, Pads oder Mustern liegend bezeichnet wird, dies die einzige Schicht zwischen den beiden Schichten (oder Filmen), Gebieten, Pads oder Mustern sein kann oder eine oder mehrere dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können. Dies sollte somit nach der technischen Idee der Erfindung bestimmt werden.
- Im Folgenden werden die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
1 bis3 sind Ansichten, die schematisch ein beispielhaftes Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors zeigen. - Wie in
1 dargestellt, wird in einem Herstellungsverfahren des Bildsensors gemäß einer Ausführungsform eine Schutzschicht13 auf einer unteren Struktur11 ausgebildet, und ei ne Farbfilterschicht15 wird auf der Schutzschicht13 ausgebildet. In einer Ausführungsform enthält die untere Struktur11 ein Siliziumhalbleitersubstrat (z. B. Monokristallsilizium-Wafer). Die untere Struktur11 kann auch eine Licht aufnehmende Einheit wie eine Photodiode und eine Verbindungsleitung enthalten (z. B. eine Metallleitung auf oder in einer Isolationsschicht mit Kontaktanschlüssen, die die Metallleitung mit den darunter liegenden elektrischen Strukturen verbinden). Im Besonderen umfasst die untere Struktur11 im Allgemeinen eine Vielzahl von Einheitspixel, wobei jedes eine Photodiode und eine bestimmte Anzahl von Transistoren enthält (in der Regel 3, 4 oder 5). Die Farbfilterschicht15 kann einen Rotfilter, einen Grünfilter und einen Blaufilter enthalten. - Ein Herstellungsverfahren des Bildsensors gemäß einer Ausführungsform umfasst das Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht
17 auf der ersten Farbfilterschicht15 und das Ausbilden einer Photolackschicht19 auf der transparenten leitfähigen Schicht17 . Die transparente leitfähige Schicht17 kann im Wesentlichen eine ITO (Indium Tin Oxide, Indiumzinnoxid)-Schicht umfassen oder daraus bestehen. Die ITO-Schicht kann eine Dicke im Bereich von etwa 1000 Å bis 6000 Å aufweisen. Die ITO-Schicht kann durch chemisches Aufdampfen (CVD, Chemical Vapor Deposition, z. B., Niederdruck-CVD, Plasma-CVD mit hoher Dichte oder plasmaunterstütztes CVD) mit einer gemischten Lösung, die ein Indiumsalz und ein Zinnsalz enthält, gebildet werden. - Verfahren der verwandten Technik können eine ITO-Schicht durch Sputtern (Aufspritzen) auftragen. Bei der Verwendung von Sputtern muss die Temperatur eines Halbleitersubstrats während des Sputterprozesses immer über 400°C liegen. Das Erwärmen eines Substrats mit einer darauf befindlichen Farb filterschicht auf eine solche Temperatur kann die Farbfilterschicht beschädigen. Es ist daher bevorzugt, die ITO-Schicht durch einen CVD-Prozess auszubilden.
- Die ITO-Schicht kann beispielsweise durch die folgenden Prozesse ausgebildet werden. Zuerst wird eine verdünnte Lösung hergestellt, die Indiumchlorid und ein Zinnchlorid enthält (z. B. InCl3 und SnCl2 oder SnCl4), die in einem Lösungsmittel aufgelöst sind, das einen Alkohol enthält (z. B. ein C1-C6-Alkanol). Dann wird die gemischte Lösung auf ein Ziel gesprüht (z. B. ein Halbleitersubstrat oder eine darauf befindliche Schicht, wie eine Planarisierungsschicht oder eine Farbfilterschicht). Alternativ kann die Lösung auf dem Substrat, der Planarisierungsschicht oder der Farbfilterschicht aufgeschleudert werden.
- Die ITO-Schicht kann einen dünnen ITO-Film, der auf einem Substrat ausgebildet ist, und eine Dichte Sn im Bereich von 0,6% bis 2,8% und einen Absorptionskoeffizienten (a) von 2,0 × 103 cm–1 oder weniger in einem monochromatischen Lichtband von 800 nm aufweisen.
- In dem Herstellungsverfahren der ITO-Schicht gemäß einer Ausführungsform wird das Substrat in Luft erhitzt und die ITO-bildende Lösung mit dem Indiumsalz und dem Zinnsalz wird gleichzeitig auf das Substrat gesprüht, um die ITO-Schicht zu bilden. Die so geformte ITO-Schicht ist im Wesentlichen transparent, mehr als Photolack oder Siliziumdioxid, und ermöglicht eine effizientere Lichtübertragung an die darunter liegenden Farbfilter. In der Folge kann eine transparente leitfähige Schicht
17 ausgebildet werden. - Das ITO-Material der transparenten leitfähigen Schicht
17 ist starrer und fester als die des Photolackfilms. Die transparente leitfähige Schicht17 kann weitere transparente oder nahezu transparente Materialien und/oder Schichten, wie Zinkoxid (ZnO), enthalten. - Ein Photolackfilm
19 wird dann über der transparenten leitfähigen Schicht17 ausgebildet. Der Photolackfilm19 kann ein polymeres Photolackmaterial enthalten oder daraus bestehen, das mit herkömmlichen Verfahren (z. B. Aufschleudern) aufgebracht wurde. Die Photolackschicht19 kann beispielsweise eine Dicke von 200–500 nm haben. - Wie in
2 dargestellt, wird der Photolackfilm19 durch einen Belichtungs- und Entwicklungsprozess mit einem Muster versehen, wodurch ein Opfermikrolinsenarray19a mit konvexen oder gekrümmten Mikrolinsen ausgebildet wird. Das Opfermikrolinsenarray19a ist dergestalt ausgebildet, dass Abstände zwischen benachbarten einzelnen Mikrolinsen minimiert werden. Dies kann erreicht werden, indem mehrere Wärmeverfließprozesse bei Temperaturen von etwa 120°C bis 250°C (z. B. von etwa 150°C bis etwa 200°C) durchgeführt werden. - Danach, wie in
3 dargestellt, werden das Opfermikrolinsenarray19a und die transparente leitfähige Schicht17 geätzt, wodurch ein Mikrolinsenarray17a in der geätzten leitfähigen Schicht17 ausgebildet wird. - Beim Herstellungsverfahren des Bildsensors gemäß einer Ausführungsform werden das Opfermikrolinsenarray
19a und die transparente leitfähige Schicht17 durch nicht-selektives (z. B. mit einer Ätzselektivität von etwa 1 zu 1 für die Opfermikrolinsen zu dem transparenten Material) gerichtetes (z. B. anisotropes) Ätzen geätzt. Das Profil des Opfermikro linsenarray19a wird, einschließlich der konvexen Mikrolinsentechnologie, an die geätzte transparente Schicht (z. B. die ITO-Schicht) übertragen. In der Folge kann ein Mikrolinsenarray17a in dem ITO-Material ausgebildet werden. Die minimierten Abstände zwischen benachbarten Mikrolinsen werden ebenso auf die geätzte transparente leitfähige Schicht übertragen. Damit werden die Abstände zwischen benachbarten Mikrolinsen des Mikrolinsenarrays17a minimiert. Die minimierten Abstände verbessern den Wirkungsgrad des Lichtübertragung des Mikrolinsenarrays17a . - Das Mikrolinsenarray
17a kann somit im ITO-Material der transparenten leitfähigen Schicht ausgebildet sein, die transparenter ist als Photolack oder Siliziumdioxid. Dies verbessert weiterhin den Wirkungsgrad der Lichtübertragung des Mikrolinsenarrays17a . - Wenn das Opfermikrolinsenarray
19a ohne Abstand ist, kann die geätzte transparente leitfähige Schicht17a (z. B. die ITO-Schicht mit dem darin ausgebildeten Mikrolinsenarray) als elektromagnetische Abschirmung für die darunter liegenden Strukturen des Bauteils dienen. Alternativ kann die geätzte transparente leitfähige Schicht17a (z. B. die ITO-Schicht mit dem darin ausgebildeten Mikrolinsenarray) als elektromagnetische Abschirmung für die darunter liegenden Strukturen des Bauteils fungieren, wenn die transparente leitfähige Schicht17 nicht vollständig durchgeätzt ist. - Wie oben beschrieben, enthält in dem/den beispielhaften Herstellungsverfahren des Bildsensors das Mikrolinsenarray
17a ein Material, das härter ist als das Photolackmaterial. Dementsprechend kann verhindert werden, dass Partikel wie Polymer-, Silizium- oder Siliziumdioxidpartikel an dem Mikrolinsenarray haften bleiben. In der Folge können die Emp findlichkeit und die Ausbeute des Halbleiterbauteils verbessert werden. - Bei dem Herstellungsverfahren des Bildsensors gemäß einer Ausführungsform kann nach Ausbildung eines Mikrolinsenarrays
17a die Schutzschicht13 geätzt werden, so dass ein Pad-Teil (nicht dargestellt) auf der unteren Struktur11 freigelegt wird. - Durch den obigen Prozess kann ein Photolackmuster (nicht dargestellt) auf dem Mikrolinsenarray
17a ausgebildet werden. Der Photolackfilm kann ein herkömmliches polymeres Photolackmaterial umfassen, das mit herkömmlichen Verfahren (z. B. Aufschleudern) aufgebracht wurde. Die daraus entstehende Struktur kann dann geätzt werden, so dass das Pad freigelegt wird. - In dem Herstellungsverfahren eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform kann ein Pad einfach durch einen Pad-Öffnungsprozess (z. B. Belichten) freigelegt werden. Darüber hinaus wird der Pad-Öffnungsprozess (Belichten) als letzter Prozess ausgeführt, um die Pad-Korrosion zu verhindern, die entstehen kann, wenn ein Pad vor dem letzten Prozess freigelegt wird.
- Die obige Beschreibung bezieht sich auf einen Ausbildungsprozess eines Mikrolinsenarrays auf einer Farbfilterschicht. Das Herstellungsverfahren des Bildsensors ist nicht nur auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. In einer alternativen Ausführungsform kann eine Planarisierungsschicht auf der Farbfilterschicht ausgebildet sein (z. B. wenn die einzelnen Farbfilter unterschiedliche Dicken aufweisen), und ein Mikrolinsenarray kann auf der Planarisierungsschicht aus gebildet sein. Die Planarisierungsschicht kann im Wesentlichen aus herkömmlichen Photolackmaterial bestehen (z. B. Photolack-Polymer).
- Indessen beschreibt die Beschreibung mit Bezugnahme auf
1 bis3 Ausführungsformen, in denen ein Photolackfilm auf einer transparenten leitfähigen Schicht mit einheitlicher Dicke ausgebildet wird, um ein Opfermikrolinsenarray auszubilden. Der zur Ausbildung des Opfermikrolinsenarray verwendete Photolackfilm kann jedoch anstatt durch einen durch mehrere Prozesse ausgebildet (z. B. mehrere Verfließprozesse) werden. Darüber hinaus kann der zum Ausbilden der Opfermikrolinsen verwendete Photolackfilm eine variable Dicke in verschiedenen Gebieten des Arrays aufweisen. - Wie oben beschrieben, enthält ein Bildsensor, der durch das Herstellungsverfahren eines Bildsensors gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung erhalten wird, eine untere Struktur
11 mit einer Photodiode und einer Verbindungsleitung darauf und eine Schutzschicht13 , die auf der unteren Struktur11 ausgebildet ist. Darüber hinaus kann ein Pad-Teil auf der unteren Struktur11 ausgebildet sein. Das Pad-Teil übernimmt eine Verbindungsfunktion zu einem externen Signal. - Darüber hinaus enthält der Bildsensor gemäß einer Ausführung die auf der Schutzschicht
13 ausgebildete Farbfilterschicht15 und das Mikrolinsenarray17a , einschließlich einer transparenten leitfähigen Schicht, die auf der Farbfilterschicht15 ausgebildet ist. - Im Bildsensor gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann das Mikrolinsenarray
17a ausgebildet sein, in dem ein Material verwendet wird, das härter ist als ein photosensitives Material (z. B. ITO). Dementsprechend kann verhindert werden, dass Partikel wie Polymer an das Mikrolinsenarray in einem Prozess zum Schleifen der Wafer-Rückseite und/oder einem Prozess zum Sägen des Wafers haften bleiben. In der Folge können die Empfindlichkeit und die Fertigungsausbeute des Halbleiterbauteils verbessert werden. - Darüber hinaus kann der Wirkungsgrad der Lichtübertragung einer Mikrolinsenreihe auf Grund der Transparenz der ITO-Schicht und der minimierten Abstände zwischen benachbarten Mikrolinsen in dem Mikrolinsenarray verbessert werden.
- Jede Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „die eine Ausführungsform", „eine Ausführungsform", „eine beispielhafte Ausführungsform" usw. bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, die in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben wird, in mindestens einer Ausführungsform der Erfindung enthalten ist. Die Vorkommen solcher Ausdrücke an verschiedenen Stellen in der Beschreibung beziehen sich nicht notwendigerweise alle auf dieselbe Ausführungsform. Weiterhin, wenn ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft in Verbindung mit einer beliebigen Ausführungsform beschrieben wird, versteht es sich, dass es im Bereich eines Fachmanns liegt, das Merkmal, die Struktur oder die Eigenschaft in Verbindung mit anderen Ausführungsformen zu verwirklichen.
- Obwohl die Ausführungsformen mit Bezugnahme auf mehrere veranschaulichende Ausführungsformen davon beschrieben wurden, versteht es sich, dass viele andere Modifikationen und Ausführungsformen von Fachleuten erdacht werden können, die unter den Geist und in den Umfang der Grundsätze dieser Offen legung fallen. Im Besonderen sind Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen der Kombination des Gegenstands im Umfang der Offenlegung, der Zeichnungen und der angehängten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu den Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen sind für Fachleute auch alternative Verwendungen offensichtlich.
Claims (20)
- Ein Bildsensor, umfassend: eine Farbfilterschicht auf einem Halbleitersubstrat; und ein Mikrolinsenarray auf der Farbfilterschicht, in der die Mikrolinse eine transparente leitfähige Schicht enthält.
- Der Bildsensor gemäß Anspruch 1, weiterhin eine Planarisierungsschicht zwischen der Farbfilterschicht und dem Mikrolinsenarray umfassend.
- Der Bildsensor gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei das Mikrolinsenarray eine ITO-Schicht umfasst.
- Der Bildsensor gemäß Anspruch 3, wobei die ITO-Schicht eine Dicke im Bereich von etwa 1000 Å bis etwa 6000 Å aufweist.
- Ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden einer Schutzschicht auf einer unteren Struktur mit einer Photodiode und einer Verbindungsleitung; Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Schutzschicht; Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht auf der Farbfilterschicht; Ausbilden eines Photolackfilms auf der transparenten leitfähigen Schicht; Ausbilden eines Opfermikrolinsenarrays durch Musterbildung des Photolackfilms; und Ätzen der Opfermikrolinse und der transparenten leitfähigen Schicht zum Ausbilden eines Mikrolinsenarrays in der transparenten leitfähigen Schicht.
- Das Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei das Ätzen des Opfermikrolinsenarrays und der transparenten leitfähigen Schicht das Ätzen mit einer Selektivität von 1:1 umfasst.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 6, wobei das Mikrolinsenarray eine ITO-Schicht umfasst.
- Das Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei die ITO-Schicht eine Dicke im Bereich von etwa 1000 Å bis etwa 6000 Å aufweist.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 8, wobei die ITO-Schicht durch einen CVD-Prozess mit einer Lösung, die ein Indiumsalz und ein Zinnsalz enthält, ausgebildet wird.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die ITO-Schicht eine Dichte von Zinn (Sn) im Bereich von etwa 0,6% bis 2,8% aufweist.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 10, wobei die transparente leitfähige Schicht durch einen CVD-Prozess gebildet wird.
- Ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden einer Schutzschicht auf einer unteren Struktur mit einer Photodiode und einer Verbindungsleitung; Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Schutzschicht; Ausbilden einer Planarisierungsschicht auf der Farbfilterschicht; Ausbilden einer transparenten leitfähigen Schicht auf der Planarisierungsschicht; Ausbilden eines Photolackfilms auf der transparenten leitfähigen Schicht; Ausbilden eines Opfermikrolinsenarrays durch Musterbildung des Photolackfilms; und Ätzen der Opfermikrolinse und der transparenten leitfähigen Schicht, um ein Mikrolinsenarray in der transparenten leitfähigen Schicht auszubilden.
- Das Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei das Ätzen der Opfermikrolinse und der transparenten leitfähigen Schicht das Ätzen mit einer Selektivität von 1:1 umfasst.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 13, wobei das Mikrolinsenarray eine ITO-Schicht umfasst.
- Das Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die ITO-Schicht eine Dicke im Bereich von etwa 1000 Å bis etwa 6000 Å aufweist.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 15, wobei die ITO-Schicht durch einen CVD-Prozess mit einer Lösung, die ein Indiumsalz und ein Zinnsalz enthält, ausgebildet wird.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die ITO-Schicht eine Dichte von Zinn (Sn) im Bereich von etwa 0,6% bis etwa 2,8% aufweist.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 17, wobei die transparente leitfähige Schicht durch einen CVD-Prozess gebildet wird.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 18, wobei das Mikrolinsenarray einen Absorptionskoeffizienten (a) von 2,0 × 103 cm–1 oder weniger in einem monochromatischen Lichtband von 800 nm enthält.
- Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 19, wobei die ITO-Schicht eine Dichte von Zinn (Sn) im Bereich von etwa 0,6% bis 2,8% aufweist.
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