DE112020007154T5

DE112020007154T5 - Texturerkennungsmodul, herstellungsverfahren dafür und anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE112020007154T5
Application number: DE112020007154.5T
Authority: DE
Inventors: Xiaoquan HAI; Sen Ma; Qiuyu Ling; Lei Wang; Yingzi WANG
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2020-11-30
Filing date: 2020-11-30
Publication date: 2023-03-09
Also published as: WO2022110105A1; US20230255088A1; CN115066713A

Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Texturerkennungsmodul bereit, umfassend ein Substrat, eine optische Sensorstruktur, die sich auf dem Substrat und in einem Texturerkennungsbereich befindet, eine optische Pfadstruktur, die sich auf einer dem Substrat abgewandten Seite der optischen Sensorstruktur befindet, zumindest in dem Texturerkennungsbereich liegt und einen Bindungsbereich nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur auftreffender Lichtstrahl nur von den lichtdurchlässigen Kanäle passieren kann, wobei die optische Pfadstruktur mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht umfasst, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befindet, wobei auf einer lichtabschirmenden Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, erste lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf einer lichtabschirmenden Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, zweite lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei das erste lichtdurchlässige Loch und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch einen lichtdurchlässigen Kanal definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat nicht mit der orthographischen Projektion des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat überlappt. Die vorliegende Offenbarung stellt ferner ein Herstellungsverfahren für ein Texturerkennungsmodul und eine Anzeigevorrichtung bereit.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft das Gebiet der Anzeigetechnologie, insbesondere ein Texturerkennungsmodul, ein Herstellungsverfahren dafür und eine Anzeigevorrichtung.
STAND DER TECHNIK
Im Prozess der optischen Texturerkennung tritt das Problem der Umgebungslichtinterferenz auf. Speziell wenn das Umgebungslicht sehr stark ist, ist die Lichtintensität des durch den Fingerabdruck transmittierten Umgebungslichts viel größer als die Lichtintensität des von dem Fingerabdruck reflektierten Erfassungslichts, wodurch die vom Sensor basierend auf dem empfangenen Licht erkannten Fingerabdruckinformationen ungenau werden, was zu einer ungenauen Erfassung von Fingerabdruck-Texturinformationen führt.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Offenbarung zielt darauf ab, mindestens eines der im Stand der Technik vorhandenen technischen Probleme zu lösen, und schlägt ein Texturerkennungsmodul, ein Herstellungsverfahren dafür und eine Anzeigevorrichtung vor.
In einem ersten Aspekt stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ein Texturerkennungsmodul bereit, das in einen Texturerkennungsbereich und einen um den Texturerkennungsbereich befindlichen Peripheriebereich unterteilt ist, der einen Bindungsbereich umfasst, wobei das Texturerkennungsmodul umfasst:

ein Substrat,
eine optische Sensorstruktur, die sich auf dem Substrat und in dem Texturerkennungsbereich befindet,
eine optische Pfadstruktur, die sich auf einer dem Substrat abgewandten Seite der optischen Sensorstruktur befindet, zumindest in dem Texturerkennungsbereich liegt und den Bindungsbereich nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und der auf die optische Pfadstruktur auftreffende Lichtstrahl nur von den lichtdurchlässigen Kanälen passieren kann,
wobei die optische Pfadstruktur mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht umfasst, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befindet, wobei auf einer lichtabschirmenden Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, erste lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf einer lichtabschirmenden Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, zweite lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei das erste lichtdurchlässige Loch und das ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch einen lichtdurchlässigen Kanal definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat nicht mit der orthographischen Projektion des entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat überlappt.

In einigen Ausführungsbeispielen bildet eine Linie, die die Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs und die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs verbindet, eine Mittelachse des definierten lichtdurchlässigen Kanals, wobei die Mittelachse mit einer Normale einer Ebene, in der sich das Substrat befindet, einen Neigungswinkel θx bildet, wobei der Wertebereich von θx ist: [40°, 72°].
In einigen Ausführungsbeispielen erfüllt der kollimierte Lichtempfangswinkel θ der optischen Pfadstruktur die folgende Beziehung, θ=arctan(X+d)/H-arctan(X-d)/H, wobei X der Abstand zwischen der orthographischen Projektion der Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs und der orthographischen Projektion der Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat ist, d die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs und des zweiten lichtdurchlässigen Lochs ist, und H der Abstand zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Loch und dem zweiten lichtdurchlässigen Loch in einer Richtung senkrecht zu dem Substrat ist.
In einigen Ausführungsbeispielen ist der Wertebereich von θ: (0°, 60°].
In einigen Ausführungsbeispielen ist die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs gleich der Apertur des zweiten lichtdurchlässigen Lochs.
In einigen Ausführungsbeispielen beträgt die Anzahl der lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur zwei.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die Anzahl der lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur größer oder gleich drei, und die mindestens zwei lichtabschirmenden Schichten umfassen: eine erste lichtabschirmende Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, eine zweite lichtabschirmende Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, und mindestens eine dritte lichtabschirmende Schicht, die sich zwischen der ersten lichtabschirmenden Schicht und der zweiten lichtabschirmenden Schicht befindet,
wobei auf der dritten lichtabschirmenden Schicht dritte lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei die Mitte des dritten lichtdurchlässigen Lochs sich in dem lichtdurchlässigen Kanal befindet, der durch das dem dritten lichtdurchlässigen Loch entsprechende erste lichtdurchlässige Loch und das zweite lichtdurchlässige Loch definiert ist.
In einigen Ausführungsbeispielen sind die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf der ersten lichtabschirmenden Schicht, die Periode des zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf der zweiten lichtabschirmenden Schicht und die Periode des dritten lichtdurchlässigen Lochs auf der dritten lichtabschirmenden Schicht gleich, und
die Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs, die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs und die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden dritten lichtdurchlässigen Lochs befinden sich auf derselben geraden Linie.
In einigen Ausführungsbeispielen sind die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs, die Apertur des zweiten lichtdurchlässigen Lochs und die Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs gleich.
In einigen Ausführungsbeispielen beträgt die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur eins.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der ersten lichtabschirmenden Schicht eine erste lichtdurchlässige Schicht, und die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der zweiten lichtabschirmenden Schicht ist eine zweite lichtdurchlässige Schicht, wobei die Dicke der ersten lichtdurchlässigen Schicht größer ist als die Dicke der zweiten lichtdurchlässigen Schicht.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der ersten lichtabschirmenden Schicht eine erste lichtdurchlässige Schicht, und die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der zweiten lichtabschirmenden Schicht ist eine zweite lichtdurchlässige Schicht,
die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs liegt im Bereich von 2 µm bis 10 µm, die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs beträgt 10 µm bis 100 µm, die Dicke der ersten lichtdurchlässigen Schicht liegt im Bereich von 10 µm bis 20 µm, und die Dicke der zweiten lichtdurchlässigen Schicht liegt im Bereich von 5 µm bis 15 µm.
In einigen Ausführungsbeispielen beträgt die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur zwei oder drei.
In einigen Ausführungsbeispielen ist der Texturerkennungsbereich in einen lichtempfindlichen Bereich, einen Abstandshalterbereich und einen lichtabschirmenden Bereich unterteilt, und der Abstandshalterbereich befindet sich zwischen dem lichtempfindlichen Bereich und dem lichtabschirmenden Bereich,
die optische Sensorstruktur ist in dem lichtempfindlichen Bereich und dem lichtabschirmenden Bereich angeordnet, und im Abstandshalterbereich ist kein Muster angeordnet, und
die orthographische Projektion mindestens einer der lichtabschirmenden Schichten auf das Substrat bedeckt den lichtabschirmenden Bereich vollständig.
In einigen Ausführungsbeispielen befindet sich der lichtabschirmende Bereich auf einer Seite oder zwei gegenüberliegenden Seiten oder zwei sich schneidenden Seiten des lichtempfindlichen Bereichs.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst die lichtdurchlässige Schicht eine transparente Harzschicht und eine transparente anorganische Isolierschicht, und
zwischen zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten grenzt die transparente Harzschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der dem Substrat nahen Seite an, und die transparente anorganische Isolierschicht grenzt an die lichtabschirmende Schicht auf der vom Substrat entfernten Seite an.
In einigen Ausführungsbeispielen erstreckt sich die lichtabschirmende Schicht von dem Texturerkennungsbereich zu einer angrenzenden Kante des Peripheriebereiches,
die orthographische Projektion der transparenten Harzschicht auf das Substrat bedeckt vollständig die orthographische Projektion der angrenzenden lichtabschirmenden Schicht auf das Substrat, und
die orthographische Projektion der transparenten anorganischen Isolierschicht auf das Substrat bedeckt vollständig und ist größer als die orthographische Projektion der angrenzenden transparenten Harzschicht auf das Substrat.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst die optische Pfadstruktur ferner eine Stützwandstruktur, wobei die Stützwandstruktur um die transparente Harzschicht herum angeordnet ist, sich in derselben Filmschicht wie die an die transparente Harzschicht angrenzende lichtabschirmende Schicht befindet und unabhängig davon angeordnet ist.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst die optische Sensorstruktur mehrere optische Sensoren, die in einem Array angeordnet sind, wobei einer der optischen Sensoren mehreren der ersten lichtdurchlässigen Löcher entspricht, und eines der ersten lichtdurchlässigen Löcher einem der optischen Sensoren entspricht.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die orthographische Projektion des optischen Sensors auf das Substrat ein Quadrat und die Seitenlänge ist D, die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs ist P, und D und P erfüllen die folgende Beziehung: D=N*P, wobei N eine positive gerade Zahl ist.
In einigen Ausführungsbeispielen liegt der Wert von D im Bereich von 10 µm bis 200 µm.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst die optische Sensorstruktur ein Gate, eine Gate-
Isolierschicht, eine aktive Schicht, eine Source- und Drain-Elektrode, eine erste Isolierschicht, eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht, eine zweite Elektrode, eine Schutzschicht, eine zweite Isolierschicht, eine Passivierungsschicht, eine Vorspannungsleitung und eine Sperrschicht, die nacheinander entlang einer vom Substrat entfernten Richtung gestapelt angeordnet sind.
In einigen Ausführungsbeispielen bedeckt die orthographische Projektion der Source- und Drain-Elektrode auf das Substrat vollständig und ist größer als die orthographische Projektion der ersten Elektrode auf das Substrat.
In einigen Ausführungsbeispielen steht die Source- und Drain-Elektrode in direktem Kontakt mit der Halbleiterschicht, und die Source- und Drain-Elektrode befindet sich in derselben Filmschicht wie die erste Elektrode.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst es ferner eine Planarisierungsschicht, die sich zwischen der optischen Pfadstruktur und der optischen Sensorstruktur befindet, wobei die Planarisierungsschicht vollflächig angeordnet ist und nur im Bindungsbereich ein Hohlmuster aufweist.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst es ferner eine Masseabschirmschicht, die sich zwischen der Planarisierungsschicht und der optischen Sensorstruktur befindet,
wobei die Masseabschirmschicht an die Planarisierungsschicht angrenzt, das Muster der Masseabschirmschicht durch das Muster der Planarisierungsschicht bedeckt ist, und die orthographische Projektion der Masseabschirmschicht auf das Substrat die optische Sensorstruktur bedeckt.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst es ferner eine Bindungselektrode, die sich in dem Bindungsbereich befindet, wobei die Bindungselektrode sich in derselben Filmschicht wie die Vorspannungsleitung befindet.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst der Bindungsbereich einen Gatetreiberchip-Bindungsbereich, wobei die Bindungselektroden in dem Gatetreiberchip-Bindungsbereich eine erste Bindungselektrode umfassen,
wobei zwischen der ersten Bindungselektrode und dem Substrat eine erste Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich das Gate befindet, eine zweite Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die Source- und Drain-Elektrode befindet, und eine dritte Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die erste Elektrode befindet, vorhanden sind, und
wobei die erste Verbindungselektrode elektrisch mit der zweiten Verbindungselektrode durch ein erstes Durchgangsloch verbunden ist, das die Gate-Isolierschicht durchdringt, die zweite Verbindungselektrode elektrisch mit der dritten Verbindungselektrode durch ein zweites Durchgangsloch verbunden ist, das die erste Isolierschicht durchdringt, und die dritte Verbindungselektrode elektrisch mit der ersten Bindungselektrode durch ein drittes Durchgangsloch verbunden ist, das die Passivierungsschicht durchdringt, wobei die erste Verbindungselektrode elektrisch mit dem Gate durch eine Gate-Leitung und eine Fan-out-Leitung der Gate-Leitung verbunden ist.
In einigen Ausführungsbeispielen beträgt die Anzahl der ersten Durchgangslöcher, der zweiten Durchgangslöcher und der dritten Durchgangslöcher, die einer der ersten Bindungselektroden entsprechen, jeweils mindestens zwei, und die orthographischen Projektionen der ersten Durchgangslöcher, der zweiten Durchgangslöcher und der dritten Durchgangslöcher auf das Substrat überlappen einander nicht und sind abwechselnd entlang der Erstreckungsrichtung der ersten Bindungselektroden angeordnet.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst der Bindungsbereich ferner einen Datentreiberchip-Bindungsbereich, wobei die Bindungselektroden in dem Datentreiberchip-Bindungsbereich eine zweite Bindungselektrode und eine dritte Bindungselektrode umfassen,
wobei zwischen der zweiten Bindungselektrode und dem Substrat eine vierte Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die Source- und Drain-Elektrode befindet, und eine fünfte Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die erste Elektrode befindet, vorhanden sind, wobei die vierte Verbindungselektrode elektrisch mit der fünften Verbindungselektrode durch ein viertes Durchgangsloch verbunden ist, das die erste Isolierschicht durchdringt, und die fünfte Verbindungselektrode elektrisch mit der zweiten Bindungselektrode durch ein fünftes Durchgangsloch verbunden ist, das die Passivierungsschicht durchdringt, wobei die vierte Verbindungselektrode durch eine Datenleitung und eine Fan-out-Leitung der Datenleitung elektrisch mit der Source- und Drain-Elektrode verbunden ist, und
wobei die dritte Bindungselektrode durch eine Vorspannung-Fan-out-Leitung elektrisch mit der Vorspannungsleitung verbunden ist.
In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Filterschicht auf einer von dem Substrat entfernten Seite der Halbleiterschicht angeordnet, wobei die Filterschicht so konfiguriert ist, dass die zentrale Wellenlänge von Lichtstrahl, der durch die Filterschicht tritt, kleiner als 600 nm ist.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die Filterschicht dazu konfiguriert, um Lichtstrahl mit einer Wellenlänge von 480 nm bis 580 nm durchzulassen.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst das Material der zweiten Isolierschicht ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion, und die Filterschicht und die zweite Isolierschicht sind gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert,
und/oder das Material der Sperrschicht umfasst ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion, und die Filterschicht und die Sperrschicht sind gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert,
und/oder die lichtdurchlässige Schicht umfasst eine transparente Harzschicht und eine transparente anorganische Isolierschicht, und zwischen zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten grenzt die transparente Harzschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der dem Substrat nahen Seite an, und die transparente anorganische Isolierschicht grenzt an die lichtabschirmende Schicht auf der von dem Substrat entfernten Seite an, wobei das Material der transparenten Harzschicht ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion umfasst, und die Filterschicht und die transparente Harzschicht gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert sind.
In einem zweiten Aspekt stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ferner eine Anzeigevorrichtung bereit, die ein Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 33 und ein Anzeigefeld auf dem Texturerkennungsmodul umfasst, wobei das Anzeigefeld und das Texturerkennungsmodul durch einen optischen Klebstoff fixiert sind.
In einigen Ausführungsbeispielen ist das Anzeigefeld ein OLED-Anzeigefeld, wobei das OLED-Anzeigefeld eine OLED-Anzeigerückwand, einen Polarisator und eine Schutzabdeckung umfasst, die nacheinander entlang einer von dem Texturerkennungsmodul entfernten Richtung gestapelt angeordnet sind, wobei das Material der Schutzabdeckung Polyimid umfasst.
In einigen Ausführungsbeispielen liegt die Dicke des OLED-Anzeigefeldes im Wertbereich von 0,2 mm bis 1,5 mm.
In einigen Ausführungsbeispielen liegt die Dicke des OLED-Anzeigefeldes im Wertbereich von 0,4 mm bis 0,65 mm.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst es ferner einen Mittelrahmen, wobei der Mittelrahmen eine Bodenplatte und eine Seitenwand umfasst, die durch Biegen der Kante der Bodenplatte in Richtung der Vorderseite gebildet ist, wobei die Bodenplatte und die Seitenwand eine Aufnahmenut bilden, in der das Texturerkennungsmodul und das Anzeigefeld befestigt sind, wobei das Anzeigefeld sich auf einer von der Bodenplatte entfernten Seite des Texturerkennungsmoduls befindet.
In einigen Ausführungsbeispielen ist das Texturerkennungsmodul auf der Bodenplatte befestigt, und/oder an der Seitenwand ist eine stufenförmige Stützstruktur gebildet, an der das Anzeigefeld befestigt ist.
In einigen Ausführungsbeispielen ist ein Durchgangsloch auf der Bodenplatte gebildet, und die Anzeigevorrichtung umfasst ferner eine flexible Leiterplatte zur Texturerkennung und einen Chip zur Texturerkennung,
wobei die flexible Leiterplatte zur Texturerkennung durch das Durchgangsloch verläuft, mit einem Ende elektrisch mit der Bindungselektrode im Bindungsbereich innerhalb des Texturerkennungsmoduls verbunden ist, und mit einem anderen Ende elektrisch mit dem Chip zur Texturerkennung auf der Rückseite der Bodenplatte verbunden ist.
In einem dritten Aspekt stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ferner ein Herstellungsverfahren für ein Texturerkennungsmodul wie in dem ersten Aspekt bereit, wobei das Texturerkennungsmodul in einen Texturerkennungsbereich und einen um den Texturerkennungsbereich befindlichen Peripheriebereich unterteilt ist, der einen Bindungsbereich umfasst, wobei das Herstellungsverfahren umfasst:

Bereitstellen eines Substrats,
Bilden einer optischen Sensorstruktur auf dem Substrat und in dem Texturerkennungsbereich, Bilden einer optischen Pfadstruktur auf der optischen Sensorstruktur, wobei die optische Pfadstruktur zumindest in dem Texturerkennungsbereich liegt und den Bindungsbereich nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur auftreffender Lichtstrahl nur von den lichtdurchlässigen Kanälen passieren kann, und wobei die optische Pfadstruktur mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht umfasst, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befindet, wobei auf einer lichtabschirmenden Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, erste lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf einer lichtabschirmenden Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, zweite lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei das erste lichtdurchlässige Loch und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch einen lichtdurchlässigen Kanal definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat nicht mit der orthographischen Projektion des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat überlappt.

In einigen Ausführungsbeispielen umfasst der Schritt des Bildens der lichtabschirmenden Schicht im Prozess des Bildens der optischen Pfadstruktur:

Bilden einer lichtabschirmenden Materialfolie,
Behandeln der lichtabschirmenden Materialfolie durch einen Photolithographieprozess oder einen Nanoprägeprozess, um lichtdurchlässige Löcher auf der lichtabschirmenden Materialfolie zu bilden.

In einigen Ausführungsbeispielen umfasst der Schritt des Bildens der lichtdurchlässigen Schicht im Prozess des Bildens der optischen Pfadstruktur:

Bilden einer transparenten Harzschicht auf der lichtabschirmenden Schicht durch einen Tintenstrahldruckprozess,
Bilden einer transparenten anorganischen Isolierschicht, die die transparente Harzschicht bedeckt, auf der transparenten Harzschicht durch einen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei niedriger Temperatur.

Figurenliste

1a ist ein schematisches Diagramm von externem Umgebungslicht, das in das Anzeigefeld einfällt, und von Licht, das von dem Anzeigefeld emittiert wird und auf der Oberfläche des Fingerabdrucks reflektiert wird;
1b ist ein schematisches Diagramm der Winkel-Lichtintensitätskurve von starkem Umgebungslicht, das in das Anzeigefeld einfällt, und von Erfassungslicht, das durch den Fingerabdruck reflektiert wird;
1c ist ein schematisches Diagramm der Winkel-Lichtintensitätskurve von schwachem Umgebungslicht, das in das Anzeigefeld einfällt, und von Erfassungslicht, das durch den Fingerabdruck reflektiert wird;
2a ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
2b ist ein weiteres schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
2c ist ein anderes schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
2d ist ein schematisches Strukturdiagramm einer optischen Pfadstruktur in 2b;
3a ist ein schematisches Strukturdiagramm eines optischen Sensors in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
3b ist ein weiteres schematisches Strukturdiagramm eines optischen Sensors in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
3c ist ein anderes schematisches Strukturdiagramm eines optischen Sensors in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
3d ist eine schematische Draufsicht eines optischen Sensors in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
3e ist ein anderes schematisches Strukturdiagramm eines optischen Sensors in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
4 ist ein schematisches Anordnungsdiagramm von lichtdurchlässigen Löchern in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
5 ist ein weiteres schematisches Anordnungsdiagramm von lichtdurchlässigen Löchern in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
6 ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
7 ist eine schematische Draufsicht eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
8a ist eine noch weitere schematische Draufsicht eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
8b ist eine noch weitere schematische Draufsicht eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
8c ist eine noch weitere schematische Draufsicht eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
8d ist eine noch weitere schematische Draufsicht eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
9 ist eine schematische Teildraufsicht eines Texturerkennungsbereiches in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
10a ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
10b ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
10c ist ein schematisches Strukturdiagramm eines Gate-Treiber-Bindungsbereiches in einem Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
10d ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
10e ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm eines Texturerkennungsmoduls, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
10f zeigt die entsprechende Beziehung zwischen der Wellenlänge und der Anregungsrate des durch den Finger angeregten Pigmentlichts, wenn das Umgebungslicht durch den Finger hindurchgeht, in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung;
10g ist ein schematisches Diagramm der Lichtdurchlässigkeit einer Filterschicht, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
11 ist ein schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
12 ist ein weiteres schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
13 ist ein anderes schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
14 ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
15a ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
15b ist ein noch weiteres schematisches Strukturdiagramm einer Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird;
15c ist ein schematisches Diagramm der Rückseite einer Bodenplatte in 15a und 15b;
16 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Herstellungsverfahrens für ein Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird.

SPEZIFISCHE AUSFÜHRUNGSFORMEN
Damit Fachleute die technische Lösung der vorliegenden Offenbarung besser verstehen, werden im Folgenden in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen ein Texturerkennungsmodul, ein Herstellungsverfahren dafür und eine Anzeigevorrichtung ausführlich beschrieben, die durch die vorliegende Offenbarung bereitgestellt werden.
Beispielhafte Ausführungsbeispiele werden im Folgenden unter Bezugnahme auf d beigefügten Zeichnungen ausführlicher beschrieben, können sie jedoch in unterschiedlichen Formen ausgeführt werden und sollten nicht als auf die hierin dargelegten Ausführungsbeispiele beschränkt ausgelegt werden. Vielmehr werden diese Ausführungsbeispiele bereitgestellt, damit die vorliegende Offenbarung gründlich und vollständig ist, und Fachleute den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen. Die Formen und Größen von Komponenten in den Zeichnungen geben nicht den wahren Maßstab wieder, sondern sollen die vorliegende Offenbarung nur schematisch veranschaulichen.
Die hierin verwendeten Begriffe dienen lediglich der Beschreibung bestimmter Ausführungsbeispielen und sollen die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Wie hierin verwendet, sollen die Singularformen „ein/eine“ und „der/das/die“ auch die Pluralformen umfassen, es sei denn, der Kontext c klar etwas anderes. Es versteht sich auch, dass, wenn die Begriffe „umfassend“ und/oder „bestehend aus“ in dieser Beschreibung verwendet werden, das Vorhandensein der genannten Merkmale, Ganzheiten, Schritte, Operationen, Elemente und/oder Komponenten spezifiziert wird, aber das Vorhandensein oder die Hinzufügung von einem oder mehreren anderen Merkmalen, Ganzheiten, Schritten, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Gruppen davon nicht ausgeschlossen ist. Falls kein Konflikt besteht, können verschiedene Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung und verschiedene Merkmale in den Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden.
Sofern nicht anders definiert, haben alle hierin verwendeten Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe) die gleiche Bedeutung, wie sie allgemein von einem Durchschnittsfachmann verstanden wird. Es versteht sich auch, dass Begriffe wie diejenigen, die in allgemein verwendeten Wörterbüchern definiert sind, so interpretiert werden sollten, dass sie Bedeutungen haben, die mit ihren Bedeutungen im Kontext der relevanten Technik und der vorliegenden Offenbarung übereinstimmen, und nicht so interpretiert werden, dass sie idealisierte oder übermäßige formale Bedeutungen haben, sofern hierin nicht ausdrücklich so definiert.
Wie in 1a gezeigt, umfasst eine Anzeigevorrichtung mit einer Texturerkennungsfunktion im Allgemeinen ein Anzeigefeld 200 und eine optische Sensorstruktur 2. Bei einer Texturerkennung ist der Fingerabdruck in Kontakt mit der Oberfläche des Anzeigefeldes 200, das durch ein lichtemittierendes Bauelement 200a im Anzeigefeld 200 emittierte Erfassungslicht wird auf der Oberfläche des Fingerabdrucks reflektiert und dann auf die optische Sensorstruktur auftrifft, und jeder optische Sensor in der optischen Sensorstruktur identifiziert das Tal und der Grat des Fingerabdrucks an der entsprechenden Position basierend auf dem empfangenen Lichtstrahl (dem durch die Oberfläche des Fingerabdrucks reflektierten Erfassungslicht).
Bei dem auf die optische Sensorstruktur auftreffenden Erfassungslicht ist die Lichtintensität umso kleiner, je größer der Einfallswinkel ist. Dabei bezieht sich der Einfallswinkel auf den Winkel, der durch der Lichtstrahl und die Normale (senkrecht zu der Ebene, in der sich das Anzeigefeld befindet) der Ebene gebildet wird, in der sich das Anzeigefeld befindet.
In Anbetracht der Tatsache, dass das vertikal auf die optische Sensorstruktur einfallende Erfassungslicht am stärksten ist und die Lichtintensität des Erfassungslichts mit zunehmendem Einfallswinkel abnimmt, wird in verwandter Technologien im Allgemeinen eine optische Pfadstruktur zwischen der optischen Sensorstruktur und dem Anzeigefeld vorgesehen, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur auftreffender Lichtstrahl nur von den lichtdurchlässigen Kanäle passieren kann, wobei die Erstreckungsrichtung der lichtdurchlässigen Kanäle senkrecht zu der Ebene ist, in der sich das Anzeigefeld befindet, so dass der Einfallswinkel des durch die lichtdurchlässigen Kanäle passierenden und auf die optische Sensorstruktur auftreffenden Lichtstrahls ein kleiner Winkel von 0° bis 10° ist, damit der optische Sensor stärkeres Erfassungslicht empfangen kann. Bei praktischen Anwendungen hat sich jedoch herausgestellt, dass bei stärkerem Umgebungslicht das starke Umgebungslicht in das Anzeigefeld einfallen und durch die lichtdurchlässigen Kanäle an der optischen Pfadstruktur auf die optische Sensorstruktur auftreffen wird, wodurch eine Störung der Fingerabdruckerfassung entstehen wird.
Wie in 1a gezeigt, gibt es drei Wege für das Umgebungslicht, in das Anzeigefeld einzufallen: (1) Das Umgebungslicht wird direkt durch die Oberfläche des Anzeigefeldes in das Anzeigefeld gebrochen, ohne durch den Finger zu gehen, wobei dieser Teil von Licht als „seitliches Umgebungslicht“ bezeichnet wird. (2) Das Umgebungslicht durchdringt den Finger und trifft mit einem größeren Einfallswinkel auf die Oberfläche des Anzeigefeldes auf und tritt schließlich in das Anzeigefeld ein, wobei dieser Teil von Licht als „seitlich transmittiertes Umgebungslicht“ bezeichnet wird. (3) Das Umgebungslicht durchdringt den Finger und trifft mit einem kleineren Einfallswinkel auf die Oberfläche des Anzeigefeldes (senkrecht oder nahezu senkrecht zur Oberfläche des Anzeigefeldes) auf und tritt schließlich in das Anzeigefeld ein, wobei dieser Teil von Licht als „positiv transmittiertes Umgebungslicht“ bezeichnet wird. Nach Untersuchungen hat sich herausgestellt, dass unabhängig davon, ob es sich um seitliches Umgebungslicht, seitlich transmittiertes Umgebungslicht oder positiv transmittiertes Umgebungslicht handelt, der Einfallswinkel stets zwischen 0° und 50° liegt, nachdem es in das Anzeigefeld eingefallen ist, und dass außerdem der Einfallswinkel des Erfassungslichts für die Texturerfassung zwischen 0° und 72° liegt.
Wie in 1b gezeigt, wurde nach Untersuchungen festgestellt, dass das in das Anzeigefeld einfallende Umgebungslicht auch die Besonderheit erfüllt, dass die Lichtintensität umso kleiner ist, je größer der Einfallswinkel ist, und im kleinen Winkelbereich von 0° bis 10°, die Lichtintensität des Umgebungslichts stets größer als die Lichtintensität des Erfassungslichts ist. Daher ist im Stand der Technik der Einfallswinkel des auf die optische Sensorstruktur auftreffenden Lichts auf einen kleinen Winkel durch die optische Pfadstruktur begrenzt. Obwohl stärkeres Erfassungslicht empfangen werden kann, wird gleichzeitig auch stärkeres Umgebungslicht empfangen. Nun kann stärkeres Umgebungslicht zu größeren Störungen der Texturerkennungsergebnisse führen, was die Genauigkeit der Texturerkennungsergebnisse ernsthaft beeinträchtigt.
Um das technische Problem ungenauer Texturerkennungsergebnisse unter Umgebungslicht zu lösen, das in verwandten Technologien existiert, stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ein Texturerkennungsmodul zur biometrischen Erkennung und Erfassung von Fingerabdrücken und Handflächenabdrücken usw. bereit. Wie in 2a bis 2d gezeigt, umfasst es einen Texturerkennungsbereich A und einen um den Texturerkennungsbereich A befindlichen Peripheriebereich B, der einen Bindungsbereich C umfasst, wobei das Texturerkennungsmodul umfasst:

ein Substrat 1, wobei das Material des Substrats 1 insbesondere PI, Glas oder dergleichen sein kann,
eine optische Sensorstruktur 2, die sich auf dem Substrat 1 und im Texturerkennungsbereich A befindet, und
eine optische Pfadstruktur 3, die sich auf einer dem Substrat 1 abgewandten Seite der optischen Sensorstruktur 2 befindet, zumindest in dem Texturerkennungsbereich A liegt und den Bindungsbereich C nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur 3 so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen Q aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur 3 auftreffender Lichtstrahl nur durch die lichtdurchlässigen Kanäle Q passieren kann.

Dabei umfasst die optische Pfadstruktur 3 mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und lichtdurchlässige Schichten 32, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befinden. Bei den mindestens zwei lichtabschirmenden Schichten ist die lichtabschirmende Schicht, die der optischen Sensorstruktur 2 am nächsten liegt, eine erste lichtabschirmende Schicht 31a, und die lichtabschirmende Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur 2 entfernt ist, eine zweite lichtabschirmende Schicht 31b, wobei auf der ersten lichtabschirmenden Schicht mehrere erste lichtdurchlässige Löcher 311a vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b zweite lichtdurchlässige Löcher 311b vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern 311a eins zu eins entsprechen, wobei ein erstes lichtdurchlässiges Loch 311a und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch 311b einen lichtdurchlässigen Kanal Q definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a auf das Substrat 1 nicht mit der orthographischen Projektion des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf das Substrat 1 überlappt.
In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung handelt es sich bei einem durch ein erstes lichtdurchlässiges Loch 311a und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch 311b definierten lichtdurchlässigen Kanal Q insbesondere um einen Kanal, der gebildet wird, indem Lichtstrahl durch ein erstes Durchgangsloch und ein dem ersten Durchgangsloch entsprechendes zweites Durchgangsloch durchgelassen wird. Dabei bildet die Linie, die die Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b verbindet, eine Mittelachse CL des definierten lichtdurchlässigen Kanals Q, wobei die Mittelachse CL eine virtuelle Linie und keine reale Struktur ist. In der vorliegenden Offenbarung dient das zweite lichtdurchlässige Loch 311b als Lichteinlass des lichtdurchlässigen Kanals Q, und das erste lichtdurchlässige Loch 311a als Lichtauslass des lichtdurchlässigen Kanals Q.
Der lichtdurchlässige Kanal Q kann eine Rolle beim Kollimieren von in das zweite lichtdurchlässige Loch 311b unter verschiedenen Winkeln einfallenden Lichtstrahlen spielen, so dass der von dem ersten lichtdurchlässigen Loch 311a austretenden Lichtstrahl in einem vorgegebenen kleinen Lichtaustrittswinkelbereich liegt, wobei die Differenz zwischen dem maximalen Winkel und dem minimalen Winkel im kleinen Lichtaustrittswinkelbereich ein Lichtempfangswinkel θ des lichtdurchlässigen Kanals ist.
In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung werden durch Einstellen der Mittelachse CL des lichtdurchlässigen Kanals Q und der Normale der Ebene, in der sich das Substrat 1 befindet, der Neigungswinkel θx, der Abstand H zwischen der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a und der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b, und die Größe der Apertur d des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a/des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b gebildet, um das Tiefenbreitenverhältnis des erforderlichen lichtdurchlässigen Kanals Q einzustellen, den Lichtempfangswinkel θ der optischen Pfadstruktur zu definieren, und den erforderlichen Kollimationseffekt zu erzielen, damit eine genaue Erfassung von Informationen über das Tal und der Grat der Textur ermöglicht wird. Darüber hinaus müssen das erste lichtdurchlässige Loch 311a auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a und das zweite lichtdurchlässige Loch 311b auf der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b im Allgemeinen die gleiche Aperturgröße aufweisen, um den erforderlichen Lichtempfangswinkel θ sicherzustellen.
In der vorliegenden Offenbarung überlappen die orthographischen Projektionen des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf das Substrat 1 nicht, daher ist die Mittelachse CL des durch das erste lichtdurchlässige Loch 311a und das ihm entsprechende zweite lichtdurchlässige Loch 311b definierten lichtdurchlässigen Kanals Q nicht senkrecht zum Substrat 1 (d. h. die Mittelachse des lichtdurchlässigen Kanals Q schließt mit der Normalen der Ebene, in der sich das Substrat 1 befindet, einen Winkel von größer als 0° ein), und Lichtstrahl mit einem Einfallswinkel von 0° und nahe bei 0° kann den lichtdurchlässigen Kanal Q nicht passieren.
Wenn eine Texturerkennung unter starkem Umgebungslicht durchgeführt wird, kann wie in 1b gezeigt, das Umgebungslicht hoher Helligkeit mit einem Einfallswinkel von 0° und nahe bei 0° im Anzeigefeld nicht durch die optische Pfadstruktur 3 hindurchtreten. Die Lichtintensität des auf die optische Sensorstruktur 2 eintreffenden Umgebungslichts wird somit deutlich reduziert, was vorteilheift ist, um die Genauigkeit der Texturerkennung zu verbessern.
Es ist anzumerken, dass die optische Pfadstruktur 3 zwar auch den Durchgang des Erfassungslichts mit einem Einfallswinkel von 0° und nahe 0° hindern wird, so dass die Lichtintensität des von der optischen Sensorstruktur 2 empfangenen Erfassungslichts abnimmt, aber die prozentuale Abnahme der Lichtintensität des Umgebungslichts größer sein wird als die prozentuale Abnahme der Lichtintensität des Erfassungslichts, so dass der Anteil des Erfassungslichts an dem von der optischen Sensorstruktur 2 empfangenen Lichtstrahl zunehmen wird, was damit vorteilhaft ist, um die Genauigkeit der Texturerkennung zu verbessern.
Wenn eine Texturerkennung unter schwachem Umgebungslicht durchgeführt wird, verursacht wie in 1c gezeigt, zwar die Anordnung der optischen Pfadstruktur 3, dass der Gesamtlichtintensitätsabfall des Erfassungslichts größer ist als der Gesamtlichtintensitätsabfall des Umgebungslichts, aber der Anteil des Erfassungslichts an dem von der optischen Sensorstruktur 2 empfangenen Lichtstrahl stets einen größeren Wert beibehält, da die Lichtintensität des Erfassungslichts bei jedem Winkel stets größer als die Lichtintensität des Umgebungslichts ist, wodurch das Texturerkennungsergebnis noch eine höhere Genauigkeit hat.
In 1b ist die Abszisse des Schnittpunkts der Winkel-Lichtintensitätskurve, die dem starken Umgebungslicht entspricht, das durch den Fingerabdruck geht, und der Winkel-Lichtintensitätskurve des Erfassungslichts, das durch den Fingerabdruck reflektiert wird, α, und die Abszisse des Schnittpunkts der Winkel-Lichtintensitätskurve des Erfassungslichts, das durch den Fingerabdruck reflektiert wird, und der Querachse ist β. Beim Auslegen des lichtdurchlässigen Kanals Q der optischen Pfadstruktur 3 sollte versucht werden, dass der Neigungswinkel θx, der durch die Mittelachse CL des lichtdurchlässigen Kanals Q und die Normale der Ebene gebildet wird, in der sich das Substrat 1 befindet, zwischen α und β beträgt, wodurch nämlich eine Störung von externem Umgebungslicht verbessert und eine genaue Fingerabdruckerkennung realisiert werden kann.
Durch Vorabdatensammlung und -analyse wurde herausgefunden, dass α im Allgemeinen etwa 40° bis 50° beträgt und der maximale Winkel des durch den Fingerabdruck reflektierten Erfassungslichts etwa 72° beträgt. Basierend auf den obigen Datensammlungs- und Analyseergebnissen ist in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung der Wertebereich des Neigungswinkels θx, der durch die Mittelachse CL des lichtdurchlässigen Kanals Q und die Normale der Ebene, in der sich das Substrat 1 befindet, gebildet wird: [40°, 72°].
Außerdem gehorcht das von dem lichtemittierenden Element (normalerweise einem OLED-Bauelement) im Anzeigefeld emittierte Signal der Lambertschen Verteilung, und je größer der Winkel ist, desto kleiner ist die Lichtintensität. Um sicherzustellen, dass das vom optischen Sensor in der optischen Sensorstruktur 2 empfangene Signal stärker ist, sollte θx so nahe wie möglich an α liegen. Natürlich kann θx für unterschiedliche Anwendungserfordernisse geeignet eingestellt werden. In einigen Ausführungsbeispielen erfüllen der Neigungswinkel θx und der kollimierte Lichtempfangswinkel θ des lichtdurchlässigen Kanals Q in der optischen Pfadstruktur 3 die folgende Beziehung: $θ x = arctan (X/H)$
$θ = arctan (X + d) /H - arctan (X - d) /H,$
wobei X der Abstand zwischen der orthographischen Projektion der Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a auf das Substrat 1 und der orthographischen Projektion der Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf das Substrat 1 ist, d die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b ist, und H der Abstand zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Loch 311a und dem zweiten lichtdurchlässigen Loch 311b in einer Richtung senkrecht zu dem Substrat 1 ist. In einigen Ausführungsbeispielen ist der Wertebereich von θ: (0°, 60°].
Wie in 2a gezeigt, beträgt in einigen Ausführungsbeispielen die Anzahl von lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur 3 zwei, nämlich eine erste lichtabschirmende Schicht 31a und eine zweite lichtabschirmende Schicht 31b.
Wie in 2b und 2c gezeigt, ist in einigen Ausführungsbeispielen die Anzahl der lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur 3 größer als zwei, das heißt, die lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur 3 umfassen nicht nur eine erste lichtabschirmende Schicht 31a und eine zweite lichtabschirmende Schicht 31b, sondern umfasst auch mindestens eine dritte lichtabschirmende Schicht 31c, die sich zwischen der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a und der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b befindet, wobei auf der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c dritten lichtdurchlässigen Löcher 311c vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern 311a eins zu eins entsprechen, wobei die Mitte des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c sich in dem lichtdurchlässigen Kanal Q befindet, der durch das dem dritten lichtdurchlässigen Loch 311c entsprechende erste lichtdurchlässige Loch 311a und das zweite lichtdurchlässige Loch 311b definiert ist.
Wenn in der in 2a gezeigten optischen Pfadstruktur 3 mit zwei lichtabschirmenden Schichten der Einfallswinkel des auf die optische Pfadstruktur 3 auftreffenden Lichtstrahls größer und die Periode P des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a/des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a/der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b kleiner ist, gibt es in dem durch das zweite lichtdurchlässige Loch 311b tretenden Lichtstrahl einen Teil vom Lichtstrahl, der auf das erste lichtdurchlässige Loch 311a (wie etwa ein anderes erstes lichtdurchlässiges Loch 311a benachbart zu dem dem zweiten lichtdurchlässigen Loch 311b entsprechenden ersten lichtdurchlässigen Loch 311a) auftrifft, das nicht dem zweiten lichtdurchlässigen Loch 311b entspricht, und austritt, wodurch ein Problem des Lichstrahltübersprechens entsteht. Wenn die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b und der kollimierte Lichtempfangswinkel θ der optischen Pfadstruktur 3 eingestellt worden sind, kann üblicherweise nur gewählt werden, die Periode P des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a/des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a/der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b zu zunehmen, um das Problem des Lichtstrahlübersprechens zu vermeiden. Jedoch wird die Zunahme der Periode P zu einer Verringerung der Anzahl der ersten lichtabschirmenden Schichten 31a und der zweiten lichtabschirmenden Schichten 31b führen, so dass die Anzahl von lichtdurchlässigen Kanälen Q ebenfalls reduziert wird, und die von der optischen Sensorstruktur 2 empfangene Lichtintensität reduziert wird, was für eine Texturerkennung nicht vorteilhaft ist. Es sei darauf hingewiesen, dass sich die „Periode“ von Löchern in den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung speziell auf den Abstand zwischen den Mitten zweier benachbarter Löcher auf derselben Filmschicht bezieht.
In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ist zwischen der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a und der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b mindestens eine dritte lichtabschirmende Schicht 31c vorgesehen, die so konfiguriert ist, dass Lichtstrahl, der durch das zweite lichtdurchlässige Loch 311b hindurchtritt und auf die anderen lichtdurchlässigen Löcher als das ihm entsprechende erste lichtdurchlässige Loch 311a auftrifft, blockieren kann, ohne die Lichtdurchlässigkeit des durch das erste lichtdurchlässige Loch 311a und das zweite lichtdurchlässige Loch 311b definierten lichtdurchlässigen Kanals Q zu beeinflussen, damit das Problem des Lichtstrahlübersprechens effektiv vermieden werden kann und die Genauigkeit der erkannten Texturinformationen verbessert wird. Gleichzeitig wird das Problem des Lichtstrahlübersprechens durch das Vorsehen der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c vermieden, damit die Periode P des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a/des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a/der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b entsprechend verringert werden kann, die Anzahl der ersten lichtdurchlässigen Löcher 311a/der zweiten lichtdurchlässigen Löcher 311b auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a/der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b entsprechend zunimmt, die Anzahl der lichtdurchlässigen Kanäle Q ebenfalls zunimmt, und die von der optischen Sensorstruktur 2 empfangene Lichtintensität erhöht wird, was für die Texturerkennung vorteilhaft ist.
Um zu vermeiden, dass die dritte lichtabschirmende Schicht 31c die Lichtdurchlässigkeit des lichtdurchlässigen Kanals beeinflusst, der durch das erste lichtdurchlässige Loch 311a und das zweite lichtdurchlässige Loch 311b definiert ist, ist die Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c auf der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c im Allgemeinen größer oder gleich der Apertur des dem dritten lichtdurchlässigen Loch 311c entsprechenden ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a, aber je größer die Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c ist, desto kleiner ist der lichtabschirmende Bereich der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c und umso größer ist das Risiko eines Lichtstrahlübersprechens. In praktischen Anwendungen kann die Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c um 20% bis 50% größer sein relativ zu der Aperturgröße des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a/des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 31b und die Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c kann nach unterschiedlichen Szenenerfordernissen ausgelegt und eingestellt werden.
In einigen Ausführungsbeispielen sind die Aperturen des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a, des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b und des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c gleich groß.
In einigen Ausführungsbeispielen sind die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a, die Periode des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b und die Periode des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c auf der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c gleich, und die Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a, die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch 311a entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b und die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch 311a entsprechenden dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c befinden sich auf derselben geraden Linie (der Mittelachse des lichtdurchlässigen Kanals).
Wie in 2c gezeigt, kann in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten 31c zwei oder sogar mehr betragen. Grundsätzlich gilt, je größer die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten 31c ist, desto besser ist die Performance des Anti-Lichtstrahlübersprechs der Struktur, die aus mehreren dritten lichtabschirmenden Schichten 31c besteht, und umso kleiner kann dabei die Periode P des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a/des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a/der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b eingestellt werden. Aber je größer die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten 31c ist, desto mehr Arbeitsabläufe werden benötigt, um die dritte lichtabschirmende Schicht 31c und die lichtdurchlässige Schicht 32 herzustellen, umso länger ist der Herstellungszyklus des Produkts. In Anbetracht der Performance des Anti-Lichtstrahlübersprechs und der Arbeitsabläufe ist die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten 31c in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kleiner oder gleich 3.
Als spezifisches Beispiel ist, wie in 2d gezeigt, die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten 31c eins, wobei die lichtdurchlässige Schicht 32 zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c und der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a eine erste lichtdurchlässige Schicht 32a und die lichtdurchlässige Schicht 32 zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht 31c und der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b eine zweite lichtdurchlässige Schicht 32b ist, wobei die Dicke H1 der ersten lichtdurchlässigen Schicht 32a größer als die Dicke H2 der zweiten lichtdurchlässigen Schicht 32b ist.
In einigen Ausführungsbeispielen sind die Aperturen d des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311 a, des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b und des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c gleich und liegen im Bereich von 2 µm bis 10 µm, die Perioden P des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a, des zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b und des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c sind gleich und liegen im Bereich von 10 µm bis 100 µm, die Dicke H1 der ersten lichtdurchlässigen Schicht 32a liegt im Bereich von 10 µm bis 20 µm und die Dicke H2 der zweiten lichtdurchlässigen Schicht 32b liegt im Bereich von 5 µm bis 15 µm.
Der Abstand zwischen den orthographischen Projektionen der Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und der Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch 311a entsprechenden dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c auf das Substrat 1 ist t und der Abstand zwischen den orthographischen Projektionen der Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und der Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch 311a entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf das Substrat 1 ist X, wobei t und X erfüllen: $t/X = H 1 /H = H 1 / (H 1 + H 2) .$
Als Beispiel beträgt der Neigungswinkel θx der Mittelachse CL des lichtdurchlässigen Kanals 45°, die Apertur d der lichtdurchlässigen Löcher 311a, 311b, 311c auf jeweiligen lichtabschirmenden Schichten 31a, 31b, 31c beträgt 6 µm, die Periode P der lichtdurchlässigen Löcher 311a, 311b, 311c auf jeweiligen lichtabschirmenden Schichten 31a, 31b, 31c beträgt 50 µm, die Dicke H1 der ersten lichtdurchlässigen Schicht 32a beträgt 15 µm und die Dicke H2 der zweiten lichtdurchlässigen Schicht 32b beträgt 10 µm.
θ≈10° kann durch die Formel θ=arctan(X+d)/H-arctan(X-d)/H ermittelt werden.
X=25µm kann durch die Formel X=H*tanθx ermittelt werden.
t=14µm kann durch die Formel t=X*Hl/H ermittelt werden.
In dem oben erwähnten Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist es nur notwendig, mindestens zwei lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht mit einer relativ einfachen Struktur direkt herzustellen, nachdem die optische Sensorstruktur 2 auf dem Substrat 1 hergestellt wurde, damit ein besserer Kollimationseffekt erzielt werden kann, und die Struktur des Bauelements leichter und dünner ist, wodurch die Schwierigkeit des Verarbeitungprozesses des Bauelements verringert werden kann. Probleme, die die Ausbeute beeinträchtigen, wie z. B. Blasen, die durch die Verwendung von einem optischen Klebstoff (OCA) auf dem Texturerkennungsmodul zum Anbringen der optischen Pfadstruktur verursacht werden, sind zu vermeiden. Da darüber hinaus die Filmschicht direkt auf der optischen Sensorstruktur 2 hergestellt wird, um die optische Pfadstruktur 3 zu bilden, kann eine allgemeine Einrichtung zur Filmschichtherstellung auf einem Array-Substrat verwendet werden, um die Herstellung der optischen Pfadstruktur 3 abzuschließen, ohne neue Herstellungseinrichtung hinzuzufügen.
In dem oben erwähnten Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist wie in 2a bis 2c gezeigt, die optische Sensorstruktur 2 im Allgemeinen nur in dem Texturerkennungsbereich A (der im Allgemeinen dem Anzeigebereich im Anzeigefeld entspricht) angeordnet, im Peripheriebereich B ist eine aus dem Texturerkennungsbereich A herausgeführte Verdrahtung angeordnet und in dem Bindungsbereich C ist eine Bindungselektrode 7 angeordnet, wobei die Oberfläche der Bindungselektrode 7 zur Fixierung mit einem Treiberchip freigelegt werden muss. Da die Funktion der optischen Pfadstruktur 3 darin besteht, der von der optischen Sensorstruktur 2 erfasste Lichtstrahl zu kollimieren, muss die Filmschicht der optischen Pfadstruktur 3 die optische Sensorstruktur 2 bedecken und ein Bedecken der Bindungselektrode 7 im Bindungsbereich C vermeiden.
In dem oben erwähnten Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, umfasst wie in 3a bis 3d gezeigt, die optische Sensorstruktur 2 eine Vielzahl von optischen Sensoren 21, die in einem Array angeordnet sind, und einen Treibertransistor 22 für Treiben der optischen Sensoren 21. Dabei umfasst der optische Sensor eine PIN-Fotodiode und eine lichtempfindliche PN-Diode, wobei die PIN-Fotodiode eine zweite Elektrode 213, eine erste Elektrode 211 und eine Halbleiterschicht 212 zwischen der zweiten Elektrode 213 und der ersten Elektrode 211, wobei die erste Elektrode 211 elektrisch mit dem Treibertransistor 22 verbunden ist, so dass der Treibertransistor 22 die an der ersten Elektrode 211 angelegte Spannung steuern kann und dann den Arbeitszustand des optischen Sensors 21 steuern kann. Die Halbleiterschicht 212 umfasst eine P-Halbleiterschicht und eine N-Halbleiterschicht (wie etwa eine N-Si-Schicht), die gestapelt angeordnet sind, oder eine P-Halbleiterschicht (wie etwa eine P-Si-Schicht), eine intrinsische Halbleiterschicht (wie etwa eine intrinsische Si-Schicht) und eine N-Halbleiterschicht (wie etwa N-Si-Schicht), die gestapelt angeordnet sind. Beispielsweise besteht die I-Schicht aus a-Si-Material, die P-Schicht aus mit B-Ionen dotiertem a-Si-Material und die N-Schicht aus mit P-Ionen dotiertem a-Si-Material. In einigen Ausführungsbeispielen ist die zweite Elektrode 213 eine transparente Elektrode und kann aus Materialien wie etwa Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO), Gallium-Zink-Oxid (GZO) und anderen transparenten Metalloxiden bestehen. Die erste Elektrode 211 ist eine Metallelektrode und kann aus Metallmaterialien wie Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Titan (Ti) oder Legierungsmaterialien bestehen. Der Treibertransistor 22 umfasst ein Gate 221, eine Gate-Isolierschicht 222, eine aktive Schicht 223 und eine Source- und Drain-Elektrode 224 (einschließlich einer Source und eines Drains, die beabstandet angeordnet sind).
Es sollte angemerkt werden, dass „transparent“ einer bestimmten Struktur in den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung bedeutet, dass die Struktur Lichtstrahl durchlassen kann, und nicht, dass die Lichtdurchlässigkeit der Struktur 100% beträgt.
Speziell umfasst die optische Sensorstruktur 2 auf dem Substrat 1 ein Gate 221, eine Gate-Isolierschicht 222, eine aktive Schicht 223, eine Source- und Drain-Elektrode 224, eine erste Isolierschicht 225, eine erste Elektrode 211, eine Halbleiterschicht 212, eine zweite Elektrode 213, eine Schutzschicht 231 (im Allgemeinen aus einem transparenten Isoliermaterial), eine zweite Isolierschicht 232, eine Passivierungsschicht 233, eine Vorspannungsleitung 234 und eine Sperrschicht 235, die nacheinander gestapelt angeordnet sind. Darüber hinaus erstreckt sich die Source- und Drain-Elektrode zu einer Seite von PIN, und die orthographische Projektion der Source- und Drain-Elektrode 224 auf das Substrat 1 kann die orthographische Projektion der ersten Elektrode 211 auf das Substrat 1 vollständig bedecken und größer als diese sein, um den lichtempfindlichen Bereich zu erhöhen. Dementsprechend umfasst der Arbeitsablauf zum Herstellen jeder Filmschichtmaske im Texturerkennungsbereich A: Gate 221 → Gate-Isolierschicht 222 → aktive Schicht 223 → Source- und Drain-Elektrode 224 → erste Isolierschicht 225 → erste Elektrode 211 → PIN 212 → zweite Elektrode 213 → zweite Isolierschicht 232 → Passivierungsschicht 233 → Vorspannungsleitung 234 → Sperrschicht 235 usw., wobei das Muster einer Datenleitung 224' auch in der Filmschicht angeordnet wird, wo sich die Source- und Drain-Elektrode 224 befindet, und die zweite Isolierschicht 232 und die Passivierungsschicht 233 jeweils gemustert werden können, so dass die Größen der Durchgangslöcher auf ihnen unterschiedlich sind. 3d ist eine schematische Draufsicht eines optischen Sensors 21 und eines Treibertransistors 22, woraus ersichtlich ist, dass das Durchgangsloch 233b auf der Passivierungsschicht 233 größer ist als das Durchgangsloch 232b auf der zweiten Isolierschicht 232. Die Struktur der optischen Sensorstruktur 2 ist nicht auf die in 3a gezeigte spezifische Struktur beschränkt, und es ist auch möglich, dass wie in 3b gezeigt, die Source- und Drain-Elektrode 224 und die erste Elektrode gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert sind, das heißt, dass die Source- und Drain-Elektrode 224 und die erste Elektrode einstückig ausgebildet sein können, das heißt, dass sich die Source- und Drain-Elektrode zur PIN-Seite erstreckt und als erste Elektrode von PIN gemultiplext ist.
In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung entspricht ein optischer Sensor 21 mehreren ersten lichtdurchlässigen Löchern 311a, ein erstes lichtdurchlässiges Loch 311a entspricht einem optischen Sensor 21 und der von dem ersten lichtdurchlässigen Loch 3 11a austretende Licht wird auf den entsprechenden optischen Sensor 21 auftreffen.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die orthographische Projektion des optischen Sensors 21 auf das Substrat 1 ein Quadrat und die Seitenlänge ist D, die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a ist P, und D und P erfüllen die folgende Beziehung: D=N*P, wobei N eine positive gerade Zahl ist. Diese Einstellung kann die Anzahl der jedem optischen Sensor 2 entsprechenden ersten lichtdurchlässigen Löcher 311a (lichtdurchlässigen Kanäle CL) gleich machen, um die Gleichmäßigkeit des von jedem optischen Sensor 2 empfangenen Lichts sicherzustellen.
In einigen Ausführungsbeispielen liegt der Wert von D aufgrund der Begrenzung des Herstellungsprozesses im Bereich von 10 µm bis 200 µm, der PPI des optischen Sensors 21 beträgt im Allgemeinen 200 bis 500 und die Periode P der lichtdurchlässigen Löcher auf dem lichtabschirmenden Film in der optischen Pfadstruktur 3 liegt im Wertbereich von 10 µm bis 100 µm. Daher entspricht ein optischer Sensor 21 mehreren lichtdurchlässigen Löchern in jeder lichtabschirmenden Schicht, z. B. mehreren bis mehreren hundert lichtdurchlässigen Löchern.
Wie in 4 gezeigt, können die lichtdurchlässigen Löcher 311 in der lichtabschirmenden Schicht 31 matrixartig angeordnet sein, das heißt, die lichtdurchlässigen Löcher 311 sind in der Zeilenrichtung und der Spaltenrichtung ausgerichtet. Die lichtdurchlässigen Löcher 311 in der lichtabschirmenden Schicht 31 können auch in einer sechseckigen Anordnung angeordnet sein, wie in 5 gezeigt. Natürlich können in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung die lichtdurchlässigen Löcher 311 auch auf andere Weise angeordnet sein, und die Lochform der lichtdurchlässigen Löcher 311 kann kreisförmig oder quadratisch sein, was hierin nicht beschränkt ist.
Speziell kann in dem oben erwähnten Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die lichtabschirmende Schicht 31 im Allgemeinen aus einem Material mit stärkerer lichtabschirmender Fähigkeit, wie etwa schwarzem Harz, wie etwa BM, hergestellt sein. Die Prozessparameter jeweiliger lichtabschirmenden Schichten 31 sind im Allgemeinen die gleichen, ihre Dicke ist dünner und beträgt im Allgemeinen 500 Angström bis 16000 Angström, und der OD-Wert jeweiliger lichtabschirmenden Schichten 31 muss nicht weniger als 3 garantiert werden. Dabei bezieht sich der OD-Wert auf die Lichtdurchlässigkeit der Filmschicht, wenn OD-Wert=1, dann beträgt die Lichtdurchlässigkeit der Filmschicht 10%, wenn OD-Wert=2, dann beträgt die Lichtdurchlässigkeit der Filmschicht 1%, wenn OD-Wert=3, dann beträgt die Lichtdurchlässigkeit der Filmschicht 0,1%, und wenn der OD-Wert=4, dann beträgt die Lichtdurchlässigkeit der Filmschicht 0,01%. Das heißt, je größer der OD-Wert ist, desto besser ist der lichtabschirmende Effekt der Filmschicht. Speziell wird die lichtabschirmende Schicht bei der Herstellung im Allgemeinen mit einer Filmschicht auf dem Substrat 1 vollflächig beschichtet, und dann werden die lichtdurchlässigen Löcher mittels Photolithographie oder Nanoprägung hergestellt.
Weiterhin Bezug nehmend auf 2a bis 2d kann in einigen Ausführungsbeispielen die lichtdurchlässige Schicht 32 eine transparente Harzschicht 321 und eine transparente anorganische Isolierschicht 322 umfassen. Zwischen zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten grenzt die transparente Harzschicht 321 an die lichtabschirmende Schicht auf einer dem Substrat 1 nahen Seite an, und die transparente anorganische Isolierschicht 322 grenzt an die lichtabschirmende Schicht auf einer vom Substrat 1 entfernten Seite an.
Speziell können die transparente Harzschicht 321 und die transparente anorganische Isolierschicht 322 in der lichtdurchlässigen Schicht 32 unter Verwendung einer Einrichtung zum Herstellen einer Dünnfilm-Einkapselungsstruktur in einem Array-Substrat hergestellt werden, d. h. die transparente anorganische Isolierschicht 322 kann unter Verwendung einer Einrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zum Herstellen einer anorganischen Dünnfilm-Einkapselungsschicht hergestellt werden, und die transparente Harzschicht 321 kann unter Verwendung einer Einrichtung für Tintenstrahldruck (IJP) zum Herstellen einer organischen Dünnfilm-Einkapselungsschicht hergestellt werden. Nachdem die lichtabschirmende Schicht hergestellt ist, kann die transparente Harzschicht 321 zuerst gebildet werden, um sicherzustellen, dass die erforderliche Dicke der lichtdurchlässigen Schicht 32 insgesamt im Allgemeinen in der Größenordnung von Mikrometern liegt. Dann wird eine transparente anorganische Isolierschicht 322 mit einer dünneren Dicke in der Größenordnung von Nanometern auf der transparenten Harzschicht 321 gebildet. Die Prozessparameter und Dicken jeweiliger transparenten anorganischen Isolierschichten 322 sind im Allgemeinen gleich. Speziell kann die transparente Harzschicht 321 aus Acrylharzmaterial hergestellt sein. Das direkte Beschichten von schwarzem Harzmaterial darauf kann keine Filmschicht mit einer relativ gleichmäßigen Dicke bilden, und es kann Probleme wie eine lokale Materialaggregation auftreten. Daher kann das Hinzufügen der transparenten anorganischen Isolierschicht 322 auf der transparenten Harzschicht 321 die Gleichmäßigkeit der Filmbildung der darauf gebildeten lichtabschirmenden Schicht sicherstellen.
Optional kann in dem oben erwähnten Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, das Material der transparenten anorganischen Isolierschicht 322 Siliziumnitrid oder Siliziumoxynitrid sein, das durch chemische Gasphasenabscheidung bei niedriger Temperatur gebildet wird. Dabei beträgt die Temperatur, die bei der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedriger Temperatur verwendet wird, etwa 80 °C. Da die lichtabschirmende Schicht 31 und die transparente Harzschicht 321 bei niedriger Temperatur hergestellt werden, kann die Verwendung der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedriger Temperatur zum Bilden der transparenten anorganischen Isolierschicht 322 eine durch eine Hochtemperaturumgebung verursachte Beschädigung des Musters der darunterliegenden lichtabschirmenden Schicht und der transparenten Harzschicht 321 vermeiden.
Unter Bezugnahme auf 6 kann sich die lichtabschirmende Schicht 31 in einigen Ausführungsbeispielen von dem Texturerkennungsbereich A zu der angrenzenden Kante des Peripheriebereiches B erstrecken, das heißt, der von der lichtabschirmenden Schicht 31 bedeckte Bereich ist größer als der Texturerkennungsbereich A, um sicherzustellen, dass Streulicht, das von dem Peripheriebereich B auf die optische Sensorstruktur 2 einfällt, blockiert werden kann. Die orthographische Projektion der transparenten Harzschicht 321 auf das Substrat 1 sollte die orthographische Projektion der angrenzenden lichtabschirmenden Schicht 31 auf das Substrat 1 vollständig bedecken. Bei der tatsächlichen Herstellung kann aufgrund der Fließfähigkeit des Harzmaterials die abschließend gebildete transparente Harzschicht 321 von der Kante der lichtabschirmenden Schicht 31 überfließen. Um die Homogenität der Dicke der nachfolgend gebildeten lichtabschirmenden Schicht 31 an der Kantenposition sicherzustellen, sollte daher die orthographische Projektion der auf der transparenten Harzschicht 321 gebildeten transparenten anorganischen Isolierschicht 322 auf das Substrat 1 vollständig bedecken und größer sein als die orthographische Projektion der angrenzenden transparenten Harzschicht 321 auf das Substrat 1.
Unter Bezugnahme auf 6 und 7 kann die optische Pfadstruktur 3 in einigen Ausführungsbeispielen ferner eine Stützwandstruktur 33 umfassen, wobei die Stützwandstruktur 33 um die transparente Harzschicht 321 herum angeordnet ist, und in derselben Schicht wie die an die transparente Harzschicht 321 angrenzende lichtabschirmende Schicht 31 unabhängig davon angeordnet ist.
Speziell wird während der Herstellung der lichtabschirmenden Schicht 31 die Stützwandstruktur 33 um die lichtabschirmende Schicht 31 herum in einem bestimmten Abstand von der Peripherie der lichtabschirmenden Schicht 31 hergestellt. Der Spalt zwischen der lichtabschirmenden Schicht 31 und der Stützwandstruktur 33 dient als Kantenüberlaufbereich E der nachfolgenden transparenten Harzschicht 321. Wenn das Material der transparenten Harzschicht 321 mit bestimmter Fließfähigkeit nachfolgend auf die lichtabschirmende Schicht 31 beschichtet wird, kann die Stützwandstruktur 33 das Problem verhindern, dass die Kante der transparenten Harzschicht 321 zur Außenseite der Stützwandstruktur 33 überläuft. Da beim Herstellen jeder transparenten Harzschicht 321 ein Problem des Kantenüberlaufs auftreten kann, können außer der abschließend hergestellten lichtabschirmenden Schicht 31 andere lichtabschirmende Schichten 31 gleichzeitig mit der Stützwandstruktur 33 hergestellt werden.
Weiter Bezug nehmend auf 3a bis 3c und 6 kann das Texturerkennungsmodul in einigen Ausführungsbeispielen ferner eine Planarisierungsschicht 4 umfassen, die sich zwischen der optischen Pfadstruktur 3 und der optischen Sensorstruktur 2 befindet, wobei die Planarisierungsschicht 4 vollflächig angeordnet ist und nur im Bindungsbereich C ein Hohlmuster aufweist.
Speziell wird, nachdem die optische Sensorstruktur 2 hergestellt ist, zuerst eine Planarisierungsschicht 4 hergestellt, die einerseits für die nachfolgende Bildung der optischen Pfadstruktur 3 darauf günstig ist und andererseits die darunter liegende Filmschicht schützen kann. Die Planarisierungsschicht 4 ist im Bindungsbereich C mit einem Hohlmuster versehen, um die Bindungselektrode 7 für das nachfolgende Binden des Treiberchips freizulegen. Speziell kann das Hohlmuster jeder Bindungselektrode 7 eins zu eins entsprechend angeordnet sein, oder ein Hohlmuster kann in dem gesamten Bindungsbereich C angeordnet werden, was hierin nicht beschränkt ist.
Optional ist in dem oben erwähnten Texturerkennungsmodul, das durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, die Planarisierungsschicht 4 im Allgemeinen aus einem anorganischen isolierenden Material hergestellt. Beispielsweise kann Material wie Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiN) verwendet werden. Dabei hat die Siliziumnitridfilmbildung eine bessere Kompaktheit, was für die Gleichmäßigkeit der Filmbildung der ersten lichtabschirmenden Schicht 31 in der optischen Pfadstruktur 3 auf der Planarisierungsschicht 4 vorteilhaft ist, und wenn die erste lichtabschirmende Schicht geätzt wird, kann die darunterliegende Struktur besser vor dem Einfluss der Ätzlösung geschützt werden. Da jede Filmschicht der optischen Sensorstruktur 2 durch einen Hochtemperaturprozess gebildet wird, kann die Planarisierungsschicht 4 auch durch einen Hochtemperaturprozess gebildet werden, ohne die darunterliegende Filmschicht zu beschädigen. Speziell kann die Planarisierungsschicht 4 unter Verwendung einer Einrichtung zur plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD) hergestellt werden, und ihre Herstellungstemperatur kann etwa 230°C betragen.
Weiter Bezug nehmend auf 3a bis 3c und 6 kann das Texturerkennungsmodul in einigen Ausführungsbeispielen ferner eine Masseabschirmschicht 5 umfassen, die sich zwischen der Planarisierungsschicht 4 und der optischen Sensorstruktur 3 befindet, wobei die Masseabschirmschicht 5 an die Planarisierungsschicht 4 angrenzt, das Muster der Masseabschirmschicht 5 durch das Muster der Planarisierungsschicht 4 bedeckt ist, und die orthographische Projektion der Masseabschirmschicht 5 auf das Substrat 1 die orthographische Projektion der optischen Sensorstruktur 2 auf das Substrat 1 bedeckt. Speziell bedeckt die Masseabschirmschicht 5 den gesamten Fingerabdruckerkennungsbereich oder die Masseabschirmschicht 5 bedeckt nur den lichtempfindlichen Bereich in dem Fingerabdruckerkennungsbereich.
Unter Bezugnahme auf 6 ist die Masseabschirmschicht 5 im Allgemeinen vollflächig in dem Texturerkennungsbereich A angeordnet, um die elektromagnetische Interferenz der externen optischen Sensorstruktur 2 abzuschirmen, und ist im Allgemeinen aus ITO hergestellt, um die Durchlässigkeit sicherzustellen. Die Planarisierungsschicht 4 bedeckt die Masseabschirmschicht 5 vollständig und kann eine Rolle beim Schutz der Masseabschirmschicht 5 spielen, um zu vermeiden, dass die Masseabschirmschicht 5 einer wasserstoffreichen Umgebung ausgesetzt wird und die Indiumionen in dem ITO durch Wasserstoff ersetzt werden, wenn die Filmschicht der optischen Pfadstruktur 3 nachfolgend in der Einrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung hergestellt wird, was zu einem Zerstäubungsproblem der Masseabschirmschicht 5 führt und die Durchlässigkeit beeinträchtigt.
Unter Bezugnahme auf 8a bis 8c und 9 ist der Texturerkennungsbereich in einen lichtempfindlichen Bereich A1, einen Abstandshalterbereich A2 und einen lichtabschirmenden Bereich A3 unterteilt. Der Abstandshalterbereich A2 befindet sich zwischen dem lichtempfindlichen Bereich A1 und dem lichtabschirmenden Bereich A3. Die optische Sensorstruktur 2 ist in dem lichtempfindlichen Bereich A1 und dem lichtabschirmenden Bereich A3 angeordnet und kein Muster ist in dem Abstandshalterbereich A2 angeordnet.
Unter Bezugnahme auf 3e wird in einigen Ausführungsbeispielen, um eine Rauschunterdrückungsverarbeitung an den elektrischen Signalen durchzuführen, die von dem optischen Sensor 21 in dem lichtempfindlichen Bereich A1 ausgegeben werden, eine Rauschunterdrückungsmetallschicht 6 in dem lichtabschirmenden Bereich A3 angeordnet. Im Allgemeinen ist die Rauschunterdrückungsmetallschicht 6 zwischen der Masseabschirmschicht 5 und der optischen Sensorstruktur 2 angeordnet. Eine dritte Isolierschicht 8 ist zwischen der Masseabschirmschicht 5 und der Rauschunterdrückungsmetallschicht 6 angeordnet. Die Rauschunterdrückungsmetallschicht 6 bedeckt den optischen Sensor, der sich in dem lichtabschirmenden Bereich A3 befindet, so dass der lichtabschirmende Bereich A3 stets in einem dunklen Zustand ist. Da der optische Sensor 21 im lichtabschirmenden Bereich A3 keinem Licht ausgesetzt ist, kann das vom optischen Sensor 21 ausgegebene Signal als Rauschsignal (elektrisches Signalrauschen) zum Entrauschen des vom lichtempfindlichen Bereich A1 ausgegebenen Signals verwendet werden. Um jedoch das Muster der oben genannten Rauschunterdrückungsmetallschicht herzustellen, ist es notwendig, einen speziellen Herstellungsarbeitsablauf und eine Maske zum Durchführen des Musterungsprozesses zu konfigurieren, was zu einer Erhöhung des Herstellungszyklus und der Kosten führt.
Um die obigen technischen Probleme zu lösen, stellen die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung eine andere Lösung bereit. In einigen Ausführungsbeispielen bedeckt die orthographische Projektion mindestens einer lichtabschirmenden Schicht auf das Substrat den lichtabschirmenden Bereich vollständig. Zur Vereinfachung der Beschreibung wird der Teil, wo die orthographische Projektion der lichtabschirmenden Schicht auf das Substrat den lichtabschirmenden Bereich vollständig bedeckt, als Teil M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung bezeichnet. Die optische Sensorstruktur 2 ist in dem lichtempfindlichen Bereich A1 und dem lichtabschirmenden Bereich A3 angeordnet, und im Abstandshalterbereich A2 ist kein Muster angeordnet. In 9 sind in einem Kasten mehrere optische Sensoren 21 dargestellt, die in einem Array in dem lichtempfindlichen Bereich A1 und dem lichtabschirmenden Bereich A3 angeordnet sind. Der Teil M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung kann den Abstandshalterbereich A2 und den lichtabschirmenden Bereich A3 bedecken, und die Masseabschirmschicht 5 bedeckt den lichtempfindlichen Bereich A1, den Abstandshalterbereich A2 und den lichtabschirmenden Bereich A3. Das heißt, es kann davon ausgegangen werden, dass die optischen Sensorstrukturen 2 im lichtabschirmenden Bereich A3 und im lichtempfindlichen Bereich A1 gleich sind, und der Unterschied zwischen den beiden darin besteht, dass der Teil M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung der lichtabschirmenden Schicht im lichtabschirmenden Bereich A3 nicht mit einem Lichtdurchgangsloch versehen ist. 3c zeigt die optische Sensorstruktur im lichtabschirmenden Bereich A3. 3a zeigt die optische Sensorstruktur im lichtempfindlichen Bereich A1.
Aufgrund des Vorhandenseins des Teils M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung kann der optische Sensor 21 im lichtabschirmenden Bereich A3 keinem Licht ausgesetzt werden, so dass das davon ausgegebene Signal als Rauschsignal (elektrisches Signalrauschen) zum Entrauschen des vom lichtempfindlichen Bereich A1 ausgegebenen Signals verwendet werden kann. In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung wird die lichtabschirmende Schicht in der optischen Pfadstruktur 3 zum Bedecken des lichtabschirmenden Bereiches A3 verwendet, um die Rauschunterdrückungsmetallschicht im Stand der Technik zu ersetzen, wodurch der Herstellungszyklus des Produktes effektiv verkürzt werden kann und die Produktionskosten reduziert werden.
Es sei darauf hingewiesen, dass in 3c beispielhaft eine Situation, in der die orthographische Projektion jeder lichtabschirmenden Schicht auf das Substrat den lichtabschirmenden Bereich A3 vollständig bedeckt, dargestellt ist, die nur als Beispiel dient und die technische Lösung der vorliegenden Offenbarung nicht einschränkt. In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung wird die Rauschunterdrückungsmetallschicht (wie in 3e gezeigt) separat angeordnet oder die lichtabschirmende Schicht in der optischen Pfadstruktur 3 (wie in 3c gezeigt) verwendet, um den lichtabschirmenden Bereich A3 abzuschirmen, was zum Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung gehört.
Im Allgemeinen liest der Lesechip Daten in einem Zyklus von 32 Spalten von optischen Sensoren 21, daher kann, um den Rauschunterdrückungsverarbeitung zu erleichtern, ein ganzzahliges Vielfaches von 32 Spalten von optischen Sensoren 21 in dem lichtabschirmenden Bereich A3 angeordnet werden. In dem Abstandshalterbereich A2 zwischen dem lichtempfindlichen Bereich A1 und dem lichtabschirmenden Bereich A3 ist jedoch kein optischer Sensor 21 angeordnet, und der Abstandshalterbereich A2 kann im Allgemeinen mit einem Abstand von mindestens zwei Spalten von optischen Sensoren 21 vorgesehen werden, um gegenseitige Störungen zwischen dem Signal des lichtempfindlichen Bereichs A1 und dem Signal des lichtabschirmenden Bereichs A3 zu vermeiden.
In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung kann der lichtabschirmende Bereich A3 auf zumindest einer von vier Seiten angeordnet werden, nämlich auf einer dem Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 nahen Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1, auf einer vom Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 entfernten Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1, auf einer dem Datentreiberchip-Bindungsbereich C2 nahen Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1, auf einer vom Datentreiberchip-Bindungsbereich C2 entfernten Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1. Die orthographische Projektion des zwischen der Masseabschirmschicht 5 und der optischen Sensorstruktur 2 angeordneten Teils M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung auf das Substrat 1 kann sich auf einer dem Bindungsbereich C benachbarten Seite des Texturerkennungsbereichs A befinden, um die Rauschinterferenz zwischen der optischen Sensorstruktur 2 und dem an den Bindungsbereich C gebundenen Treiberchip zu reduzieren.
Unter Bezugnahme auf 8a bis 8c kann sich der lichtabschirmende Bereich A3 in einigen Ausführungsbeispielen auf einer Seite oder zwei gegenüberliegenden Seiten oder zwei sich schneidenden Seiten des lichtempfindlichen Bereichs A1 befinden.
Als Beispiel wird der Fall genommen, in dem der Bindungsbereich C den Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 auf der rechten Seite des Texturerkennungsbereichs A und den Datentreiberchip-Bindungsbereich C2 auf der unteren Seite des Texturerkennungsbereichs A umfasst. Unter Bezugnahme auf 8a befindet sich der lichtabschirmende Bereich A3 auf einer Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1, speziell befindet sich der lichtabschirmende Bereich A3 auf der dem Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 nahen Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1 (das heißt, im rechten Teil des Texturerkennungsbereichs A), und das Muster des Teils M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung wird im rechten Teil des Texturerkennungsbereichs A angeordnet. Unter Bezugnahme auf 8b befindet sich der lichtabschirmende Bereich A3 auf zwei gegenüberliegenden Seiten des lichtempfindlichen Bereichs A1, speziell befinden sich die zwei lichtabschirmenden Bereiche A3 jeweils auf der dem Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 nahen Seite und der vom Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 entfernten Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1 (das heißt, in dem linken Teil und dem rechten Teil des Texturerkennungsbereichs A), und das Muster des Teils M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung wird in dem linken Teil und dem rechten Teil des Texturerkennungsbereichs A angeordnet. Unter Bezugnahme auf 8c befindet sich der lichtabschirmende Bereich A3 auf zwei sich schneidenden Seiten des lichtempfindlichen Bereichs A1, speziell befinden sich die zwei lichtabschirmenden Bereiche A3 jeweils auf der dem Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 nahen Seite und der dem Datentreiberchip-Bindungsbereich C2 nahen Seite des lichtempfindlichen Bereichs A1 (das heißt, in dem rechten Teil und dem unteren Teil des Texturerkennungsbereichs A), und das Muster des Teils M zur Rauschunterdrückung und Lichtabschirmung wird in dem rechten Teil und dem unteren Teil des Texturerkennungsbereichs A angeordnet.
Es sollte angemerkt werden, dass die in 8a bis 8c gezeigte Positionsbeziehung zwischen dem lichtabschirmenden Bereich A3 und dem lichtempfindlichen Bereich A1 nur als Beispiel dient und die technische Lösung der vorliegenden Offenbarung nicht einschränkt.
Unter Bezugnahme auf 10a bis 10e umfasst das Texturerkennungsmodul in einigen Ausführungsbeispielen ferner eine Bindungselektrode, die sich in dem Bindungsbereich befindet, wobei sich die Bindungselektrode und die Vorspannungsleitung in derselben Filmschicht befinden. Dabei ist die Filmschicht, in der sich die Vorspannungsleitung befindet, im Allgemeinen aus Metallmaterialien hergestellt, wie etwa Molybdän (MO), Titan/Aluminium/Titan (Ti/Al/Ti) und dergleichen.
Der Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 auf der rechten Seite des Texturerkennungsbereichs A wird im Allgemeinen zum Binden von Gatetreiberchips verwendet, und der Datentreiberchip-Bindungsbereich C2 auf der unteren Seite des Texturerkennungsbereichs A wird im Allgemeinen zum Binden von Datentreiberchips oder Datenlesechips. Zur Vereinfachung der Beschreibung wird, wie in 8d gezeigt, die Bindungselektrode im Gatetreiberchip-Bindungsbereich C1 als erste Bindungselektrode 71 bezeichnet, und die Bindungselektroden im Datentreiberchip-Bindungsbereich C2 werden als zweite Bindungselektrode 72 und dritte Bindungselektrode 73 bezeichnet. Die erste Bindungselektrode 71 wird verwendet, um ein Signal an das Gate 221 bereitzustellen, die zweite Bindungselektrode 72 wird verwendet, um eine Verbindung mit der Source- und Drain-Elektrode 224 herzustellen, und die dritte Bindungselektrode 73 wird verwendet, um ein Signal an die Vorspannungsleitung 234 bereitzustellen.
Um die Verbindung unterschiedlicher Arten von Bindungselektroden mit entsprechenden Komponenten zu erleichtern, können unter jeweiligen Bindungselektroden entsprechende Verbindungselektroden zu Filmschichten angeordnet werden, in den sich die zu verbindenden Komponenten befinden.
Unter Bezugnahme auf 10a bis 10c gibt es in einigen Ausführungsbeispielen zwischen der ersten Bindungselektrode 71 und dem Substrat 1 eine erste Verbindungselektrode 91 in einer Filmschicht, wo sich das Gate 221 befindet, eine zweite Verbindungselektrode 92 in einer Filmschicht, wo sich die Source- und Drain-Elektrode 224 befindet, und eine dritte Verbindungselektrode 93 in einer Filmschicht, wo sich die erste Elektrode 211 befindet, wobei die erste Verbindungselektrode 71 elektrisch mit der zweiten Verbindungselektrode 92 durch ein erstes Durchgangsloch 222a verbunden ist, das die Gate-Isolierschicht 222 durchdringt, die zweite Verbindungselektrode 92 elektrisch mit der dritten Verbindungselektrode 93 durch ein zweites Durchgangsloch 225a verbunden ist, das die erste Isolierschicht 225 durchdringt, und die dritte Verbindungselektrode 93 elektrisch mit der ersten Bindungselektrode 71 durch ein drittes Durchgangsloch 233a verbunden ist, das die Passivierungsschicht 233 durchdringt, wobei die erste Verbindungselektrode 71 elektrisch mit dem Gate 221 durch eine Gate-Leitung und eine Fan-out-Leitung der Gate-Leitung verbunden ist.
Unter Bezugnahme auf 10c beträgt in einigen Ausführungsbeispielen die Anzahl der ersten Durchgangslöcher 222a, der zweiten Durchgangslöcher 225a und der dritten Durchgangslöcher 233a, die einer ersten Bindungselektrode 71 entsprechen, jeweils mindestens zwei, und die orthographischen Projektionen der ersten Durchgangslöcher 222a, der zweiten Durchgangslöcher 225a und der dritten Durchgangslöcher 233a auf das Substrat 1 überlappen einander nicht und sind abwechselnd entlang der Erstreckungsrichtung der ersten Bindungselektroden 71 angeordnet. Zusätzlich ist auf der Sperrschicht 235 auch ein Bindungs-Durchgangsloch 8a vorgesehen, das die erste Bindungselektrode 71 freilegt. Im Allgemeinen entspricht eine erste Bindungselektrode 71 einem Bindungs-Durchgangsloch 8a und die orthographische Projektion des Bindungs-Durchgangslochs 8a auf das Substrat 1 bedeckt gleichzeitig das erste Durchgangsloch 222a, das zweite Durchgangsloch 225a und das dritte Durchgangsloch 233a. Speziell kann das Vorsehen mehrerer erster Durchgangslöcher 222a, zweiter Durchgangslöcher 225a und dritter Durchgangslöcher 233a die Verbindungsausbeute verbessern und den Widerstand verringern, und die versetzten Anordnung des ersten Durchgangslochs 222a, des zweiten Durchgangslochs 225a und des dritten Durchgangslochs 233a kann die Verbindungsausbeute verbessern. Darüber hinaus liegt, wie in 10b gezeigt, die Ausführungsform, in der die jeweiligen Durchgangslöcher einander überlappen oder teilweise überlappen, auch innerhalb des Schutzumfangs der vorliegenden Offenbarung.
Unter Bezugnahme auf 10d gibt es in einigen Ausführungsbeispielen zwischen der zweiten Bindungselektrode 72 und dem Substrat 1 eine vierte Verbindungselektrode 95 in einer Filmschicht, wo sich die Source- und Drain-Elektrode 224 befindet, und eine fünfte Verbindungselektrode 96 in einer Filmschicht, wo sich die erste Elektrode 213 befindet, wobei die vierte Verbindungselektrode 95 elektrisch mit der fünften Verbindungselektrode 96 durch ein viertes Durchgangsloch verbunden ist, das die erste Isolierschicht 225 durchdringt, und die fünfte Verbindungselektrode 96 elektrisch mit der zweiten Bindungselektrode 72 durch ein fünftes Durchgangsloch verbunden ist, das die zweite Passivierungsschicht 233 durchdringt, wobei die vierte Verbindungselektrode 95 durch eine Datenleitung und eine Fan-out-Leitung der Datenleitung elektrisch mit der Source- und Drain-Elektrode 224 verbunden ist. Ähnlich der Verbindungsbeziehung zwischen den ersten Bindungselektroden 71 und den entsprechenden Verbindungselektroden können die der zweiten Bindungselektroden 72 entsprechenden Durchgangslöcher auch versetzt angeordnet sein, und es kann eine Vielzahl von ihnen geben, was hier nicht ausführlich beschrieben wird.
Unter Bezugnahme auf 10e ist die dritte Bindungselektrode 73 elektrisch mit der Vorspannungsleitung durch eine Vorspannung-Fan-out-Leitung verbunden.
Um den Einfluss des durch das den Fingerabdruck passierende Umgebungslicht angeregten Pigmentlichts auf die Genauigkeit der Texturerkennung weiter zu reduzieren, ist in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung eine Filterschicht auf einer vom Substrat entfernten Seite der Halbleiterschicht 212 angeordnet, wobei die Filterschicht so konfiguriert ist, dass die zentrale Wellenlänge von Lichtstrahl, der durch die Filterschicht tritt, kleiner als 600 nm ist, das heißt, dass die Filterschicht eine bessere Filterwirkung auf Lichtstrahl mit einer Wellenlänge von mehr als 600 nm haben kann. Mit anderen Worten, Lichtstrahl mit einer Wellenlänge von weniger als 600 nm kann die Filterschicht passieren.
Unter Bezugnahme auf 10f stellt die horizontale Achse in 10f die Wellenlänge des durch die Textur angeregten Pigmentlichts in Nanometern (nm) dar, und die vertikale Achse stellt die Anregungsrate in % (Prozent) dar, wobei die jeder Wellenlänge entsprechende Anregungsrate die Wahrscheinlichkeit darstellt, dass die Textur das Pigmentlicht dieser Wellenlänge anregt. Aus 10f ist ersichtlich, dass die Wellenlängen des durch die Textur angeregten Pigmentlichts in etwa über 600 nm liegen. Daher kann in Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung sichergestellt werden, dass die Filterschicht den größten Teil des Pigmentlichts herausfiltern kann, um die Interferenz des Pigmentlichts auf die Texturerkennung zu reduzieren, indem die Filterschicht so eingestellt wird, dass die Wellenlänge größer als 600 nm herausgefiltert wird.
In einigen Ausführungsbeispielen ist die Filterschicht dazu konfiguriert, um Lichtstrahl mit einer Wellenlänge von 480 nm bis 580 nm durchzulassen. Das heißt, die zentrale Wellenlänge des Lichtstrahls, der durch den Filterfilm tritt, kann zwischen 480 Nanometer und 580 Nanometer liegen. Als ein Beispiel stellt wie in 10g gezeigt, die horizontale Achse in 10g die Wellenlänge des Lichts in nm dar, und die vertikale Achse in 10g stellt die Lichtdurchlässigkeit der Filterschicht in % dar. Aus 10g ist ersichtlich, dass die Wellenlänge des durch die Filterschicht tretenden Lichtstrahls hauptsächlich zwischen 480 nm und 580 nm liegt.
In einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung ist eine Filterschicht auf einer von dem Substrat entfernten Seite der Halbleiterschicht 212 vorgesehen, um den größten Teil des durch die Textur angeregten Pigmentlichts herauszufiltern, wodurch das in die Halbleiterschicht 212 eintretende Pigmentlicht reduziert wird. Auf diese Weise wird der Grad der Interferenz von Pigmentlicht bei der Texturerkennung verringert und die Genauigkeit der Texturerkennung verbessert.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst das Material der Filterschicht ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion, und das Harzmaterial kann Licht mit einer Wellenlänge von mehr als 600 Nanometern effektiv herausfiltern. Beispielhaft kann das Material des Harzes das gleiche sein wie das des grünen Farbenwiderstands.
Unter Bezugnahme auf 2a bis 3c umfasst das Material der zweiten Isolierschicht 232 in einigen Ausführungsbeispielen ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion, und die Filterschicht und die zweite Isolierschicht 232 sind gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert (das heißt, die zweite Isolierschicht 232 wird als Filterschicht gemultiplext), und/oder das Material der Sperrschicht 235 umfasst ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion, und die Filterschicht und die Sperrschicht 235 sind gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert (d. h. die Sperrschicht 235 wird als Filterschicht gemultiplext), und/oder die lichtdurchlässige Schicht umfasst eine transparente Harzschicht 321 und eine transparente anorganische Isolierschicht 322, und zwischen zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten grenzt die transparente Harzschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der dem Substrat nahen Seite an, die transparente anorganische Isolierschicht 322 grenzt an die lichtabschirmende Schicht auf der vom Substrat entfernten Seite an, und das Material der transparenten Harzschicht 321 umfasst ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion, und die Filterschicht und die transparente Harzschicht 321 sind gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert (d. h. die transparente Harzschicht 321 wird als Filterschicht gemultiplext).
Natürlich kann die Filterschicht in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung auch als eine unabhängige Filmschicht vorliegen, die sich von der zweiten Isolierschicht 232/Sperrschicht 235/transparenten Harzschicht 321 unterscheidet, und in diesem Fall ist keine entsprechende Zeichnung gegeben.
Unter Bezugnahme auf 11 stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung basierend auf demselben erfinderischen Konzept auch eine Anzeigevorrichtung bereit, die ein von den obigen Ausführungsbeispielen bereitgestelltes Texturerkennungsmodul 100 und ein Anzeigefeld 200 auf dem Texturerkennungsmodul 100 umfasst, wobei das Anzeigefeld 200 und das Texturerkennungsmodul 100 durch einen optischen Klebstoff 300 (OCA) fixiert sind.
Speziell werden in der oben erwähnten Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, nachdem die optische Sensorstruktur 2 auf dem Substrat 1 in dem Texturerkennungsmodul 100 hergestellt ist, mindestens zwei lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht mit einer relativ einfachen Struktur direkt hergestellt, damit ein besserer Kollimationseffekt erzielt werden kann, und die Struktur des Bauelements ist leichter und dünner, wodurch die Schwierigkeit des Verarbeitungprozesses des Bauelements verringert werden kann. Probleme, die die Ausbeuterate beeinträchtigen, wie z. B. Blasen, die durch die Verwendung von einem optischen Klebstoff (OCA) auf dem Texturerkennungsmodul 100 zum Anbringen der optischen Pfadstruktur verursacht werden, sind zu vermeiden. Da darüber hinaus die Filmschicht direkt auf der optischen Sensorstruktur 2 hergestellt wird, um die optische Pfadstruktur 3 zu bilden, kann eine allgemeine Einrichtung zur Filmschichtherstellung auf einem Array-Substrat verwendet werden, um die Herstellung der optischen Pfadstruktur 3 abzuschließen, ohne neue Herstellungseinrichtung hinzuzufügen.
In einigen Ausführungsbeispielen kann das Anzeigefeld 200 ein Anzeigefeld mit einer organischen Leuchtdiode (Organic Light Emitting Diode, OLED) oder ein Anzeigefeld mit einer Quantenpunkt-Leuchtdiode (Quantum Dot Light Emitting Diodes, QLED) usw. sein, dies wird nicht in Ausführungsbeispielen der vorliegenden Offenbarung speziell definiert. Das OLED-Anzeigefeld kann beispielsweise ein flexibles OLED-Anzeigefeld sein. Beispielsweise haben das OLED-Anzeigefeld und das QLED-Anzeigefeld Selbstbeleuchtungseigenschaften, und die Lichtemission von ihren Anzeigepixeleinheiten kann nach Bedarf gesteuert oder moduliert werden, was die Texturerfassung erleichtern und zur Verbesserung des Integrationsgrads von Geräten beitragen kann.
Das OLED-Anzeigefeld umfasst im Allgemeinen eine flexible OLED-Anzeigerückwand 210, einen Polarisator 220 und eine Schutzabdeckung 230, die nacheinander entlang einer von dem Texturerkennungsmodul entfernten Richtung gestapelt angeordnet sind. Das Material der Schutzabdeckung 230 kann Polyimid PI sein. Das Substrat der flexiblen OLED-Anzeigerückwand 210 ist ein flexibles Substrat, und das spezifische Material kann PI oder andere flexible Materialien sein.
In einigen Ausführungsbeispielen liegt die Dicke des OLED-Anzeigefeldes im Wertbereich von 0,2 mm bis 1,5 mm.
Speziell kann das OLED-Anzeigefeld eine flexible Anzeige realisieren, z. B. kann es je nach tatsächlichem Bedarf zu einem Faltbildschirm hergestellt werden. Darüber hinaus können leichte und dünne Felder realisiert und die von Kunden geforderten Felddickenanforderungen erfüllt werden, indem die Schutzabdeckung 230 in dem OLED-Anzeigefeld aus PI-Material hergestellt ist. Beispielsweise kann eine angeforderte Dicke des ultradünnen Faltbildschirms erreicht werden, ihre Wertbereich 0,4 mm bis 0,65 mm beträgt, um die Designanforderungen des Faltbildschirms zu erfüllen.
Unter Bezugnahme auf 12 kann in einigen Ausführungsbeispielen die optische Pfadstruktur 3 in dem Texturerkennungsmodul 100 in der oben erwähnten Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, zwei lichtabschirmende Schichten 31a, 31b und eine lichtdurchlässige Schicht 32 umfassen, wobei der Abstand zwischen den zwei lichtabschirmenden Schichten 31a, 31b verwendet wird, um die Höhe der optischen Pfadstruktur 3 zu bestimmen, und wobei die lichtdurchlässigen Löcher 311a, 311b in der lichtabschirmenden Schicht 31 verwendet werden, um den kollimierten Lichtempfangswinkel zu bestimmen. Die in 12 gezeigte optische Pfadstruktur 3 umfasst speziell eine erste lichtabschirmende Schicht 31a, eine transparente Harzschicht 321, eine transparente anorganische Isolierschicht 322 und eine zweite lichtabschirmende Schicht 31b, die nacheinander auf der optischen Sensorstruktur 2 gestapelt angeordnet sind.
Die erste lichtabschirmende Schicht 31a umfasst erste lichtdurchlässige Löcher 311a, die in einem Array angeordnet sind, und die zweite lichtabschirmende Schicht 31b umfasst zweite lichtdurchlässige Löcher 311b, die in einem Array angeordnet sind. Die Periode der ersten lichtdurchlässigen Löcher 311a ist die gleiche wie die der zweiten lichtdurchlässigen Löcher 311b, die ersten lichtdurchlässigen Löcher 311a und die zweiten lichtdurchlässigen Löcher 311b entsprechen eins zu eins, und die orthographischen Projektionen des ersten lichtdurchlässigen Lochs 3 und des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat 1 überlappen nicht.
Da die orthographischen Projektionen des ersten lichtdurchlässigen Lochs 311a und des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs 311b auf das Substrat 1 nicht überlappen, ist der durch das erste lichtdurchlässige Loch 311a und das ihm entsprechende zweite lichtdurchlässige Loch 311b definierte lichtdurchlässige Kanal Q schräg angeordnet. In der Verwendungsumgebung mit starkem Umgebungslicht kann das Umgebungslicht mit einem kleinen Einfallswinkel von 0° und nahe 0° die optische Pfadstruktur 3 nicht passieren, so dass die Lichtintensität des Umgebungslichts, das die optische Sensorstruktur 2 erreicht, deutlich reduziert wird, was für die Verbesserung der Genauigkeit der Texturerkennung vorteilhaft ist.
Weiter Bezug nehmend auf 12 hat der von dem OLED-Anzeigefeld emittierte Lichtstrahl im Allgemeinen einen maximalen Lichtstrahlwinkel, der als θmax bezeichnet wird, und θmax repräsentiert auch den maximalen Winkel des Lichts, das von dem Finger reflektiert wird. Wenn die optische Pfadstruktur 3 eine zweischichtige lichtabschirmende Schichtstruktur annimmt, erfüllen zum Verhindern von Lichtstrahlübersprechen der Abstand H zwischen den zwei lichtabschirmenden Schichten, der Neigungswinkel θx der Mittelachse des lichtdurchlässigen Kanals Q, der maximale Winkel θmax des vom Finger reflektierten Lichts und die Periode P der lichtdurchlässigen Löcher auf der lichtabschirmenden Schicht (die Apertur und die Periode der lichtdurchlässigen Löcher auf den zwei lichtabschirmenden Schichten sind gleich) die folgende Beziehung: $P \geq (tan θ x + tan θ max) * H,$
das heißt, zu diesem Zeitpunkt ist der Minimalwert von P (tanθx+tanθmax)*H, wodurch das Problem des Lichtstrahlübersprechens effektiv verhindert werden kann.
Unter Bezugnahme auf 13 und 14 kann in einigen Ausführungsbeispielen die optische Pfadstruktur 3 in dem Texturerkennungsmodul 100 in der oben erwähnten Anzeigevorrichtung, die durch ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ferner drei oder mehr lichtabschirmende Schichten umfassen. Dabei kann die Anzahl der lichtdurchlässigen Schichten 32 auch entsprechend zunehmen. Durch Anordnen mindestens einer dritten lichtabschirmenden Schicht 31c zwischen der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a und der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b kann die dritte lichtabschirmende Schicht 31c Lichtstrahl blockieren, der durch das zweite lichtdurchlässige Loch 311b hindurchtritt und auf die anderen lichtdurchlässigen Löcher als das ihm entsprechende erste lichtdurchlässige Loch 311a auftrifft, damit das Problem des Lichtstrahlübersprechens effektiv vermieden und die Genauigkeit der erkannten Texturinformationen verbessert werden kann. Gleichzeitig kann die Periode P der lichtdurchlässigen Löcher auf der ersten lichtabschirmenden Schicht 31a und der zweiten lichtabschirmenden Schicht 31b auch verringert werden. Dabei hängt der Mindestwert der Periode P von Faktoren wie der Anzahl, der Position der dritten lichtabschirmenden Schichten 31c und der Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs 311c ab, und theoretisch gesprochen kann der Mindestwert der Periode P nahe an der Apertur d des lichtdurchlässigen Lochs liegen.
Die Anzeigevorrichtung umfasst auch Signalleitungen (einschließlich Gateleitungen, Datenleitungen, Detektionsleitungen usw.) zum Bereitstellen elektrischer Signale (einschließlich Abtastsignale, Datensignale, Detektionssignale usw.) und der Lichtemissionszustand des lichtemittierenden Bauelements kann durch eine Treiberschaltung gesteuert werden, um Sub-Pixel-Beleuchtung zu realisieren.
Wie in 15a bis 15c gezeigt, kann die Anzeigevorrichtung in einigen Ausführungsbeispielen ferner einen Mittelrahmen 400 umfassen, wobei der Mittelrahmen 400 eine Bodenplatte 401 und eine Seitenwand 402 umfasst, die durch Biegen der Kante der Bodenplatte 401 in Richtung der Vorderseite gebildet wird, wobei die Bodenplatte 401 und die Seitenwand 402 eine Aufnahmenut bilden, in der das Texturerkennungsmodul und das Anzeigefeld 200 befestigt sind, wobei das Anzeigefeld 200 sich auf der von der Bodenplatte 401 entfernten Seite des Texturerkennungsmoduls befindet. Dabei bezieht sich die Vorderseite der Bodenplatte 401 speziell auf eine Seite der Bodenplatte 401, auf der die Seitenwand 402 gebildet ist, und die Rückseite und die Vorderseite sind gegenüberliegende Flächen auf der Bodenplatte 401.
Unter Bezugnahme auf 15a ist das Texturerkennungsmodul als eine Ausführung an der Bodenplatte 401 befestigt. Beispielhaft wird das Substrat 1 in dem Texturerkennungsmodul auf der Vorderseite der Bodenplatte 401 durch Klebstoff (wie etwa doppelseitiges Klebeband, OC-Kleber usw.) befestigt, um die Fixierung des Texturerkennungsmoduls 100 und des Anzeigefeldes 200 mit dem Mittelrahmen 400 zu realisieren.
Unter Bezugnahme auf 15b ist als eine weitere Ausführung eine stufenförmige Stützstruktur an der Seitenwand 402 gebildet, und das Anzeigefeld 200 ist an der stufenförmigen Stützstruktur 404 befestigt. Beispielhaft wird das Anzeigefeld 200 an der stufenförmigen Stützstruktur 404 durch Klebstoff (wie z. B. doppelseitiges Klebeband, OC-Kleber usw.) befestigt, um die Fixierung des Texturerkennungsmoduls 100 und des Anzeigefeldes 200 mit dem Mittelrahmen 400 zu realisieren.
Um die Befestigungsfestigkeit zu erhöhen, kann das Anzeigefeld 200 natürlich auch an der stufenförmigen Stützstruktur 400 befestigt werden, während das Texturerkennungsmodul fest mit der Bodenplatte 401 verbunden ist.
In einigen Ausführungsbeispielen ist ein Durchgangsloch 403 auf der Bodenplatte 401 gebildet, und die Anzeigevorrichtung umfasst ferner eine flexible Leiterplatte 501 zur Texturerkennung und einen Chip 502 zur Texturerkennung, wobei die flexible Leiterplatte 501 zur Texturerkennung durch das Durchgangsloch 403 verläuft, mit einem Ende elektrisch mit der Bindungselektrode im Bindungsbereich innerhalb des Texturerkennungsmodul 100 verbunden ist (im Allgemeinen die elektrische Verbindung durch einen Bindungsprozess realisiert wird), und mit einem anderen Ende elektrisch mit dem Chip 502 zur Texturerkennung auf der Rückseite der Bodenplatte 401 verbunden ist (im Allgemeinen die elektrische Verbindung durch einen Festkristallfilmprozess realisiert wird). Ebenso können auch der (nicht gezeigte) Anzeigechip und die flexible Anzeigeleiterplatte 50.3 auf die gleiche Weise elektrisch mit dem Anzeigefeld 200 verbunden werden, das sich in der Aufnahmenut befindet.
In einigen Ausführungsbeispielen hat das Anzeigefeld ferner funktionelle Schichten wie etwa eine Verkapselungsschicht und eine Berührungssteuerungsschicht. Für diese funktionellen Schichten kann auf verwandte Technologien verwiesen werden, und Details werden hier nicht wiederholt.
Die von diesem Ausführungsbeispiel bereitgestellte Anzeigevorrichtung kann ein beliebiges Produkt oder eine beliebige Komponente mit einer Texturerkennungsfunktion sein, wie beispielsweise ein Mobiltelefon, ein Tablet-Computer, ein Monitor oder ein Notebook-Computer, dafür Ausführungsbeispiele der vorliegenden Offenbarung nicht speziell definieren.
Auf der Grundlage desselben erfinderischen Konzepts stellt ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung auch ein Herstellungsverfahren für ein Texturerkennungsmodul bereit, das zum Herstellen des von den vorherigen Ausführungsbeispielen bereitgestellten Texturerkennungsmoduls verwendet werden kann. Unter Bezugnahme auf 16 ist das Texturerkennungsmodul in einen Texturerkennungsbereich und einen um den Texturerkennungsbereich befindlichen Peripheriebereich unterteilt ist, der einen Bindungsbereich umfasst, wobei das Herstellungsverfahren umfasst:

Schritt S1 - Bereitstellen eines Substrats,
Schritt S2 - Bilden einer optischen Sensorstruktur auf dem Substrat und in dem Texturerkennungsbereich,
Schritt S3 - Bilden einer optischen Pfadstruktur auf der optischen Sensorstruktur, wobei die optische Pfadstruktur zumindest in dem Texturerkennungsbereich liegt und den Bindungsbereich nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur auftreffender Lichtstrahl nur von den lichtdurchlässigen Kanälen passieren kann, und wobei die optische Pfadstruktur mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht umfasst, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befindet, wobei auf einer lichtabschirmenden Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, erste lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf einer lichtabschirmenden Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, zweite lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei ein erstes lichtdurchlässiges Loch und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch einen lichtdurchlässigen Kanal definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat nicht mit der orthographischen Projektion des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat überlappt.

In dem oben erwähnten Herstellungsverfahren, das durch das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ist es nur notwendig, mindestens zwei lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht mit einer relativ einfachen Struktur direkt herzustellen, nachdem die optische Sensorstruktur auf dem Substrat hergestellt wurde, damit ein besserer Kollimationseffekt erzielt werden kann, und die Struktur des Bauelements leichter und dünner ist, wodurch die Schwierigkeit des Verarbeitungprozesses des Bauelements verringert werden kann. Probleme, die die Ausbeuterate beeinträchtigen, wie z. B. Blasen, die durch die Verwendung von einem optischen Klebstoff (OCA) auf dem Texturerkennungsmodul zum Anbringen der optischen Pfadstruktur verursacht werden, sind zu vermeiden. Da darüber hinaus die Filmschicht direkt auf der optischen Sensorstruktur hergestellt wird, um die optische Pfadstruktur zu bilden, kann eine allgemeine Einrichtung zur Filmschichtherstellung auf einem Array-Substrat verwendet werden, um die Herstellung der optischen Pfadstruktur abzuschließen, ohne neue Herstellungseinrichtung hinzuzufügen.
In einigen Ausführungsbeispielen kann die lichtabschirmende Schicht in der optischen Pfadstruktur im Allgemeinen aus einem Material mit stärkerer lichtabschirmender Fähigkeit, wie schwarzem Harz, wie etwa BM, hergestellt sein. Die Prozessparameter jeweiliger lichtabschirmender Schichten sind im Allgemeinen gleich. Speziell wird bei der Herstellung der lichtabschirmenden Schicht im Allgemeinen eine Filmschicht auf dem Substrat vollflächig beschichtet, und dann werden die lichtdurchlässigen Löcher mittels Photolithographie oder Nanoprägung hergestellt.
In einigen Ausführungsbeispielen umfasst der Prozess des Bildens der lichtdurchlässigen Schicht im Prozess des Bildens der optischen Pfadstruktur: Bilden einer transparenten Harzschicht auf der lichtabschirmenden Schicht durch einen Tintenstrahldruckprozess, Bilden einer transparenten anorganischen Isolierschicht, die die transparente Harzschicht bedeckt, auf der transparenten Harzschicht durch einen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei niedriger Temperatur.
Speziell können die transparente Harzschicht und die transparente anorganische Isolierschicht in der lichtdurchlässigen Schicht unter Verwendung einer Einrichtung zum Herstellen einer Dünnfilm-Einkapselungsstruktur in einem Array-Substrat hergestellt werden, d. h. die transparente anorganische Isolierschicht kann unter Verwendung einer Einrichtung für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zum Herstellen einer anorganischen Dünnfilm-Einkapselungsschicht hergestellt werden, und die transparente Harzschicht kann unter Verwendung einer Einrichtung für Tintenstrahldruck (UP) zum Herstellen einer organischen Dünnfilm-Einkapselungsschicht hergestellt werden. Nachdem die lichtabschirmende Schicht hergestellt ist, kann die transparente Harzschicht zuerst gebildet werden, um sicherzustellen, dass die erforderliche Dicke der lichtdurchlässigen Schicht insgesamt im Allgemeinen in der Größenordnung von Mikrometern liegt. Dann wird eine transparente anorganische Isolierschicht mit einer dünneren Dicke in der Größenordnung von Nanometern auf der transparenten Harzschicht gebildet. Die Prozessparameter und Dicken jeweilger transparenten anorganischen Isolierschichten sind im Allgemeinen gleich. Speziell kann die transparente Harzschicht aus Acrylharzmaterial hergestellt sein. Das direkte Beschichten von schwarzem Harzmaterial darauf kann keine Filmschicht mit einer relativ gleichmäßigen Dicke bilden, und es kann Probleme wie eine lokale Materialaggregation auftreten. Daher kann das Hinzufügen der transparenten anorganischen Isolierschicht auf der transparenten Harzschicht die Gleichmäßigkeit der Filmbildung der darauf gebildeten lichtabschirmenden Schicht sicherstellen.
Speziell wird in dem obigen Herstellungsverfahren, das durch das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt wird, ein Niedertemperaturprozess verwendet, um die optische Pfadstruktur zu bilden. Speziell beträgt die im Niedertemperaturprozess verwendete Temperatur etwa 80°C. Da die lichtabschirmende Schicht und die transparente Harzschicht bei niedriger Temperatur hergestellt werden, kann die Verwendung der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedriger Temperatur zum Bilden der transparenten anorganischen Isolierschicht eine durch eine Hochtemperaturumgebung verursachte Beschädigung des Musters der darunterliegenden lichtabschirmenden Schicht und der transparenten Harzschicht vermeiden.
In einigen Ausführungsbeispielen gibt es vor Schritt S2 noch einen Schritt des Bildens einer Masseabschirmschicht auf der optischen Sensorstruktur und einen Schritt des Bildens einer Planarisierungsschicht auf der Masseabschirmschicht durch plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung, wobei die Planarisierungsschicht vollflächig auf dem Substrat angeordnet ist und nur im Bindungsbereich ein Hohlmuster hat.
Die Masseabschirmschicht ist im Allgemeinen vollflächig in dem Texturerkennungsbereich angeordnet, um die elektromagnetische Interferenz der externen optischen Sensorstruktur abzuschirmen, und ist im Allgemeinen aus ITO hergestellt, um die Durchlässigkeit sicherzustellen. Die Planarisierungsschicht bedeckt die Masseabschirmschicht vollständig und kann eine Rolle beim Schutz der Masseabschirmschicht spielen, um zu vermeiden, dass die Masseabschirmschicht einer wasserstoffreichen Umgebung ausgesetzt wird und die Indiumionen in dem ITO durch Wasserstoff ersetzt werden, wenn die Filmschicht der optischen Pfadstruktur nachfolgend in der Einrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung hergestellt wird, was zu einem Zerstäubungsproblem der Masseabschirmschicht führt und die Durchlässigkeit beeinträchtigt.
Es versteht sich, dass die obigen Ausführungsformen nur beispielhafte Ausführungsformen sind, die angenommen wurden, um das Prinzip der vorliegenden Offenbarung zu veranschaulichen, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Für Fachleute auf dem Gebiet können verschiedene Varianten und Verbesserungen vorgenommen werden, ohne von Geist und Wesen der vorliegenden Offenbarung abzuweichen, und diese Varianten und Verbesserungen werden auch als Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung angesehen.

Claims

Texturerkennungsmodul, das in einen Texturerkennungsbereich und einen um den Texturerkennungsbereich befindlichen Peripheriebereich unterteilt ist, der einen Bindungsbereich umfasst, wobei das Texturerkennungsmodul umfasst: ein Substrat, eine optische Sensorstruktur, die sich auf dem Substrat und in dem Texturerkennungsbereich befindet, eine optische Pfadstruktur, die sich auf einer dem Substrat abgewandten Seite der optischen Sensorstruktur befindet, zumindest in dem Texturerkennungsbereich liegt und den Bindungsbereich nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur auftreffender Lichtstrahl von den lichtdurchlässigen Kanälen passieren kann, wobei die optische Pfadstruktur mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht umfasst, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befindet, wobei auf einer lichtabschirmenden Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, erste lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf einer lichtabschirmenden Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, zweite lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei das erste lichtdurchlässige Loch und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch einen lichtdurchlässigen Kanal definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat nicht mit der orthographischen Projektion des entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat überlappt.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 1, wobei eine Linie, die die Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs und die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs verbindet, eine Mittelachse des definierten lichtdurchlässigen Kanals bildet, wobei die Mittelachse mit der Normalen der Ebene, in der sich das Substrat befindet, einen Neigungswinkel θx bildet, wobei der Wertebereich von θx ist: [40°, 72°].
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 1 oder 2, wobei der kollimierte Lichtempfangswinkel θ der optischen Pfadstruktur die folgende Beziehung erfüllt, θ=arctan(X+d)/H-arctan(X-d)/H, wobei X der Abstand zwischen der orthographischen Projektion der Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs und der orthographischen Projektion der Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat ist, d die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs und des zweiten lichtdurchlässigen Lochs ist, und H der Abstand zwischen dem ersten lichtdurchlässigen Loch und dem zweiten lichtdurchlässigen Loch in einer Richtung senkrecht zu dem Substrat ist.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 3, wobei der Wertebereich von θ ist: (0°, 60°].
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 1, wobei die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs gleich der Apertur des zweiten lichtdurchlässigen Lochs ist.
Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Anzahl der lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur zwei beträgt.
Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Anzahl der lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur größer oder gleich drei ist, und die mindestens zwei lichtabschirmenden Schichten umfassen: eine erste lichtabschirmende Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, eine zweite lichtabschirmende Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, und mindestens eine dritte lichtabschirmende Schicht, die sich zwischen der ersten lichtabschirmenden Schicht und der zweiten lichtabschirmenden Schicht befindet, wobei auf der dritten lichtabschirmenden Schicht dritte lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei die Mitte des dritten lichtdurchlässigen Lochs sich in dem lichtdurchlässigen Kanal befindet, der durch das dem dritten lichtdurchlässigen Loch entsprechende erste lichtdurchlässige Loch und das zweite lichtdurchlässige Loch definiert ist.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 7, wobei die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf der ersten lichtabschirmenden Schicht, die Periode des zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf der zweiten lichtabschirmenden Schicht und die Periode des dritten lichtdurchlässigen Lochs auf der dritten lichtabschirmenden Schicht gleich sind, und die Mitte des ersten lichtdurchlässigen Lochs, die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs und die Mitte des dem ersten lichtdurchlässigen Loch entsprechenden dritten lichtdurchlässigen Lochs sich auf derselben geraden Linie befinden.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 8, wobei die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs, die Apertur des zweiten lichtdurchlässigen Lochs und die Apertur des dritten lichtdurchlässigen Lochs gleich sind.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 9, wobei die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur eins beträgt.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 10, wobei die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der ersten lichtabschirmenden Schicht eine erste lichtdurchlässige Schicht ist, und die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der zweiten lichtabschirmenden Schicht eine zweite lichtdurchlässige Schicht ist, wobei die Dicke der ersten lichtdurchlässigen Schicht größer ist als die Dicke der zweiten lichtdurchlässigen Schicht.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 10, wobei die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der ersten lichtabschirmenden Schicht eine erste lichtdurchlässige Schicht ist, und die lichtdurchlässige Schicht zwischen der dritten lichtabschirmenden Schicht und der zweiten lichtabschirmenden Schicht eine zweite lichtdurchlässige Schicht ist, wobei die Apertur des ersten lichtdurchlässigen Lochs im Bereich von 2 µm bis 10 µm liegt, die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs 10 µm bis 100 µm beträgt, die Dicke der ersten lichtdurchlässigen Schicht im Bereich von 10 µm bis 20 µm liegt, und die Dicke der zweiten lichtdurchlässigen Schicht im Bereich von 5 µm bis 15 µm liegt.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 8, wobei die Anzahl der dritten lichtabschirmenden Schichten in der optischen Pfadstruktur zwei oder drei beträgt.
Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Texturerkennungsbereich in einen lichtempfindlichen Bereich, einen Abstandshalterbereich und einen lichtabschirmenden Bereich unterteilt ist, wobei der Abstandshalterbereich sich zwischen dem lichtempfindlichen Bereich und dem lichtabschirmenden Bereich befindet, wobei die optische Sensorstruktur in dem lichtempfindlichen Bereich und dem lichtabschirmenden Bereich angeordnet ist, und im Abstandshalterbereich kein Muster angeordnet ist, und wobei die orthographische Projektion mindestens einer der lichtabschirmenden Schichten auf das Substrat den lichtabschirmenden Bereich vollständig bedeckt.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 14, wobei der lichtabschirmende Bereich sich auf einer Seite oder zwei gegenüberliegenden Seiten oder zwei sich schneidenden Seiten des lichtempfindlichen Bereichs befindet.
Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die lichtdurchlässige Schicht eine transparente Harzschicht und eine transparente anorganische Isolierschicht umfasst, und wobei zwischen zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten die transparente Harzschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der dem Substrat nahen Seite angrenzt, und die transparente anorganische Isolierschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der vom Substrat entfernten Seite angrenzt.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 16, wobei die lichtabschirmende Schicht sich von dem Texturerkennungsbereich zu einer angrenzenden Kante des Peripheriebereiches erstreckt, wobei die orthographische Projektion der transparenten Harzschicht auf das Substrat vollständig die orthographische Projektion der angrenzenden lichtabschirmenden Schicht auf das Substrat bedeckt, und wobei die orthographische Projektion der transparenten anorganischen Isolierschicht auf das Substrat vollständig bedeckt und größer ist als die orthographische Projektion der angrenzenden transparenten Harzschicht auf das Substrat.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 17, wobei die optische Pfadstruktur ferner eine Stützwandstruktur umfasst, wobei die Stützwandstruktur um die transparente Harzschicht herum angeordnet ist, sich in derselben Filmschicht wie die an die transparente Harzschicht angrenzende lichtabschirmende Schicht befindet und unabhängig davon angeordnet ist.
Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei die optische Sensorstruktur mehrere optische Sensoren umfasst, die in einem Array angeordnet sind, wobei einer der optischen Sensoren mehreren der ersten lichtdurchlässigen Löcher entspricht, und eines der ersten lichtdurchlässigen Löcher einem der optischen Sensoren entspricht.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 19, wobei die orthographische Projektion des optischen Sensors auf das Substrat ein Quadrat ist und die Seitenlänge D ist, und die Periode des ersten lichtdurchlässigen Lochs P ist, wobei D und P die folgende Beziehung erfüllen: D=N*P, wobei N eine positive gerade Zahl ist.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 20, wobei der Wert von D im Bereich von 10 µm bis 200 µm liegt.
Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 21, wobei die optische Sensorstruktur ein Gate, eine Gate-Isolierschicht, eine aktive Schicht, eine Source- und Drain-Elektrode, eine erste Isolierschicht, eine erste Elektrode, eine Halbleiterschicht, eine zweite Elektrode, eine Schutzschicht, eine zweite Isolierschicht, eine Passivierungsschicht, eine Vorspannungsleitung und eine Sperrschicht umfasst, die nacheinander entlang einer vom Substrat entfernten Richtung gestapelt angeordnet sind.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 22, wobei die orthographische Projektion der Source- und Drain-Elektrode auf das Substrat vollständig bedeckt und größer ist als die orthographische Projektion der ersten Elektrode auf das Substrat.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 22, wobei die Source- und Drain-Elektrode in direktem Kontakt mit der Halbleiterschicht steht, und die Source- und Drain-Elektrode sich in derselben Filmschicht wie die erste Elektrode befindet.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 22, wobei es ferner eine Planarisierungsschicht umfasst, die sich zwischen der optischen Pfadstruktur und der optischen Sensorstruktur befindet, wobei die Planarisierungsschicht vollflächig angeordnet ist und nur im Bindungsbereich ein Hohlmuster aufweist.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 25, wobei es ferner eine Masseabschirmschicht umfasst, die sich zwischen der Planarisierungsschicht und der optischen Sensorstruktur befindet, wobei die Masseabschirmschicht an die Planarisierungsschicht angrenzt, das Muster der Masseabschirmschicht durch das Muster der Planarisierungsschicht bedeckt ist, und die orthographische Projektion der Masseabschirmschicht auf das Substrat die optische Sensorstruktur bedeckt.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 22, wobei es ferner eine Bindungselektrode umfasst, die sich in dem Bindungsbereich befindet, wobei die Bindungselektrode sich in derselben Filmschicht wie die Vorspannungsleitung befindet.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 27, wobei der Bindungsbereich einen Gatetreiberchip-Bindungsbereich umfasst, wobei die Bindungselektroden in dem Gatetreiberchip-Bindungsbereich eine erste Bindungselektrode umfassen, wobei zwischen der ersten Bindungselektrode und dem Substrat eine erste Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich das Gate befindet, eine zweite Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die Source- und Drain-Elektrode befindet, und eine dritte Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die erste Elektrode befindet, vorhanden sind, und wobei die erste Verbindungselektrode elektrisch mit der zweiten Verbindungselektrode durch ein erstes Durchgangsloch verbunden ist, das die Gate-Isolierschicht durchdringt, die zweite Verbindungselektrode elektrisch mit der dritten Verbindungselektrode durch ein zweites Durchgangsloch verbunden ist, das die erste Isolierschicht durchdringt, und die dritte Verbindungselektrode elektrisch mit der ersten Bindungselektrode durch ein drittes Durchgangsloch verbunden ist, das die Passivierungsschicht durchdringt, wobei die erste Verbindungselektrode elektrisch mit dem Gate durch eine Gate-Leitung und eine Fan-out-Leitung der Gate-Leitung verbunden ist.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 28, wobei die Anzahl der ersten Durchgangslöcher, der zweiten Durchgangslöcher und der dritten Durchgangslöcher, die einer der ersten Bindungselektroden entsprechen, jeweils mindestens zwei beträgt, und die orthographischen Projektionen der ersten Durchgangslöcher, der zweiten Durchgangslöcher und der dritten Durchgangslöcher auf das Substrat nicht einander überlappen und abwechselnd entlang der Erstreckungsrichtung der ersten Bindungselektroden angeordnet sind.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 27, wobei der Bindungsbereich ferner einen Datentreiberchip-Bindungsbereich umfasst, wobei die Bindungselektroden in dem Datentreiberchip-Bindungsbereich eine zweite Bindungselektrode und eine dritte Bindungselektrode umfassen, wobei zwischen der zweiten Bindungselektrode und dem Substrat eine vierte Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die Source- und Drain-Elektrode befindet, und eine fünfte Verbindungselektrode in einer Filmschicht, wo sich die erste Elektrode befindet, vorhanden sind, wobei die vierte Verbindungselektrode elektrisch mit der fünften Verbindungselektrode durch ein viertes Durchgangsloch verbunden ist, das die erste Isolierschicht durchdringt, und die fünfte Verbindungselektrode elektrisch mit der zweiten Bindungselektrode durch ein fünftes Durchgangsloch verbunden ist, das die Passivierungsschicht durchdringt, wobei die vierte Verbindungselektrode durch eine Datenleitung und eine Fan-out-Leitung der Datenleitung elektrisch mit der Source- und Drain-Elektrode verbunden ist, und wobei die dritte Bindungselektrode durch eine Vorspannung-Fan-out-Leitung elektrisch mit der Vorspannungsleitung verbunden ist.
Texturerkennungsmodul nach Anspruch 22, wobei eine Filterschicht auf einer von dem Substrat entfernten Seite der Halbleiterschicht angeordnet ist, wobei die Filterschicht so konfiguriert ist, dass die zentrale Wellenlänge von Lichtstrahl, der durch die Filterschicht tritt, kleiner als 600 nm ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 31, wobei die Filterschicht dazu konfiguriert ist, um Lichtstrahl mit einer Wellenlänge von 480 nm bis 580 nm durchzulassen.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 31, wobei das Material der zweiten Isolierschicht ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion umfasst, und die Filterschicht und die zweite Isolierschicht gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert sind, und/oder das Material der Sperrschicht ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion umfasst, und die Filterschicht und die Sperrschicht gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert sind, und/oder die lichtdurchlässige Schicht eine transparente Harzschicht und eine transparente anorganische Isolierschicht umfasst, und zwischen zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten die transparente Harzschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der dem Substrat nahen Seite angrenzt, und die transparente anorganische Isolierschicht an die lichtabschirmende Schicht auf der von dem Substrat entfernten Seite angrenzt, wobei das Material der transparenten Harzschicht ein Harzmaterial mit einer Filterfunktion umfasst, und die Filterschicht und die transparente Harzschicht gemultiplext und in derselben Filmschicht kombiniert sind.
Anzeigevorrichtung, die ein Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 33 und ein Anzeigefeld auf dem Texturerkennungsmodul umfasst, wobei das Anzeigefeld und das Texturerkennungsmodul durch einen optischen Klebstoff fixiert sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 34, wobei das Anzeigefeld ein OLED-Anzeigefeld ist, wobei das OLED-Anzeigefeld eine OLED-Anzeigerückwand, einen Polarisator und eine Schutzabdeckung umfasst, die nacheinander entlang einer von dem Texturerkennungsmodul entfernten Richtung gestapelt angeordnet sind, wobei das Material der Schutzabdeckung Polyimid umfasst.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 35, wobei die Dicke des OLED-Anzeigefeldes im Wertbereich von 0,2 mm bis 1,5 mm liegt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 36, wobei die Dicke des OLED-Anzeigefeldes im Wertbereich von 0,4 mm bis 0,65 mm liegt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 34, wobei sie ferner einen Mittelrahmen umfasst, wobei der Mittelrahmen eine Bodenplatte und eine Seitenwand umfasst, die durch Biegen der Kante der Bodenplatte in Richtung der Vorderseite gebildet ist, wobei die Bodenplatte und die Seitenwand eine Aufnahmenut bilden, in der das Texturerkennungsmodul und das Anzeigefeld befestigt sind, wobei das Anzeigefeld sich auf einer von der Bodenplatte entfernten Seite des Texturerkennungsmoduls befindet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 38, wobei das Texturerkennungsmodul auf der Bodenplatte befestigt ist, und/oder an der Seitenwand eine stufenförmige Stützstruktur gebildet ist, an der das Anzeigefeld befestigt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 38, wobei ein Durchgangsloch auf der Bodenplatte gebildet ist, und die Anzeigevorrichtung ferner eine flexible Leiterplatte zur Texturerkennung und einen Chip zur Texturerkennung umfasst, wobei die flexible Leiterplatte zur Texturerkennung durch das Durchgangsloch verläuft, mit einem Ende elektrisch mit der Bindungselektrode im Bindungsbereich innerhalb des Texturerkennungsmoduls verbunden ist, und mit einem anderen Ende elektrisch mit dem Chip zur Texturerkennung auf der Rückseite der Bodenplatte verbunden ist.
Herstellungsverfahren für ein Texturerkennungsmodul nach einem der Ansprüche 1 bis 33, wobei das Texturerkennungsmodul in einen Texturerkennungsbereich und einen um den Texturerkennungsbereich befindlichen Peripheriebereich unterteilt ist, der einen Bindungsbereich umfasst, wobei das Herstellungsverfahren umfasst: Bereitstellen eines Substrats, Bilden einer optischen Sensorstruktur auf dem Substrat und in dem Texturerkennungsbereich, Bilden einer optischen Pfadstruktur auf der optischen Sensorstruktur, wobei die optische Pfadstruktur zumindest in dem Texturerkennungsbereich liegt und den Bindungsbereich nicht bedeckt, wobei die optische Pfadstruktur so konfiguriert ist, dass sie eine Vielzahl von lichtdurchlässigen Kanälen aufweist und ein auf die optische Pfadstruktur auftreffender Lichtstrahl nur von den lichtdurchlässigen Kanäle passieren kann, und wobei die optische Pfadstruktur mindestens zwei gestapelt angeordnete lichtabschirmende Schichten und eine lichtdurchlässige Schicht umfasst, die sich zwischen jeweils zwei benachbarten lichtabschirmenden Schichten befindet, wobei auf einer lichtabschirmenden Schicht, die der optischen Sensorstruktur am nächsten liegt, erste lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die in einem Array angeordnet sind, und auf einer lichtabschirmenden Schicht, die am weitesten von der optischen Sensorstruktur entfernt ist, zweite lichtdurchlässige Löcher vorgesehen sind, die den ersten lichtdurchlässigen Löchern eins zu eins entsprechen, wobei das erste lichtdurchlässige Loch und ein ihm entsprechendes zweites lichtdurchlässiges Loch einen lichtdurchlässigen Kanal definieren, und die orthographische Projektion des ersten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat nicht mit der orthographischen Projektion des ihm entsprechenden zweiten lichtdurchlässigen Lochs auf das Substrat überlappt.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 41, wobei der Schritt des Bildens der lichtabschirmenden Schicht im Prozess des Bildens der optischen Pfadstruktur umfasst: Bilden einer lichtabschirmenden Materialfolie, Behandeln der lichtabschirmenden Materialfolie durch einen Photolithographieprozess oder einen Nanoprägeprozess, um lichtdurchlässige Löcher auf der lichtabschirmenden Materialfolie zu bilden.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 41, wobei der Schritt des Bildens der lichtdurchlässigen Schicht im Prozess des Bildens der optischen Pfadstruktur umfasst: Bilden einer transparenten Harzschicht auf der lichtabschirmenden Schicht durch einen Tintenstrahldruckprozess, Bilden einer transparenten anorganischen Isolierschicht, die die transparente Harzschicht bedeckt, auf der transparenten Harzschicht durch einen chemischen Gasphasenabscheidungsprozess bei niedriger Temperatur.