DE102007060012A1

DE102007060012A1 - Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors

Info

Publication number: DE102007060012A1
Application number: DE102007060012A
Authority: DE
Inventors: Ki Jun Suwon Yun; Sang Il Wonju Hwang
Original assignee: Dongbu HitekCo Ltd
Current assignee: DB HiTek Co Ltd
Priority date: 2006-12-29
Filing date: 2007-12-13
Publication date: 2008-07-10
Also published as: US20080156767A1; CN101211815B; CN101211815A; KR20080062825A; JP2008166762A

Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors wird bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird eine Niedertemperaturoxidschicht auf einer Farbfilterschicht ausgebildet, und ein Photolackmuster wird auf der Niedertemperaturoxidschicht ausgebildet. Danach wird eine Wärmebehandlung auf dem Photolackmuster durchgeführt, um Opfermikrolinsen auszubilden. Die Opfermikrolinsen und die Niedertemperaturoxidschicht werden geätzt, um vorläufige Mikrolinsen auszubilden, die in der Niedertemperaturoxidschicht ausgebildet sind. Die vorläufigen Mikrolinsen werden geätzt, um Mikrolinsen auszubilden, die einen kleineren Krümmungsradius im Vergleich zu dem der vorläufigen Mikrolinsen aufweisen.

Description

HINTERGRUND
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Herstellungsverfahren desselben. Ein Bildsensor ist ein Halbleiterbauteil, um optische Bilder in elektrische Signale umzuwandeln. Eines der Probleme, die bei der Fertigung eines Bildsensors gelöst werden müssen, ist die Erhöhung der Umwandlungsrate von einfallenden Lichtsignalen in elektrische Signale (d. h. die Empfindlichkeit).
Verschiedene Verfahren zum Verwirklichen eines Abstands von Null, der zulässt, dass kein Abstand zwischen benachbarten Mikrolinsen, die eine Mikrolinsenreihe bilden, erstellt wird, wurden bei der Ausbildung der Mikrolinsen zum Verdichten von Licht vorgeschlagen.
Wenn Mikrolinsen mit Photolack gebildet werden, können Partikel wie Polymer an den Mikrolinsen während eines Prozesses zum Schleifen der Wafer (Scheiben)-Rückseite und eines Prozesses zum Sägen des Wafers haften bleiben. Die Partikel auf den Mikrolinsen verringern nicht nur die Empfindlichkeit eines Bildsensors, sondern reduzieren auch die Fertigungsausbeute auf Grund von Schwierigkeiten, die Mikrolinsen zu säubern. Dementsprechend wurden eine Vielzahl von Verfahren zum Ausbilden einer Mikrolinse mit einer Niedertemperaturoxid (LTO, Low Temperature Oxide)-Schicht erprobt.
Auch hat das Profil einer Mikrolinse einen direkten Einfluss auf eine Brennweite einer Mikrolinse. Daher kann ein Verfahren zum Verringern des Krümmungsradius von Mikrolinsen und in der Folge der Brennweite der Mikrolinsen eine Verringerung der Gesamtgröße eines Bildsensorbauteils ermöglichen.
ÜBERSICHT
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung bieten ein Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors, der die Empfindlichkeit eines Bildsensorbauteils erhöhen kann und die Größe des Bauteils durch Verringern des lichtverdichtenden Wegs (d. h. der Brennweite) reduzieren kann.
In einer Ausführungsform umfasst ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors:
Ausbilden einer Niedertemperaturoxidschicht auf einer Farbfilterschicht;
Ausbilden eines Photolackmusters auf der Niedertemperaturoxidschicht;
Durchführen einer Wärmebehandlung auf den Photolackmustern, um Opfermikrolinsen auszubilden; vorzugsweise Ätzen der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht, um vorläufige Mikrolinsen auszubilden, die aus der Niedertemperaturoxidschicht ausgebildet sind; und
sekundäres Ätzen der vorläufigen Mikrolinsen, um Mikrolinsen auszubilden, die einen kleineren Krümmungsradius im Vergleich zu dem der vorläufigen Mikrolinsen aufweisen.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine Querschnittsansicht, die ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht, wobei die Opfermikrolinsen 15 über einer Niedertemperaturoxidschicht 13 ausgebildet werden.
2 ist eine Querschnittansicht, die ein Herstellungsverfahren eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform zeigt, wobei die Niedertemperaturoxidschicht 13 geätzt wird, um vorläufige Mikrolinsen 13a auszubilden.
3 ist eine Querschnittsansicht, die ein Herstellungsverfahrens eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht, wobei vorläufige Mikrolinsen 13a geätzt werden, um Mikrolinsen 13b zu bilden.
4 ist eine Querschnittansicht eines konzeptionellen Bildsensors gemäß einer Ausführungsform, der einen kleineren Krümmungsradius und eine kleinere Brennweite aufweist.
5 ist eine Querschnittansicht, die einen Bildsensor gemäß einer Ausführung veranschaulicht, wobei der Bildsensor eine abstandsverringernde Schicht 17 enthält.
6 ist ein Diagramm, das die Prozessbedingungen in einem Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors erläutert, wobei das Ätzselektivitätsverhältnis des Niedertemperaturoxids zum Photolack von der Menge an O₂-Gas in der Ätzatmophäre abhängt.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
In der Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung versteht es sich, dass wenn eine Schicht (oder Film), ein Gebiet, ein Muster oder eine Struktur als "auf/über" oder "unter/unterhalb" einem anderen Substrat, einer anderen Schicht (oder Film), einem anderen Gebiet, einem anderen Pad oder einem anderen Muster liegend bezeichnet wird, dies direkt auf dem anderen Substrat, der anderen Schicht (oder dem Film), dem anderen Gebiet, dem anderen Pad oder dem anderen Muster sein kann oder auch dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können. Weiterhin versteht es sich, dass wenn eine Schicht (oder Film), ein Gebiet, ein Muster, ein Pad oder eine Struktur als "zwischen" zwei Schichten (oder Filmen), Gebieten, Pads oder Mustern liegend bezeichnet wird, dies die einzige Schicht zwischen den beiden Schichten (oder Filmen), Gebieten, Pads oder Mustern sein kann oder eine oder mehrere dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können. Dies sollte somit nach der technischen Idee der Erfindung bestimmt werden.
Im Folgenden werden die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung im Detail mit Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. 1 bis 3 sind Querschnittansichten, die ein Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigen.
Gemäß dem Verfahren wird eine Niedertemperaturoxid (LTO)-Schicht (LTO) 13 auf einer unteren Struktur 11 ausgebildet, und dann werden Opfermikrolinsen 15 auf der LTO-Schicht 13 ausgebildet, wie in 1 dargestellt.
Die untere Struktur 11 kann Photodioden enthalten. Die untere Struktur 11 kann weiterhin eine Farbfilterschicht über den Photodioden sowie eine Planarisierungsschicht, die auf oder über der Farbfilterschicht ausgebildet ist, aufweisen. Um eine Beschädigung der unter der Farbfilterschicht liegenden Strukturen, die Photolack enthalten können, und der Planarisierungsschicht zu vermeiden, werden die Prozesse zum Ausbilden der Mikrolinsen darüber vorzugsweise bei einer Temperatur von weniger als etwa 250°C durchgeführt.
Die Opfermikrolinsen 15 können mit einem Photolack ausgebildet werden. Zum Beispiel können die Opfermikrolinsen 15 durch Ausbilden eines Photolackmusters auf der LTO-Schicht 13 gebildet werden und durch Durchführen einer Wärmebehandlung wie einem thermischen Verfließen auf den Photolackmustern. Das Photolackmuster kann durch Aufbringen eines Photolackmaterials (z. B. Polymer-Photolack) durch ein herkömmliches Verfahren (z. B. Aufschleudern des Photolacks auf das Substrat) und nachfolgend durch Behandeln des Photolacks mit einer Wärmebehandlung der Photolackschicht (z. B. durch thermisches Verfließen bei einer Temperatur von etwa 120 bis etwa 250°C, zum Beispiel von etwa 150 bis etwa 200°C) ausgebildet werden. Das thermische Verfließen bewirkt auch, dass das Photolackmaterial konvexe oder gekrümmte Bereiche auf der Oberfläche ausbildet, und es kann bewirken, dass die Photolackschicht härtet, was zur Ausbildung von Opfermikrolinsen 15 führt.
Die LTO–Schicht enthält verschiedene Niedertemperaturoxidschichten, die bei Temperaturen unter etwa 200°C ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die LTO-Schicht ein SiO₂ (z. B. ein plasmainduziertes Silan-basiertes Oxid, ein TEOS-basiertes Oxid usw.) enthalten oder daraus gebildet sein. Andere Oxide, die auch bei Temperaturen unter 250°C verarbeitet werden können, können ebenso verwendet werden. Die Oxidschichten können durch chemisches Aufdampfen (CVD, Chemical Vapor Deposition) gebildet werden, wobei es sich um eine plasmagestützte [PECVD oder HDPCVD] oder Niederdruck [LPCVD])- oder Flächenaufbringung handeln kann.
In der Folge werden gemäß einem Herstellungsverfahren eines Bildsensors nach einer Ausführungsform vorläufige ausgebildete Mikrolinsen 13a der LTO-Schicht durch Ätzen der Opfermikrolinsen 15 und der LTO-Schicht 13 ausgebildet, wie in 2 veranschaulicht. Die Opfermikrolinsen 15 und die LTO-Schicht 13 werden durch nicht-selektives (z. B. mit einer Ätzselektivität von etwa 1:1 für die Opfermikrolinsen zum transparenten Material), gerichtetes (z. B. anisotropes) Ätzen geätzt. Das Profil der Opfermikrolinsen 15, einschließlich der konvexen Mikrolinsentopologie, wird im Wesentlichen auf die geätzte LTO-Schicht 13 übertragen (d. h. die vorläufigen Mikrolinsen 13a). In der Folge können die Mikrolinsen 13a in dem LTO-Material ausgebildet werden.
Somit können die Opfermikrolinsen 15 und die LTO-Schicht 13 durch einen Flächenätzprozess mit einem Ätzverhältnis von etwa 1:1 geätzt werden. Das Ätzen der Opfermikrolinsen 15 und der LTO-Schicht 13 kann ausgeführt werden, bis die Mikrolinsen 15 vollständig entfernt sind.
Das Ätzen der Opfermikrolinsen 15 und der LTO-Schicht 13 kann durch ein Ätzmedium mit einer (Hydro)Halogenkohlenstoff-Verbindung und einem Sauerstoffgas (Oxygen Source Gas) durchgeführt werden. Der (Hydro)Halogenkohlenstoff kann ein Gas mit der Formel CH_yX_4-y sein (wobei y ≦ 2, und X ein Halogen ist: F, Cl, Br, und/oder I). Vorzugsweise ist der (Hydro)Halogenkohlenstoff CF₄ oder CHF₃. Das Sauerstoffgas kann O₂, O₃, N₂O und/oder SO_x umfassen. Das Sauerstoffgas ist vorzugsweise O₂. Beim Ätzen der Opfermikrolinsen 15 und der LTO-Schicht 13 können der (Hydro)Halogenkohlenstoff (z. B. CF₄) und das Sauerstoffgas (z. B. O₂) in eine Ätzkammer als Ätzgas im Verhältnis imnem Bereich von 3:1 bis 30:1 eingeleitet werden. Vorzugsweise werden der (Hydro)Halogenkohlenstoff und das Sauerstoffgas in einem Verhältnis von 9:1 verwendet. Das (Hydro)Halogenkohlenstoff (z. B. CF₄)-Ätzmedium kann mit 10–30 sccm und das Sauerstoffgas (z. B. O₂) kann mit 5–20 sccm zugeleitet werden.
Danach können in einem Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform Mikrolinsen 13b mit einem kleineren Krümmungsradius im Vergleich zu den vorläufigen Mikrolinsen 13a ausgebildet werden, indem die vorläufigen Mikrolinsen 13a geätzt werden, wie in 3 dargestellt.
Das Ätzen der vorläufigen Mikrolinsen 13a kann mit einem Ätzmedium wie oben beschrieben durchgeführt werden, vorzugsweise mit CF₄ und O₂ bei einem (Durchfluss-)Verhältnis von etwa 9:1. Das Ätzen der vorläufigen Mikrolinsen 13a umfasst das Ätzen der Seitenwände der vorläufigen Mikrolinsen 13a und der Oberseiten der vorläufigen Mikrolinsen 13a. Dementsprechend weisen die daraus hervorgehenden Mikrolinsen 13b einen kleineren Krümmungsradius im Vergleich zu dem der vorläufigen Mikrolinsen 13a auf.
4 zeigt Mikrolinsen 25 mit einem kleineren Krümmungsradius und/oder einer kleineren Brennweite, die aus dem obigen Verfahren resultieren können. Das Verkleinern einer Brennweite des Lichts, das durch die Mikrolinse 25 dringt, verringert einen Abstand zwischen den Mikrolinsen 25 und einer Photodiode 21 (die in einer unteren Struktur 23 ausgebildet ist), auf der die Mikrolinsen 25 gestaltet sind, um Licht zu fokussieren. Die kleinere Brennweite ermöglicht das Ausbilden eines Bildsensors mit einem schlankeren Profil. 4 ist eine konzeptionelle Ansicht eines Bildsensors, der gemäß der vorhergehenden Ausführungsformen ausgebildet ist.
Das oben beschriebene primäre und sekundäre Ätzen kann aufeinanderfolgend in derselben Ätzkammer durchgeführt werden. Ebenso kann das primäre und sekundäre Ätzen in einer Kammer durchgeführt werden, die zwei Leistungsfrequenzen hat. Zum Beispiel kann das Ätzen der Opfermikrolinsen 15 und der LTO-Schicht 13 sowie der vorläufigen Mikrolinsen 13a unter Ätzbedingungen durchgeführt werden, die eine hohe Leistung zur Plasmazündung von 1400 W bei 27 MHz sowie ein Ätzmedium verwenden, das CF₄ mit 90 sccm, O₂ mit 10 sccm und Ar mit 450 sccm enthält. Die Ätzschritte können auch mit einer hohen Vorspannung (z. B. 2000–10.000 W, zum Beispiel auf die Wafer-Ablage angewendet) durchgeführt werden, um die Ionenausrichtung zu steuern.
Indessen kann bei einem Bildsensor, der gemäß den Verfahren der vorliegenden Ausführungsformen hergestellt wurde, ein Abstand zwischen benachbarten Linsen, die die Mikrolinsen bilden, erzeugt werden. Eine abstandsverringernde Schicht kann auf den Mikrolinsen 13b ausgebildet werden, wie in 5 dargestellt. Das heißt, ein beispielhaftes Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen der Erfindung bildet eine abstandsfreie Schicht 17 auf den Mikrolinsen 13b aus, wie in 5 dargestellt.
Die abstandsverringernde Schicht 17 kann ein Oxidmaterial umfassen, wie eine LTO-Schicht. Das Oxidmaterial kann SiO₂ oder ein anderes Oxidmaterial sein, das bei einer Temperatur unterhalb 250°C verarbeitet werden kann, zum Beispiel durch ein Plasma-Silan (p-Si)-Verfahren oder ein TEOS (CVD)-Verfahren.
Die Empfindlichkeit eines Bildsensorbauteils kann weiterhin sogar noch mehr erhöht werden, indem das Erzeugen von Abständen zwischen den benachbarten Mikrolinsen, die die Mikrolinsen 13b bilden, reduziert oder im Wesentlichen vermieden wird Ätzprozessbedingungen zum Durchführen der oben beschriebenen Ätzschritte werden im Folgenden detailliert beschrieben. Da ein Photolack und eine Oxidschicht geätzt werden müssen, kann das Ätzen mit einem Fluor- oder Halogen-basierten Gas und einem Sauerstoffgas durchgeführt werden. Das Fluor-/Halogenbasierte Gas kann ein Gas umfassen, das die Formel CX₄ aufweist (wobei X ein Halogen ist: F, Cl, Br, und/oder I) oder die Formel CH_yX_4-y (wobei y ≦ 2, und X ein Halogen ist: F, Cl, Br, und/oder I). Vorzugsweise ist die Fluor-/Halogen-basierte Verbindung CF₃ oder CHF₃. Die Selektivität zwischen dem Photolack und der Oxidschicht kann durch Anpassen eines Verhältnisses des Fluor-/Halogen-basierten Gases zum Sauerstoff-basierte Gas gesteuert werden. Das Sauerstoff-basierte Gas kann O₂, O₃, N₂O und/oder SO_x umfassen. Das Sauerstoffgas ist vorzugsweise O₂. Auch kann die Plasmazündung und seine mögliche Kraft mit Hilfe von Ar-Gas gesteuert werden. Die Ätzschritte können auch mit einer hohen Vorspannung durchgeführt werden, um die Ionenausrichtung zu steuern.
Eine Leistung mit zwei Frequenzen kann zur Verwirklichung der gewünschten Form der Mikrolinse verwendet werden. Zum Beispiel wird die Dissoziation von Fluor mit Hilfe einer Frequenz von 27 MHz erleichtert, und die potenzielle Energie von Plasma wird durch eine Frequenz von 2 MHz erhöht. Zum Abkühlen der Rückseite wird He-Gas an das obere Ende der Ablage geleitet, um die Unregelmäßigkeit eines Wafers zu verbessern, die während eines Ätzprozesse erzeugt wird.
In einem Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform wird die Selektivität zwischen einem Photolack und einer Oxidschicht gesteuert, indem ein Verhältnis von CF₄ zu O₂ angepasst wird. Die Selektivität in Abhängigkeit von einer Veränderung des Verhältnisses von O₂ wird in 6 dargestellt. 6 ist ein Diagramm, das die Prozessbedingungen in einem Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen der Erfindung erläutert.
Mit Bezugnahme auf 6, bezieht sich die Ätzselektivität zwischen einem Photolack und einer Oxidschicht auf eine Menge an O₂ in der Ätzkammer. Das Diagramm zeigt Ätzselektivitätswerte von unterschiedlichen O₂-Niveaus in Kombination mit CF₄ mit 90 sccm. In einer bevorzugten Ausführungsform wird die Ätzselektivität zwischen dem Photolack und der Oxidschicht bei etwa 1:1 gehalten, indem ein Verhältnis von CF₄ zu O₂ gesteuert wird.
In einer Ausführungsform kann das Ätzen unter den folgenden Ätzbedingungen mit einer Leistung von 1400 W bei 27 MHz und einem Ätzmedium mit CF₄ mit 50 sccm, O₂ mit 10 sccm und Ar mit 490 sccm durchgeführt werden.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors gemäß den vorliegenden Ausführungsformen erhöht die Empfindlichkeit eines Bauteils und verringert den lichtverdichtenden Weg. In der Folge kann die Größe eines Bildsensorbauteils verkleinert werden.
Jede Bezugnahme in dieser Beschreibung auf „die eine Ausführungsform", „eine Ausführungsform", „eine beispielhafte Ausführungsform" usw. bedeutet, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, die in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben wird, in mindestens einer Ausführungsform der Erfindung enthalten ist. Die Vorkommen solcher Ausdrücke an verschiedenen Stellen in der Beschreibung beziehen sich nicht notwendigerweise alle auf dieselbe Ausführungsform. Weiterhin, wenn ein bestimmtes Merkmal, eine be stimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft in Verbindung mit einer beliebigen Ausführungsform beschrieben wird, versteht es sich, dass es im Bereich eines Fachmanns liegt, das Merkmal, die Struktur oder die Eigenschaft in Verbindung mit anderen Ausführungsformen zu verwirklichen.
Obwohl Ausführungsformen mit Bezugnahme auf mehrere veranschaulichende Ausführungsformen davon beschrieben wurden, versteht es sich, dass vielzählige andere Modifikationen und Ausführungsformen von Fachleuten erdacht werden können, die dem Geist und Umfang der Grundsätze dieser Offenlegung entsprechen. Im Besonderen sind Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen der kombinierten Anordnung des Themas im Umfang der Offenbarung, der Zeichnungen und der Ansprüche im Anhang möglich. Zusätzlich zu den Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen sind für Fachleute auch alternative Verwendungen ersichtlich.

Claims

Ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, wobei das Verfahren umfasst: Ausbilden einer Niedertemperaturoxidschicht auf einer Farbfilterschicht; Ausbilden eines Photolackmusters auf der Niedertemperaturoxidschicht; Erwärmen des Photolackmusters, um Opfermikrolinsen auszubilden; Ätzen der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht, um vorläufige Mikrolinsen auszubilden, die in der Niedertemperaturoxidschicht ausgebildet werden; und Ätzen der vorläufigen Mikrolinsen, um Mikrolinsen auszubilden, die einen kleineren Krümmungsradius im Vergleich zu dem der vorläufigen Mikrolinsen aufweisen.
Das verfahren gemäß Anspruch 1, weiterhin umfassend das Ausbilden einer Planarisierungsschicht nach dem Ausbilden der Farbfilterschicht und vor dem Ausbilden der Niedertemperaturoxidschicht.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 2, weiterhin umfassend das Ausbilden einer abstandsverringernden Schicht auf den Mikrolinsen.
Das Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei die abstandsverringernde Schicht eine zweite Niedertemperaturoxidschicht umfasst.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Ätzen der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxid schicht ein Flächenätzen bei einer Ätzselektivität von etwa 1:1 umfasst.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das Ätzen der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht durchgeführt wird, bis die Opfermikrolinsen vollständig entfernt sind.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Ätzen der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht eine Verwendung eines Ätzmediums mit CF₄ und O₂ umfasst.
Das Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei CF₄ und O₂ im Ätzmedium im einem Verhältnis von 3:1–15:1 vorliegen.
Das Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei CF₄ mit 10–300 sccm und O₂ mit 5–20 sccm zugeleitet wird.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das Ätzen der vorläufigen Mikrolinsen eine Verwendung eines Ätzmediums mit CF₄ und O₂ umfasst.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei das Ätzen der vorläufigen Mikrolinsen ein Ätzen von Seitenwänden der vorläufigen Mikrolinsen umfasst.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Schritte des Ätzens der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht und des Ätzens der vorläufigen Mikrolinsen nacheinander in derselben Kammer durchgeführt werden.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Schritte des Ätzens der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht und des Ätzens der vorläufigen Mikrolinsen in einer Kammer mit zwei Leistungsfrequenzen durchgeführt werden.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Niedertemperaturoxidschicht SiO₂ enthält.
Das Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei zwischen benachbarten Mikrolinsen Abstände vorhanden sind.
Das Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei die abstandsverringernde Schicht im Wesentlichen Abstände zwischen den benachbarten Mikrolinsen beseitigt.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei der Schritt des Ätzens der Opfermikrolinsen und der Niedertemperaturoxidschicht umfasst, dass eine hohe Leistung bei der Plasmazündung und eine hohe Vorspannung verwendet werden.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei der Schritt des Ätzens der vorläufigen Mikrolinsen umfasst, dass eine hohe Leistung bei der Plasmazündung und eine hohe Vorspannung verwendet wird.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei der kleinere Krümmungsradius eine Brennweite des Lichts reduziert, das durch die Mikrolinsen einfällt.
Das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 19, wobei das Erwärmen einen thermischen Verfließprozess bei einer Temperatur von etwa 120°C bis etwa 250°C umfasst.