JP2002110952A - オンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
オンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レンズ間隔が狭く集光効率の高いオンチップマ
イクロレンズの形成方法、および固体撮像素子の製造方
法を提供する。 【解決手段】基板上にレンズ材料層を形成する工程と、
レンズ材料層上にレンズ形状を有するレジストを形成す
る工程と、前記基板を載置する電極を常温より低温に冷
却しながら、前記レジストおよび前記レンズ材料層にド
ライエッチングを行い、レンズ材料層にレンズ形状を転
写する工程とを有するオンチップマイクロレンズの形成
方法、および固体撮像素子の製造方法。
イクロレンズの形成方法、および固体撮像素子の製造方
法を提供する。 【解決手段】基板上にレンズ材料層を形成する工程と、
レンズ材料層上にレンズ形状を有するレジストを形成す
る工程と、前記基板を載置する電極を常温より低温に冷
却しながら、前記レジストおよび前記レンズ材料層にド
ライエッチングを行い、レンズ材料層にレンズ形状を転
写する工程とを有するオンチップマイクロレンズの形成
方法、および固体撮像素子の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光の利用効率の高
いオンチップマイクロレンズを形成できるオンチップマ
イクロレンズの形成方法、およびそのようなオンチップ
マイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法に関す
る。
いオンチップマイクロレンズを形成できるオンチップマ
イクロレンズの形成方法、およびそのようなオンチップ
マイクロレンズを有する固体撮像素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子の小型化に伴い、１画素の
面積に対する受光部の面積の割合（開口率）は低下して
いる。これにより、光の利用効率が低下し、固体撮像素
子の感度が低下する。これを解決するため、各画素の上
部に凸レンズであるオンチップマイクロレンズ（ＯＣ
Ｌ；ｏｎ ｃｈｉｐ ｍｉｃｒｏｌｅｎｓ）が形成され
る。ＯＣＬの焦点を受光部に合わせることにより、固体
撮像素子の感度を大幅に向上させることができる。
面積に対する受光部の面積の割合（開口率）は低下して
いる。これにより、光の利用効率が低下し、固体撮像素
子の感度が低下する。これを解決するため、各画素の上
部に凸レンズであるオンチップマイクロレンズ（ＯＣ
Ｌ；ｏｎ ｃｈｉｐ ｍｉｃｒｏｌｅｎｓ）が形成され
る。ＯＣＬの焦点を受光部に合わせることにより、固体
撮像素子の感度を大幅に向上させることができる。
【０００３】図１に固体撮像素子の断面図を示す。転送
チャネル領域やチャネルストッパ領域等が形成された半
導体基板１の表層に、受光部２が形成されている。受光
部２に入射した光はフォトダイオードによって光電変換
される。受光部２を除く半導体基板１上に、ゲート絶縁
膜３を介して転送電極４が形成されている。転送電極４
上に、絶縁膜５を介して遮光膜６が形成されている。絶
縁膜５としては例えばシリコン酸化膜が用いられ、遮光
膜６としては例えばＡｌ等の金属膜が用いられる。
チャネル領域やチャネルストッパ領域等が形成された半
導体基板１の表層に、受光部２が形成されている。受光
部２に入射した光はフォトダイオードによって光電変換
される。受光部２を除く半導体基板１上に、ゲート絶縁
膜３を介して転送電極４が形成されている。転送電極４
上に、絶縁膜５を介して遮光膜６が形成されている。絶
縁膜５としては例えばシリコン酸化膜が用いられ、遮光
膜６としては例えばＡｌ等の金属膜が用いられる。
【０００４】遮光膜６あるいは受光部２の上層に、例え
ばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜７が形成されてい
る。その上層の全面に、例えば有機樹脂膜からなる平坦
化膜８が形成されている。平坦化膜８を形成することに
より転送電極４に起因する表面段差が平坦化される。
ばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜７が形成されてい
る。その上層の全面に、例えば有機樹脂膜からなる平坦
化膜８が形成されている。平坦化膜８を形成することに
より転送電極４に起因する表面段差が平坦化される。
【０００５】単板カラー固体撮像素子の場合には、平坦
化膜８の上層にカラーフィルタ９が形成される。原色系
の場合には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青紫（Ｂ）のいずれか
のカラーフィルタ９が各画素に形成される。補色系の場
合にはイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍｇ）、シアン（Ｃ
ｙ）、グリーン（Ｇ）のいずれかのカラーフィルタ９が
各画素に形成される。カラーフィルタ９としては、ゼラ
チンを染色したもの（ＯＣＣＦ；ｏｎ ｃｈｉｐ ｃｏ
ｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）が多く用いられる。
化膜８の上層にカラーフィルタ９が形成される。原色系
の場合には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青紫（Ｂ）のいずれか
のカラーフィルタ９が各画素に形成される。補色系の場
合にはイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍｇ）、シアン（Ｃ
ｙ）、グリーン（Ｇ）のいずれかのカラーフィルタ９が
各画素に形成される。カラーフィルタ９としては、ゼラ
チンを染色したもの（ＯＣＣＦ；ｏｎ ｃｈｉｐ ｃｏ
ｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）が多く用いられる。
【０００６】カラーフィルタ９の上層に、例えば光透過
性の樹脂からなるＯＣＬ１０が形成されている。ＯＣＬ
１０の直径ｄは例えば５．０μｍ程度、高さｈは例えば
１．２μｍ程度である。これにより、受光部２の面積よ
りも広い範囲に入射する光を、受光部２に集光すること
ができる。
性の樹脂からなるＯＣＬ１０が形成されている。ＯＣＬ
１０の直径ｄは例えば５．０μｍ程度、高さｈは例えば
１．２μｍ程度である。これにより、受光部２の面積よ
りも広い範囲に入射する光を、受光部２に集光すること
ができる。
【０００７】ＯＣＬ１０の集光効率はＯＣＬ１０の曲
率、受光部２の開口形状、ＯＣＬ１０と受光部２のフォ
トダイオードとの距離等に応じて変化する。また、ＯＣ
Ｌ間に入射する光は受光部２に集光できないことから、
ＯＣＬ間の領域は無光領域と呼ばれる。したがって、Ｏ
ＣＬ１０の集光効率を上げるためには、図１にａで示す
ＯＣＬ１０の間隔（以下、ＯＣＬギャップとする。）を
小さくすることが望ましい。ＯＣＬギャップａは通常、
０．５μｍ程度である。
率、受光部２の開口形状、ＯＣＬ１０と受光部２のフォ
トダイオードとの距離等に応じて変化する。また、ＯＣ
Ｌ間に入射する光は受光部２に集光できないことから、
ＯＣＬ間の領域は無光領域と呼ばれる。したがって、Ｏ
ＣＬ１０の集光効率を上げるためには、図１にａで示す
ＯＣＬ１０の間隔（以下、ＯＣＬギャップとする。）を
小さくすることが望ましい。ＯＣＬギャップａは通常、
０．５μｍ程度である。
【０００８】以下に、固体撮像素子のＯＣＬを形成する
方法について、図２〜図３および図７を参照して説明す
る。まず、図２に示すように、半導体基板１に受光部２
や転送チャネル領域等を形成し、半導体基板１上に転送
電極４や遮光膜６等を形成する。さらに、全面に層間絶
縁膜７を形成してから、平坦化膜８を形成する。
方法について、図２〜図３および図７を参照して説明す
る。まず、図２に示すように、半導体基板１に受光部２
や転送チャネル領域等を形成し、半導体基板１上に転送
電極４や遮光膜６等を形成する。さらに、全面に層間絶
縁膜７を形成してから、平坦化膜８を形成する。
【０００９】その後、単板カラー固体撮像素子の場合に
はカラーフィルタ９を形成し、その上層にレンズ材層１
１を形成する。単色固体撮像素子の場合には、平坦化膜
８の上層にレンズ材層１１を形成する。レンズ材層１１
は例えば樹脂をスピンコート等により塗布し、硬化させ
て形成する。
はカラーフィルタ９を形成し、その上層にレンズ材層１
１を形成する。単色固体撮像素子の場合には、平坦化膜
８の上層にレンズ材層１１を形成する。レンズ材層１１
は例えば樹脂をスピンコート等により塗布し、硬化させ
て形成する。
【００１０】レンズ材層１１の上層に、ＯＣＬのパター
ンでレジスト１２を形成する。レジスト１２としては例
えばノボラック系ポジ型レジストを用いる。フォトリソ
グラフィ工程によりレジスト１２をパターニングした
後、例えばレジスト１２を加熱により軟化させ、半球状
に加工する。
ンでレジスト１２を形成する。レジスト１２としては例
えばノボラック系ポジ型レジストを用いる。フォトリソ
グラフィ工程によりレジスト１２をパターニングした
後、例えばレジスト１２を加熱により軟化させ、半球状
に加工する。
【００１１】次に、図３に示すように、半球状のレジス
ト１２およびレンズ材層１１をエッチバックする。この
エッチングは例えばＣＦ4 ／Ｏ2 をエッチングガスとし
て用いる異方性の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；ｒ
ｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）とする。ま
た、このＲＩＥはレジスト１２とレンズ材層１１のエッ
チング選択比がほぼ１となるような条件で行う。これに
より、レジスト１２の半球形状がレンズ材層１１に転写
され、図１に示すように、ＯＣＬ１０が形成される。
ト１２およびレンズ材層１１をエッチバックする。この
エッチングは例えばＣＦ4 ／Ｏ2 をエッチングガスとし
て用いる異方性の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；ｒ
ｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）とする。ま
た、このＲＩＥはレジスト１２とレンズ材層１１のエッ
チング選択比がほぼ１となるような条件で行う。これに
より、レジスト１２の半球形状がレンズ材層１１に転写
され、図１に示すように、ＯＣＬ１０が形成される。
【００１２】図７に、上記のＲＩＥに用いることができ
る装置の一例として、マグネトロンＲＩＥ装置を示す。
図７の概略図に示すように、マグネトロンＲＩＥ装置３
０は、チャンバー２１内に互いに平行に配置された上部
電極２２および下部電極２３を有する。電極の一方２２
には磁石２４が設けられており、磁界が形成される。高
周波電源２５から下部電極２３に高周波が印加される。
表面にレンズ材およびレジストが形成されたウェハ２６
は、下部電極２３上に載置される。高周波の電力を変化
させることにより、ウェハ２６に入射するイオンのエネ
ルギーが制御される。
る装置の一例として、マグネトロンＲＩＥ装置を示す。
図７の概略図に示すように、マグネトロンＲＩＥ装置３
０は、チャンバー２１内に互いに平行に配置された上部
電極２２および下部電極２３を有する。電極の一方２２
には磁石２４が設けられており、磁界が形成される。高
周波電源２５から下部電極２３に高周波が印加される。
表面にレンズ材およびレジストが形成されたウェハ２６
は、下部電極２３上に載置される。高周波の電力を変化
させることにより、ウェハ２６に入射するイオンのエネ
ルギーが制御される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来のＯＣＬの形成方法には、ＯＣＬギャップの縮小が
難しいという問題がある。図２に示すように、ＯＣＬを
形成するためのレジスト１２の間隔をｂとすると、図１
に示すＯＣＬギャップａとレジスト間隔ｂとの差｜ａ−
ｂ｜はＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）
誤差と呼ばれる。以下、ｂ−ａが正の場合のＣＤ誤差を
ＣＤゲイン量、ｂ−ａが負の場合のＣＤ誤差をＣＤロス
量とする。したがって、ＯＣＬギャップを狭くして光の
利用効率を高めるには、ＣＤゲイン量が大きくなるよう
な条件でレンズ材１１のエッチングを行う必要がある。
従来のＯＣＬの形成方法には、ＯＣＬギャップの縮小が
難しいという問題がある。図２に示すように、ＯＣＬを
形成するためのレジスト１２の間隔をｂとすると、図１
に示すＯＣＬギャップａとレジスト間隔ｂとの差｜ａ−
ｂ｜はＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）
誤差と呼ばれる。以下、ｂ−ａが正の場合のＣＤ誤差を
ＣＤゲイン量、ｂ−ａが負の場合のＣＤ誤差をＣＤロス
量とする。したがって、ＯＣＬギャップを狭くして光の
利用効率を高めるには、ＣＤゲイン量が大きくなるよう
な条件でレンズ材１１のエッチングを行う必要がある。
【００１４】ＣＤゲイン量を大きくするには、一般的に
はレンズ材１１のＲＩＥを低パワー、低圧力および低ガ
ス流量とする。しかしながら、これによりエッチング速
度が低下して、生産性が低下する。エッチング速度の低
下を表す例として、図８にパワーとエッチング速度との
関係を示す。図８は、エッチングガスとしてＣＦ4 ／Ｏ
2 を用い、マグネトロンＲＩＥ装置により常温でＲＩＥ
を行った場合のデータである。実用的にはエッチング速
度は１７０ｎｍ／分以上であることが望ましい。
はレンズ材１１のＲＩＥを低パワー、低圧力および低ガ
ス流量とする。しかしながら、これによりエッチング速
度が低下して、生産性が低下する。エッチング速度の低
下を表す例として、図８にパワーとエッチング速度との
関係を示す。図８は、エッチングガスとしてＣＦ4 ／Ｏ
2 を用い、マグネトロンＲＩＥ装置により常温でＲＩＥ
を行った場合のデータである。実用的にはエッチング速
度は１７０ｎｍ／分以上であることが望ましい。
【００１５】図８に示すように、パワーを１１００Ｗか
ら８００Ｗまで下げることにより、エッチング速度は徐
々に低下する。パワーをさらに下げると、エッチング速
度が１６０ｎｍ／分以下となり、生産性の低下が顕著と
なる。図８の均一性は、半導体基板の面内でのエッチン
グ量のばらつきを示し、最大エッチング量と最小エッチ
ング量との差を平均エッチング量で割ったものをパーセ
ントで表したものである。均一性については、パワーに
依存した変動が少ないことがわかる。図示しないが圧力
を低くした場合、あるいはガス流量を低くした場合にも
ＣＤゲイン量を大きくすることができるが、エッチング
速度の低下が問題となる。
ら８００Ｗまで下げることにより、エッチング速度は徐
々に低下する。パワーをさらに下げると、エッチング速
度が１６０ｎｍ／分以下となり、生産性の低下が顕著と
なる。図８の均一性は、半導体基板の面内でのエッチン
グ量のばらつきを示し、最大エッチング量と最小エッチ
ング量との差を平均エッチング量で割ったものをパーセ
ントで表したものである。均一性については、パワーに
依存した変動が少ないことがわかる。図示しないが圧力
を低くした場合、あるいはガス流量を低くした場合にも
ＣＤゲイン量を大きくすることができるが、エッチング
速度の低下が問題となる。
【００１６】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、レンズ間隔が狭く集光
効率の高いオンチップマイクロレンズを、より短時間で
形成できるオンチップマイクロレンズの形成方法を提供
することを目的とする。また本発明は、高感度な固体撮
像素子を効率よく生産することができる固体撮像素子の
製造方法を提供することを目的とする。
のであり、したがって本発明は、レンズ間隔が狭く集光
効率の高いオンチップマイクロレンズを、より短時間で
形成できるオンチップマイクロレンズの形成方法を提供
することを目的とする。また本発明は、高感度な固体撮
像素子を効率よく生産することができる固体撮像素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のオンチップマイクロレンズの形成方法は、
基板上にレンズ材料層を形成する工程と、前記レンズ材
料層上にレンズ形状を有するレジストを形成する工程
と、冷却しながら前記レジストおよびレンズ材料層にド
ライエッチングを行い、前記レンズ材料層に前記レンズ
形状を転写する工程とを有することを特徴とする。
め、本発明のオンチップマイクロレンズの形成方法は、
基板上にレンズ材料層を形成する工程と、前記レンズ材
料層上にレンズ形状を有するレジストを形成する工程
と、冷却しながら前記レジストおよびレンズ材料層にド
ライエッチングを行い、前記レンズ材料層に前記レンズ
形状を転写する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】本発明のオンチップマイクロレンズの形成
方法は、好適には、前記ドライエッチング工程は、前記
基板を第１の電極上に載置して、互いに対向する前記第
１の電極と第２の電極との間に前記基板を配置する工程
と、前記第１の電極を所定の温度に冷却する工程と、前
記第１の電極と前記第２の電極との間を放電させ、プラ
ズマを発生させる工程とを有することを特徴とする。
方法は、好適には、前記ドライエッチング工程は、前記
基板を第１の電極上に載置して、互いに対向する前記第
１の電極と第２の電極との間に前記基板を配置する工程
と、前記第１の電極を所定の温度に冷却する工程と、前
記第１の電極と前記第２の電極との間を放電させ、プラ
ズマを発生させる工程とを有することを特徴とする。
【００１９】本発明のオンチップマイクロレンズの形成
方法は、好適には、前記所定の温度は常温より低く、か
つ所定のエッチング速度が得られる範囲の温度であるこ
とを特徴とする。本発明のオンチップマイクロレンズの
形成方法は、さらに好適には、前記所定の温度はほぼ−
３０℃以上であることを特徴とする。本発明のオンチッ
プマイクロレンズの形成方法は、好適には、前記所定の
エッチング速度はほぼ１７０ｎｍ／分以上であることを
特徴とする。
方法は、好適には、前記所定の温度は常温より低く、か
つ所定のエッチング速度が得られる範囲の温度であるこ
とを特徴とする。本発明のオンチップマイクロレンズの
形成方法は、さらに好適には、前記所定の温度はほぼ−
３０℃以上であることを特徴とする。本発明のオンチッ
プマイクロレンズの形成方法は、好適には、前記所定の
エッチング速度はほぼ１７０ｎｍ／分以上であることを
特徴とする。
【００２０】これにより、固体撮像素子にオンチップマ
イクロレンズ（ＯＣＬ）を形成する際に、エッチング速
度を低下させずにレンズ間隔（ＯＣＬギャップ）を狭め
ることが可能となる。ＯＣＬギャップの縮小により、Ｏ
ＣＬの光の利用効率が向上する。したがって、集光効率
の高いＯＣＬを高い生産効率で形成することが可能とな
る。
イクロレンズ（ＯＣＬ）を形成する際に、エッチング速
度を低下させずにレンズ間隔（ＯＣＬギャップ）を狭め
ることが可能となる。ＯＣＬギャップの縮小により、Ｏ
ＣＬの光の利用効率が向上する。したがって、集光効率
の高いＯＣＬを高い生産効率で形成することが可能とな
る。
【００２１】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板に受光部と
電荷転送領域を形成する工程と、前記電荷転送領域上に
電荷転送電極を形成する工程と、前記基板および前記電
荷転送電極上にレンズ材料層を形成する工程と、前記レ
ンズ材料層上にレンズ形状を有するレジストを形成する
工程と、冷却しながら前記レジストおよびレンズ材料層
にドライエッチングを行い、前記レンズ材料層に前記レ
ンズ形状を転写して、前記受光部に光を集光するオンチ
ップマイクロレンズを形成する工程とを有することを特
徴とする。
明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板に受光部と
電荷転送領域を形成する工程と、前記電荷転送領域上に
電荷転送電極を形成する工程と、前記基板および前記電
荷転送電極上にレンズ材料層を形成する工程と、前記レ
ンズ材料層上にレンズ形状を有するレジストを形成する
工程と、冷却しながら前記レジストおよびレンズ材料層
にドライエッチングを行い、前記レンズ材料層に前記レ
ンズ形状を転写して、前記受光部に光を集光するオンチ
ップマイクロレンズを形成する工程とを有することを特
徴とする。
【００２２】本発明の固体撮像素子の製造方法は、好適
には、前記電荷転送電極を形成後、前記基板および前記
電荷転送電極上に、表面を平坦化する平坦化膜を形成す
る工程をさらに有し、前記レンズ材料層を前記平坦化膜
上に形成することを特徴とする。
には、前記電荷転送電極を形成後、前記基板および前記
電荷転送電極上に、表面を平坦化する平坦化膜を形成す
る工程をさらに有し、前記レンズ材料層を前記平坦化膜
上に形成することを特徴とする。
【００２３】本発明の固体撮像素子の製造方法は、好適
には、前記ドライエッチング工程は、前記基板を第１の
電極上に載置して、互いに対向する前記第１の電極と第
２の電極との間に前記基板を配置する工程と、前記第１
の電極を所定の温度に冷却する工程と、前記第１の電極
と前記第２の電極との間を放電させ、プラズマを発生さ
せる工程とを有することを特徴とする。
には、前記ドライエッチング工程は、前記基板を第１の
電極上に載置して、互いに対向する前記第１の電極と第
２の電極との間に前記基板を配置する工程と、前記第１
の電極を所定の温度に冷却する工程と、前記第１の電極
と前記第２の電極との間を放電させ、プラズマを発生さ
せる工程とを有することを特徴とする。
【００２４】本発明の固体撮像素子の製造方法は、好適
には、前記所定の温度は常温より低く、かつ所定のエッ
チング速度が得られる範囲の温度であることを特徴とす
る。本発明の固体撮像素子の製造方法は、さらに好適に
は、前記所定の温度はほぼ−３０℃以上であることを特
徴とする。本発明の固体撮像素子の製造方法は、好適に
は、前記所定のエッチング速度はほぼ１７０ｎｍ／分以
上であることを特徴とする。
には、前記所定の温度は常温より低く、かつ所定のエッ
チング速度が得られる範囲の温度であることを特徴とす
る。本発明の固体撮像素子の製造方法は、さらに好適に
は、前記所定の温度はほぼ−３０℃以上であることを特
徴とする。本発明の固体撮像素子の製造方法は、好適に
は、前記所定のエッチング速度はほぼ１７０ｎｍ／分以
上であることを特徴とする。
【００２５】これにより、固体撮像素子にレンズ間隔の
狭いオンチップマイクロレンズ（ＯＣＬ）を形成するこ
とが可能となる。このとき、エッチング速度が低下しな
いため、高い生産効率が得られる。ＯＣＬギャップの縮
小により、固体撮像素子の無光領域の面積が低減する。
したがって、本発明の固体撮像素子の製造方法によれ
ば、固体撮像素子の高感度化が可能である。
狭いオンチップマイクロレンズ（ＯＣＬ）を形成するこ
とが可能となる。このとき、エッチング速度が低下しな
いため、高い生産効率が得られる。ＯＣＬギャップの縮
小により、固体撮像素子の無光領域の面積が低減する。
したがって、本発明の固体撮像素子の製造方法によれ
ば、固体撮像素子の高感度化が可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のオンチップマイ
クロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法の
実施の形態について、図面を参照して説明する。図１
に、本実施形態の固体撮像素子の製造方法により製造さ
れる固体撮像素子の断面図を示す。転送チャネル領域や
チャネルストッパ領域等が形成された半導体基板１の表
層に、受光部２が形成されている。受光部２に入射した
光はフォトダイオードによって光電変換される。受光部
２を除く半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３を介して転
送電極４が形成されている。転送電極４上に、絶縁膜５
を介して遮光膜６が形成されている。絶縁膜５としては
例えばシリコン酸化膜が用いられ、遮光膜６としては例
えばＡｌ等の金属膜が用いられる。
クロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法の
実施の形態について、図面を参照して説明する。図１
に、本実施形態の固体撮像素子の製造方法により製造さ
れる固体撮像素子の断面図を示す。転送チャネル領域や
チャネルストッパ領域等が形成された半導体基板１の表
層に、受光部２が形成されている。受光部２に入射した
光はフォトダイオードによって光電変換される。受光部
２を除く半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３を介して転
送電極４が形成されている。転送電極４上に、絶縁膜５
を介して遮光膜６が形成されている。絶縁膜５としては
例えばシリコン酸化膜が用いられ、遮光膜６としては例
えばＡｌ等の金属膜が用いられる。
【００２７】遮光膜６あるいは受光部２の上層に、例え
ばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜７が形成されてい
る。その上層の全面に、例えば有機樹脂膜からなる平坦
化膜８が形成されている。平坦化膜８を形成することに
より転送電極４に起因する表面段差が平坦化される。単
板カラー固体撮像素子の場合には、平坦化膜８の上層に
カラーフィルタ９が形成される。原色系の場合には赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青紫（Ｂ）のいずれかのカラーフィ
ルタ９が各画素に形成される。補色系の場合にはイエロ
ー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍｇ）、シアン（Ｃｙ）、グリー
ン（Ｇ）のいずれかのカラーフィルタ９が各画素に形成
される。カラーフィルタ９としては、ゼラチンを染色し
たもの（ＯＣＣＦ）が多く用いられる。
ばシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜７が形成されてい
る。その上層の全面に、例えば有機樹脂膜からなる平坦
化膜８が形成されている。平坦化膜８を形成することに
より転送電極４に起因する表面段差が平坦化される。単
板カラー固体撮像素子の場合には、平坦化膜８の上層に
カラーフィルタ９が形成される。原色系の場合には赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青紫（Ｂ）のいずれかのカラーフィ
ルタ９が各画素に形成される。補色系の場合にはイエロ
ー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍｇ）、シアン（Ｃｙ）、グリー
ン（Ｇ）のいずれかのカラーフィルタ９が各画素に形成
される。カラーフィルタ９としては、ゼラチンを染色し
たもの（ＯＣＣＦ）が多く用いられる。
【００２８】カラーフィルタ９の上層に、例えば光透過
性の樹脂からなるＯＣＬ１０が形成されている。ＯＣＬ
１０の直径ｄは例えば５．０μｍ程度、高さｈは例えば
１．２μｍ程度である。これにより、受光部２の面積よ
りも広い範囲に入射する光を、受光部２に集光すること
ができる。
性の樹脂からなるＯＣＬ１０が形成されている。ＯＣＬ
１０の直径ｄは例えば５．０μｍ程度、高さｈは例えば
１．２μｍ程度である。これにより、受光部２の面積よ
りも広い範囲に入射する光を、受光部２に集光すること
ができる。
【００２９】ＯＣＬ１０の集光効率はＯＣＬ１０の曲
率、受光部２の開口形状、ＯＣＬ１０と受光部２のフォ
トダイオードとの距離等に応じて変化する。本実施形態
のオンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像
素子の製造方法によれば、ＯＣＬギャップａを小さく
し、ＯＣＬギャップａを例えば０．１μｍ程度とするこ
とができる。したがって、図１に示す固体撮像素子にお
いては、ＯＣＬ間の無光領域の面積が縮小されており、
ＯＣＬ１０の高い集光効率が得られる。
率、受光部２の開口形状、ＯＣＬ１０と受光部２のフォ
トダイオードとの距離等に応じて変化する。本実施形態
のオンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像
素子の製造方法によれば、ＯＣＬギャップａを小さく
し、ＯＣＬギャップａを例えば０．１μｍ程度とするこ
とができる。したがって、図１に示す固体撮像素子にお
いては、ＯＣＬ間の無光領域の面積が縮小されており、
ＯＣＬ１０の高い集光効率が得られる。
【００３０】以下に、本実施形態のオンチップマイクロ
レンズの形成方法、およびそれを含む固体撮像素子の製
造方法について、図２〜図４を参照して説明する。ま
ず、図２に示すように、半導体基板１に受光部２や転送
チャネル領域等を形成し、半導体基板１上に転送電極４
や遮光膜６等を形成する。さらに、全面に層間絶縁膜７
を形成してから、全面に平坦化膜８を形成する。
レンズの形成方法、およびそれを含む固体撮像素子の製
造方法について、図２〜図４を参照して説明する。ま
ず、図２に示すように、半導体基板１に受光部２や転送
チャネル領域等を形成し、半導体基板１上に転送電極４
や遮光膜６等を形成する。さらに、全面に層間絶縁膜７
を形成してから、全面に平坦化膜８を形成する。
【００３１】その後、単板カラー固体撮像素子の場合に
はカラーフィルタ９を形成し、その上層にレンズ材層１
１を形成する。単色固体撮像素子の場合には、平坦化膜
８の上層にレンズ材層１１を形成する。レンズ材層１１
は例えば樹脂をスピンコート等により塗布し、硬化させ
て形成する。レンズ材層１１の上層に、ＯＣＬのパター
ンでレジスト１２を形成する。レジスト１２としては例
えばノボラック系ポジ型レジストを用いる。その後、例
えばレジスト１２を熱軟化させることにより、レジスト
１２を半球状に加工する。
はカラーフィルタ９を形成し、その上層にレンズ材層１
１を形成する。単色固体撮像素子の場合には、平坦化膜
８の上層にレンズ材層１１を形成する。レンズ材層１１
は例えば樹脂をスピンコート等により塗布し、硬化させ
て形成する。レンズ材層１１の上層に、ＯＣＬのパター
ンでレジスト１２を形成する。レジスト１２としては例
えばノボラック系ポジ型レジストを用いる。その後、例
えばレジスト１２を熱軟化させることにより、レジスト
１２を半球状に加工する。
【００３２】次に、図３に示すように、半球状のレジス
ト１２およびレンズ材層１１をエッチバックする。この
エッチングは例えばＣＦ4 ／Ｏ2 をエッチングガスとし
て用いる異方性ＲＩＥとする。また、このＲＩＥはレジ
スト１２とレンズ材層１１のエッチング選択比がほぼ１
となるような条件で行う。これにより、レジスト１２の
半球形状がレンズ材層１１に転写され、図１に示すよう
に、ＯＣＬ１０が形成される。本実施形態のオンチップ
マイクロレンズの形成方法によれば、半導体基板１を冷
却しながら、このＲＩＥを行う。これにより、エッチン
グ速度を低下させずにＣＤゲイン量を大きくできる。
ト１２およびレンズ材層１１をエッチバックする。この
エッチングは例えばＣＦ4 ／Ｏ2 をエッチングガスとし
て用いる異方性ＲＩＥとする。また、このＲＩＥはレジ
スト１２とレンズ材層１１のエッチング選択比がほぼ１
となるような条件で行う。これにより、レジスト１２の
半球形状がレンズ材層１１に転写され、図１に示すよう
に、ＯＣＬ１０が形成される。本実施形態のオンチップ
マイクロレンズの形成方法によれば、半導体基板１を冷
却しながら、このＲＩＥを行う。これにより、エッチン
グ速度を低下させずにＣＤゲイン量を大きくできる。
【００３３】図４に、本実施形態のオンチップマイクロ
レンズの形成方法に用いられるＲＩＥ装置の一例とし
て、マグネトロンＲＩＥ装置を示す。図４の概略図に示
すように、マグネトロンＲＩＥ装置２０は、チャンバー
２１内に互いに平行に配置された上部電極２２および下
部電極２３を有する。電極の一方２２には磁石２４が設
けられており、磁界が形成される。高周波電源２５から
下部電極２３に印加される高周波の電力を変化させるこ
とにより、イオンの入射エネルギーが制御される。
レンズの形成方法に用いられるＲＩＥ装置の一例とし
て、マグネトロンＲＩＥ装置を示す。図４の概略図に示
すように、マグネトロンＲＩＥ装置２０は、チャンバー
２１内に互いに平行に配置された上部電極２２および下
部電極２３を有する。電極の一方２２には磁石２４が設
けられており、磁界が形成される。高周波電源２５から
下部電極２３に印加される高周波の電力を変化させるこ
とにより、イオンの入射エネルギーが制御される。
【００３４】表面にレンズ材およびレジストが形成され
たウェハ２６は、下部電極２３上に載置される。チラー
２７と下部電極２３との間で冷媒を循環させることによ
り、下部電極２３の温度を冷却する。下部電極２３の温
度は常温より低く、かつエッチング速度の低下が問題と
ならない範囲に設定され、具体的には２０℃〜−３０℃
程度とする。チラー２７により循環させる冷媒として
は、例えば液体ヘリウムや液体窒素が挙げられる。
たウェハ２６は、下部電極２３上に載置される。チラー
２７と下部電極２３との間で冷媒を循環させることによ
り、下部電極２３の温度を冷却する。下部電極２３の温
度は常温より低く、かつエッチング速度の低下が問題と
ならない範囲に設定され、具体的には２０℃〜−３０℃
程度とする。チラー２７により循環させる冷媒として
は、例えば液体ヘリウムや液体窒素が挙げられる。
【００３５】下部電極２３を冷却した場合、下部電極２
３上のウェハ２６の温度は、下部電極２３の温度より少
なくとも１０℃程度高くなる。下部電極２３とウェハ２
６の接触状態により、温度差がさらに大きくなる場合も
ある。さらに、エッチングが行われる間はイオンの入射
等によるウェハ２６の温度上昇もある。チャンバ２１内
のウェハ２６の温度は、熱電対を利用して検出すること
が可能であるが、この場合、プラズマ放電用の高周波の
影響を除去するために、熱電対線で形成されたローパス
フィルタを配置する必要がある。
３上のウェハ２６の温度は、下部電極２３の温度より少
なくとも１０℃程度高くなる。下部電極２３とウェハ２
６の接触状態により、温度差がさらに大きくなる場合も
ある。さらに、エッチングが行われる間はイオンの入射
等によるウェハ２６の温度上昇もある。チャンバ２１内
のウェハ２６の温度は、熱電対を利用して検出すること
が可能であるが、この場合、プラズマ放電用の高周波の
影響を除去するために、熱電対線で形成されたローパス
フィルタを配置する必要がある。
【００３６】したがって、本実施形態のオンチップマイ
クロレンズの形成方法において、ウェハ２６の温度を測
定しながら温度制御を行うことも可能であるが、下部電
極２３の温度制御がより容易である。下部電極２３上で
シリコンウェハを冷却した場合、シリコンの熱伝導率が
高いため、ウェハの表面と裏面との温度差はほとんどな
いことがわかっている。本実施形態のオンチップマイク
ロレンズの形成方法によれば、下部電極２３を所定の温
度に冷却することにより、ウェハ２６を冷却し、ＣＤゲ
イン量を大きくすることが可能である。
クロレンズの形成方法において、ウェハ２６の温度を測
定しながら温度制御を行うことも可能であるが、下部電
極２３の温度制御がより容易である。下部電極２３上で
シリコンウェハを冷却した場合、シリコンの熱伝導率が
高いため、ウェハの表面と裏面との温度差はほとんどな
いことがわかっている。本実施形態のオンチップマイク
ロレンズの形成方法によれば、下部電極２３を所定の温
度に冷却することにより、ウェハ２６を冷却し、ＣＤゲ
イン量を大きくすることが可能である。
【００３７】図５は下部電極温度とＣＤゲイン量との関
係を示す図である。図５に示すように、下部電極を冷却
しない場合（２０℃）に比較して、下部電極を−２０℃
に冷却した場合には、ＣＤゲイン量が０．０５μｍ程度
大きくなる。したがって、ＣＤゲイン量の分、ＯＣＬギ
ャップが狭くなり、無光領域の面積が縮小する。
係を示す図である。図５に示すように、下部電極を冷却
しない場合（２０℃）に比較して、下部電極を−２０℃
に冷却した場合には、ＣＤゲイン量が０．０５μｍ程度
大きくなる。したがって、ＣＤゲイン量の分、ＯＣＬギ
ャップが狭くなり、無光領域の面積が縮小する。
【００３８】図６は下部電極温度とエッチング速度との
関係を示す図である。図６に示すように、下部電極を−
２０℃に冷却した場合にも、実用上問題とならないエッ
チング速度（１７０ｎｍ／分）が得られている。また、
下部電極を冷却することにより、エッチングの均一性が
向上する。下部電極をさらに冷却し、下部電極温度を−
３０℃よりも低くした場合には、エッチング速度が１６
０ｎｍ／分以下となり、生産性が低下する。
関係を示す図である。図６に示すように、下部電極を−
２０℃に冷却した場合にも、実用上問題とならないエッ
チング速度（１７０ｎｍ／分）が得られている。また、
下部電極を冷却することにより、エッチングの均一性が
向上する。下部電極をさらに冷却し、下部電極温度を−
３０℃よりも低くした場合には、エッチング速度が１６
０ｎｍ／分以下となり、生産性が低下する。
【００３９】下部電極の冷却によりＣＤゲイン量が増加
する原因は、以下のように予想される。ガスプラズマ中
のイオンはウェハに垂直に入射する性質がある。これ
は、高周波電界下において正イオンと電子の移動度が大
きく異なるために、電極が負に帯電し（セルフバイアス
電圧）、イオンを加速するイオンシースが形成される。
したがって、イオンはプラズマポテンシャルに加えて、
セルフバイアス電圧の電位差分に相当するエネルギーを
もって表面に衝突する。
する原因は、以下のように予想される。ガスプラズマ中
のイオンはウェハに垂直に入射する性質がある。これ
は、高周波電界下において正イオンと電子の移動度が大
きく異なるために、電極が負に帯電し（セルフバイアス
電圧）、イオンを加速するイオンシースが形成される。
したがって、イオンはプラズマポテンシャルに加えて、
セルフバイアス電圧の電位差分に相当するエネルギーを
もって表面に衝突する。
【００４０】ドライエッチングの表面反応には解離粒
子、特にラジカルによる反応、イオンだけによる反応、
イオンとラジカルが相補的または相乗的に作用するイオ
ンアシスト反応の３種類に大別される。上記のように、
イオンがウェハに垂直に入射することから、イオンの入
射しにくいパターンの側面では、主にラジカル反応が熱
エネルギーによって進行する。したがって、低温化によ
り側面でのラジカルの反応確率が小さくなると、側面の
エッチングが相対的に抑制される。
子、特にラジカルによる反応、イオンだけによる反応、
イオンとラジカルが相補的または相乗的に作用するイオ
ンアシスト反応の３種類に大別される。上記のように、
イオンがウェハに垂直に入射することから、イオンの入
射しにくいパターンの側面では、主にラジカル反応が熱
エネルギーによって進行する。したがって、低温化によ
り側面でのラジカルの反応確率が小さくなると、側面の
エッチングが相対的に抑制される。
【００４１】また、ＲＩＥの際には反応生成物の揮発と
副生成物等の堆積が競合して起こるが、低温化により副
生成物等の堆積が促進される。さらに、エッチングガス
やレジストあるいはレンズ材の組成によっても、副生成
物等の堆積のしやすさは変化する。これらの影響のた
め、ＣＤゲイン量の増加を単純に説明することは不可能
であるが、低温化によりレンズ材やレンズ形状、あるい
はエッチング条件等に応じてＣＤゲイン量を増加させる
ことができる。
副生成物等の堆積が競合して起こるが、低温化により副
生成物等の堆積が促進される。さらに、エッチングガス
やレジストあるいはレンズ材の組成によっても、副生成
物等の堆積のしやすさは変化する。これらの影響のた
め、ＣＤゲイン量の増加を単純に説明することは不可能
であるが、低温化によりレンズ材やレンズ形状、あるい
はエッチング条件等に応じてＣＤゲイン量を増加させる
ことができる。
【００４２】上記の本実施形態のオンチップマイクロレ
ンズの形成方法に従って、下部電極の温度を−２０℃に
冷却してレジストのエッチバックを行い、１／３インチ
２５万画素ＣＣＤ固体撮像素子のＯＣＬを形成した。そ
の結果、下部電極の温度を２０℃としてＯＣＬを形成し
た場合に比較して、ＣＣＤ固体撮像素子の感度を約４．
０％向上させることができた。
ンズの形成方法に従って、下部電極の温度を−２０℃に
冷却してレジストのエッチバックを行い、１／３インチ
２５万画素ＣＣＤ固体撮像素子のＯＣＬを形成した。そ
の結果、下部電極の温度を２０℃としてＯＣＬを形成し
た場合に比較して、ＣＣＤ固体撮像素子の感度を約４．
０％向上させることができた。
【００４３】本発明のオンチップマイクロレンズの形成
方法および固体撮像素子の製造方法の実施形態は、上記
の説明に限定されない。例えば、マグネトロンＲＩＥ装
置を平行平板型エッチング装置に変更することも可能で
ある。また、レンズ材やレジストの種類は特に限定しな
い。レジストのエッチバックを行う際のエッチングガス
も変更可能である。さらに、本発明は単色（白黒）固体
撮像素子、カラー固体撮像素子のいずれにも適用するこ
とが可能である。
方法および固体撮像素子の製造方法の実施形態は、上記
の説明に限定されない。例えば、マグネトロンＲＩＥ装
置を平行平板型エッチング装置に変更することも可能で
ある。また、レンズ材やレジストの種類は特に限定しな
い。レジストのエッチバックを行う際のエッチングガス
も変更可能である。さらに、本発明は単色（白黒）固体
撮像素子、カラー固体撮像素子のいずれにも適用するこ
とが可能である。
【００４４】また、本発明のオンチップマイクロレンズ
の形成方法または固体撮像素子の製造方法によるＯＣＬ
ギャップの縮小は微量であり、通常はＯＣＬの焦点に影
響しない。しかしながら、ＯＣＬギャップの縮小に伴い
ＯＣＬの曲率が増大し、焦点深度が深くなる場合もあり
得る。この場合には、例えば層間絶縁膜の膜厚を大きく
することにより、集光状態を最適化することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更
が可能である。
の形成方法または固体撮像素子の製造方法によるＯＣＬ
ギャップの縮小は微量であり、通常はＯＣＬの焦点に影
響しない。しかしながら、ＯＣＬギャップの縮小に伴い
ＯＣＬの曲率が増大し、焦点深度が深くなる場合もあり
得る。この場合には、例えば層間絶縁膜の膜厚を大きく
することにより、集光状態を最適化することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更
が可能である。
【００４５】
【発明の効果】本発明のオンチップマイクロレンズの形
成方法によれば、レンズ間隔が狭く集光効率の高いオン
チップマイクロレンズを、より高い生産効率で形成する
ことが可能となる。本発明の固体撮像素子の製造方法に
よれば、高感度な固体撮像素子を高い生産効率で製造す
ることが可能となる。
成方法によれば、レンズ間隔が狭く集光効率の高いオン
チップマイクロレンズを、より高い生産効率で形成する
ことが可能となる。本発明の固体撮像素子の製造方法に
よれば、高感度な固体撮像素子を高い生産効率で製造す
ることが可能となる。
【図１】図１は本発明の固体撮像素子の製造方法により
製造された固体撮像素子の断面図である。
製造された固体撮像素子の断面図である。
【図２】図２は本発明のオンチップマイクロレンズの形
成方法あるいは固体撮像素子の製造方法の工程を示す断
面図である。
成方法あるいは固体撮像素子の製造方法の工程を示す断
面図である。
【図３】図３は本発明のオンチップマイクロレンズの形
成方法あるいは固体撮像素子の製造方法の工程を示す断
面図である。
成方法あるいは固体撮像素子の製造方法の工程を示す断
面図である。
【図４】図４は本発明のオンチップマイクロレンズの形
成方法あるいは固体撮像素子の製造方法に用いられるマ
グネトロンＲＩＥ装置の概略図である。
成方法あるいは固体撮像素子の製造方法に用いられるマ
グネトロンＲＩＥ装置の概略図である。
【図５】図５は下部電極温度とＣＤゲイン量との関係を
示す図である。
示す図である。
【図６】図６は下部電極温度とエッチング速度との関係
を示す図である。
を示す図である。
【図７】図７は従来のオンチップマイクロレンズの形成
方法あるいは固体撮像素子の製造方法に用いられるマグ
ネトロンＲＩＥ装置の概略図である。
方法あるいは固体撮像素子の製造方法に用いられるマグ
ネトロンＲＩＥ装置の概略図である。
【図８】図８は常温におけるパワーとエッチング速度と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
１…半導体基板、２…受光部、３…ゲート絶縁膜、４…
転送電極、５…絶縁膜、６…遮光膜、７…層間絶縁膜、
８…平坦化膜、９…カラーフィルタ、１０…オンチップ
マイクロレンズ（ＯＣＬ）、１１…レンズ材層、１２…
レジスト、２０、３０…マグネトロンＲＩＥ装置、２１
…チャンバー、２２…上部電極、２３…下部電極、２４
…磁石、２５…高周波電源、２６…ウェハ、２７…チラ
ー。
転送電極、５…絶縁膜、６…遮光膜、７…層間絶縁膜、
８…平坦化膜、９…カラーフィルタ、１０…オンチップ
マイクロレンズ（ＯＣＬ）、１１…レンズ材層、１２…
レジスト、２０、３０…マグネトロンＲＩＥ装置、２１
…チャンバー、２２…上部電極、２３…下部電極、２４
…磁石、２５…高周波電源、２６…ウェハ、２７…チラ
ー。
Claims (11)
- 【請求項１】基板上にレンズ材料層を形成する工程と、 前記レンズ材料層上にレンズ形状を有するレジストを形
成する工程と、 冷却しながら前記レジストおよびレンズ材料層にドライ
エッチングを行い、前記レンズ材料層に前記レンズ形状
を転写する工程とを有するオンチップマイクロレンズの
形成方法。 - 【請求項２】前記ドライエッチング工程は、前記基板を
第１の電極上に載置して、互いに対向する前記第１の電
極と第２の電極との間に前記基板を配置する工程と、 前記第１の電極を所定の温度に冷却する工程と、 前記第１の電極と前記第２の電極との間を放電させ、プ
ラズマを発生させる工程とを有する請求項１記載のオン
チップマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項３】前記所定の温度は常温より低く、かつ所定
のエッチング速度が得られる範囲の温度である請求項２
記載のオンチップマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項４】前記所定の温度はほぼ−３０℃以上である
請求項３記載のオンチップマイクロレンズの形成方法。 - 【請求項５】前記所定のエッチング速度はほぼ１７０ｎ
ｍ／分以上である請求項４記載のオンチップマイクロレ
ンズの形成方法。 - 【請求項６】半導体基板に受光部と電荷転送領域を形成
する工程と、 前記電荷転送領域上に電荷転送電極を形成する工程と、 前記基板および前記電荷転送電極上にレンズ材料層を形
成する工程と、 前記レンズ材料層上にレンズ形状を有するレジストを形
成する工程と、 冷却しながら前記レジストおよびレンズ材料層にドライ
エッチングを行い、前記レンズ材料層に前記レンズ形状
を転写して、前記受光部に光を集光するオンチップマイ
クロレンズを形成する工程とを有する固体撮像素子の製
造方法。 - 【請求項７】前記電荷転送電極を形成後、前記基板およ
び前記電荷転送電極上に、表面を平坦化する平坦化膜を
形成する工程をさらに有し、 前記レンズ材料層を前記平坦化膜上に形成する請求項６
記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項８】前記ドライエッチング工程は、前記基板を
第１の電極上に載置して、互いに対向する前記第１の電
極と第２の電極との間に前記基板を配置する工程と、 前記第１の電極を所定の温度に冷却する工程と、 前記第１の電極と前記第２の電極との間を放電させ、プ
ラズマを発生させる工程とを有する請求項７記載の固体
撮像素子の製造方法。 - 【請求項９】前記所定の温度は常温より低く、かつ所定
のエッチング速度が得られる範囲の温度である請求項８
記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１０】前記所定の温度はほぼ−３０℃以上であ
る請求項９記載の固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項１１】前記所定のエッチング速度はほぼ１７０
ｎｍ／分以上である請求項１０記載の固体撮像素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301940A JP2002110952A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | オンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301940A JP2002110952A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | オンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002110952A true JP2002110952A (ja) | 2002-04-12 |
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ID=18783389
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|---|---|---|---|
| JP2000301940A Pending JP2002110952A (ja) | 2000-10-02 | 2000-10-02 | オンチップマイクロレンズの形成方法および固体撮像素子の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002110952A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004006336A1 (ja) * | 2002-07-09 | 2004-01-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2005216897A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子とその製造方法 |
| JP2006073605A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | マイクロレンズの形成方法 |
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| JP2008009079A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Tokyo Electron Ltd | マイクロレンズの形成方法及び半導体装置 |
| JP2008166762A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
| US8801947B2 (en) | 2012-05-30 | 2014-08-12 | Mattson Technology, Inc. | Methods for forming microlenses |
-
2000
- 2000-10-02 JP JP2000301940A patent/JP2002110952A/ja active Pending
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