JPH1187672A - 固体撮像素子の層内集光レンズの形成方法 - Google Patents
固体撮像素子の層内集光レンズの形成方法Info
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- JPH1187672A JPH1187672A JP9246284A JP24628497A JPH1187672A JP H1187672 A JPH1187672 A JP H1187672A JP 9246284 A JP9246284 A JP 9246284A JP 24628497 A JP24628497 A JP 24628497A JP H1187672 A JPH1187672 A JP H1187672A
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- forming
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 固体撮像素子の層内集光レンズの上面を平坦
に形成することが難しく、集光特性を劣化させる要因に
なっている。 【解決手段】 基板１１上に形成された凹状段差ａの底
面下に受光部１１ａを設けてなる固体撮像装置におい
て、凹状段差ａの内壁を覆う状態で形成されたリフロー
膜１６の表面部分を凸レンズ面とした層内集光レンズ１
７ａを受光部１１ａの上方に形成する方法であって、リ
フロー膜１６上に、リフロー膜１６表面の段差よりも膜
厚の厚い窒化シリコン系膜１７を成膜する。窒化シリコ
ン系膜１７上に、表面平坦なＳＯＧ膜１８を成膜する。
エッチング選択比がほぼ等しい条件でＳＯＧ膜１８及び
窒化シリコン系膜１７を全面エッチバックしてＳＯＧ膜
１８を除去し、窒化シリコン系膜１７からなる層内集光
レンズ１７ａを形成する。
に形成することが難しく、集光特性を劣化させる要因に
なっている。 【解決手段】 基板１１上に形成された凹状段差ａの底
面下に受光部１１ａを設けてなる固体撮像装置におい
て、凹状段差ａの内壁を覆う状態で形成されたリフロー
膜１６の表面部分を凸レンズ面とした層内集光レンズ１
７ａを受光部１１ａの上方に形成する方法であって、リ
フロー膜１６上に、リフロー膜１６表面の段差よりも膜
厚の厚い窒化シリコン系膜１７を成膜する。窒化シリコ
ン系膜１７上に、表面平坦なＳＯＧ膜１８を成膜する。
エッチング選択比がほぼ等しい条件でＳＯＧ膜１８及び
窒化シリコン系膜１７を全面エッチバックしてＳＯＧ膜
１８を除去し、窒化シリコン系膜１７からなる層内集光
レンズ１７ａを形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の受
光部上に設けられる層内集光レンズの形成方法に関す
る。
光部上に設けられる層内集光レンズの形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】固体撮像素子の受光部の上方でかつ色フ
ィルタ及びオンチップレンズの下方に設けられる層内集
光レンズを形成するには、先ず、転送電極や遮光膜によ
って基板の上方に形成された凹状段差を覆う状態で、当
該基板の上方にリフロー膜を形成する。次に、このリフ
ロー膜上に、このリフロー膜表面の段差よりも膜厚の厚
い窒化シリコン系膜を成膜する。その後、この窒化シリ
コン系膜上に、窒化シリコン系膜表面の段差を埋め込む
状態でレジスト膜を形成する。しかる後、レジスト膜が
除去されるまで、このレジスト膜及び窒化シリコン系膜
を全面エッチバックする。これによって、上記窒化シリ
コン系膜からなる層内集光レンズを形成する。この層内
集光レンズは、上記凹状段差の内壁を覆うリフロー膜の
表面部分を凸レンズ面として当該凹状段差の底面下の受
光部上に設けられる。
ィルタ及びオンチップレンズの下方に設けられる層内集
光レンズを形成するには、先ず、転送電極や遮光膜によ
って基板の上方に形成された凹状段差を覆う状態で、当
該基板の上方にリフロー膜を形成する。次に、このリフ
ロー膜上に、このリフロー膜表面の段差よりも膜厚の厚
い窒化シリコン系膜を成膜する。その後、この窒化シリ
コン系膜上に、窒化シリコン系膜表面の段差を埋め込む
状態でレジスト膜を形成する。しかる後、レジスト膜が
除去されるまで、このレジスト膜及び窒化シリコン系膜
を全面エッチバックする。これによって、上記窒化シリ
コン系膜からなる層内集光レンズを形成する。この層内
集光レンズは、上記凹状段差の内壁を覆うリフロー膜の
表面部分を凸レンズ面として当該凹状段差の底面下の受
光部上に設けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記レジス
ト膜の表面には、上記転送電極や遮光膜の形成による段
差に起因した凹凸が現れる場合がある。これは、レジス
ト膜を形成する際に基板上に回転塗布するレジスト膜前
駆体が保有する粘性のためである。このため、レジスト
膜の表面から、このレジスト膜及び窒化シリコン系膜を
全面エッチバックして得られる層内集光レンズの表面に
も上記段差の影響が生じ、当該層内集光レンズの上面を
確実に平坦化することができない。これは、層内集光レ
ンズの集光特性を劣化させる要因になる。
ト膜の表面には、上記転送電極や遮光膜の形成による段
差に起因した凹凸が現れる場合がある。これは、レジス
ト膜を形成する際に基板上に回転塗布するレジスト膜前
駆体が保有する粘性のためである。このため、レジスト
膜の表面から、このレジスト膜及び窒化シリコン系膜を
全面エッチバックして得られる層内集光レンズの表面に
も上記段差の影響が生じ、当該層内集光レンズの上面を
確実に平坦化することができない。これは、層内集光レ
ンズの集光特性を劣化させる要因になる。
【０００４】また、上記レジスト膜は有機材料であるた
め、上記全面エッチバックの際には、蒸気圧の低い反応
生成物が生成されてエッチングチャンバ内の各部に残
留、付着する。このため、連続して上記全面エッチング
バックを行っていると、エッチングチャンバ内に付着し
て堆積した反応生成物の一部がダストとして剥離、飛散
し、エッチバック表面、すなわち層内集光レンズの上面
に付着する。これは、この層内集光レンズを有する固体
撮像素子の歩留りを低下させる要因になる。
め、上記全面エッチバックの際には、蒸気圧の低い反応
生成物が生成されてエッチングチャンバ内の各部に残
留、付着する。このため、連続して上記全面エッチング
バックを行っていると、エッチングチャンバ内に付着し
て堆積した反応生成物の一部がダストとして剥離、飛散
し、エッチバック表面、すなわち層内集光レンズの上面
に付着する。これは、この層内集光レンズを有する固体
撮像素子の歩留りを低下させる要因になる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、基板上に形成された凹状段差の底面下に受
光部を設けてなる固体撮像装置において、凹状段差の内
壁を覆う状態で形成されたリフロー膜の表面部分を凸レ
ンズ面とした層内集光レンズを上記受光部の上方に形成
する方法である。その手順は先ず、上記リフロー膜上
に、当該リフロー膜表面の段差よりも膜厚の厚い窒化シ
リコン系膜を成膜する。次に、この窒化シリコン系膜上
に、表面平坦なＳＯＧ膜を成膜する。その後、エッチン
グ選択比がほぼ等しい条件でＳＯＧ膜及び窒化シリコン
系膜を全面エッチバックして当該ＳＯＧ膜を除去する。
これによって、上記受光部上方におけるリフロー膜上に
窒化シリコン系膜からなる層内集光レンズを形成する。
の本発明は、基板上に形成された凹状段差の底面下に受
光部を設けてなる固体撮像装置において、凹状段差の内
壁を覆う状態で形成されたリフロー膜の表面部分を凸レ
ンズ面とした層内集光レンズを上記受光部の上方に形成
する方法である。その手順は先ず、上記リフロー膜上
に、当該リフロー膜表面の段差よりも膜厚の厚い窒化シ
リコン系膜を成膜する。次に、この窒化シリコン系膜上
に、表面平坦なＳＯＧ膜を成膜する。その後、エッチン
グ選択比がほぼ等しい条件でＳＯＧ膜及び窒化シリコン
系膜を全面エッチバックして当該ＳＯＧ膜を除去する。
これによって、上記受光部上方におけるリフロー膜上に
窒化シリコン系膜からなる層内集光レンズを形成する。
【０００６】上記方法では、層内集光レンズを構成する
窒化シリコン系膜上にＳＯＧ膜を成膜することで、当該
窒化シリコン系膜表面の段差が当該ＳＯＧ膜によって埋
め込まれ、このＳＯＧ膜表面が平坦化される。このた
め、エッチバック表面、すなわち、窒化シリコン系膜を
構成する層内集光レンズの上面は平坦になる。また、Ｓ
ＯＧ膜と窒化シリコン系膜とのエッチバックによる反応
生成物に多量の有機物が含有されることはなく、当該反
応生成物の蒸気圧は高く保たれてエッチングチャンバー
内から排気される。
窒化シリコン系膜上にＳＯＧ膜を成膜することで、当該
窒化シリコン系膜表面の段差が当該ＳＯＧ膜によって埋
め込まれ、このＳＯＧ膜表面が平坦化される。このた
め、エッチバック表面、すなわち、窒化シリコン系膜を
構成する層内集光レンズの上面は平坦になる。また、Ｓ
ＯＧ膜と窒化シリコン系膜とのエッチバックによる反応
生成物に多量の有機物が含有されることはなく、当該反
応生成物の蒸気圧は高く保たれてエッチングチャンバー
内から排気される。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１（１）〜図１（４）は、本発
明を適用した固体撮像素子の層内集光レンズの製造工程
を示す断面工程図であり、以下にこれらの図に基づいて
固体撮像素子の製造工程中における層内集光レンズの形
成方法を説明する。
明を適用した固体撮像素子の層内集光レンズの製造工程
を示す断面工程図であり、以下にこれらの図に基づいて
固体撮像素子の製造工程中における層内集光レンズの形
成方法を説明する。
【０００８】先ず、図１（１）に示すように、固体撮像
素子の電荷転送領域を構成する不純物領域（図示省略）
が形成されたｐ型シリコンからなる基板１１上に、熱酸
化法によって１００ｎｍ程度の膜厚の第１層間絶縁膜１
２を成膜する。その後、この第１層間絶縁膜１２上に固
体撮像素子の転送電極１３を形成する。この転送電極１
３の形成は、例えば、ＣＶＤ法によって第１層間絶縁膜
１２上に成膜された３００ｎｍ程度の膜厚のポリシリコ
ン膜を、リソグラフィー技術によって形成されたレジス
トパターンをマスクにしてエッチングすることによって
行う。
素子の電荷転送領域を構成する不純物領域（図示省略）
が形成されたｐ型シリコンからなる基板１１上に、熱酸
化法によって１００ｎｍ程度の膜厚の第１層間絶縁膜１
２を成膜する。その後、この第１層間絶縁膜１２上に固
体撮像素子の転送電極１３を形成する。この転送電極１
３の形成は、例えば、ＣＶＤ法によって第１層間絶縁膜
１２上に成膜された３００ｎｍ程度の膜厚のポリシリコ
ン膜を、リソグラフィー技術によって形成されたレジス
トパターンをマスクにしてエッチングすることによって
行う。
【０００９】次いで、熱酸化法によって、上記転送電極
１３表面を覆う状態で１００ｎｍ程度の膜厚の第２層間
絶縁膜１４を成膜し、転送電極１３間における基板１１
の表面層に受光部１１ａを形成する。その後、第２層間
絶縁膜１４上に、遮光膜１５を形成する。この遮光膜１
５は、転送電極１３間の上記受光領域上方に開口を有す
るものである。この遮光膜１５の形成は、スパッタ法に
よって２００ｎｍ程度の膜厚を有する金属膜を成膜し、
レジストパターンをマスクにしてこの金属膜をプラズマ
エッチングすることによって行う。そして、この遮光膜
１５及び上記転送電極１３によって、基板１１上には凹
状段差ａが形成される。そして、この凹状段差ａの底面
下の基板１１面部分に受光部１１ａが配置されることに
なる。
１３表面を覆う状態で１００ｎｍ程度の膜厚の第２層間
絶縁膜１４を成膜し、転送電極１３間における基板１１
の表面層に受光部１１ａを形成する。その後、第２層間
絶縁膜１４上に、遮光膜１５を形成する。この遮光膜１
５は、転送電極１３間の上記受光領域上方に開口を有す
るものである。この遮光膜１５の形成は、スパッタ法に
よって２００ｎｍ程度の膜厚を有する金属膜を成膜し、
レジストパターンをマスクにしてこの金属膜をプラズマ
エッチングすることによって行う。そして、この遮光膜
１５及び上記転送電極１３によって、基板１１上には凹
状段差ａが形成される。そして、この凹状段差ａの底面
下の基板１１面部分に受光部１１ａが配置されることに
なる。
【００１０】次に、凹状段差ａの内壁及び遮光膜１５を
覆う状態で、基板１１の上方にリフロー膜１６を形成す
る。このリフロー膜１６は、例えば、リン（Ｐ）やホウ
素（Ｂ）を含有する酸化シリコンからなり、ＣＶＤ法に
よって６００ｎｍ程度の膜厚に成膜された酸化シリコン
膜を熱処理することによって形成される。そして、この
リフロー膜１６表面における凹状部分、すなわち凹状段
差ａの内壁を覆う部分の表面が、次に形成する層内集光
レンズの凸レンズ面を構成する面になる。
覆う状態で、基板１１の上方にリフロー膜１６を形成す
る。このリフロー膜１６は、例えば、リン（Ｐ）やホウ
素（Ｂ）を含有する酸化シリコンからなり、ＣＶＤ法に
よって６００ｎｍ程度の膜厚に成膜された酸化シリコン
膜を熱処理することによって形成される。そして、この
リフロー膜１６表面における凹状部分、すなわち凹状段
差ａの内壁を覆う部分の表面が、次に形成する層内集光
レンズの凸レンズ面を構成する面になる。
【００１１】このリフロー膜１６上に層内集光レンズを
形成するには、まず、上記リフロー膜１６上に、このリ
フロー膜１６表面の段差よりも膜厚の厚い窒化シリコン
系膜１７を成膜する。ここで、リフロー膜１６表面の段
差は、当該リフロー膜１６下の転送電極１３（膜厚３０
０ｎｍ）及び遮光膜１５（膜厚２００ｎｍ）によって生
じたものであり、５００ｎｍ程度になる。このことか
ら、上記窒化シリコン系膜１７の膜厚は５００ｎｍ以上
に設定される。そこでここでは、膜厚１５００ｎｍ程度
の窒化シリコン系膜１７を、ＣＶＤ法によって成膜す
る。
形成するには、まず、上記リフロー膜１６上に、このリ
フロー膜１６表面の段差よりも膜厚の厚い窒化シリコン
系膜１７を成膜する。ここで、リフロー膜１６表面の段
差は、当該リフロー膜１６下の転送電極１３（膜厚３０
０ｎｍ）及び遮光膜１５（膜厚２００ｎｍ）によって生
じたものであり、５００ｎｍ程度になる。このことか
ら、上記窒化シリコン系膜１７の膜厚は５００ｎｍ以上
に設定される。そこでここでは、膜厚１５００ｎｍ程度
の窒化シリコン系膜１７を、ＣＶＤ法によって成膜す
る。
【００１２】その後、図１（２）に示すように、窒化シ
リコン系膜１７上に、表面平坦なＳＯＧ（Spin on Glas
s ）膜１８を成膜する。ここでは、ＳＯＧ膜前駆体の回
転塗布及びその後のアニール処理によって、上記ＳＯＧ
膜１８を成膜する。上記アニール処理は、例えば、アニ
ール炉内において４００℃、３０分間の条件で行うこと
とする。また、このＳＯＧ膜１８の膜厚は、例えば転送
電極１３上部分において１５００ｎｍであることとす
る。
リコン系膜１７上に、表面平坦なＳＯＧ（Spin on Glas
s ）膜１８を成膜する。ここでは、ＳＯＧ膜前駆体の回
転塗布及びその後のアニール処理によって、上記ＳＯＧ
膜１８を成膜する。上記アニール処理は、例えば、アニ
ール炉内において４００℃、３０分間の条件で行うこと
とする。また、このＳＯＧ膜１８の膜厚は、例えば転送
電極１３上部分において１５００ｎｍであることとす
る。
【００１３】次に、図１（３）に示すように、ＳＯＧ膜
（１８）の表面側からこのＳＯＧ膜１８及び窒化シリコ
ン系膜１７を全面エッチバックする。この全面エッチバ
ックは、少なくともＳＯＧ膜１８が除去されるまで行
う。またこの際、プラズマエッチングによって、ＳＯＧ
膜１８と窒化シリコン系膜１７とのエッチング選択比
が、ＳＯＧ膜：窒化シリコン系膜＝１．０：０．９〜
１．０：１．１になるようなエッチング条件を設定す
る。上記プラズマエッチング方式としては、高周波平行
平板方式、マグネトロン高周波プラズマ方式、マイクロ
波プラズマ方式または有磁場マイクロ波放電方式を適用
することとする。
（１８）の表面側からこのＳＯＧ膜１８及び窒化シリコ
ン系膜１７を全面エッチバックする。この全面エッチバ
ックは、少なくともＳＯＧ膜１８が除去されるまで行
う。またこの際、プラズマエッチングによって、ＳＯＧ
膜１８と窒化シリコン系膜１７とのエッチング選択比
が、ＳＯＧ膜：窒化シリコン系膜＝１．０：０．９〜
１．０：１．１になるようなエッチング条件を設定す
る。上記プラズマエッチング方式としては、高周波平行
平板方式、マグネトロン高周波プラズマ方式、マイクロ
波プラズマ方式または有磁場マイクロ波放電方式を適用
することとする。
【００１４】ここでは、マグネトロン高周波プラズマ方
式で発生させた４フッ化炭素（ＣＦ 4 ）及び酸素
（Ｏ2 ）のプラズマによって、上記全面エッチバックを
行う。この際のエッチング選択比は、ＳＯＧ膜：窒化シ
リコン系膜＝１．０：０．９になる。
式で発生させた４フッ化炭素（ＣＦ 4 ）及び酸素
（Ｏ2 ）のプラズマによって、上記全面エッチバックを
行う。この際のエッチング選択比は、ＳＯＧ膜：窒化シ
リコン系膜＝１．０：０．９になる。
【００１５】そして、図１（４）に示すように、ＳＯＧ
膜に換算して３．０μｍの膜厚で上記全面エッチバック
を行い、転送電極１３上の窒化シリコン系膜１７を除去
し、転送電極１３間の上方にのみ窒化シリコン系膜１７
を残す。これによって、窒化シリコン系膜１７からなる
層内集光レンズ１７ａを、凹状段差ａの底面下の受光部
１１ａ上に形成する。尚、上記全面エッチバックでは、
ＳＯＧ膜（１８）が除去されれば、転送電極１３上に窒
化シリコン系膜１７が残っても良い。
膜に換算して３．０μｍの膜厚で上記全面エッチバック
を行い、転送電極１３上の窒化シリコン系膜１７を除去
し、転送電極１３間の上方にのみ窒化シリコン系膜１７
を残す。これによって、窒化シリコン系膜１７からなる
層内集光レンズ１７ａを、凹状段差ａの底面下の受光部
１１ａ上に形成する。尚、上記全面エッチバックでは、
ＳＯＧ膜（１８）が除去されれば、転送電極１３上に窒
化シリコン系膜１７が残っても良い。
【００１６】また、以上のようにして層内集光レンズ１
７ａを形成した後、ここでは図示を省略したカラーフィ
ルター及びオンチップレンズを形成して固体撮像素子を
完成させる。
７ａを形成した後、ここでは図示を省略したカラーフィ
ルター及びオンチップレンズを形成して固体撮像素子を
完成させる。
【００１７】上記実施形態では、層内集光レンズ１７ａ
を構成する窒化シリコン系膜１７上にＳＯＧ膜１８を成
膜することで、窒化シリコン系膜１７表面の段差がＳＯ
Ｇ膜１８によって埋め込まれる。そして、基板１１上の
凹状段差ａの影響なくこのＳＯＧ膜１８表面を確実に平
坦化することができる。これは、従来の平坦化に用いて
いたレジスト膜を形成するためのレジスト膜前駆体と比
較して、ＳＯＧ膜１８を形成するためのＳＯＧ膜前駆体
のほうが粘性が低く、回転塗布によって平坦化が達成さ
れ易いことに起因している。このため、ＳＯＧ膜１８と
その下層の窒化シリコン系膜１７との全面エッチバック
によって得られる面、すなわち、層内集光レンズ１７ａ
の上面を平坦にすることができる。また、上記レジスト
膜を用いる場合と異なり、上記ＳＯＧ膜１８と窒化シリ
コン系膜１７との全面エッチバックの際に生じる反応生
成物に多量の有機物が含有されることはない。このた
め、この全面エッチバックの際には、上記反応生成物の
蒸気圧は高く保たれてチャンバー内から排気される。
を構成する窒化シリコン系膜１７上にＳＯＧ膜１８を成
膜することで、窒化シリコン系膜１７表面の段差がＳＯ
Ｇ膜１８によって埋め込まれる。そして、基板１１上の
凹状段差ａの影響なくこのＳＯＧ膜１８表面を確実に平
坦化することができる。これは、従来の平坦化に用いて
いたレジスト膜を形成するためのレジスト膜前駆体と比
較して、ＳＯＧ膜１８を形成するためのＳＯＧ膜前駆体
のほうが粘性が低く、回転塗布によって平坦化が達成さ
れ易いことに起因している。このため、ＳＯＧ膜１８と
その下層の窒化シリコン系膜１７との全面エッチバック
によって得られる面、すなわち、層内集光レンズ１７ａ
の上面を平坦にすることができる。また、上記レジスト
膜を用いる場合と異なり、上記ＳＯＧ膜１８と窒化シリ
コン系膜１７との全面エッチバックの際に生じる反応生
成物に多量の有機物が含有されることはない。このた
め、この全面エッチバックの際には、上記反応生成物の
蒸気圧は高く保たれてチャンバー内から排気される。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子の層内集光レンズの形成方法によれば、ＳＯＧ膜表
面からの全面エッチバックによって当該ＳＯＧ膜下の窒
化シリコン系膜からなる層内集光レンズを形成するよう
にしたことで、層内集光レンズの上面を平坦にすること
ができ、集光特性の良好な層内集光レンズを得ることが
可能になる。しかも、ダストの原因になる低蒸気圧の有
機系反応生成物を発生させることなく上記全面エッチバ
ックを行うことが可能になり、この層内集光レンズを有
する固体撮像素子の歩留りを向上させることができる。
素子の層内集光レンズの形成方法によれば、ＳＯＧ膜表
面からの全面エッチバックによって当該ＳＯＧ膜下の窒
化シリコン系膜からなる層内集光レンズを形成するよう
にしたことで、層内集光レンズの上面を平坦にすること
ができ、集光特性の良好な層内集光レンズを得ることが
可能になる。しかも、ダストの原因になる低蒸気圧の有
機系反応生成物を発生させることなく上記全面エッチバ
ックを行うことが可能になり、この層内集光レンズを有
する固体撮像素子の歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明の実施形態を示す断面工程図である。
【符号の説明】 １１…基板、１１ａ…受光部、１５…遮光膜、１６…リ
フロー膜、１７…窒化シリコン系膜、１７ａ…層内集光
レンズ、１８…ＳＯＧ膜、ａ…凹状段差
フロー膜、１７…窒化シリコン系膜、１７ａ…層内集光
レンズ、１８…ＳＯＧ膜、ａ…凹状段差
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成された凹状段差の底面下に
受光部を設けてなる固体撮像装置において、前記凹状段
差の内壁を覆う状態で形成されたリフロー膜の表面部分
を凸レンズ面とした層内集光レンズを前記受光部の上方
に形成する方法であって、 前記リフロー膜上に、当該リフロー膜表面の段差よりも
膜厚の厚い窒化シリコン系膜を成膜し、 前記窒化シリコン系膜上に、表面平坦なＳＯＧ膜を成膜
し、 エッチング選択比がほぼ等しい条件で前記ＳＯＧ膜及び
前記窒化シリコン系膜を全面エッチバックして当該ＳＯ
Ｇ膜を除去し、前記受光部上方における前記リフロー膜
上に当該窒化シリコン系膜からなる層内集光レンズを形
成することを特徴とする固体撮像素子の層内集光レンズ
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246284A JPH1187672A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 固体撮像素子の層内集光レンズの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9246284A JPH1187672A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 固体撮像素子の層内集光レンズの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187672A true JPH1187672A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17146264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9246284A Pending JPH1187672A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 固体撮像素子の層内集光レンズの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187672A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399971B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7087945B2 (en) | 2003-01-17 | 2006-08-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Process for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| JP2009260089A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Sharp Corp | 固体撮像装置の製造方法および電子情報機器 |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9246284A patent/JPH1187672A/ja active Pending
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