JPH06112231A

JPH06112231A - 電荷転送素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06112231A
Application number: JP4283970A
Authority: JP
Inventors: Ryuichi Shirota; 竜一代田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-09-28
Filing date: 1992-09-28
Publication date: 1994-04-22
Anticipated expiration: 2017-07-24
Also published as: JP3306929B2

Abstract

(57)【要約】【目的】マスクずれによる不良品の発生を抑制し、ア
ルミニウム配線間のショートに起因する歩留りの低下を
抑え、かつプラズマダメージあるいは絶縁膜厚の減少に
よるデバイス特性の悪化を少なくする。【構成】半導体基板４１上に絶縁酸化膜４２を形成
し、その後、リン含有多結晶シリコン４３を基板全面に
形成した後、フォトレジスト４をマスクにして反応性イ
オンエッチングを行い、リン含有多結晶シリコンの断面
形状をテーパ状に形成して第１電極４５とし、その上に
絶縁膜４６を介してリン含有多結晶シリコンを第１電極
４５間に埋め込んで第２電極４９となるような構造にす
る。これにより、２つの電極のオーバーラップする部分
で段差をなくし、平坦化した構造にしてポテンシャル障
壁を取り除き、電荷を効率良く転送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばＣＣＤイメージ
ャーに適用される電荷転送素子およびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】電荷転送素子は、基本的にはダイナミッ
クアナログシフトレジスタの一種であり、アナログ信号
としての電荷量を周期構造を有する電極によって蓄積又
は転送動作を制御する素子である。ＣＣＤも電荷転送素
子の一種であり、テレビカメラなどに受光素子として用
いられる。

【０００３】従来の電荷転送素子の構造としては、例え
ば図５に示すようなものがある。図５は電荷転送素子の
製造工程を順に示しながら、構造を断面として示すもの
である。図５において、１は半導体基板、２は絶縁膜、
３はリン含有の多結晶シリコンである。まず、図５
（ａ）に示すように、リン含有多結晶シリコン３の上面
にフォトレジスト４を形成し、次いで、図５（ｂ）に示
すように、フォトレジスト４をマスクにして反応性イオ
ンエッチング等によりリン含有多結晶シリコン３の選択
的除去を行い、第１電極５を形成する。さらに、第１電
極５の表面に絶縁膜６を形成する。

【０００４】次いで、図５（ｃ）に示すように絶縁膜６
の上面の全面にわたってリン含有の多結晶シリコン７を
成長させた後、フォトレジスト８を電極形成部に形成す
る（図５（ｄ）参照）。次いで、図５（ｅ）に示すよう
に、フォトレジスト８をマスクに反応性イオンエッチン
グ等によりリン含有多結晶シリコン７の選択的除去を行
って第２電極９を形成し、さらに、第１電極９の表面に
絶縁膜１０を形成する。

【０００５】次に、上記工程に従って製造される電荷転
送素子のデバイスへの応用としては、図６に示すＣＣＤ
イメージャーがある。図６（ａ）、図６（ｂ）は従来の
ＣＣＤイメージャーにおけるセンサ形成部の簡単な製造
工程と構造を示す平面図であり、また、図６（ａ’）お
よび図６（ｂ’）は、それぞれ図６（ａ）、図６（ｂ）
におけるＡ−Ａ’の矢視断面図およびＢ−Ｂ’の矢視断
面図である。

【０００６】まず、図６（ａ）、（ａ’）に示すように
半導体基板２１上に絶縁酸化膜２２を形成し、次いで、
リン含有多結晶シリコンを成長させた後、その上面にフ
ォトレジストを形成し、これをマスクにして反応性イオ
ンエッチングによってリン含有多結晶シリコンの選択的
除去を行い、第１電極２３を形成する。さらに、第１電
極２３の表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）２４を形成す
る。

【０００７】次いで、図６（ｂ）、（ｂ’）に示すよう
にシリコン酸化膜２４の全面にわたってリン含有の多結
晶シリコンを成長させた後、選択的に形成したフォトレ
ジストをマスクに反応性イオンエッチング等によりリン
含有多結晶シリコンの除去を行って第２電極３１を形成
し、さらに、第２電極３１の表面にシリコン酸化膜（絶
縁膜）３２を形成して終了する。これにより、図中の３
３がセンサ形成部になる。

【０００８】そして、センサ形成部３３に入射した光に
よって信号電荷が発生し、この電荷は第１電極２３およ
び第２電極３１を転送電極として所定のクロックで駆動
することにより、転送され、撮像デバイスとして用いら
れる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、電荷転送素
子の製造工程にあっては、上述した第２電極を形成する
ときに高精度のマスク合せが必要であったため、マスク
ずれによる不良品が発生しやすいという問題点があっ
た。

【００１０】また、第１電極、第２電極のオーバーラッ
プによる段差のために、次のような問題点があった。従
来の構造では、アルミニウム（Ａｌ）等の上部成膜をエ
ッチオフ加工する際に、段差部にアルミニウムのエッチ
ング残りが生じ易く、これがアルミニウム配線間のショ
ートを引き起こし、歩留りが低下していた。このアルミ
ニウムのエッチング残りを除去するためには、オーバー
エッチングを長めに行わなくてはならず、その結果、プ
ラズマダメージが大きいという新たな欠点が生じるとと
もに、最上部の絶縁膜厚が減少してデバイスの特性が悪
化するという欠点が生じていた。

【００１１】一方、特開昭６３ー２７２０６７号公報に
記載の「ＭＯＳ型半導体装置の製造方法」によると、第
２電極を第１電極間にエッチバックによって形成する工
程が開示されているが、このような工程によっても特に
第１電極の段差が大きいために、第２電極をオーバーラ
ップした場合の段差を平坦化することはできず、上記問
題点を解決するには至っていない。

【００１２】そこで本発明は、マスクずれによる不良品
の発生を抑制し、アルミニウム配線間のショートに起因
する歩留りの低下を抑え、かつプラズマダメージあるい
は絶縁膜厚の減少によるデバイス特性の悪化を少なくで
きる電荷転送素子およびその製造方法を提供することを
目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による電荷転送素子は、半導体基板と、前記
半導体基板上に絶縁膜を介して形成されるとともに、そ
の側面にテーパ部が形成された第１転送電極と、前記第
１転送電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１転
送電極間に形成されるとともに、前記第１転送電極のテ
ーパ部に沿ったテーパ部をその側面に形成した第２転送
電極と、前記第２転送電極上に形成された第２の絶縁膜
と、を備えたことを特徴とする。

【００１４】また、好ましい態様として、前記第１転送
電極は、その断面が山型に形成されたことを特徴とす
る。前記第２転送電極は、その断面がカップ状に形成さ
れたことを特徴とする。

【００１５】本発明による電荷転送素子の製造方法は、
半導体基板上に絶縁膜を介して第１多結晶ポリシリコン
層を形成する工程と、第１フォトレジストを前記第１多
結晶ポリシリコン層の電極部に選択的に形成する工程
と、前記第１フォトレジストをマスクにして前記第１多
結晶ポリシリコン層をエッチングして、その側面にテー
パ部を有する第１転送電極を形成する工程と、前記第１
転送電極および前記絶縁膜上に第２多結晶ポリシリコン
層を形成する工程と、前記第２多結晶ポリシリコン層上
に、その表面が平坦になるように第２フォトレジストを
形成する工程と、前記第２フォトレジストおよび前記第
２多結晶ポリシリコン層を等速度エッチングして前記第
１転送電極間に、その側面にテーパ部を有する第２転送
電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

【００１６】

【作用】本発明では、第１多結晶ポリシリコン層の断面
形状がテーパ状あるいは段階状に形成されて第１転送電
極が形成され、その上に絶縁膜が形成された後、第２多
結晶ポリシリコン層が第１電極間に埋め込まれて第２転
送電極が形成される。その結果、２つの転送電極はオー
バーラップ部の段差を持たない平坦な構造で、信号電荷
の転送が可能になる。

【００１７】したがって、第２転送電極の形成時に高精
度のマスク合せが必要でなく、マスクずれによる不良品
の発生が抑制される。また、第１、第２転送電極による
段差がないため、アルミニウム等の上部成膜のエッチオ
フ加工の際に生じるアルミニウムのエッチング残りに起
因するショートが減少し、歩留りが向上する。さらに、
オーバーエッチングを少なくでき、プラズマダメージあ
るいは最上部の絶縁膜厚減少によるデバイス特性の悪化
を抑制できる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係る電荷転送素子の製造方法の一
実施例を示す図である。まず、図１（ａ）に示すように
半導体基板４１上に絶縁酸化膜４２を形成し、その後、
リン含有の多結晶シリコン（第１多結晶ポリシリコン層
に相当）４３を基板全面に形成する。次いで、後に第１
電極となる領域を形成するために、リン含有多結晶シリ
コン４３の上面にフォトレジスト（第１フォトレジスト
に相当）４４を選択的に形成する。

【００１９】次いで、図１（ｂ）に示すように、フォト
レジスト４をマスクにして反応性イオンエッチング等の
適当なエッチング条件下で、リン含有多結晶シリコン４
３の選択的除去を行い、テーパ状の第１電極（第１転送
電極に相当）４５を形成する。その後、基板の全面を酸
化雰囲気で処理し、第１電極４５の表面にシリコン酸化
膜（第１の絶縁膜に相当）４６を形成する。

【００２０】次いで、図１（ｃ）に示すように基板の表
面全体にリン含有の多結晶シリコン（第２多結晶ポリシ
リコン層に相当）４７を成長させた後、フォトレジスト
（第２フォトレジストに相当）４８を基板の表面全体に
表面が平坦になるように形成する。次いで、図１（ｄ）
に示すようにフォトレジスト４８とリン含有多結晶シリ
コン４７をそれぞれのエッチング速度が等しい、すなわ
ち選択比が「１」であるようなエッチング条件にて基板
表面の全面をエッチングすることにより、第２電極（第
２転送電極に相当）４９を各第１電極４５の間に形成す
る。ここで、第２電極４９は、第１電極４５のテーパ部
に沿ったテーパ部をその側面に有している。その後、基
板の全面を酸化雰囲気で処理し、第２電極４９の表面に
シリコン酸化膜（第２の絶縁膜に相当）５０を形成して
終了する。

【００２１】上記製造工程によって作られた電荷転送素
子は、リン含有多結晶シリコンの断面形状がテーパ状に
形成されて第１電極４５となり、その上に絶縁膜（シリ
コン酸化膜）４６を介してリン含有多結晶シリコンが第
１電極４５間に埋め込まれて第２電極４９となるような
構造になっている。したがって、２つの電極はオーバー
ラップする部分で段差がない、すなわち平坦化した構造
で電荷を転送することが可能になる。具体的には、第１
電極４５および第２電極４９を転送電極として所定のク
ロックで駆動される。この場合、第１、第２電極４５、
４９のオーバーラップする部分が平坦化されているた
め、第１、第２電極４５、４９間のポテンシャル障壁を
取り除くことができる。したがって、適当なクロック電
圧を印加することにより、電荷が効率良く転送される。
その結果、次のような効果を得ることができる。

【００２２】製造工程では第２電極４９を形成すると
きに高精度のマスク合せが必要でなく、マスクずれによ
る不良品の発生を抑制して歩留りを向上させることがで
きる。第１電極４５、第２電極４９のオーバーラップする部
分が平坦化されているため、アルミニウム（Ａｌ）等の
上部成膜をエッチオフ加工する際にも、段差部がないこ
とから、アルミニウムのエッチング残りが生じにくく、
したがって、アルミニウム配線間のショートが抑えら
れ、歩留りが向上する。

【００２３】一方、アルミニウムのエッチング残りを
除去しようとしてオーバーエッチングを行うときにも、
その時間が短くて済み、したがって、プラズマダメージ
も小さく、最上部の絶縁膜厚の減少を避けてデバイス特
性の悪化を防止することができる。

【００２４】次に、図２は上記工程に従って製造される
電荷転送素子のデバイスへの応用として、ＣＣＤイメー
ジャーを示すものである。図２（ａ）〜（ｃ）はＣＣＤ
イメージャーにおけるセンサ形成部の簡単な製造工程と
構造を示す平面図であり、また、図２（ａ’）および図
２（ｂ’）は、それぞれ図２（ａ）、図２（ｂ）におけ
るＡ−Ａ’の矢視断面図およびＢ−Ｂ’の矢視断面図で
ある。

【００２５】図２（ａ）、（ａ’）および図２（ｂ）、
（ｂ’）に示す構造は、図１（ａ）〜（ｄ）までの製造
工程と同じ工程によって製造される。ただし、第２電極
４９の表面のシリコン酸化膜は形成しない。次いで、図
２（ｃ）に示すように、後にセンサ形成部となる部分に
選択的にフォトレジストを形成し、このフォトレジスト
をマスクにして反応性イオンエッチング等によってセン
サ形成部５１を形成する。次いで、基板の全面にシリコ
ン酸化膜５２を形成して終了する。また、配線等の形成
部も同一マスクによる選択的なフォトレジスト形成後の
エッチングによって形成する。図３（ａ）および図３
（ｂ）は、それぞれ図２（ｃ）におけるＣ−Ｃ’の矢視
断面図およびＤ−Ｄ’の矢視断面図である。

【００２６】センサ形成部５１に入射した光によって信
号電荷が発生すると、この電荷は第１電極４５および第
２電極４９を転送電極として所定のクロックで駆動する
ことにより、転送されるが、第１、第２電極４５、４９
のオーバーラップする部分が平坦化されているため、第
１、第２電極４５、４９間のポテンシャル障壁が取り除
かれ、電荷を効率良く転送することができる。

【００２７】次に、図４は本発明の他の実施例を示す図
であり、本実施例は第１電極の形状を変えた例である。
まず、図４（ａ）に示すように半導体基板６１上に絶縁
酸化膜６２を形成し、その後、リン含有の多結晶シリコ
ン（第１多結晶ポリシリコン層に相当）６３を基板全面
に形成する。次いで、後に第１電極となる領域を形成す
るために、リン含有多結晶シリコン６３の上面にフォト
レジスト（第１フォトレジストに相当）６４を選択的に
形成する。

【００２８】次いで、図４（ｂ）に示すように、フォト
レジスト６４をマスクにしてケミカルドライエッチング
やウェットエッチングのような等方性エッチングを適当
な時間だけ行うことにより、リン含有多結晶シリコン６
３を山型（特に、富士山型）に形成する。次いで、図４
（ｃ）に示すように、フォトレジスト６４をマスクに反
応性イオンエッチング等で異方性エッチングを行う。次
いで、図４（ｄ）に示すように、フォトレジスト６４を
剥離して山型の第１電極（第１転送電極に相当）６５を
形成する。その後、基板の全面を酸化雰囲気で処理し、
第１電極６５の表面にシリコン酸化膜（第１の絶縁膜に
相当）６６を形成する。

【００２９】次いで、図４（ｅ）に示すように基板の表
面全体にリン含有の多結晶シリコン（第２多結晶ポリシ
リコン層に相当）６７を成長させた後、フォトレジスト
（第２フォトレジストに相当）６８を基板の表面全体に
表面が平坦になるように形成する。次いで、図４（ｆ）
に示すようにフォトレジスト６８とリン含有多結晶シリ
コン６７をそれぞれのエッチング速度が等しい、すなわ
ち選択比が「１」であるようなエッチング条件にて基板
表面の全面をエッチングすることにより、第２電極（第
２転送電極に相当）６９を各第１電極６５の間に形成す
る。ここで、第２電極６９は、第１電極４５のテーパ部
に沿ったテーパ部をその側面に有しており、特に、第２
電極６９の断面形状はカップ状に形成されている。その
後、基板の全面を酸化雰囲気で処理し、第２電極６９の
表面にシリコン酸化膜（第２の絶縁膜に相当）７０を形
成して終了する。

【００３０】上記製造工程によって作られた電荷転送素
子は、リン含有多結晶シリコンの断面形状が山型状に形
成されて第１電極６５となり、その上に絶縁膜（シリコ
ン酸化膜）６６を介してリン含有多結晶シリコンが第１
電極６５間に埋め込まれて第２電極６９となるような構
造になっている。したがって、前記実施例と同様に２つ
の電極はオーバーラップする部分で段差がなく、平坦化
した構造で電荷を転送することが可能になり、同様の効
果を得ることができる。

【００３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
２つの転送電極のオーバーラップ部を段差を持たない平
坦な構造にすることができ、２つの転送電極間のポテン
シャル障壁を取り除くことができる。したがって、適当
なクロック電圧を印加することにより、電荷を効率良く
転送することができる。

【００３２】その結果、第２転送電極の形成時に高精度
のマスク合せが必要でなく、マスクずれによる不良品の
発生を抑制することができる。また、第１、第２転送電
極による段差がないため、アルミニウム等の上部成膜の
エッチオフ加工の際に生じるアルミニウムのエッチング
残りに起因するショートが減少し、歩留りを向上させる
ことができる。さらに、アルミニウムのエッチング残り
を除去しようとしてオーバーエッチングを行うときに
も、その時間が短くて済み（オーバーエッチングを少な
くでき）、プラズマダメージあるいは最上部の絶縁膜厚
減少によるデバイス特性の悪化を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電荷転送素子の製造工程の一実施
例を示す図である。

【図２】同実施例の工程に従って製造される電荷転送素
子を応用したＣＣＤイメージャーの製造工程を示す図で
ある。

【図３】同実施例の工程に従って製造される電荷転送素
子を応用したＣＣＤイメージャーの断面図である。

【図４】本発明に係る電荷転送素子の製造工程の他の実
施例を示す図である。

【図５】従来の電荷転送素子の製造工程を示す図であ
る。

【図６】従来の電荷転送素子を応用したＣＣＤイメージ
ャーの製造工程を示す図である。

【符号の説明】

４１、６１半導体基板４２、６２絶縁酸化膜４３、６３リン含有多結晶シリコン（第１多結晶ポリ
シリコン層）４４、６４フォトレジスト（第１フォトレジスト）４５、６５第１電極（第１転送電極）４６、６６シリコン酸化膜（第１の絶縁膜）４７、６７リン含有多結晶シリコン（第２多結晶ポリ
シリコン層）４８、６８フォトレジスト（第２フォトレジスト）４９、６９第２電極（第２転送電極）５０、７０シリコン酸化膜（第２の絶縁膜）５１センサ形成部５２シリコン酸化膜

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成５年４月１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】電荷転送素子およびその製造方法

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【０００２】

【０００３】従来の電荷転送素子の構造としては、例え
ば図７に示すようなものがある。図７は電荷転送素子の
製造工程を順に示しながら、構造を断面として示すもの
である。図７において、１は半導体基板、２は絶縁膜、
３はリン含有の多結晶シリコンである。まず、図７
（ａ）に示すように、リン含有多結晶シリコン３の上面
にフォトレジスト４を形成し、次いで、図７（ｂ）に示
すように、フォトレジスト４をマスクにして反応性イオ
ンエッチング等によりリン含有多結晶シリコン３の選択
的除去を行い、第１電極５を形成する。さらに、第１電
極５の表面に絶縁膜６を形成する。

【０００４】次いで、図７（ｃ）に示すように絶縁膜６
の上面の全面にわたってリン含有の多結晶シリコン７を
成長させた後、フォトレジスト８を電極形成部に形成す
る（図７（ｄ）参照）。次いで、図７（ｅ）に示すよう
に、フォトレジスト８をマスクに反応性イオンエッチン
グ等によりリン含有多結晶シリコン７の選択的除去を行
って第２電極９を形成し、さらに、第１電極９の表面に
絶縁膜１０を形成する。

【０００５】次に、上記工程に従って製造される電荷転
送素子のデバイスへの応用としては、図８に示すＣＣＤ
イメージャーがある。図８（ａ）、図８（ｂ）は従来の
ＣＣＤイメージャーにおけるセンサ形成部の簡単な製造
工程と構造を示す平面図であり、また、図８（ａ’）お
よび図８（ｂ’）は、それぞれ図８（ａ）、図８（ｂ）
におけるＡ−Ａ’の矢視断面図およびＢ−Ｂ’の矢視断
面図である。

【０００６】まず、図８（ａ）、（ａ’）に示すように
半導体基板２１上に絶縁酸化膜２２を形成し、次いで、
リン含有多結晶シリコンを成長させた後、その上面にフ
ォトレジストを形成し、これをマスクにして反応性イオ
ンエッチングによってリン含有多結晶シリコンの選択的
除去を行い、第１電極２３を形成する。さらに、第１電
極２３の表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）２４を形成す
る。

【０００７】次いで、図８（ｂ）、（ｂ’）に示すよう
にシリコン酸化膜２４の全面にわたってリン含有の多結
晶シリコンを成長させた後、選択的に形成したフォトレ
ジストをマスクに反応性イオンエッチング等によりリン
含有多結晶シリコンの除去を行って第２電極３１を形成
し、さらに、第２電極３１の表面にシリコン酸化膜（絶
縁膜）３２を形成して終了する。これにより、図中の３
３がセンサ形成部になる。

【０００９】

【００１３】

【００１６】

【００１８】

【００２４】次に、図２、図３は上記工程に従って製造
される電荷転送素子のデバイスへの応用として、ＣＣＤ
イメージャーを示すものである。図２（ａ）、（ｂ）、
図３（ｃ）はＣＣＤイメージャーにおけるセンサ形成部
の簡単な製造工程と構造を示す平面図であり、また、図
２（ａ’）および図２（ｂ’）は、それぞれ図２
（ａ）、図２（ｂ）におけるＡ−Ａ’の矢視断面図およ
びＢ−Ｂ’の矢視断面図である。

【００２５】図２（ａ）、（ａ’）および図２（ｂ）、
（ｂ’）に示す構造は、図１（ａ）〜（ｄ）までの製造
工程と同じ工程によって製造される。ただし、第２電極
４９の表面のシリコン酸化膜は形成しない。次いで、図
３（ｃ）に示すように、後にセンサ形成部となる部分に
選択的にフォトレジストを形成し、このフォトレジスト
をマスクにして反応性イオンエッチング等によってセン
サ形成部５１を形成する。次いで、基板の全面にシリコ
ン酸化膜５２を形成して終了する。また、配線等の形成
部も同一マスクによる選択的なフォトレジスト形成後の
エッチングによって形成する。図４（ａ）および図４
（ｂ）は、それぞれ図３（ｃ）におけるＣ−Ｃ’の矢視
断面図およびＤ−Ｄ’の矢視断面図である。

【００２７】次に、図５は本発明の他の実施例を示す図
であり、本実施例は第１電極の形状を変えた例である。
まず、図５（ａ）に示すように半導体基板６１上に絶縁
酸化膜６２を形成し、その後、リン含有の多結晶シリコ
ン（第１多結晶ポリシリコン層に相当）６３を基板全面
に形成する。次いで、後に第１電極となる領域を形成す
るために、リン含有多結晶シリコン６３の上面にフォト
レジスト（第１フォトレジストに相当）６４を選択的に
形成する。

【００２８】次いで、図５（ｂ）に示すように、フォト
レジスト６４をマスクにしてケミカルドライエッチング
やウェットエッチングのような等方性エッチングを適当
な時間だけ行うことにより、リン含有多結晶シリコン６
３を山型（特に、富士山型）に形成する。次いで、図５
（ｃ）に示すように、フォトレジスト６４をマスクに反
応性イオンエッチング等で異方性エッチングを行う。次
いで、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト６４を
剥離して山型の第１電極（第１転送電極に相当）６５を
形成する。その後、基板の全面を酸化雰囲気で処理し、
第１電極６５の表面にシリコン酸化膜（第１の絶縁膜に
相当）６６を形成する。

【００２９】次いで、図６（ｅ）に示すように基板の表
面全体にリン含有の多結晶シリコン（第２多結晶ポリシ
リコン層に相当）６７を成長させた後、フォトレジスト
（第２フォトレジストに相当）６８を基板の表面全体に
表面が平坦になるように形成する。次いで、図６（ｆ）
に示すようにフォトレジスト６８とリン含有多結晶シリ
コン６７をそれぞれのエッチング速度が等しい、すなわ
ち選択比が「１」であるようなエッチング条件にて基板
表面の全面をエッチングすることにより、第２電極（第
２転送電極に相当）６９を各第１電極６５の間に形成す
る。ここで、第２電極６９は、第１電極４５のテーパ部
に沿ったテーパ部をその側面に有しており、特に、第２
電極６９の断面形状はカップ状に形成されている。その
後、基板の全面を酸化雰囲気で処理し、第２電極６９の
表面にシリコン酸化膜（第２の絶縁膜に相当）７０を形
成して終了する。

【００３１】

【図面の簡単な説明】

【図２】同実施例の工程に従って製造される電荷転送素
子を応用したＣＣＤイメージャーの製造工程の一部を示
す図である。

【図３】同実施例の工程に従って製造される電荷転送素
子を応用したＣＣＤイメージャーの製造工程の一部を示
す図である。

【図４】同実施例の工程に従って製造される電荷転送素
子を応用したＣＣＤイメージャーの断面図である。

【図５】本発明に係る電荷転送素子の製造工程の他の実
施例の一部を示す図である。

【図６】本発明に係る電荷転送素子の製造工程の他の実
施例の一部を示す図である。

【図７】従来の電荷転送素子の製造工程を示す図であ
る。

【図８】従来の電荷転送素子を応用したＣＣＤイメージ
ャーの製造工程を示す図である。

【符号の説明】４１、６１半導体基板４２、６２絶縁酸化膜４３、６３リン含有多結晶シリコン（第１多結晶ポリ
シリコン層）４４、６４フォトレジスト（第１フォトレジスト）４５、６５第１電極（第１転送電極）４６、６６シリコン酸化膜（第１の絶縁膜）４７、６７リン含有多結晶シリコン（第２多結晶ポリ
シリコン層）４８、６８フォトレジスト（第２フォトレジスト）４９、６９第２電極（第２転送電極）５０、７０シリコン酸化膜（第２の絶縁膜）５１センサ形成部５２シリコン酸化膜

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】全図

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【図２】

【図４】

【図３】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されるととも
に、その側面にテーパ部が形成された第１転送電極と、前記第１転送電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１転送電極間に形成されるとともに、前記第１転
送電極のテーパ部に沿ったテーパ部をその側面に形成し
た第２転送電極と、前記第２転送電極上に形成された第２の絶縁膜と、を備えたことを特徴とする電荷転送素子。
【請求項２】前記第１転送電極は、その断面が山型に
形成されたことを特徴とする請求項１記載の電荷転送素
子。
【請求項３】前記第２転送電極は、その断面がカップ
状に形成されたことを特徴とする請求項２記載の電荷転
送素子。
【請求項４】半導体基板上に絶縁膜を介して第１多結
晶ポリシリコン層を形成する工程と、第１フォトレジストを前記第１多結晶ポリシリコン層の
電極部に選択的に形成する工程と、前記第１フォトレジストをマスクにして前記第１多結晶
ポリシリコン層をエッチングして、その側面にテーパ部
を有する第１転送電極を形成する工程と、前記第１転送電極および前記絶縁膜上に第２多結晶ポリ
シリコン層を形成する工程と、前記第２多結晶ポリシリコン層上に、その表面が平坦に
なるように第２フォトレジストを形成する工程と、前記第２フォトレジストおよび前記第２多結晶ポリシリ
コン層を等速度エッチングして前記第１転送電極間に、
その側面にテーパ部を有する第２転送電極を形成する工
程と、を含むことを特徴とする電荷転送素子の製造方法。