JPH04223374A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH04223374A JPH04223374A JP2414458A JP41445890A JPH04223374A JP H04223374 A JPH04223374 A JP H04223374A JP 2414458 A JP2414458 A JP 2414458A JP 41445890 A JP41445890 A JP 41445890A JP H04223374 A JPH04223374 A JP H04223374A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像装置の製造
方法に関し、特にウエハプロセスで発生した段差を回転
塗布を行うことなしに固体撮像素子の表面を平坦化する
製造方法に関するものである。
方法に関し、特にウエハプロセスで発生した段差を回転
塗布を行うことなしに固体撮像素子の表面を平坦化する
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のインターライン型撮像素子
（以下撮像素子と記す）の概略的な構成を示す平面図で
ある。即ち、この固体撮像装置は、その構成要素として
、画像信号を生成するためにマトリクス状に配列されて
イメージエリア１８を構成する画素１４と、この画素１
４で生成される画像信号をイメージエリア１８の垂直方
向（図３の上下方向）に転送するための垂直転送ＣＣＤ
１５と、この垂直転送ＣＣＤ１５を駆動するためのクロ
ックパルスを外部より与えるための電極部１６と、この
垂直転送ＣＣＤ１５によって転送されてきた画像信号を
順次水平方向に（図３の左右方向）転送するための水平
転送ＣＣＤとを含んでいる。
（以下撮像素子と記す）の概略的な構成を示す平面図で
ある。即ち、この固体撮像装置は、その構成要素として
、画像信号を生成するためにマトリクス状に配列されて
イメージエリア１８を構成する画素１４と、この画素１
４で生成される画像信号をイメージエリア１８の垂直方
向（図３の上下方向）に転送するための垂直転送ＣＣＤ
１５と、この垂直転送ＣＣＤ１５を駆動するためのクロ
ックパルスを外部より与えるための電極部１６と、この
垂直転送ＣＣＤ１５によって転送されてきた画像信号を
順次水平方向に（図３の左右方向）転送するための水平
転送ＣＣＤとを含んでいる。
【０００３】図２は、図３におけるＨ−Ｈ矢視断面図で
あり、フォトダイオード１４と垂直転送ＣＣＤ１５の概
略的な構成を示す断面図である。即ち、フォトダイオー
ド１４と垂直転送ＣＣＤ１５はその構成要素として、Ｎ
型半導体基板１と、このＮ型半導体基板１表面に形成さ
れたＰ型不純物層２と、Ｐ型不純物層２の表面に形成さ
れたＮ型不純物層のフォトダイオード部４と、垂直ＣＣ
Ｄ部３と、基板１上に絶縁膜５を介して形成された第１
ゲート電極６と、第１ゲート電極６上に絶縁膜５を介し
て形成された第２ゲート電極６ａと、この第１，第２ゲ
ート電極６，６ａを覆うように絶縁膜５上に形成した遮
光膜７と、この遮光膜７と上記フォトダイオード部４上
に形成した絶縁膜８と、この絶縁膜８を介して遮光膜７
上に形成した第２の遮光膜９とを含んでいるものである
。
あり、フォトダイオード１４と垂直転送ＣＣＤ１５の概
略的な構成を示す断面図である。即ち、フォトダイオー
ド１４と垂直転送ＣＣＤ１５はその構成要素として、Ｎ
型半導体基板１と、このＮ型半導体基板１表面に形成さ
れたＰ型不純物層２と、Ｐ型不純物層２の表面に形成さ
れたＮ型不純物層のフォトダイオード部４と、垂直ＣＣ
Ｄ部３と、基板１上に絶縁膜５を介して形成された第１
ゲート電極６と、第１ゲート電極６上に絶縁膜５を介し
て形成された第２ゲート電極６ａと、この第１，第２ゲ
ート電極６，６ａを覆うように絶縁膜５上に形成した遮
光膜７と、この遮光膜７と上記フォトダイオード部４上
に形成した絶縁膜８と、この絶縁膜８を介して遮光膜７
上に形成した第２の遮光膜９とを含んでいるものである
。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像装置は
、以上のように構成されているので、次工程のフィルタ
プロセスあるいは、マイクロレンズ等の有機膜をスピン
塗布する工程において、段差が大きいために塗布むらが
発生し、精度よくこれらの上部構造を形成できないとい
う問題点があり、平坦化を行わなければならない。しか
し、現状の方法では、ＳＯＧの回転塗布法が有力である
が、イメージセンサのように段差が２μｍを越える場合
では膜にクラックが発生し、信頼性上問題点がある。
、以上のように構成されているので、次工程のフィルタ
プロセスあるいは、マイクロレンズ等の有機膜をスピン
塗布する工程において、段差が大きいために塗布むらが
発生し、精度よくこれらの上部構造を形成できないとい
う問題点があり、平坦化を行わなければならない。しか
し、現状の方法では、ＳＯＧの回転塗布法が有力である
が、イメージセンサのように段差が２μｍを越える場合
では膜にクラックが発生し、信頼性上問題点がある。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ウエハプロセスで発生した段
差を回転塗布を行うことなしに、プラズマＣＶＤ法を用
いて固体撮像素子の表面を平坦化する固体撮像装置の製
造方法を得ることを目的とする。
るためになされたもので、ウエハプロセスで発生した段
差を回転塗布を行うことなしに、プラズマＣＶＤ法を用
いて固体撮像素子の表面を平坦化する固体撮像装置の製
造方法を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
装置の製造方法は、遮光膜上のレジストを除去せずに、
低温，低圧のＥＣＲプラズマＣＶＤ法で二酸化シリコン
膜を堆積し、リフトオフ法で、フォトレジストおよびそ
の上の酸化膜を除去した後、ＳＯＧをスピンコートし、
プラズマ酸化膜を堆積するようにしたものである。
装置の製造方法は、遮光膜上のレジストを除去せずに、
低温，低圧のＥＣＲプラズマＣＶＤ法で二酸化シリコン
膜を堆積し、リフトオフ法で、フォトレジストおよびそ
の上の酸化膜を除去した後、ＳＯＧをスピンコートし、
プラズマ酸化膜を堆積するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明においては、低温，低圧でのＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法により、遮光膜上のフォトレジスト上お
よびフォトダイオード上の絶縁膜上に二酸化シリコン膜
を堆積し、リフトオフ法によりフォトレジストおよびそ
の上の二酸化シリコン膜を除去し、ＳＯＧをスピンコー
トし、プラズマ酸化膜を堆積するようにしたので、固体
撮像素子の表面の平坦化が容易にできる。
ラズマＣＶＤ法により、遮光膜上のフォトレジスト上お
よびフォトダイオード上の絶縁膜上に二酸化シリコン膜
を堆積し、リフトオフ法によりフォトレジストおよびそ
の上の二酸化シリコン膜を除去し、ＳＯＧをスピンコー
トし、プラズマ酸化膜を堆積するようにしたので、固体
撮像素子の表面の平坦化が容易にできる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例によるイメージセン
サの製造方法を説明するための工程断面図である。図に
おいて、図２および図３と同一符号は同一または相当部
分を示す。
サの製造方法を説明するための工程断面図である。図に
おいて、図２および図３と同一符号は同一または相当部
分を示す。
【０００９】以下、その製造工程を説明する。まず図１
（ａ） は図２および図３の工程の第２の遮光膜９を形
成した直後で、フォトレジスト１０を除去していない状
態を示している。次に図１（ｂ） に示すようにＥＣＲ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｓｅ）プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置を用いて、低温（
２５〜１００℃）および低圧（１０−３〜１０−４Ｔｏ
ｒｒ）でシリコン酸化膜１１を堆積する。ここで形成さ
れるシリコン酸化膜１１はフォトダイオード上の膜厚が
、第２の遮光膜９の位置になるように堆積を行う。ＥＣ
ＲＣＶＤ法で堆積した膜は、段差部Ｃの膜質が悪く、平
坦部Ｄに比べエッチレートが非常に早い。
（ａ） は図２および図３の工程の第２の遮光膜９を形
成した直後で、フォトレジスト１０を除去していない状
態を示している。次に図１（ｂ） に示すようにＥＣＲ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎ
ａｎｓｅ）プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）装置を用いて、低温（
２５〜１００℃）および低圧（１０−３〜１０−４Ｔｏ
ｒｒ）でシリコン酸化膜１１を堆積する。ここで形成さ
れるシリコン酸化膜１１はフォトダイオード上の膜厚が
、第２の遮光膜９の位置になるように堆積を行う。ＥＣ
ＲＣＶＤ法で堆積した膜は、段差部Ｃの膜質が悪く、平
坦部Ｄに比べエッチレートが非常に早い。
【００１０】次に図１（ｃ） に示すように、この基板
をＮＨ４ ＋ Ｆ− ／ＨＦ／エチレングリコール溶液
を用いてスラントエッチングし、段差部Ｃでの酸化膜１
１を除去した後、例えばオルト−ジクロルベンゼンを主
成分とするＫ５０２（東京応化 （株） 商品名）等の
溶液を用いてレジストパターン１０とその上のシリコン
膜１１をリフトオフする。
をＮＨ４ ＋ Ｆ− ／ＨＦ／エチレングリコール溶液
を用いてスラントエッチングし、段差部Ｃでの酸化膜１
１を除去した後、例えばオルト−ジクロルベンゼンを主
成分とするＫ５０２（東京応化 （株） 商品名）等の
溶液を用いてレジストパターン１０とその上のシリコン
膜１１をリフトオフする。
【００１１】最後に図（ｄ） に示すようにＳＯＧ膜１
２をスピンコートし、グロー放電によるプラズマＣＶＤ
で二酸化シリコン膜１３を堆積することにより、その表
面を平坦化する。
２をスピンコートし、グロー放電によるプラズマＣＶＤ
で二酸化シリコン膜１３を堆積することにより、その表
面を平坦化する。
【００１２】このように上記実施例では、第２の遮光膜
９を形成後、レジスト１０を除去せずに、ＥＣＲＣＶＤ
法によって酸化膜１１を堆積し、リフトオフ法により、
レジスト１０およびレジスト上の酸化膜１１をリフトオ
フで除去した後、ＳＯＧ１２をスピンコートし、プラズ
マＣＶＤで酸化膜１３を堆積したので、固体撮像素子表
面の平坦化を容易に行うことができる。
９を形成後、レジスト１０を除去せずに、ＥＣＲＣＶＤ
法によって酸化膜１１を堆積し、リフトオフ法により、
レジスト１０およびレジスト上の酸化膜１１をリフトオ
フで除去した後、ＳＯＧ１２をスピンコートし、プラズ
マＣＶＤで酸化膜１３を堆積したので、固体撮像素子表
面の平坦化を容易に行うことができる。
【００１３】なお、上記実施例では第２の遮光膜９上お
よびＳＯＧ膜１２に二酸化シリコン膜を堆積するように
したが、これに限るものではなく、絶縁膜であれば何で
もよい。
よびＳＯＧ膜１２に二酸化シリコン膜を堆積するように
したが、これに限るものではなく、絶縁膜であれば何で
もよい。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
装置の製造方法によれば、遮光膜を形成後、レジストを
除去せずに、ＥＣＲＣＶＤ法によって酸化膜を堆積し、
リフトオフ法により、レジストおよびレジスト上の酸化
膜をリフトオフで除去した後、ＳＯＧをスピンコートし
、プラズマＣＶＤで酸化膜を堆積したので、固体撮像素
子表面の平坦化を容易に行うことができる効果がある。
装置の製造方法によれば、遮光膜を形成後、レジストを
除去せずに、ＥＣＲＣＶＤ法によって酸化膜を堆積し、
リフトオフ法により、レジストおよびレジスト上の酸化
膜をリフトオフで除去した後、ＳＯＧをスピンコートし
、プラズマＣＶＤで酸化膜を堆積したので、固体撮像素
子表面の平坦化を容易に行うことができる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による固体撮像装置の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
【図２】従来例による固体撮像装置の構成を示す断面図
である。
である。
【図３】従来例による固体撮像素子の概略的な平面構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１ ｎ型基板
２ Ｐ型ウエル層
３ 垂直ＣＣＤのｎ形拡散領域
４ フォトダイオードのｎ形拡散領域５
絶縁膜 ６ ＣＣＤ第１ゲート ６ａ ＣＣＤ第２ゲート ７ 第１遮光膜 ８ 絶縁膜 ９ 第２遮光膜 １０ フォトレジスト １１ 二酸化シリコン膜 １２ ＳＯＧ膜 １３ 二酸化シリコン膜
絶縁膜 ６ ＣＣＤ第１ゲート ６ａ ＣＣＤ第２ゲート ７ 第１遮光膜 ８ 絶縁膜 ９ 第２遮光膜 １０ フォトレジスト １１ 二酸化シリコン膜 １２ ＳＯＧ膜 １３ 二酸化シリコン膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に光電変換部，電荷転送部およ
び遮光膜を形成する工程を有する固体撮像装置の製造方
法において、上記遮光膜を形成した後のレジストパター
ンを除去せずに、上記遮光膜上に絶縁膜を低圧、低温で
のＥＣＲプラズマＣＶＤ法により形成する工程と、上記
絶縁膜の段差側壁部をエッチングにより除去する工程と
、上記レジストパターンとその上の絶縁膜をリフトオフ
法により除去する工程と、上記絶縁膜上にＳＯＧをスピ
ンコートする工程と、上記ＳＯＧ膜上に絶縁膜をプラズ
マＣＶＤ法により形成する工程とを含むことを特徴とす
る固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414458A JPH04223374A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414458A JPH04223374A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223374A true JPH04223374A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18522935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414458A Pending JPH04223374A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04223374A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503882A (en) * | 1994-04-18 | 1996-04-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit topography |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2414458A patent/JPH04223374A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503882A (en) * | 1994-04-18 | 1996-04-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for planarizing an integrated circuit topography |
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