KR101038851B1 - 이미지 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents
이미지 센서 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101038851B1 KR101038851B1 KR1020080109296A KR20080109296A KR101038851B1 KR 101038851 B1 KR101038851 B1 KR 101038851B1 KR 1020080109296 A KR1020080109296 A KR 1020080109296A KR 20080109296 A KR20080109296 A KR 20080109296A KR 101038851 B1 KR101038851 B1 KR 101038851B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- oxide layer
- layer
- image sensor
- plasma treatment
- oxide
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 옥사이드층을 형성하는 단계; 상기 옥사이드층에 대해서 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 상기의 플라즈마 처리가 수행된 옥사이드층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토 레지스트 패턴에 대해서 열처리를 수행하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함한다.
이미지 센서
Description
본 발명은 이미지 센서 및 이의 제조 방법에 대해서 개시한다.
일반적으로, 이미지 센서라 함은 광학 영상(optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 이 중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서, 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이다.
그리고, 씨모스(Complementary MOS) 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 씨모스 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
일반적으로, 씨모스 이미지 센서의 최상층에 마이크로 렌즈(Micro-lens)가 형성된다. 상기 마이크로 렌즈에서 집광된 빛은 평탄화층(Planarization layer)과 컬러필터 어레이층(Color filter array layer)을 투과하여 포토 다이오드(photo diode)와 같은 수광부에서 전기적 신호로 바뀌게 된다.
이미지 센서에서는 이와 같은 과정을 통하여 전기적 신호로 변환된 신호를 이용하여 영상을 표시할 수 있게 된다. 이때, 마이크로 렌즈의 촛점 길이, 컬러필터의 크기와 분포도, 평탄화층의 두께, 포토 다이오드의 피치 크기등이 각각 연동되어 변화된다.
그리고, 이러한 씨모스 이미지 센서에서 외부로부터 빛을 받아들여 포토 다이오드로 모아주는 역할을 하는 마이크로 렌즈를 유기물(organic)이 아닌 실리콘 옥사이드(silicon oxide)로 만들게 되면, 후속 소자의 패킹(packing) 작업내의 소잉(sawing)시에, 발생하게 되는 파티클(particle)에 의한 마이크로 렌즈의 오염을 방지할 수 있다. 이러한 이유로 인하여, 컬러필터층 상에 유기물이 아닌 실리콘 옥사이드를 형성하는 경우가 늘어나고 있다.
그러나, 상기 실리콘 옥사이드 물질은 기존의 유기물 형성과 비교하여 저온(200도 이하)에서 증착을 진행하므로, 막질이 밀집(dense)되지 않고, 막 내부에 핀 홀(pin hole)이 상당수 발생하게 되는 문제점이 있다.
도 1에는 저온에서 증착한 옥사이드 내부에 다수의 핀 홀이 발생되는 모습을 보여주는 이미지이고, 도 2 및 도 3은 옥사이드를 통해 침투한 웨트 케미컬에 의해 용해된 유기물과 옥사이드의 박리 발생하는 모습을 보여주는 이미지이다.
씨모스 이미지 센서에서 마이크로 렌즈를 제조하는 과정에서 컬러 필터 상측에 옥사이드(10)를 저온 증착하는 경우에, 막질이 밀집되지 못하여 핀 홀이 다수 발생하게 되는 경우가 도 1에 도시되어 있다.
이러한 문제로 인하여, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 후속의 웨트(WET) 공정시 케미컬이 상기 옥사이드(10)막을 침투하여 하부층의 평탄화를 위하여 사용되는 평탄화층(20)의 유기물을 용해시켜서, 상기 옥사이드(10)가 박리되는 문제점이 있다. 도 3에서 옥사이드(10)가 박리되는 모습은 도 2의 도면부호 2A에 도시된 영역을 확대한 것이다.
따라서, 평탄화층 상부에 형성되는 옥사이드층이 후속되는 웨트 공정등에 의해서 박리되는 현상을 방지하기 위한 방안이 필요하다.
본 발명은 상기되는 문제점을 해결하기 위하여 제안되는 것으로서, 저온에서 증착한 옥사이드의 내부에 발생된 핀 홀을 통하여 웨트 케미컬이 침투하는 것을 방지하여, 상기 케미컬에 의하여 옥사이드가 박리되는 것을 줄일 수 있는 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제안하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법은 반도체 기판 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계; 상기 컬러 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 옥사이드층을 형성하는 단계; 상기 옥사이드층에 대해서 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 상기의 플라즈마 처리가 수행된 옥사이드층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토 레지스트 패턴에 대해서 열처리를 수행하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함한다.
또한, 실시예의 이미지 센서는 반도체 기판; 상기 반도체 기판상에 형성되는 컬러 필터층; 상기 컬러 필터층 상에 형성되는 평탄화층; 및 상기 평탄화층 상에 형성되는 마이크로 렌즈;를 포함하고, 상기 마이크로 렌즈를 구성하는 옥사이드층은 헬륨과 아르곤 혼합 가스에 의하여 플라즈마 처리된 것을 특징으로 한다.
제안되는 바와 같은 이미지 센서 및 그 제조방법에 의해서, 저온에서 증착한 옥사이드의 내부에 존재하는 수많은 핀 홀을 통하여 웨트 케미컬에 의한 유기물의 용해를 방지함으로써, 마이크로 렌즈로 사용되는 옥사이드의 박리현상을 해결할 수 있다.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
그리고, 이하의 설명에서, 단어 '포함하는'은 열거된 것과 다른 구성요소들 또는 단계들의 존재를 배제하지 않는다.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
그리고, 본 발명의 시모스 이미지 센서의 구조는 도 4 내지 도 9에서 개시되는 공정들에 의해 구체화되는 것이며, 이러한 공정들로부터 본 발명의 시모스 이미지 센서의 구조를 알 수 있다.
먼저, 도 4를 참조하면, 마이크로 렌즈를 형성할 반도체 기판(100)을 준비하고, 상기 반도체 기판(100)상에 컬러 필터층(110)을 형성하고, 상기 컬러 필터층(110) 상측에 평탄화층(120)을 형성한다.
즉, 상기 반도체 기판(100) 상에 유기물(organic)로 이루어진 컬러 필터층(110) 및 평탄화층(120)을 코팅한다.
상기 컬러 필터층(110)은 적색 컬러필터(R), 녹색 컬러필터(G), 청색 컬러필터(B)가 포함될 수 있으며, 설계에 따라 다른 색의 컬러필터가 포함되거나 다양한 배치로 형성될 수 있다.
도시되는지 않았지만, 상기 반도체 기판(100)에는 포토 다이오드 및 트랜지스터가 형성되며, 적어도 하나의 층간 절연막과 금색 배선을 포함할 수 있다.
그 다음, 도 5를 참조하면, 상기 평탄화층(120) 상측에 LTO(Low Temperature Oxide층, 이하에서는 옥사이드층이라 함)층(130)을 형성한다.
상기 옥사이드층(130)은 LTO 증착공정을 통해 형성될 수 있는데, 상기 옥사이드층(130)은 PECVD 방법에 의하여 200℃ 이하에서 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 옥사이드층(130)은 PECVD 방법에 의하여 150~200℃의 온도범위에서 형성될 수 있다.
그 다음, 도 6을 참조하면, 상기 옥사이드층(130)에 대해서 헬륨(He)과 아르곤(Ar)의 혼합 가스를 이용한 플라즈마 처리(plasma treatment)를 수행한다. 이로 인하여, 상기 옥사이드층(130)의 노출된 면은 그 표면이 거칠게 형성된다.
여기서, 플라즈마 처리를 수행한 이후의 상기 옥사이드층(130)의 두께는 100~500Å이 되도록 한다.
상세히, 상기 헬륨(He)과 아르곤(Ar) 가스를 이용한 플라즈마 처리는, 1000~3000sccm 양의 He과 500~1500sccm 양의 Ar을 100~300W의 파워 및 2.5~3.5Torr의 압력내에서 15초~30초 동안 수행되도록 한다.
이러한 플라즈마 처리에 의하여, 도시된 바와 같이, 상기 옥사이드층(130)의 표면이 거칠어지게 되어, 비표면적이 증가하게 된다.
그 다음, 도 7을 참조하면, 상기의 플라즈마 처리가 수생된 상기 옥사이등(130)에 대해서 질소(nitrogen)을 도핑하는 공정을 수행한다.
즉, 상기의 플라즈마 처리에 의하여 그 표면적이 증가된 옥사이드층(130)에 대하여, 막질을 강화시키기 위한 질소 도핑 공정이 수행된다.
상기의 질소 도핑 공정에서는, 100~500W의 파워 및 13.56MHz의 주파수 조건에서 상기 질소를 10초~80초간 도핑하게 된다. 이로 인하여, 상기 옥사이드층(130)의 막질이 강화되고, 상기 옥사이드층(130)에 발생되었던 핀 홀들의 대부분은 없어지게 된다.
그 다음, 도 8을 참조하면, 상기 옥사이드층(130)상에 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 포토 레지스트 패턴(140)을 형성한다.
상기 포토 레지스트 패턴(140)은 상기 컬러 필터층(110) 상측에 마이크로 렌즈를 형성하기 위한 것으로서, 400nm의 두께로 코팅하여 패터닝할 수 있다.
그 다음, 도 9를 참조하면, 공지의 마이크로 렌트 형성 공정에 따라 상기 포토 레지스트 패턴(140)에 대해 리플로우(reflow) 공정과 같은 열처리 공정을 진행하여, 도시된 바와 같은 마이크로 렌즈(150)를 형성한다.
제안되는 바와 같은 이미지 센서 및 그 제조방법에 의해서, 저온에서 증착한 옥사이드의 내부에 존재하는 수많은 핀 홀을 통하여 웨트 케미컬에 의한 유기물의 용해를 방지함으로써, 마이크로 렌즈로 사용되는 옥사이드의 박리현상을 해결할 수 있다.
도 1에는 저온에서 증착한 옥사이드 내부에 다수의 핀 홀이 발생되는 모습을 보여주는 이미지.
도 2 및 도 3은 옥사이드를 통해 침투한 웨트 케미컬에 의해 용해된 유기물과 옥사이드의 박리 발생하는 모습을 보여주는 이미지.
도 4 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (7)
- 반도체 기판 상에 컬러 필터층을 형성하는 단계;상기 컬러 필터층 상에 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층 상에 옥사이드층을 형성하는 단계;상기 옥사이드층에 대해서 플라즈마 처리를 수행하는 단계;상기의 플라즈마 처리가 수행된 옥사이드층 상에 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토 레지스트 패턴에 대해서 열처리를 수행하여 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;를 포함하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 옥사이드층에 대해서 플라즈마 처리를 수행하는 단계는, 상기 옥사이드층의 노출된 면에 대해서 헬륨(He)과 아르곤(Ar)이 혼합된 가스에 의한 플라즈마 처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 헬륨과 아르곤 가스를 이용한 플라즈마 처리는, 1000~3000sccm 양의 He과 500~1500sccm 양의 Ar을 2.5~3.5 Torr의 압력범위에서 수행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 옥사이드층에 대해서 플라즈마 처리를 수행한 다음에는,상기 옥사이드층에 대하여 질소를 도핑하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조 방법.
- 반도체 기판;상기 반도체 기판상에 형성되는 컬러 필터층;상기 컬러 필터층 상에 형성되는 평탄화층;상기 평탄화층 상에 형성되는 옥사이드층; 및상기 옥사이드층 상에 형성된 마이크로 렌즈;를 포함하고,상기 옥사이드층은 헬륨과 아르곤 혼합 가스에 의하여 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 옥사이드층에는 질소 불순물이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 옥사이드층은 100~500Å 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080109296A KR101038851B1 (ko) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080109296A KR101038851B1 (ko) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100050155A KR20100050155A (ko) | 2010-05-13 |
| KR101038851B1 true KR101038851B1 (ko) | 2011-06-02 |
Family
ID=42276349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080109296A KR101038851B1 (ko) | 2008-11-05 | 2008-11-05 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101038851B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060011453A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 저조도 특성 및 신뢰성 향상방법 |
| KR100640958B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20080062825A (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
-
2008
- 2008-11-05 KR KR1020080109296A patent/KR101038851B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060011453A (ko) * | 2004-07-30 | 2006-02-03 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 저조도 특성 및 신뢰성 향상방법 |
| KR100640958B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 보호막을 이용한 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR20080062825A (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100050155A (ko) | 2010-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7666705B2 (en) | Image sensor and method of manufacturing the same | |
| CN100495713C (zh) | 用于制造cmos图像传感器的方法 | |
| TWI654752B (zh) | 固態成像裝置及其製造方法 | |
| KR100884977B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| CN101308821A (zh) | 制造图像传感器的方法 | |
| US7919351B2 (en) | CMOS image sensor with multi-layered planarization layer and method for fabricating the same | |
| KR20100051169A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US7977142B2 (en) | Manufacturing method of microlens of CMOS image sensor | |
| US7687305B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| US20070077766A1 (en) | Method for fabricating image sensor | |
| KR101038851B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| US20100167459A1 (en) | Method for fabricating cmos image sensor | |
| KR100790209B1 (ko) | 시모스 이미지센서 | |
| KR20100051216A (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100915752B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
| US20080272452A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR20060114414A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| KR101024733B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| KR100716915B1 (ko) | 시모스 이미지 센서 제조 방법 | |
| KR101005698B1 (ko) | 캡핑막을 갖는 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR101128723B1 (ko) | 금속 유기 잔류물을 제거할 수 있는 이미지센서 및 그제조 방법 | |
| US20100167455A1 (en) | Method for fabrication of cmos image sensor | |
| KR100913326B1 (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| KR20100064530A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR20100068992A (ko) | 컬러필터의 제조 방법, 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |