CN101211815A - 制造图像传感器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种制造图像传感器的方法。在该方法中，低温氧化物层被形成在滤色镜层上，以及光致抗蚀剂图案被形成在低温氧化物层上。随后，在光致抗蚀剂图案上实施热处理以形成牺牲微透镜。所述牺牲微透镜和低温氧化物层被蚀刻以在低温氧化物层中形成初步的微透镜。所述初步的微透镜被蚀刻以形成与初步的微透镜相比具有减小的曲率半径的微透镜。根据本发明的制造图像传感器的方法，改善了图像传感器的灵敏度，并且减小了光会聚距离，因而图像传感器的尺寸可以被减小。
Description
技术领域
本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。在制造图像传感器中待解决的难点之一是增加将入射光信号转换成电信号的速率(也就是，灵敏度)。
在形成用于会聚光的微透镜方面已经提出多种用于实现零间隙的方法，所述零间隙使得在用于形成微透镜阵列的相邻微透镜之间没有间隙产生。
当利用光致抗蚀剂形成微透镜时，比如聚合体的微粒在晶片背面研磨工艺和锯切工艺中可以附着在微透镜上。微透镜上的微粒不仅降低了图像传感器的灵敏度，还由于难以清洁微透镜而减少了制造产量。因此，已经尝试了利用低温氧化物(LTO)层形成微透镜的多种方法。
此外，微透镜的外形(profile)对微透镜的焦距有直接影响。因此，减小微透镜的曲率半径以及因此而减小微透镜焦距的方法可以实现减小图像传感器器件的整体尺寸。
发明内容
本发明的实施例提供用于制造图像传感器的方法，其通过减小光会聚距离(也就是聚焦长度)，可以改善图像传感器器件的灵敏度以及减小器件的尺寸。
在一个实施例中，用于制造图像传感器的方法包括：在滤色镜层上形成低温氧化物层；在低温氧化物层上形成光致抗蚀剂层图案；在光致抗蚀剂层图案上实施热处理以形成牺牲微透镜(sacrificial microlens)；初步蚀刻所述牺牲微透镜和低温氧化物层，以形成由低温氧化物层构成的初步的微透镜(preliminary microlens)；以及二次蚀刻所述初步的微透镜以形成与初步的微透镜相比具有减小的曲率半径的微透镜。
根据本发明的制造图像传感器的方法，改善了图像传感器的灵敏度，并且减小了光会聚距离，因而图像传感器的尺寸可以被减小。
附图说明
图1是示出根据一个实施例制造图像传感器的方法的横截面图，其中牺牲微透镜15形成在低温氧化物层13上方。
图2是示出根据一个实施例制造图像传感器的方法的横截面图，其中低温氧化物层13被蚀刻以形成初步的微透镜13a。
图3是示出根据一个实施例制造图像传感器的方法的横截面图，其中初步的微透镜13a被蚀刻以形成微透镜13b。
图4是根据一个实施例的概念图像传感器的横截面图，其具有减小的曲率半径和减小的焦距。
图5是示出根据一个实施例的图像传感器的横截面图，其中所述图像传感器包括间隙减小层(gap-reducing layer)17。
图6是说明在制造图像传感器的方法中的工艺条件的曲线图，其中低温氧化物与光致抗蚀剂的蚀刻选择比取决于蚀刻气氛中的氧气量。
具体实施方式
在本发明的实施例的描述中，应该理解的是，当一层(或薄膜)、区域、图案或结构被指在另一衬底、另一层(或薄膜)、另一区域、另一衬垫或另一图案的“上面/上方”或“下面/下方”时，它可以直接在其它衬底、层(或薄膜)、区域、衬垫或图案上，或者也可以存在中间层。此外，应该理解的是，当一层(或薄膜)、区域、图案、衬垫或结构被指在两层(或薄膜)、两个区域、衬垫或图案“之间”时，意味着它可以是在两层(或薄膜)、两个区域、衬垫或图案之间唯一的一层，或者也可以存在一个或多个中间层。因此，这应该通过本发明的技术概念来确定。
在下文中，本发明的实施例将会参照附图被详细描述。图1到图3是横截面图，用于示出根据本发明实施例制造图像传感器的方法。
根据所述方法，低温氧化物(LTO)层13被形成在下部结构11上，然后牺牲微透镜15被形成在LTO层13上，如在图1中所示。
下部结构11可以包括光电二极管。下部结构11还可以包括在光电二极管上方的滤色镜层，以及在滤色镜层上或上方形成的平坦化层。为了避免对可包括光致抗蚀剂的滤色镜层和平坦化层下面的结构造成损坏，用于在上方形成微透镜的工艺优选地在低于约250℃的温度下进行。
牺牲微透镜15可以利用光致抗蚀剂来形成。例如，通过在LTO层13上形成光致抗蚀剂图案以及在光致抗蚀剂图案上实施比如热回流这样的热处理，牺牲微透镜15可以被形成。通过利用传统方法(例如，在衬底上旋转光致抗蚀剂)沉积光致抗蚀剂材料(例如，聚合体光致抗蚀剂)，以及接着通过热处理(例如，通过在从大约120℃到约250℃、如从大约150℃到约200℃的温度下进行热回流)光致抗蚀剂层来处理所述光致抗蚀剂，光致抗蚀剂图案可以被形成。热回流也引起光致抗蚀剂材料在其表面形成凸起或弯曲的部分，并且可以引起所述光致抗蚀剂层硬化，导致牺牲微透镜15的形成。
所述LTO层包括在低于约200℃的温度下形成的多种氧化物层。例如，所述LTO层可以包括SiO2或由SiO2形成(例如，等离子体硅烷基氧化物、基于TEOS的氧化物等)。能够在低于250℃的温度下被处理的其它氧化物也可以被使用。所述氧化物层可以通过化学气相沉积(CVD，其可以是等离子体增强型的[PECVD或HDPCVD]，或是处于低压力下的[LPCVD])或毯覆式沉积(blanket deposition)被形成。
接下来，依照根据一个实施例的用于制造图像传感器的方法，通过蚀刻牺牲微透镜15和LTO层13，由LTO层形成的初步的微透镜13a被形成，如图2所示。通过非选择性(例如，牺牲微透镜对透明材料具有大约1∶1的蚀刻选择性)的定向(例如，各向异性)蚀刻，牺牲微透镜15和LTO层13被蚀刻。牺牲微透镜15的外形，包括凸微透镜布局(topology)，被基本上转移给被蚀刻的LTO层13(即，初步的微透镜13a)。结果，所述微透镜13a可以形成在LTO材料中。
因此，牺牲微透镜15和LTO层13可以在大约1∶1的蚀刻比例下，通过毯覆式蚀刻工艺被蚀刻。牺牲微透镜15和LTO层13的蚀刻可以被实施直到所述微透镜15被完全去除为止。
牺牲微透镜15和LTO层13的蚀刻可以利用包括(含氢的)卤烃((hydro)halocarbon)化合物和氧源气的蚀刻气体来实施。所述(含氢的)卤烃可以是具有分子式CHyX4-y(其中y≤2，并且X为卤素：F，Cl，Br，和/或I)的气体。优选地，所述(含氢的)卤烃为四氟化碳(CF4)或CHF3。氧源气可以包括氧气，O3，N2O，和/或SOx。优选地，氧源气为氧气。在牺牲微透镜15和LTO层13的蚀刻过程中，(含氢的)卤烃(例如，四氟化碳)和氧源气(例如，氧气)可以以范围从3∶1到30∶1的比例作为蚀刻气体被引入到蚀刻室内。优选地，(含氢的)卤烃和氧源气在9∶1的比例下被使用。(含氢的)卤烃(例如，四氟化碳)蚀刻气体可以在10-30sccm(标况毫升每分钟)的速率下被提供，并且氧源气(例如，氧气)可以在5-20sccm的速率下被提供。
之后，在根据一个实施例的制造图像传感器的方法中，通过蚀刻初步的微透镜13a，与初步的微透镜13a相比具有减小的曲率半径的微透镜13b可以被形成，如图3中所示。
利用上述蚀刻气体，优选地包括处于约9∶1的(流量速率)比例下的四氟化碳和氧气，蚀刻初步的微透镜13a可以被实施。蚀刻初步的微透镜13a包括蚀刻其侧壁以及其上表面。因此，所得到的微透镜13b相比于初步的微透镜13a具有减小的曲率半径。
图4显示了具有减小的曲率半径和/或焦距的微透镜25，其来自于前述的方法。减小穿过所述微透镜25的光的聚焦长度减小了在微透镜25和光电二极管21(形成在下部结构23中)之间的距离，其中微透镜25被设计用来将光聚焦在光电二极管21上。减小的焦距实现了具有更加细长外形的图像传感器的形成。图4是根据前述的实施例形成的图像传感器的概念图。
上述的初步和二次(secondary)蚀刻可以在同一蚀刻室内被连续地实施。此外，初步和二次蚀刻可以在利用双功率频率的蚀刻室内被实施。例如，蚀刻牺牲微透镜15和LTO层13以及初步的微透镜13a可以在下面的蚀刻条件下被实施：频率为27MHz的1400W的高等离子体点火功率(high plasmaignition power)，以及包括90sccm的四氟化碳、10sccm的氧气和450sccm的氩气的蚀刻气体。蚀刻步骤也可以在高偏置功率(high bias power)(例如，2000-10000W，比如施加到晶片卡盘)下被实施以控制离子定向性。
同时，在根据本实施例的方法制造的图像传感器中，间隙会在形成微透镜的相邻透镜之间产生。如在图5中所示，间隙减小层可以在微透镜13b上形成。也就是说，根据本发明的实施例用于制造图像传感器的典型方法在微透镜13b上形成无间隙层17，如图5中所示。
间隙减小层17可以包括氧化物材料，比如LTO层。所述氧化物材料可以是SiO2或可以在低于250℃的温度下通过例如等离子体硅烷(p-Si)方法或TEOS(CVD)方法被处理的其它氧化物材料。
通过减小或充分消除在用于形成微透镜13b的相邻微透镜之间产生的间隙，图像传感器器件的灵敏度可以被进一步地极大改善。
用于完成上述蚀刻步骤的蚀刻工艺条件将会在之后具体地描述。因为光致抗蚀剂和氧化物层将要被蚀刻，所以蚀刻可以利用基于氟或卤素(fluorine-or halogen-based)的气体和氧气被实施。所述基于氟或卤素的气体可以包括具有分子式CX4(其中X是卤素：F，Cl，Br，和/或I)或分子式CHyX4-y(其中y≤2，并且X是卤素：F，Cl，Br，和/或I)的气体。优选地，基于氟/卤素的化合物为CF3或CHF3。在光致抗蚀剂和氧化物层之间的选择性可以通过调整基于氟或卤素的气体与基于氧元素(oxygen-based)的气体的比例来控制。基于氧元素的气体可以包括氧气，O3，N2O，和/或SOx。优选地，氧气源为氧气。此外，等离子体点火以及其势能力(potential force)可以利用氩气来控制。蚀刻步骤也可以利用高偏置功率来实施，以控制离子定向性。
双频功率可以被用来实现期望的微透镜形状。例如，通过利用27MHz频率来使氟的解离变得容易，并且通过利用2MHz频率来增加等离子体的势能。对于背侧冷却，氦气被提供到卡盘的上端以改善在蚀刻工艺中产生的晶片不均匀性。
在根据一个实施例制造图像传感器的方法中，在光致抗蚀剂和氧化物层之间的选择性可以通过调整四氟化碳与氧气的比例来控制。取决于氧气的比例变化的选择性示出在图6中。图6是根据本发明的实施例说明在制造图像传感器的方法中的工艺条件的曲线图。
参照图6，在光致抗蚀剂和氧化物层之间的蚀刻选择性与在蚀刻室内的氧气量相关。该曲线图显示了当四氟化碳为90sccm时，在不同的氧气水平下的蚀刻选择性数值。在优选实施例中，通过控制四氟化碳与氧气的比例，光致抗蚀剂和氧化物层之间的蚀刻选择性被保持在约1∶1。
在一个实施例中，所述蚀刻可以在下列蚀刻条件下被实施：功率为1400W且频率为27MHz，并且蚀刻气体为50sccm的四氟化碳、10sccm的氧气和490sccm的氩气。
根据所述实施例的用于制造图像传感器的方法改善了器件的灵敏度，并且减小了光会聚距离。结果，图像传感器器件的尺寸可以被减小。
本说明书中所有对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等等的参考表示结合实施例说明的具体特征、结构或者特性都包括在本发明的至少一个实施例中。说明书中不同地方出现的措辞不一定都参照同一实施例。此外，当结合任一实施例说明具体特征、结构或者特性时，认为这些特征、结构或者特性与其它实施例的结合处于本领域技术人员能够实现的范围内。
虽然参照多个示例性实施例进行了说明，但应当理解，本领域技术人员能够构思落入本发明原理的精神和范围内的各种其它变型和实施例。更具体而言，在说明书、附图及所附权利要求书的范围之内，对于各组成部分和/或对象的组合排列能够作出各种变型和改型。除了各组成部分和/或排列的变型和改型之外，各种替代性使用对于本领域技术人员来说也是显而易见的。
Claims (20)
1.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：
在滤色镜层上形成低温氧化物层；
在所述低温氧化物层上形成光致抗蚀剂图案；
加热所述光致抗蚀剂图案以形成牺牲微透镜；
蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层，以在所述低温氧化物层中形成初步的微透镜；以及
蚀刻所述初步的微透镜，以形成与所述初步的微透镜相比具有减小的曲率半径的微透镜。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述滤色镜层之后以及在形成所述低温氧化物层之前形成平坦化层。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述微透镜上形成间隙减小层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述间隙减小层包括第二低温氧化物层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层包括以大约1∶1的蚀刻选择性进行毯覆式蚀刻。
6.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层被实施直到所述牺牲微透镜被完全去除为止。
7.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层包括利用包含四氟化碳和氧气的蚀刻气体。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述四氟化碳和氧气以3∶1到15∶1的比例存在于所述蚀刻气体中。
9.根据权利要求7所述的方法，其中以10-300sccm提供所述四氟化碳，以5-20sccm提供所述氧气。
10.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述初步的微透镜包括利用包含四氟化碳和氧气的蚀刻气体。
11.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述初步的微透镜包括蚀刻所述初步的微透镜的侧壁。
12.根据权利要求1所述的方法，其中在同一室内连续实施蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层的步骤以及蚀刻所述初步的微透镜的步骤。
13.根据权利要求1所述的方法，其中在利用双功率频率的室内实施蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层的步骤以及蚀刻所述初步的微透镜的步骤。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述低温氧化物层包括SiO2。
15.根据权利要求3所述的方法，其中在相邻的微透镜之间存在间隙。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述间隙减小层充分地消除位于相邻的微透镜之间的所述间隙。
17.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述牺牲微透镜和所述低温氧化物层的步骤包括利用高等离子体点火功率和高偏置功率。
18.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述初步的微透镜的步骤包括利用高等离子体点火功率和高偏置功率。
19.根据权利要求1所述的方法，其中所述减小的曲率半径减小了穿过所述微透镜的光的聚焦长度。
20.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热包括在大约120℃到大约250℃的温度下进行热回流工艺。
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| KR20050057968A (ko) * | 2003-12-11 | 2005-06-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 무기물의 마이크로렌즈를 갖는 이미지센서 제조 방법 |
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| US20080157243A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Eun Sang Cho | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101740593A (zh) * | 2008-11-11 | 2010-06-16 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN108074806A (zh) * | 2016-11-14 | 2018-05-25 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 在基体的表面形成凸起结构的方法 |
| CN111180536A (zh) * | 2020-01-03 | 2020-05-19 | 福州京东方光电科技有限公司 | 光电传感单元及其制备方法和光电传感器 |
| CN111180536B (zh) * | 2020-01-03 | 2021-04-09 | 福州京东方光电科技有限公司 | 光电传感单元及其制备方法和光电传感器 |
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