JPH03148173A - マイクロレンズの形成方法 - Google Patents
マイクロレンズの形成方法Info
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- JPH03148173A JPH03148173A JP1287154A JP28715489A JPH03148173A JP H03148173 A JPH03148173 A JP H03148173A JP 1287154 A JP1287154 A JP 1287154A JP 28715489 A JP28715489 A JP 28715489A JP H03148173 A JPH03148173 A JP H03148173A
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- microlens
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Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、固体撮像素子の感度向上を図るために、そ
の光電変換部前方に配置するマイクロレンズ(微小集光
体)の形成方法に関するものである。
の光電変換部前方に配置するマイクロレンズ(微小集光
体)の形成方法に関するものである。
第4図は例えば特公昭60−59752号公報に示され
た、従来のマイクロレンズの形成方法を示す断面フロー
図であり、図において、1はシリコン基板、2はフォト
ダイオード、3はチャネルストップ、4は転送部、5.
7は絶縁層、6はポリシリコン・ゲート、8はアル逅遮
光膜、9はマイクロレンズ、10は固体撮像素子の下地
部である。
た、従来のマイクロレンズの形成方法を示す断面フロー
図であり、図において、1はシリコン基板、2はフォト
ダイオード、3はチャネルストップ、4は転送部、5.
7は絶縁層、6はポリシリコン・ゲート、8はアル逅遮
光膜、9はマイクロレンズ、10は固体撮像素子の下地
部である。
次にその製造工程について説明する。受光部や転送部等
を有する半導体基板10上に熱軟化性を有する透光性材
料9aから成る膜をスピン塗布法等により形成する(第
4図(a)参照)。次に各受光部間の遮光膜8上で、マ
イクロレンズ形成部の端部をエツチングにより除去し、
断面矩形体9bを形成する(第4図(ハ)参照)。次い
でこの矩形体9bを加熱し、「だれ」を生じさせてマイ
クロレンズ9を形成する(第4図(C)参照)。
を有する半導体基板10上に熱軟化性を有する透光性材
料9aから成る膜をスピン塗布法等により形成する(第
4図(a)参照)。次に各受光部間の遮光膜8上で、マ
イクロレンズ形成部の端部をエツチングにより除去し、
断面矩形体9bを形成する(第4図(ハ)参照)。次い
でこの矩形体9bを加熱し、「だれ」を生じさせてマイ
クロレンズ9を形成する(第4図(C)参照)。
この方法で形成したマイクロレンズは、高い曲率を容易
に得ることができ、かつ高い集光能力を持つことができ
る。
に得ることができ、かつ高い集光能力を持つことができ
る。
従来のマイクロレンズの形成方法は、以上のように構成
されているので、製造されたレンズは熱安定性に欠ける
等の問題点があった。
されているので、製造されたレンズは熱安定性に欠ける
等の問題点があった。
この発明は上記のような従来のものの問題点を解消する
ためになされたもので、熱安定性が高く、かつ、高い集
光能力を持つマイクロレンズを製造できるマイクロレン
ズの形成方法を得ることをを目的とする。
ためになされたもので、熱安定性が高く、かつ、高い集
光能力を持つマイクロレンズを製造できるマイクロレン
ズの形成方法を得ることをを目的とする。
この発明に係るマイクロレンズの形成方法は、熱安定性
の高い透光性材料をマイクロレンズの母材とし、熱軟化
性材料にてマイクロレンズ形状を形成した後、その高い
曲率形状を反映させてレンズ母材をエツチングして形成
するようにしたものである。
の高い透光性材料をマイクロレンズの母材とし、熱軟化
性材料にてマイクロレンズ形状を形成した後、その高い
曲率形状を反映させてレンズ母材をエツチングして形成
するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、マイクロレンズは、熱的に安定な
材料により形成されるため、高信頼性を有するとともに
高い集光機能を有する。
材料により形成されるため、高信頼性を有するとともに
高い集光機能を有する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は本発明の一実施例によるマイクロレンズの形成方法
を示し、図において、21はマイクロレンズ、21aは
マイクロレンズ母材、22aは熱軟化性材料、22bは
バターニング後の熱軟化性材料、22cは熱リフロー後
の熱軟化性材料である。
図は本発明の一実施例によるマイクロレンズの形成方法
を示し、図において、21はマイクロレンズ、21aは
マイクロレンズ母材、22aは熱軟化性材料、22bは
バターニング後の熱軟化性材料、22cは熱リフロー後
の熱軟化性材料である。
本発明のマイクロレンズの形成方法を第1図の製造フロ
ーに沿って説明する。まず受光部や、転送部等を有する
半導体基板IO上に、透光性かつ熱的に安定な材料、例
えばJSR製オプトマーSSシリーズ等の熱硬化性樹脂
、冨士薬品製FVR等の光硬化性樹脂、Sin、等の無
機透明材料等からなる層21aをスピン塗布法等により
例えば2〜3逅クロン厚になるように形成し、硬化性樹
脂についてはそれぞれの方法で硬化させた後、例えば東
京応化製0FPR−800等のノボラック系樹脂、0D
UJ’?−1013等の熱軟化性の樹脂層22aをスピ
ン塗布法等により熱硬化性樹脂槽と同程度の厚みになる
ように積層する(第1図(a)参照)。
ーに沿って説明する。まず受光部や、転送部等を有する
半導体基板IO上に、透光性かつ熱的に安定な材料、例
えばJSR製オプトマーSSシリーズ等の熱硬化性樹脂
、冨士薬品製FVR等の光硬化性樹脂、Sin、等の無
機透明材料等からなる層21aをスピン塗布法等により
例えば2〜3逅クロン厚になるように形成し、硬化性樹
脂についてはそれぞれの方法で硬化させた後、例えば東
京応化製0FPR−800等のノボラック系樹脂、0D
UJ’?−1013等の熱軟化性の樹脂層22aをスピ
ン塗布法等により熱硬化性樹脂槽と同程度の厚みになる
ように積層する(第1図(a)参照)。
次に、上記熱軟化性樹脂層22aにおいて、各受光部間
の遮光膜8あるいは、分離上の一部を写真製版等により
取り除き、断面矩形体22bを形成する(第1図(ハ)
参照)。さらに、基板を加熱し、150℃〜180°C
程度で熱リフローさせて、熱軟化性樹脂22bをマイク
ロレンズと同形状のレンズ形状体22cにする(第1図
(C)参照)。
の遮光膜8あるいは、分離上の一部を写真製版等により
取り除き、断面矩形体22bを形成する(第1図(ハ)
参照)。さらに、基板を加熱し、150℃〜180°C
程度で熱リフローさせて、熱軟化性樹脂22bをマイク
ロレンズと同形状のレンズ形状体22cにする(第1図
(C)参照)。
続いて、マイクロレンズ母材21aとリフロー後の熱軟
化性樹脂21cのエッチレートが等しくなるような、ガ
ス、ガス圧、分圧(混合ガス)温度、パワー等を選択し
て、異方性エツチングを行い、熱軟化性樹脂のマイクロ
レンズ形状をマイクロレンズ母材に反映させる(第1図
(イ)参照)。最後に、不必要な熱軟化性樹脂を剥離(
ノボラック系であれば、アルコール浸漬等)して、例え
ば半径数ミクロンないし十数ミクロンのマイクロレンズ
21を形成する(第1図(e)参照)。
化性樹脂21cのエッチレートが等しくなるような、ガ
ス、ガス圧、分圧(混合ガス)温度、パワー等を選択し
て、異方性エツチングを行い、熱軟化性樹脂のマイクロ
レンズ形状をマイクロレンズ母材に反映させる(第1図
(イ)参照)。最後に、不必要な熱軟化性樹脂を剥離(
ノボラック系であれば、アルコール浸漬等)して、例え
ば半径数ミクロンないし十数ミクロンのマイクロレンズ
21を形成する(第1図(e)参照)。
なお、上記実施例では、マイクロレンズ母材が画素ごと
に分離されたものについて示したが、第2図に示すよう
に、マイクロレンズ母材を例えば5〜7ξクロン程度の
十分な厚みに形成することにより、画素間が連続したも
のでも良く、この場合、光路長が増加し、その集光能力
も増大する。
に分離されたものについて示したが、第2図に示すよう
に、マイクロレンズ母材を例えば5〜7ξクロン程度の
十分な厚みに形成することにより、画素間が連続したも
のでも良く、この場合、光路長が増加し、その集光能力
も増大する。
又、上記実施例では、エツチングを途中で止め、集光作
用に寄与する画素外部のマイクロレンズ母材にのみエツ
チングを行っているが、第3図に示すように、画素内部
にまで形状を反映させても良く、熱軟化性樹脂が無くな
るまでエツチングを行えば、剥離の工程を省くことがで
きる。
用に寄与する画素外部のマイクロレンズ母材にのみエツ
チングを行っているが、第3図に示すように、画素内部
にまで形状を反映させても良く、熱軟化性樹脂が無くな
るまでエツチングを行えば、剥離の工程を省くことがで
きる。
以上のように、この発明に係るマイクロレンズの形成方
法によれば、マイクロレンズ母材として熱的に安定な材
料を用いて、レンズ母材上に形成した熱軟化性材料に、
レンズ母材に形成すべきマイクロレンズ形状を持たせた
後、その高い曲率形状がレンズ母材に反映するようにエ
ツチングを行なうことによりレンズを形成するようにし
たので、熱的に安定でかつ高い集光能力を持ったマイク
ロレンズが得られる効果がある。
法によれば、マイクロレンズ母材として熱的に安定な材
料を用いて、レンズ母材上に形成した熱軟化性材料に、
レンズ母材に形成すべきマイクロレンズ形状を持たせた
後、その高い曲率形状がレンズ母材に反映するようにエ
ツチングを行なうことによりレンズを形成するようにし
たので、熱的に安定でかつ高い集光能力を持ったマイク
ロレンズが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるマイクロレンズの形
成方法を示す断面フロー図、第2図および第3図はこの
発明の他の実施例により形成されたマイクロレンズの断
面を示す図、第4図は従来のマイクロレンズの形成方法
を示す断面フロー図である。 図において、1はシリコン基板、2はフォトダイオード
、3はチャンネルストップ、4は転送部、5.7は絶縁
層、6はポリシリコン・ゲート、8はアル藁遮光膜、9
.21はマイクロレンズ、10は固体撮像素子の下地部
、21aはマイクロレンズ母材、22aは熱軟化材料、
22bはパターニング後の熱軟化材料、22cは熱リフ
ロー後の熱軟化材料である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
成方法を示す断面フロー図、第2図および第3図はこの
発明の他の実施例により形成されたマイクロレンズの断
面を示す図、第4図は従来のマイクロレンズの形成方法
を示す断面フロー図である。 図において、1はシリコン基板、2はフォトダイオード
、3はチャンネルストップ、4は転送部、5.7は絶縁
層、6はポリシリコン・ゲート、8はアル藁遮光膜、9
.21はマイクロレンズ、10は固体撮像素子の下地部
、21aはマイクロレンズ母材、22aは熱軟化材料、
22bはパターニング後の熱軟化材料、22cは熱リフ
ロー後の熱軟化材料である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)マイクロレンズの形成方法において、受光部や信
号転送部を有する半導体基板上に、熱的に安定な、透光
性材料層を形成する第1の工程と、 上記透光性材料層上にさらに熱軟化性樹脂層を積層した
のち、該熱軟化性樹脂層から受光部間の未開口部分上の
一部を除去し、熱リフローさせる第2の工程と、 上記熱リフローした熱軟化性樹脂の形状を反映させて上
記透光性材料をエッチングしマイクロレンズを得る第3
の工程とを備えたことを特徴とするマイクロレンズの形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1287154A JPH03148173A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | マイクロレンズの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1287154A JPH03148173A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | マイクロレンズの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03148173A true JPH03148173A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17713776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1287154A Pending JPH03148173A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | マイクロレンズの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03148173A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0523825A1 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A solid-state imaging device provided with microleuses |
US5422285A (en) * | 1992-05-27 | 1995-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing solid-state imaging device |
US5672519A (en) * | 1994-02-23 | 1997-09-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of fabricating solid state image sensing elements |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1287154A patent/JPH03148173A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0523825A1 (en) * | 1991-07-15 | 1993-01-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | A solid-state imaging device provided with microleuses |
US5293267A (en) * | 1991-07-15 | 1994-03-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device |
US5422285A (en) * | 1992-05-27 | 1995-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing solid-state imaging device |
US5583354A (en) * | 1992-05-27 | 1996-12-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device having microlenses |
US5672519A (en) * | 1994-02-23 | 1997-09-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method of fabricating solid state image sensing elements |
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