DE2730566A1 - Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung

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DE2730566A1 DE19772730566 DE2730566A DE2730566A1 DE 2730566 A1 DE2730566 A1 DE 2730566A1 DE 19772730566 DE19772730566 DE 19772730566 DE 2730566 A DE2730566 A DE 2730566A DE 2730566 A1 DE2730566 A1 DE 2730566A1
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Description

Henkel, Kern, Feiler Cr Hänzel Patentanwälte
_„ 27JÜb66
Möhlstraße 37 D-8000 München 80
Mitsuoishi Uenki Kaüushiki Kaisha Tel.:089/982085-87
T . . Telex: 0529802 hnkld
Tokio, Japan Telegramme: ellipsoid
& Juli 1977
rialbleitervorrichtunq und Verfahren zu ihrer
Herstellung
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang bzw. einer pn-Sperrschient, deren eines Ende an der überfläche der Vorrichtung freiliegt und durch eine Glaspassivierungsschicht geschützt ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen HalDleitervorrichtung.
Die mit "Glaspassivierung" bezeichnete Oberflächenbehandlung wird seit einiger Zeit bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie Halbleiter-Dioden, -Transistoren, -Thyristoren usw., angewandt. Hierbei wird ein anorganisches Glas auf die Oberfläche einer Halbleitervorrichtung aufgebracht, an welcher in der Vorricntung angeordnete pn-üoergänge nach außen hin freiliegen, worauf das Glas gebrannt wird, um die freiliegenden Abschnitte der pn-übergänge zu scnützen. bei dieser Glaspassivierung wird das anorganische Glas mit dem zugeordneten Halbleitersubstrat zum Schütze eines freiliegenden Teils eines darin vorgesehenen pn-übergangs verschweißt, so daß diese
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Behandlung im Vergleicn zu den früneren OberfläcnenDehandlungen, Dei denen der freiliegende Feil eines pn-übergangs in der betreffenden Vorrichtung zum Schütze Mit einer organiscnen Masse, etwa Si 1 ikongunimi uzw. -kautscnuk oder -firnis, üoerzogen wird, eine wesentlicn verbesserte, staoi1isierte Oberflächenbehandlung darstellt. Halbleitervorricntung mit GlaspassiVierungen kennzeichnen sich dadurch, oab ihre elektri scnen tigenschaften durch Luft nicnt beeinflußt werden und kleine Sekularänderungen (secular cnange) zeigen. Halbleitervorricntungen mit dünnen Glaspassivierungsschichten einer i)icke von 5-ÜO .um haben sich insofern als unvorteilhaft erwiesen, aTs ihre elektrischen Eigenschaften leicht durch an der Glasschicht annaftende Schwermetallionen und/oder Luft beeinträchtigt werden. Wenn zudem Halbleiterpellets oder -pldttcnen mit dünner Glaspassivierungsschicnt zu Haloleitervorrichtungon zusammengesetzt werden, indem sie mit metallenen Grundplatten verlötet und dann zusammen mit diesen Platten in einen Ofen mit einer Atmosphäre aus oder mit Masserstoff eingebracht werden, erweisen sich die nergestel1 ten Vorrichtungen insofern al s/ünvorteiliaf t, als der Wasserstoff in kurzer Zeit mit der dünnen Glasschicht reagiert und dadurch die elektriscnen tigenschaften der Vorrichtungen verschlechtert.
Wenn die Dicke der Glasschicht auf etwa JU - bü ,um eriiöht wird, um die genannten Nachteile weitgehend zu vermindern oder praktisch auszuscnalten, werden die elektriscnen L-igenscnaften der entstandenen Halbleitervorricntung bekanntlich kaum durch Schwermetallionen auf der Glasschicht und/oder Luft beeinträcntigt. Wenn dann mit Glasschichten einer Dicke von JU - öu .um versehene Plättchen in einen Ofen mit einer Wasserstoffatmospnäre eingebracht werden, zeigt das Glas eine
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to
ι. ' :> j b 6 b
langsame Zersetzungsgeschwindigkeit, so daI3 die elektrischen Eigenschaften der gebildeten Halbleitervorrichtungen weniger stark beeinträchtigt v/erden, solange die Aufenthaltszeit der Plättchen im Ofen kurz ist. Infolge des natürlichen Unterschieds der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Glas und dem Halbleitermaterial des Substrats führt allerdings eine Vergrößerung der Dicke der Glasschicht zu starken Spannungen in den an der Grenzfläche befindlichen Abschnitten sowohl der Glasschicht als auch des Substrats, so daß in diesen Bereichen Risse auftreten können.
Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Halbleitervorrichtung zu schaffen, deren eine Oberfläche in stabiler Welse mit einer Glaspassivierungsschicht behandelt ist, in welcher kaum Risse auftreten können.
Diese Aufgabe wird durch die in den beigefügten Patentansprüchen gekennzeichneten Merkmale und Maßnahmen gelöst.
Insbesondere kennzeichnet sich die Erfindung dadurch, daß die Glaspassivierungsschicht eine erste Glasschicht aus einem anorganischen Glas derselben Art wie das die erste Glasschi chi/ibildende Glas auf der Oberfläche der· Halbleitervorrichtung, einschließlich der freiliegenden Enden des pn-(ibergangs, sowie eine zweite auf der ersten Glasschicht angeordneter aus einem anorganischen Glas derselben Art wie die erste Glasschicht bestehende Glasschicht aufweist, in v/elcher feinverteilte Teilchen einer organischen Substanz dispergiert sind, deren Wärmeausdehnungskoeffizient lcLeLner- Lsi. als derjenige des anorganischen Glases.
Vorzugsweise ist die zweite Glasschicht dicker als die erste.
Diese Glaspassivierungsschicht wird in der V/eise daß zunächst ein pulverförmiges anorganisches Glas auf die das freiliegende Ende des pn-Übergangs aufweisende Fläche der
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rialDleitervorrichtung aufgetragen und zu einer ersten Glasschicht georannt wird und dao sodann ein Gemisch aus feinverteilten Teilcnen eines anorganiscnen Glases derseluen Art wie beim Glas der ersten Glasschient sowie aus feinverteilten Teilcnen einer anorqani scnen Suostanz auf die/erste Glasscnicnt aufgetragen und zu einer zweiten Glasschicht gebrannt wiru, wobei die anorganische Substanz einen kleineren Wärmeausuehnungskoeffizienten Desitzt als das anorganiscneGlas. üie Teilcnen sowohl des anorganiscnen Glases als auch der anorganischen Substanz können eine Teilcnengröße entsprechend etwa 500 Maschen je 25,4 mm (500 meshes) besitzen.
Im folgenden sind bevorzugte Ausfünrungsformen der Erfindung anhand der oeigefügten Zeichnung naher erläutert, ts zeigen:
Fig. 1 bis 4 Tei1schnittansichten eines Haiuleiterplätt-
cnens im Verlauf der aufeinanderfolgenden Fertigungsschritte beim erf i ndungsgemäßefi Verfanren und
Fig. 5 eine Schnittansicht eines Plättchens einer erfindungsgemäß ausgebildeten Halbleiterdiode.
Obgleich dia trfindung gleichermaßen auf eine Vielfalt verschiedener Halbleitervorrichtungen, wie Dioden, Transistoren, Thyristoren usw., anwendbar ist, ist sie im folgenden lediglich zur Verdeutlichung in Verbindung mit Halbleiter-Dioden beschrieben.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zunächst dor, nämlich ein p-Typ-Fremdatom, in die eine Hauptfläche,im vorliegenden Fall in die obere Hauptfläche eines n-Typ-Siliziumplättchens 10 eindiffundiert, um eine p-Typ-
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Halbleiterschicht 12 zu bilden, wobei zwiscnen dieser Schicht 12 und dem Plättchen IO ein pn-übergang bzw. eine pn-Sperrschicht 14 entsteht. Sodann werden unter Anwendung von Photolithographie- und Ätzverfahren menrere Rillen 16 in einem vorbestimmten Muster derart in der überfläche der p-Halbleiterschicht 12 ausgebildet, daß diese Rillen 14 durcn den pn-übergang 14 hindurch die n-Typ-Scnicht bzw. das Plättchen 10 erreichen. Die Rillen 16 unterteilen das Plättchen 10 in eine Anzahl von Halbleiter-Dioden.
Das so hergestellte Gebilde ist in Fig. 1 dargestellt, gemäß welcher der pn-übergang 14 mit seinen Enden in den Rillen 16 nacn außen freiliegt.
Anschließend wird pulverförmiges anorganisches Glas auf die Rillen 16 aufgetragen und zu einer ersten Glasschicht 18 mit geringer Dicke gebrannt. Die Dicke der ersten Glasschicht 18 liegt vorzugsweise bei 3-10 ,um.
Sodann werden feinverteilte Teilchen einer anorganischen Substanz, beim vorliegenden Ausführungsbeispiel Silizium, in entsprechend geeigneten Mengenanteilen innig miteinander vermischt. Der Mengenanteil an Silizium liegt dabei vorzugsweise im Bereich von 3-6 Teile auf je 10 Gewichtsteile des anorganischen Glases. Sodann wird das auf diese Weise hergestellte Gemisch zur Zubereitung einer Glasaufschlämmung mit geeigneter Viskosität mit einer passenden Menge eines Bindemittels vermischt. Ein bevorzugtes Beispiel für das Bindemittel ist Diäthylenglycol-monobutyläther, z.B. Butyl-Carbitol (eingetragenes Marenzeichen) und Athylcellulose. Die Gipsaufschlämmung wird sodann auf die erste Glasschicht 18 aufgebracht und zu einer zweiten Glasschicht 20 gebrannt, die gemäß Fig. 3 eine größere Dicke besitzt als die erste Glasschicht
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Insbesondere liegt die Dicke der zweiten Glasschicht 20 vorzugsweise im Bereich von 30 - 50 ,um.
Neben Silizium sind bevorzugte Beispiele für die anorganische Substanz Si 1iziumcarbid und Kohlenstoff. Es ist zu beachten, daß die anorganische Substanz einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen muß als das mit ihr zu vermischende anorganische Glas.
Der üiäthylenglycol-Monobutyläther und die Äthylcel1ulose, die in der tilasaufschlämmung enthalten sind, werden beim Brennen der Gipsaufschlämmung verdampft. Wahlweise können sie in einer Einbrennatmosphäre mit Sauerstoff umgesetzt werden. Diese Stoffe sind daher in der zweiten Glasschicht nicht mehr enthalten. Infolgedessen wird die so hergestellte zweite Glasschicht 20 durch diese Bindemittelstoffe auch nicht beeinträchtigt oder verschlechtert.
Anschließend wird eine einzige ozw. einstückige Metallelektrode aus mit einer Goldfolie belegtem Nickelblech in ohmschem Kontakt mit der Gesamtoberfläche der anderen Hauptfläche des Halbleiterplättchens 10 angeordnet während eine andere, ähnliche Metallelektrode in ohmschen Kontakt mit den durch die Rillen 16 unterteilten einzelnen Oberflächenabschnitten der μ-Halbleiterschicht 14 gebracht wird.
Das so hergestellte Gebilde ist in Fig. 4 veranschaulicht, in welcher die Elektroden mit 22 bezeichnet sind.
Das Gebilde gemäß Fig. 4 wird sodann längs der gestrichelten Linien A-A1 und B-B* unter Halbierung der betreffenden Rillen mit Hilfe einer geeigneten Vorrichtung geschnitten, so daß
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eine Vielzanl von Halbleiterdioden der in Fig. 5 bei 24 angedeuteten Art erhalten wird.
Zusammenfassend wird mit der Erfindung also eine Glaspassivierungsschicht hergestellt, die aus einer ersten Glasscnicht der üblichen Art und einer zweiten, darüberllegenden Glasschicht mit z.B. Siliziumteilchen mit einer Teilchengröße entsprechend 500 Maschen pro 25,4 mm (50U meshes) besteht, wobei diese Teilchen in der zweiten Glasschicht dispergiert sind. Da die erste Glasschicht eine Dicke von nur etwa 3-10 .um besitzt, wird eine Rißbildung in dieser Glasscnicht aufgrund des Unterschieds des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwiscnen dem anorganischen Glas der ersten Glasschicht 16 und dem Halbleitermaterial des Plättchens 10 vermieden, obgleich dieser Unterschied ziemlich groß ist. Diese Erscheinung ist an sich bekannt.
Da die zweite Glasschicht 20 Siliziumteilchen enthält, kann sie in Abhängigkeit von der ihr zugemischten Siliziummenge einen vom Wärmeausdehnungskoeffizienten der ersten Glasschicht abweichenden Märmeausdehnungskoeffizienten besitzen, die beide dient beieinander liegen können. Die Erfindung kennzeichnet sich also durch das Merkmal, daß eine Rißbildung in erster und zweiter Glasschicht sehr unwahrscneiniich ist, obgleich aie Dicke der zweiten Glasschicht 20 auf eine Größe von 30 - 50 .um vergrößert ist.
Es hat sich gezeigt, daß die sogenannte Laset— Anreißtechnik zum Zerschneiden des Plättchens in eine Vielzahl von Halbleiterdioden 24 angewandt werden kann, ohne daß in den Glasschichten 18 und 20 Risse auftreten.
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denn dagegen die Killen 16 der bisher üblichen Glaspassivierung unterworfen werden und die Anordnung gemäß Fig. 1 sodann nach der Laser-Anreiß-technik in eine Anzahl von Halbleiterdioden unterteilt wird, treten in den Glasschichten unregelmäßige Risse auf. üies ist darauf zurückzuführen, daß die in jeder Kille 16 angeordnete Glasschicht mit verhältnismäßig großer üicke aus einem anorganischen Glas derselben Art wie oei der ersten Glasschicht 18 hergestellt ist. Genauer gesagt: Wenn zur Durchführung der genannten Lasertechnik ein Laserstrahl in die Mulde einer der Glasschichten in den Rillen 16 gerichtet wird, wird der Laserstrahl durch diese Glasschicht hindurch übertragen, wobei seine Energie zu dem mit der Glasschicht belegten Abschnitt des Plättchens 10 geleitet und in Wärme umgewandelt wird. Durch diese Wärme wird an lokalisierter Stelle das Silizium in dem Teil des Plättcnens verdampft, auf den der Laserstrahl fällt, so daß an dieser Stelle eine Reißlinie gezogen wird. Die Reißlinien werden dabei in den unmittelbar unter den Sohlen aller Glasschichten gelegenen Bereichen des Plättchens gezogen. Da die lokalisierte Verdampfung im genannten Bereich des Plättchens und nahe der Sohle jeder mit der Glasschicht belegten Rille auftritt, entsteht unter der betreffenden Glasschicht explosionsartig ein Dampfdruck. Durch diesen Dampfdruck und die vom Laserstrahl herrührende Hitze wird der Abschnitt jeder Glasschicht, durcn den der Laserstrahl hindurchfällt, aufgebrochen.
Aus den vorstehenden Ausführungen geht hervor, daß dann, wenn ein mit einer üblichen dicken Glasschicht gesdütztes Halbleiterplättchen nach dem Laser-Anreißverfahren unter Verwendung eines Laserstrahls geschnitten wird, in jeder Glasschicht
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längs der Reißlinie unregelmäßig geformte Risse auftreten.
Bei der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung trifft dagegen der auf die zweite Glasschicht ZU an der Sohle 26 der Rille 16 gericntete Laserstrahl auf die in der zweiten Glasschient 20 dispergierten Siliziumteilchen, so daß oiieser Strahl in Warme umgewandelt wird, üiese Wärme wird auf die die Siliziumteilchen umgebenden Bereiche der Glasschicht abgeleitet, so daß deren Temperatur ansteigt und das Glas in einen teilweise geschmolzenen Zustand übergeht, üer nicht auf die Siliziumteilchen in der zweiten Glasschicht 20 auftreffende Teil des Laserstrahls fällt dagegen auf das SiIiziumplättchen 10, wo seine Energie in Wärme umgewandelt wird. Infolgedessen steigt in den vom Laserstrahl beaufschlagten Bereichen des Si 1iziumplättchens 10 die Temperatur lokal an, so daß das Silizium in diesen Bereichen mit einem explosionsartigen Anstieg des Dampfdrucks verdampft.
Der über dem verdampften Silizium befindliche Teil der zweiten Glasschicht ist jedoch lokal angeschmolzen, so daß das verdampfte Silizium durch die angeschmolzenen Abschnitte der zweiten Glasschicht hindurch nach außen entweichen kann. Anschließend nimmt die Temperatur der zweiten Glasschicht ab, bis diese wieder völlig erstarrt ist. Auf diese Weise wird die Entstehung von Rissen in der zweiten Glasschicht während der Ausbildung der Anreißlinien auf der einen Hauptfläche des Haibleiterplättchens vermieden.
Nachdem die genannten Anreißlinien über die gesamte Oberfläche des Plättchens 10 hinwegfaezogen worden sind, kann letzteres längs dieser Linien mit den beiden Glasschichten 18 und 20 geschnitten werden.
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Die Erfindung bietet daher den speziellen Vorteil, daß die Anwendung der Laser-Anreißtechnik zum Schneiden des Halblei terplättchens nicht zum Auftreten von Rissen in der Glasschicht führt.
Oa außerdem die erste Glasschicht, welche der bisher üüIicnen Glasschicht ähnelt, jedoch eine vergleichsweise geringe Dicke besitzt, zwischen dem Halbleiterplättchen 10 und der zweiten Glasschicht 20 angeordnet ist, werden die in der zweiten Glasschicht 20 dispergieren Siliziumteilchen an einer direkten Berührung mit den freiliegenden Enden des pn-übergangs 14 gehindert. Die Erfindung gewährleistet somit den weiteren Vorteil, daß die elektrischen Eigenscnaften der hergestellten Dioden nicht beeinträchtigt werden, denn die zweite Glasschicht 20 unmittelbar auf jeder Rille angeordnet werden wUrde, könnten die Siliziumteilchen in unmittelbare berührung mit den Enden des in der betreffenden Rille Ιό freiliegenden pn-übergangs 14 gelangen, so daß ein Strom durch die diesen Übergang kontaktierenden Siliziumteilchen fließen könnte, weil Silizium icein elektrisch isolierendes Material darstellt. Dieser Stromfluß könnte zu einer Verschlechterung dzw. Beeinträchtigung der elektrischen Eigsischaften der hergestellten Halbleiter-Uioden fuhren.
die erwännt, sind Siliziumkarbid und Konlenstoff die bevorzugten Vertreter für die in der zweiten Glasschicht enthaltene anorganiscne Substanz. Es ist darauf hinzuweisen, daß im allgemeinen jede oeliebige anorganiscne, feste Substanz in der zweiten Glasschient dispergiert sein kann, so-lange sie folgenden Anforderungen genügt:
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Du rcη zugabe dieser Suostanz zur zweiten Glasscnicht muß der Wärmeausdehnungskoeffizient der nergestel1 ten zweiten Glasschient so weit verringert werden, daß er sich demjenigen des Halbleiterplättchens annänert, wooei diese Substanz außerdem bei erhöhter Temperatur von menr als /UO0C stabil sein muß. Seiost wenn diese SuDStanz in kleiner Menge unter Lösung in der Glasschicht tnermiscn zersetzt wird, dürfen die elektriscnen Eigenscnaften der hergestellten HalDleitervorricht'ngen hierdurch nicnt verschlecntert werden.
Zusammenfassend wird mit der Erfindung also eine Halbleitervorrichtung geschaffen, die mindestens einen pn-übergang mit einem an der Oberfläche der Halbleitervorrichtung freiliegenden Ende, eine aus einem anorganischen Glas nergestellte erste Glasscnicht, welche das freiliegende tnde des pn-üoergangs bedeckt, und eine auf der ersten Glasschient ausgebildete bzw. angeordnete zweite Glasschicht aufweist, die aus einem anorganischen Glas derseloen Art wie derjenigen des Glases der ersten Glasschient sowie darin dispergierten, fein»erteilten Teilcnen einer oder mehrerer anorganischer Substanzen mit kleinerem Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem des anorganischen Glases Desteht. Beim Shneiden eines Haloleiterplättchens zu einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen treten demzufolge keine Risse in den beiden Glasschichten auf, und die elektrischen Eigenschaften der Haloleitervorrichtung werden hierdurch nicht beeinträchtigt.
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Claims (12)

PATENTANSPRÜCHE
1. ) Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang, dessen eines
Ende an der Oberflache der Vorrichtung freiliegt und der mit einer Oberflächenpassivierungsschicht bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfl ächenpassi vierungsschicht eine erste Glasschicht (18) aus einem anorganischen Glas und eine auf dieser angeordnete zweite Glasschicht (20) aus einem anorganischen Glas derselben Art wie dem der ersten Glasschicht (18) sowie in ihr diespergierten, feinverteilten Teilchen einer anorganischen SuDStanz mit einem niedrigeren Märemeausdennungskoeffizienten als dem des anorganiscnenJGlases umfaSt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzei c h net, daß die anorganiscne Substanz aus Silizium, Siliziumkarbid und/oder Kohlenstoff besteht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Glasschicht (20) dicker ist als die erste Glasschicht (18).
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ORIGINAL INSPECTED
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Glasscnicht (IB) eine Dicke von 3-10 .um und die zweite Glasscnicht (20) eine Dicke von 30 - 50 .um besitzt.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite tilasschicht das anorganische Glas und die Teilchen der anorganischen Substanz in einem Mengenverhältnis von 10:3 bis 10:6 enthalt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen des anorganischen Glases und der anorganischen Substanz eine Teilchengröße entsprechend 500 Maschen pro 25,4 mm (500 meshes) besitzen.
7. Verfahren zur Herstellung vonilalblei tervorri cntungen mit jeweils mindestens einem pn-übergang, dessen eines Ende an der überläche der Vorrichtung freiliegt und mit einer OberflächenpassiVierungsschicht Dedeckt ist, dadurcn gekennzeichnet, daß ein pulverförmiges anorganisches Glas auf das freiliegende Ende des pn-Obergangs aufgetragen und zur Bildung einer ersten Glasscnicht gebrannt wird und daß ein Gemisch aus feinverteilten Teilchen anorganischen Glases derselben Art wie beim Glas der ersten Glasschicht sowie aus feinverteilten Teilchen einer anorganischen Substanz mit kleinerem Wärmeausdennungskoeffizienten als dem des anorganischen Glases auf die erste Glasschicht aufgeoracht und das Gemisch zur Bildung einer zweiten, an der ersten Glasschicht haftenden Glasschicht gebrannt wird.
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8. Verfahren nacn Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß Teilchen des anorganischen Glases und der anorganischen Substanz mit einer Teilchengröße entsprechend 500 Maschen pro 25,4 mm (500 meshes) verwendet werden.
S. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daii das Gemisch der Teilchen aus anorganischem Glas und anorganischer Substanz als Bindemittel üiäthylenglycol-monobutyläther und Athylcellulose enthält.
10. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halbleiterplättchen ein durchgehender pn-übergang ausgebildet wird, daß in der einen Hauptfläche des Plättchens Rillen ausgebildet werden, welche den pn-übergang in eine Anzahl getrennter pn-übergangsabschnitte unterteilen, deren Enden in den Rillen nach außen freiliegen, und daß nach den Verfahrensschritten gemäß Anspruch 7 nacheinander die erste Glasschicht und die zweite Glasschicht in den Rillen ausgebildet werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen längs der Rillen geschnitten wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Senneiden des Halbleiterplättchens mittels eines Laserstrahls durchgeführt wird.
709883/0830
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