DE2730566C3 - Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang, dessen mindestens eines Ende an der Oberfläche der Halbleitervorrichtung freiliegt und der mit einer Oberflächenpassivierungsschicht bedeckt ist, die eine erste Glasschicht aus einem anorganischen Glas und eine auf dieser angeordnete zweite Glasschicht aus einem anorganischen Glas derselben Art wie dem der ersten Glasschicht umfaßt, sowie ein Verfahren ihrer Herstellung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 7.
Eine derartige Halbleitervorrichtung und ein derartiges Verfahren sind aus der DE-OS 25 13 945 bekannt.
Die mit »Glaspassivierung« bezeichnete Oberflächenbehandlung wird seit einiger Zeit bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie Halbleiter-Dioden,-Transistoren,-Thyristoren usw. angewandt. Hierbei wird ein anorganisches Glas auf die Oberfläche einer Halbleitervorrichtung aufgebracht, an welcher in der Vorrichtung angeordnete pfc-Übergänge nach außen freiliegen, worauf das Glas gebrannt wird, um die freiliegenden Abschnitte der pn-Übergänge zu schützen. Bei dieser Glaspassivierung wird das anorganische Glas mit dem zugeordneten Halbleitersubstrat zum Schütze eines freiliegenden Teils eines darin vorgesehenen pn-Übergangs verschweißt, so daß diese Behandlung im Vergleich zu den früheren Oberflächenbehandlungen, bei denen der freiliegende Teil eines pn-Übergangs in der betreffenden Vorrichtung zum Schütze mit einer organischen Masse, etwa Silikongummi bzw. -kautschuk oder -firnis, überzogen wird, eine wesentlich verbesserte stabilisierte Oberflächenbehandlung darstellt. Halbleitervorrichtungen mit Glaspassivieningen kennzeichnen sich dadurch, daß ihre elektrischen Eigenschaften durch Luft nicht beeinflußt werden und kleine Sekularänderungen zeigen. Halbleitervorrichtungen mit dünnen Glaspassivterungsschichten einer Dicke von 5—20μπι haben sich insofern als unvorteilhaft erwiesen, als ihre elektrischen Eigenschaften leicht durch an der Glasschicht anhaftende Schwermetallionen und/oder Luft beeinträchtigt werden. Wenn zudem Halbleiterplättchen mit dünner Glaspassivierungsschicht zu Halbleitervorrichtungen zusammengesetzt werden, indem sie mit metallenen Grundplatten verlötet und dann zusammen mit diesen Platten in einen Ofen mit einer Atmosphäre aus oder mit Wasserstoff eingebracht werden, erweisen sich die hergestellten Vorrichtungen insofern als unvorteilhaft, als der Wasserstoff in kurzer Zeit mit der dünnen Glasschicht
reagiert und dadurch die elektrischen Eigenschaften der Vorrichtungen verschlechtert.
Wenn die Dicke der Glasschichl auf etwa 30—50 μπΛ erhöht wird, um die genannten Nachteile weitgehend zu vermindern oder praktisch auszuschalten, werden die elektrischen Eigenscharten der entstandenen Halbleitervorrichtung bekanntlich kaum durch Schwermetallionen auf der Glasschicht und/oder Luft beeinträchtigt. Wenn dann mit Glasschichten einer Dicke von 30—50 μπι versehene Plättchen in einen Ofen mit einer Wasserstoffatmosphäre eingebracht werden, zeigt das Glas eine langsame Zersetzungsgeschwindigkeit, so daß die elektrischen Eigenschaften der gebildeten Halbleitervorrichtungen weniger stark beeinträchtigt werden, so lange die Aufenthaltszeit der Plättchen im Ofen kurz ist Infolge des natürlichen Unterschieds der Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Glas und dem Halbleitermaterial des Substrats führt allerdings eine Vergrößerung der Dicke der Glasschicht zu starken Spannungen in den an der Grenzfläche befindlichen Abschnitten sowohl der Glasschicht als auch des Substrats, so daß in diesen Bereic'csn Risse auftreten können.
Das aus der DE-OS 25 13 945 bekannte Verfahren dient zum selektiven Aufbringen einer Glasschicht entweder auf bloßliegende Halbleiterbereiche oder auf mit einer Isolierschicht überzogene Bereiche eines Halbleiterbauteils. Dieses bekannte Verfahren soll insbesondere die Herstellung relativ dicker, zuverlässig anhaftender Glasüberzüge auf bestimmten, ausgewählten Bereichen des Halbleiterbauteils ermöglichen. Zu diesem Zweck wird das isolierende Material mit einer bestimmten Polarität geladen, daß geladene Bauteil wird dann in eine Flüssigkeit getaucht, die eine isolierende Trägerflüssigkeit und dispergierte Glaspartikel enthält, die eine Ladung bestimmter Polarität tragen, so daß die Glaspartikel sich selektiv entweder auf den bloßliegenden Halbleiterbereichen oder auf den mit Isoliermaterial überzogenen Bereich niederschlagen, woraufhin dann das glasüberzogene Bauteil aus der Flüssigkeit entfernt, getrocknet und bei einer Temperatur gebrannt wird, die hoch genug ist, um das Glas zu verschmelzen.
Dieses bekannte Verfahren kann auch weiter ausgestaltet werden, derart, daß das Laden und Niederschlägen von Glas wiederholt wird, um eine zweite Schicht aus Glasteilchen auf der ersten Glasschicht aufzubringen. Diese zweite Schicht wird geschmolzen, so daß die zwei Schichten eine Glasverbundschicht bilden.
Eine Vergrößerung der Dicke der gesamten Glasschicht bzw. Glasverbundschicht führt jedoch auch hier aufgrund des Unterschieds der Wärmeausdehnungskoeffizienten zu starken Spannungen in den an der Grenzfläche befindlichen Abschnitten sowohl der r>~. Glasschicht als auch des Halbleiterbauteils, so daß in diesen Bereichen Risse auftreten können.
Aus der FR-PS 1553 590 ist es bekannt, SiC in Verbindung mit Siliziumdioxidschichten als Passivierungsschicht zu verwenden.
Aus der Zeitschrift »Elektrochemical Technology«, Bd. 5, 1967, Nr. 718, Seiten 406 bis 407 ist es bekannt, Äthylenglycol-Monoethyläther als Bindemittel für Metalloxide zu verwenden.
Aus der DE-OS 19 16 555 ist es bekannt. Halbleiterplättchen längs ihrer Rillen zu schneiden. Dies kann beispielsweise durch UIt ".-bohren oder mittels geeigneter Sägeeinrichtungen erfolgen.
Aus der Zeitschrift »Solid State Technology«, Bd. 13, 1970, Nr. 4, Seiten 63 bis 67 ist es bekannt, Halbleiterplättchen mit einem Laserstrahl zu schneiden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, eine verbesserte Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben zu schaffen, deren Oberfläche in stabiler Weise mit einer Glaspassivierungsschieht behandelt ist, in welcher kaum Risse auftreten können.
Ausgehend von der Halbleitervorrichtung der eingangs definierten Art wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die zweite Glasschicht in ihr dispergierte, fein verteilte Teilchen einer anorganischen Substanz mit einem niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem des anorganischen Glases enthält.
Dabei ist gemäß einer weiteren Ausbildung der Erfindung die zweite Glasschicht dicker als die erste Glasschicht Weitere Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung sind in den Ansprüchen 2 und 4 bis 6 gekennzeichnet.
Das Verfahren zur Herstellung d« erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtungen ist erfindungsgemäß dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der zweiten Glasschicht den fein verteilten Teilchen des anorganischen Glases vor ihrem Aufbringen auf die gebrannte GlasschiclH fein verteilte Teilchen einer anorganischen Substanz mit kleinerem Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem des anorganischen Glases zugemischt werden und daß das Gemisch nach seinem Auftragen auf die erste Glasschicht gebrannt wird.
Weitere Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den Ansprüchen 8 bis 12 gekennzeichnet.
Es hat sich gezeigt, daß bei dieser speziell ausgebildeten Oberflächenpassivierungsschicht die Anwendung der Laser-Anreißtechnik zum Schneiden des Haibleiterplättchens nicht zum Auftreten von Rissen in der Glasschicht führt
Im folgenden sind Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
Fig. 1 bis 4Teilschnittansichten eines Haibleiterplättchens im Verlauf der aufeinanderfolgenden Fertigungsschritte eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens und
Fig.5 eine Schnittansicht eines Piättchens eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung in Form einer Halbleiterdiode.
Obgleich die Erfindung gleichermaßen auf eine Vielfalt verschiedener Halbleitervorrichtungen, wie Dioden, Transistoren, Thyristoren usw. anwendbar ist, ist sie im folgendem lediglich zur Verdeutlichung in Verbindung mit Halbleiter-Dioden beschrieben.
Bei einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens wird zunächst Bor, nämlich ein p-Typ-Fremdatom, in die eine Hauptfläche, im vorliegenden Fall in die obere Hauptfläche eines n-Typ-Siliziumplättchens 10 eindiffundiert, um eine p-Typ-Halbieiterschicht 12 zu bilden, wobei zwischen dieser Schicht 12 und dem Plättchen 10 ein pn-übergang bzw. eine pn'Sperrschicht 14 entsteht. Sodann werden unter Anwendung von Photolithographie- und Ätzverfahren mehrere Rillen 16 in einem vorbestimmten Muster derart in die Oberfläche der p-Halbleiterschicht 12 ausgebildet, daß diese Rillen 16 durch den pn-Übergang 14 hindurch die !.Schicht bzw. das Plättchen 10 erreichen. Die Rillen 16 unterteilen das Plättchen 10 in eine Anzahl von Halbleiter-Dioden.
Das so hergestellte Gebilde ist in F i g. 1 dargestellt.
gemäß welcher der pn-Übergang 14 mit seinen Enden in den Rillen 16 nach außen freiliegt.
Anschließend wird pulverförmiges anorganisches Glas auf die Rillen 16 aufgetragen und zu einer ersten Glasschicht 18 mit geringer Dicke gebrannt. Die Dicke der ersten Glasschicht 18 liegt vorzugsweise bei 3—10 um.
Sodann werden feinverteilte Teilchen einer anorganischen Substanz, beim vorliegenden Ausführungsbeispiel Silizium, in entsprechend geeigneten Mengenanteilen innig miteinander vermischt. Der Mengenanteil an Silizium liegt dabei vorzugsweise im Bereich von 3—6 Teile auf je 10 Gewichtsteile des anorganischen Glases. Sodann wird das auf diese Weise hergestellte Gemisch zur Zubereitung einer Glasaufschlämmung mit geeigneter Viskosität mit einer passenden Menge eines Bindemittels vermischt. Ein bevorzugtes Beispiel für das Bindemittel ist Diäthylenglycol-monobutylälher und Äthyiceiiuiose. L)ie Üiasautschiämmung wird sodann auf die erste Glasschicht 18 aufgebracht und zu einer zweiten Glasschicht 20 gebrannt, die gemäß F i g. 3 eine größere Dicke besitzt als die erste Glasschicht 18.
Insbesondere liegt die Dicke der zweiten Glasschicht 20 vorzugsweise im Bereich von 30—50 μιη.
Neben Silizium sind bevorzugte Beispiele für die anorganische Substanz Siliziumcarbid und Kohlenstoff. Es ist zu beachten, daß die anorganische Substanz einen kleineren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzen muß als das mit ihr zu vermischende anorganische Glas.
Der Diäthylenglycol-Monobutyläther und die Äthylcellulose, die in der Glasaufschlämmung enthalten sind, werden beim Brennen der Glasaufschlämmung verdampft. Wahlweise können sie in einer Einbrennatmosphäre mit Sauerstoff umgesetzt werden. Diese Stoffe sind daher in der zweiten Glasschicht 20 nicht mehr enthalten. Infolgedessen wird die so hergestellte zweite Glasschicht 20 durch diese Bindemittelstoffe auch nicht beeinträchtigt oder verschlechtert.
Anschließend wird eine einzige bzw. einstückige Metallelektrode aus mit einer Goldfolie belegtem Nickelblech in ohmschem Kontakt mit der Gesamtober-
chens 10 angeordnet, während eine andere, ahnliche Metallelektrode in ohmschen Kontakt mit den durch die Rillen 16 unterteilten einzelnen Oberflächenabschniiten der p-Halbleiterschicht 14 gebracht wird.
Das so hergestellte Gebilde ist in F i g. 4 veranschaulicht, in welcher die Elektroden mit 22 bezeichnet sind.
Das Gebilde gemäß Fig.4 wird sodann längs der gestrichelten Linien A-A 'und ß-fi'unter Halbierung der betreffenden Rillen mit Hilfe einer geeigneten Vorrichtung geschnitten, so daß eine Vielzahl von Halbleiterdioden der in F i g. 5 bei 24 angedeuteten Art erhalten wird.
Zusammenfassend wird mit der Erfindung also eine Giaspassivierungsschicht hergestellt die aus einer ersten Glasschicht der üblichen Art und einer zweiten, darüberliegenden Glasschicht mit z. B. Siliziumteilchen mit einer Teilchengröße entsprechend 500 Maschen pro 25,4 mm besteht wobei diese Teilchen ir; der zweiten Glasschicht dispergiert sind. Da die erste Glasschicht eine Dicke von nur etwa 3—10 μιη besitzt wird eine Rißbildung in dieser Glasschicht aufgrund des Unterschieds des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem anorganischen Glas der ersten Glasschicht 16 und dem Halbleitermaterial des Plättchens 10 vermieden, obgleich dieser Unterschied ziemlich groß ist Diese Erscheinung ist an sich bekannt.
Da die zweite Glasschicht 20 Sifiziumteilchcn enthält, kann sie in Abhängigkeit von der ihr zugemischten Siliziummenge einen vom Wärmeausdehnungskoeffizienten der ersten Glasschicht abweichenden Wärme- > ausdehnungskoeffizienten besitzen, die beide dicht beieinander liegen können.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen also insbesondere darin, daß eine Rißbildung in der ersten und der zweiten Glasschicht sehr unwahrscheinlieh ist, obgleich die Dicke der zweiten Glasschicht 20 auf eine Größe von 30—50 μιη vergrößert ist.
Es hat sich gezeigt, daß die sogenannte Lascr-Anrcißtcchnik zum Zerschneiden des Plättchens in eine Vielzahl von Halbleiterdioden 24 angewandt werden
π kann, ohne daß in den Glasschichten 18 und 20 Risse auftreten.
Wenn dagegen die Rillen 16 der bisher üblichen Glaspassivierung unterworfen werden und die Anordnung gemäß K i g. 1 sodann nach der Laser-Anreiütechnik in eine Anzahl von Halbleiterdioden unterteilt wird, treten in den Glasschichten unregelmäßige Risse auf. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die in jeder Rille 16 angeordnete Glasschicht mit verhältnismäßig großer Dicke aus einem anorganischen Glas derselben Art wie
2·> bei der ersten Glassrhicht 18 hergestellt ist. Genauer gesagt·. Wenn zur Durchführung der genannten Lasertechnik ein Laserstrahl in die Mulde einer der Glasschichten in den Rillen 16 gerichtet wird, wird der Laserstrahl durch diese Glasschicht hindurch übertra-
Mi gen, wobei seine Energie zu dem mit der Glasschicht belegten Abschnitt des Plättchens 10 geleitet und im Plättchen in Wärme umgewandelt wird. Durch diese Wärme wird an lokalisierter Stelle das Silizium in dem Teil des Plättchens verdampft, auf den der Laserstrahl fällt, so daß an dieser Stelle eine Reißlinie gezogen wird. Die Reißlinien werden dabei in den unmittelbar unter den Sohlen aller Glasschichten gelegenen Bereichen des Plättchens gezogen. Da die lokalisierte Verdampfung im genannten Bereich des Plättchens und nahe der Sohle jeder mit der Glasschicht belegten Rille auftritt, entsteht unter der betreffenden Glasschicht explosionsartig ein
r — , .
Laserstrahl herrührende Hitze wird der Abschnitt jeder Glasschicht, durch den der Laserstrahl hindurchfälh.
aufgebrochen.
Aus den vorstehenden Ausführungen geht hervor, daß dann, wenn ein mit einer üblichen dicken Glasschicht geschütztes Halbleiterplättchen nach dem Laser-Anreißverfahren unter Verwendung eines Laser-Strahls geschnitten wird, in jeder Glasschicht längs der Reißlinie unregelmäßig geformte Risse auftreten.
Bei der erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtung trifft dagegen der auf die zweite Glasschicht 20 an der Sohle 26 der Rille 16 gerichtete Laserstrahl auf die in der zweiten Glasschicht 20 dispergierten Siliziumteilchen, so daß dieser Strahl bereits hier zumindest teilweise in Wärme umgewandelt wird. Diese Wärme wird auf die die Siliziumteilchen umgebenden Bereiche der Glasschicht abgeleitet, so daß deren Temperatur ansteigt und das Glas in einem teilweise geschmolzenen Zustand übergeht Der nicht auf die Siliziumteilchen in der zweiten Glasschicht 20 auftreffende Teil des Laserstrahls fällt dagegen auf das Siliziumplättchen 10, wo seine Energie in Wärme umgewandelt wird.
Infolgedessen steigt in den vom Laserstrahl beaufschlagten Bereichen des Siliziumplättchens 10 die Temperatur lokal an, so daß das Silizium in diesen Bereichen mit einem explosionsartigen Anstieg des
Dampfdrucks verdampft.
Der über dem verdampften Silizium befindliche Teil der zweiten Glasschicht ist jedoch lokal angeschmolzen, so daß das verdampfte Silizium durch die angeschmolzenen Abschnitte der zweiten Glasschicht hindurch ■> nach außen entweichen kann. Anschließend nimmt die Temperatur der zweiten Glasschicht ab, bis diese wieder völlig erstarrt ist. Auf diese Weise wird die Entstehung von Rissen in der zweiten Glasschicht während der Ausbildung der Anreißlinie auf der einen Hauptfläche des Halbleiterplättchens vermieden.
Nachdem die genannten Anreißlinien über die gesamte Oberfläche des Plättchens 10 hinweg gezogen worden sind, kann letzteres längs dieser Linien mit den beiden Glasschichten 18 und 20 geschnitten werden.
Die Erfindung bietet daher den speziellen Vorteil, daß die Anwendung der Laser-Anreißtechnik zum Schneiden des Halbleiterplättchens nicht zum Auftreten von Rissen in der Glasschicht führt.
Da außerdem die erste Glasschicht, welche der bisher üblichen Glasschicht ähnelt, jedoch eine vergleichsweise geringe Dicke besitzt, zwischen dem Halbleiterplättchen 10 und der zweiten Glasschicht 20 angeordnet ist, werden die in der zweiten Glasschicht 20 dispergierten Siliziumteilchen an einer direkten Berührung mit den freiliegenden Enden des pn-Übergangs 14 gehinderi. Die Erfindung gewährleistet somit den weiteren Vorteil, daß die elektrischen Eigenschaften der hergestellten Dioden nicht beeinträchtigt werden. Wenn die zweite Glasschicht 20 unmittelbar auf jeder Rille 16 angeordnet Jo weHen würde, könnten die Siliziumteilchen in unmittelbare Berührung mit den Enden des in der betreffenden Rille 16 freiliegenden pn-Übergangs 14 gelangen, so daß ein Strom durch die diesen Übergang kontaktierenden Siliziumteilchen fließen könnte, weil Silizium kein elektrisch isolierendes Material darstellt. Dieser Stromfluß könnte zu einer Verschlechterung bzw. Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften der hergestellten Halbleiter-Dioden führen.
Wie erwähnt, sind Siliziumcarbid und Kohlenstoff die weiteren bevorzugten Vertreter für die in der zweiten Glasschicht enthaltene anorganische Substanz. Es ist darauf hinzuweisen, daß im allgemeinen jede beliebige anorganische, feste Substanz in der zweiten Glasschicht dispergiert sein kann, solange sie folgenden Anforderungen genügt:
Durch Zugabe dieser Substanz zur zweiten Glasschicht muß der Wärmeausdehnungskoeffizient der hergestellten zweiten Glasschicht so weit verringert werden, daß er sich demjenigen des Halbleiterplättchens annähert, wobei diese Substanz außerdem bei erhöhter Temperatur von mehr als 7000C stabil sein muß. Selbst wenn diese Substanz in kleiner Menge unter Lösung in der Glasschicht thermisch zersetzt wird dürfen die elektrischen Eigenschaften der hergestellten Halbleitervorrichtungen hierdurch nicht verschlechtert werden.
Zusammenfassend wird mit der Erfindung also der Vorteil erzielt, daß beim Schneiden eines Halbleiterplättchens zu einer Vieizahl von Halbleitervorrichtungen keine Risse in den beiden Glasschichten auftreten, und die elektrischen Eigenschaften der Halbleitervorrichtung hierdurch nicht beeinträchtigt werden.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (9)

  1. Patentansprüche;
    \, Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang, dessen mindestens eines Ende an der Oberfläche der Halbleitervorrichtung freiliegt und der mit einer s Oberflächenpassivierungsschicht bedeckt ist, die eine erste Glasschicht aus einem anorganischen Glas und eine auf dieser angeordnete zweite Glasschicht aus einem anorganischen Glas derselben Art wie dem der ersten Glasschicht umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Glasschicht (20) in ihr dispergierte, feinverteilte Teilchen einer anorganischen Substanz mit einem niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem des anorganischen Glases enthält is
  2. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die anorganische Substanz aus Silizium, Siliziumcarbid und/oder Kohlenstoff besteht.
  3. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Giasschicht (20) dicker ist als die erste Giasschicht (18).
  4. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Giasschicht (18) eine Dicke von 3—10 μΐπ und die zweite Giasschicht (20) eine Dicke von 30—50 μηι besitzt.
  5. 5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Glasschicht das anorganische Glas und die Teilchen der anorganischen Substanz in einem Mengenverhältnis von 10:3 bis 10:6 enthält
  6. 6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß' die Teilchen des anorganischen Glases und der anorganischen Substanz eine Teilchengröße entsprechend 500 Maschen pro 2^,4 mm besitzen.
  7. 7. Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtursgen nach Anspruch I mit jeweils mindestens einem pn-übergang, dessen mindestens eines Ende an der Oberfläche der Halbleitervorrichtung freiliegt und mit einer Oberflächenpassivierungsschicht bedeckt ist, bei dem ein pulverförmiges anorganisches Glas auf das freiliegende Ende des pn-Übergangs aufgetragen und zur Bildung einer ersten Glasschicht gebrannt wird und bei dem feinverteilte Teilchen anorganischen Glases derselben Art wie « beim Glas der ersten Giasschicht auf die erste Glasschicht aufgebracht und zur Bildung einer an der ersten Glasschicht haftenden zweiten Glasschicht gebrannt werden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der zweiten Glasschicht den so feinverteilten Teilchen des anorganischen Glases vor ihrem Aufbringen auf die gebrannte erste Glasschicht feinverteilte Teilchen einer anorganischen Substanz mit kleinerem Wärmeausdehnungskoeffizienten als dem des anorganischen Glases zugemischt werden und daß das Gemisch nach seinem Auftragen auf die erste Glasschicht gebrannt wird.
  8. 8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß Teilchen des anorganischen Glases und der anorganischen Substanz mit einer Teilchengröße entsprechend 500 Maschen pro 25,4 mm verwendet werden.
  9. 9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Gemisch der Teilchen aus anorganischem Glas und anorganischer Substanz als Bindemittel Diäthylenglycol-monobutyläther und Äthylcellulose enthält.
    10, Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Halblejterplättchen parallel zu seiner einen Hauptfläche ein durchgehender pn-übergang ausgebildet wird, daß in der Hauptfläche Rillen ausgebildet werden, welche den pn-übergang in eine Anzahl getrennter pn-Übergangsabschnitte unterteilen, deren Enden in den Rillen nach außen ireiliegen, und daß nacheinander die erste Glasschicht und die zweite Glasschicht in den Rillen ausgebildet werden.
    11, Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterplättchen längs der Rillen geschnitten wird.
    12, Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Schneiden des Halbleiterplättchens mittels eines Laserstrahls durchgeführt wird.
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