DE3001463A1

DE3001463A1 - Halbleiterbauelement

Info

Publication number: DE3001463A1
Application number: DE19803001463
Authority: DE
Inventors: Tatsumi Arakawa; Hidehiko Fuji Shizuoka Kobayashi; Fumio Matushita; Kaoru Takasuka
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd; Asahi Kasei Kogyo KK
Current assignee: Asahi Kasei Corp; Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1980-01-17
Filing date: 1980-01-17
Publication date: 1981-07-23
Also published as: DE3001463C2; GB2067834A; GB2067834B

Description

Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, in dem amorphes Siliciumhydrid verwendet wird, insbesondere ein neues Halbleiterbauelement auf Basis von amorphem Siliciumhydrid mit einer halbleitenden Oxidschicht zwischen der amorphen Siliciumhydridschicht und einer Metall schicht.
Der Ausdruck "amorphes Siliciumhydrid" wird hier zur 13czeichnung von amorphem Silicium gebraucht, das durch eine Glimmentladung in Silan oder durch Kathodenzersttiubung, Aufdampfen oder Ionenplattierung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre erhalten wird. Vor kurzem wurde festgestellt, daß amorphes Siliciumhydrid eine Trägerlebensdauer von 10 7 Sek. oder mehr und eine durcl1-schnittliche Dichte von lokalisierten Zuständen in der 17 3 Energielücke in der Größenordnung von 10 /cm oder weniger hat. Bei amorphem Siliciumhydrid beträgt die Driftbeweglichkeit für Elektronen und Defekt elektronen oder Löcher 103 cm2/V.Sek. oder mehr. Es wurde ferner qefunden, daß es bei amorphem Siliciumhydrid möglich ist, eine elektronische Regelung, nämlich eine p-n-Regelung, vorzunehmen. Mit wirksamer Anwendung von amorphem Siliciumhydrid für Halbleiterelemente ist somit zu rechnen. In diesem Zusammenhang ist insbesondere zu bemerken, daß ein amorphes Siliciumhydrid nach einem bei verhältnismäßig niedriger Temperatur durchgeführten Verfahren hergestellt werden kann und bei einer Dicke bis hinab zu einigen pm oder weniger seine Funktionen auszuüben vermag, wodurch eine bemerkenswerte Kostensenkung erzielt wird. erzieltDemgemäß werden umfangreiche Forschungsarbeiten zur Entwicklung von Solarzellen mit hohem Wirkungsgrad durchgeführt, in denen amorphes Siliciumhydrid enthaltende Halbleiterbauelemente verwendet werden, so daß der Wirkungsgrad der Umwandlung der Sonnenstrahlung inelektrische Energie verbessert werden kann.
Auf dem Gebiet der Solarzellen unter Verwendung von amorphem Siliciumhydrid wurde bereits eine photoelektrische Vorrichtung vorgeschlagen, in der eine Schottky'sche Sperrschicht (Schottky barrier), die an der Grenz-fläche zwischen dem amorphen Siliciumhydrid und einem Metall mit hoher Austrittsarbeit, z.B. Platin od.dgl., gebildet wird, verwendet wird. Der Energieumwandlungswirkungsgrad der Solarzelle der vorstehend genannten Art ist jedoch niedrig und beträgt nur etwa 5,5%, gemessen unter Sonnenlichteinstrahlung. Dieser Wirkungsgrad ist unbefriedigend.
Die Leerlaufspannung der vorstehend genannten Solarzelle, eines der Kriterien zur Bestimmung des Energieumwandlungswirkungsgrades, beträgt nur etwa 0,8 V. Ferner findet als Folge des Kontakts des amorphen Siliciumhydrids mit dem Metall Diffusion des Metalls in die amorphe Siliciumhydridschicht statt. Hieraus ergibt sich der Nachteil, daß die Solarzelle dieser Art schlechte Lagerbeständigkeit hat.
Andererseits wurde mit dem Ziel, die Leerlaufspannung zu erhöhen, eine photoelektrische Vorrichtung mit MIS-Struktur (Metal Insulator Semiconductor) vorgeschlagen. Das vorgeschlagene Bauelement weist eine sehr dünne Isolierschicht zwischen dem Halbleiter und einer bestimmten Metallart auf. Die Isolierschicht besteht typischerweise aus Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid und hat eine geringe Dicke (1,0 bis-3,0-nm), so daß Ladungsträger die Schicht zu durchdringen oder zu durchtunneln vermögen.
Das photoelektrische Bauelement mit einem solchen Aufbau erzeugt eine höhere Leerlaufspannung als das übliche photoelektrische Bauelement mit Schottky'scher Sperr- schicht. Aber auch mit einer solchen vorgeschlagenen Vorrichtung wird keine Änderung oder Verbesserung hinsichtlich des Sammlungswirkungsgrades als Funktion der Wellenlängen erreicht.
Von der Anmelderin wurden umfangreiche und intensive Forschungsarbeiten mit dem Ziel durchgeführt, die Probleme, die die üblichen, amorphes Silicium enthaltenden halbleiterbauelemente aufwerfen, zu lösen. Als Ergebnis wurde gefunden, daß ein neuartiges Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur mit dem Aufbau amorphe Siliciumhydridschicht - Halbleiteroxidschicht - Metall einen ausgezeichneten Sammlungswirkungsgrad für Licht, insbesondere im Bereich kurzer Wellenlängen (der Seite höherer Encrgie), wie Fig. 3 zeigt, auf die später eingegangen wird, und demgemäß einen hohen Energieumwandlungswirkungsgrad im Vergleich zu dem üblichen Halbleiterbauelement mit Schottky'scher Sperrschicht und dem Halbleiterbauelement mit MIS-Aufbau aufweist. Ferner wurde gefunden, daß das neue Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung auscJezeichnete Lagerbeständigkeit für lange Zeiträume aufweist, weil in diesem Bauelement die amorphe Siliciumhydridschicht nicht in direktem Kontakt mit dem Metall ist und damit die Diffusion des Metalls in die amorphe Siliciumhydridschicht verhindert wird.
Der Grund für die Verbesserung des Sammlungswirkungsgrades wird darin gesehen, daß durch die Verbindung des Oxidhalbleiters, der eine große Bandbreite (band gap) aufweist, mit dem amorphen Siliciumhydrid mit schmalerer Bandbreite als derjenigen des Oxidhalbleiters der SOtJC-nannte Fenstereffekt auftritt, wodurch der SammluncXswirkungsgrad im Bereich kurzer Wellenlängen gesteigert wird.
Die Erfindung stellt sich demgemäß die Aufgabe, ein tiali)-leiterbauelement, das ausgezeichneten Energieumwandluncjs- wirkungsgrad sowie Sammlungswirkungsgrad, ausgezeichnete Lagerbeständigkeit über lange Zeiträume sowie einen einfachen Aufbau aufweist und mit annehmbaren Kosten herstellbar ist, verfügbar zu machen.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Abbildungen erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung.
Fig. 2 ist ein Querschnitt durch eine photoelektrische Vorrichtung, in der das in Fig. 1 dargestellte Halbleiterbauelement verwendet wird.
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen dem Sammlungswirkungsgrad der in Fig. 2 dargestellten photoelektrischen Vorrichtung und der Wellenlänge im Vergleich zu derjenigen der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky'scher Sperrschicht veranschaulicht.
Fig. 4 ist eine graphische Darstellung, die die Spannung-Strom-Charakteristik der in Fig. 2 dargestellten photoelektrischen Vorrichtung im Vergleich zu derjenigen der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky'scher Sperrschicht zeigt.
Das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung umfaßt ein elektrisch leitfähiges Substrat, eine 0,1 bis 5 iim dicke Schicht aus amorphem Siliciumhydrid auf dem Substrat, eine Halbleiter-Oxidschicht einer Dicke von 1 bis 100 nm auf einer dem Substrat gegenüberliegenden Seite der amorphen Siliciumhydridschicht und eine 5 bis 20 nm dicke Metallschicht auf einer der amorphen Siliciumhydridschicht gegenüberliegenden Oberfläche der Halbleiteroxidschicht.
Fig. 1 zeigt eine Querschnittsansicht eines i1albleiterbauelements gemäß der Erfindung. Auf einer Unterlage 11 ist durch Vermittlung einer Ohm'schen Kontaktschicht 12 eine Schicht 13 aus amorphem Siliciumhydrid aufgebracht, die durch Glimmentladung in Silan oder Kathodenzerstäubung, Aufdampfen oder Ionenplattierung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet worden ist. Auf die Schicht 13 aus amorphem Siliciumhydrid ist eine llall)l(iteroxidschicht 14 aufgebracht. Ueber die f!alblei Lerox (1-schicht 14 ist eine Metallschicht 15 gelegt. Durch eine solche Anordnung wird ein Halbleiterbauelement erhalten, mit dem ein stabiler hoher Energieumwandlungswirkunqsgrad unter Sonnenlichteinstrahlung erzielt wird, wenn es für photoelektrische Zwecke verwendet wird.
Die Unterlage 11 kann aus einem beliebigen Werkstoff bestehen, der elektrisch leitfähig und in der La(je ist, Ohm'schen Kontakt mit dem amorphen Siliciumhydrid zu bilden. Als repräsentative Beispiele solcher Werkstoffe sind Metalle wie nichtrostender Stahl, Aluminium, Antimon u.dgl. sowie Ion203 und/oder SnO2 auf Glas, wobei das Ion203 und/oder SnO2 das leitfähige Material ist, zu nennen. Die Schicht aus amorphem Siliciumhydrid kann vollständig aus amorphem Siliciumhydrid bestehen, das durch eine Glimmentladung in im wesentlichen reinem Silan od.dgl. gebildet worden ist. Um jedoch einen besscrerl Ohm'schen Kontakt mit der Unterlage 11 herzustellen, wird die erste Schicht 12 auf der amorphen Siliciumhydridschicht auf der Seite der Unterlage vorzugsweise dotiert.
Um die dotierte Schicht 12 in einfacher Weise zu bilden, kann eine Methode angewandt werden, bei der eine Glinunentladung in Silan mit Phosphin (PH3) als Dotierungsmittel tO,1 bis 10 Atom-%, bezogen auf Silan) durchgeführt wird, um amorphes Siliciumhydrid vom n-Tyn in einer Dicke von etwa 10 bis 50 nm abzuscheiden. Bei der Durchführung der Dotierung kann die Konzentration von Phosphin relativ zu Silan konstant gehalten werden, so daß die Konzentration des Dotierungsmittels in der gesamten ersten Schicht 12 gleichmäßig ist. Als Alternative kann die Konzentration des -dotierenden Fremdstoffs in der ersten Schicht 12 so abgestuft werden, daß die Konzentration des dotierenden Fremdstoffs an der Grenzfläche zwischen der Unterlage 11 und der ersten Schicht oder Ohm'schen Kontaktschicht 12 maximal ist und an der Grenzfläche zwischen der Ohm'schen Kontaktschicht 12 und der zweiten Schicht 13 bis zu einer unbedeutenden Konzentration abgenommen hat. Außer Phosphin können als dotierende Gase beispielsweise Ammoniak (NH3), Arsin (AsH3) und Diboran (B2H6) verwendet werden. Die zweite Schicht 13 aus amorphem Siliciumhydrid wird durch eine Glimmentladung in im wesentlichen reinem Silan oder durch Kathodenzerstäubung, Aufdampfen oder Ionenplattierung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet werden und ist daher intrinsic. Die Dicke der amorphen Siliciumhydridschicht, die aus der ersten Schicht oder Ohm'schen Kontaktschicht 12 und der zweiten Schicht oder Intrinsic-Schicht 13 besteht, beträgt 0,1 bis 5 #nu, vorzugsweise etwa 0,5 bis 2 pm.
Zur Bildung des amorphen Siliciumhydrids durch eine Glimmentladung in Silan wird die Unterlage 11 in einer auf einen Druck von 1,33 x 10 3 mbar oder weniger evakuierten Vakuumkammer auf 1000 bis 4000C erhitzt. In die Kammer wird ein Silangas bis zu einem Druck von 0,133 bis 4 mbar eingeführt. Unter dem Ausdruck "Silangas" ist 100%ges SiH4, mit Ar verdünntes SiH4 oder ein Gemisch von SiF4 und H2 zu verstehen. Zur Bildung der Schicht 13 wird das Silangas allein eingeführt. Zur Bildung der Schicht 12 wird ein Dotierungsgas, z.B. Phosphin, gleichzeitig mit dem Silangas eingeführt. Bei Auslösung einer Glimmentladung wird amorphes Siliciumhydrid auf der Unterlage 11 abgeschieden. Die Art der Erzeugung einer Glimmentladung kann auf Induktanz oder Kapazitanz beruhen.
Ferner kann im Falle der Kapazitanz entweder eine Gleich- stromentladung oder eine Wechselstromentladung verwendet werden. Die Geschwindigkeit der Bildung des amorphen Siliciumhydrids hängt weitgehend vom Grad des Vakuums, von der Temperatur der Entladung und vom Entladungsstrom ab, liegt jedoch im allgemeinen im Bereich von 0,01 lris 10 nm/Sek. In diesem Zusammenhang ist zu bemerken, d durch Drehen der Unterlage eine gleichmäßige Schicht von amorphem Siliciumhydrid gebildet wird.
Andererseits wird zur Bildung des amorphen Siliciumhydrids durch Kathodenzerstäubung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre die Unterlage 11 in einer auf einen Druck von 1,33x10 3 mbar oder weniger evakuierten Vakuumkammer auf 1000 bis 4000C erhitzt. In die Vakuumka#rner wird W;aiserstoffgas bis zu einem Druck von 1,33x10 bis 3 eingeführt. Zur Bildung der Schicht 13 wird Wasserstoffgas allein eingeführt, während zur Bildung der Schicht: 12 ein dotierendes Gas, z.B. ein Phosphin, gleichzeitiq mit de Wasserstoffgas eingeführt wird. Anschließend wird eine Kathodenzerstäubung unter Verwendung von Silicium als Auffangfläche ausgelöst, wodurch amorphes Siliciumhydrid auf der Unterlage 11 abgeschieden wird. Wie vorstehend beschrieben, kann das amorphe Siliciumhydrid auch durch Aufdampfen oder Ionenplattierung von Silicium in einer Wasserstoffatmosphäre gebildet werden.
Auf einer der Unterlage 11 gegenüberliegenden Oberfläche der amorphen Siliciumhydridschicht wird eine halbleitellde Oxidschicht 14-gebildet. Zur Bildung der halbleitenden Oxidschicht 14 können Materialien verwendet werden, die in der Technik als halbleitende Oxide bekannt sind eispiele solcher Materialien sind TiO2, ZnO, SnO2, 1n203, BaO, SiO, Cu20, NiO und FeO. Hiervon werden TiO2 und ZnO besonders bevorzugt. Die halbleitende Oxidschicht 14 kann durch die bekannten Verfahren des Aufdampfens, der Kathodenzerstäubung od.dgl. gebildet werden. Die halbleitende Oxidschicht hat eine Dicke von 1 bis 100 nm, vorzugsweise von 5 bis 50 nm. Die vorstehend genannten Oxide können allein zur Bildung einer Einzelschicht oder in Kombination zur Bildung einer Mehrfachschicht verwendet werden. Ferner ist zu bemerken, daß zur Bildung der leitfähigen Oxidschicht das Oxid in reduzierender Atmosphäre, beispielsweise in einer Wasserstoffatmosphäre, abgeschieden werden kann.
Anschließend wird auf der der amorphen Siliciumhydridschicht gegenüberliegende Seite der leitenden Oxidschicht 14 eine Metallschicht 15 gebildet. Für die Bildung der Metallschicht 15 eignen sich Metalle mit hoher Austrittsarbeit. Beispiele solcher Metalle sind Pt, Pd, Au, Ni, Cr, Ir und Rh. Die Metallschicht kann nach den bekannten Verfahren des Aufdampfens, der Kathodenzerstäubung od.dgl.
in einer Dicke von 5 bis 20 nm so abgeschieden werden, daß sie für Sonnenstrahlung wenigstens halbdurchlässig ist.
Wenn das in dieser Weise aufgebaute Halbleiterbauelement als photoelektrisches Element oder Bauelement verwendet wird, ist es möglich, billige Solarzellen herzustellen, die ausgezeichneten Energieumwandlungswirkungsgrad sowie ausgezeichnete Lagerbeständigkeit aufweisen.
Fig. 2 zeigt eine Querschnittsansicht einer photoelektrischen Vorrichtung, in der ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung verwendet wird. Diese Vorrichtung weist eine elektrisch leitfähige Unterlage 21 auf, die aus einem Blech aus nichtrostendem Stahl (SUS 304) besteht, das zu spiegelglanz geschliffen und poliert ist. Die Unterlage 21 kann auch aus einem Metall mit niedriger Austrittsarbeit, z.B. Aluminium, bestehen, wie im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben. Die elektrisch leitfähige Unterlage 21 wird in einer Vakuumkammer auf 3500C erhitzt, und ein Gemisch von Silan und Phosphin als Dotierungsgas (Atomverhältnis 100:1) wirdgin die Vakuumkammer bis zu einem Druck von etwa 0,67 mbar eingeführt. Nach Auslösung einer Glimmentladung wird dotiertes amorphes Siliciumhydrid 22 auf der Unterlage 21 abgeschieden. Nach der Abscheidung des dotierten amorphen Siliciumhydrids als erste Schicht: 22 in einer Dicke von etwa 20 nm wird die Temperatur der Unterlage 21 auf 3000C gesenkt und ein Silangas allein in die Vakuumkammer eingeführt. Eine Glimmentladung wird erneut gezündet, um eine Abscheidung aus nicht-dotierten amorphem Siliciumhydrid als zweite Schicht 23 in einer Dicke von etwa 2 Mm zu bilden. In dieser Weise wird die sogenannte amorphe Siliciumhydridschicht 201 mit Ohm'scilem Kontakt mit der Unterlage 21 gebildet. Die Unterlage 21 mit der darauf gebildeten amorphen Siliciumhydridschicht 201 wird in eine gewöhnliche Aufdampfvorrichtung gelegt (statt dessen kann auch eine Kathodenzerstäubungsvorrici#-tung verwendet werden) und mit einem halbleitenden Oxid, z.B. TiO2, bedampft, wobei eine halbleitende Oxiscic 24 einer Dicke von etwa 10 nm auf der Oberfläche der zweiten Schicht 23 gebildet wird. In diesem Fall kann die amorphe Siliciumhydridschicht 201 erhitzt werden und/oder das Aufdampfen der halbleitenden Oxidschicht 24 in reduzierender Atmosphäre, z.B. einer Wasserstoff- oder Silanatmosphäre, vorgenommen werden. Bei dieser Ausführunc3sform wird das halbleitende Oxid abgeschieden, während die Schicht 201 auf 1200C erhitzt wird. Auf die Oberfläche der halbleitenden Oxidschicht 24 wird Platin unter Bildung einer Metallschicht 25 einer Dicke von etwa 5 nm abgeschieden. Anstelle von Platin kann auch ein Metall mit hoher Austrittsarbeit, z.B. Gold oder Palladium, verwendet werden. Auf einen Teil der Oberfläche der Metallschicht 25 wird eine Elektrode 26, die beispielsweise Kammform aufweist, aufgebracht. Auf der Elektrode 26 uß auf der nicht von der Elektrode 26 bedeckten Oberfläche der Metallschicht 25 wird eine Antireflexschicht 27 gebildet. Bezüglich der Bildung der Antireflexschicht 27 wird beispielsweise auf die japanische Auslegeschrift 37718/1978 verwiesen. In der beschriebenen Weise wird eine phot:oelektrische-#Vorrichtun4#erhalten, in der das amorphes Siliciumhydrid enthaltende Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung verwendet wird.
In Fig. 3 ist die Beziehung zwischen dem Auffangwirkungsgrad der in der beschriebenen Weise hergestellten photoelektrischen Vorrichtung und der Wellenlänge im Vergleich zu dem Wirkungsgrad einer üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky'scher Sperrschicht dargestellt. Die Kurve 32 stellt die photoelektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung dar, während die Kurve 31 den Wirkungsgrad einer Vorrichtung darstellt, die in der gleichen Weise wie die photoelektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung ausgebildet, jedoch nicht mit einer halbleitenden Oxidschicht versehen, d.h. eine typische photoelektrische Vorrichtung mit Schottky'scher Sperrschicht ist. Wie Fig. 3 zeigt, hat das photoelektrische Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung einen ausgezeichneten Auffangwirkungsgrad für Licht, insbesondere im Bereich kurzer Wellenlängen (auf der Seite höherer Energie), wie die Kurve 32 zeigt, und demgemäß einen hohen Energieumwandlungswirkungsgrad im Vergleich zur Kurve 31. Der Auffangwirkungsgrad wird aus dem Verhältnis der aus dem Wert des durch Licht erzeugten Stroms #ber#echneten Trägerdichte zur Menge der Sonneneinstrahlung erhalten, die hinsichtlich des Wellenlängenbereichs mit Hilfe eines Filters begrenzt ist. Es wird angenommen, daß der Grund für die Steigerung des Auffangwirkungsgrades im sogenannten Fenstereffekt der halbleitenden Oxidschicht des Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung liegt, und daß bei einem Halbleiterbauelement vom MIS-Typ eine solche Steigerung des Auffangwirkungsgrades nicht zu erwarten ist. Nur durch Einfügen der halbleitenden Oxidschicht in das Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung ist ein Anstieg des Auffangwirkungsgrades und demzufolge eine Steigerung des Umwandlungswirkungsgrades erzielbar. Ferner wird durch die Einfügung der halbleitenden Oxidschicht zwischen der amorphen Silicium- hydridschicht und der Metallschicht auch die Stabilitätm des Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung erhöht.
Fig. 4 zeigt die Spannung-Strom-Charakteristik der photoelektrischen Vorrichtung gemäß der Erfindung im Vergleich zu derjenigen der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky'scher Sperrschicht. Die Kurve 42 stellt die Charakteristik der photoelektrischen Vorrichtung gemäß der Erfindung dar, während die Kurve 41 die Charakteristik einer Vorrichtung ist, die in der gleichen Weise wie die photoelektrische Vorrichtung gemäß der Erfindung, jedoch ohne die halbleitende Oxidschicht ausgebildet, d.h. eine typische photoelektrische Vorrichtung mit Schottky'sciier Sperrschicht ist. Wie Fig. 4 zeigt, weist das erfindunc#sgemäße photoelektrische Halbleiterbauelement einen atiscjL'-zeichneten Energieumwandlungswirkungsgrad im Vergleich zu der üblichen photoelektrischen Vorrichtung mit Schottky'scher Spe#rrschicht auf. Ferner ist zu benerken, daß das photoelektrische Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung eine Lebensdauer von mehr als einigen Jahren ohne Verschlechterung des Wirkungsgrades hat.

Claims

P a t e n t a n 5 p r ü c h e 1. Halbleiterbauelement, bestehend aus einer elektrisch I.cifähigen Unterlage (11), einer Schicht (13) aus amorphem Siliciumhydrid einer Dicke von 0,1 bis 5 Mm au der Unterlage (11), einer halbleitenden Oxidschicht (14) eineor Dicke von 1 bis 100 nm auf der der Unterlage (11) cleenuberliegenden Oberfläche der amorphen Siliciumhydridschicht (13) und einer Metallschicht (15) einer Dicke von 5 bis 20 nm auf der der amorphen Siliciumhydridschicht (13) gegenüberliegenden Oberfläche der halbleitenden Oxid schicht (14).
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (201) aus amorphem Siliciumhydrid aus einer an die elektrisch leitfähige Unterlage (21) angrenzenden ersten Schicht (22) aus dotiertem amorphem Silicium hydrid und einer aus nicht-dotiertem amorphem Siliciumhydrid bestehenden und an die erste Schicht (22) angrenzenden zweiten Schicht (23) besteht, die an die halbleitende Oxidschicht (24), die der ersten Schicht (22) gegenüber liegt, angrenzt.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Schicht (22) aus dotiertem amorphem Siliciumhydrid mit Hilfe eines Dotierungsgases aus der aus NM PH3, AsH3 und B2H6 bestehenden Gruppe gebildet worden ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleitende Oxidschicht (14, 24) aus wenigstens einem Oxid aus der aus TiO2, ZnO, SnO2, In203, BaO, SiO, Cu2O, NiO und FeO bestehenden Gruppe besteht.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die halbleitende Oxidschicht (14, 24) eine Dicke von 5 bis 50 nm hat.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (15, 25) aus wenigstens einem Metall aus der aus Pt, Au, Pd, Ni, Cr, Ir und Rh bestehenden Gruppe besteht.