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TECHNISCHES GEBIET
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Die
Erfindung betrifft eine Schallwellenvorrichtung und im Speziellen
einen Schutzfilm einer Schallwellenvorrichtung.
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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Im
Allgemeinen werden bei Halbleitern und Schallwellenvorrichtungen,
wie beispielsweise bei Oberflächen-Schallwellenvorrichtungen
und dergleichen, Schutzfilme zu dem Zweck bereitgestellt, eine Korrosion
von Elektroden und dergleichen durch Feuchtigkeit zu verhindern.
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So
wird etwa für eine in 7 in einer
Schnittansicht gezeigte Schallwellenvorrichtung eine Auslegung offenbart,
bei welcher ein Substrat 101, das auf einer Basisplatte 103 angebracht
ist, mit einem Schutzfilm 108 bedeckt ist. Im Detail sind
leitfähige Strukturen (nicht gezeigt), wie etwa eine IDT-Elektrode
und dergleichen, auf dem Substrat 101 ausgebildet. Die
leitfähige Struktur auf dem Substrat 101 ist mit
dem Schutzfilm 108 versiegelt. Das Substrat 101 ist
durch Kontakthöcker 105 elektrisch mit einem Leiterdurchgang 104 der
Basisplatte 103 verbunden. Eine Isolierschicht 106 ist
zwischen dem Substrat 101 und der Basisplatte 103 angeordnet,
und ein umschließender Rahmen 107 ist in einem
Verbindungsbereich zwischen dem Substrat 101 und der Basisplatte 103 unter Verwendung
eines Harzes oder dergleichen ausgebildet (siehe zum Beispiel Patentdokument
1).
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Als
Schutzfilm wird beispielsweise ein Siliziumnitridfilm verwendet.
Der Begriff ”Siliziumnitridfilm” bezeichnet allgemein
einen Film mit einem Si:N-Zusammensetzungsverhältnis von
3:4, was einem stöchiometrischen Verhältnis Si3N4 entspricht, und
wenn der Film durch SiNX dargestellt ist,
ist X = 4/3 = 1,33.
- Patentdokument 1: Japanische Ungeprüfte Patentanmeldungs-Veröffentlichung
(Übergang zur PCT-Anmeldung) Nr. 11-510666
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OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
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DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDES
PROBLEM
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Die
Funktion des Verhinderns von Feuchtigkeitseintritt wird durch Oxidation
mit Feuchtigkeit und Feuchtigkeitsaufnahme von Schutzfilmen beeinträchtigt.
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Insbesondere
bei einer Oberflächen-Schallwelleneinrichtung, welche mit
einer geringen Feuchtigkeitsmenge eine Korrosion einer Elektrode
und eine Veränderung der Materialkonstanten verursacht,
kann die Korrosion einer IDT-Elektrode bis zu einem gewissen Grad
durch einen Schutzfilm unterdrückt werden. Dabei tritt
jedoch insofern ein Problem auf, als SAW-Energie auch in den Schutzfilm verteilt
wird, und dadurch verändert sich die Schallgeschwindigkeit
des Schutzfilms durch eine feuchtigkeitsbedingte Veränderung
der Materialkonstanten des Schutzfilms, wodurch es zu einer Beeinträchtigung
der Kennlinien kommt.
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In
Anbetracht der oben beschriebenen Situation hat die Erfindung zum
Ziel, eine Schallwellenvorrichtung mit einem Schutzfilm zu schaffen,
der in der Lage ist, Kennlinien zu stabilisieren.
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MITTEL ZUR LÖSUNG
DES PROBLEMS
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Zur
Lösung des Problems stellt die Erfindung eine Schallwellenvorrichtung
bereit, die wie weiter unten beschrieben ausgelegt ist.
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Eine
Schallwellenvorrichtung umfaßt (a) ein Schallwellenelement
mit einer IDT-Elektrode, die auf einem Substrat ausgebildet ist,
und (b) einen Schutzfilm, der so ausgebildet ist, daß er
das Schallwellenelement abdeckt. Bei dem Schutzfilm handelt es sich um
einen Siliziumnitridfilm, der sich hauptbestandteilsmäßig
aus Silizium und Stickstoff zusammensetzt, und bei dem, wenn ein
Zusammensetzungsverhältnis zwischen Silizium und Stickstoff
durch 1:X dargestellt ist, X kleiner oder gleich 1,15 ist.
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Bei
der oben beschriebenen Auslegung nutzt das Schallwellenelement eine
Schallwelle, wie beispielsweise einen Oberflächenschallwelle
(SAW), eine Randwelle oder dergleichen. Die Schallwellenvorrichtung
kann eine Mehrzahl von Schallwellenelementen umfassen, die auf einem
gemeinsamen Substrat vorgesehen sind, oder kann auf Chipgrößen-Gehäuseformat
(CSP) miniaturisiert sein, sofern zumindest ein Schallwellenelement
vorgesehen ist.
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Wenn
gemäß der oben beschriebenen Auslegung der als
Schutzfilm verwendete Siliziumnitridfilm durch SiNX dargestellt
ist, so ist X ≤ 1,15 und ist somit der Siliziumanteil relativ
groß und der Stickstoffanteil relativ gering, verglichen
mit einem gewöhnlichen Siliziumnitridfilm, bei welchem
X ≠ 1,33 ist. Durch die Verwendung eines siliziumreichen
Siliziumnitridfilms kann die charakteristische Verschlechterung
der Schallwellenvorrichtung durch Feuchtigkeitsbelastung verringert
werden.
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Der
Schutzfilm kann die folgenden verschiedenen Formen annehmen.
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Bei
einer Form umfaßt das Schallwellenelement ferner einen
SiO2-Film, der auf dem Substrat ausgebildet
ist, das die IDT-Elektrode umfaßt. Der Schutzfilm ist auf
dem SiO2-Film ausgebildet.
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Bei
einer anderen Form umfaßt das Schallwellenelement ferner
eine Abdeckplatte, die auf dem Substrat vorgesehen ist, um einen
Abstand auf der IDT-Elektrode auszubilden. Der Schutzfilm ist auf
der Abdeckplatte ausgebildet.
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Bei
einer weiteren Form umfaßt die Schallwellenvorrichtung
ferner ein gemeinsames Substrat, auf welchem eine Mehrzahl von Schallwellenelementen
angebracht ist. Der Schutzfilm ist so ausgebildet, daß er
die Mehrzahl von Schallwellenelementen, die an dem gemeinsamen Substrat
angebracht ist, abdeckt.
X ist bevorzugt größer
als 1,00
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Wenn
in diesem Fall der als Schutzfilm verwendete Siliziumnitridfilm
durch SiNX dargestellt ist, so ist 1,00 ≤ X ≤ 1,15.
Ist X > 1,00, so ist
der Schwankungsbereich bei den Ausgangskennlinien der Schallwellenvorrichtung
geringer als in einem Fall von X ≤ 1,00.
X ist bevorzugt
kleiner als 1,00
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Wenn
in diesem Fall der als Schutzfilm verwendete Siliziumnitridfilm
durch SiNX dargestellt ist, so ist X < 1,00. Ist X < 1,00, so ist der
Schwankungsbereich bei den Frequenzkennlinien der Schallwellenvorrichtung
bei Feuchtigkeitsbelastung geringer als in einem Fall von X ≥ 1,00.
X
ist mehr bevorzugt kleiner als 0,60
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In
diesem Fall können ein Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien
bei Feuchtigkeitsbelastung und eine Standardabweichung σ davon
ferner verbessert werden.
X ist mehr bevorzugt größer
als 0,2.
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Wenn
in diesem Fall der als Schutzfilm verwendete Siliziumnitridfilm
durch SiNX dargestellt ist, so ist X > 0,2. Wenn X < 0,2 ist, kann der
als Schutzfilm verwendete Siliziumnitridfilm auf einfache Weise ausgebildet
werden.
X ist bevorzugt kleiner als 0,60 und größer
als 0,2
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In
diesem Fall sind bevorzugte Bedingungen für eine bestimmte
Anwendungsart gegeben, und zwar von dem umfassenden Standpunkt eines Schwankungsbereichs
der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung, der Standardabweichung σ davon,
sowie der Standardabweichungen von Messungen von Ausgangskennlinien.
X
ist bevorzugt gleich null
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In
diesem Fall kann ein Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien bei
Feuchtigkeitsbelastung minimiert werden.
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Vorteile
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Gemäß der
Erfindung können, wenn ein als Schutzfilm verwendeter Siliziumnitridfilm
zu einem siliziumreichen Film angereichert wird, eine Funktionsminderung
eines Schutzfilms verhindert und die Kennlinien einer Schallwellenvorrichtung
stabilisiert werden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Schnittansicht einer Schallwellenvorrichtung (Beispiel 1).
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2 ist
eine Schnittansicht einer Schallwellenvorrichtung (Beispiel 2).
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3 ist
eine Schnittansicht einer Schallwellenvorrichtung (Beispiel 3).
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4 ist
ein Graph, der eine Beziehung zwischen einem Zusammensetzungsverhältnis
und einem Frequenzschwankungsbereich bei Feuchtigkeitsbelastung
zeigt (Beispiel 1).
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5 ist
ein Graph, der eine Beziehung zwischen einem Zusammensetzungsverhältnis
und der Standardabweichung σ von dem Frequenzschwankungsbereich
bei Feuchtigkeitsbelastung zeigt (Beispiel 1).
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6 ist
ein Graph, der eine Beziehung zwischen einem Zusammensetzungsverhältnis
und dem Schwankungsbereich bei der Ausgangsfrequenz zeigt (Beispiel
1).
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7 ist
eine Schnittansicht einer Schallwellenvorrichtung (Beispiel gemäß Stand
der Technik).
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- 10
- Schallwellenvorrichtung
- 10a
- elektronisches
Bauteil
- 11
- Schallwellenelement
- 12
- Substrat
- 12a
- Unterseite
- 12b
- Seitenfläche
- 15
- Schutzfilm
- 18
- Schutzfilm
- 20,
21
- IDT-Elektrode
- 30
- Schallwellenvorrichtung
- 34
- Schutzfilm
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BESTE AUSFÜHRUNGSART
DER ERFINDUNG
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Nachfolgend
wird eine Ausführungsform der Erfindung unter Bezugnahme
auf 1 bis 6 beschrieben.
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<BEISPIEL
1>
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Es
wird nun unter Bezugnahme auf 1 eine Schallwellenvorrichtung 11 gemäß Beispiel
1 beschrieben.
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1 ist
eine Schnittansicht der Schallwellenvorrichtung 11 gemäß Beispiel
1.
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Wie
in 1 gezeigt, umfaßt die Schallwellenvorrichtung 11 ein
Schallwellenelement, bei welchem eine kammartige IDT-Elektrode 21,
eine Kontaktfläche 23 und ein Leitungsmuster mit
einer Verdrahtung (nicht gezeigt) an der Unterseite 12a eines Substrats 12 ausgebildet
sind. Bei der Schallwellenvorrichtung 11 handelt es sich
beispielsweise um eine Oberflächen-Schallwellenvorrichtung (SAW-Vorrichtung),
wobei ein piezoelektrisches Substrat aus LiTaO3,
LiNbO3 oder dergleichen als Substrat 12 verwendet
wird, und das Schallwellenelement ein Oberflächen-Schallwellenelement
bildet.
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Die
gesamte Unterseite 12a des piezoelektrischen Substrats 12,
einschließlich der IDT-Elektrode 21, ist mit einem
SiO2-Film 13 bedeckt. Der SiO2-Film 13 wird ausgebildet, um die
Temperaturkennlinien zu steuern. An der Außenseite des SiO2-Films 13 ist ein Schutzfilm 15 ausgebildet.
Die IDT-Elektrode 21 ist durch den Schutzfilm 15 geschützt.
Wenn es sich bei der Schallwellenvorrichtung 11 um eine Oberflächen-Schallwellenvorrichtung
(SAW-Vorrichtung) handelt, können die Frequenzkennlinien
durch Steuern der Dicke des Schutzfilms 15 gesteuert werden.
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Bei
dem Schutzfilm 15 handelt es sich um einen Siliziumnitridfilm,
der durch Steuern der Abscheidungsbedingungen durch ein Plasma-CVD-Verfahren
oder dergleichen siliziumreich ausgebildet ist.
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Der
Begriff ”Siliziumnitridfilm” stellt allgemein einen
Film mit einem Si:N-Zusammensetzungsverhältnis von 3:4
dar, was einem stöchiometrischen Verhältnis von
Si3N4 entspricht,
und wobei, wenn das Si:N-Zusammensetzungsverhältnis durch
1:X dargestellt ist, d. h. wenn der Film durch SiNX dargestellt
ist, X im Wesentlichen = 4/3 ≠ 1,33 ist.
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Bei
dem Schutzfilm 15 der Schallwellenvorrichtung 11 handelt
es sich jedoch um einen siliziumreichen Siliziumnitridfilm, bei
welchem die Verhältniszahl eines Siliziumbestandteils relativ
groß und die Verhältniszahl eines Stickstoffbestandteils
relativ klein ist, verglichen mit einem Siliziumnitridfilm mit einem
gewöhnlichen Zusammensetzungsverhältnis. Anders
ausgedrückt, als Schutzfilm 15 wird ein siliziumreicher
Siliziumnitridfilm so ausgebildet, daß X kleiner ist (X ≠ 1,33)
als dies beispielsweise bei einem Siliziumnitridfilm der Fall ist,
welcher unter gewöhnlichen Abscheidungsbedingungen ausgebildet worden
ist, so daß X ≤ 1,15 ist.
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Bei
dem als Schutzfilm 15 verwendeten, siliziumreichen Siliziumnitridfilm
wird eine Oxidation in nasser Atmosphäre unterdrückt
und letzterer erweist sich als hocheffizient bei der Unterdrückung
des Eindringens von Feuchtigkeit, verglichen mit einem Siliziumnitridfilm
mit einem gewöhnlichen Zusammensetzungsverhältnis.
Die hohe Effizienz bei der Unterdrückung von Feuchtigkeitsdurchdringung
bewirkt eine hohe Effizienz bei der Unterdrückung einer feuchtigkeitsbedingten
Veränderung der IDT-Elektrode 21 und ähnlicher
Elemente, die im Inneren des Schutzfilms 15 ausgebildet
sind. Darüber hinaus wird die Oxidation des Schutzfilms 15 unterdrückt,
wodurch eine auch längerfristig nur geringfügige
Veränderung der Funktion des Schutzfilms bewirkt wird. Wenn
es sich bei der Schallwellenvorrichtung 11 um eine Oberflächen-Schallwellenvorrichtung (SAW- Vorrichtung)
handelt, erzeugt der Schutzfilm 15 eine nur geringfügige
Veränderung der Schallgeschwindigkeit, da die Oxidation
des Schutzfilms 15 unterdrückt wird, und fällt
somit eine mit der Zeit eintretende Veränderung von Kennlinien
gering aus.
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Daher
können die Kennlinien der Schallwellenvorrichtung 11 stabilisiert
werden.
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<Herstellungsbeispiel>
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Als
Nächstes wird unter Bezugnahme auf 4 bis 6 ein
Beispiel für die Herstellung der Schallwellenvorrichtung 11 beschrieben.
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Ein
Metallfilm wurde gemäß einem Muster auf ein piezoelektrisches
Substrat aufgebracht, um einen Oberflächen-Schallwellenfilter
(SAW-Filter) zu bilden, und ein siliziumreicher Siliziumnitridfilm
wurde als Schutzfilm 15 durch ein Plasma-CVD-Verfahren bei
einer Abscheidungstemperatur von 150°C ausgebildet. Das
Zusammensetzungsverhältnis 1:X von Stickstoff zu Silizium
wurde verändert, um Schutzfilme 15 mit unterschiedlichen
Zusammensetzungsverhältnissen 1:X vorzubereiten, und es
wurde ein Feuchtigkeitsbelastungstest durchgeführt. Das
Zusammensetzungsverhältnis 1:X von Stickstoff zu Silizium
wurde durch Messen der Konzentrationen von Elementen durch ein Rutherford-Rückstreuverfahren (RBS)
bestimmt.
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Die
Frequenz einer jeden der Proben von Siliziumnitridfilmen als Schutzfilme 15 mit
unterschiedlichen Zusammensetzungsverhältnissen 1:X von Stickstoff
zu Silizium wurde vor und nach dem Feuchtigkeitsbelastungstest gemessen.
Die Bedingungen für den Feuchtigkeitsbelastungstest umfaßten
eine Temperatur von 85°C und eine relative Feuchtigkeit von
85%.
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4 bis 6 sind
Graphen, die jeweils die Meßergebnisse bei X ≥ 0
zeigen. Jeder einzelne dieser Graphen zeigt Werte (reduzierte Werte)
bei der Abscheidungstemperatur von 150°C.
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4 ist
ein Graph, der den Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien bei
Feuchtigkeitsbelastung (den Unterschied bei den Frequenzkennlinien
vor und nach dem Feuchtigkeitsbelastungstest) zeigt. In 4 ist
X aus dem Zusammensetzungsverhältnis 1:X von Stickstoff
zu Silizium des Siliziumnitridfilms auf der Abszisse gezeigt, und
ist der Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung
(der Unterschied bei den Frequenzkennlinien vor und nach dem Feuchtigkeitsbelastungstest)
auf der Ordinate gezeigt. In dieser Figur stellt ”⧫” einen
Durchschnittswert des Schwankungsbereichs bei Feuchtigkeitsbelastung
dar, und stellt ”⧠” einen ”(Durchschnittswert
des Schwankungsbereichs bei Feuchtigkeitsbelastung) +3σ” dar. ”Δ” stellt einen ”(Durchschnittswert
des Schwankungsbereichs bei Feuchtigkeitsbelastung) –3σ” dar,
und σ stellt eine Standardabweichung dar.
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Die
Frequenz eines SAW-Filters verändert sich mit dem Leistungswiderstand
und mit verschiedenen umgebungsbedingten Belastungen, wie beispielsweise
Temperatur, Feuchtigkeit und dergleichen. Es ist jedoch wünschenswert,
daß ein Absolutwert für den Schwankungsbereich
der Frequenzkennlinien als ein von einem Schwankungsbereich hergeleiteter
Wert, der selbst bei geänderten Umgebungsbelastungen die
Soll-Merkmale für einen Filter erfüllen kann,
bei 3,5 MHz oder darunter liegt. Dieser Zustand wird hier als ”umgebungsbelastungsresistenter
Zustand” bezeichnet.
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4 zeigt
an, daß wenn X ≤ 1,15 ist, eine Schwankung der
Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung innerhalb eines Bereichs
von –3,5 MHz bis +1,00 MHz liegt, und daß ein
Absolutwert für den Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien bei
3,5 MHz oder darunter liegt, womit der umgebungsbelastungsresistente
Zustand gegeben ist.
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5 ist
ein Graph, der die Standardabweichung σ von dem Schwankungsbereich
der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung zeigt. In 5 ist
X, wie auch in 4, auf der Abszisse gezeigt,
und ist die Standardabweichung σ von dem Schwankungsbereich
der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung auf der Ordinate
gezeigt. Wie aus 5 ersichtlich, verringert sich σ in
dem Maß, in dem sich X verringert. Es ist bevorzugt, daß X < 1,00 ist, da dann σ kleiner
ist als in dem Fall, in dem X ≥ 1,00 ist, und sich somit
ein Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung verringert.
Wenn X kleiner als 0,60 ist, verbessern sich der Schwankungsbereich
der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung sowie die Standardabweichung σ noch
weiter.
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Es
ist insbesondere mehr bevorzugt, wenn X = 0 ist, weil σ dann
minimiert ist und somit der Schwankungsbereich der Frequenzkennlinien
bei Feuchtigkeitsbelastung minimiert werden kann. Wenn X = 0 ist,
ist der Schutzfilm zwar noch ein Siliziumnitridfilm in einem weiteren
Sinn, jedoch im engeren Sinn eigentlich ein Siliziumfilm.
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6 ist
ein Graph, der die Standardabweichung σ von Messungen von
Ausgangskennlinien (Frequenzkennlinien vor dem Feuchtigkeitsbelastungstest)
zeigt. In 6 ist X, wie auch in 4,
auf der Abszisse gezeigt, und ist die Standardabweichung σ von
Messungen von Ausgangskennlinien (Frequenzkennlinien vor dem Feuchtigkeitsbelastungstest)
auf der Ordinate gezeigt. Wie aus 6 ersichtlich,
verringert sich σ und verringert sich der Schwankungsbereich
von Ausgangskennlinien in dem Maß, in dem sich X erhöht.
Es ist bevorzugt, daß X > 1,00
ist, da der Schwankungsbereich der Ausgangskennlinien dann kleiner
ist als in dem Fall, in dem X ≤ 1,00 ist. Wenn X > 1,00 ist, ist σ im
Wesentlichen konstant, und somit wird bei einer geringfügigen
Veränderung von X der Schwankungsbereich der Ausgangskennlinien
davon nur wenig beeinflußt, was eine Vereinfachung der
Fertigung mit sich bringt.
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Darüber
hinaus ist X von dem umfassenden Standpunkt eines Schwankungsbereichs
der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung, der Standardabweichung σ davon,
sowie der Standardabweichungen von Messungen der Ausgangskennlinien
für eine bestimmte Anwendungsart bevorzugt kleiner als
0,60 und größer als 0,2.
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Derselbe
Test wurde durchgeführt, wobei bei jedem Mal lediglich
die Abscheidungstemperatur verändert wurde, und zwar von
150°C auf 220°C, 260°C und 290°C.
Als Folge daraus verringerte sich der Absolutwert des Schwankungsbereichs
der Frequenz (Standardabweichung σ) in dem Maß,
in dem die Abscheidungstemperatur von 150°C ausgehend anstieg.
Es ist daher (a) bevorzugt, daß X ≤ 1,15 ist,
weil dann der umgebungsbelastungsresistente Zustand gegeben ist,
es ist (b) bevorzugt, daß X < 1,00 ist, weil dann der Schwankungsbereich
der Frequenzkennlinien bei Feuchtigkeitsbelastung verringert wird, und
es ist außerdem (c) bevorzugt, daß X > 1,00 ist, weil dann
der Schwankungsbereich der Ausgangskennlinien verringert wird.
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<BEISPIEL
2>
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Es
wird nun unter Bezugnahme auf 2 eine Schallwelleneinrichtung
gemäß Beispiel 2 beschrieben.
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2 ist
eine Schnittansicht einer Schallwellenvorrichtung 10 gemäß Beispiel
2. Wie in 2 gezeigt, umfaßt die
Schallwellenvorrichtung 10 ein Schallwellenelement, bei
welchem eine IDT-Elektrode 20, Kontaktflächen 22 und
eine Verdrahtung (nicht gezeigt) unter Verwendung eines Metallfilms
oder dergleichen an der Unterseite 12a eines Substrats 12 ausgebildet
sind.
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Die
Unterseite 12a des Substrats 12 ist mit einer
Platte 16 bedeckt, die einen Isolierfilm oder dergleichen
mit einer Tragschicht 14 umfaßt, die unter Verwendung
eines Isoliermaterials dazwischen um die IDT-Elektrode 20 herum
ausgebildet ist.
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Ein
Schutzfilm 18 ist an der Außenseite der Platte 16 ausgebildet.
Der Schutzfilm 18 ist so ausgebildet, daß er sich
durchgehend von der Oberseite der Platte 16 zu der Seitenfläche 12b des
Substrats 12 erstreckt. Der Schutzfilm 18 ist
nämlich auf einem jeden der Chips, die durch Unterteilung
aus einem scheibenförmigen Anordnungssubstrat heraus geformt
sind, ausgebildet. Die IDT-Elektrode 20 des Schallwellenelements
ist durch den Schutzfilm 18 abgedichtet.
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An
der Außenseite des Schutzfilms 18 sind durch Lötmetall
oder dergleichen Kontakthöcker 26 ausgebildet.
Die Kontakthöcker 26 sind elektrisch mit den Kontaktflächen 22 verbunden,
und zwar über Leiter 24, welche in Durchgangslöchern
angeordnet sind, die in der Tragschicht 14, der Platte 16 und
dem Schutzfilm 18 ausgebildet sind.
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Wie
in Beispiel 1 handelt es sich bei dem Schutzfilm 18 um
einen siliziumreich ausgebildeten Siliziumnitridfilm. Anders ausgedrückt,
wenn das Si:N-Zusammensetzungsverhältnis des Schutzfilms 18 durch
1:X dargestellt ist, so ist beispielsweise X ≤ 1,15.
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Bei
dem als Schutzfilm 18 verwendeten, siliziumreichen Siliziumnitridfilm
wird eine Oxidation in nasser Atmosphäre unterdrückt
und letzterer erweist sich als hocheffizient bei der Unterdrückung
des Eindringens von Feuchtigkeit, verglichen mit einem Siliziumnitridfilm
mit einem gewöhnlichen Zusammensetzungsverhältnis.
Die hohe Effizienz bei der Unterdrückung von Feuchtigkeitsdurchdringung
bewirkt eine hohe Effizienz bei der Unterdrückung einer feuchtigkeitsbedingten
Veränderung der IDT-Elektrode 20 oder ähnlicher
Elemente, die im Inneren des Schutzfilms 18 ausgebildet
sind. Darüber hinaus wird die Oxidation des Schutzfilms 18 unterdrückt,
wodurch eine auch längerfristig nur geringfügige
Veränderung der Funktion des Schutzfilms bewirkt wird.
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Daher
können die Kennlinien der Schallwellenvorrichtung 10 stabilisiert
werden.
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<BEISPIEL
3>
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Es
wird nun unter Bezugnahme auf 3 eine Schallwellenvorrichtung 30 gemäß Beispiel
3 beschrieben.
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Wie
in der Schnittansicht aus 3 gezeigt, umfaßt
die Schallwellenvorrichtung 30 gemäß Beispiel
3 elektronische Bauteile 10a, die durch aus Lötmetall
oder dergleichen gefertigte Leitelemente 36 auf einem gemeinsamen
Substrat 40 angebracht sind. Das elektronische Bauteil 10a ist
von einem Schutzfilm 32 umgeben. Die elektronischen Bauteile 10a sind
beispielsweise in das Schutzharz 32 eingelassen, das eine
halb ausgehärtete Epoxidharzplatte oder dergleichen umfaßt.
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Der
siliziumreiche Siliziumnitridfilm ist als ein Schutzfilm 34 über
die gesamte Außenfläche des Schutzharzes 32 ausgebildet.
Der Schutzfilm 34 erstreckt sich durchgehend von der Oberseite
des Schutzharzes 32 zu der Seitenfläche 41b des
gemeinsamen Substrats 40.
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Die
an dem gemeinsamen Substrat 40 angebrachten, elektronischen
Bauteile 10a können im Wesentlichen in derselben
Weise wie die Schallwellenvorrichtung 10 gemäß Beispiel
2 ausgelegt sein. Da die elektronischen Bauteile 10a durch
den Schutzfilm 34 versiegelt sind, ist der in der Schallwellenvorrichtung 10 gemäß Beispiel
2 vorhandene Schutzfilm 18 an den elektronischen Bauteilen 10a nicht
notwendigerweise vorgesehen.
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Bei
dem gemeinsamen Substrat 40 handelt es sich beispielsweise
um ein Schichtsubstrat mit einer Mehrzahl von Laminatschichten,
und ein Leitermuster 42 und ein Resist-Muster 43 sind
an einer der Hauptoberflächen ausgebildet, wobei die externen Elektroden 46 an
der anderen Hauptoberfläche ausgebildet sind. In dem gemeinsamen
Substrat 40 sind Zwischenlagen-Verbindungsleiter 44,
die durch die Schichten hindurch verlaufen, um die Schichten miteinander
zu verbinden, sowie ein zwischen den Schichten angeordnetes, internes
Leitungsmuster 45 und dergleichen ausgebildet.
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Bei
dem als Schutzfilm 34 der Schallwellenvorrichtung 30 verwendeten,
siliziumreichen Siliziumnitridfilm wird eine Oxidation in nasser
Atmosphäre unterdrückt und letzterer erweist sich
als hocheffizient bei der Unterdrückung des Eindringens
von Feuchtigkeit, verglichen mit einem Siliziumnitridfilm mit einem
gewöhnlichen Zusammensetzungsverhältnis. Die hohe
Effizienz bei der Unterdrückung von Feuchtigkeitsdurchdringung
bewirkt eine hohe Effizienz bei der Unterdrückung einer
feuchtigkeitsbedingten Veränderung im Inneren des Schutzfilms 34.
Darüber hinaus wird die Oxidation des Schutzfilms 34 unterdrückt,
wodurch eine auch längerfristig nur geringfügige
Veränderung der Funktion des Schutzfilms bewirkt wird.
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Dadurch
wird eine hohe Effizienz bei der Unterdrückung einer feuchtigkeitsbedingten
Veränderung des elektronischen Bauteils 10a und ähnlicher Elemente,
die im Inneren des Schutzfilms 34 angeordnet sind, bewirkt.
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<Resümee>
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Wie
oben beschrieben, kann durch Ausbilden eines siliziumreichen Siliziumnitridfilms
als Schutzfilm einer Schallwellenvorrichtung eine Funktionsminderung
des Schutzfilms verhindert werden und können die Kennlinien
der Schallwellenvorrichtung stabilisiert werden.
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Die
Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsform
beschränkt und es können verschiedene Abänderungen
daran vorgenommen werden.
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Zusammenfassung
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Die
Erfindung stellt eine Schallwellenvorrichtung mit einem Schutzfilm
bereit, der in der Lage ist, Kennlinien zu stabilisieren.
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Eine
Schallwellenvorrichtung 11 umfaßt (a) ein Schallwellenelement
mit einer IDT-Elektrode 21, die auf einem Substrat 12 ausgebildet
ist, und (b) einen Schutzfilm 15, der so ausgebildet ist,
daß er das Schallwellenelement abdeckt. Bei dem Schutzfilm 15 handelt
es sich um einen Siliziumnitridfilm, der sich hauptbestandteilsmäßig
aus Silizium und Stickstoff zusammensetzt, und bei dem, wenn ein
Zusammensetzungsverhältnis zwischen Silizium und Stickstoff durch
1:X dargestellt wird, X kleiner oder gleich 1,15 ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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