JP4360293B2

JP4360293B2 - 半田バンプ電極構造

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Publication number: JP4360293B2
Application number: JP2004196457A
Authority: JP
Inventors: 和広吉田; 英文中田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2004-07-02
Filing date: 2004-07-02
Publication date: 2009-11-11
Anticipated expiration: 2024-07-02
Also published as: JP2006019550A

Description

この発明は、半田バンプ電極構造に関するもので、特に、半田バンプの下に形成されるアンダーバリアメタル（ＵｎｄｅｒＢａｒｒｉｅｒＭｅｔａｌ；以下、「ＵＢＭ」と言う。）のさらに下に形成される絶縁膜の構造に関するものである。

半導体装置やＳＡＷフィルタなどの電子部品素子において、フリップチップ実装（フェースダウンボンディング）のために、電極パッドの上にバンプを設けたバンプ電極構造を採用することが一般的になっている。このようなバンプ電極構造において、バンプとしては、実装相手に対して固相接合を前提とした金バンプ（たとえば、特許文献１参照）や、溶融接合を前提とした半田バンプ（たとえば、特許文献２〜４参照）などがある。この発明は、前述したように、特に半田バンプを備えるバンプ電極構造に向けられるものである。以下に、主として、半田バンプ電極構造について説明する。

半田バンプ電極構造は、半田バンプをその上に形成するための電極パッドを備えている。他方、半田バンプは、半田ペーストや半田ボールを電極パッド上に供給して溶融させてほぼ球状に形成される。この場合、所望の形状の半田バンプを形成するのに必要な半田量に対して電極パッドの面積が大きすぎると、溶融している半田は電極パッドに対する濡れ性が良好であるので、半田バンプを所望の形状に形成することが困難である。

そのため、電極パッドの一部のみを露出させるように所定の面積の開口部を有する絶縁膜を、電極パッド上に形成することが行なわれている（たとえば、特許文献２〜４参照）。このように、絶縁膜の形成によって電極パッドの露出部分が制限されると、絶縁膜の開口部を通して電極パッドに接する半田以外の半田については、その表面張力の作用でほぼ球形となり、その結果、所望の形状の半田バンプが形成されることができる。

電極パッド上に半田ボールを供給する場合には、半田バンプ形成時にこれを溶融させないこともあるが、この場合であっても、実装時には半田ボールを溶融させるので、所定の面積の開口部を有する絶縁膜の存在が有効に働く。なお、半導体装置にあっては、半導体表面を覆うように形成される保護膜が、上述した絶縁膜としても用いられることが多い。

他方、電極パッドは、通常、ＡｕまたはＡｕを主成分とする金属から構成される。溶融した半田（Ｓｎを主成分とする半田）には、Ａｕに拡散しやすいという性質がある。このような状況の下、半田のＡｕへの拡散を防止するため、電極パッドと半田バンプとの間にＵＢＭを形成することが行なわれている。この場合、ＵＢＭは、電極パッドにおける開口部を通して露出した部分を完全に覆うように形成される必要があるため、ＵＢＭの周縁部は、必然的に、絶縁膜に乗り上げる状態となる（たとえば、特許文献２参照）。

ところで、半導体装置にあっては、半導体上に直接形成される絶縁膜は、耐湿性を確保するための無機材料膜としてのたとえばＳｉＮ_xからなる窒化膜から構成される。しかしながら、前述したように、窒化膜上にＵＢＭが形成されると、ＵＢＭには、その周縁部で剥がれやすいという性質がある。そして、このようにＵＢＭが剥がれると、それに応じて、下の窒化膜が割れてしまい、また、ＵＢＭの、電極パッドと半田バンプとの間のバリアとしての役割が阻害されてしまう可能性がある。

そこで、窒化膜のような無機材料膜の上にもう１つの絶縁膜を形成することが知られている（たとえば、特許文献３および４参照）。この無機材料膜の上に形成される絶縁膜は、たとえばポリイミドやフッ素樹脂のような有機材料から構成される。ポリイミド膜のような有機材料膜は、窒化膜のような無機材料膜に比べると軟らかいため、外力から半導体装置を保護するという役割もある。

上述のように、無機材料膜の上に有機材料膜を設けた場合、ＵＢＭが、有機材料膜にも乗り上げるように形成されると、ＵＢＭが剥がれにくくなり、前述した問題を生じさせにくくすることができる。
特開２００１−７７１５０号公報特開平９−１２９６４７号公報特開平６−１０４２６２号公報特開平１１−１８６３０９号公報

上述したように、ＵＢＭが無機材料膜および有機材料膜の双方に乗り上げる構造の場合、乗り上げる部分においてＵＢＭに段差が生じる。この場合、大きな段差があると、段差部分で、ＵＢＭが薄くなったり、亀裂が入ったりするという問題を引き起こす。その結果、半田バンプ電極構造が採用された電子部品素子において、上述の問題に起因する故障が発生したり、信頼性を低下させたりするという問題に遭遇する。

なお、以上説明した問題は、無機材料膜および有機材料膜というような材料にはこだわるものではなく、第１絶縁膜の上に第２絶縁膜が形成され、かつＵＢＭが第１および第２絶縁膜の双方に乗り上げる構造を有している場合であれば、等しく遭遇し得る。

そこで、この発明の目的は、上述のような問題を解決し得る半田バンプ電極構造を提供しようとすることである。

この発明は、基板上に形成された電極パッドと、電極パッドの一部を露出させる第１開口部を形成した状態で電極パッド上に形成された第１絶縁膜と、第１開口部を取り囲む第２開口部を形成した状態で第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、第１開口部内および第２開口部内において電極パッドおよび第１絶縁膜を覆いかつ第２絶縁膜上に周縁部を位置させた状態で形成されたＵＢＭと、ＵＢＭ上に形成された半田バンプとを備える、半田バンプ電極構造に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、第１絶縁膜の第１開口部を規定する端縁部および第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部には、スロープが付与されていて、上記アンダーバリアメタルの周縁部は、第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部に付与された上記スロープ上に位置していることを特徴としている。

この発明において、好ましくは、第１絶縁膜は、ＳｉＮ_x、ＳｉＯＮおよびＳｉＯ₂から選ばれた１種からなる無機材料膜を含み、かつ、第２絶縁膜は、ポリイミド、ＢＣＢおよびフッ素樹脂から選ばれた１種からなる有機材料膜を含む。

この発明は、基板が化合物半導体からなり、電極パッドがＡｕを含み、かつ、半田バンプがＳｎを主成分とする場合において、特に有利に適用される。

第１絶縁膜は、厚みが１００〜６００ｎｍの範囲にあり、第２絶縁膜は、厚みが３〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。

第１絶縁膜の第１開口部を規定する端縁部に付与されたスロープは、電極パッドの主面に対して４５度以下の角度をもって傾斜していることが好ましい。

第１開口部の開口端と第２開口部の開口端との距離は、３μｍ以上であることが好ましい。

なお、前述した特許文献１には、図７に示すようなバンプ電極構造１が開示されている。すなわち、基板２上に、電極パッド３が形成され、電極パッド３の一部を露出させる第１開口部４を形成した状態で電極パッド３上には、第１絶縁膜５が形成され、第１開口部４を取り囲む第２開口部６を形成した状態で第１絶縁膜５上に第２絶縁膜７が形成されている。そして、第１開口部４内および第２開口部６内において電極パッド３および第１絶縁部５を覆いかつ第２絶縁膜７上に周縁部を位置させた状態で、バリア層８が形成され、バリア層８上にバンプ９が形成されている。

このようなバンプ電極構造１において、第１絶縁膜５の第１開口部４を規定する端縁部１０および第２絶縁膜７の第２開口部６を規定する端縁部１１には、スロープが付与されている。しかしながら、特許文献１に記載されたバンプ電極構造１は、前述したように、固相接合を前提としたものであって、バンプ９は金から構成されるものであり、この点において、半田バンプを備える半田バンプ電極構造に向けられる本件発明とは大きく相違している。

図７を参照して、第１および第２絶縁膜５および７の第１および第２開口部４および６の径は、電極パッド３の径よりかなり小さくされている。また、金バンプ９の寸法は、第１および第２開口部４および６の寸法よりはるかに大きく、電極パッド３の寸法とほぼ同じになっている。そのため、バリア層８は、開口部４および６だけでなく、第２絶縁膜７の上にも大きく張り出して形成されている。

バリア層８における電極パッド３を覆う領域は、金バンプ９と電極パッド３との相互拡散を防止するためのものであるとともに、金バンプ９と電極パッド３との密着性を向上させるためのものである。

これに対して、バリア層８における絶縁膜５および７上に形成されている部分は、金バンプ９と絶縁膜５および７との密着性を向上させるためのものである。そのため、厚みの比較的薄い第１絶縁膜５の第１開口部４を規定する端縁部１０には、特にスロープが付与される必要はなく、電極パッド３の主面に対して垂直に立ち上がる壁部を形成していてもよく、厚みの比較的厚い第２絶縁膜７の第２開口部６を規定する端縁部１１にスロープを付与して、バリア層８が形成されやすいようにすれば足りる。図７に示したバンプ電極構造１にあっては、段差が形成されることによるバリア層８の割れの問題などについては、全く考慮されていない。

これに対して、本件発明の場合には、ＵＢＭの周縁部が第１絶縁膜上ではなく第２絶縁膜上に位置するようにされているので、この点さえ満足すれば、ＵＢＭが第２絶縁膜上に大きく乗り上げて形成される必要はない。すなわち、ＵＢＭには半田バンプと第２絶縁膜との密着性向上の役割は特になく、そのため、第２絶縁膜上へのＵＢＭの乗り上げはわずかでもよく、前述したように、ＵＢＭの周縁部は、第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部に付与されたスロープ上に位置している。

しかも、第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部に付与されるスロープの傾斜は、第１絶縁膜の第１開口部を規定する端縁部に付与されるスロープの傾斜に比べると、それほど問題にする必要はない。仮に、第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部に付与されるスロープの傾斜が急峻で、この端縁部上でＵＢＭが割れるようなことがあっても、その下では、第２絶縁膜で保護されているばかりでなく、第１絶縁膜が存在するため、大きな問題となることはない。

この発明によれば、半田バンプを備える半田バンプ電極構造において、第１絶縁膜の第１開口膜を規定する端縁部および第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部にはスロープが付与されているので、ＵＢＭが部分的に薄くなったり、段差部分でＵＢＭが割れたりするといった問題を生じさせにくくすることができる。その結果、このような半田バンプ電極構造を備える電子部品素子の信頼性を確保することができる。

第１絶縁膜が、ＳｉＮ_x、ＳｉＯＮおよびＳｉＯ₂から選ばれた１種からなる無機材料膜を含み、かつ、第２絶縁膜が、ポリイミド、ＢＣＢおよびフッ素樹脂から選ばれた１種からなる有機材料膜を含む場合、通常の半導体工程で使用されている材料のみで、半田バンプ電極構造を実現することができる。

基板が化合物半導体からなる場合、電極パッドは、通常、Ａｕを含むが、半田バンプがＳｎを主成分とするとき、このＳｎはＡｕに非常によく浸透する。したがって、このような場合には、ＵＢＭに対して、より高い性能が要求され、この発明に係る半田バンプ電極構造による効果がより顕著に発揮されることになる。

第１絶縁膜の厚みが１００〜６００ｎｍの範囲にあり、第２絶縁膜の厚みが３〜１０μｍの範囲にあるとき、通常の半導体工程をそのまま適用して、この発明に係る半田バンプ電極構造を得ることができるので、コストの上昇を招くことなく、半田バンプ電極構造において十分な信頼性を確保することができる。

第１絶縁膜の第１開口部を規定する端縁部に付与されたスロープが、電極パッドの主面に対して４５度以下の角度をもって傾斜していると、第１絶縁膜への乗り上げによる段差部分でのＵＢＭの厚みの減少をより確実に生じさせにくくすることができ、より高い信頼性を確保することができる。

第１開口部の開口端と第２開口部の開口端との距離が３μｍ以上であると、第２絶縁膜への乗り上げによるＵＢＭの段差を、第１絶縁膜の第１開口部を規定する端縁部の近傍で生じさせないようにすることができる。そのため、第２絶縁膜への乗り上げによる段差部分においてＵＢＭの割れが生じたとしても、その下に、第１絶縁膜を確実に位置させることができ、その結果、より高い信頼性を確保することができる。

また、この発明によれば、第２絶縁膜は、ＵＢＭの周縁部が第１絶縁膜上に位置しないようにする機能を有しているので、ＵＢＭの周縁部は、第２絶縁膜の上に大きく乗り上げる必要はなく、第２絶縁膜の第２開口部を規定する端縁部に付与されたスロープ上に位置していている。したがって、ＵＢＭの面積を小さくすることができ、半田バンプの小型化、狭ピッチ化の容易性を期待することができる。

図１は、この発明の一実施形態による半田バンプ電極構造２１の断面構造を示す正面図である。

半田バンプ電極構造２１は、たとえば半導体ウエハをもって構成された基板２２上に形成された、たとえばＡｕを主成分とする電極パッド２３を備えている。

また、第１絶縁膜２４が、電極パッド２３の一部を露出させる第１開口部２５を形成した状態で電極パッド２３上に形成されている。第１絶縁膜２４は、たとえば、ＳｉＮ_x、ＳｉＯＮまたはＳｉＯ₂のような無機材料膜をもって構成される。また、第１絶縁膜２４は、その信頼性を確保するため、１００〜６００ｎｍの範囲の厚みとされることが好ましい。

第１絶縁膜２４上には、第２絶縁膜２６が、第１開口部２５を取り囲む第２開口部２７を形成した状態で形成されている。第２絶縁膜２６は、たとえば、ポリイミド、ＢＣＢまたはフッ素樹脂のような有機材料からなる膜をもって構成される。また、第２絶縁膜２６は、このような半田バンプ電極構造２１が採用される半導体装置またはＳＡＷフィルタのような電子部品素子の表面の保護を十分に行なうためには、３〜１０μｍの範囲の厚みとされることが好ましい。

ＵＢＭ２８は、第１開口部２５内および第２開口部２７内において電極パッド２３および第１絶縁膜２４を覆いかつ第２絶縁膜２６上に周縁部を位置させた状態で形成される。

ＵＢＭ２８は、図示しないが、電極パッド２３側から、接着層としての機能、バリア層としての機能、半田濡れ性を確保する機能（バリア層の酸化防止層としての機能）をそれぞれ持つ金属が積層された構造を有している。ここで、接着層としての機能を持つ金属としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ等が用いられ、バリア層としての機能を持つ金属としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ等の金属が用いられ、半田濡れ性確保のための機能を持つ金属としては、Ａｕ等が用いられる。

一例として、ＵＢＭ２８は、厚み５０〜３００ｎｍのＴｉ層、厚み３００〜２０００ｎｍのＮｉ層、厚み３００〜２０００ｎｍのＣｕ層および厚み５０〜３００ｎｍのＡｕ層からなる積層構造をもって構成される。

上述したＵＢＭ２８上には、ほぼ球状の半田バンプ２９が形成されている。半田バンプ２９は、好ましくは、Ｓｎを主成分とする組成を有している。

このような構造の半田バンプ電極構造２１において、第１絶縁膜２４の第１開口部２５を規定する端縁部３０および第２絶縁膜２６の第２開口部２７を規定する端縁部３１には、スロープが付与されていることを特徴としている。

特に、第１絶縁膜２４の第１開口部２５を規定する端縁部３０に付与されたスロープは、電極パッド２３の主面に対して４５度以下の角度をもって傾斜していることが好ましい。この角度が４５度を超えると、たとえば６０度以上になると、この端縁部３０がもたらす段差のために、ＵＢＭ２８にひびが入りやすくなり、十分な信頼性を確保できない場合があるからである。

また、第１開口部２５の開口端と第２開口部２７の開口端との距離Ｄは、３μｍ以上というように、より長い方が好ましい。このように、距離Ｄが３μｍ以上と長くされることにより、第２絶縁膜２６上に位置するＵＢＭ２８の周縁部を、第１絶縁膜２４の第１開口部２５を規定する端縁部３０からより離すことができ、したがって、ＵＢＭ２８が与える応力によって、第１絶縁膜２４が割れたり剥がれたりすることをより確実に防止できるからである。このことを立証するため、特定の条件下で実施した実験結果が表１に示されている。

表１には、環境試験の結果、故障した割合が百分率で示されている。

この実験例では、ＵＢＭ２８の直径を６８μｍに固定して、第１絶縁膜２４の開口径と第２絶縁膜２６の開口径とをそれぞれ変化させた場合の信頼性を評価している。

表１に示すように、「第２絶縁膜の開口径」が６７μｍのとき、ＵＢＭ２８の直径６８μｍより小さいため、第２絶縁膜２６上にＵＢＭ２８が乗り上げており、他方、「第２絶縁膜の開口径」が７１μｍ以上のとき、第２絶縁膜２６上にＵＢＭ２８が乗り上げていない。また、第１絶縁膜２４上にＵＢＭ２８が乗り上げている距離は、「第１絶縁膜の開口径」が大きくなるほど、小さくなっている。

表１から、第２絶縁膜２６上にＵＢＭ２８が乗り上げていない場合には、故障が発生していることがわかる。また、「第１絶縁膜の開口径」と「第２絶縁膜の開口径」との差が大きいほど、すなわち、第１絶縁膜２４上にＵＢＭ２８が乗り上げている距離が大きいほど、故障が少ないことがわかる。そして、表１に示した実験結果より、「第１絶縁膜の開口径」と「第２絶縁膜の開口径」との差が６μｍ以上のとき、すなわち、第１開口部２５の開口端と第２開口部２７の開口端との距離Ｄが、３μｍ以上であることが望ましいことがわかる。

次に、図２ないし図６を、図１とともに参照して、半田バンプ電極構造２１の製造方法について説明する。

まず、図２に示すように、基板２２上に、電極パッド２３が形成され、その上に、たとえばＳｉＮ_xで構成される第１絶縁膜２４が形成され、さらに、フォトリソグラフィにより、後述する第１開口部２５を形成するためのマスクレジスト３２が形成される。このマスクレジスト３２については、後で行なうエッチング条件に合わせて熱処理によりフローさせている。なお、次の工程であるエッチングをウェットエッチングまたは等方性ドライエッチングで行なう場合には、マスクレジスト３２をフローさせる必要はない。

次に、エッチングによって、第１絶縁膜２４におけるマスクレジスト３２から露出する部分が除去される。このエッチングとしては、ドライエッチングを適用しても、ウェットエッチングを適用しても、あるいは、これら双方を適用してもよい。ドライエッチングを実施する場合には、たとえば、ＲＩＥにてＣＦ₄＋Ｏ₂ガスにより、マスクレジスト３２とたとえばＳｉＮ_xからなる第１絶縁膜２４とを同時にエッチングすることで実現可能である。また、ウェットエッチングを適用する場合には、たとえばＢＨＦエッチング液にて等方性エッチングすることが可能である。

このようなエッチングにより、図３に示すように、第１絶縁膜２４に第１開口部２５が形成されるとともに、第１開口部２５を規定する端縁部３０にスロープが付与される。そして、エッチング完了後、同じく図３に示すように、マスクレジスト３２が除去される。

次に、図４に示すように、たとえば感光性ポリイミドを用いて、第２絶縁膜２６が形成され、フォトリソグラフィを適用することによって、第２開口部２７が形成される。その後、第２開口部２７を規定する端縁部を、たとえば熱処理し、フローさせることにより、この端縁部３１にスロープが付与される。なお、第２絶縁膜２６を構成する材料としては、ポリイミドのほか、ＢＣＢ、フッ素樹脂のように、フローさせることによりなだらかな形状となる材料であれば、他の材料を用いてもよい。

次に、図５に示すように、ＵＢＭ形成用のフォトレジスト３３が形成される。ＵＢＭ２８は、好ましくは、蒸着によって形成されるため、フォトレジスト３３は、リフトオフが可能な形状とされる。そのため、最も単純には、単層のレジストを逆テーパ形状に形成することが行なわれるが、その他、リフトオフが可能なレジスト形状を多層レジスト法により形成してもよい。

次に、同じく図５に示すように、蒸着により、ＵＢＭ２８が成膜される。ＵＢＭ２８は、前述したような積層構造を有していて、この積層構造を構成する各層が順次蒸着により形成される。なお、フォトレジスト３３上にも、ＵＢＭ２８と同じ組成の不要層３４が形成される。

次に、リフトオフ法により、有機溶剤を用いて、フォトレジスト３３が除去され、それによって不要層３４も除去され、その結果、図６に示すように、ＵＢＭ２８の形成を完了する。

次に、ＵＢＭ２８上に、半田バンプ２９が形成されたとき、図１に示すような半田バンプ電極構造２１が得られる。半田バンプ２９の形成には、たとえば、半田ペーストの印刷およびその溶融や半田ボールの接合を適用することができる。

前述したように、ＵＢＭ２８を蒸着により形成すれば、良好な精度をもってこれを形成することができ、また、スパッタリングやめっきによって形成する場合に比べて、工程数の削減および良好な再現性を得ることができる。

この発明の一実施形態による半田バンプ電極構造２１の断面構造を示す正面図である。図１に示した半田バンプ電極構造２１を得るために実施される工程を説明するための図１に対応する図である。半田バンプ電極構造２１を得るため、図２に示した工程の次に実施される工程を説明するための図１に対応する図である。半田バンプ電極構造２１を得るため、図３に示した工程の次に実施される工程を説明するための図１に対応する図である。半田バンプ電極構造２１を得るため、図４に示した工程の次に実施される工程を説明するための図１に対応する図である。半田バンプ電極構造２１を得るため、図５に示した工程の次に実施される工程を説明するためのもので、（ａ）は図１に対応する図であり、（ｂ）は平面図である。この発明にとって興味ある従来技術としての金バンプ９を備えるバンプ電極構造１の断面構造を示す正面図である。

符号の説明

２１半田バンプ電極構造
２２基板
２３電極パッド
２４第１絶縁膜
２５第１開口部
２６第２絶縁膜
２７第２開口部
２８ＵＢＭ
２９半田バンプ
３０，３１端縁部

Claims

基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドの一部を露出させる第１開口部を形成した状態で前記電極パッド上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１開口部を取り囲む第２開口部を形成した状態で前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第１開口部内および前記第２開口部内において前記電極パッドおよび前記第１絶縁膜を覆いかつ前記第２絶縁膜上に周縁部を位置させた状態で形成されたアンダーバリアメタルと、
前記アンダーバリアメタル上に形成された半田バンプと
を備え、
前記第１絶縁膜の前記第１開口部を規定する端縁部および前記第２絶縁膜の前記第２開口部を規定する端縁部には、スロープが付与されていて、
前記アンダーバリアメタルの前記周縁部は、前記第２絶縁膜の前記第２開口部を規定する端縁部に付与された前記スロープ上に位置している、
半田バンプ電極構造。
前記第１絶縁膜は、ＳｉＮ_x、ＳｉＯＮおよびＳｉＯ₂から選ばれた１種からなる無機材料膜を含み、かつ、前記第２絶縁膜は、ポリイミド、ＢＣＢおよびフッ素樹脂から選ばれた１種からなる有機材料膜を含む、請求項１に記載の半田バンプ電極構造。
前記基板は化合物半導体からなり、前記電極パッドはＡｕを含み、かつ、前記半田バンプはＳｎを主成分とする、請求項１または２に記載の半田バンプ電極構造。
前記第１絶縁膜は、厚みが１００〜６００ｎｍの範囲にあり、前記第２絶縁膜は、厚みが３〜１０μｍの範囲にある、請求項１ないし３のいずれかに記載の半田バンプ電極構造。
前記第１絶縁膜の前記第１開口部を規定する端縁部に付与された前記スロープは、前記電極パッドの主面に対して４５度以下の角度をもって傾斜している、請求項１ないし４のいずれかに記載の半田バンプ電極構造。
前記第１開口部の開口端と前記第２開口部の開口端との距離が、３μｍ以上である、請求項１ないし５のいずれかに記載の半田バンプ電極構造。