CN101868915B - 弹性波装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够使特性稳定的且具备保护膜的弹性波装置。弹性波装置(11)具备：(a)在基板(12)上形成有IDT电极(21)的弹性波元件；(b)按覆盖弹性波元件的方式所形成的保护膜(15)。保护膜(15)是以硅和氮为主要成分的氮化硅(SiNx)膜，在将硅和氮的组成比以1∶X来表示时X为1.15以下。

Description

弹性波装置
技术领域
本发明涉及一种弹性波装置，详细而言涉及弹性波装置的保护膜。
背景技术
以往，在半导体和弹性表面波装置等弹性波装置中，设置用于防止由湿气所引起的电极等之腐蚀的保护膜。
例如，在图7所示的弹性表面波装置中，公开了在底板(ベ一スプレ一ト)103上所搭载的基板101由保护膜108覆盖的结构。详细而言，在基板101形成有IDT电极等导电结构(未图示)。基板101上的导电结构由保护层108密封。基板101经由突起(バンプ)105与底板103的导体路径(導体路)104电连接。在基板101和底板103之间配置绝缘层106，在基板101和底板103的连接范围由树脂等形成包围框107(例如参照专利文献1)。
在保护膜中，使用例如氮化硅膜。通常，所谓氮化硅膜是指与化学计量比Si3N4所对应而使Si和N的组成比为3∶4的膜，以SiNx来表示时，X＝4/3＝1.33。
专利文献1：JP特表平11-510666号公报
但是，由于保护膜自身的因湿气所引起的氧化、吸湿，就使防止湿气进入的功能恶化。
尤其，在由微量的水分引起电极腐蚀和材料常数变化的弹性表面波装置中，虽然能够通过保护膜将IDT电极的腐蚀以某程度抑制，但是在保护膜中也有SAW能量分布，因此由于保护膜自身的因湿气所引起的材料常数之变化而使保护膜的声速变化从而特性恶化的问题就出现。
发明内容
本发明鉴于这些实情而作成的，提供一种能够使特性稳定的且具备保护膜的弹性波装置。
本发明为了解决上述问题，提供以下构成的弹性波装置。
弹性波装置具备：(a)在基板上形成有IDT电极的弹性波元件；(b)按照覆盖所述弹性波元件的方式形成的保护膜。所述保护膜是以硅和氮为主要成分的氮化硅膜，在将所述硅和所述氮的组成比以1∶X来表示时，所述X为1.15以下。
在上述结构中，弹性波元件是利用表面波(SAW)、边界波(境界波)等弹性波的元件。弹性波装置至少具备一个弹性波元件即可，也可以是在共用基板上具备了多个弹性波元件的装置或被小型化为晶片尺寸封装(CSP)的装置。
根据上述结构，保护膜的氮化硅膜以SiNx来表示时X≤1.15，若与
Figure GPA00001140397600021
Figure GPA00001140397600022
的通常氮化硅膜相比则硅的比率为相对大、氮的比率为相对小。使用这种富硅(シリコンリツチ)氮化硅膜时能够减小由湿度负载所引起的弹性波装置之特性恶化。
保护膜可以采用以下的各种情形。
一种情形是在所述弹性波元件中还具备：在含有所述IDT电极的所述基板上所形成的SiO2膜。所述保护膜从所述SiO2膜的上被形成。
另一种情形是在所述弹性波元件中还具备：按照在所述IDT电极上形成空间的方式设置在所述基板上的保护片材(カバ一シ一ト)。所述保护膜从所述保护片材上被形成。
其他的一种情形是所述弹性波元件中还具备：搭载多个所述弹性波元件的共用基板。所述保护膜按照覆盖所述共用基板上所搭载的多个所述弹性波元件的方式形成。
优选所述X超过1.00。
此时，以SiNX来表示保护膜的氮化硅膜时，1.00＜X≤1.15。若X＞1.00，则弹性波装置的初始特性之离散(ばらつき)小于在X≤1.00的情况下的离散。
优选所述X不足1.00。
此时，以SiNX来表示保护膜的氮化硅膜时，X＜1.00。若X＜1.00，则由湿度负载所引起的弹性波装置的频率特性之变动量小于在X≥1.00的情况下的变动量。
优选所述X不足0.60。
此时，由湿度负载所引起的频率特性之变动量和其标准偏差σ都成为优选状态。
更优选所述X超过0.2。
此时，以SiNx来表示保护膜的氮化硅膜时，X＞0.2。若X＞0.2，则能够简单地形成保护膜的氮化硅膜。
优选所述X不足0.60且超过0.2。
此时，综合考虑由湿度负载所引起的频率特性之变动量、其变动量之标准偏差σ、初始特性的测量值之标准偏差，对于某种用途而言，成为优选状态。
优选所述X为0。
此时，能够使由湿度负载所引起的频率特性之变动量最小。
根据本发明，通过将保护膜所使用的氮化硅膜采用富硅氮化硅膜，从而能够防止保护膜的功能降低且使弹性波装置的特性稳定。
附图说明
图1是弹性波装置的剖面图。(实施例1)
图2是弹性波装置的剖面图。(实施例2)
图3是弹性波装置的剖面图。(实施例3)
图4是表示由湿度负载所引起的频率变动量与组成比之关系的图表。(实施例1)
图5是表示由湿度负载所引起的频率变动量的σ与组成比之关系的图表。(实施例1)
图6是表示初始频率的离散与组成比之关系的图表。(实施例1)
图7是弹性波装置的剖面图。(现有例)
图中：10-弹性波装置，10a-电子部件，11-弹性波装置，12-基板，12a-下表面，12b-侧面，15-保护膜，18-保护膜，20、21-IDT电极，30-弹性波装置，34-保护膜。
具体实施方式
以下，参照图1～图6对本发明的实施方式进行说明。
<实施例1>参照图1对实施例1的弹性波装置11进行说明。
图1是实施例1的弹性波装置11的剖面图。
如图1中所示，弹性波装置11在基板12的下表面12a具备：梳齿状的IDT电极21、焊盘23、和弹性波元件，该弹性波元件形成有导电图案，该导电图案含有配线图案(未图示)。弹性波装置11例如为弹性表面波装置(SAW器件)，就基板12而言使用LiTaO3、LiNbO3等压电基板，弹性波元件形成弹性表面波元件。
在压电基板12的下表面12a整体上不仅包括IDT电极21并且由SiO2膜13覆盖。该SiO2膜是为了调整温度特性而形成的。在SiO2膜13的外侧形成有保护膜15。由保护膜15保护IDT电极21。在弹性波装置为弹性表面波装置(SAW器件)的情况下，能够通过调整保护膜15的厚度而对频率特性进行调整。
保护膜15是通过对基于等离子体CVD法等的成膜时的成膜条件进行调整而按照富硅(シリコンリツチ)的方式所形成的氮化硅膜。
通常所谓“氮化硅膜”是指与化学计量比Si3N4所对应而使Si和N的组成比为3∶4的膜，在将Si和N的组成比以1∶X来表示时，即以SiNx来表示时实际上是
Figure GPA00001140397600041
的膜。
相对于此，弹性波装置11的保护膜15是富硅氮化硅膜，若与通常组成比的氮化硅膜相比则其硅成分的比率相对大、氮成分的比率相对小。即，保护膜15按照与通常的成膜条件下所形成的氮化硅膜
Figure GPA00001140397600042
相比显然X变小、例如X≤1.15的方式形成富硅氮化硅。
与通常组成比的氮化硅膜相比，就保护膜15中所使用的富硅氮化硅膜而言，在湿中气氛中的保护膜15的氧化会被抑制，且对透湿的抑制效果较高。由于对透湿的抑制效果较高，因此对在保护膜15内部形成的IDT电极21等的因湿气所引起的变化之抑制效果较高。另外，保护膜15自身的氧化会被抑制，保护膜功能的时效变化较小。在弹性波装置11为弹性表面波装置(SAW器件)的情况下，由于保护膜15自身的氧化得以抑制，因此保护膜15的声速变化较小且特性的时效变化也较小。
因此，能够使弹性波装置11的特性稳定。
<制作例>以下参照图4～图6对弹性波装置11的制作例进行说明。
在压电基板上使金属膜图案化(パタ一ニング)而形成弹性表面波(SAW)滤波器，就保护膜15而言通过将富硅氮化硅膜由等离子体CVD法在成膜温度150℃下进行形成。制作氮和硅的组成比1∶X是不同的膜，并进行了湿度负载试验。通过卢瑟福背散射分光法(RBS；Rutherford backscattering method)对元素的浓度进行测定而求出了氮和硅的组成比1∶X。
对保护膜15的氮化硅膜的氮和硅的组成比为不同的样品，在湿度负载试验的前后对频率进行了测量。湿度负载试验的条件是：温度为85℃，相对湿度为85％。
图4～图6中表示X≥0的测定结果。这些结果均为在成膜温度＝150℃下测定的值(换算值)。
图4是表示由湿度负载所引起的频率特性之变动量(湿度负载试验前后的频率特性之差)的图表。在图4中，横轴是将氮化硅膜的氮和硅之组成比设为1∶X时的X，纵轴是由湿度负载所引起的频率特性之变动量(湿度负载试验前后的频率特性之差)。图中“◆”表示‘由湿度负载所引起的变动量之平均值’。“□”表示‘(由湿度负载所引起的变动量)+3σ。“△”表示‘(由湿度负载所引起的变动量)-3σ。σ为标准偏差。
就SAW滤波器而言，虽然由于耐电力和温度、湿度等各种环境负载而其频率发生变动，但作为根据即使施加其环境负载也能够满足作为滤波器的目标特性之变动量所导出的值，优选频率特性之变动量的绝对值为3.5MHz以下。将该条件，这里称为“耐环境负载条件”。
如从图4中所知，若X≤1.15，则由湿度负载所引起的频率特性之变动量处于-3.5MHz～+1.00MHz范围内，且频率特性之变动量的绝对值成为3.5MHz以下，因此满足上述的耐环境负载条件。
图5是表示由湿度负载所引起的频率特性之变动量的标准偏差σ的图表。在图5中，与图4一样其横轴为X，而纵轴是由湿度负载所引起的频率特性之变动量的标准偏差σ。如从图5中所知，X越小则σ就越小。若X＜1.00，则与X≥1.00的情况相比σ变得小、且由湿度负载所引起的频率特性之变动量变得小，因此优选。而且，若X不足0.60，则由湿度负载所引起的频率特性之变动量和其标准偏差σ都成为更优选的状态。
尤其，若X＝0，则σ能够成为最小且由湿度负载所引起的频率特性之变动量成为最小，因此更优选。另外，当X＝0时，保护膜在广义上是氮化硅膜，而在狭义上是硅膜。
图6是表示初始特性(湿度负载试验前的频率特性)之测定值的标准偏差σ的图表。在图6中，与图4一样其横轴为X，而纵轴为初始特性(湿度负载试验前的频率特性)之测定值的标准偏差σ。如从图6中所知，X越大则σ就越小，并且初始特性的离散变小。当X＞1.00时，初始特性的离散就小于在X≤1.00情况下的离散，因此优选。另外，当X＞1.00时，σ大致恒定，并且不论X变动多少也对初始特性的离散都没有影响，因此制造变得简单。
另外，综合考虑由湿度负载所引起的频率特性之变动量、其变动量之标准偏差σ、初始特性之测定值的标准偏差，对于某种用途而言，优选X不足0.60且超过0.2。
另外，仅将成膜温度从150℃改变到220℃、260℃、290℃而进行同样的试验，其结果，越是成膜温度高于150℃，而频率变动量(标准偏差σ)绝对值就越小。因此(a)若X≤1.15，则满足耐环境负载条件，所以优选；(b)若X＜1.00，则由湿度负载所引起的频率特性之变动量变小，因此优选；(c)当X＞1.00时，因为初始特性的离散变小，所以优选。以上这些情形不会改变。
<实施例2>参照图2对实施例2的弹性波装置进行说明。
图2是实施例2的弹性波装置10的剖面图。如图2中所示，弹性波装置10在基板12的下表面12a具备：IDT电极20和焊盘22、由金属膜等形成有未图示的配线图案的弹性波元件。
基板12的下表面12a隔着在IDT电极20的周围由绝缘材料形成的支承层14被绝缘膜等片材16覆盖。
在片材16的外侧形成有保护膜18。保护膜18从片材16上至基板12的侧面12b为止以连续延伸的方式形成。即，在从圆晶状态的集合基板所分割的个片上使保护膜18成膜。由该保护膜18密封弹性膜元件的IDT电极20。
在保护膜18的外侧由焊锡等形成突起26。突起26经由在支承层14、片材16以及保护膜18所形成的贯通孔内所配置的柱状(ビア)导体24与焊盘22电连接。
保护膜18与实施例1一样是以富硅的方式所形成的氮化硅膜。即，就保护膜18而言，在将Si和N的组成比以1∶X来表示时，例如成为X≤1.15。
与通常组成比的氮化硅膜相比，就保护膜18所使用的富硅氮化硅膜而言，在湿中气氛中保护膜18的氧化会被抑制，且对透湿的抑制效果较高。由于对透湿的抑制效果较高，因此对在保护膜18内部所形成的IDT电极20等的因湿气所引起的变化的抑制效果较高。另外，保护膜18自身的氧化会被抑制，且保护膜功能的时效变化较小。
因此，能够使弹性波装置10的特性稳定。
<实施例3>参照图3对实施例3的弹性波装置30进行说明。
如图3的剖面图中所示，就实施例3的弹性波装置30而言，在共用基板40上通过焊锡等导电构件36安装有电子部件10a。电子部件10a由保护树脂32包围。例如，在环氧等半硬化片材的保护树脂32中埋入电子部件10a。
在保护树脂32的外表面整体上，形成富硅氮化硅膜作为保护膜34。保护膜34从保护树脂32上至共用基板40的侧面41为止连续地延伸。
在共用基板40上安装的电子部件10a能够形成与实施例2的弹性波装置10大致一样的结构，但电子部件10a由保护膜34密封，因此在电子部件10a的自身上不设置实施例2的弹性波装置10那样的保护膜18也可。
共用基板40是例如层叠有多个层的层叠基板，在一个主面上形成导电图案42和抗蚀剂图案43，在另一个主面上形成外部电极46。在共用基板40的内部形成有按贯通各层的方式使层间连接的层间连接导体44、和在层间所配置的内部配线图案45等。
就弹性波装置30的保护膜34所使用的富硅氮化硅膜而言，与通常组成比的氮化硅膜相比，在湿中气氛中的保护膜34的氧化会被抑制，且抑制透湿的效果较高。由于抑制透湿的效果较高，因此对保护膜34内部的因湿气所引起的变化的抑制效果较高。另外，保护膜34自身的氧化会被抑制，且保护膜功能的时效变化较小。
因此，就保护膜34内部所配置的电子部件10a等而言，由湿气所引起的变化的效果抑制较高。
<总结>如以上所说明，通过将弹性波装置的保护膜所使用的氮化硅膜采用富硅氮化硅膜，由此能够防止保护膜的功能降低、并使弹性波装置的特性稳定。
另外，本发明并不限于上述的实施方式，可以增加各种变形而进行实施。

Claims (10)

1.一种弹性波装置，其特征在于，具备：
弹性波元件，其在基板上形成有IDT电极；
保护膜，其按照覆盖所述弹性波元件的方式形成，
所述弹性波元件还具备：在含有所述IDT电极的所述基板上所形成的SiO2膜，所述保护膜从所述SiO2膜上被形成，
所述保护膜是以硅和氮为主要成分的氮化硅膜，在所述硅和所述氮的组成比以1∶X来表示时，所述X为1.15以下，以使所述保护膜的声速变化得到抑制。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
所述弹性波元件还具备：按照在所述IDT电极上形成空间的方式设置在所述基板上的保护片材，
所述保护膜从所述保护片材上被形成。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于，
还具备：搭载多个所述弹性波元件的共用基板，
所述保护膜按照覆盖所述共用基板上所搭载的多个所述弹性波元件的方式形成。
4.根据权利要求2所述的弹性波装置，其特征在于，
还具备：搭载多个所述弹性波元件的共用基板，
所述保护膜按照覆盖所述共用基板上所搭载的多个所述弹性波元件的方式形成。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X超过1.00。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X不足1.00。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X不足0.60。
8.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，
所述X超过0.2。
9.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，所述X不足0.60且超过0.2。
10.根据权利要求1～4中任意一项所述的弹性波装置，其特征在于，所述X为0。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9142804B2 (en) * 2010-02-09 2015-09-22 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device including barrier layer and method of manufacturing the same
JP5501792B2 (ja) * 2010-02-22 2014-05-28 京セラ株式会社 弾性波装置及びその製造方法
US8638318B2 (en) * 2010-05-28 2014-01-28 Elo Touch Solutions, Inc. Multi-layer coversheet for saw touch panel
US9293684B2 (en) * 2011-07-29 2016-03-22 Kyocera Corporation Electronic part comprising acoustic wave device
US9680445B2 (en) * 2014-10-31 2017-06-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device including cavity package with elastic layer within molding compound
JP2019145895A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP2019145886A (ja) * 2018-02-16 2019-08-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1412945A (zh) * 2001-10-17 2003-04-23 株式会社村田制作所 声表面波装置及其制造方法
CN1518213A (zh) * 2003-01-28 2004-08-04 富士通媒体部品株式会社 表面声波器件及其制造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4978879A (en) * 1988-07-27 1990-12-18 Fujitsu Limited Acoustic surface wave element
JPH0442604A (ja) 1990-06-08 1992-02-13 Clarion Co Ltd 弾性表面波コンボルバ
US5846708A (en) * 1991-11-19 1998-12-08 Massachusetts Institiute Of Technology Optical and electrical methods and apparatus for molecule detection
JP2740722B2 (ja) 1992-06-29 1998-04-15 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH07254835A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波共振子フィルタ
JPH0878719A (ja) * 1994-09-01 1996-03-22 Nec Corp 光電変換素子
EP0900477B1 (de) 1996-05-24 2001-07-18 Epcos Ag Elektronisches bauelement, insbesondere mit akustischen oberflächenwellen arbeitendes bauelement - ofw-bauelement
JPH1131759A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Sony Corp 吸湿保護膜を有する実装回路基板及び実装回路基板の吸湿保護膜形成方法
JP3514361B2 (ja) * 1998-02-27 2004-03-31 Ｔｄｋ株式会社 チップ素子及びチップ素子の製造方法
KR100280106B1 (ko) 1998-04-16 2001-03-02 윤종용 트렌치 격리 형성 방법
JP3303788B2 (ja) * 1998-08-31 2002-07-22 日本電気株式会社 半導体集積回路の電極構造の製造方法
JP2001044787A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP3376994B2 (ja) * 2000-06-27 2003-02-17 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
JP2002151997A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Mitsubishi Electric Corp 弾性波装置
JP4691787B2 (ja) * 2001-01-15 2011-06-01 パナソニック株式会社 Ｓａｗデバイス
WO2002082644A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-17 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Dispositif d'onde acoustique et procede de fabrication correspondant
JP3912653B2 (ja) * 2001-09-25 2007-05-09 Ｔｄｋ株式会社 弾性表面波装置
US20030062969A1 (en) 2001-09-25 2003-04-03 Tdk Corporation Saw element and saw device
US7282835B2 (en) * 2003-06-26 2007-10-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave element
JP2005102098A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Kyocera Corp 高周波モジュール及びそれを用いた無線通信装置
JP4360293B2 (ja) 2004-07-02 2009-11-11 株式会社村田製作所 半田バンプ電極構造
JP2006279609A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Fujitsu Media Device Kk 弾性境界波素子、共振子およびラダー型フィルタ
KR100672829B1 (ko) * 2005-08-31 2007-01-22 삼성전자주식회사 전하 트랩 절연체의 제조 방법 및 소노스 타입의 비휘발성메모리 장치의 제조방법
JP4585419B2 (ja) * 2005-10-04 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP2007110342A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Kyocera Corp 弾性表面波素子及びその製造方法
JP4975377B2 (ja) * 2006-06-06 2012-07-11 太陽誘電株式会社 弾性境界波素子、共振器およびフィルタ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1412945A (zh) * 2001-10-17 2003-04-23 株式会社村田制作所 声表面波装置及其制造方法
CN1518213A (zh) * 2003-01-28 2004-08-04 富士通媒体部品株式会社 表面声波器件及其制造方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2001-44787A 2001.02.16
JP特开平11-31759A 1999.02.02
JP特开平7-254835A 1995.10.03

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