CN113691229B - 声学装置封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种声学装置封装结构，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；声学装置，与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；凸块，所述声学装置所述通过所述凸块设置在所述电路基板的第一表面；封装单元，包围所述声学装置的外表面，并设置在所述电路基板的第一表面上，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块；还包括接合层，设置在所述封装单元与所述电路基板的第一表面相接触的区域内，用于将所述封装单元接合在所述电路基板的第一表面上。根据本发明的声学装置封装结构，能够提高导热树脂与基板之间密封性能，提高声学装置的屏蔽性能，从而提高声学装置的工作稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波技术领域，具体而言，涉及一种声学装置封装结构。
背景技术
近年来，功能元件等的芯片通过凸块设置在布线板上，芯片与布线板之间保持中空而密封，此类电子部件在以手机为首的各种电子设备中被广泛使用。典型地，这包括表面声波(SAW)滤波器，表面声波传感器、双工器、多工器、晶体振子，压电振子等。对于这样的电子元件，功能元件的上表面不被树脂密封，例如，SAW滤波器表面具有IDT电极，IDT电极表面非常敏感，如果密封树脂或基板面与IDT电极接触，则SAW滤波器无法正常工作，必须在保持IDT电极表面中空的情况下进行树脂密封，因此倒装芯片封装技术成为包括SAW滤波器的电子部件的主流封装技术。
SAW滤波器对工作表面洁净度要求很高，通常是对裸芯片进行单独的封装。同时SAW滤波器的密封性对它的性能很重要，如果有水汽进入，对滤波效果会产生很大影响。而目前的封装都是直接注塑封装，一般采用环氧树脂密封。SAW滤波器工作时会产生大量热能，环氧树脂密封需要具备良好的导热能力，一般通过加入导热填料改善散热问题，例如加入质量分数50％以上的导热填料，但是，过多的导热填料会降低SAW滤波器的密封性。
发明内容
为了解决现有技术中的相关问题，本发明提供了一种声学装置封装结构，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；声学装置，与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；凸块，所述声学装置所述通过所述凸块设置在所述电路基板的第一表面；封装单元，包围所述声学装置的外表面，并设置在所述电路基板的第一表面上，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块；还包括接合层，设置在所述封装单元与所述电路基板的第一表面相接触的区域内，用于将所述封装单元接合在所述电路基板的第一表面上。
进一步，还包括包覆层，设置在所述声学装置的外表面和所述封装单元之间，覆盖所述声学装置的外表面。
其中，所述接合层和所述包覆层为一体形成。
其中，所述接合层和所述包覆层为热固性树脂或热塑性树脂。
其中，所述接合层和所述包覆层为环氧树脂或聚酰亚胺。
进一步地，所述接合层的厚度和所述包覆层的层厚不同。
进一步地，所述接合层的厚度和所述包覆层的层厚在10um～100um之间。
其中，还包括屏蔽层，与所述接合层和所述包覆层平行设置。
其中，所述屏蔽层设置在所述接合层和所述包覆层的面向所述电路基板的第一表面的一侧。
其中，所述接合层在延所述电路基板的周向方向上设置有过孔，所述屏蔽层通过所述过孔与接地电极电连接。
其中，所述屏蔽层为连续的屏蔽网络结构，为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。
其中，所述屏蔽层包括第一屏蔽填料和第二屏蔽填料，所述第一屏蔽填料与所述第二屏蔽填料的形状或粒径不同。
进一步地，所述声学装置包括第一声学装置和第二声学装置，所述第一声学装置与所述第二声学装置之间设置间隔件，所述中空结构容置所述第一声学装置、所述第二声学装置、所述间隔件和所述凸块，所述第一封装单元位于所述凸块在所述电路基板的第一表面的正投影与第一表面的边缘围成的区域之间。
其中，所述间隔件为环氧树脂件。
进一步地，所述间隔件为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板的第一表面接触的区域内设置金属膜。
再进一步地，一种声学装置封装工艺，包括如下步骤：将声学装置通过凸块贴装在电路基板的第一表面上；在电路基板的第一表面上，所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域，以及所述声学装置背离所述电路基板的第一表面的外周区域，覆盖屏蔽层，所述屏蔽层与接地电极电连接；在所述屏蔽层的外侧通过高温烘烤硬化形成接合层；在所述接合层外侧覆盖封装单元，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块。
更进一步地，一种声学装置封装工艺，包括如下步骤：将声学装置通过凸块贴装在电路基板的第一表面上；在电路基板的第一表面上，所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域，覆盖接合层，并进行高温烘烤硬化；对所述接合层进行切割，形成过孔；在所述接合层背离所述电路基板的第一表面的外侧，通过溅镀形成屏蔽层，所述屏蔽层通过所述过孔与接地电极电连接；在所述屏蔽层外部覆盖封装单元，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块。
根据本发明的声学装置封装结构，能够提高导热树脂与基板之间密封性能，提高声学装置的屏蔽性能，从而提高声学装置的工作稳定性。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是根据本发明实施例一的声学装置封装结构的示意图。
图2是根据本发明实施例二的声学装置封装结构的示意图。
图3是根据本发明实施例三的声学装置封装结构的示意图。
图4是根据本发明实施例三的声学装置封装结构进一步改进方案的示意图。
图5是根据本发明实施例四的声学装置封装结构的示意图。
图6是根据本发明实施例四的声学装置封装结构进一步改进方案的示意图。
图7是根据本发明实施例五的声学装置模块封装结构的示意图。
图8是根据本发明对实施例五的进一步改进的声学装置模块封装结构的示意图。
图9是根据本发明一实施方式的声学装置封装工艺流程图。
图10是根据本发明又一实施方式的声学装置封装工艺流程图。
附图标记：
1、101、21-电路基板
11-第一表面
12-第二表面
2-声学装置
201、301-第一声学装置
202、302-第二声学装置
203、303-间隔件
3、33-凸块
4、14、24、34-接合层
5-中空结构
6、26、36-封装单元
7、107、307-包覆层
8、108-屏蔽层
9-过孔
109-电极
具体实施方式
为了可以更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
实施例一
如图1所示，本实施例提供一种声学装置封装结构，包括电路基板(1)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)；声学装置(2)，与所述电路基板(1)的第一表面(11)之间形成间隙；凸块(3)，声学装置所述通过凸块(3)设置在所述电路基板(1)的第一表面(11)；封装单元(6)，包围所述声学装置(2)的外表面，并设置在所述电路基板(1)的第一表面(11)上，所述封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)围成中空结构(5)，容置所述声学装置(2)和所述凸块(3)。声学装置可以为SAW、BAW、XBAR等，采用倒装芯片封装方式封装该声学装置，具有IDT电极的一面设置在声学装置与电路基板的第一表面之间形成的间隙中，从而避免密封材料如树脂等或基板面与IDT电极接触，进而避免对敏感的IDT电极造成影响。其中电路基板为常用的电路板如PCB或者其他形式的多层布线电路板，本发明不限于此。
声学装置如SAW或BAW滤波器的屏蔽性对它的性能很重要，外界的电信号、磁场信号等干扰会对滤波器造成干扰，对产品的频率特性造成影响。如果有信号干扰，对滤波效果会产生很大影响。在声学装置封装结构中，通常会在封装单元(6)中添加一定成分的屏蔽材料，以实现有效的屏蔽。这样就会使得封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)相接触的区域，由于结合不紧密而产生气泡或者空隙，由此会导致声学装置在长时间工作中，不可避免地有水汽、灰尘等进入中空结构(5)中，进而影响IDT电极工作。
该声学装置封装结构，还包括接合层(4)，设置在所述封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)相接触的区域内，接合层(4)能够将所述封装单元(6)接合在所述电路基板(1)的第一表面(11)上。通过此结构设置，可以使得封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)之间的无空隙接触，接合面更紧密，从而有效避免水汽、灰尘等进入中空结构(5)中影响IDT电极工作，进而使得声学装置(2)工作更稳定。接合层(4)可以为热固性树脂或热塑性树脂，也可以为环氧树脂或聚酰亚胺。具体层厚根据声学装置(2)和封装单元(6)的尺寸做具体设计，例如可以在10um～100um之间，具体根据凸块尺寸进行合理调节，涂覆之后进行高温烘烤硬化。
本发明的凸块，通常采用导电性能良好的金属制成，例如金，以使得电路基板与声学装置(2)之间形成良好的电连接。凸块除了具有电连接作用之外，还具有散热作用。在图1示出的声学装置封装结构中，为清楚起见，凸块的形状为球形，在实际结构中，凸块形状还可以设计为圆柱形、棱柱形等易于加工实现的形状，凸块的数量可以设置为4个或6个。但本发明不限于此。
实施例二
由于封装单元(6)中通常会添加一定成分的屏蔽材料，以实现有效的屏蔽，这样不仅会使得封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)相接触的区域，由于结合不紧密而产生气泡或者空隙，同时也会使得封装单元(6)与声学装置(2)的外表面(也即声学装置(2)的顶面和侧面，也即除了面向第一表面(11)的设置有IDT面之外的其他表面)在相接合时，由于结合不紧密而产生气泡或者空隙。由此会导致声学装置在长时间工作中，不可避免地有水汽、灰尘等，从封装单元(6)的外部，进入封装单元(6)与声学装置(2)之间，进一步进入中空结构(5)中，进而影响IDT电极工作。
如图2所示，本实施例提供一种声学装置封装结构，包括电路基板(1)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)；声学装置(2)，与所述电路基板(1)的第一表面(11)之间形成间隙；凸块(3)，所述声学装置所述通过所述凸块(3)设置在所述电路基板(1)的第一表面(11)；封装单元(6)，包围所述声学装置(2)的外表面，并设置在所述电路基板(1)的第一表面(11)上，所述封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)围成中空结构(5)，容置所述声学装置(2)和所述凸块(3)；接合层(4)，设置在所述封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)相接触的区域内，用于将所述封装单元(6)接合在所述电路基板(1)的第一表面(11)上。还包括包覆层(7)，设置在所述声学装置(2)的外表面和所述封装单元(6)之间，覆盖所述声学装置(2)的外表面。
本实施例中，通过接合层(4)和包覆层(7)，能够将声学装置(2)的除设置有IDT电极的面之外的其他表面全面覆盖，进而有效将声学装置(2)与外界环境隔绝，使得声学装置(2)得到更加全面的保护。同时，包覆层(7)将声学装置(2)与封装单元(6)接合的更加紧密，因此声学装置(2)的热量可以更好地传给给封装单元(6)，从而提供了更好的散热效果。而传统的封装结构中，仅有凸块起到散热作用，将声学装置工作时产生的热量传递到电路基板上，这样的散热效率有限，而且将热量传递到电路基板上也会加重电路基板本身的散热负担。在本实施例的声学装置封装结构中，兼有信号屏蔽和导热功能的封装单元(6)，通过包覆层(7)，使得SAW滤波器外表面与封装单元(6)的紧密结合，防止直接结合时，因为封装单元(6)中的导热粒子无法紧密结合，进而导致长时间工作时，SAW滤波器表面与封装单元(6)开裂，引起器件失效。封装单元(6)中含有导热性良好的金属、金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物或者非金属化合物，例如为石墨烯等，室温热导率例如可以为4W/mK以上，本发明不限于此。
本实施例中，接合层(4)和所述包覆层(7)可以分别形成，也可以一体形成，当然分别形成工艺相对较复杂，一体形成保护效果更好。材料方面，接合层(4)和所述包覆层(7)为热固性树脂或热塑性树脂，也可以为环氧树脂或聚酰亚胺。接合层(4)和所述包覆层(7)的材料可以相同也可以不同，考虑到一体形成保护效果更好，可以采用相同材料。厚度方面，接合层(4)和所述包覆层(7)的层厚可以相同，也可以不同，具体层厚根据声学装置(2)和封装单元(6)的尺寸做具体设计，例如可以在10um～100um之间，具体尺寸可根据凸块尺寸进行合理调节，涂覆之后进行高温烘烤硬化。
实施例三
声学装置如SAW的屏蔽性对它的性能很重要，外界的电信号、磁场信号等干扰会对滤波器造成干扰，对产品的频率特性造成影响。如果有信号干扰，对滤波效果会产生很大影响。在声学装置封装结构中，通常会在封装单元(6)中添加一定成分的屏蔽材料，以实现有效的屏蔽，因此，本发明提出在声学装置封装结构的内部，在保证与外界环境相隔离的同时，还能设置信号屏蔽模块，以减少外界电信号、磁场信号等的干扰。
如图3所示，本实施例提供一种声学装置封装结构，包括电路基板(1)，具有相对的第一表面(11)和第二表面(12)；声学装置(2)，与所述电路基板(1)的第一表面(11)之间形成间隙；凸块(3)，所述声学装置所述通过所述凸块(3)设置在所述电路基板(1)的第一表面(11)；封装单元(6)，包围所述声学装置(2)的外表面，并设置在所述电路基板(1)的第一表面(11)上，所述封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)围成中空结构(5)，容置所述声学装置(2)和所述凸块(3)；接合层(4)，设置在所述封装单元(6)与所述电路基板(1)的第一表面(11)相接触的区域内，用于将所述封装单元(6)接合在所述电路基板(1)的第一表面(11)上；包覆层(7)，设置在所述声学装置(2)的外表面和所述封装单元(6)之间，覆盖所述声学装置(2)的外表面。还包括屏蔽层(8)，与所述接合层(4)和所述包覆层(7)平行设置。本实施例中，屏蔽层(8)设置在所述接合层(4)和所述包覆层(7)的背向所述电路基板(1)的第一表面(11)的一侧。
如图4所示，接合层(4)在延所述电路基板(1)的周向方向上设置有过孔(9)，所述屏蔽层(8)通过所述过孔(9)与接地电极电连接。接地电极有多种形式，例如可以为接地探针，用于将封装单元(6)或者屏蔽层(8)中的干扰信号引出到电路基板之外，避免电荷聚集在封装单元(6)或者屏蔽层(8)中。接地电极在电路基板中的路径沿水平或者竖直方向延伸设置，贯穿所述电路基板，但本发明不限于此。
结构方面，所述屏蔽层(8)可以为连续的屏蔽网络结构，为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。材料方面，屏蔽层(8)包括第一屏蔽填料和第二屏蔽填料，所述第一屏蔽填料与所述第二屏蔽填料的形状或粒径不同。屏蔽填料可以由金属等能够屏蔽外界电场、磁场信号的材质制备，也可以由在环氧树脂层中添加屏蔽填料形成。由此屏蔽层(8)将声学装置包覆起来，能够够更好地屏蔽外界的电场、磁场信号对声学装置的影响。
实施例四
本发明可以对实施例三做进一步改进，本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例的声学装置封装结构与实施例三的声学装置封装结构类似，区别在于在本实施例中，屏蔽层(108)设置在所述接合层(14)和所述包覆层(107)的面向所述电路基板(101)的第一表面的一侧，如图5所示。这样同样可以起到与实施例三相同的隔离和屏蔽效果，但好处在于，进一步满足了到工艺简化的需求。
在安装本实施例的产品时，如图6所示，屏蔽层(108)设置在所述接合层(14)和所述包覆层(107)的内侧，由此屏蔽层(108)可以直接与接地电极(109)电连接，而无需通过实施例三的过孔(9)，因而简化了加工工艺，在实现屏蔽性的同时，能够进一步提高对声学装置的信号屏蔽能力，提高声学装置的产品的频率特性以及工作稳定性。
实施例五
将本发明的发明思路可以应用于声学装置模块的封装中，如图7所示，声学装置模块封装结构，声学装置(2)包括第一声学装置(201)和第二声学装置(202)，所述第一声学装置(201)与所述第二声学装置(202)之间设置间隔件(203)，所述中空结构容置所述第一声学装置(201)、所述第二声学装置(202)、所述间隔件(203)和所述凸块(23)。间隔件(203)为环氧树脂件。在一具体实施方式中，间隔件(203)为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板(21)的第一表面接触的区域内设置金属膜。
与前面实施例相同，在封装单元中通常会添加一定成分的屏蔽材料，以实现有效的屏蔽。这样就会使得封装单元与所述电路基板的第一表面相接触的区域，由于结合不紧密而产生气泡或者空隙。本模块封装结构中，将接合层(24)设置在所述封装单元(26)与所述电路基板(21)的第一表面相接触的区域内，接合层(24)能够更好地将所述封装单元(26)接合在所述电路基板(21)的第一表面上。通过此结构设置，可以使得封装单元(26)与所述电路基板(21)的第一表面之间的无空隙接触，接合面更紧密，从而有效避免水汽、灰尘等进入中空结构中影响IDT电极工作，进而使得声学装置工作更稳定。接合层(24)的结构、材质和尺寸设计与实施例一中的相同，在此不再赘述。
作为对实施例五的进一步改进，如图8所示，声学装置模块封装结构，声学装置包括第一声学装置(301)和第二声学装置(302)，所述第一声学装置(301)与所述第二声学装置(302)之间设置间隔件(303)，所述中空结构容置所述第一声学装置(301)、所述第二声学装置(302)、所述间隔件(303)和所述凸块(33)。间隔件(303)为环氧树脂件。还包括包覆层(307)，设置在所述声学装置模块的外表面和所述封装单元(36)之间，覆盖所述声学装置模块的外表面。通过接合层(34)和包覆层(307)，能够将声学装置模块的除设置有IDT面之外的其他表面全面覆盖，进而有效将声学装置模块与外界环境隔绝，使得声学装置模块得到更加全面的保护。同时，声学装置模块的热量可以更好地传给给封装单元(36)，从而提供了更好的散热效果。本实施例中，接合层(34)和所述包覆层(307)可以分别形成，也可以一体形成，当然一体形成虽然工艺相对较复杂，但是保护效果更好。材料、厚度等方面，设计与实施例二中的相同，在此不再赘述。
本实施例提供的声学装置模块封装结构集成有两个声学装置，能够缩小封装尺寸，提高集成度，更好地满足目前5G的小型化需求，并且提高对声学装置的隔离和屏蔽性能，提高产品的工作稳定性和频率特征，进而延长器件寿命。
实施例六和实施例七给出了与声学装置封装工艺相关的示例性技术方案：
实施例六
本发明还提供了与实施例四中的声学装置封装结构相关的封装工艺，如图9所示，包括如下步骤：将声学装置通过凸块贴装在电路基板的第一表面上(a1)；在电路基板的第一表面上，所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域，以及所述声学装置背离所述电路基板的第一表面的外周区域，覆盖屏蔽层(a2)，所述屏蔽层与接地电极电连接；在所述屏蔽层的外侧通过高温烘烤硬化形成接合层(a3)；在所述接合层外侧覆盖封装单元，所述封装单元与所述电路基板(1)的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块(a4)。
此种工艺在涂覆接合层之前，先通过溅镀等工艺覆盖屏蔽层，由此屏蔽层可以直接与接地电极电连接，而无需设置过孔步骤，因而简化了加工工艺，在实现隔离性的同时，能够进一步提高对声学装置的信号屏蔽能力，提高声学装置的产品的频率特性以及工作稳定性。
实施例七
本发明还提供了另一种声学装置封装工艺，与实施例三中的声学装置封装结构相关，如图10所示，包括如下步骤：将声学装置通过凸块贴装在电路基板的第一表面上(b1)；在电路基板的第一表面上，所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域，覆盖接合层，并进行高温烘烤硬化(b2)；对所述接合层进行切割，形成过孔(b3)；在所述接合层背离所述电路基板的第一表面的外侧，通过溅镀形成屏蔽层，所述屏蔽层通过所述过孔与接地电极电连接(b4)；在所述屏蔽层外部覆盖封装单元，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块(b5)。
此种工艺先涂覆接合层，后通过溅镀等工艺覆盖屏蔽层，由此屏蔽层需要通过过孔与接地电极电连接，这样不仅实现隔离性，还能够进一步提高对声学装置的信号屏蔽能力，提高声学装置的产品的频率特性以及工作稳定性。
根据本实施例的声学装置封装结构，根据本实施例的声学装置封装结构能够提高声学装置的屏蔽性能，提高声学装置的工作质量，提高产品的频率特性以及产品的良率。
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”表示两个或两个以上。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (16)
1.一种声学装置封装结构，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；
声学装置，与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；
凸块，所述声学装置通过所述凸块设置在所述电路基板的第一表面；
封装单元，包围所述声学装置的外表面，并设置在所述电路基板的第一表面上，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块；其特征在于：
声学装置采用倒装芯片封装方式封装，所述声学装置具有IDT电极的一面设置在声学装置与电路基板的第一表面之间形成的间隙中；
还包括接合层，设置在所述封装单元与所述电路基板的第一表面相接触的区域内，用于将所述封装单元接合在所述电路基板的第一表面上；使得封装单元与所述电路基板的第一表面之间无空隙接触；
还包括包覆层，设置在所述声学装置的外表面和所述封装单元之间，覆盖所述声学装置的外表面。
2.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接合层和所述包覆层为一体形成。
3.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接合层和所述包覆层均为热固性树脂或热塑性树脂。
4.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接合层和所述包覆层均为环氧树脂或聚酰亚胺。
5.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接合层的厚度和所述包覆层的层厚不同。
6.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接合层的厚度和所述包覆层的层厚在10um～100um之间。
7.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，还包括屏蔽层，与所述接合层和所述包覆层平行设置。
8.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述屏蔽层设置在所述接合层和所述包覆层的面向所述电路基板的第一表面的一侧。
9.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接合层在延所述电路基板的周向方向上设置有过孔，所述屏蔽层通过所述过孔与接地电极电连接。
10.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述屏蔽层为连续的屏蔽网络结构，为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。
11.根据权利要求10所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述屏蔽层包括第一屏蔽填料和第二屏蔽填料，所述第一屏蔽填料与所述第二屏蔽填料的形状或粒径不同。
12.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述声学装置包括第一声学装置和第二声学装置，所述第一声学装置与所述第二声学装置之间设置间隔件，所述中空结构容置所述第一声学装置、所述第二声学装置、所述间隔件和所述凸块。
13.根据权利要求12所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述间隔件为环氧树脂件。
14.根据权利要求13所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述间隔件为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板的第一表面接触的区域内设置金属膜。
15.一种声学装置封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：
a1：将声学装置通过凸块贴装在电路基板的第一表面上；声学装置采用倒装芯片封装方式封装，所述声学装置具有IDT电极的一面设置在声学装置与电路基板的第一表面之间形成的间隙中；
a2：在电路基板的第一表面上，所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域，以及所述声学装置背离所述电路基板的第一表面的外周区域，覆盖屏蔽层，所述屏蔽层与接地电极电连接；
a3：在所述屏蔽层的外侧通过高温烘烤硬化形成接合层；
a4：在所述接合层外侧覆盖封装单元，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块；
所述接合层使得所述封装单元与所述电路基板的第一表面之间无空隙接触。
16.一种声学装置封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：
b1：将声学装置通过凸块贴装在电路基板的第一表面上，声学装置采用倒装芯片封装方式封装，所述声学装置具有IDT电极的一面设置在声学装置与电路基板的第一表面之间形成的间隙中；
b2：在电路基板的第一表面上，所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域，覆盖接合层，并进行高温烘烤硬化；
b3：对所述接合层进行切割，形成过孔；
b4：在所述接合层背离所述电路基板的第一表面的外侧，通过溅镀形成屏蔽层，所述屏蔽层通过所述过孔与接地电极电连接；
b5：在所述屏蔽层外部覆盖封装单元，所述封装单元与所述电路基板的第一表面围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块；
所述接合层使得所述封装单元与所述电路基板的第一表面之间无空隙接触。
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