CN105493233A - 抗蚀膜形成装置及其方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种使用了能够在工件上形成均匀且薄的薄膜的静电喷雾装置的抗蚀膜形成装置。抗蚀膜形成装置(100)是通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜(108)的抗蚀膜形成装置，具有：喷嘴(102)，通过被施加规定的电压，而将作为抗蚀膜(108)的原料的液剂的粒子(131)朝向具有台阶部(105a)的基板(105)喷雾；驱动单元(111)，使基板(105)或喷嘴(102)相对地移动；及控制单元(110)，以使用液剂的粒子在具有台阶部(105a)的基板(105)上形成抗蚀膜(108)的方式进行控制。

Description

抗蚀膜形成装置及其方法
技术领域
本发明涉及通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成膜、配线及粒子分散层的方法。
而且，本发明涉及树脂模制装置及树脂模制方法，特别涉及容易进行清洁工序的树脂模制装置及树脂模制方法。
而且，本发明涉及通过静电喷雾在丝上形成薄膜的薄膜形成装置及使用丝形成的有机EL元件。
而且，本发明涉及通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成凸点或配线的装置及其方法。
背景技术
以往，有使用将工件(基板)浸渍在抗蚀液中的浸液方法、利用印版的凹凸的印刷法、或者向工件上供给抗蚀液并利用通过使工件高速旋转而产生的离心力来形成薄膜的旋转涂层法，来在工件上形成抗蚀膜的方法。例如在专利文献1中公开了使用旋转涂层法的抗蚀膜的形成方法。
而且，在专利文献2中公开了利用电子线蒸镀而蒸镀了荧光体的半导体元件。而且，也已知有使用浇注或分配器来形成荧光体的方法。在专利文献3中公开了将液状物质向特定对象物的表面涂敷来形成薄膜的成膜方法。在以往的成膜方法中，向半导体芯片覆盖电磁屏蔽壳体或者实施电磁屏蔽用的金属镀敷。
而且，在专利文献4中公开了使用PTFE(聚四氟乙烯)来制造复层材料正极的锂电池用正极的制造方法。在专利文献5中公开了使用PTFE的树脂包覆金属板。在专利文献6中公开了具备贮藏室的熔融金属喷出装置，该贮藏室具备多个喷嘴孔而收纳熔融金属。在专利文献7中公开了BGA封装体的电极形成方法。
而且，以往，在使用模具对工件进行树脂模制时，在适当的时机进行清洁工序。例举一例，在该清洁工序中，首先，利用三聚氰胺系清洁剂进行成形(也称为喷丸清洁)，去除模具的污垢。此时，分型剂从模具脱落，因此接着成形出含有分型剂的模具跑合剂(树脂)，在模具上形成分型膜。接着，为了防止模具跑合剂向工件的模制树脂混入造成的模制树脂的可靠性下降，而在进行工件的树脂模制之前进行虚拟喷丸。通过进行必要的次数的虚拟喷丸，将多余的模具跑合剂除去，在实际的树脂模制时能抑制模具跑合剂混入工件的模制树脂的情况。而且，作为其他的模具清洁方法，也存在基于手工作业的残渣除去、模具表面的等离子清洗、灰化清洗、或使用化学药液的清洁方法。
在专利文献8中公开了具备对树脂模制模具的模具面进行清洁的清洁装置的树脂模制装置。该清洁装置具备向树脂模制模具的模具面照射能量线而形成容易将附着残留于模具面的污垢从模具面剥离的状态的能量线照射部。通过这样的结构，在对被成形品进行树脂模制时，使污垢附着于成形树脂，使污垢附着于成形品而使成形品分型。
在专利文献9中公开了使带电的粉体涂料静电附着于连续搬运的长条被涂物表面的粉体涂装装置。专利文献1的粉体涂装装置构成为具有环状的主体，具有安装于该主体的多个喷嘴和电晕放电电极的静电涂装机通过静电涂装机主体的空洞部分的大致中心地搬运长条被涂物。
而且，以往，进行在基板或半导体芯片上形成凸点。例如在专利文献6中公开了一种熔融金属喷出装置，具备对熔融金属进行脉冲性的加压而从多个喷嘴孔形成液滴地喷出的加压单元，多个喷嘴孔的中心轴配置成在喷出方向的延长线上集中。通过这样的结构，喷出的熔融金属的液滴彼此在飞翔中发生碰撞，因此能够喷出与喷嘴孔的个数对应的期望量的液滴。
而且，以往，已知有将含有金属微粒子等导电性物质的溶剂从喷嘴呈细射束状地喷出而向断线的配线图案的修复部位涂敷的方法。例如在专利文献10中公开了能够使导电性粒子收敛于期望的射束径而进行配线的形成、修复的配线形成装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-23387号公报
专利文献2：日本特开2000-188416号公报
专利文献3：日本特开2004-160287号公报
专利文献4：日本特开2012-99315号公报
专利文献5：日本特开平9-155283号公报
专利文献6：日本特开2007-105739号公报
专利文献7：日本特开平11-54656号公报
专利文献8：日本特开2008-149705号公报
专利文献9：日本特开2003-135997号公报
专利文献10：日本特开2009-016490号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在浸液方法或印刷法中，形成在工件上的抗蚀膜变厚，而且，其厚度产生变动。当厚度产生变动时，工件自身的刚性下降。而且，在专利文献1公开的旋转涂层法中，抗蚀液的例如50％向周围飞散，产生抗蚀液的浪费而成本升高。而且，在工件上形成台阶的情况下，抗蚀剂并未均匀地附着于台阶的侧面。而且，在工件上形成凸点的情况下，无法除了凸点的上表面之外仅在凸点的周围形成抗蚀膜。
而且，在专利文献2公开的方法等以往的荧光体的成膜方法中，难以稳定地形成均匀且薄的膜。因此，有时产生来自LED芯片的光的色斑，无法稳定地发出优质的光。
而且，利用专利文献3等的现有方法形成的薄膜依赖于封装体形状，而且，无法仅在必要的部位进行成膜。而且，在向基板安装之后，也无法在多个半导体芯片之中，仅对需要电磁屏蔽的半导体芯片等的保护部件进行电磁波屏蔽。
而且，在专利文献4、5等的现有方法中，PTFE膜等短波长高透过率绝缘膜通过蒸镀或溅镀来形成。因此，需要准备真空环境，而且，无法局部性地进行覆膜。
而且，在专利文献6等的以往的熔融金属喷出装置中，难以将微量的液体混合，反应速度慢。而且，无法将液体仅混合必要量，因此产生液剂的浪费。
而且，在专利文献7等的现有方法中，电极(凸点)的周围的绝缘膜通过曝光形成，因此需要使用掩模。而且，难以将这样的绝缘膜局部地成膜。而且，在现有方法中，难以在接合丝上形成薄膜，尤其是在接合后难以进行成膜。
而且，若在模具的清洁工序时进行虚拟喷丸，则清洁工序变得烦杂且清洁工序需要长时间。而且，由于烦杂且长时间的清洁工序，而树脂成形品的制造成本也升高。另一方面，在专利文献8那样的结构中，由于向成形品转印污垢，因此不优选。
而且，在专利文献9的结构中，多个喷嘴构成为相对于被涂物(丝)的径向以规定的角度喷出粉体涂料。因此，在专利文献9的结构中，虽然能够提高向长条被涂物表面的静电粉体的涂着效率，但是难以形成均匀且薄的膜。而且，在专利文献9的结构中，难以在丝上形成多个种类的薄膜而形成丝状的有机EL元件。
而且，专利文献6公开的熔融金属喷出装置虽然能够将期望量的焊料在短时间内喷出，但是难以形成微细的凸点。而且，专利文献10公开的配线形成装置虽然能够使导电性粒子收敛于期望的射束径，但是在具有台阶部的基板等的表面难以立体地形成均匀且微细的配线。
因此，本发明提供一种使用了能够在工件上形成均匀且薄的薄膜的静电喷雾装置的抗蚀膜形成装置及抗蚀膜形成方法。而且，提供使用了这样的静电喷雾装置的导电膜形成装置、导电膜形成方法、短波长高透过率绝缘膜形成装置、短波长高透过率绝缘膜形成方法、荧光体的成膜装置、荧光体的成膜方法、绝缘膜形成装置、绝缘膜形成方法、液剂合成装置及液剂合成方法。
而且，本发明提供一种容易进行清洁工序的树脂模制装置及树脂模制方法。
而且，本发明提供一种在丝上形成均匀且薄的膜的薄膜形成装置。而且，提供一种使用了丝的微细的有机EL元件。
而且，本发明提供一种在工件上形成微细的凸点的凸点形成装置及凸点形成方法。而且，提供一种在工件上形成均匀且微细的配线的配线形成装置及配线形成方法。而且，提供一种具有形成了那样的凸点或配线的配线结构的配线结构体。
用于解决课题的手段
作为本发明的一方式的抗蚀膜形成装置通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜，具有：喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾；驱动单元，使所述基板或所述喷嘴相对地移动；及控制单元，以使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的抗蚀膜形成装置通过静电涂敷在具有凸点的半导体芯片上形成抗蚀膜，具有：喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子向所述半导体芯片涂敷；驱动单元，使所述半导体芯片或所述喷嘴相对地移动；及控制单元，以使用所述液剂的粒子在具有所述凸点的所述半导体芯片中的除了该凸点的上表面之外的该凸点的周围选择性地形成所述抗蚀膜的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的抗蚀膜形成方法通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜，具有：向喷嘴施加规定的电压的步骤；将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾的步骤；及使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的步骤。
作为本发明的另一方式的抗蚀膜形成方法，通过静电涂敷在基板上形成抗蚀膜，具有：向喷嘴施加规定的电压的步骤；将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子向半导体芯片涂敷的步骤；及使用所述液剂的粒子在具有凸点的所述半导体芯片中的除了该凸点的上表面之外的该凸点的周围选择性地形成所述抗蚀膜的步骤。
作为本发明的另一方式的导电膜形成装置，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成电磁屏蔽用的导电膜，具有：喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述导电膜的原料的液剂的粒子朝向所述工件喷雾或涂敷；驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及控制单元，以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述导电膜的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的导电膜形成方法，通过静电喷雾或静电涂敷在半导体封装体上形成电磁屏蔽用的导电膜，具有：向喷嘴施加规定的电压的步骤；将作为所述导电膜的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述半导体封装体喷雾或涂敷的步骤；及通过所述液剂的粒子在所述半导体封装体上形成所述导电膜的步骤。
作为本发明的另一方式的短波长高透过率绝缘膜的成膜装置通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成短波长高透过率绝缘膜，具有：液剂生成单元，通过使作为所述短波长高透过率绝缘膜的原料的粒子在溶剂内分散而生成液剂；喷嘴，通过被施加规定的电压，将所述液剂朝向所述工件喷雾或涂敷；驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及加热单元，以规定的温度进行加热而使所述液剂熔融，从而在所述工件上形成所述短波长高透过率绝缘膜。
作为本发明的另一方式的短波长高透过率绝缘膜的成膜方法通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成短波长高透过率绝缘膜，具有：通过使作为所述短波长高透过率绝缘膜的原料的粒子在溶剂内分散而生成液剂的步骤；向喷嘴施加规定的电压的步骤；将所述液剂从所述喷嘴朝向所述工件喷雾或涂敷的步骤；及以规定的温度进行加热而使所述液剂熔融，从而在所述工件上形成所述短波长高透过率绝缘膜的步骤。
作为本发明的另一方式的荧光体的成膜装置通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成荧光体，具有：喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述荧光体的原料的液剂的粒子朝向LED芯片喷雾或涂敷；驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及控制单元，以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述荧光体的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的荧光体的成膜方法通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成荧光体，具有：向喷嘴施加规定的电压的步骤；将作为所述荧光体的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述工件喷雾或涂敷的步骤；及通过所述液剂的粒子在所述工件上形成所述荧光体的步骤。
作为本发明的另一方式的绝缘膜形成装置通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成绝缘膜，具有：喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述绝缘膜的原料的液剂的粒子朝向所述工件喷雾或涂敷；驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及控制单元，以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述绝缘膜的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的绝缘膜形成方法通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成绝缘膜，具有：向喷嘴施加规定的电压的步骤；将作为所述绝缘膜的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述工件喷雾或涂敷的步骤；及通过所述液剂的粒子在所述工件上形成绝缘膜的步骤。
作为本发明的另一方式的液剂合成装置通过静电喷雾或静电涂敷将液剂合成而在工件上形成膜，具有：第一喷嘴，相对于所述工件被施加负电压，将带负电的第一液剂进行喷雾或涂敷；第二喷嘴，相对于所述工件被施加正电压，将带正电的第二液剂进行喷雾或涂敷；驱动单元，使所述工件或所述第一喷嘴及所述第二喷嘴相对地移动；及控制单元，以将所述带负电的第一液剂与所述带正电的第二液剂合成而在所述工件上形成膜的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的液剂合成方法通过静电喷雾或静电涂敷将液剂合成而在工件上形成膜，具有：相对于所述工件向第一喷嘴施加负电压，相对于该工件向第二喷嘴施加正电压的步骤；从所述第一喷嘴将带负电的第一液剂进行喷雾或涂敷，从所述第二喷嘴将带正电的第二液剂进行喷雾或涂敷的步骤；将所述第一液剂与所述第二液剂合成而形成合成液剂的步骤；及使用所述合成液剂在所述工件上形成所述膜的步骤。
作为本发明的另一方式的树脂模制装置具有：静电喷雾装置，向喷嘴与模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成该分型剂的薄膜；及冲压装置，使用形成有所述分型剂的薄膜的模具进行被成形品工件的树脂模制。
作为本发明的另一方式的树脂模制装置具有：激光装置，向模具照射激光；静电喷雾装置，在所述激光的照射后，向喷嘴与所述模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成分型剂的薄膜；及冲压装置，使用形成有所述分型剂的薄膜的模具进行被成形品工件的树脂模制。
作为本发明的另一方式的树脂模制方法具有：向喷嘴与模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成分型剂的薄膜的步骤；使用形成有所述分型剂的薄膜的所述模具将被成形品工件夹紧的步骤；及向所述被成形品工件供给树脂而进行树脂模制的步骤。
作为本发明的另一方式的树脂模制方法具有：向模具照射激光的步骤；向喷嘴与所述模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成分型剂的薄膜的步骤；使用形成有所述分型剂的薄膜的所述模具将被成形品工件夹紧的步骤；及向所述被成形品工件供给树脂而进行树脂模制的步骤。
作为本发明的另一方式的薄膜形成装置通过静电喷雾在丝上形成薄膜，具有：喷嘴，将作为所述薄膜的原料的液剂从所述丝的径向朝向所述丝喷雾；及电压控制装置，向所述喷嘴与所述丝之间施加规定的电压，所述电压控制装置施加所述规定的电压，将所述液剂从所述喷嘴朝向所述丝喷雾，从而在该丝上形成所述薄膜。
作为本发明的另一方式的薄膜形成装置通过静电喷雾在丝上形成薄膜，具有：第一静电喷雾装置，具有将作为第一薄膜的原料的第一液剂从多个方向朝向所述丝喷雾的多个第一喷嘴部、及向该多个第一喷嘴部的各个第一喷嘴部与该丝之间施加第一电压的第一电压控制装置；第二静电喷雾装置，具有将作为第二薄膜的原料的第二液剂从多个方向朝向所述丝喷雾的多个第二喷嘴部、及向该多个第二喷嘴部的各个第二喷嘴部与该丝之间施加第二电压的第二电压控制装置；及移动装置，使所述丝移动，所述第一电压控制装置施加所述第一电压，将所述第一液剂从所述多个第一喷嘴部朝向所述丝喷雾，从而在该丝上形成所述第一薄膜，所述移动装置使形成有所述第一薄膜的丝移动至所述第二静电喷雾装置，所述第二电压控制装置施加所述第二电压，将所述第二液剂从所述多个第二喷嘴部朝向所述丝喷雾，从而在形成有所述第一薄膜的丝上形成所述第二薄膜。
作为本发明的另一方式的有机EL元件具有：绝缘丝；第一电极，形成在所述绝缘丝的第一区域；发光层，形成在所述绝缘丝的所述第一电极上；及第二电极，形成在所述绝缘丝的所述发光层上。
作为本发明的另一方式的有机EL元件具有：导电丝，构成第一电极；绝缘层，形成在所述导电丝的第一区域；发光层，形成在所述导电丝的第二区域；及第二电极，形成在所述导电丝的所述绝缘层及所述发光层上。
作为本发明的另一方式的凸点形成装置通过静电涂敷在工件上形成凸点，具有：喷嘴，通过被施加脉冲电压，将作为所述凸点的原料的液剂向所述工件涂敷；及控制单元，以使用所述液剂在所述工件上形成所述凸点的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的凸点形成方法通过静电涂敷在工件上形成凸点，具有：向喷嘴与所述工件之间施加脉冲电压的步骤；及通过与所述脉冲电压对应的静电涂敷将作为所述凸点的原料的液剂向所述工件的规定的位置涂敷，在所述工件上形成具有3～50μm的直径的所述凸点的步骤。
作为本发明的另一方式的配线形成装置通过静电喷雾及静电涂敷中的至少一方在工件上形成配线，具有：第一喷嘴，通过被施加第一电压，将作为所述配线的第一原料的第一液剂朝向所述工件喷雾；及控制单元，以使用所述第一液剂在所述工件上立体地形成所述配线的方式进行控制。
作为本发明的另一方式的配线形成方法通过静电喷雾及静电涂敷中的至少一方在工件上形成配线，具有：向第一喷嘴与所述工件之间施加第一电压的步骤；根据所述第一电压将作为所述配线的第一原料的第一液剂朝向所述工件喷雾，使用该第一液剂在所述工件上形成绝缘膜的步骤；向第二喷嘴与所述工件之间施加第二电压的步骤；及根据所述第二电压将作为所述配线的第二原料的第二液剂向所述工件涂敷，使用该第二液剂在所述工件上形成导电膜的步骤。
作为本发明的另一方式的配线结构体通过静电喷雾及静电涂敷中的至少一方而形成凸点及配线中的至少一方的配线结构。
本发明的其他的目的及特征在以下的实施例中说明。
发明效果
根据本发明，能够提供一种使用了在工件上可形成均匀且薄的薄膜的静电喷雾装置的抗蚀膜形成装置及抗蚀膜形成方法。而且，能够提供使用了这样的静电喷雾装置的导电膜形成装置、导电膜形成方法、荧光体的成膜装置、荧光体的成膜方法、绝缘膜形成装置、绝缘膜形成方法、液剂合成装置及液剂合成方法。
而且，根据本发明，能够提供一种容易进行清洁工序的树脂模制装置及树脂模制方法。
而且，根据本发明，能够提供一种在丝上形成均匀且薄的膜的薄膜形成装置。而且，能够提供一种使用了丝的微细的有机EL元件。
而且，根据本发明，能够提供一种在工件上形成微细的凸点的凸点形成装置及凸点形成方法。而且，能够提供一种在工件上形成均匀且微细的配线的配线形成装置及配线形成方法。而且，能够提供一种形成有那样的凸点或配线的配线结构体。
附图说明
图1是实施例1～7、8、9、15中的静电喷雾装置(静电涂敷装置)的概略结构图。
图2是通过实施例1～7、8、9、15的静电喷雾装置(静电涂敷装置)施加的直流电压的说明图。
图3是通过实施例1～7、8、9、15的静电喷雾装置(静电涂敷装置)施加的脉冲电压的说明图。
图4是表示实施例1～7、8、9、15的静电喷雾装置(静电涂敷装置)的喷嘴的位置控制的图。
图5A是在实施例1中利用了静电喷雾的抗蚀膜形成方法的说明图。
图5B是在实施例2中利用了静电喷雾的抗蚀膜形成方法的说明图。
图6是在实施例3中利用了静电喷雾的导电膜形成方法的说明图。
图7是在实施例4中，通过静电喷雾形成的短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)与以往的通过滴下形成的PTFE膜的比较图。
图8是在实施例5中利用了静电喷雾的荧光体的成膜方法的说明图。
图9是在实施例6中利用了静电喷雾的绝缘膜形成方法的说明图。
图10是在实施例7中利用了静电喷雾的液剂合成方法的说明图。
图11是实施例8的树脂模制装置的整体结构图。
图12是实施例8的冷却装置的概略结构图。
图13是实施例9的静电喷雾装置(薄膜形成装置)的喷嘴的配置图。
图14是实施例9的薄膜形成装置的概略结构图。
图15是实施例10的有机EL元件的概略结构图。
图16是实施例11的有机EL元件的概略结构图。
图17是实施例12的发光装置的概略结构图。
图18是实施例13的发光装置的概略结构图。
图19是实施例13的发光装置的概略结构图。
图20是实施例14的发光装置的概略结构图。
图21是在实施例15中利用了静电涂敷的凸点形成方法的说明图。
图22是在实施例16中利用了静电喷雾的三维配线形成方法的说明图。
图23是在实施例16中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图24是在实施例16中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图25是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图26是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图27是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图28是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图29是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图30是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图31是在实施例17中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图32是在实施例18中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图33是在实施例18中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图34是在实施例18中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图35是在实施例18中利用了静电涂敷的三维配线形成方法的说明图。
图36是实施例15～18的静电涂敷的说明图。
具体实施方式
以下，关于本发明的实施例，参照附图进行详细说明。在各图中，对于同一构件，标注同一参照编号，省略重复的说明。
实施例1
首先，参照图1，说明本发明的实施例全部的静电喷雾及静电涂敷的概要。图1是本实施例的静电喷雾装置32的概略结构图。静电喷雾装置32通过静电喷雾在对象物上形成薄膜。对象物是例如基板、半导体芯片、半导体封装体、LED芯片、丝，以下，有时将它们称为工件。需要说明的是，以下，在LED芯片的情况下，存在包括构成LED芯片及LED封装体的部件(引线框、反射器、基板、透镜等)的情况。薄膜是通过静电喷雾装置32在工件上形成的膜，例如是抗蚀膜、导电膜、短波长高透过率绝缘膜、荧光体、绝缘膜。
静电喷雾装置32主要具备喷嘴2、控制单元10及用于载置工件5的工作台7而构成。控制单元10包括向喷嘴施加规定的电压的电压控制装置。从图1中的箭头A的方向将液剂向喷嘴2供给。液剂根据形成在工件5上的薄膜的种类而适当选择。即，选择形成在工件5上的膜的原料作为液剂。液剂是使形成于工件5的膜的材料溶入的液剂、使该材料的微粒子分散于溶剂等的液剂、或者该材料的络合物或前驱体存在于溶剂中的液剂。这一点在以下的各实施例中都一样。
控制单元10向喷嘴2的电极2a与工作台7的电极7a之间施加规定的电压。工件5以与喷嘴2的前端部2b(喷嘴前端部)相对的方式载置在工作台7上。喷嘴前端部的直径(液剂通过的内径)设定为例如20μm～200μm左右。
当通过控制单元10施加规定的电压时，将液剂从喷嘴2的前端部2b朝向工件5喷雾。此时，喷嘴2的内部的液剂在通过施加电压产生的静电力下排斥，破坏喷嘴2的前端部2b的液面的表面张力而微粒子化。微粒子化后的液剂带有正电或负电中的任一种，因此相互的粒子彼此排斥，能够不凝集地喷雾。这样，液剂从喷嘴2的前端部2b喷雾，最初处于具有比较大的直径的粒子31a的状态，然后，成为具有比较小的直径的粒子31b而形成(堆积)在工件5上。而后，通过使堆积的粒子31b(液剂)固化，而在工件5的表面形成液剂的薄膜。
而且，在本实施例中，形成于工件5的膜(薄膜)的厚度为例如1～5μm，能够形成均匀且薄的膜。需要说明的是，形成于工件5的膜的厚度根据原料(薄膜的种类)可以适当设定。这样，根据本实施例的静电喷雾手法，能够形成以往的喷雾手法无法形成那样薄的膜。而且根据静电喷雾，即使在工件5具有台阶部(凸部)的情况下，也能够在工件5上均匀地形成液剂的膜。
接着，参照图2及图3，说明通过静电喷雾装置32施加的电压(用于产生静电的电压)。图2是通过静电喷雾装置32施加的直流电压的说明图。图3是通过静电喷雾装置32施加的脉冲电压的说明图。
在图2中，示出将工件5(工作台7)接地(GND连接)并向喷嘴2施加正(+)的直流电压的状态。但是，本实施例没有限定于此，也可以向喷嘴2施加负(-)的直流电压。使用正电压还是负电压根据液剂或工件5的材料等而适当设定。而且，不用改变极性而施加仅一方的极性的电压即可，因此没有限定为直流电压，也可以在喷雾中以一边维持极性一边使电压的大小变化的方式进行控制。此外，也可以施加由极性仅为正或仅为负的电压高低差的变化构成的脉冲电压。在施加这样的脉冲电压的情况下，虽然能够包含0V地设定，但也可以不包含0V地设定。在本实施例中，喷嘴2的前端部2b与工件5的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
需要说明的是，在本实施例中，也可以取代直流电压而施加正负极的脉冲电压。此时，静电喷雾装置32的控制单元10将相对于工件5(工作台7)的极性正与负交替变化的脉冲电压向喷嘴2施加(使之脉冲振荡)。脉冲电压适合使用于例如工件5的导电性低的情况。而且，脉冲电压适合使用于在工件5的表面上选择性地形成薄膜的情况。这是因为根据脉冲电压的极性能够控制从喷嘴2的液剂的喷雾。以下，将使用了脉冲电压的静电喷雾有时称为静电涂敷。
在施加脉冲电压的情况下，首先如图3(a)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，正电荷(+电荷)聚集在工件5的表面(喷嘴2侧的面)，该表面带正(+)电。接着，如图3(b)所示，向喷嘴2施加负电压(-电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带负(-)电，附着(击中)于带正(+)电的工件5的表面上。接着，如图3(c)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带正(+)电，附着于工件5的表面上。而且，设置使工作台7或喷嘴2中的一方或两方沿XYZ方向移动的机构，通过相对地进行XYZ移动，能够向工件均匀地进行静电喷雾或静电涂敷。
并且，通过反复进行图3(b)所示那样的施加负电压的状态与图3(c)所示那样的施加正电压的状态(施加脉冲电压)，而构成液剂的薄膜的粒子31b堆积于工件5上。脉冲电压的大小设定为例如0.5kV～10kV左右，脉冲宽度(喷雾速度)设定为例如5Hz～1kHz左右。而且，喷嘴2的前端部2b与工件的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
而且，在本实施例中，由于控制到达工件5上的粒子31b的粒子径，因此能够控制喷雾距离即喷嘴2的位置(高度)。需要说明的是，在喷嘴2上可以设置上下方向的移动机构。而且，在工作台7上也可以设置同样的机构来变更相对的高度。图4是表示静电喷雾装置32的喷嘴2(喷嘴前端部)的位置控制(高度控制)的图。如图4所示，在静电喷雾装置32设置相机8。相机8以能够观察到达工件5的表面的粒子31b的方式配置。这样，使用相机8来观察粒子31b的粒子径或粒子31b的涂敷状态，根据其观察结果，以使喷嘴2向期望的位置移动的方式进行控制。例如图4所示，在喷雾中，能够将喷嘴前端部与工件5的表面的距离d1变更为距离d2。
这样的控制可以通过图像处理自动执行，或者也可以手动进行。需要说明的是，在控制粒子径的情况下，没有限定为使喷嘴2的高度或左右方向的位置移动的结构，也可以采用例如变更喷嘴的直径、施加电压的大小或脉冲宽度的结构。在工件5上形成液剂的薄膜期间工件5的静电特性发生变化的情况下有效。
而且，在本实施例中，喷嘴2也可以具备多个喷嘴部。此时，由于在工件5上均匀地形成液剂，因此能够独立地控制向多个喷嘴部分别施加的电压(脉冲电压)。而且，可以按照规定的各区域来变更多个喷嘴部的配置。通过设定电压的大小，能够更均匀地形成液剂的薄膜的厚度。
接着，参照图5A，说明本发明的实施例1。图5A是本实施例的抗蚀膜形成方法的说明图，示出在具有台阶部的基板上形成抗蚀膜的情况。本实施例涉及抗蚀膜形成方法，利用上述的静电喷雾方法(静电涂敷方法)进行。需要说明的是，用于执行抗蚀膜形成方法的抗蚀膜形成装置100也是本实施例的对象。本实施例的抗蚀膜形成装置100在具有台阶部的基板上形成均匀的抗蚀膜。
如图5A所示，在基板105上设置台阶部105a。台阶部105a的高度H为例如10～100μm。但是，本实施例没有限定于此，也可以适用于具有其他的高度的台阶部或具有更复杂的形状的台阶部。抗蚀膜形成装置100具有喷嘴102，该喷嘴102通过包含电压控制装置的控制单元110施加规定的电压而对作为抗蚀膜的原料的液剂(粒子131)进行喷雾。喷嘴102也可以具备多个喷嘴部(多喷嘴结构)。而且，抗蚀膜形成装置100具有使喷嘴102相对于基板105相对地移动的驱动单元111。需要说明的是，驱动单元111也可以使基板105相对于喷嘴102相对地移动。无论是哪种结构，驱动单元111都能够使基板105或喷嘴102相对地移动，即能够进行面内方向及高度方向上的移动(XYZ移动)。
通过具有这样的结构的抗蚀膜形成装置100，利用上述的静电喷雾将作为抗蚀膜的原料的液剂向基板105上喷雾，由此在台阶部105a的上表面及侧面都能够形成均匀的抗蚀膜。
在本实施例中，抗蚀膜108的厚度T为例如5μm，但没有限定于此。当利用以往的旋涂来形成抗蚀膜时，在作为对象物的基板上存在台阶部的情况下，在该台阶部的周边形成的抗蚀膜的薄的部位与厚的部位混杂，难以形成均匀的抗蚀膜。根据本实施例的抗蚀膜形成方法，在具有台阶部的基板上能够形成均匀的抗蚀膜。
需要说明的是，如图5A所示，在具有台阶部105a的基板105上形成均匀的抗蚀膜的情况下，控制单元110优选向喷嘴102与基板105之间施加规定的直流电压，进行静电喷雾。但是，根据需要，也可以施加脉冲电压而进行静电喷雾(静电涂敷)。
在本实施例中，通过上述的静电喷雾，在基板105上形成抗蚀膜。因此，控制单元110优选向喷嘴102与基板105之间施加电压，进行静电喷雾。但是，根据需要，也可以向喷嘴102与基板105之间施加脉冲电压而进行静电涂敷。
需要说明的是，本实施例1的被喷雾物、被涂敷物、溶剂(液剂)、分散物、薄膜状态并不局限于上述例子，根据其他的事例在实施例8、9、15中逐个详细说明。
实施例2
接着，参照图5B，说明本发明的实施例2。图5B是本实施例的抗蚀膜形成方法的说明图，示出了在设于半导体芯片上的多个凸点之间形成抗蚀膜的情况。本实施例涉及抗蚀膜形成方法，利用与实施例1同样的静电喷雾方法或静电涂敷方法进行。而且，用于执行抗蚀膜形成方法的抗蚀膜形成装置100也是本实施例的对象。本实施例的抗蚀膜形成装置100在多个凸点间(凸点的头部以外的部分)选择性地形成抗蚀膜。
与实施例1一样，抗蚀膜形成装置100具有由包含电压控制装置的控制单元110施加规定的电压而将作为抗蚀膜的原料的液剂(粒子131)进行喷雾的喷嘴102。喷嘴102可以具备多个喷嘴部(多喷嘴结构)。而且，抗蚀膜形成装置100具有能够使半导体芯片180或喷嘴102相对地移动即能够进行面内方向及高度方向上的移动(XYZ移动)的驱动单元111。需要说明的是，在本实施例中，不需要沿XYZ的全部的方向移动，例如在不需要Z移动的情况下只要仅沿XY方向移动即可。在本实施例中，抗蚀膜108的厚度T为例如5μm，但没有限定于此。而且，半导体芯片180也可以是前述的其他工件。
如图5B所示，在半导体芯片180上形成有多个凸点112。在这样的状况下，本实施例的抗蚀膜形成装置100通过静电喷雾或静电涂敷，仅留下凸点112的头部(前端部)而利用抗蚀膜将其他的区域覆盖，因此不需要掩模而能够进行局部涂敷。例如，凸点112间的距离W为10～100μm左右，但是本实施例没有限定于此。
在本实施例中，通过上述的静电喷雾或静电涂敷，在半导体芯片180上选择性地形成抗蚀膜。因此，控制单元110优选向喷嘴102与半导体芯片180之间施加脉冲电压而进行静电涂敷。当使用这样的脉冲电压时，根据施加电压的极性来控制抗蚀膜的涂敷动作的情况变得容易。但是，根据需要，也可以向喷嘴102与半导体芯片180之间施加直流电压来进行静电喷雾。
实施例3
接着，参照图6，说明本发明的实施例3。图6是本实施例的导电膜形成方法的说明图，示出了导电膜形成装置200的概略结构。本实施例特别涉及形成电磁屏蔽用的导电膜的方法，利用上述的静电喷雾方法进行。需要说明的是，用于执行导电膜形成方法的导电膜形成装置也是本实施例的对象。
如图6所示，导电膜形成装置200具有由包含电压控制装置的控制单元210施加规定的电压而将作为导电膜的原料的液剂(粒子231)进行喷雾的喷嘴202。在本实施例中，作为导电膜的原料的液剂，在溶剂中使用Ni、Cu、Ag等。而且，导电膜形成装置200具有使喷嘴202相对于基板205相对地进行XYZ移动的驱动单元211。但是，也可以将其取代而使用使基板205相对于喷嘴202相对地进行XYZ移动的驱动单元。无论是哪个结构，都能够使基板205或喷嘴202相对地进行XYZ移动(沿面内方向及高度移动)。
工件(作为一例是半导体封装体)270在基板205上搭载半导体芯片280。而且，半导体芯片280由树脂288密封。本实施例的导电膜形成装置200用于通过静电喷雾或静电涂敷在这样的工件(作为一例的半导体封装体)270的表面上形成Ni、Cu、Ag等的导电膜290来进行电磁波屏蔽。这样，通过进行电磁波屏蔽，能够防止电磁波从工件(作为一例是半导体封装体)270的漏泄，而且，能够防止工件270遭受电磁波。
在图6中，导电膜仅形成一层，但是本实施例没有限定于此。也可以通过静电喷雾，形成例如两层以上的多个导电膜。在形成两层结构的导电膜的情况下，可以是相同种类的导电膜，但也可以形成互不相同的种类的导电膜(第一导电膜、第二导电膜)。例如，形成Ni膜作为第一层的导电膜(第一导电膜)，形成Cu膜作为第二层的导电膜(第二导电膜)。而且，导电膜也可以是由第一导电膜及与第一导电膜不同的多个导电膜构成的多层结构的导电膜。
根据本实施例，通过静电喷雾在工件(作为一例是半导体封装体)上形成导电膜，由此与镀敷不同，能够局部地形成导电膜。而且，可以在将工件(作为一例是半导体封装体)安装于基板上之后形成导电膜。而且，也可以自由设定工件(作为一例是半导体封装体)的尺寸、电磁屏蔽所需的导电膜的膜厚。需要说明的是，本实施例不仅能够适用于以电磁波屏蔽为目的的导电膜，而且也能够适用于形成其他的用途使用的导电膜的情况。
而且，本实施例的导电膜(电磁屏蔽树脂)可以在利用不含有膏剂的半导体用的通常的树脂而一次树脂成形出通常的工件(作为一例是半导体封装体)之后，不使用静电喷雾，而进行基于加入了银膏剂的环氧树脂的双重成形(例如，使用了模具的压缩成形或传递模塑成形)。而且，并不局限于树脂封装体，也可以向陶瓷封装体进行静电喷雾或静电涂敷。
实施例4
接着，说明本发明的实施例4。本实施例作为短波长高透过率绝缘膜的形成方法的一例，将含有作为氟树脂的聚四氟乙烯(PTFE)的液剂进行静电喷雾或静电涂敷，由此形成具有例如2μm以下的厚度的薄的短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)。而且，通过形成薄的PTFE膜，能够提高透过率。
即，本实施例涉及通过静电喷雾或静电涂敷在工件(作为一例是LED芯片)上形成短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)的短波长高透过率绝缘膜的成膜装置。短波长高透过率绝缘膜的成膜装置具有液剂生成单元、静电喷雾单元、加热熔融单元及控制单元(均未图示)。首先，液剂生成单元通过使作为短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)的原料的粒子分散于溶剂内而生成液剂。而后，静电喷雾单元向喷嘴与工件之间施加规定的电压，而将该液剂进行静电喷雾或静电涂敷。接着，加热熔融单元对通过静电喷雾或静电涂敷而堆积在工件上的液剂进行加热熔融，由此能够形成薄的短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)(即，能够薄膜化)。控制单元控制上述各单元的动作。
这样，在溶剂中溶解PTFE粒子而进行了静电喷雾之后，以高的温度进行加热熔融，由此不使PTFE的组成变化而能够形成优质且薄的短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)。另一方面，以往，通过使含有PTFE粒子的液剂滴下来形成PTFE膜。此时，通过滴下形成的PTFE膜的膜厚较厚且透过率也低。
图7是本实施例的通过静电喷雾形成的PTFE膜与以往的通过滴下形成的PTFE膜的比较图。如图7所示，无论以何种粒径(300nm、3μm)进行比较，膜厚(PTFE膜的厚度)都是静电喷雾的情况比滴下的情况薄。而且，低波长即250nm的低波长的光的透过率在静电喷雾的情况下与滴下的情况相比提高。例如以粒径(PTFE膜的粒径)为300nm的情况进行比较时，滴下的PTFE膜的膜厚为4μm，较厚，相对于此，静电喷雾的PTFE膜的膜厚为0.7μm，较薄。而且，此时，滴下的PTFE膜的透过率为27％，较低，相对于此，静电喷雾的PTFE膜的透过率为75％，较高。需要说明的是，图7所示的膜厚是通过三维测定器测定的值。
这样，根据本实施例，通过利用静电喷雾或静电涂敷，能够形成相对于短波长的光而具有高透过率的薄的短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)。本实施例的短波长高透过率绝缘膜(PTFE膜)例如形成在紫外线发光二极管(LED芯片)的表面。由此，能够使短波长的紫外线有效地发光。需要说明的是，工件没有限定为LED芯片，而且，静电喷雾没有限定为PTFE，作为短波长高透过率绝缘膜的形成方法，可以选择。
实施例5
接着，参照图8(a)、(b)，说明本发明的实施例5。图8(a)是本实施例的荧光体的成膜方法的说明图，示出了荧光体的成膜装置400的概略结构。本实施例涉及荧光体的成膜方法、工件(作为一例是LED芯片)的荧光体的成膜方法，利用前述的静电涂敷及静电喷雾方法进行。需要说明的是，用于执行荧光体的成膜方法的成膜装置也是本实施例的对象。
如图8(a)所示，荧光体的成膜装置400具有由包含电压控制装置的控制单元410施加规定的电压而将作为荧光体的原料的液剂(粒子431)进行喷雾的喷嘴402。在本实施例中，作为荧光体的原料的液剂，可使用含有荧光体的硅酮树脂、向含有荧光体的硅酮树脂添加了溶剂的材料、或者仅包括荧光体和溶剂的材料等。驱动单元411使喷嘴402相对于基板405相对地移动。但是，也可以取代于此，使用使基板405相对于喷嘴402相对地移动的驱动单元。无论是哪种结构，都能够使基板405或喷嘴402相对地移动(沿面内方向及高度方向移动)。
LED芯片480以搭载于基板405上的状态载置于荧光体的成膜装置400。并且，喷嘴402通过被施加规定的电压，将粒子431朝向LED芯片480喷雾，在LED芯片480上形成荧光体485(含有荧光体的硅酮树脂)。
以往，利用分配器将含有荧光体的硅酮树脂向LED芯片上涂敷，但是难以稳定地形成均匀且薄的膜。因此，来自LED芯片的光产生色斑，有时无法稳定地发出优质的光，在发光之后进行挑选并出货。因此，在本实施例中，如参照图3说明的那样使用脉冲电压进行静电喷雾(静电涂敷)，由此将1μm左右的微粒子(粒子431)朝向LED芯片480喷雾。
因此，能够将含有荧光体的硅酮树脂(荧光体485)在LED芯片480上形成作为均匀且薄的膜。需要说明的是，也可以是不含有硅酮树脂的仅为荧光体的静电涂敷。具体而言，在本实施例中，能够形成具有粒子径的2倍～3倍左右的厚度的薄膜。例如，在粒子径(粒子431的直径)为20μm的情况下，形成具有50μm左右的厚度的膜(荧光体485)。
在本实施例中，荧光体485(荧光体膜)作为对LED芯片480的光进行波长转换而模拟地制造白色LED的方法被使用，形成(涂敷)在LED芯片480的上表面及全部的侧面(周围)。LED芯片480例如是蓝色发光元件，荧光体为黄色，对蓝色的光进行转换而能够作成白色光。此时，由于利用静电涂敷，因此不仅在LED芯片480的上表面而且在侧面也能够稳定地形成均匀且薄的膜。因此，能够提供更高效率的LED装置(LED封装体)。需要说明的是，本实施例没有限定为在LED芯片的整面涂敷荧光体，可以仅在其一部分的面上(例如，仅上表面、仅上表面和一部分的侧面)形成荧光体485。
图8(b)是本实施例的另一实施方式的LED装置(LED封装体)的概略剖视图。如图8(b)所示，LED芯片480(发光元件)安装在基板405上，通过丝481接合。LED芯片480及丝481由透明树脂482密封。
在本实施方式中，在透明树脂482上通过前述的静电喷雾或静电涂敷形成荧光体486(第一荧光体膜)。而且，在荧光体486的表面形成荧光体487(第二荧光体膜)。而且，在荧光体487的表面形成硅酮树脂或PTFE等透明包覆膜488。这样，使互不相同的种类的荧光体486、487层叠，对于来自LED芯片480的光进行多个波长转换，由此能够得到规定的波长。需要说明的是，也可以将三种以上的荧光体层叠。
如以上所述，在本实施例中，在LED芯片上形成荧光体或荧光体的层叠结构，由此能够稳定地发出优质的光。需要说明的是，也可以将本实施例的荧光体及荧光体的层叠结构复合性地使用来制造LED装置。
实施例6
接着，参照图9，说明本发明的实施例6。本实施例涉及绝缘膜形成方法，利用上述的静电喷雾方法进行。需要说明的是，用于执行绝缘膜形成方法的绝缘膜形成装置也是本实施例的对象。
图9是本实施例的绝缘膜形成方法的说明图，图9(a)示出在工件(作为一例是丝)上形成(包覆)绝缘膜之前的状态，图9(b)示出在丝上形成绝缘膜之后的状态。本实施例的绝缘膜形成装置500利用绝缘膜将由金、铜、钨、铝等金属构成的丝515(接合丝)包覆。
如图9(a)所示，在基板505上搭载半导体芯片580，在半导体芯片580上的焊盘582(电极部)与基板505上的焊盘585(电极部)之间连接丝515。本实施例的绝缘膜形成装置500使用上述的静电喷雾方法，从喷嘴502将作为绝缘膜的原料(绝缘材料)的液剂(粒子531)朝向丝515喷雾。
驱动单元511使喷嘴502相对于基板505相对地移动。但是，也可以将其取代，使用使基板505相对于喷嘴502相对地移动的驱动单元。无论是哪种结构，都能够使基板505或喷嘴502相对地移动(沿面内方向及高度方向移动)。
而且，包含电源控制装置的控制单元510一边控制施加电压的极性、大小及喷嘴502的移动速度等一边将喷嘴502中的液剂(粒子531)进行喷雾，由此能够将丝515适当地包覆(在丝515上形成绝缘膜)(图4(b))。需要说明的是，作为绝缘材料，可使用例如聚酰亚胺树脂、环氧树脂或磁漆，但本实施例没有限定于此。如图4(b)所示，当绝缘膜向丝515的形成(绝缘膜形成方法)完成时，丝515的周围由绝缘膜525包覆。
根据本实施例，通过将作为绝缘膜的原料的液剂(粒子531)向具有导电性的丝喷雾，能够在丝上形成高可靠性的薄的绝缘膜。因此，能够防止丝短路(丝引起的短絡)。而且，在静电喷雾时，根据向喷嘴502施加的电压的极性，绝缘材料(粒子531)带正电或负电。因此，通过静电力，作为绝缘材料的粒子531被向由金属构成的丝515拉近。因此，能够抑制绝缘材料飞散到不打算进行绝缘的区域(基板上等)。
需要说明的是，本实施例的绝缘膜形成装置也可以适用作为取代绝缘膜而用于将金属膜(镀敷膜)形成于丝的金属膜形成装置。这种情况下，例如，可以在钨丝上形成Cu膜或者在铜(Cu)丝上形成适当的金属膜。
实施例7
接着，参照图10，说明本发明的实施例7。本实施例涉及液剂合成方法，利用上述的静电喷雾方法进行。需要说明的是，用于执行液剂合成方法的液剂合成装置也是本实施例的对象。
图10是本实施例的液剂合成方法的说明图，示出了液剂合成装置600的概略结构。如图10所示，液剂合成装置600具备喷嘴602a(第一喷嘴)及喷嘴602b(第二喷嘴)。通过包含电压控制装置的控制单元610向喷嘴602a施加负电压(-)。而且，通过包含电压控制装置的控制单元610向喷嘴602b施加正电压(+)。基板605(工件)以与喷嘴602a、602b相对的方式配置。而且，基板605被接地(GND连接)。因此，相对于基板605而极性互不相同的电压分别施加于喷嘴602a、602b。
而且，液剂合成装置600具有使喷嘴602a相对于基板605相对地移动的驱动单元611a、及使喷嘴602b相对于基板605相对地移动的驱动单元611b。但是，也可以将它们取代，使用使基板605相对于喷嘴602a、602b相对地移动的驱动单元。无论是哪种结构，都能够使工件或喷嘴602a、602b相对地移动(沿面内方向及高度方向移动)。
喷嘴602a包含第一液剂(第一材料)。第一液剂通过上述的静电喷雾(或静电涂敷)，作为带负电(具有负电荷)的粒子631a(微粒子)，从喷嘴602a朝向基板605喷雾。另一方面，第二液剂通过同样的静电喷雾(或静电涂敷)，作为带正电(具有正电荷)的粒子631b(微粒子)，从喷嘴602b朝向基板605喷雾。
从喷嘴602a喷雾的粒子631a与从喷嘴602b喷雾的粒子631b具有互不相同的极性(反向极性)，因此当相互的距离接近时，相互拉近，进行碰撞或混合(合成)。因此，粒子631a与粒子631b在大气中(到达基板605之前)进行碰撞或混合，形成粒子633。通过这样的粒子的碰撞，电荷的偏颇消失，能够以极微量合成，因此具有反应速度快这样的优点。
粒子635当到达基板605时，紧贴于基板605的表面。通过多个粒子631a、631b重复同样的行为，在基板605上形成将2个不同液剂(材料)混合而构成的膜(薄膜637)。这样，控制单元610以将带负电的第一液剂与带正电的第二液剂合成而在基板605上形成合成液剂，而且，使用该合成液剂在基板605(工件)上形成膜的方式进行控制。
在本实施例的液剂合成装置600中，喷嘴602a、602b分别相对于基板605的面法线而倾斜规定的角度。这是为了将第一液剂与第二液剂适当合成。因此，根据液剂的种类或其他的各种条件来适当变更喷嘴602a、602b的角度。通过这样的结构，能够更有效地进行粒子的合成。
在本实施例的液剂合成装置600中，设有分别将第一液剂、第二液剂进行喷雾的喷嘴602a、602b这两种喷嘴。但是，本实施例没有限定于此，可以再设置用于将其他的液剂进行喷雾的喷嘴。根据这样的结构，能够将3种以上的液剂混合而在基板605上形成薄膜637。而且，在图10中，喷嘴602a、602b分别仅记载了1个，但是本实施例没有限定于此。喷嘴602a、602b可以分别是具备多个喷嘴部而构成的多喷嘴。
而且，本实施例的液剂合成装置600将第一液剂(粒子631a)与第二液剂(粒子631b)在大气中(到达基板605之前)合成，但没有限定于此。例如，也可以使粒子631a与粒子631b在基板605上混合(到达基板605之后混合)。
而且，在本实施例的液剂合成装置600中，存在粒子631a、631b未全部相互合成的情况。因此，在粒子631a、631b(粒子635)到达基板605上之后，进行规定的处理，由此能够仅在粒子635(合成粒子)的区域形成薄膜637。例如，进行使混合形成的粒子635固化的固化处理，接着，利用清洗处理将剩余的粒子(粒子631a、631b)除去，由此能够仅将形成于基板605的表面上的薄膜中的由粒子635形成的薄膜保留在基板605上。因此，根据本实施例的液剂合成装置，在基板上能够形成具有例如线宽100nm以下的微细结构的薄膜。
根据实施例1～7，能够提供一种使用了在工件上能够形成均匀且薄的薄膜的静电喷雾装置或静电涂敷装置的抗蚀膜形成装置及抗蚀膜形成方法。而且，能够提供使用了这样的静电喷雾装置或静电涂敷装置的导电膜形成装置、导电膜形成方法、PTFE膜的成膜装置、PTFE膜的成膜方法、荧光体的成膜装置、荧光体的成膜方法、绝缘膜形成装置、绝缘膜形成方法、液剂合成装置及液剂合成方法。如实施例5记载那样，也可以将它们复合而在工件上多重地形成膜。
实施例8
接着，参照图11，说明本实施例的树脂模制装置。图11是本实施例的树脂模制装置120的整体结构图。树脂模制装置120具备第一冲压装置1010及第二冲压装置1020这两台冲压装置。而且，树脂模制装置120在第一冲压装置1010与第二冲压装置1020之间具备清洁装置30。在第一冲压装置1010的一方侧配置工件装载机40，在第二冲压装置1020的另一方侧配置工件卸载机50。在本实施例中，工件装载机40、第一冲压装置1010、清洁装置30、第二冲压装置1020、工件卸载机50依次配置成一列，但没有限定于此，也可以是其他的配置结构。
第一冲压装置1010具备：具备模具12(上模具和下模具)而构成的模具，该模具12是将被成形品工件55夹紧而进行树脂模制的工件5(在本实施例中，以下将工件5简称为模具12)；及对模具12(上模具和下模具中的一方)进行升降驱动的驱动机构(未图示)。第二冲压装置1020也同样具备模具，该模具具备模具22(上模具和下模具)而构成。在模具12、22中的上模具和下模具的至少一方分别形成模腔12a、22a。需要说明的是，本实施例的树脂模制装置120具有第一冲压装置1010及第二冲压装置1020这两个冲压装置，但是没有限定于此。本实施例也可以适用于仅具有1个冲压装置的树脂模制装置、或者具有3个以上的冲压装置的树脂模制装置。
在工件装载机40收纳有向第一冲压装置1010和第二冲压装置1020供给的被成形品工件55。而且，在工件卸载机50收纳有树脂模制后的成形品工件55a。在第一冲压装置1010和第二冲压装置1020的侧方与各个冲压装置并列地配置有供排被成形品工件55和成形品工件55a的供排机构。供排机构具备：从工件装载机40搬出被成形品工件55而向第一冲压装置1010和第二冲压装置1020供给的装载手70；将成形品工件55a从第一冲压装置1010和第二冲压装置1020搬出而收纳于工件卸载机50的卸载手80。装载手70及卸载手80由导轨73引导而沿图11中的箭头方向(左右方向)移动。
清洁装置30对装入第一冲压装置1010和第二冲压装置1020的模具进行清洁。清洁装置30具备：清洁头34，具备激光装置31和进行分型剂的静电喷雾的静电喷雾装置32；及机器手36，使清洁头34回旋或伸缩移动。机器手36在与第一冲压装置1010和第二冲压装置1020相对的位置使清洁头34交替地回旋移动，在该移动位置使臂伸缩，由此使清洁头34进入第一冲压装置1010和第二冲压装置1020进行清洁。
需要说明的是，在本实施例中，激光装置31和静电喷雾装置32可以设于互不相同的清洁头。而且，可以将清洁装置30作为具备激光装置31的第一清洁装置及具备静电喷雾装置32的第二清洁装置而相互分离地构成。此时，能够使模具在第二清洁装置的工作台上移动而进行基于静电喷雾的清洁处理。
激光装置31以向树脂模制后的模具(的面)照射激光束(能量线)而将附着残留于模具面的树脂残渣或树脂组成成分中的残留于模具面的成分从模具面剥离，或者形成为从模具面容易剥离的状态的方式发挥作用。即，通过向模具面照射激光束，而使附着在模具的表面的模具污垢层变形，对模具污垢(模具污垢层)与模具粘结的部位进行烧制(分解、破坏)，由此以使模具污垢层或模具污垢与模具面的粘结力下降的方式发挥作用。
在模具12、22的表面已经形成分型剂的情况下，激光装置31使该分型剂也剥离。因此，在激光装置31进行清洁处理之后进行基于静电喷雾装置32的清洁处理，由此能够在模具12的表面形成新的分型剂。此时，模具12的表面由于进行了基于激光装置31的清洁处理，因此旧的分型剂及模具污垢被剥离。因此，在模具12的表面能够形成优质的薄膜(分型剂)。
作为激光装置31，使用紫外线半导体激光二极管、蓝色激光二极管、红色激光二极管、红外线激光二极管、YAG激光或CO2激光等。而且，除了半导体激光之外，还可以使用紫外线发光二极管、红外线发光二极管等发光二极管。而且，可以光学性地利用电流镜使1条光束振动而形成激光束，而且，可以利用圆柱透镜来扩大光束的宽度。
接着，参照图1，说明本实施例的静电喷雾装置32。图1是本实施例的静电喷雾装置32的概略结构图。静电喷雾装置32通过静电喷雾在作为工件5的模具12、22上形成分型剂的膜(薄膜)。
静电喷雾装置32主要具备喷嘴2、电压控制装置6及工作台7。静电喷雾装置32对模具12、22的清洁在前述的激光装置31进行的清洁之后进行。而且，在通过静电喷雾装置32对模具12、22进行清洁时，可以在将模具12、22载置于各个冲压装置的状态下进行，或者可以在静电喷雾装置32内设置专用的工作台7而使模具12、22在工作台7上移动来进行。
从图1中的箭头A的方向将作为分型剂的液剂向喷嘴2供给。电压控制装置6向喷嘴2的电极2a与工作台7的电极7a之间施加规定的电压。模具12(或模具22)以与喷嘴2的前端部2b(喷嘴前端部)相对的方式载置在工作台7上。喷嘴前端部的直径(供液剂通过的内径)设定为例如5μm～400μm左右。
当通过电压控制装置6施加规定的电压时，将分型剂(液剂)从喷嘴2的前端部2b朝向模具喷雾。此时，喷嘴2的内部的分型剂在通过施加电压产生的静电力下排斥，破坏喷嘴2的前端部2b的液面的表面张力而微粒子化。微粒子化后的分型剂带有正电或负电，因此相互的粒子彼此排斥，能够不凝集地喷雾。而且，喷雾出的粒子或气化的分型剂全部通过静电力而附着于模具面。这样，将分型剂从喷嘴2的前端部2b喷雾，最初处于具有比较大的直径的粒子31a的状态，然后成为具有比较小的直径的粒子31b而堆积在模具12(22)上。并且，通过使堆积的粒子31b(分型剂)固化，而在模具的表面上形成分型剂的薄膜。需要说明的是，在本实施例中，分型剂由氟系或硅系的材料构成，但没有限定于此。
而且，在本实施例中，形成于模具12、22的膜(分型剂的薄膜)的厚度为例如1～5μm。更优选的是，该薄膜的厚度为1～3μm。这是因为，当分型剂的膜较厚时，与现有技术一样需要在工件的树脂模制前进行虚拟喷丸，另一方面，当分型剂的膜过薄时，难以产生作为分型剂的效果。这样，根据静电喷雾手法，能够形成以往的喷雾手法无法形成的那样薄的膜。而且，根据静电喷雾，在模具的模腔12a、22a那样的凹部(台阶部)处，也能够均匀地形成分型剂的膜。
如前所述，根据本实施例，通过静电喷雾能够在模具的表面形成分型剂的薄膜。在形成于模具面的分型剂是厚度为1～5μm左右的薄膜的情况下，在工件的实际的树脂模制时，抑制分型剂向产品(树脂)的转印。因此，不需要以往那样在工件的树脂模制前用于抑制向树脂的转印的虚拟喷丸。其结果是，能够容易地进行清洁工序。
接着，参照图2，说明通过静电喷雾装置32施加的电压(用于产生静电的电压)。图2是通过静电喷雾装置32施加的直流电压的说明图。在图2中，示出了将作为模具12的工件5(工作台7)接地(GND连接)，向喷嘴2施加正(+)的直流电压的状态。但是，本实施例没有限定于此，也可以向喷嘴2施加负(-)的直流电压。使用正电压还是负电压根据分型剂或工件5(模具12)的材料等而适当设定。而且，不改变极性而只要施加仅一方的极性的电压即可，因此没有限定为直流电压，可以在喷雾中一边维持极性一边使电压的大小变化地进行控制。而且，也可以施加以极性仅为正或仅为负的电压高低差的变化构成的脉冲电压。在施加这样的脉冲电压的情况下，能够包含0V地设定，但也可以不包含0V地设定。在本实施例中，喷嘴2的前端部2b与模具12的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
需要说明的是，在本实施例中，也可以取代直流电压而施加脉冲电压。此时，静电喷雾装置32的电压控制装置6将相对于模具12(工作台7)的极性正与负交替变化的脉冲电压向喷嘴2施加(脉冲振荡)。脉冲电压适合使用于例如模具12的导电性低的情况。
在施加脉冲电压的情况下，首先如图3(a)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，正电荷(+电荷)聚集在工件5(模具12)的表面(喷嘴2侧的面)，该表面带正(+)电。接着，如图3(b)所示，向喷嘴2施加负电压(-电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带负(-)电，附着(击中)于带正(+)电的工件5(模具12)的表面上。接着，如图3(c)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带正(+)电，附着于模具12的表面上。
并且，通过反复进行图3(b)所示那样的施加负电压的状态与图3(c)所示那样的施加正电压的状态(施加脉冲电压)，而构成分型剂的薄膜的粒子31b堆积于模具12上。脉冲电压的大小设定为例如0.5kV～10kV左右，脉冲宽度(喷雾速度)设定为例如5Hz～1kHz左右。而且，喷嘴2的前端部2b与模具12的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
而且，在本实施例中，由于控制到达模具12上的粒子31b的粒子径，因此能够控制喷雾距离即喷嘴2的位置(高度)。图4是表示静电喷雾装置32的喷嘴2(喷嘴前端部)的位置控制(高度控制)的图。如图4所示，在静电喷雾装置32设置相机8。相机8以能够观察到达模具12的表面的粒子31b的方式配置。这样，使用相机8来观察粒子31b的粒子径或粒子31b的涂敷状态，根据其观察结果，以使喷嘴2向期望的位置移动的方式进行控制。例如图4所示，在喷雾中，能够将喷嘴前端部与模具12的表面的距离d1变更为距离d2。
这样的控制可以通过图像处理自动执行，或者也可以手动进行。需要说明的是，在控制粒子径的情况下，没有限定为使喷嘴2的高度或左右方向的位置移动的结构，也可以采用例如变更喷嘴的直径、施加电压的大小或脉冲宽度的结构。在模具12上形成分型剂的薄膜期间模具12的静电特性发生变化的情况下有效。
而且，在本实施例中，喷嘴2也可以具备多个喷嘴部。此时，由于在模具12上均匀地形成分型剂，因此能够独立地控制向多个喷嘴部分别施加的电压(脉冲电压)。而且，可以按照规定的各区域来变更多个喷嘴部的配置。通过设定电压的大小，能够更均匀地形成分型剂的薄膜的厚度。
接着，参照图12，说明本实施例的冷却装置230。图12是冷却装置230的概略结构图。冷却装置230设于静电喷雾装置32，对分型剂进行冷却。静电喷雾装置32将由冷却装置230冷却后的分型剂从喷嘴2朝向模具12进行静电喷雾。模具12通常配置在180度等的高温状态下。因此，在这样的高温状态下要将分型剂进行喷雾的情况下，喷嘴2内的喷雾前的分型剂(液剂)存在气化的可能性。为了可靠地避免这种情况，在静电喷雾装置32设置冷却装置230，对喷嘴2内的液剂进行冷却，将冷却后的液剂朝向模具12喷雾。
冷却装置230具备例如珀耳帖元件212，在冷却装置230的内部设有利用珀耳帖元件冷却的空气的通路220(空冷结构)。而且，可以取代空气而使水(冷却水)在通路220中循环。这样，冷却装置230使冷却后的空气或水循环而对导入喷嘴2的液剂(分型剂)进行冷却。并且，冷却后的液剂通过前述的电压控制装置6，从多个喷嘴2a(多喷嘴)朝向模具12喷雾。通过冷却装置230对分型剂进行冷却，由此能抑制液剂的气化，能够更有效地进行基于静电喷雾装置32的清洁处理。
在进行了使用激光装置31及静电喷雾装置32的清洁处理之后，在打开模具的状态下通过装载手70向第一冲压装置1010(或第二冲压装置1020)新供给被成形品工件55，通过模具12(或模具22)将被成形品工件55夹紧而进行树脂模制。由此，能得到树脂模制后的成形品工件55a。
本实施例的基于静电喷雾装置32进行的清洁处理可以每当进行工件5的树脂模制时进行。或者该清洁处理可以在进行了规定的次数的树脂模制之后进行1次。
如以上所述，本实施例的树脂模制装置120具有：向模具12照射激光的激光装置31；在激光的照射后，向喷嘴2与模具12之间施加规定的电压，将分型剂从喷嘴2朝向模具12静电喷雾，从而在模具12上形成分型剂的薄膜的静电喷雾装置32；以及使用形成有分型剂的薄膜的模具12进行被成形品工件55的树脂模制的冲压装置(第一冲压装置1010、第二冲压装置1020)。
根据本实施例的结构，通过分型剂的静电喷雾，能够在模具上形成均匀且薄的分型剂的膜(薄膜)。因此，与以往那样不均匀且比较厚的膜即模具跑合剂不同，在对于工件的实际的树脂模制之前即使不执行虚拟喷丸，也能够抑制分型剂的薄膜向工件的模制树脂混入。因此，根据本实施例，能够提供一种容易进行清洁工序的树脂模制装置及树脂模制方法。
在实施例1～8中，说明了例如本实施例在基于激光装置的清洗后进行静电喷雾的结构，但是本实施例的树脂模制装置及树脂模制方法未必非要与激光装置组合。而且，本实施例的树脂模制装置及树脂模制方法也可以与作为其他的清洗方法的等离子清洗或灰化清洗组合。
实施例9
接着，参照图1，说明本发明的实施例9的静电喷雾的概要。图1是本实施例的静电喷雾装置32的概略结构图。静电喷雾装置32通过静电喷雾在丝上形成薄膜。丝例如是纤维丝、具有绝缘性的塑料丝、或者金、铜、钨等金属丝，但没有限定于此。需要说明的是，在此所说的“丝”包括在长度方向上具有挠性的结构，也包括别名为纱或线的结构(连续体)。薄膜例如是导电膜(Cu膜等金属膜)、电介质膜、绝缘膜(聚酰亚胺树脂、环氧树脂、硅酮树脂)、磁漆膜、有机EL膜、太阳能电池膜、塑料膜、陶瓷膜，且没有限定于此。
静电喷雾装置32主要具备喷嘴2、控制单元10、及对于作为工件5的丝305不经由工作台7而直接向丝305施加规定的电位的电极部(与工作台7的电极7a相同或类似的电极)。控制单元10包括向喷嘴2施加规定的电压的电压控制装置。从图1中的箭头A的方向向喷嘴2供给液剂。液剂根据形成在作为工件5的丝305(在本实施例中，以下将工件5简称为丝305)上的薄膜的种类而适当选择。例如，在丝305上形成导电膜的情况下，使用Ni、Cu、Ag等金属熔融在规定的溶剂中的液剂作为导电膜的原料的液剂。
控制单元10向喷嘴2的电极2a与电极部之间施加规定的电压。丝305被保持成与喷嘴2的前端部2b(喷嘴前端部)相对。喷嘴前端部的直径(供液剂通过的内径)设定为例如5μm～400μm左右。
当通过控制单元10向喷嘴2与丝305之间施加规定的电压时，将液剂从喷嘴2的前端部2b朝向丝305喷雾。此时，喷嘴2的内部的液剂在通过施加电压产生的静电力下排斥，破坏喷嘴2的前端部2b的液面的表面张力而微粒子化。微粒子化后的液剂带有正电或负电中的任一种，因此相互的粒子彼此排斥，能够不凝集地喷雾。而且，喷雾出的粒子或气化的分型剂的全部通过静电力而附着于工件。这样，液剂从喷嘴2的前端部2b喷雾，最初处于具有比较大的直径的粒子31a的状态，然后，成为具有比较小的直径的粒子31b而形成(堆积)在丝305上。而后，通过使堆积的粒子31b(液剂)固化，而在丝305的表面形成液剂的薄膜。
而且，在本实施例中，形成于丝305的膜(薄膜)的厚度为例如1～5μm，能够形成均匀且薄的膜。需要说明的是，形成于丝305的膜的厚度可以根据原料(薄膜的种类)而适当设定。这样，根据本实施例的静电喷雾手法，能够在丝305上均匀地形成以往的喷雾手法无法形成的那样薄的膜。
接着，参照图2及图3，说明通过静电喷雾装置32施加的电压(用于产生静电的电压)。在图1～图4中，记载了工件5为两端短的形状，但只不过是概念图。图2是通过静电喷雾装置32施加的直流电压的说明图。图3是通过静电喷雾装置32施加的脉冲电压的说明图。
在图2中，示出了将丝305(电极部)接地(GND连接)并向喷嘴2施加正(+)的直流电压的状态。但是，本实施例没有限定于此，也可以向喷嘴2施加负(-)的直流电压。使用正电压还是负电压根据液剂或丝305的材料等而适当设定。而且，不用改变极性而施加仅一方的极性的电压即可，因此没有限定为直流电压，也可以在喷雾中以一边维持极性一边使电压的大小变化的方式进行控制。此外，也可以施加由极性仅为正或仅为负的电压高低差的变化构成的脉冲电压。在施加这样的脉冲电压的情况下，能够包含0V地设定，但也可以不包含0V地设定。在本实施例中，喷嘴2的前端部2b与丝305的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
需要说明的是，在本实施例中，也可以取代直流电压而施加脉冲电压。此时，静电喷雾装置32的控制单元10将相对于丝305(电极部)的极性正与负交替变化的脉冲电压向喷嘴2施加(脉冲振荡)。脉冲电压适合使用于例如丝305的导电性低的情况。而且，脉冲电压适合使用于在丝305的表面上选择性地形成薄膜的情况。这是因为根据脉冲电压的极性能够控制从喷嘴2的液剂的喷雾。
在施加脉冲电压的情况下，首先如图3(a)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，正电荷(+电荷)聚集在丝305的表面(喷嘴2侧的面)，该表面带正(+)电。接着，如图3(b)所示，向喷嘴2施加负电压(-电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带负(-)电，附着(击中)于带正(+)电的丝305的表面上。接着，如图3(c)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带正(+)电，附着于丝305的表面上。
并且，通过反复进行图3(b)所示那样的施加负电压的状态与图3(c)所示那样的施加正电压的状态(施加脉冲电压)，而构成液剂的薄膜的粒子31b堆积于丝305上。脉冲电压的大小设定为例如0.5kV～10kV左右，脉冲宽度(喷雾速度)设定为例如5Hz～1kHz左右。而且，喷嘴2的前端部2b与丝的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
而且，在本实施例中，由于控制到达丝305上的粒子31b的粒子径，因此能够控制喷雾距离即喷嘴2的位置(高度)。图4是表示静电喷雾装置32的喷嘴2(喷嘴前端部)的位置控制(高度控制)的图。如图4所示，在静电喷雾装置32设置相机8。相机8以能够观察到达丝305的表面的粒子31b的方式配置。这样，使用相机8来观察粒子31b的粒子径或粒子31b的涂敷状态，根据其观察结果，以使喷嘴2向期望的位置移动的方式进行控制。例如图4所示，在喷雾中，能够将喷嘴前端部与丝305的表面的距离d1变更为距离d2。
这样的控制可以通过图像处理自动执行，或者也可以手动进行。需要说明的是，在控制粒子径的情况下，没有限定为使喷嘴2的高度或左右方向的位置移动的结构，也可以采用例如变更喷嘴的直径、施加电压的大小或脉冲宽度的结构。在丝305上形成液剂的薄膜期间丝305的静电特性发生变化的情况下有效。
而且，在本实施例中，由于静电喷雾装置32在丝305的表面形成均匀的薄膜，因此优选以配置在丝305的周围的方式具备多个喷嘴2(多个喷嘴部)。而且，由于形成更均匀的薄膜，因此优选多个喷嘴2从丝305的径向朝向丝305喷雾。
接着，参照图13，说明具有多个喷嘴的静电喷雾装置32。图13是静电喷雾装置32的多个喷嘴的配置图，示出了与丝305延伸的方向正交的面(丝305沿着与纸面正交的方向延伸的状态)。
如图13所示，在丝305的周围配置3个喷嘴2。而且，3个喷嘴2在与丝305正交的面上以彼此相等的角度(120度)配置。这样，在丝305的周围将3个喷嘴2以彼此相等的角度配置，由此能够在丝305上形成均匀的薄膜。需要说明的是，在本实施例中，喷嘴2的个数没有限定为3个，也可以在丝305的周围设置2个或4个以上的喷嘴2。而且，多个喷嘴2没有限定为以彼此相等的角度配置的情况，只要在丝305上能够形成均匀的厚度的膜即可，可以将多个喷嘴2以任意的角度关系配置。在本实施例中，为了更容易形成均匀的厚度的膜而优选使用多个喷嘴2。但是，由于即使通过单一的喷嘴2也能够形成薄膜，因此未必非要配置多个喷嘴2。这种情况下，喷嘴2可以固定，也可以在朝向丝305的状态下一边沿圆周方向旋转一边喷雾。
而且，为了在丝305上形成均匀的厚度的膜，优选向多个喷嘴2施加彼此相等的电压(直流电压、脉冲电压)。但是，根据需要，可以独立地控制向多个喷嘴2施加的电压。
接着，参照图14，说明本实施例的薄膜形成装置。图14是薄膜形成装置140的概略结构图。薄膜形成装置140通过静电喷雾在丝305上形成薄膜。在本实施例中，薄膜形成装置140具备3个静电喷雾装置32a、32b、32c(多个静电喷雾装置)。但是，本实施例的薄膜形成装置140没有限定为具备3个静电喷雾装置32a、32b、32c的结构。薄膜形成装置可以是仅具备1个静电喷雾装置的结构、或具备2个或4个以上的静电喷雾装置的结构。
静电喷雾装置32a(第一静电喷雾装置)具有将作为第一薄膜的原料的第一液剂33a从作为丝305的径向的多个方向朝向丝305喷雾的多个第一喷嘴2a、及向多个第一喷嘴2a的各个第一喷嘴2a与丝305之间施加第一电压的第一电压控制装置(未图示)。多个第一喷嘴2a在与丝305(丝的移动方向)正交的面上以彼此相等的第一角度(在设置3个喷嘴2a的情况下为120度)配置。
而且，静电喷雾装置32b(第二静电喷雾装置)具有将作为第二薄膜的原料的第二液剂33b从作为丝305的径向的多个方向朝向丝305喷雾的多个第二喷嘴2b、及向多个第二喷嘴2b的各个第二喷嘴2b与丝305之间施加第二电压的第二电压控制装置(未图示)。多个第二喷嘴2b在与丝305正交的面上以彼此相等的第二角度(在设置3个喷嘴2b的情况下为120度)配置。
同样，静电喷雾装置32c(第三静电喷雾装置)具有将作为第三薄膜的原料的第三液剂33c从作为丝305的径向的多个方向朝向丝305喷雾的多个第三喷嘴2c、及向多个第二喷嘴2c的各个第三喷嘴2c与丝305之间施加第三电压的第三电压控制装置(未图示)。多个第三喷嘴2c在与丝305正交的面上以彼此相等的第三角度(在设有3个喷嘴2c的情况下为120度)配置。
在本实施例中，薄膜形成装置140具备使丝305(丝305的薄膜形成区域)移动的移动装置18、19。在本实施例中，移动装置18是进行丝305的卷出的卷出装置，移动装置19是进行丝305的卷绕的卷绕装置。但是，本实施例没有限定于此，也可以通过其他的方法使丝305移动。在薄膜形成中，移动装置18、19使丝305以恒定的速度移动，由此能够进行均匀的膜厚的成膜。但是，本实施例没有限定为使丝305以恒定的速度移动的情况。例如也可以通过使丝305的移动速度变化来使膜厚变化。而且，在特定的微细区域形成薄膜(形成微细结构)等情况下，也可以进行使丝305的移动停止，在形成了薄膜之后再次开始丝305的移动等的控制。而且，在移动装置18设置用于将丝305接地(赋予GND电位)的电极部，但也可以将电极部设于移动装置18之外。而且，给电极部赋予的电位也可以是GND电位以外的电位。
另外，在本实施例中，薄膜形成装置140具有进行形成了薄膜的丝305的干燥及烧成的第一干燥烧成装置15a及第二干燥烧成装置15b。第一干燥烧成装置15a设置在第一静电喷雾装置32a与第二静电喷雾装置32b之间。而且，第二干燥烧成装置15b设置在第三静电喷雾装置32c与移动装置19之间。
在本实施例中，首先，第一静电喷雾装置32a的第一电压控制装置施加第一电压而将第一液剂33a从多个第一喷嘴2a朝向丝305喷雾，由此在丝305上形成第一薄膜。然后，形成有第一薄膜的丝305移动至第一干燥烧成装置15a，第一干燥烧成装置15a进行形成有第一薄膜的丝305的干燥及烧成。
接着，第二静电喷雾装置32b的第二电压控制装置施加第二电压而将第二液剂33b从多个第二喷嘴2b朝向丝305喷雾，由此在形成有第一薄膜的丝305上形成第二薄膜。接着，第三静电喷雾装置32c的第三电压控制装置施加第三电压而将第三液剂33c从多个第二喷嘴2c朝向丝305喷雾，由此在形成有第二薄膜的丝305上形成第三薄膜。在本实施例中，作为一例，通过第二静电喷雾装置32b形成的第二薄膜假定了形成容易干燥的薄膜的情况，因此在第二静电喷雾装置32b与第三静电喷雾装置32c之间未设置干燥烧成装置。但是，根据需要，也可以在第二静电喷雾装置32b与第三静电喷雾装置32c之间设置干燥烧成装置。
然后，形成有第三薄膜的丝305移动至第二干燥烧成装置15b，第二干燥烧成装置15b进行形成有第三薄膜的丝305的干燥及烧成。需要说明的是，在第一薄膜或第二薄膜是容易干燥的薄膜的情况下，可以省略图14所示的第一干燥烧成装置15a或第二干燥烧成装置15b。全部的工序结束而在丝305上形成第一薄膜、第二薄膜及第三薄膜后，通过移动装置19卷绕丝305。
根据本实施例，能够提供一种在丝上能够形成均匀且薄的膜的薄膜形成装置。而且，通过在薄膜形成装置上设置多个静电喷雾装置而在丝上以均匀的膜厚形成多个种类的薄膜，由此能够在连续的丝上形成均匀的层叠结构。
例如，在具有绝缘性的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的丝305上使用3个静电喷雾装置32a、32b、32c将前述的3种液剂以层叠3层的方式成膜。作为一例，在丝305上依次成膜出与阴极连接的铝电极膜、使用了有机EL材料的发光膜、及与阳极连接的氧化铟锡(ITO)的透明的电极膜这3层膜，由此能够制造出作为有机EL发挥功能的丝。根据这样的结构，能够通过静电喷雾将各膜成膜为均匀的厚度，因此在能够制造出在丝的径向及长度方向上能够均匀地发光的丝状的有机EL元件。需要说明的是，在外侧的电极膜上还可以成膜出反射防止膜、滤色片或保护膜。
而且，在金或铜等的导电丝上，使用1个静电喷雾装置32a，形成例如由聚酰亚胺树脂或环氧树脂构成的绝缘膜，由此能够制造出具有保护膜且能够防止丝短路的导电丝。
实施例10
接着，参照图15，说明本发明的实施例10。图15是本实施例的有机EL元件240(OLED)的概略结构图。有机EL元件240是丝状的有机EL元件，通过实施例9的静电喷雾形成丝上的各膜。本实施例也适用图1～图4的概念图的方法。工件5成为丝。
具体而言，在图15中，305a为绝缘丝。在绝缘丝305a的第一区域，通过静电喷雾形成第一电极14(导电膜)。第一电极14与有机EL元件240的阴极24电连接。而且，在绝缘丝305a的第一电极14上形成发光层17(有机EL膜)。
而且，在绝缘丝305a的第二区域形成第二电极13a(导电膜)。而且，在绝缘丝305a的发光层17上形成第二电极13b(导电膜)。在本实施例中，第二电极13b是例如由氧化铟锡(ITO)构成的透明电极。第二电极13a、13b与有机EL元件240的阳极23电连接。在本实施例中，在绝缘丝305a的第二区域，首先形成绝缘膜，在该绝缘膜上形成第二电极13a。使用这样的丝状的有机EL元件来构成发光构件，由此能够制造出柔性的发光装置。
需要说明的是，本实施例对丝状的有机EL元件进行了说明，但没有限定于此，例如，也可以使用通过静电喷雾在丝上形成多个种类的薄膜的装置，来形成丝状的太阳能电池。例如，取代上述的发光层17(有机EL膜)，形成硅系、化合物系、有机系等的发电层，由此能够制造出丝状的太阳能电池元件。而且，在外侧的电极膜上成膜出反射防止膜，由此能够提高发电效率。使用这样的丝状的太阳能电池元件来构成发电构件，由此能够制造出柔性的发光装置。
而且，在本实施例中，使用静电喷雾方法(实施例9的薄膜形成装置)形成丝状的有机EL元件或丝状的太阳能电池，但没有限定于此。例如，通过反复进行通过空气的喷出将液剂喷雾而在丝上成膜的空气式喷雾法、将丝向液剂的浸渍后拉起进行干燥由此成膜的浸渍涂层法等成膜方法，能够形成上述的各膜而制造丝状的有机EL元件。而且，将层叠有前述的各层的材质呈细线状地压出，能够制造出丝状的有机EL元件。
实施例11
接着，参照图16，说明本发明的实施例11。图16是本实施例的有机EL元件300(OLED)的概略结构图。有机EL元件300与实施例10一样是丝状的有机EL元件，通过实施例9的静电喷雾而形成丝上的各膜。作为本实施例的丝，在使用导电丝305b的方面上，与使用绝缘丝305a的实施例10的结构不同。本实施例也适用图1～图4的概念图的方法。
在图16中，305b是导电丝。导电丝305b构成第一电极，且与阴极24电连接。在导电丝305b的第一区域，通过静电喷雾形成绝缘层16(绝缘膜)。而且，在导电丝305b的第二区域形成发光层17(有机EL膜)。
而且，在绝缘层16上形成第二电极13a。而且，在发光层17上形成第二电极13b。在本实施例中，第二电极13b是透明电极(ITO)。第二电极13a、13b与有机EL元件300的阳极23电连接。由此，与实施例10一样，能够制造出可均匀地发光的丝状的有机EL。
需要说明的是，本实施例说明了丝状的有机EL元件，但是与实施例10一样，也可以形成丝状的太阳能电池。而且，在本实施例中，与实施例10一样，可以使用挤压成形或浸渍涂层法等来形成同样的结构。
根据上述各实施例，能够提供一种在丝上形成均匀且薄的膜的薄膜形成装置。而且，能够提供一种使用了丝的微细的有机EL元件。
实施例12
接着，参照图17，说明本发明的实施例12。本实施例是使用通过实施例10、11等制作的丝状的有机EL元件的方式。图17是本实施例的发光装置450的概略结构图。发光装置450将丝状的有机EL元件401作为经纱及纬纱而织入，从而具有布状的发光部。发光装置450具有与有机EL元件401的一端侧连接的阳极侧的端子412和与有机EL元件401的另一端侧连接的阴极侧的端子413，经由它们而与电源404连接，由此能够发光。
根据本实施例，通过呈布状地织入，而形成能够自由变形的柔性的发光装置450，能够对应于发光装置的设置位置的形状而自由地配置。需要说明的是，发光装置450也可以使用有机EL元件401而通过其他的纺织方法或编织方法来制造。而且，有机EL元件401也可以不织入而以规定的形状(文字或花样)缝于布等，由此能够使所缝的布局部地发光。
实施例13
接着，参照图18，说明本发明的实施例13。本实施例是使用通过实施例10、11等制作的丝状的有机EL元件的方式。图18是本实施例的发光装置550a的概略结构图。发光装置550a将丝状的有机EL元件501平行地排列多个而并联地与电源503连接，能够平面发光。根据本实施例的发光装置550a，与在基板上形成了有机EL元件的发光装置相比，有机EL元件501为丝状，因此仅变更排列的个数和长度就能够调整发光装置的大小，容易大型化。
因此，可以用作大型的照明装置，或者可以用作大型的显示装置的背光灯。而且，由于有机EL元件501形成为能够弯曲的丝状，因此可以用作对应于设置位置的形状而能够自由配置的发光装置。而且，能够构成在表面和背面这两面能够发光的发光装置，能够利用于两面显示信息的显示装置。由此，能够提供一种可两面显示信息的引导板或电子终端等显示装置。
而且，在发光装置550a中，为了提高效率，可以在有机EL元件501的背后配置反射器，为了实现发光状态的平坦化，可以在有机EL元件501的前面配置透镜或滤光片。而且，也能够提供一种通过将一对发光装置550a倾斜90度配置而进一步减小了发光強度的方向依赖性的发光装置。
图19是本实施例的另一发光装置550b的概略结构图。发光装置550b将丝状的有机EL元件501捆束而并联地与电源503连接，由此构成作为直线型的发光装置。根据本实施例的发光装置550b，可以取代直管型的荧光灯来使用，能够用作轻量、高效率的照明。而且，根据发光装置550b，通过变更有机EL元件501的根数，能够简易地调整发光的强度。而且，由于有机EL元件501形成为细丝状，因此形成柔性的发光装置550b，能够对应于发光装置的设置位置的形状而自由地配置。例如，有机EL元件501不仅包括前述那样的直线性的平面配置，也包括涡旋状或弹簧状这样的曲线的形状。根据这样的结构，能够容易地制造出柱形、圆形、或球形等各种形状的发光装置。需要说明的是，也可以使有机EL元件501成为绳状或网状而一起使用。
而且，本实施例的发光装置550a、550b使用硅酮橡胶等具有挠性的树脂材料，如图18及图19中的虚线所示那样进行密封，由此能够不破坏有机EL元件501的排列而进行柔性的配置。而且，发光装置550a、550b即使向PET或硅酮树脂等的片粘贴或夹入使用，也能够起到与本实施例同样的效果。
实施例14
接着，参照图20，说明本发明的实施例14。本实施例是使用通过实施例10、11等作成的丝状的有机EL元件的方式。图20是本实施例的发光装置650的概略结构图。发光装置650是通过在丝状的有机EL元件601的背后配置的反射器606向导光板603引导光而发光的边缘光方式的发光装置。根据发光装置650，与这种发光装置使用的冷阴极管相比，能够抑制构件个数而较细地成形。而且，能够实现搭载有发光装置650的装置的薄型化及小型化。
此外，分别取代图17至图20所示的发光装置450、550a、550b、650的有机EL元件401、501、601而使用前述的丝状的太阳能电池元件，由此能够制造出布状、平板型或直管型等的太阳能电池单元(太阳能发电单元)。由此，例如，可以使用将纱状的太阳能电池元件编织而制造的布来制造衣服类，利用通过该布状的太阳能电池元件发电的电力来驱动安装于衣服类的半导体器件。
根据这样的结构，能够制造出通过构成衣服类的布状的太阳能电池元件向运算部、存储部、操作部或显示部等供电的可穿戴式计算机。需要说明的是，通过具备对布状的太阳能电池元件发出的电力进行蓄积的电池，也能够制造出无电源的可穿戴式计算机。这种情况下，作为衣服类，可以是外套、毛衣、运动服、夹克、衬衫、西服、裤子、裙子等衣服、帽子、手套等小物品，当使用于在穿衣状态下成为外侧的部位时，发电效率良好，在使用显示部或操作部时优选。而且，作为衣服类的半导体器件，取代计算机而设置发光部或显示部，由此能够制造出在夜间等必要时发光或显示各种信息(例如所属信息)的衣服类。而且，也可以形成为将通过布状的太阳能电池元件发电的电力向衣服类具备的电池充电而能够向另一器件供电的结构。例如，通过在口袋具备无线式的供电装置，仅将具备无线式的受电装置的便携型的电子器件预先收纳于口袋就能够进行充电。
实施例15
接着，参照图1，说明本发明的实施例15的静电喷雾及静电涂敷的装置结构的概要。图1是本实施例的静电喷雾装置32(静电涂敷装置)的概略结构图。静电喷雾装置32通过静电喷雾在工件5上立体地形成凸点或配线(三维配线)。在本实施例中，工件5是将多个凸点相互以狭窄的间隔配置而构成的基板、或者具有台阶部的基板等，但没有限定于此。作为工件5，除了基板以外，也可以是玻璃或半导体芯片。通过将本实施例的静电喷雾或静电涂敷利用于工件5，能够制造出半导体装置或MEMS等。凸点是例如Ag凸点、Au凸点、Cu凸点、Ni或焊料。而且，配线是例如聚酰亚胺膜(PI膜)等绝缘膜或Au配线等导电膜。
静电喷雾装置32主要具备喷嘴2、控制单元10及用于载置工件5的工作台7。控制单元10包含向喷嘴施加规定的电压的电压控制装置。从图1中的箭头A的方向将液剂向喷嘴2供给。液剂根据形成在工件5上的薄膜(绝缘膜、导电膜配线)的种类而适当选择。即，选择形成于工件5上的膜的原料作为液剂。
控制单元10向喷嘴2的电极2a与工作台7的电极7a之间施加规定的电压。工件5以与喷嘴2的前端部21(喷嘴前端部)相对的方式载置在工作台7上。喷嘴前端部的直径(液剂通过的内径)设定为例如5μm～400μm左右。
当通过控制单元10施加规定的电压时，将液剂从喷嘴2的前端部2b朝向工件5喷雾。此时，喷嘴2的内部的液剂在通过施加电压产生的静电力下排斥，破坏喷嘴2的前端部2b的液面的表面张力而微粒子化。微粒子化后的液剂带有正电或负电，因此相互的粒子彼此排斥，能够不凝集地喷雾。这样，液剂从喷嘴2的前端部2b喷雾，最初处于具有比较大的直径的粒子31a的状态，然后成为具有比较小的直径的粒子31b而形成(堆积)在工件5上。并且，通过使堆积的粒子31b(液剂)固化，而在工件5的表面上形成液剂的薄膜(绝缘膜、导电膜)。
而且，在本实施例中，形成于工件5的薄膜(绝缘膜、导电膜)的厚度为例如0.2～30μm，能够形成均匀且薄的配线。需要说明的是，形成于工件5的凸点或配线的厚度可以根据原料(绝缘膜或导电膜的种类)而适当设定。这样，根据本实施例的静电喷雾方法，能够形成利用以往的喷雾手法无法形成的那样薄的配线。而且，根据静电喷雾，即使在工件5具有台阶部(凸部)的情况下，也能够在工件5(包含工件5的侧面)上均匀地形成液剂的膜。
在此，参照图36，说明本实施例的静电涂敷的概要。在静电涂敷中，与静电喷雾不同，对于接近工件5的喷嘴2，例如一边施加脉冲电压一边不将液剂进行喷雾而直线地向工件5射出。具体而言，液剂通过在施加脉冲电压时产生的静电力而破坏喷嘴2的前端部21的液面的表面张力，成为微小的液滴31c。该液滴由于脉冲电压的施加而未带电至能够喷雾的电压，因此未微细化地向工件5拉近。由此，该液滴不喷雾而直线地向工件5射出，能够进行液滴的大小的涂敷。本静电涂敷根据需要可以适用于本申请全部的实施例。
因此，不使喷嘴2移动而将液滴呈点状地涂敷，由此形成微细的凸点，而且，一边使喷嘴2移动，一边反复涂敷液滴，由此呈线状地涂敷，从而能够形成微细的配线。
接着，参照图2及图3，说明通过静电喷雾装置32施加的电压(用于产生静电的电压)。图2是通过静电喷雾装置32施加的直流电压的说明图。图3是通过静电喷雾装置32施加的脉冲电压的说明图。通过如图2那样一边施加直流电压一边将液剂从喷嘴2朝向工件5喷雾，从而进行静电喷雾。另一方面，通过如图3那样一边施加脉冲电压一边从喷嘴2向工件5涂敷液剂，从而进行静电喷雾或静电涂敷。
在图2中，示出了将工件5(工作台7)接地(GND连接)并向喷嘴2施加正(+)的直流电压的状态(进行静电喷雾的情况)。但是，本实施例没有限定于此，也可以向喷嘴2施加负(-)的直流电压。使用正电压还是负电压根据液剂或工件5的材料等而适当设定。而且，不用改变极性而施加仅一方的极性的电压即可，因此没有限定为直流电压，也可以在喷雾中以一边维持极性一边使电压的大小变化的方式进行控制。此外，也可以施加由极性仅为正或仅为负的电压高低差的变化构成的脉冲电压。在施加这样的脉冲电压的情况下，能够包含0V地设定，但也可以不包含0V地设定。在本实施例中，喷嘴2的前端部2b与工件5的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
在图3中示出了静电喷雾装置32的控制单元10将相对于工件5(工作台7)的极性正与负交替变化的脉冲电压向喷嘴2施加(脉冲振荡)的状态。需要说明的是，使用脉冲电压进行的静电涂敷适合使用于在工件5的表面上选择性地形成凸点或配线的情况。这是因为根据脉冲电压的极性能够从喷嘴2不进行液剂的喷雾地涂敷。
在施加脉冲电压的情况下，首先如图3(a)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，正电荷(+电荷)聚集在工件5的表面(喷嘴2侧的面)，该表面带正(+)电。接着，如图3(b)所示，向喷嘴2施加负电压(-电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带负(-)电，附着(击中)于带正(+)电的工件5的表面上。接着，如图3(c)所示，向喷嘴2施加正电压(+电压)。此时，从喷嘴2静电喷雾的粒子31b带正(+)电，附着于工件5的表面上。
并且，通过反复进行图3(b)所示那样的施加负电压的状态与图3(c)所示那样的施加正电压的状态(施加脉冲电压)，而粒子31b堆积于工件5上。脉冲电压的大小设定为例如0.5kV～10kV左右，脉冲宽度(喷雾速度)设定为例如5Hz～1kHz左右。而且，喷嘴2的前端部2b与工件的表面之间的距离d设定为例如0.5mm～20mm左右。
而且，在本实施例中，由于控制到达工件5上的粒子31b的粒子径，因此能够控制喷雾距离即喷嘴2的位置(高度)。图4是表示静电喷雾装置32的喷嘴2(喷嘴前端部)的位置控制(高度控制)的图。如图4所示，在静电喷雾装置32设置相机8。相机8以能够观察到达工件5的表面的粒子31b的方式配置。这样，使用相机8来观察粒子31b的粒子径或粒子31b的涂敷状态，根据其观察结果，以使喷嘴2向期望的位置移动的方式进行控制。例如图4所示，在喷雾中，能够将喷嘴前端部与工件5的表面的距离d1变更为距离d2。
这样的控制可以通过图像处理自动执行，或者也可以手动进行。需要说明的是，在控制粒子径的情况下，没有限定为使喷嘴2的高度或左右方向的位置移动的结构，也可以采用例如变更喷嘴的直径、施加电压的大小或脉冲宽度的结构。在工件5上形成液剂的薄膜期间工件5的静电特性发生变化的情况下有效。
而且，在本实施例中，喷嘴2也可以具备多个喷嘴部。此时，由于在工件5上均匀地形成液剂(凸点或配线)，因此能够独立地控制向多个喷嘴部分别施加的电压(脉冲电压)。而且，可以按照规定的各区域来变更多个喷嘴部的配置。通过设定电压的大小，能够更均匀地形成凸点或配线的薄膜的厚度。
以下，分别具体说明利用静电涂敷形成凸点的方法、以及利用静电喷雾及静电涂敷这两者形成三维配线的方法。
首先，参照图21，说明本发明的实施例1。图21是本实施例的凸点形成方法的说明图，示出了凸点形成装置150的概略结构。本实施例涉及在工件5上形成微细的凸点43的方法，利用上述的静电涂敷方法进行。
如图21所示，凸点形成装置150具有由包含电压控制装置的控制单元10施加规定的脉冲电压而涂敷作为凸点(导电体)的原料的液剂的液滴41的喷嘴2a。控制单元10以使用液剂的液滴41在工件5上形成凸点43的方式进行控制。在本实施例中，凸点适合使用Ag凸点、Au凸点等，因此作为凸点的原料的液剂，可使用Ag、Au等金属熔融于溶剂中的液剂(Ag纳米油墨或Au纳米油墨)。
在本实施例中，工件5具备基板51及设置在基板51上的焊盘部52。例如，在具有焊盘部52的间隔为10μm左右那样非常高密度的配线结构的半导体装置的制造中，在各个焊盘部52上需要搭载比该间隔小的凸点43。在使用以往的印刷法的凸点形成方法中，例如形成具有200～300μm左右的直径的比较大的凸点，无法形成能够适用于图22所示那样的高密度结构的微细的凸点。
因此，在本实施例中，利用静电涂敷，来形成微细的凸点。具体而言，在焊盘部52的上部配置喷嘴2a，向喷嘴2a与工件5之间施加脉冲电压。当施加脉冲电压时，通过与该脉冲电压对应的静电涂敷，喷出作为凸点43的原料的液剂，成为一个块(粒子42)而涂敷于工件5的规定的位置(焊盘部52上)。通过这样的静电涂敷方法，能够形成具有3～10μm左右的直径的微细的凸点43。
需要说明的是，为了提高连接凸点43的外部装置的焊盘部与焊盘部52的紧贴性，在凸点43的形成的前后可以通过静电喷雾或静电涂敷来形成Ni膜。而且，为了使凸点43干燥，可以在工件5上形成了凸点43之后进行焊剂喷雾。焊剂喷雾是将蚁酸等从喷嘴朝向形成在工件5上的凸点43进行喷雾来化学性地除去金属表面的氧化物。
如以上所述，根据本实施例，能够使用静电涂敷方法而容易地形成可适用于高密度结构的微细的凸点。
而且，凸点43不仅可以如前述的工件5那样仅形成于一面，而且可以形成于工件5的两面。具体而言，在保持工件5的缘部的状态下，从在工件5的上下朝向工件配置的喷嘴2a朝向配置在工件5的两面上的焊盘部52上喷出液剂(液滴41)。这种情况下，通过静电涂敷方法形成凸点43，因此在工件5的下表面也能够成形凸点43。由此，能够在工件5的两面形成凸点43，因此能够容易形成使用了工件5的层叠结构。
而且，由于使用静电涂敷方法，因此不仅是工件5的1个平面，即便是具有将コ字状或L字状这样的多个平面组合的面的工件5也能够在各侧面形成凸点43。
实施例16
接着，参照图22至图24，说明本发明的另一实施例。图22至图24是本实施例的三维配线形成方法的说明图，示出了三维配线形成装置250的概略结构。本实施例涉及在具有台阶部的工件60(在本实施例16、实施例17中，将工件5记载为60)上形成三维配线的方法，利用上述的静电喷雾方法及静电涂敷方法进行。工件60在基板61上将模具附属材料63及半导体芯片(模)64的结构体层叠三层而构成。而且，各层的结构体的端部分别错开，其结果是，形成3段的台阶部69a、69b、69c。
图22示出了通过静电喷雾形成聚酰亚胺膜65(绝缘膜)的情况。本实施例的三维配线形成装置具有通过被施加第一电压而将作为聚酰亚胺膜65的原料(第一原料)的液剂65a(第一液剂)朝向工件60喷雾的喷嘴2b(第一喷嘴)。喷嘴2b可以是具备多个喷嘴部的多喷嘴。并且，控制单元10以将使用液剂65a在工件60上形成三维配线的部位覆盖的方式进行控制。
在本实施例中，在比较大的范围内形成聚酰亚胺膜65，因此控制单元10向喷嘴2b与工件60之间施加规定的直流电压，将聚酰亚胺膜65的原料的液剂65a朝向工件60喷雾。这样，即使对于图22所示那样的具有台阶部69a、69b、69c的工件60，通过静电喷雾也能够形成均匀且薄的聚酰亚胺膜65。由此，能够形成作为抗蚀膜(绝缘膜)发挥功能的聚酰亚胺膜65。
在半导体芯片64上形成用于与后述的Au配线电连接的电极部75。因此，朝向电极部75不喷雾液剂65a，而形成未填充聚酰亚胺膜65的孔部71。同样，在基板61上形成用于与后述的Au配线电连接的电极部62。因此，朝向电极部62不喷雾液剂65a，而形成未填充聚酰亚胺膜65的孔部66。
图23示出了通过静电涂敷形成Au配线67(金属配线)的情况。本实施例的三维配线形成装置具有通过被施加第二电压而将作为Au配线67的原料(第二原料)的液剂67a(第二液剂)向工件60涂敷的喷嘴2c(第二喷嘴)。喷嘴2c可以是具备多个喷嘴部的多喷嘴。并且，控制单元10以使用液剂67a在工件60上形成三维配线的方式进行控制。需要说明的是，相对于在台阶部69a、69b、69c处形成Au配线67的面而喷嘴2c成为平行的状态，难以涂敷，因此根据需要可以一边使喷嘴2c倾斜一边进行涂敷。
在本实施例中，Au配线67在形成聚酰亚胺膜65的区域中的一部分区域(例如局部)选择性地形成。因此，Au配线67优选不通过静电喷雾而通过静电涂敷形成。因此，控制单元10向喷嘴2c(第二喷嘴)与工件60之间施加规定的脉冲电压，将Au配线67的原料(第二原料)的液剂67a(第二液剂)向工件60涂敷。根据本实施例，能够形成具有例如3～10μm左右的线宽的微细的Au配线。而且，此时，向在电极部62的上部设置的孔部66及在电极部75的上部设置的孔部71也涂敷液剂67a，因此在孔部66和孔部71上形成Au层68，Au配线67将电极部62与电极部75电连接。由此，即便是例如夹持其他的芯片而需要丝的配线的结构，也能够利用立体地形成的Au配线67进行电连接。因此，能够缩短配线距离而实现半导体芯片的处理速度的高速化。而且，Au配线67成为附着于工件5的面的状态，因此不会由于工件5的挠曲而断裂，因此能够进行配线向具有挠性的工件5的形成。
图24示出了在台阶部69a、69b、69c的侧面上形成Au配线67的情况。在使用静电涂敷在台阶部69a、69b、69c的侧面上形成Au配线67的情况下，如图24所示，优选在使喷嘴2c倾斜适当的角度的状态下涂敷液剂67a。例如，以对于工件60的平面部进行静电涂敷的情况的喷嘴2c的位置为基准，使喷嘴2c倾斜角度α。与静电喷雾不同，静电涂敷从喷嘴2c局部地涂敷液剂67a。因此，在使喷嘴2c倾斜规定的角度α的状态下不改变喷嘴2c的倾斜地进行静电涂敷，由此在台阶部69a、69b、69c的侧面上也能够形成均匀的Au配线67。需要说明的是，喷嘴2b(第一喷嘴)在将液剂65a朝向台阶部69a、69b、69c的侧面喷雾的情况下，从与工件60正交的方向喷雾，但是也可以与喷嘴2c(第二喷嘴)一样，在朝向台阶部的侧面喷雾时，倾斜规定的角度。
在本实施例中，说明了由聚酰亚胺膜65及Au配线67立体地构成的三维配线。但是，本实施例没有限定于此，也可以通过聚酰亚胺膜以外的绝缘膜及Au以外的金属配线构成三维配线。而且，也可以包含其他的绝缘膜或金属配线而构成三维配线。此外，可以不形成绝缘膜而仅将金属配线构成作为三维配线。
而且，可以在形成了Au配线67之后，在工件60上形成聚酰亚胺膜65，由此通过静电喷雾形成对Au配线67进行保护的保护膜。而且，可以在该保护膜的上表面通过静电喷雾形成导电膜或导电网，由此形成将电磁波隔断的电磁屏蔽。
根据上述各实施例，能够提供一种在工件上形成微细的凸点的凸点形成装置及凸点形成方法。而且，能够提供一种在具有台阶部的工件上形成具有均匀的尺寸(厚度、宽度)的微细的三维配线的三维配线形成装置及三维配线形成方法。
实施例17
接着，参照图25至图31，说明本发明的另一实施例。在本实施例中，将多个三维配线层叠形成。首先，如图25所示，在电极部62、70上通过静电涂敷形成与前述的Au层68同样地发挥功能的凸点68a。接着，如图26所示，避开电极部62、70而形成了聚酰亚胺膜65之后，形成将设置在基板61上的电极部62的凸点68a与形成在第一段的半导体芯片64上的电极部75的凸点68a电连接的Au配线67，形成三维配线。
接着，如图27所示，形成将基板61的凸点68a与形成在第二段的半导体芯片64上的电极部75的凸点68a连接的三维配线。接着，如图28所示，形成将基板61的凸点68a与形成在第三段的半导体芯片64上的电极部75的凸点68a连接的三维配线。这样，交替成形聚酰亚胺膜65和Au配线67，并将多个三维配线层叠形成，由此能够成形出能够将多个半导体芯片64与基板61分別电连接的配线结构。根据这样的结构，在极窄的面积内(极小范围内)能够层叠设置立体的三维配线结构，能够实现三维配线结构的高密度化。
而且，也可以形成将层叠的半导体芯片64之间连接的三维配线。此时，如图29所示，在电极部62、70上通过静电涂敷来形成凸点68a。接着，如图30所示，一边利用Au配线67将基板61的凸点68a与第一段的半导体芯片64的凸点68a电连接，一边利用Au配线67将层叠的第一段与第二段的半导体芯片64的各自的电极部75的凸点68a之间电连接。需要说明的是，如图31所示，即便是若夹持第二段的半导体芯片64而不使用凸点等的丝则电连接困难的第一段和第三段的半导体芯片64，也能够利用Au配线67将电极部75的凸点68a之间电连接，能够缩短配线距离而能够实现半导体芯片的处理速度的高速化。而且，根据这样的结构，能够自由地形成配线结构。
实施例18
接着，参照图32至图35，说明本发明的另一实施例。在本实施例中，如图32至图35所示，在以使一面露出的方式进行树脂密封而没有台阶部地形成的半导体芯片中，立体地形成将该面上形成的端子的端子间隔扩宽的扇形展开式的再配线层。如图32所示，工件85(在本实施例中将工件5记载为85)使用例如热固化性等的树脂81而除了半导体芯片82的一面侧之外进行树脂密封，并且在露出的一面侧形成有电极83。
如图32所示，在工件85的电极83上通过静电涂敷来形成凸点68a。接着，如图33所示，避开凸点68a而形成作为抗蚀膜(绝缘膜)的聚酰亚胺膜65，以从凸点68a朝向半导体芯片82的外侧延伸的方式形成Au配线67。接着，如图34所示，在Au配线67的前端侧通过静电涂敷而形成凸点68a。而且，避开凸点68a而形成聚酰亚胺膜65，由此在半导体芯片82的外侧形成端子而能够扩开端子间隔。此时，各个Au配线67成为在俯视观察下从与半导体芯片82的缘部相邻(接近)设置的多个电极83向外侧延伸的状态。由此，Au配线67呈放射状(扇状)地扩开而能够立体地形成端子间隔扩开的扇形展开式的再配线层。
需要说明的是，也可以如图35所示，在形成的再配线层的凸点68a上，通过静电涂敷再形成外部的连接用的凸点68a。在由工件85制造单独的半导体装置的情况下，对外部连接用的凸点68a之间(该图的中心位置)进行切割，由此能够制造出扇形展开式的半导体装置。需要说明的是，在上述实施例中，说明了通过Au配线67和凸点68a形成立体性的配线结构的例子，但也可以不形成凸点68a而在电极83上直接连接Au配线67来形成立体的配线结构。
在实施例15～18中，例如，对于1个工件，形成凸点43及三维配线这两方，由此也能够形成其他的配线结构体。例如，对于层叠有多个半导体芯片的插入式基板，可以在层叠有半导体芯片的一方的面(上表面)上构成三维配线，在朝向安装插入式基板的对象物的另一方的面(下表面)上形成凸点43。此时，在利用同一液剂形成凸点43和三维配线的情况下，能够利用相同喷嘴形成，能够以廉价的结构来形成复杂的配线结构。需要说明的是，在各实施例中，配线结构体没有限定为具有立体的三维配线结构的情况，也可以是例如在半导体芯片或基板等基材上具有平面性的二维配线结构的配线结构体。而且，也可以在金属配线间形成电介质层而形成具有容量的配线结构体。
而且，也可以通过静电喷雾或静电涂敷将液剂合成而在工件上形成凸点或三维配线等的配线结构体(具有凸点及配线的至少一方的配线结构)。这种情况下，向一对喷嘴分别施加正电压及负电压不同的极性的电压并将工件接地。并且，在从各喷嘴喷出的液剂到达工件之前将各个液剂一边喷雾一边合成，在工件上形成膜，由此能够形成凸点43或绝缘膜或金属配线。例如，可以使用通过主剂与固化剂混合而固化的固化性树脂来形成绝缘膜。而且，根据需要一边调整层叠的各膜的组成一边合成，由此接近于线膨胀系数，防止配线结构体的翘曲或膜的破损。
而且，也可以使通过静电涂敷从喷嘴喷出的液滴彼此碰撞并合成后进行涂敷。例如，在成形焊料凸点作为凸点时，可以使锡与铅的喷出量的比例可变，通过改变含有率而使性能不同。而且，关于焊料中使用的锡(Sn)、银(Ag)、铜(Cu)、锌(Zn)、铋(Bi)及铟(In)等材质，根据要求的性能而使从喷嘴的喷出量不同，由此能够自由地形成高品位的配线结构体。
以上，具体地说明了本发明的实施例。但是，本发明没有限定为上述实施例记载的事项，在不脱离本发明的技术思想的范围内能够适当变更。
标号说明
2喷嘴
5工件
7工作台
8相机
10控制单元
32静电喷雾装置
100抗蚀膜形成装置
200导电膜形成装置
270半导体封装体
288树脂
290导电膜
400荧光体的成膜装置
480LED芯片
485荧光体
500绝缘膜形成装置
515丝
525绝缘膜
600液剂合成装置
637薄膜

Claims (42)

1.一种抗蚀膜形成装置，通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜，其特征在于，具有：
喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾；
驱动单元，使所述基板或所述喷嘴相对地移动；及
控制单元，以使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的方式进行控制。
2.一种抗蚀膜形成装置，通过静电涂敷在具有凸点的半导体芯片上形成抗蚀膜，其特征在于，具有：
喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子向所述半导体芯片涂敷；
驱动单元，使所述半导体芯片或所述喷嘴相对地移动；及
控制单元，以使用所述液剂的粒子在具有所述凸点的所述半导体芯片中的除了该凸点的上表面之外的该凸点的周围选择性地形成所述抗蚀膜的方式进行控制。
3.一种抗蚀膜形成方法，通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜，其特征在于，具有：
向喷嘴施加规定的电压的步骤；
将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾的步骤；及
使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的步骤。
4.一种抗蚀膜形成方法，通过静电涂敷在基板上形成抗蚀膜，其特征在于，具有：
向喷嘴施加规定的电压的步骤；
将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子向半导体芯片涂敷的步骤；及
使用所述液剂的粒子在具有凸点的所述半导体芯片中的除了该凸点的上表面之外的该凸点的周围选择性地形成所述抗蚀膜的步骤。
5.一种导电膜形成装置，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成电磁屏蔽用的导电膜，其特征在于，具有：
喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述导电膜的原料的液剂的粒子朝向所述工件喷雾或涂敷；
驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及
控制单元，以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述导电膜的方式进行控制。
6.一种导电膜形成方法，通过静电喷雾或静电涂敷在半导体封装体上形成电磁屏蔽用的导电膜，其特征在于，具有：
向喷嘴施加规定的电压的步骤；
将作为所述导电膜的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述半导体封装体喷雾或涂敷的步骤；及
通过所述液剂的粒子在所述半导体封装体上形成所述导电膜的步骤。
7.一种短波长高透过率绝缘膜的成膜装置，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成短波长高透过率绝缘膜，其特征在于，具有：
液剂生成单元，通过使作为所述短波长高透过率绝缘膜的原料的粒子在溶剂内分散而生成液剂；
喷嘴，通过被施加规定的电压，将所述液剂朝向所述工件喷雾或涂敷；
驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及
加热单元，以规定的温度进行加热而使所述液剂熔融，从而在所述工件上形成所述短波长高透过率绝缘膜。
8.根据权利要求7所述的PTFE膜的成膜装置，其特征在于，
所述工件是LED芯片，被用作紫外线发光二极管。
9.一种短波长高透过率绝缘膜的成膜方法，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成短波长高透过率绝缘膜，其特征在于，具有：
通过使作为所述短波长高透过率绝缘膜的原料的粒子在溶剂内分散而生成液剂的步骤；
向喷嘴施加规定的电压的步骤；
将所述液剂从所述喷嘴朝向所述工件喷雾或涂敷的步骤；及
以规定的温度进行加热而使所述液剂熔融，从而在所述工件上形成所述短波长高透过率绝缘膜的步骤。
10.一种荧光体的成膜装置，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成荧光体，其特征在于，具有：
喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述荧光体的原料的液剂的粒子朝向LED芯片喷雾或涂敷；
驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及
控制单元，以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述荧光体的方式进行控制。
11.根据权利要求10所述的荧光体的成膜装置，其特征在于，
所述工件是LED芯片，作为所述荧光体的原料的液剂是含有该荧光体的硅酮树脂、向含有该荧光体的硅酮树脂添加了溶剂的材料、或包含该荧光体和该溶剂的材料中的任一个。
12.一种荧光体的成膜方法，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成荧光体，其特征在于，具有：
向喷嘴施加规定的电压的步骤；
将作为所述荧光体的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述工件喷雾或涂敷的步骤；及
通过所述液剂的粒子在所述工件上形成所述荧光体的步骤。
13.一种绝缘膜形成装置，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成绝缘膜，其特征在于，具有：
喷嘴，通过被施加规定的电压，将作为所述绝缘膜的原料的液剂的粒子朝向所述工件喷雾或涂敷；
驱动单元，使所述工件或所述喷嘴相对地移动；及
控制单元，以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述绝缘膜的方式进行控制。
14.根据权利要求13所述的绝缘膜形成装置，其特征在于，
所述工件是丝，
作为所述绝缘膜的原料的液剂是聚酰亚胺树脂、环氧树脂或磁漆。
15.一种绝缘膜形成方法，通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成绝缘膜，其特征在于，具有：
向喷嘴施加规定的电压的步骤；
将作为所述绝缘膜的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述工件喷雾或涂敷的步骤；及
通过所述液剂的粒子在所述工件上形成绝缘膜的步骤。
16.一种液剂合成装置，通过静电喷雾或静电涂敷将液剂合成而在工件上形成膜，其特征在于，具有：
第一喷嘴，相对于所述工件被施加负电压，将带负电的第一液剂进行喷雾或涂敷；
第二喷嘴，相对于所述工件被施加正电压，将带正电的第二液剂进行喷雾或涂敷；
驱动单元，使所述工件或所述第一喷嘴及所述第二喷嘴相对地移动；及
控制单元，以将所述带负电的第一液剂与所述带正电的第二液剂合成而在所述工件上形成膜的方式进行控制。
17.一种液剂合成方法，通过静电喷雾或静电涂敷将液剂合成而在工件上形成膜，其特征在于，具有：
相对于所述工件向第一喷嘴施加负电压，相对于该工件向第二喷嘴施加正电压的步骤；
从所述第一喷嘴将带负电的第一液剂进行喷雾或涂敷，从所述第二喷嘴将带正电的第二液剂进行喷雾或涂敷的步骤；
将所述第一液剂与所述第二液剂合成而形成合成液剂的步骤；及
使用所述合成液剂在所述工件上形成所述膜的步骤。
18.一种树脂模制装置，其特征在于，具有：
静电喷雾装置，向喷嘴与模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成该分型剂的薄膜；及
冲压装置，使用形成有所述分型剂的薄膜的模具进行被成形品工件的树脂模制。
19.一种树脂模制装置，其特征在于，具有：
激光装置，向模具照射激光；
静电喷雾装置，在所述激光的照射后，向喷嘴与所述模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成分型剂的薄膜；及
冲压装置，使用形成有所述分型剂的薄膜的模具进行被成形品工件的树脂模制。
20.根据权利要求18所述的树脂模制装置，其特征在于，
所述分型剂由氟系或硅系的材料构成。
21.根据权利要求18～20中任一项所述的树脂模制装置，其特征在于，
所述静电喷雾装置具备多个喷嘴部作为所述喷嘴，并独立地控制向该多个喷嘴部分别施加的电压。
22.一种树脂模制方法，其特征在于，具有：
向喷嘴与模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成分型剂的薄膜的步骤；
使用形成有所述分型剂的薄膜的所述模具将被成形品工件夹紧的步骤；及
向所述被成形品工件供给树脂而进行树脂模制的步骤。
23.一种树脂模制方法，其特征在于，具有：
向模具照射激光的步骤；
向喷嘴与所述模具之间施加规定的电压，将分型剂从该喷嘴朝向该模具进行静电喷雾，从而在该模具上形成分型剂的薄膜的步骤；
使用形成有所述分型剂的薄膜的所述模具将被成形品工件夹紧的步骤；及
向所述被成形品工件供给树脂而进行树脂模制的步骤。
24.一种薄膜形成装置，通过静电喷雾在丝上形成薄膜，其特征在于，具有：
喷嘴，将作为所述薄膜的原料的液剂从所述丝的径向朝向所述丝喷雾；及
电压控制装置，向所述喷嘴与所述丝之间施加规定的电压，
所述电压控制装置施加所述规定的电压，将所述液剂从所述喷嘴朝向所述丝喷雾，从而在该丝上形成所述薄膜。
25.根据权利要求24所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述喷嘴构成为具备多个喷嘴部，
所述多个喷嘴部在与所述丝正交的面上以彼此相等的角度配置。
26.根据权利要求24～25中任一项所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述薄膜形成装置还具有进行形成有所述薄膜的丝的干燥及烧成的干燥烧成装置。
27.一种薄膜形成装置，通过静电喷雾在丝上形成薄膜，其特征在于，具有：
第一静电喷雾装置，具有将作为第一薄膜的原料的第一液剂从多个方向朝向所述丝喷雾的多个第一喷嘴部、及向该多个第一喷嘴部的各个第一喷嘴部与该丝之间施加第一电压的第一电压控制装置；
第二静电喷雾装置，具有将作为第二薄膜的原料的第二液剂从多个方向朝向所述丝喷雾的多个第二喷嘴部、及向该多个第二喷嘴部的各个第二喷嘴部与该丝之间施加第二电压的第二电压控制装置；及
移动装置，使所述丝移动，
所述第一电压控制装置施加所述第一电压，将所述第一液剂从所述多个第一喷嘴部朝向所述丝喷雾，从而在该丝上形成所述第一薄膜，
所述移动装置使形成有所述第一薄膜的丝移动至所述第二静电喷雾装置，
所述第二电压控制装置施加所述第二电压，将所述第二液剂从所述多个第二喷嘴部朝向所述丝喷雾，从而在形成有所述第一薄膜的丝上形成所述第二薄膜。
28.根据权利要求27所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述薄膜形成装置还在所述第一静电喷雾装置与所述第二静电喷雾装置之间具有进行形成有所述第一薄膜的丝的干燥及烧成的第一干燥烧成装置，
所述第一干燥烧成装置进行形成有所述第一薄膜的丝的干燥及烧成，
在通过所述第一干燥烧成装置进行了形成有所述第一薄膜的丝的干燥及烧成之后，所述第二静电喷雾装置在该丝上形成所述第二薄膜。
29.根据权利要求28所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述薄膜形成装置还在所述第二静电喷雾装置与所述移动装置之间具有进行形成有所述第二薄膜的丝的干燥及烧成的第二干燥烧成装置，
所述第二干燥烧成装置进行形成有所述第二薄膜的丝的干燥及烧成。
30.一种有机EL元件，其特征在于，具有：
绝缘丝；
第一电极，形成在所述绝缘丝的第一区域；
发光层，形成在所述绝缘丝的所述第一电极上；及
第二电极，形成在所述绝缘丝的所述发光层上。
31.根据权利要求42所述的有机EL元件，其特征在于，
分别构成所述第一电极、所述发光层及所述第二电极的薄膜使用通过静电喷雾在所述绝缘丝上形成该薄膜的薄膜形成装置而形成，
所述薄膜形成装置具有：
喷嘴，将作为所述薄膜的原料的液剂从作为所述丝的径向的多个方向朝向所述绝缘丝喷雾；及
电压控制装置，向所述喷嘴与所述绝缘丝之间施加规定的电压，
所述电压控制装置施加所述规定的电压，将所述液剂从所述喷嘴朝向所述绝缘丝喷雾，从而在该绝缘丝上形成所述薄膜。
32.一种有机EL元件，其特征在于，具有：
导电丝，构成第一电极；
绝缘层，形成在所述导电丝的第一区域；
发光层，形成在所述导电丝的第二区域；及
第二电极，形成在所述导电丝的所述绝缘层及所述发光层上。
33.根据权利要求32所述的有机EL元件，其特征在于，
分别构成所述绝缘层、所述发光层及所述第二电极的薄膜使用通过静电喷雾在所述导电丝上形成该薄膜的薄膜形成装置而形成，
所述薄膜形成装置具有：
喷嘴，将作为所述薄膜的原料的液剂从所述丝的径向朝向所述导电丝喷雾；及
电压控制装置，向所述喷嘴与所述导电丝之间施加规定的电压，
所述电压控制装置施加所述规定的电压，将所述液剂从所述喷嘴朝向所述导电丝喷雾，从而在该导电丝上形成所述薄膜。
34.一种凸点形成装置，通过静电涂敷在工件上形成凸点，其特征在于，具有：
喷嘴，通过被施加脉冲电压，将作为所述凸点的原料的液剂向所述工件涂敷；及
控制单元，以使用所述液剂在所述工件上形成所述凸点的方式进行控制。
35.根据权利要求34所述的凸点形成装置，其特征在于，
所述凸点的原料是Ag纳米油墨或Au纳米油墨。
36.一种凸点形成方法，通过静电涂敷在工件上形成凸点，其特征在于，具有：
向喷嘴与所述工件之间施加脉冲电压的步骤；及
通过与所述脉冲电压对应的静电涂敷将作为所述凸点的原料的液剂向所述工件的规定的位置涂敷，在所述工件上形成具有3～10μm的直径的所述凸点的步骤。
37.一种配线形成装置，通过静电喷雾及静电涂敷中的至少一方在工件上形成配线，其特征在于，具有：
第一喷嘴，通过被施加第一电压，将作为所述配线的第一原料的第一液剂朝向所述工件喷雾；及
控制单元，以使用所述第一液剂在所述工件上立体地形成所述配线的方式进行控制。
38.根据权利要求37所述的配线形成装置，其特征在于，
所述配线形成装置还具有通过被施加第二电压而将作为所述配线的第二原料的第二液剂向所述工件涂敷的第二喷嘴，
所述控制单元以在涂敷所述第一液剂之前使用所述第二液剂在所述工件上形成所述配线的方式进行控制。
39.根据权利要求38所述的配线形成装置，其特征在于，
所述第一液剂是形成用以构成所述配线的金属配线的液剂，
所述第二液剂是形成用以构成所述配线的绝缘膜的液剂。
40.根据权利要求39所述的配线形成装置，其特征在于，
所述绝缘膜是聚酰亚胺膜，所述金属配线是Au配线。
41.一种配线形成方法，通过静电喷雾及静电涂敷中的至少一方在工件上形成配线，其特征在于，具有：
向第一喷嘴与所述工件之间施加第一电压的步骤；
根据所述第一电压将作为所述配线的第一原料的第一液剂朝向所述工件喷雾，使用该第一液剂在所述工件上形成绝缘膜的步骤；
向第二喷嘴与所述工件之间施加第二电压的步骤；及
根据所述第二电压将作为所述配线的第二原料的第二液剂向所述工件涂敷，使用该第二液剂在所述工件上形成导电膜的步骤。
42.一种配线结构体，其特征在于，通过静电喷雾及静电涂敷中的至少一方而形成凸点及配线中的至少一方的配线结构。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108144758A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 中国科学院工程热物理研究所 基于静电雾化的喷雾冷却装置
CN110234436A (zh) * 2017-01-30 2019-09-13 住友化学株式会社 静电喷雾装置、信息处理终端、控制方法以及控制程序
CN113540406A (zh) * 2021-06-28 2021-10-22 万向一二三股份公司 一种用于负极补锂的锂膜及其制备装置、制备方法和应用

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014208277A1 (ja) * 2013-06-28 2014-12-31 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP6494095B2 (ja) * 2015-03-20 2019-04-03 アネスト岩田株式会社 静電噴霧装置
JP6112130B2 (ja) * 2015-03-25 2017-04-12 トヨタ自動車株式会社 静電ノズル、吐出装置及び半導体モジュールの製造方法
US20180178227A1 (en) * 2015-05-28 2018-06-28 Georgia Tech Research Corporation Systems and methods of electron beam induced processing
ES2759505T3 (es) 2015-09-02 2020-05-11 Tonejet Ltd Método de funcionamiento de una cabeza de impresión de chorro de tinta
US10847488B2 (en) 2015-11-02 2020-11-24 Mediatek Inc. Semiconductor package having multi-tier bonding wires and components directly mounted on the multi-tier bonding wires
US10037936B2 (en) 2015-11-02 2018-07-31 Mediatek Inc. Semiconductor package with coated bonding wires and fabrication method thereof
ES2752184T3 (es) * 2015-11-20 2020-04-03 Tata Steel Nederland Tech Bv Método y aparato para aplicar un recubrimiento metálico
JP6489526B2 (ja) * 2015-12-22 2019-03-27 矢崎総業株式会社 電線付き端子の製造方法
WO2017164566A1 (ko) * 2016-03-24 2017-09-28 주식회사 프로텍 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 장치 및 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
CN109315069B (zh) * 2016-07-07 2021-01-08 名幸电子有限公司 立体配线基板、立体配线基板的制造方法及立体配线基板用基材
KR102028027B1 (ko) * 2017-03-14 2019-10-04 (주)잉크테크 반도체 칩의 전자파 차폐막 형성 장치 및 방법
CN107146769B (zh) * 2017-05-23 2019-10-25 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管的转移设备及转移方法
JP7049686B2 (ja) * 2017-06-13 2022-04-07 株式会社ホタルクス 静電印刷装置および静電印刷方法
KR102160552B1 (ko) * 2018-02-28 2020-09-28 최영준 절연막 형성 방법 및 절연막 제조장치
CN112655087A (zh) 2018-09-06 2021-04-13 三菱电机株式会社 功率半导体装置及其制造方法以及电力变换装置
WO2020162131A1 (ja) * 2019-02-08 2020-08-13 富山県 感光性繊維形成組成物及び繊維パターンの形成方法
CN211857976U (zh) * 2020-04-16 2020-11-03 北京京东方显示技术有限公司 一种显示装置
TW202217982A (zh) * 2020-10-21 2022-05-01 力成科技股份有限公司 半導體壓模製程的灑粉裝置及其灑粉方法
CN116833066A (zh) * 2023-07-14 2023-10-03 深圳埃克森新能源科技有限公司 用于电池的绝缘保护涂层及其制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020070446A1 (en) * 2000-12-13 2002-06-13 Michio Horiuchi Semiconductor device and method for the production thereof
JP2002290199A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
US20030222019A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 Battelle Memorial Institute Electrostatic deposition of particles generated from rapid expansion of supercritical fluid solutions
JP2005252335A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置およびその製造方法
US20070116881A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Method for forming thin film and film-forming device
JP2007175576A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電噴霧装置及び静電噴霧方法
CN101180329A (zh) * 2005-05-20 2008-05-14 纳幕尔杜邦公司 具有低氟表面活性剂含量的芯/壳氟聚合物分散体
US20090224437A1 (en) * 2005-12-12 2009-09-10 Mitsuhiro Fukuoka Electrostatic spray apparatus and method of electrostatic spray
CN101587953A (zh) * 2008-05-23 2009-11-25 汉能科技有限公司 一种燃料电池多孔基层的疏水化处理方法
JP2011009725A (ja) * 2009-05-28 2011-01-13 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源装置の製造方法
US20110111588A1 (en) * 2008-06-30 2011-05-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Wiring forming method

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6142462A (ja) 1984-08-07 1986-02-28 Hanano Shoji Kk ダイカスト用離型剤の静電スプレ−方法
JPH01146946A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 防鼠性熱可塑性樹脂組成物
JP2894493B2 (ja) 1988-02-09 1999-05-24 三菱マテリアル株式会社 銀被覆有機繊維の製造方法
JPH0286016A (ja) * 1988-09-20 1990-03-27 Fujikura Ltd テープ状電線の製造方法
JPH055271A (ja) 1991-06-28 1993-01-14 Kanebo Ltd 金属皮膜を有する導電繊維の製造方法
JPH06182519A (ja) 1992-12-21 1994-07-05 Nichibei:Kk ダイカスト金型の離型剤塗布方法及びその塗布装置
JP2730508B2 (ja) 1995-02-28 1998-03-25 日本電気株式会社 印刷配線板の製造方法
JPH09155283A (ja) 1995-12-05 1997-06-17 Sumitomo Metal Ind Ltd 加工性・耐熱非粘着性に優れた樹脂被覆金属板
JPH10249248A (ja) 1997-03-13 1998-09-22 Daido Steel Co Ltd 溶接ワイヤ用静電塗油装置
JP2985840B2 (ja) 1997-07-31 1999-12-06 日本電気株式会社 半田バンプ電極の製造方法
JPH11213760A (ja) * 1998-01-30 1999-08-06 Sumitomo Wiring Syst Ltd 被覆電線およびその被覆剥離方法
US7323634B2 (en) * 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
JP3913381B2 (ja) 1998-12-22 2007-05-09 三洋電機株式会社 受光素子とその製造方法並びに受光素子を備える光検出器
JP3566580B2 (ja) * 1999-05-26 2004-09-15 Ｎｅｃセミコンダクターズ九州株式会社 樹脂封止金型のクリーニング装置、樹脂封止金型クリーニング方法およびクリーニングシステム
US20030029379A1 (en) * 2001-07-11 2003-02-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electrostatic coating device and electrostatic coating method
JP2003225591A (ja) * 2002-02-05 2003-08-12 Fuji Photo Film Co Ltd 静電塗布装置および静電塗布方法
JP2003135997A (ja) 2001-11-02 2003-05-13 Kansai Paint Co Ltd 粉体塗装装置及び粉体塗装方法
JP4342787B2 (ja) 2002-10-09 2009-10-14 コニカミノルタホールディングス株式会社 電磁波遮蔽透明板、パネルディスプレイ装置、電磁波遮蔽窓、電磁波遮蔽容器、及び、電磁波遮蔽透明板の製造方法
JP2004160287A (ja) 2002-11-11 2004-06-10 Horiba Ltd 成膜装置および成膜方法
JP2004181665A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Noritsu Koki Co Ltd 静電方式液体吐出装置
JP2005040665A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP4049105B2 (ja) 2004-02-24 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 ワイピング装置および液滴吐出装置、並びに電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
WO2005122646A1 (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 National Institute Of Advanced Industrial Scienceand Technology 線状発光体、線状発光装置及び線状発光体の製造方法
US7334881B2 (en) 2004-07-12 2008-02-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system to deposit drops
JP4245553B2 (ja) * 2004-11-26 2009-03-25 Ｌｕｉ株式会社 金型の離型剤塗布装置
JP4735177B2 (ja) 2005-10-11 2011-07-27 三菱電機株式会社 溶融金属吐出装置及び溶融金属吐出方法並びにバンプ形成方法
SG143180A1 (en) * 2006-11-22 2008-06-27 Apic Yamada Corporaton Resin molding machine and method of resin molding
JP5314876B2 (ja) * 2006-11-22 2013-10-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法
US7722145B2 (en) 2006-12-28 2010-05-25 Toshiba Tec Kabushiki Kaisha Ink jet head driving apparatus and ink jet head driving method
JP5216261B2 (ja) 2007-07-03 2013-06-19 株式会社日本マイクロニクス 配線形成装置、配線形成方法及び噴出制御装置
WO2009011709A1 (en) 2007-07-19 2009-01-22 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois High resolution electrohydrodynamic jet printing for manufacturing systems
JP5159348B2 (ja) 2008-02-06 2013-03-06 浜松ホトニクス株式会社 ナノ材料固定化方法及び固定化装置
WO2009136468A1 (ja) * 2008-05-09 2009-11-12 パナソニック株式会社 半導体装置、およびその製造方法
JP2010260294A (ja) 2009-05-11 2010-11-18 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置及び液滴吐出方法
JP2011023387A (ja) 2009-07-13 2011-02-03 Toppan Printing Co Ltd レジスト膜の形成方法
JP5314152B2 (ja) 2009-09-02 2013-10-16 株式会社ミマキエンジニアリング インクジェットプリンタ、印刷方法及び印刷の成果物の製造方法
TWI414345B (zh) 2010-01-04 2013-11-11 Taiwan Textile Res Inst 含有奈米纖維之薄膜、複合薄膜、其製造方法及其用途
JP2012099315A (ja) 2010-11-01 2012-05-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 全固体リチウム電池用正極とその製造方法および全固体リチウム電池
JP5753710B2 (ja) 2011-03-11 2015-07-22 Lui株式会社 静電型液体塗布装置及び静電型液体塗布方法
JP2014143221A (ja) 2011-05-18 2014-08-07 Panasonic Corp 回路基板の製造方法、並びに、その製造方法で得られる回路基板

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020070446A1 (en) * 2000-12-13 2002-06-13 Michio Horiuchi Semiconductor device and method for the production thereof
JP2002290199A (ja) * 2001-03-28 2002-10-04 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波装置
US20030222019A1 (en) * 2002-05-28 2003-12-04 Battelle Memorial Institute Electrostatic deposition of particles generated from rapid expansion of supercritical fluid solutions
JP2005252335A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置およびその製造方法
CN101180329A (zh) * 2005-05-20 2008-05-14 纳幕尔杜邦公司 具有低氟表面活性剂含量的芯/壳氟聚合物分散体
US20070116881A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Method for forming thin film and film-forming device
US20090224437A1 (en) * 2005-12-12 2009-09-10 Mitsuhiro Fukuoka Electrostatic spray apparatus and method of electrostatic spray
JP2007175576A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 静電噴霧装置及び静電噴霧方法
CN101587953A (zh) * 2008-05-23 2009-11-25 汉能科技有限公司 一种燃料电池多孔基层的疏水化处理方法
US20110111588A1 (en) * 2008-06-30 2011-05-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Wiring forming method
JP2011009725A (ja) * 2009-05-28 2011-01-13 Citizen Holdings Co Ltd Ｌｅｄ光源装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110234436A (zh) * 2017-01-30 2019-09-13 住友化学株式会社 静电喷雾装置、信息处理终端、控制方法以及控制程序
CN108144758A (zh) * 2017-12-26 2018-06-12 中国科学院工程热物理研究所 基于静电雾化的喷雾冷却装置
CN108144758B (zh) * 2017-12-26 2020-01-21 中国科学院工程热物理研究所 基于静电雾化的喷雾冷却装置
CN113540406A (zh) * 2021-06-28 2021-10-22 万向一二三股份公司 一种用于负极补锂的锂膜及其制备装置、制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
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