TWI570772B - Photoresist film forming apparatus and method thereof, conductive film forming and circuit forming apparatus and method thereof, electromagnetic wave mask forming apparatus and method thereof, film forming apparatus and method for short wavelength high transmittance insulating film, film forming of phosphor Device and method thereof, micro-material synthesizing device and method thereof, resin mold sealing device, resin sealing method, film forming apparatus, organic EL element, bump forming apparatus and method thereof, wiring forming apparatus and method thereof, and wiring structure - Google Patents

Photoresist film forming apparatus and method thereof, conductive film forming and circuit forming apparatus and method thereof, electromagnetic wave mask forming apparatus and method thereof, film forming apparatus and method for short wavelength high transmittance insulating film, film forming of phosphor Device and method thereof, micro-material synthesizing device and method thereof, resin mold sealing device, resin sealing method, film forming apparatus, organic EL element, bump forming apparatus and method thereof, wiring forming apparatus and method thereof, and wiring structure Download PDF

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TWI570772B
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Description

光阻膜形成裝置及其方法、導電膜形成及電路形成裝置及其方法、電磁波遮罩形成裝置及其方法、短波長高透過率絕緣膜之成膜裝置及其方法、螢光體之成膜裝置及其方法、微量材料合成裝置及其方法、樹脂模封裝置、樹脂模封方法、薄膜形成裝置、有機EL元件、凸塊形成裝置及其方法、配線形成裝置及其方法、以及配線構造體
本發明，係有關於藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成膜和配線以及粒子分散層之方法。
又，本發明，係有關於樹脂模封裝置以及樹脂模封方法，特別是有關於能夠容易地進行清淨工程之樹脂模封裝置以及樹脂模封方法。
又，本發明，係有關於藉由靜電噴霧來在線材上形成薄膜之薄膜形成裝置以及使用線材所形成的有機EL元件。
又，本發明，係有關於藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成凸塊或配線之裝置及其方法。
從先前技術起，便存在有使用將工件(基板)浸漬在 光阻液中之液浸方法、利用版之凹凸之印刷法、或者是對於工件上供給光阻液並藉由使工件高速旋轉所產生的離心力來形成薄膜之旋轉塗布法，而在工件上形成光阻膜之方法。例如，在專利文獻1中，係揭示有使用了旋轉塗布法之光阻膜之形成方法。
又，在專利文獻2中，係揭示有將螢光體藉由電子線蒸鍍而作了蒸鍍的半導體元件。又，亦周知有將螢光體使用裝瓶(potting)或分配器(dispenser)來形成之方法。在專利文獻3中，係揭示有將液狀物質塗布在特定對象物之表面上而形成薄膜之成膜方法。在先前技術之成膜方法中，係將電磁遮蔽箱覆蓋在半導體晶片上，或者是施加有電磁遮蔽用之鍍金。
又，在專利文獻4中，係揭示有使用PTFE(聚四氟乙烯)來製造合材正極之鋰電池用正極之製造方法。在專利文獻5中，係揭示有使用有PTFE之樹脂被覆金屬板。在專利文獻6中，係揭示有一種熔融金屬吐出裝置，其係具備著具有複數之噴嘴孔並收容熔融金屬之儲存室。在專利文獻7中，係揭示有BGA封裝之電極形成方法。
又，從先前技術起，在使用模具而將工件作樹脂模封時，係於適當之時序處而進行有清淨工程。若是列舉出其中一例，則在此清淨工程中，首先，係藉由三聚氰胺系清淨劑來進行成形(亦稱作噴擊清理)，而除去模具之髒污。此時，由於離模劑會被從模具而除去，因此，接著係成形包含有離模劑之親和劑(樹脂)，而在模具上形成離 模膜。接著，為了防止起因於膜親和劑混入至工件之模封樹脂中一事所導致的模封樹脂之信賴性的降低，在進行工件之樹脂模封之前，係進行有假噴擊。藉由將假噴擊僅進行必要之次數，多餘之模親和劑係被除去，在實際之樹脂模封時，模親和劑之混入至工件的模封樹脂中的情形係被抑制。又，作為其他之模具清淨方法，係亦存在有由手作業所進行之殘渣除去或模具表面之電漿洗淨或灰化洗淨，或者是使用有化學藥液之清淨方法。
在專利文獻8中，係揭示有一種樹脂模封裝置，其係具備有對於樹脂模封模具之模具面進行清淨的清淨裝置。此清淨裝置，係具備有對於樹脂模封模具之模具面照射能量線而使附著殘留在模具面上之髒污成為容易從模具面剝離的狀態之能量線照射部。藉由此種構成，來在對被成形品進行樹脂模封時，使髒污附著在成形樹脂上，並使髒污附著在成形品上而使成形品離模。
在專利文獻9中，係揭示有使帶電了的粉體塗料靜電附著於被連續搬送之長條被塗物表面上的粉體塗裝裝置。專利文獻1之粉體塗裝裝置，係具備有靜電塗裝機，其係具有甜甜圈狀之本體，和被安裝在此本體上之具有複數的噴嘴和電暈放電電極，並構成為使長條被塗物通過靜電塗裝機本體之空洞部分的略中心而被搬送。
又，從先前技術起，便進行有在基板或半導體晶片上形成凸塊之工程。例如，在專利文獻6中，係揭示有一種熔融金屬吐出裝置，其係具備對於熔融金屬進行脈衝性之 加壓並從複數之噴嘴孔來以液滴狀而吐出之加壓手段，複數之噴嘴孔的中心軸，係以在吐出方向之延長線上而收斂的方式來作配置。藉由此種構成，由於被吐出的熔融金屬之液滴彼此係會在飛翔中而相互碰撞，因此係能夠吐出與噴嘴孔之個數相對應的所期望之量的液滴。
又，從先前技術起，便周知有將包含有金屬微粒子等之導電性物質的溶劑從噴嘴而以細束狀噴出，並塗布在斷線了的配線圖案之修復場所處的方法。例如，在專利文獻10中，係揭示有一種能夠使導電性粒子收斂為所期望之束直徑並進行配線之形成和修復的配線形成裝置。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2011-23387號公報
〔專利文獻2〕日本特開2000-188416號公報
〔專利文獻3〕日本特開2004-160287號公報
〔專利文獻4〕日本特開2012-99315號公報
〔專利文獻5〕日本特開平9-155283號公報
〔專利文獻6〕日本特開2007-105739號公報
〔專利文獻7〕日本特開平11-54656號公報
〔專利文獻8〕日本特開2008-149705號公報
〔專利文獻9〕日本特開2003-135997號公報
〔專利文獻10〕日本特開2009-016490號公報
然而，在液浸方法或印刷法中，於工件上所形成之光阻膜係會變厚，又，在其之厚度中係會產生有參差。若是在厚度中產生有參差，則工件自身之剛性係會降低。又，在如同專利文獻1所揭示一般的旋轉塗布法中，光阻液之例如50%係會飛散至周圍，而產生光阻液之浪費，並使成本提高。又，當在工件上形成有階差的情況時，光阻係並不會均一地附著在階差之側面。又，當在工件上被形成有凸塊的情況時，係並無法將凸塊之上面除外地來僅在凸塊之周圍處形成光阻膜。
又，在如同專利文獻2所揭示的方法一般之先前技術之螢光體的成膜方法中，係難以安定地形成均一且為薄之膜。因此，會產生從LED晶片而來之光的色不均，而有著無法安定地發光良質之光的情況。
又，藉由專利文獻3等之先前技術之方法所形成的薄膜，係會依存於封裝之形狀，又，係無法僅對於必要之場所而進行成膜。又，在對於基板而安裝後，係並無法僅對於多數之半導體晶片中的需要進行電磁遮蔽之半導體晶片等的保護零件進行電磁波遮蔽。
又，在專利文獻4、5等之先前技術之方法中，PTFE膜等之短波長高透過率絕緣膜，係藉由蒸鍍或濺鍍而形成之。因此，係有必要準備真空環境，又，係並無法進行局部性之被膜。
又，在專利文獻6等之先前技術之熔融金屬吐出裝置 中，係難以將微量之量的液體混合，反應速度係為慢。又，由於係並無法僅混合必要量之液體，因此係會產生液劑之浪費。
又，在專利文獻7等之先前技術之方法中，電極(凸塊)之周圍的絕緣膜，由於係藉由曝光而形成，因此係有必要使用遮罩。又，要將此種絕緣膜作部分性之成膜一事，係為困難。又，在先前技術之方法中，要在接合線材上形成薄膜一事係為困難，特別是在接合後而進行成膜一事係為困難。
又，若是在模具之清淨工程時而進行假噴擊，則清淨工程係變得繁雜，並會成為需要進行長時間之清淨工程。又，起因於繁雜且長時間之清淨工程，樹脂成形品之製造成本亦會變高。另一方面，在如同專利文獻8一般之構成中，由於髒污係會被轉印至成形品上，因此係並不理想。
又，在專利文獻9之構成中，複數之噴嘴係構成為對於被塗物(線材)之徑方向而以既定之角度來吐出粉體塗料。因此，在專利文獻9之構成中，雖然能夠使對於長條被塗物表面之靜電粉體的塗著效率提昇，但是係難以形成均一且為薄之膜。又，在專利文獻9之構成中，在線材上形成複數之種類的薄膜並形成線材狀之有機EL元件一事係為困難。
又，在專利文獻6中所揭示之熔融金屬吐出裝置，雖然能夠在短時間內而吐出所期望之量的焊錫，但是係難以形成細微之凸塊。又，在專利文獻10中所揭示之配線形 成裝置，雖然能夠使導電性粒子收斂為所期望之束徑，但是係難以在具有階差部之基板等的表面上立體性地形成均一且細微之配線。
因此，本發明，係提供一種使用有能夠在工件上均一地形成薄的薄膜之靜電噴霧裝置的光阻膜形成裝置以及光阻膜形成方法。又，係提供使用有此種靜電噴霧裝置之導電膜形成裝置、導電膜形成方法、短波長高透過率絕緣膜形成裝置、短波長高透過率絕緣膜形成方法、螢光體之成膜裝置、螢光體之成膜方法、絕緣膜形成裝置、絕緣膜形成方法、液劑合成裝置、以及液劑合成方法。
又，本發明，係提供一種能夠使清淨工程成為容易之樹脂模封裝置以及樹脂模封方法。
又，本發明，係提供一種在線材上而均一地形成薄的膜之薄膜形成裝置。又，係提供一種使用有線材之細微之有機EL元件。
又，本發明，係提供一種在工件上而形成細微之凸塊的凸塊形成裝置以及凸塊形成方法。又，係提供一種在工件上而形成均一且細微之配線的配線形成裝置以及配線形成方法。又，係提供一種具備被形成有此種凸塊或配線之配線構造的配線構造體。
本發明之其中一側面的光阻膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧而在基板上形成光阻膜之光阻膜形成裝置，其特徵 為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為前述光阻膜之原料的液劑之粒子朝向具有階差部之前述基板進行噴霧之噴嘴；和使前述基板或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和以使用前述液劑之粒子來在具有前述階差部之前述基板上形成前述光阻膜的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之光阻膜形成裝置，係為藉由靜電塗布而在具有凸塊之半導體晶片上形成光阻膜之光阻膜形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為前述光阻膜之原料的液劑之粒子塗布在前述半導體晶片上之噴嘴；和使前述半導體晶片或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和以使用前述液劑之粒子來在具有前述凸塊之前述半導體晶片上的除了該凸塊之上面以外之該凸塊的周圍而選擇性地形成前述光阻膜的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之光阻膜形成方法，係為藉由靜電噴霧而在基板上形成光阻膜之光阻膜形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將成為前述光阻膜之原料的液劑之粒子朝向具有階差部之前述基板進行噴霧之步驟；和使用前述液劑之粒子來在具有前述階差部之前述基板上形成前述光阻膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之光阻膜形成方法，係為藉由靜電塗布而在基板上形成光阻膜之光阻膜形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將成為前述光阻膜之原料的液劑之粒子塗布於半導體晶片上 之步驟；和使用前述液劑之粒子來在具有凸塊之前述半導體晶片上的除了該凸塊之上面以外之該凸塊的周圍而選擇性地形成前述光阻膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之導電膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成電磁遮蔽用之導電膜之導電膜形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為前述導電膜之原料的液劑之粒子朝向前述工件進行噴霧或塗布之噴嘴；和使前述工件或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和以使用前述液劑之粒子來在前述工件上形成前述導電膜的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之導電膜形成方法，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在半導體封裝上形成電磁遮蔽用之導電膜之導電膜形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將成為前述導電膜之原料的液劑之粒子或導電粒子從前述噴嘴而朝向前述半導體封裝進行噴霧或塗布之步驟；和藉由前述液劑之粒子來在前述半導體封裝上形成前述導電膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之短波長高透過率絕緣膜之成膜裝置，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成短波長高透過率絕緣膜之短波長高透過率絕緣膜之成膜裝置，其特徵為，具備有：藉由使成為前述短波長高透過率絕緣膜之原料的粒子在溶媒內分散而產生液劑之液劑產生手段；和藉由被施加既定之電壓，而將前述液劑朝向前述 工件進行噴霧或塗布之噴嘴；和使前述工件或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和藉由加熱至既定之溫度而使前述液劑熔融，來在前述工件上形成前述短波長高透過率絕緣膜之加熱手段。
作為本發明之另外一側面之短波長高透過率絕緣膜之成膜方法，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成短波長高透過率絕緣膜之短波長高透過率絕緣膜之成膜方法，其特徵為，具備有：藉由使成為前述短波長高透過率絕緣膜之原料的粒子在溶媒內分散而產生液劑之步驟；和對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將前述液劑從前述噴嘴而朝向前述工件進行噴霧或塗布之步驟；和藉由加熱至既定之溫度而使前述液劑熔融，來在前述工件上形成前述短波長高透過率絕緣膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之螢光體之成膜裝置，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成螢光體之螢光體之成膜裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為前述螢光體之原料的液劑之粒子朝向LED晶片進行噴霧或塗布之噴嘴；和使前述工件或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和以使用前述液劑之粒子來在前述工件上形成前述螢光體的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之螢光體之成膜方法，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在LED晶片上形成螢光體之螢光體之成膜方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將成為前述螢光體之原料的液劑之粒 子從前述噴嘴而朝向前述LED晶片或者是構成LED封裝之零件(導線框架、反射體、基板)進行噴霧或塗布之步驟；和藉由前述液劑之粒子來在前述LED晶片上形成前述螢光體之步驟。
作為本發明之另外一側面之絕緣膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上形成絕緣膜之絕緣膜形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為前述絕緣膜之原料的液劑之粒子朝向前述工件進行噴霧或塗布之噴嘴；和使前述工件或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和以使用前述液劑之粒子來在前述工件上形成前述絕緣膜的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之絕緣膜形成方法，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布而在線材上形成絕緣膜之絕緣膜形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將成為前述絕緣膜之原料的液劑之粒子從前述噴嘴而朝向前述線材進行噴霧或塗布之步驟；和藉由前述液劑之粒子來在前述線材上形成絕緣膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之液劑合成裝置，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布來合成液劑並在工件之上形成膜之液劑合成裝置，其特徵為，具備有：對於前述工件而噴霧或塗布被施加有負電壓並帶電為負之第1液劑的第1噴嘴；和對於前述工件而噴霧或塗布被施加有正電壓並帶電為正之第2液劑的第2噴嘴；和使前述工件或前述第1噴嘴以及前述第2噴嘴相對性移動之驅動手段；和以將前述帶電 為負之第1液劑和前述帶電為正之第2液劑合成並在前述工件之上形成膜的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之液劑合成方法，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布來合成液劑並在工件之上形成膜之液劑合成方法，其特徵為，具備有：對於前述工件而對第1噴嘴施加負電壓並對於該工件而對於第2噴嘴施加正電壓之步驟；和從前述第1噴嘴而噴霧或塗布帶電為負之第1液劑，並從前述第2噴嘴而噴霧或塗布帶電為正之第2液劑之步驟；和將前述第1液劑和前述第2液劑合成並形成合成液劑之步驟；和使用前述合成液劑而在前述工件之上形成前述膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之樹脂模封裝置，其特徵為，具備有：藉由對於噴嘴和模具之間施加既定之電壓，並從該噴嘴而朝向該模具靜電噴霧離模劑，來在該模具上形成該離模劑之薄膜之靜電噴霧裝置；和使用被形成有前述離模劑之薄膜的模具，來進行工件之樹脂模封之沖壓裝置。
作為本發明之另外一側面之樹脂模封裝置，其特徵為，具備有：對於模具照射雷射之雷射裝置；和在前述雷射之照射後，藉由對於噴嘴和前述模具之間施加既定之電壓，並從該噴嘴而朝向該模具靜電噴霧離模劑，來在該模具上形成該離模劑之薄膜之靜電噴霧裝置；和使用被形成有前述離模劑之薄膜的模具，來進行工件之樹脂模封之沖壓裝置。
作為本發明之另外一側面之樹脂模封方法，其特徵為，具備有：藉由對於噴嘴和模具之間施加既定之電壓，並從該噴嘴而朝向該模具靜電噴霧離模劑，來在該模具上形成該離模劑之薄膜之步驟；和使用被形成有前述離模劑之薄膜的前述模具，來夾鉗工件之步驟；和對於前述工件供給樹脂並進行樹脂模封之步驟。
作為本發明之另外一側面之樹脂模封方法，其特徵為，具備有：對於模具照射雷射之步驟；和藉由對於噴嘴和前述模具之間施加既定之電壓，並從該噴嘴而朝向該模具靜電噴霧離模劑，來在該模具上形成該離模劑之薄膜之步驟；和使用被形成有前述離模劑之薄膜的前述模具來夾鉗工件之步驟；和對於前述工件供給樹脂並進行樹脂模封之步驟。
作為本發明之另外一側面之薄膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧而在線材上形成薄膜之薄膜形成裝置，其特徵為，具備有：將成為前述薄膜之原料的液劑，從前述線材之徑方向來朝向前述線材進行噴霧之噴嘴；和對於前述噴嘴和前述線材之間施加既定之電壓之電壓控制裝置，前述電壓控制裝置，係藉由施加前述既定之電壓並將前述液劑從前述噴嘴而朝向前述線材噴霧，來在該線材上形成前述薄膜。
作為本發明之另外一側面之薄膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧而在線材上形成薄膜之薄膜形成裝置，其特徵為，具備有：第1靜電噴霧裝置，係具有將成為第1薄膜 之原料的第1液劑從複數之方向而朝向前述線材進行噴霧之第1複數之噴嘴部、以及對於該第1複數之噴嘴部之各個和該線材之間施加第1電壓之第1電壓控制裝置；和第2靜電噴霧裝置，係具有將成為第2薄膜之原料的第2液劑從複數之方向而朝向前述線材進行噴霧之第2複數之噴嘴部、以及對於該第2複數之噴嘴部之各個和該線材之間施加第2電壓之第2電壓控制裝置；和移動裝置，係使前述線材移動，前述第1電壓控制裝置，係藉由施加前述第1電壓並將前述第1液劑從前述第1複數之噴嘴部而朝向前述線材進行噴霧，來在該線材上形成前述第1薄膜，前述移動裝置，係使被形成了前述第1薄膜之線材一直移動至前述第2靜電噴霧裝置處，前述第2電壓控制裝置，係藉由施加前述第2電壓並將前述第2液劑從前述第2複數之噴嘴部而朝向前述線材進行噴霧，來在被形成了前述第1薄膜之線材上形成前述第2薄膜。
作為本發明之另外一側面之有機EL元件，其特徵為，具備有：絕緣線材；和被形成於前述絕緣線材的第1區域處之第1電極；和被形成於前述絕緣線材的前述第1電極之上之發光層；和被形成在前述絕緣線材的前述發光層之上之第2電極。
作為本發明之另外一側面之有機EL元件，其特徵為，具備有：構成第1電極之導電線材；和被形成於前述導電線材的第1區域處之絕緣層；和被形成於前述導電線材的第2區域處之發光層；和被形成在前述導電線材的前 述絕緣層以及前述發光層之上之第2電極。
作為本發明之另外一側面之凸塊形成裝置，係為藉由靜電塗布而在工件上形成凸塊之凸塊形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加脈衝電壓，而將成為前述凸塊之原料的液劑塗布於前述工件上之噴嘴；和以使用前述液劑來在前述工件上形成前述凸塊的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之凸塊形成方法，係為藉由靜電塗布而在工件上形成凸塊之凸塊形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴和前述工件之間施加脈衝電壓之步驟；和藉由與前述脈衝電壓相對應之靜電塗布來將成為前述凸塊之原料的液劑塗布於前述工件的既定之位置處，而在前述工件上形成具備有3~50μm之直徑的前述凸塊之步驟。
作為本發明之另外一側面之配線形成裝置，係為藉由靜電噴霧以及靜電塗布之至少其中一者而在工件上形成配線之配線形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加第1電壓，而將成為前述配線之第1原料的第1液劑朝向前述工件進行噴霧之第1噴嘴；和以使用前述第1液劑來在前述工件上立體性地形成前述配線的方式而進行控制之控制手段。
作為本發明之另外一側面之配線形成方法，係為藉由靜電噴霧以及靜電塗布之至少其中一者而在工件上形成配線之配線形成方法，其特徵為，具備有：對於第1噴嘴和 前述工件之間施加第1電壓之步驟；和因應於前述第1電壓而將成為前述配線之第1原料的第1液劑朝向前述工件噴霧，並使用該第1液劑而在前述工件上形成絕緣膜之步驟；和對於第2噴嘴和前述工件之間施加第2電壓之步驟；和因應於前述第2電壓而將成為前述配線之第2原料的第2液劑塗布在前述工件上，並使用該第2液劑而在前述工件上形成導電膜之步驟。
作為本發明之另外一側面之配線構造體，其特徵為：係藉由靜電噴霧以及靜電塗布之至少其中一者而形成凸塊以及配線之至少其中一者的配線構造。
本發明之其他的目的以及特徵，係在以下之實施例中作說明。
若依據本發明，則係可提供一種使用有能夠在工件上均一地形成薄的薄膜之靜電噴霧裝置的光阻膜形成裝置以及光阻膜形成方法。又，係可提供使用有此種靜電噴霧裝置之導電膜形成裝置、導電膜形成方法、螢光體之成膜裝置、螢光體之成膜方法、絕緣膜形成裝置、絕緣膜形成方法、液劑合成裝置、以及液劑合成方法。
又，若依據本發明，則係可提供一種能夠使清淨工程成為容易之樹脂模封裝置以及樹脂模封方法。
又，若依據本發明，則係能夠提供一種在線材上而均一地形成薄的膜之薄膜形成裝置。又，係能夠提供一種使 用有線材之細微之有機EL元件。
又，若依據本發明，則係能夠提供一種在工件上而形成細微之凸塊的凸塊形成裝置以及凸塊形成方法。又，係能夠提供一種在工件上而形成均一且細微之配線的配線形成裝置以及配線形成方法。又，係能夠提供一種具備被形成有此種凸塊或配線之配線構造體。
2‧‧‧噴嘴
5‧‧‧工件
7‧‧‧台
8‧‧‧攝像機
10‧‧‧控制手段
32‧‧‧靜電噴霧裝置
100‧‧‧光阻膜形成裝置
200‧‧‧導電膜形成裝置
270‧‧‧半導體封裝
288‧‧‧樹脂
290‧‧‧導電膜
400‧‧‧螢光體之成膜裝置
480‧‧‧LED晶片
485‧‧‧螢光體
500‧‧‧絕緣膜形成裝置
515‧‧‧線材
525‧‧‧絕緣膜
600‧‧‧液劑合成裝置
637‧‧‧薄膜
〔圖1〕係為實施例1~7、8、9、15中之靜電噴霧裝置(靜電塗布裝置)的概略構成圖。
〔圖2〕係為藉由實施例1~7、8、9、15中之靜電噴霧裝置(靜電塗布裝置)所施加的直流電壓之說明圖。
〔圖3〕係為藉由實施例1~7、8、9、15中之靜電噴霧裝置(靜電塗布裝置)所施加的脈衝電壓之說明圖。
〔圖4〕係為對於實施例1~7、8、9、15之靜電噴霧裝置(靜電塗布裝置)中的噴嘴之位置控制作展示之圖。
〔圖5A〕係為實施例1中之利用有靜電噴霧的光阻膜形成方法之說明圖。
〔圖5B〕係為實施例2中之利用有靜電噴霧的光阻膜形成方法之說明圖。
〔圖6〕係為實施例3中之利用有靜電噴霧的導電膜形成方法之說明圖。
〔圖7〕係為在實施例4中藉由靜電噴霧所形成的短 波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)和藉由先前技術之滴下所形成的PTFE膜之比較圖。
〔圖8〕係為實施例5中之利用有靜電噴霧的螢光體之成膜方法之說明圖。
〔圖9〕係為實施例6中之利用有靜電噴霧的絕緣膜形成方法之說明圖。
〔圖10〕係為實施例7中之利用有靜電噴霧的液劑合成方法之說明圖。
〔圖11〕在實施例8中之樹脂模封裝置的全體構成圖。
〔圖12〕在實施例8中之冷卻裝置的概略構成圖。
〔圖13〕係為實施例9中之靜電噴霧裝置(薄膜形成裝置)中的噴嘴之配置圖。
〔圖14〕在實施例9中之薄膜形成裝置的概略構成圖。
〔圖15〕在實施例10中之有機EL元件的概略構成圖。
〔圖16〕在實施例11中之有機EL元件的概略構成圖。
〔圖17〕在實施例12中之發光裝置的概略構成圖。
〔圖18〕在實施例13中之發光裝置的概略構成圖。
〔圖19〕在實施例13中之發光裝置的概略構成圖。
〔圖20〕在實施例14中之發光裝置的概略構成圖。
〔圖21〕係為實施例15中之利用有靜電塗布的凸塊 形成方法之說明圖。
〔圖22〕係為實施例16中之利用有靜電噴霧的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖23〕係為實施例16中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖24〕係為實施例16中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖25〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖26〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖27〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖28〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖29〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖30〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖31〕係為實施例17中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖32〕係為實施例18中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖33〕係為實施例18中之利用有靜電塗布的3維 配線形成方法之說明圖。
〔圖34〕係為實施例18中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖35〕係為實施例18中之利用有靜電塗布的3維配線形成方法之說明圖。
〔圖36〕係為實施例15~18中之靜電塗布的說明圖。
以下，參考圖面，針對本發明之實施例作詳細說明。在各圖中，針對相同之構件，係附加相同之元件符號，並省略重複之說明。
〔實施例1〕
首先，參考圖1，針對本發明之所有實施例中的靜電噴霧以及靜電塗布的概要作說明。圖1，係為本實施例之靜電噴霧裝置32的概略構成圖。靜電噴霧裝置32，係藉由靜電噴霧而在對象物上形成薄膜。所謂對象物，例如，係為基板、半導體晶片、半導體封裝、LED晶片、線材，以下，係亦有將此些稱作工件的情況。另外，以下，當稱作LED晶片的情況時，係亦會有包含LED晶片以及構成LED封裝之零件(導線框架、反射體、基板、透鏡等)的情況。所謂薄膜，係為藉由靜電噴霧裝置32而在工件上所形成之膜，例如，係為光阻膜、導電膜、短波長高透過 率絕緣膜、螢光體、絕緣膜。
靜電噴霧裝置32，主要係具備有噴嘴2和控制手段10以及用以載置工件5之台7，而構成之。控制手段10，係包含有對於噴嘴施加既定之電壓的電壓控制裝置。對於噴嘴2，係從圖1中之箭頭A的方向而供給有液劑。液劑，係因應於被形成在工件5上之薄膜的種類而適宜作選擇。亦即是，係將形成在工件5上之膜的原料作為液劑而作選擇。液劑，係為使形成在工件5上之膜的材料作了溶入者、或是使該材料之微粒子分散在溶劑等中者，或者是使該材料之錯合物或前驅物存在於溶媒中者。關於此點，在以下之各實施例中，亦為相同。
控制手段10，係對於噴嘴2之電極2a和台7之電極7a之間施加既定之電壓。工件5，係以與噴嘴2之前端部2b(噴嘴前端部)相對向的方式，而被載置於台7之上。噴嘴前端部之直徑(液劑所通過之內徑)，例如係被設定為20μm~200μm程度。
若是藉由控制手段10而被施加有既定之電壓，則係從噴嘴2之前端部2b起而朝向工件5噴霧液劑。此時，噴嘴2之內部的液劑，係藉由起因於施加電壓所產生的靜電力而反斥，並破壞在噴嘴2之前端部2b處的液面之表面張力而微粒子化。被微粒子化後之液劑，由於係帶電正或負之其中一者，因此，粒子彼此係互相反斥，而能夠並不發生凝集地來作噴霧。如此這般，液劑係從噴嘴2之前端部2b而被噴霧，最初係為具有較大之直徑的粒子31a 之狀態，之後係成為具有較小之直徑的粒子31b，並被形成(堆積)在工件5之上。之後，藉由使堆積了的粒子31b(液劑)硬化，在工件5之表面上係成為被形成有液劑之薄膜。
又，在本實施例中，被形成於工件5上之膜(薄膜)的厚度，例如係為1~5μm，而能夠均一地形成薄的膜。另外，被形成在工件5上之膜的厚度，係能夠因應於原料(薄膜的種類)而適宜作設定。如此這般，若依據本實施例之靜電噴霧手法，則係能夠形成在先前技術的噴霧手法中所無法形成之薄的膜。又，若藉由靜電噴霧，則就算是當工件5具備有階差部(凸部)的情況時，亦能夠在工件5上均一地形成液劑之膜。
接著，參考圖2以及圖3，針對藉由靜電噴霧裝置32所施加之電壓(用以使靜電產生之電壓)作說明。圖2，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之直流電壓的說明圖。圖3，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之脈衝電壓的說明圖。
在圖2中，係對於將工件5(台7)作接地(GND連接)並對於噴嘴2而施加了正(+)的直流電壓之狀態作展示。但是，本實施例係並不被限定於此，係亦可對於噴嘴2施加負(-)的直流電壓。關於使用正電壓或負電壓之何者，係因應於液劑或工件5之材料而適宜作設定。又，由於係只要以並不改變極性地而僅施加其中一方之極性之電壓的方式來構成即可，因此，係並不被限定於直流 電壓，而亦能夠以在噴霧中一面維持極性一面使電壓之大小作改變的方式來作控制。進而，亦可施加極性僅為正或者是僅為負之藉由電壓高低差之改變所構成的脈衝電壓。當施加此種脈衝電壓的情況時，可設定為亦包含有0V，亦可設定為並不包含0V。在本實施例中，噴嘴2之前端部2b和工件5之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
另外，在本實施例中，係亦可夠成為代替直流電壓而施加正負極之脈衝電壓。此時，靜電噴霧裝置32之控制手段10，係對於噴嘴2施加使相對於工件5(台7)之極性作正和負之交互改變的脈衝電壓(進行脈衝振盪)。脈衝電壓，例如，係適合使用在工件5之導電性為低的情況。又，脈衝電壓，例如，係適合使用在對於工件5之表面而選擇性地形成薄膜的情況。此係因為，係能夠因應於脈衝電壓之極性來對於從噴嘴2而來之液劑的噴霧作控制之故。以下，亦有將使用有脈衝電壓之靜電噴霧稱作靜電塗布的情況。
當施加脈衝電壓的情況時，首先，係如同圖3(a)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，在工件5之表面(噴嘴2側之面)上，正電荷(+電荷)係集中，此表面係帶電為正(+)。接著，係如同圖3(b)中所示一般，對於噴嘴2施加負電壓(-電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為負(-)，並付著(命中)於帶電為正(+)之工件5的表 面上。接著，係如同圖3(c)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為正(+)，並付著於工件5的表面上。又，藉由設置使台7或者是噴嘴2之其中一方或者是雙方在XYZ方向上移動之機構，並使該些相對性地作XYZ移動，係能夠對於工件均一地進行靜電噴霧或靜電塗布。
之後，藉由反覆進行圖3(b)中所示一般之施加負電壓的狀態和圖3(c)中所示一般之施加正電壓的狀態(施加脈衝電壓)，在工件5之上係堆積有液劑之構成薄膜的粒子31b。脈衝電壓之大小，例如係被設定為0.5kV~10kV程度，脈衝寬幅(噴霧速度)，例如係被設定為5Hz~1kHz程度。又，噴嘴2之前端部2b和工件5之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
又，在本實施例中，為了對於到達工件5之上的粒子31b之粒子直徑作控制，係能夠對於噴霧距離、亦即是對於噴嘴2之位置(高度)作控制。另外，係可在噴嘴2處設置上下方向之移動機構。又，亦可在台7處設置相同的機構而構成為能夠對於相對性之高度作變更。圖4，係為對於在靜電噴霧裝置32中的噴嘴2(噴嘴前端部)之位置控制(高度控制)作展示之圖。如圖4中所示一般，在靜電噴霧裝置32處，係被設置有攝像機8。攝像機8，係以能夠對於到達工件5之表面上的粒子31b作觀察的方式而被作配置。如此這般地，使用攝像機8來對於粒子31b 之粒子直徑或者是由粒子31b所致之塗布狀態作觀察，並以因應於該觀察結果來使噴嘴2移動至所期望之位置處的方式來作控制。例如，如圖4中所示一般，在噴霧中，係能夠將噴嘴前端部和工件5之表面間的距離d1變更為距離d2。
此種控制，係能夠藉由畫像處理來自動性地實行，或者是亦可藉由手動來實行。另外，在對於粒子直徑作控制的情況時，係並不被限定於使噴嘴2之高度或左右方向的位置作移動之構成，例如亦可採用對於噴嘴之口徑或施加電壓之大小或者是脈衝寬幅作變更之構成。當在工件5上形成液劑之薄膜的期間中而工件5之靜電特性會有所改變的情況時，係為有效。
又，在本實施例中，噴嘴2，係亦可構成為具備有複數之噴嘴部。此時，為了在工件5之上而均一地形成液劑，係能夠將對於複數之噴嘴部的各別所施加之電壓(脈衝電壓)相互獨立地作控制。又，亦可構成為在每一既定之區域處而將複數之噴嘴部的配置作變更。藉由對於電壓之大小作設定，係成為能夠將液劑之薄膜的厚度更為均一地來形成。
接著，參考圖5A，針對本發明之實施例1作說明。圖5A，係為在本實施例中之光阻膜形成方法的說明圖，並對於在具有階差部之基板上形成光阻膜的情況作展示。本實施例，係有關於光阻膜形成方法，並利用上述之靜電噴霧方法(靜電塗布方法)來進行。另外，用以實行光阻 膜形成方法之光阻膜形成裝置100，亦係身為本實施例之對象。本實施例之光阻膜形成裝置100，係構成為在具有階差部之基板上而形成均一的光阻膜。
如圖5A中所示一般，在基板105處，係被設置有階差部105a。階差部105a之高度H，例如係為10~100μm。但是，本實施例係並不被限定於此，亦可對於具有其他之高度的階差部或者是具有更為複雜之形狀的階差部而作適用。光阻膜形成裝置100，係具備有藉由以包含有電壓控制裝置之控制手段110來施加既定之電壓而將成為光阻膜之原料的液劑(粒子131)作噴霧之噴嘴102。噴嘴102，係亦可構成為具備有複數之噴嘴部(多噴嘴構成)。又，光阻膜形成裝置100，係具備有相對於基板105而使噴嘴102作相對性移動之驅動手段111。另外，驅動手段111，係亦可構成為相對於噴嘴102而使基板105作相對性移動。不論是何者之構成，驅動手段111，均係能夠使基板105或噴嘴102相對性地移動、亦即是能夠進行在面內方向以及高度方向上之移動(XYZ移動)。
藉由具備有此種構成之光阻膜形成裝置100，係能夠藉由對基板105之上而利用上述之靜電噴霧來噴霧成為光阻膜之原料的液劑，而在階差部105a之上面以及側面處均形成均一之光阻膜。
在本實施例中，光阻膜108之厚度T，例如係為5μm，但是，係並不被限定於此。若是想要利用先前技術之旋轉塗布而形成光阻膜，則當在身為對象物之基板上存 在有階差部的情況時，在該階差部的周邊所形成之光阻膜會混合存在有薄的場所和厚的場所，而難以形成均一之光阻膜。若依據本實施例之光阻膜形成方法，則係能夠在具有階差部之基板上而形成均一的光阻膜。
另外，當如同圖5A中所示一般而在具有階差部105a之基板105上形成均一之光阻膜的情況時，控制手段110，係以對於噴嘴102和基板105之間施加既定之直流電壓並進行靜電噴霧為理想。但是，因應於需要，亦可施加脈衝電壓並進行靜電噴霧(靜電塗布)。
在本實施例中，係藉由上述之靜電噴霧，而在基板105之上形成光阻膜。因此，控制手段110，係以對於噴嘴102和基板105之間施加電壓並進行靜電噴霧為理想。但是，因應於需要，亦可對於噴嘴102和基板105之間施加脈衝電壓並進行靜電塗布。
另外，本實施例1，關於被噴霧物、被塗布物、溶媒(液劑)、分散物、薄膜狀態，係並不被限定於上述之例，因應於其他之事例，在實施例8、9、15中個別作詳細說明。
〔實施例2〕
接著，參考圖5B，針對本發明之實施例2作說明。圖5B，係為在本實施例中之光阻膜形成方法的說明圖，並對於在被設置於半導體晶片上之複數的凸塊間而形成光阻膜的情況作展示。本實施例，係有關於光阻膜形成方 法，並利用與實施例1相同之靜電噴霧方法或靜電塗布方法來進行。又，用以實行光阻膜形成方法之光阻膜形成裝置100，亦係為本實施例之對象。本實施例之光阻膜形成裝置100，係構成為在複數之凸塊間而(對於凸塊的頭部以外之部分)選擇性地形成光阻膜。
與實施例1相同的，光阻膜形成裝置100，係具備有藉由以包含有電壓控制裝置之控制手段110來施加既定之電壓而將成為光阻膜之原料的液劑(粒子131)作噴霧之噴嘴102。噴嘴102，係亦可構成為具備有複數之噴嘴部(多噴嘴構成)。又，光阻膜形成裝置100，係具備有能夠使半導體晶片180或噴嘴102相對性地移動、亦即是能夠進行在面內方向以及高度方向上之移動(XYZ移動)的驅動手段111。另外，在本實施例中，係並不需要在XYZ之全部的方向上作移動，例如當不需要進行Z移動的情況時，係只要構成為僅能夠在XY方向上移動即可。在本實施例中，光阻膜108之厚度T，例如係為5μm，但是，係並不被限定於此。又，半導體晶片180，係亦可為其他之前述其他的工件。
如圖5B中所示一般，在半導體晶片180之上，係被形成有複數之凸塊112。在此種狀況下，本實施例之光阻膜形成裝置100，係藉由靜電噴霧或靜電塗布，而能夠僅殘餘凸塊112之頭部(前端部)地來將其他之區域藉由光阻膜而作覆蓋，因此係並不需要遮罩便能夠進行部分性之塗布。例如，凸塊112之間的距離W係為10~100μm程 度，但是，本實施例係並不被限定於此。
在本實施例中，係藉由上述之靜電噴霧或靜電塗布，而在半導體晶片180之上選擇性地形成光阻膜。因此，控制手段110，係以對於噴嘴102和半導體晶片180之間施加脈衝電壓並進行靜電塗布為理想。若是使用此種脈衝電壓，則因應於施加電壓之極性來對於光阻膜之塗布動作作控制一事係變得容易。但是，因應於需要，亦可對於噴嘴102和半導體晶片180之間施加直流電壓並進行靜電噴霧。
〔實施例3〕
接著，參考圖6，針對本發明之實施例3作說明。圖6，係為本實施例中之導電膜形成方法之說明圖，並對於導電膜形成裝置200的概略作展示。本實施例，特別係有關於形成電磁遮蔽用之導電膜的方法，並利用上述之靜電噴霧方法來進行。另外，用以實行導電膜形成方法之導電膜形成裝置，亦係為本實施例之對象。
如圖6中所示一般，導電膜形成裝置200，係具備有藉由以包含有電壓控制裝置之控制手段210來施加既定之電壓而將成為導電膜之原料的液劑(粒子231)作噴霧之噴嘴202。在本實施例中，作為成為導電膜之原料的液劑，係在溶媒中使用有Ni、Cu、Ag等。又，導電膜形成裝置200，係具備有相對於基板205而使噴嘴202相對性地進行XYZ移動之驅動手段211。但是，代替此，係亦可 使用相對於噴嘴202而使基板205相對性地進行XYZ移動之驅動手段。不論是何者之構成，均係能夠使基板205或噴嘴202相對性地進行XYZ移動(面內方向以及高度方向上之移動)。
工件(作為其中一例，係為半導體封裝)270，係在基板205之上被搭載有半導體晶片280。又，半導體晶片280係藉由樹脂288而被密封。本實施例之導電膜形成裝置200，係用來藉由靜電噴霧或靜電塗布而在此種工件(作為其中一例，係為半導體封裝)270的表面上形成Ni、Cu、Ag等之導電膜290並進行電磁波遮蔽。如此這般，藉由進行電磁波遮蔽，係能夠防止從工件(作為其中一例，係為半導體封裝)270而來之電磁波的漏洩，又，係能夠防止工件270免於受到電磁波之影響。
在圖6中，導電膜係僅被形成為1層，但是，本實施例係並不被限定於此。藉由靜電噴霧，例如亦可形成2層以上之複數的導電膜。當形成2層構造之導電膜的情況時，係亦可為相同種類之導電膜，但是，亦可形成種類互為相異之導電膜(第1導電膜、第2導電膜)。例如，係作為第1層之導電膜(第1導電膜)而形成Ni膜，並作為第2層之導電膜(第2導電膜)而形成Cu膜。又，導電膜，係亦可為藉由第1導電膜和與第1導電膜相異之複數之導電膜所構成的多層構造之導電膜。
若依據本實施例，則藉由以靜電噴霧來在工件(作為其中一例，係為半導體封裝)上形成導電膜，係與電鍍相 異，而能夠部分性地形成導電膜。又，係成為能夠在將工件(作為其中一例，係為半導體封裝)安裝於基板上之後，再形成導電膜。進而，係亦能夠對於工件(作為其中一例，係為半導體封裝)之尺寸或者是為了進行電磁遮蔽所需要的導電膜之膜厚自由地作設定。另外，本實施例，係並非僅限於以電磁波之遮蔽作為目的的導電膜，當形成被使用在其他用途中之導電膜的情況時，係亦能夠作適用。
又，本實施例之導電膜(電磁遮蔽樹脂)，係亦能夠在將通常之工件(作為其中一例，係為半導體封裝)藉由並不包含有糊之半導體用之通常的樹脂來進行了一次樹脂成形之後，並不使用靜電噴霧地，而進行藉由加入有銀糊之環氧樹脂所致的雙重成形(例如，使用有模具之壓縮成形或轉移成形)。進而，係並不被限定於樹脂封裝，對於陶瓷封裝，係亦能夠進行靜電噴霧或靜電塗布。
〔實施例4〕
接著，針對本發明之實施例4作說明。本實施例，係作為短波長高透過率絕緣膜之形成方法的其中一例，而藉由將含有身為氟樹脂之聚四氟乙烯(PTFE)的液劑作靜電噴霧或靜電塗布，來形成例如具備有2μm以下之厚度的薄的短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)。又，藉由形成薄的PTFE膜，係能夠使透過率提昇。
亦即是，本實施例，係有關於藉由靜電噴霧或靜電塗 布來在工件(作為其中一例，係為LED晶片)上形成短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)的短波長高透過率絕緣膜之成膜裝置。短波長高透過率絕緣膜之成膜裝置，係具備有液劑產生手段、靜電噴霧手段、加熱熔融手段以及控制手段(均未圖示)。首先，溶劑產生手段，係藉由使成為短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)之原料的粒子在溶媒內分散，而產生液劑。之後，靜電噴霧手段，係對於噴嘴和工件之間施加既定之電壓，並將此液劑作靜電噴霧或靜電塗布。接著，加熱熔融手段，係藉由將經由靜電噴霧或靜電塗布而在工件上作了堆積的液劑進行加熱熔融，而能夠形成薄的短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)，亦即是係能夠薄膜化。控制手段，係對於此些之各手段的動作作控制。
如此這般，在將PTFE粒子溶解在溶媒中並進行了靜電噴霧之後，藉由以高溫度來進行加熱熔融，係能夠並不使PTFE之組成改變地來形成良質且為薄之短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)。另一方面，在先前技術中，係藉由將包含有PTFE粒子之液劑滴下，來形成PTFE膜。此時，藉由滴下所形成之PTFE膜，其膜厚係為厚，並且透過率亦為低。
圖7，係為本實施例之藉由靜電噴霧所形成的PTFE膜和藉由先前技術之滴下所形成的PTFE膜之比較圖。如同圖7中所示一般，不論是對於何者之粒徑(300nm、3μm)作比較，當靜電噴霧的情況時，相較於滴下的情 況，膜厚(PTFE膜之厚度)均係變得更薄。又，當靜電噴霧的情況時，相較於滴下的情況，身為低波長之250nm的低波長之光的透過率係更為提昇。例如，當針對粒徑(PTFE膜之粒徑)為300nm的情況來作了比較的情況時，由滴下所致之PTFE膜的膜厚係為4μm而為厚，相對於此，由靜電噴霧所致之PTFE膜的膜厚，係為0.7μm而為薄。又，此時，由滴下所致之PTFE膜的透過率係為27%而為低，相對於此，由靜電噴霧所致之PTFE膜的透過率，係為75%而為高。另外，圖7中所示之膜厚，係為藉由3維測定器所測定之值。
如此這般，若依據本實施例，則藉由利用靜電噴霧或靜電塗布，係能夠形成相對於短波長之光而具有高透過率之薄的短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)。本實施例之短波長高透過率絕緣膜(PTFE膜)，例如，係被形成在紫外線發光二極體(LED晶片)的表面上。藉由此，係成為能夠使身為短波長之紫外線有效率地發光。另外，工件，係並不被限定於LED晶片，又，靜電噴霧，亦係並不被限定於PTFE，作為短波長高透過率絕緣膜之形成方法，係能夠作選擇。
〔實施例5〕
接著，參考圖8(a)、(b)，針對本發明之實施例5作說明。圖8(a)，係為本實施例中之螢光體之成膜方法的說明圖，並對於螢光體之成膜裝置400的概略作展 示。本實施例，係有關於螢光體之成膜方法，並有關於工件(作為其中一例，係為LED晶片)之螢光體之成膜方法，而利用前述之靜電塗布以及靜電噴霧方法來進行。另外，用以實行螢光體之成膜方法之成膜裝置，亦係為本實施例之對象。
如圖8(a)中所示一般，螢光體之成膜裝置400，係具備有藉由以包含有電壓控制裝置之控制手段410來施加既定之電壓而將成為螢光體之原料的液劑(粒子431)作噴霧之噴嘴402。在本實施例中，作為成為螢光體之原料的液劑，係使用含有螢光體之矽酮樹脂、在含有螢光體之矽酮樹脂中添加有溶媒的材料、或者是僅由螢光體和溶媒所成之材料等。驅動手段411，係相對於基板405而使噴嘴402作相對性移動。但是，代替此，係亦可使用相對於噴嘴402而使基板405相對性地進行移動之驅動手段。不論是何者之構成，均係能夠使基板405或噴嘴402相對性地進行移動(面內方向以及高度方向上之移動)。
LED晶片480，係在被搭載於基板405之上的狀態下，而被載置在螢光體之成膜裝置400上。之後，噴嘴402，係藉由被施加既定之電壓，而朝向LED晶片480噴霧粒子431，並在LED晶片480上形成螢光體485(含有螢光體之矽酮樹脂)。
在先前技術中，雖係將含有螢光體之矽酮樹脂藉由分配器來塗布在LED晶片上，但是，係難以安定地形成均一且薄之膜。因此，會產生從LED晶片而來之光的色不 均，而有著無法安定地發光良質之光的情況，故係在使其發光之後進行選鑑再出貨。因此，在本實施例中，係如同參考圖3而作了說明一般，藉由使用脈衝電壓來進行靜電噴霧(靜電塗布)，而將1μm程度之微粒子(粒子431)朝向LED晶片480噴霧。
因此，係能夠將含有螢光體之矽酮樹脂(螢光體485)作為均一且薄之膜而形成在LED晶片480上。另外，係亦可進行並不包含矽酮樹脂之僅有螢光體的靜電塗布。具體而言，在本實施例中，係能夠形成具備有粒子直徑之2倍~3倍程度之厚度的薄膜。例如，當粒子直徑(粒子431之直徑)為20μm的情況時，係形成具備有50μm程度之厚度的膜(螢光體485)。
在本實施例中，螢光體485(螢光體膜)，係作為藉由對LED晶片480之光進行波長轉換而擬似性地製造白色LED之方法而被使用，並被形成(塗布)在LED晶片480之上面以及全部的側面(周圍)處。LED晶片480，例如係為藍色發光元件，螢光體係為黃色，而能夠將藍色的光作轉換並作出白色光。此時，由於係利用靜電塗布，因此係能夠不僅是在LED晶片480的上面，而亦在側面處安定地形成均一且為薄之膜。故而，係成為能夠提供更為高效率之LED裝置(LED封裝)。另外，本實施例，係並不被限定於在LED晶片之全面上塗布螢光體者，亦可僅對於其之一部分的面(例如，僅有上面、或是僅有上面和一部分之側面)上形成螢光體485。
圖8(b)，係為本實施例中之其他的實施形態之LED裝置(LED封裝)的概略剖面圖。如圖8(b)中所示一般，LED晶片480(發光元件)，係被安裝在基板405上，並藉由線材481而被作接合。LED晶片480以及線材481，係藉由透明樹脂482而被作密封。
在本實施形態中，係在透明樹脂482之上，藉由前述之靜電噴霧或靜電塗布，而被形成有螢光體486(第1螢光體膜)。進而，在螢光體486之表面上，係被形成有螢光體487(第2螢光體膜)。又，在螢光體487之表面上，係被形成有矽酮樹脂或PTFE等之透明被覆膜488。如此這般，藉由層積互為相異之種類的螢光體486、487，並對於從LED晶片480而來之光進行複數之波長轉換，係能夠得到既定之波長。另外，係亦能夠層積3種類以上之螢光體。
如同上述一般，在本實施例中，藉由在LED晶片上形成螢光體或者是螢光體之層積構造，係能夠安定地發光良質之光。另外，係能夠複合性地使用本實施例之螢光體以及螢光體之層積構造並製造LED裝置。
〔實施例6〕
接著，參考圖9，針對本發明之實施例6作說明。本實施例，係有關於絕緣膜形成方法，並利用上述之靜電噴霧方法來進行。另外，用以實行絕緣膜形成方法之絕緣膜形成裝置，亦係為本實施例之對象。
圖9，係為本實施例中之絕緣膜形成方法之說明圖，圖9(a)，係對於在工件(作為其中一例，係為線材)上形成(被覆)絕緣膜之前的狀態作展示，圖9(b)，係為對於在線材上形成了絕緣膜之後的狀態作展示。本實施例之絕緣膜形成裝置500，係構成為藉由絕緣膜來將由金、銅、鎢、鋁等之金屬所成的線材515(接合線材)作被覆。
如圖9(a)中所示一般，在基板505上，係被搭載有半導體晶片580，在半導體晶片580上之墊片582(電極部)和基板505上之墊片585(電極部)之間，係被連接有線材515。本實施例之絕緣膜形成裝置500，係使用上述之靜電噴霧方法，而從噴嘴502將成為絕緣膜之原料(絕緣材料)的液劑(粒子531)朝向線材515作噴霧。
驅動手段511，係相對於基板505而使噴嘴502作相對性移動。但是，代替此，係亦可使用相對於噴嘴502而使基板505相對性地進行移動之驅動手段。不論是何者之構成，均係能夠使基板505或噴嘴502相對性地進行移動(面內方向以及高度方向上之移動)。
又，包含有電源控制裝置之控制手段510，係一面對於施加電壓之極性或大小以及噴嘴502之移動速度等作控制，一面噴霧噴嘴502中之液劑(粒子531)，藉由此，係能夠將線材515適切地作被覆(在線材515上形成絕緣膜)(圖4(b))。另外，作為絕緣材料，例如係使用聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂或者是搪瓷，但是本實施例係並 不被限定於此。如圖4(b)中所示一般，若是對於線材515之絕緣膜的形成(絕緣膜形成方法)結束，則線材515之周圍係被絕緣膜525所被覆。
若依據本實施例，則藉由對於具有導電性之線材噴霧成為絕緣膜之原料的液劑(粒子531)，係能夠在線材上形成高信賴性之薄的絕緣膜。因此，係能夠防止線材短路(起因於線材的短路)。又，在進行靜電噴霧時，因應於被施加在噴嘴502處之電壓的極性，絕緣材料(粒子531)係帶電為正或負。因此，藉由靜電力，作為絕緣材料之粒子531，係被朝向由金屬所成之線材515拉扯並附著。故而，係能夠抑制絕緣材料飛至並不希望作絕緣之區域(基板上等)處的情形。
另外，本實施例之絕緣膜形成裝置，作為代替絕緣膜而用以將金屬膜(電鍍膜)形成在線材上的金屬膜形成裝置，係亦可作適用。於此情況，例如，係能夠在鎢線上形成Cu膜或者是在銅(Cu)線上形成適當之金屬膜。
〔實施例7〕
接著，參考圖10，針對本發明之實施例7作說明。本實施例，係有關於液劑合成方法，並利用上述之靜電噴霧方法來進行。另外，用以實行液劑合成方法之液劑合成裝置，亦係為本實施例之對象。
圖10，係為本實施例中之液劑合成方法之說明圖，並對於液劑合成裝置600的概略作展示。如圖10中所示 一般，液劑合成裝置600，係具備有噴嘴602a(第1噴嘴)以及噴嘴602b(第2噴嘴)。在噴嘴602a處，係藉由包含有電壓控制裝置之控制手段610，而被施加有負電壓(-)。又，在噴嘴602b處，係藉由包含有電壓控制裝置之控制手段610，而被施加有正電壓(+)。基板605(工件)，係以與噴嘴602a、602b相對向的方式而被作配置。又，基板605係被接地(GND連接)。因此，在噴嘴602a、602b之各個處，係被施加有相對於基板605而極性互為相異之電壓。
又，液劑合成裝置600，係具備有相對於基板605而使噴嘴602a作相對性移動之驅動手段611a、以及相對於基板605而使噴嘴602b作相對性移動之驅動手段611b。但是，代替此，係亦可使用相對於噴嘴602a、602b而使基板605相對性地進行移動之驅動手段。不論是何者之構成，均係能夠使工件或噴嘴602a、602b相對性地進行移動(在面內方向以及高度方向上移動)。
在噴嘴602a處，係包含有第1液劑(第1材料)。第1液劑，係藉由上述之靜電噴霧(或者是靜電塗布)，而作為帶電為負(具有負電荷)之粒子631a(微粒子)，來從噴嘴602a而朝向基板605作噴霧。另一方面，第2液劑，係藉由同樣的靜電噴霧(或者是靜電塗布)，而作為帶電為正(具有正電荷)之粒子631b(微粒子)，來從噴嘴602b而朝向基板605作噴霧。
從噴嘴602a所噴霧之粒子631a和從噴嘴602b所噴 霧之粒子631b，由於係具有互為相異之極性(逆極性)，因此若是相互間之距離接近，則會相互拉扯並產生碰撞或混合(合成)。因此，粒子631a和粒子631b，係在大氣中而(於到達基板605處之前)產生碰撞或混合，並形成粒子633。藉由此種粒子之碰撞，電荷之偏差係消失，而能夠以極微量來進行合成，因此係有著反應速度為快之優點。
粒子635若是到達基板605處，則會密著於基板605之表面上。藉由複數之粒子631a、631b反覆進行相同之舉動，在基板605上係被形成有由2種相異之液劑(材料)混合所構成之膜(薄膜637)。如此這般，控制手段610，係以將帶電為負之第1液劑和帶電為正之第2液劑合成並在基板605上形成合成液劑，並使用此合成液劑而在基板605(工件)之上形成膜的方式，而作控制。
在本實施例之液劑合成裝置600中，噴嘴602a、602b，係分別相對於基板605之面法線而傾斜既定之角度。此係為了將第1液劑和第2液劑適當地合成之故。因此，因應於液劑之種類或其他之各條件，噴嘴602a、602b之角度係被適宜作變更。藉由此種構成，係成為能夠更有效果地進行粒子之合成。
在本實施例之液劑合成裝置600中，係設置有將第1液劑、第2液劑分別作噴霧之噴嘴602a、602b的2種類之噴嘴。但是，本實施例係並不被限定於此，係亦可進而設置用以噴霧其他的液劑之噴嘴。若依據此種構成，則係 能夠混合3種類以上之液劑並在基板605之上形成薄膜637。又，在圖10中，噴嘴602a、602b雖係分別僅記載有1個，但是本實施例係並不被限定於此。噴嘴602a、602b，係亦可分別為具備有複數之噴嘴部所構成的多噴嘴。
又，本實施例之液劑合成裝置600，係將第1液劑(粒子631a)和第2液劑(粒子631b)在大氣中(於到達基板605處之前)而作合成，但是，係並不被限定於此。例如，亦可構成為將粒子631a和粒子631b在基板605上而混合(到達基板605處之後再混合)。
又，在本實施例之液劑合成裝置600中，係會有粒子631a、631b並不會全部相互合成的情況。因此，藉由在使粒子631a、631b(粒子635)到達了基板605上之後，再進行既定之處理，係能夠僅在粒子635(合成粒子)之區域處而形成薄膜637。例如，藉由進行使混合所形成之粒子635硬化之硬化處理，並接著將殘餘之粒子(粒子631a、631b)藉由洗淨處理來除去，係能夠僅使被形成在基板605之表面上的薄膜中之藉由粒子635所形成的薄膜殘留在基板605之上。因此，若依據本實施例之液劑合成裝置，則係能夠在基板上形成具有例如線寬幅為100nm以下之細微構造的薄膜。
若依據實施例1~7，則係可提供一種使用有能夠在工件上均一地形成薄的薄膜之靜電噴霧裝置或靜電塗布裝置的光阻膜形成裝置以及光阻膜形成方法。又，係可提供 使用有此種靜電噴霧裝置或靜電塗布裝置之導電膜形成裝置、導電膜形成方法、PTFE膜之成膜裝置、PTFE膜之成膜方法、螢光體之成膜裝置、螢光體之成膜方法、絕緣膜形成裝置、絕緣膜形成方法、液劑合成裝置、以及液劑合成方法。如同實施例5中所記載一般，亦可複合此些而在工件上多重地形成膜。
〔實施例8〕
接著，參考圖11，針對本實施例中之樹脂模封裝置作說明。圖11，係為本實施例之樹脂模封裝置120的全體構成圖。樹脂模封裝置120，係具備有第1沖壓裝置1010以及第2沖壓裝置1020之2台的沖壓裝置。又，樹脂模封裝置120，係在第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020之間具備有清淨裝置30。在第1沖壓裝置1010之其中一側處，係被配置有工件裝載器40，在第2沖壓裝置1020之另外一側處，係被配置有工件卸載器50。在本實施例中，工件裝載器40、第1沖壓裝置1010、清淨裝置30、第2沖壓裝置1020、工件卸載器50，係依此順序而被配置成一列，但是，係並不被限定於此，而亦可為其他之配置構成。
第1沖壓裝置1010，係具備有：具備身為將被成形品工件55作夾鉗並進行樹脂模封之工件5的模具12(在本實施例中，以下，係單純將工件5記載為模具12)(上模和下模)所構成之模具、以及對模具12(上模和 下模之其中一方)進行升降驅動之驅動機構(未圖示)。第2沖壓裝置1020，亦同樣的，係具備有具有模具22(上模和下模)所構成之模具。在模具12、22中之上模和下模的至少其中一方處，係分別被形成有空腔12a、22a。另外，本實施例之樹脂模封裝置120，係具備有第1沖壓裝置1010以及第2沖壓裝置1020之2台的沖壓裝置，但是，係並不被限定於此。本實施例，係亦可對於僅具有1個的沖壓裝置之樹脂模封裝置或者是具備有3個以上的沖壓裝置之樹脂模封裝置作適用。
在工件裝載器40處，係收容有被供給至第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020處之被成形品工件55。又，在工件卸載器50處，係收容有樹脂模封後之成形品工件55a。在第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020之側方處，係與各沖壓裝置並列地而被配置有將被成形品工件55和成形品工件55a作供給排出之供給排出機構。供給排出機構，係具備有從工件裝載器40而將被成形品工件55搬出並供給至第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020處之裝載手70、和將成形品工件55a從第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020處而搬出並收容在工件卸載器50處之卸載手80。裝載手70以及卸載手80，係藉由導引軌73而被導引並在圖11中之箭頭方向(左右方向)上移動。
清淨裝置30，係將被組入至第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020中之模具作清淨。清淨裝置30，係具備 有：具備雷射裝置31和進行離模劑之靜電噴霧的靜電噴霧裝置32之清淨頭34、以及使清淨頭34進行旋轉或伸縮移動之機器手36，而構成之。機器手36，係使清淨頭34交互地旋轉移動至與第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020相對向的位置處，並藉由在該移動位置處而使臂伸縮，來使清淨頭34進入至第1沖壓裝置1010和第2沖壓裝置1020處並進行清淨。
另外，在本實施例中，係亦可構成為將雷射裝置31和靜電噴霧裝置32設置在互為相異之清淨頭處。又，係亦可將清淨裝置30，作為具備有雷射裝置31之第1清淨裝置以及具備有靜電噴霧裝置32之第2清淨裝置，而相互分離地構成之。此時，係能夠使模具移動至第2清淨裝置之台上並進行由靜電噴霧所致之清淨處理。
雷射裝置31，係對於樹脂模封後的模具(之面)照射雷射光(能量線)，並以使附著於模具面上而殘留的樹脂渣或是以樹脂組成成分而殘留在模具面上的成份從模具面而剝離或者是使其成為容易從模具面而剝離之狀態的方式，而起作用。亦即是，藉由對於模具面照射雷射光，來使附著在模具之表面上的模髒污層變形，並使模具髒污(模髒污層)和模具所相接著的部位燒灼(分解、破壞)，藉由此，而以使模髒污層或模髒污和模具面之間的接著力降低的方式來起作用。
雷射裝置31，當已在模具12、22之表面上形成有離模劑的情況時，係亦使此離模劑剝離。因此，藉由在進行 了由雷射裝置31所致之清淨處理之後再進行由靜電噴霧裝置32所致之清淨處理，係能夠在模具12之表面上形成新的離模劑。此時，由於模具12之表面係被進行有由雷射裝置31所致之清淨處理，因此舊的離模劑以及模髒污係剝離。因此，係成為能夠在模具12之表面上形成良質之薄膜(離模劑)。
作為雷射裝置31，係使用紫外線半導體雷射二極體、藍色雷射二極體、紅色雷射二極體、紅外線雷射二極體、YAG雷射或CO2雷射等。又，除了半導體雷射以外，亦可使用紫外線發光二極體、紅外線發光二極體等之發光二極體。進而，係可將雷射光，藉由光學性地將1根的光束以檢流計鏡(galvanometer mirror)來振盪而形成，又，亦可藉由柱狀透鏡來將光束之寬幅擴廣。
接著，參考圖1，針對本實施例中之靜電噴霧裝置32作說明。圖1，係為本實施例之靜電噴霧裝置32的概略構成圖。靜電噴霧裝置32，係藉由靜電噴霧而在身為工件5之模具12、22上形成離模劑之膜(薄膜)。
靜電噴霧裝置32，主要係具備有噴嘴2和電壓控制裝置6以及台7，而構成之。由靜電噴霧裝置32所致之模具12、22的清淨，係在前述之由雷射裝置31所致之清淨後再進行。又，在藉由靜電噴霧裝置32而對於模具12、22進行清淨時，係亦能夠在將模具12、22載置於各別之沖壓裝置上的狀態下而進行，或者是亦可在靜電噴霧裝置32內設置專用之台7，並使模具12、22移動至台7 之上而進行。
對於噴嘴2，係從圖1中之箭頭A的方向而供給有作為離模劑之液劑。電壓控制裝置6，係對於噴嘴2之電極2a和台7之電極7a之間施加既定之電壓。模具12(或模具22)，係以與噴嘴2之前端部2b(噴嘴前端部)相對向的方式，而被載置於台7之上。噴嘴前端部之直徑(液劑所通過之內徑)，例如係被設定為5μm~400μm程度。
若是藉由電壓控制裝置6而被施加有既定之電壓，則係從噴嘴2之前端部2b起而朝向模具噴霧離模劑(液劑)。此時，噴嘴2之內部的離模劑，係藉由起因於施加電壓所產生的靜電力而反斥，並破壞在噴嘴2之前端部2b處的液面之表面張力而微粒子化。被微粒子化後之離模劑，由於係帶電正或負之其中一者，因此，粒子彼此係互相反斥，而能夠並不發生凝集地來作噴霧。又，被噴霧了的粒子或是氣化了的離模劑，係全部藉由靜電力而附著在模具面上。如此這般，離模劑係從噴嘴2之前端部2b而被噴霧，最初係為具有較大之直徑的粒子31a之狀態，之後係成為具有較小之直徑的粒子31b，並被堆積在模具12(22)之上。之後，藉由使堆積了的粒子31b(離模劑)硬化，在模具之表面上係成為被形成有離模劑之薄膜，另外，在本實施例中，離模劑係由氟系或矽酮系之材料所成，但是，係並不被限定於此。
又，在本實施例中，被形成於模具12、22上之膜(離模劑之薄膜)的厚度，例如係為1~5μm。更理想， 此薄膜之厚度，係為1~3μm。此係因為，若是離模劑之膜為厚，則與先前技術相同的，在工件之樹脂模封之前，係成為需要進行假擊射，另一方面，若是離模劑之膜過薄，則係會變得難以產生作為離模劑的效果之故。如此這般，若依據靜電噴霧手法，則係能夠形成在先前技術的噴霧手法中所無法形成之薄的膜。又，若藉由靜電噴霧，則就算是在模具之像是腔12a、22a一般的凹部(階差部)中，亦能夠均一地形成離模劑之膜。
如同前述一般，若依據本實施例，則係成為能夠藉由靜電噴霧來在模具之表面上形成離模劑之薄膜。被形成在模具面上之離模劑，當其之厚度係為1~5μm程度之薄的膜的情況時，在工件之實際的樹脂模封時，係能夠抑制對於製品(樹脂)之離模劑的轉印。因此，係成為不需要如同先前技術一般地在工件的樹脂模封前而進行用以抑制對於樹脂之轉印的假擊射。其結果，係能夠使清淨工程成為容易。
接著，參考圖2，針對藉由靜電噴霧裝置32所施加之電壓(用以使靜電產生之電壓)作說明。圖2，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之直流電壓的說明圖。在圖2中，係對於將作為模具12之工件5(台7)作接地(GND連接)並對於噴嘴2而施加了正(+)的直流電壓之狀態作展示。但是，本實施例係並不被限定於此，係亦可對於噴嘴2施加負(-)的直流電壓。關於使用正電壓或負電壓之何者，係因應於離模劑或工件5(模具12)之材料等 而適宜作設定。又，由於係只要以並不改變極性地而僅施加其中一方之極性之電壓的方式來構成即可，因此，係並不被限定於直流電壓，而亦能夠以在噴霧中一面維持極性一面使電壓之大小作改變的方式來作控制。進而，亦可施加極性僅為正或者是僅為負之藉由電壓高低差之改變所構成的脈衝電壓。當施加此種脈衝電壓的情況時，可設定為亦包含有0V，亦可設定為並不包含0V。在本實施例中，噴嘴2之前端部2b和模具12之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
另外，在本實施例中，係亦可構成為代替直流電壓而施加脈衝電壓。此時，靜電噴霧裝置32之電壓控制裝置6，係對於噴嘴2施加使相對於模具12(台7)之極性作正和負之交互改變的脈衝電壓(進行脈衝振盪)。脈衝電壓，例如，係適合使用在模具12之導電性為低的情況。
當施加脈衝電壓的情況時，首先，係如同圖3(a)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，在工件5(模具12)之表面(噴嘴2側之面)上，正電荷(+電荷)係集中，此表面係帶電為正(+)。接著，係如同圖3(b)中所示一般，對於噴嘴2施加負電壓(-電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為負(-)，並付著(命中)於帶電為正(+)之工件5(模具12)的表面上。接著，係如同圖3(c)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為正(+)，並付著於 模具12的表面上。
之後，藉由反覆進行圖3(b)中所示一般之施加負電壓的狀態和圖3(c)中所示一般之施加正電壓的狀態(施加脈衝電壓)，在模具12之上係堆積有離模劑之構成薄膜的粒子31b。脈衝電壓之大小，例如係被設定為0.5kV~10kV程度，脈衝寬幅(噴霧速度)，例如係被設定為5Hz~1kHz程度。又，噴嘴2之前端部2b和模具12之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
又，在本實施例中，為了對於到達模具12之上的粒子31b之粒子直徑作控制，係能夠對於噴霧距離、亦即是對於噴嘴2之位置(高度)作控制。圖4，係為對於在靜電噴霧裝置32中的噴嘴2(噴嘴前端部)之位置控制(高度控制)作展示之圖。如圖4中所示一般，在靜電噴霧裝置32處，係被設置有攝像機8。攝像機8，係以能夠對於到達模具12之表面上的粒子31b作觀察的方式而被作配置。如此這般地，使用攝像機8來對於粒子31b之粒子直徑或者是由粒子31b所致之塗布狀態作觀察，並以因應於該觀察結果來使噴嘴2移動至所期望之位置處的方式來作控制。例如，如圖4中所示一般，在噴霧中，係能夠將噴嘴前端部和模具12之表面間的距離d1變更為距離d2。
此種控制，係能夠藉由畫像處理來自動性地實行，或者是亦可藉由手動來實行。另外，在對於粒子直徑作控制 的情況時，係並不被限定於使噴嘴2之高度或左右方向的位置作移動之構成，例如亦可採用對於噴嘴之口徑或施加電壓之大小或者是脈衝寬幅作變更之構成。當在模具12上形成離模劑之薄膜的期間中而模具12之靜電特性會有所改變的情況時，係為有效。
又，在本實施例中，噴嘴2，係亦可構成為具備有複數之噴嘴部。此時，為了在模具12之上而均一地形成離模劑，係能夠將對於複數之噴嘴部的各別所施加之電壓(脈衝電壓)相互獨立地作控制。又，亦可構成為在每一既定之區域處而將複數之噴嘴部的配置作變更。藉由對於電壓之大小作設定，係成為能夠將離模劑之薄膜的厚度更為均一地來形成。
接著，參考圖12，針對本實施例中之冷卻裝置230作說明。圖12，係為冷卻裝置230的概略構成圖。冷卻裝置230，係被設置在靜電噴霧裝置32處，並構成為將離模劑冷卻。靜電噴霧裝置32，係將藉由冷卻裝置230而冷卻了的離模劑從噴嘴2而朝向模具12進行靜電噴霧。模具12，通常，係以180度等之高溫狀態而被配置。因此，當想要在此種高溫狀態下而噴霧離模劑的情況時，噴嘴2內之噴霧前的離模劑(液劑)係會有氣化的可能性。為了確實地避免此情況，係在靜電噴霧裝置32處設置冷卻裝置230，而冷卻噴嘴2內之液劑，並將冷卻了的液劑朝向模具12作噴霧。
冷卻裝置230，例如係具備有帕耳帖元件212，在冷 卻裝置230之內部，係被設置有藉由帕耳帖元件而作了冷卻的空氣之通路220(空氣冷卻構造)。又，在通路220中，係亦可代替空氣而使水(冷卻水)作循環。如此這般，冷卻裝置230，係使冷卻了的空氣或水作循環並將被導入至噴嘴2中的液劑(離模劑)冷卻。之後，被冷卻了的液劑，係藉由前述之電壓控制裝置6，而從複數之噴嘴2a(多噴嘴)起朝向模具12噴霧。藉由以冷卻裝置230而冷卻離模劑，係成為能夠抑制液劑之氣化，並更有效地進行由靜電噴霧裝置32所致之清淨處理。
在進行了使用有雷射裝置31以及靜電噴霧裝置32之清淨處理之後，在開模的狀態下，藉由裝載手70來將新的被成形品工件55供給至第1沖壓裝置1010(或者是第2沖壓裝置1020)處，並藉由模具12(或者是模具22)來將被成形品工件55作夾鉗並進行樹脂模封。藉由此，係得到樹脂模封後之成形品工件55a。
由本實施例之靜電噴霧裝置32所致的清淨處理，係能夠在每次進行工件5之樹脂模封時而均進行。或者是，亦可構成為將此清淨處理，在進行了既定之次數的樹脂模封之後，才進行1次。
如同上述一般，本發明之樹脂模封裝置120，係具備有：對於模具12照射雷射之雷射裝置31；和在雷射之照射後，藉由對於噴嘴2和模具12之間施加既定之電壓，並從噴嘴2而朝向模具12靜電噴霧離模劑，來在模具12上形成離模劑之薄膜之靜電噴霧裝置32；和使用被形成 有離模劑之薄膜的模具12，來進行被成形品工件55之樹脂模封之沖壓裝置(第1沖壓裝置1010、第2沖壓裝置1020)。
若依據本實施例之構成，則藉由離模劑之靜電噴霧，係能夠在模具上形成均一且為薄的離模劑之膜(薄膜)。因此，相異於如同先前技術一般之非均一且為較厚之膜的模親和劑，就算是並不對於工件而在實際的樹脂模封之前先實行假噴擊，也能夠抑制離模劑之薄膜混入至工件的模封樹脂中之情形。故而，若依據本實施例，則係可提供一種能夠使清淨工程成為容易之樹脂模封裝置以及樹脂模封方法。
在實施例1~8中，例如，本實施例，係針對在進行了由雷射裝置所致之洗淨後再進行靜電噴霧的構成而作了說明，但是，本實施例之樹脂模封裝置以及樹脂模封方法，係並非一定需要與雷射裝置作組合。又，本實施例之樹脂模封裝置以及樹脂模封方法，係亦能夠與身為其他洗淨方法之電漿洗淨或灰化洗淨作組合。
〔實施例9〕
接著，參考圖1，針對本發明之實施例9中的靜電噴霧之概要作說明。圖1，係為本實施例中之靜電噴霧裝置32的概略構成圖。靜電噴霧裝置32，係藉由靜電噴霧而在線材上形成薄膜。線材，例如係為纖維線材、具有絕緣性之塑膠線材、或者是金、銅、鎢等之金屬線材，但是， 係並不被限定於此。另外，於此之所謂「線材」，係包含有在長邊方向上而具有可撓性者，且亦包含有被別稱為絲或線者(連續體)。薄膜，例如，係為導電膜(Cu膜等之金屬膜)、介電質膜、絕緣膜(聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、矽酮樹脂)、搪瓷膜、有機EL膜、太陽電池膜、塑膠膜、陶瓷膜等，但是係並不被限定於此。
靜電噴霧裝置32，主要係具備有噴嘴2、控制手段10、以及對於身為工件5之線材305而並不存在有台7地來直接對於線材305賦予既定之電位的電極部(與台7之電極7a相同或類似之電極)，而構成之。控制手段10，係包含有對於噴嘴2施加既定之電壓的電壓控制裝置。對於噴嘴2，係從圖1中之箭頭A的方向而供給有液劑。液劑，係因應於被形成在身為工件5之線材305(在本實施例中，以下係單純將工件5記載為線材305)上之薄膜的種類而適宜作選擇。例如，當在線材305上形成導電膜的情況時，作為成為導電膜之原料的液劑，係使用在既定之溶媒中溶融有Ni、Cu、Ag等之金屬的液劑。
控制手段10，係對於噴嘴2之電極2a和電極部之間施加既定既定之電壓。線材305，係以與噴嘴2之前端部2b(噴嘴前端部)相對向的方式，而被作保持。噴嘴前端部之直徑(液劑所通過之內徑)，例如係被設定為5μm~400μm程度。
若是藉由控制手段10而對於噴嘴2和線材305之間施加有既定之電壓，則係從噴嘴2之前端部2b起而朝向 線材305噴霧液劑。此時，噴嘴2之內部的液劑，係藉由起因於施加電壓所產生的靜電力而反斥，並破壞在噴嘴2之前端部2b處的液面之表面張力而微粒子化。被微粒子化後之液劑，由於係帶電正或負之其中一者，因此，粒子彼此係互相反斥，而能夠並不發生凝集地來作噴霧。又，被噴霧了的粒子或是氣化了的離模劑之全部，係藉由靜電力而附著在工件上。如此這般，液劑係從噴嘴2之前端部2b而被噴霧，最初係為具有較大之直徑的粒子31a之狀態，之後係成為具有較小之直徑的粒子31b，並被形成(堆積)在線材305之上。之後，藉由使堆積了的粒子31b(液劑)硬化，在線材305之表面上係成為被形成有液劑之薄膜。
又，在本實施例中，被形成於線材305上之膜(薄膜)的厚度，例如係為1~5μm，而能夠均一地形成薄的膜。另外，被形成在線材305上之膜的厚度，係能夠因應於原料(薄膜的種類)而適宜作設定。如此這般，若依據本實施例之靜電噴霧手法，則係能夠在線材305上，均一地形成在先前技術的噴霧手法中所無法形成之薄的膜。
接著，參考圖2以及圖3，針對藉由靜電噴霧裝置32所施加之電壓(用以使靜電產生之電壓)作說明。在圖1~圖4中，工件5雖係被記載為兩端為短的形狀，但是此係僅為概念圖。圖2，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之直流電壓的說明圖。圖3，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之脈衝電壓的說明圖。
在圖2中，係對於將線材305(電極部)作接地(GND連接)並對於噴嘴2而施加了正(+)的直流電壓之狀態作展示。但是，本實施例係並不被限定於此，係亦可對於噴嘴2施加負(-)的直流電壓。關於使用正電壓或負電壓之何者，係因應於液劑或線材305之材料的種類等而適宜作設定。又，由於係只要以並不改變極性地而僅施加其中一方之極性之電壓的方式來構成即可，因此，係並不被限定於直流電壓，而亦能夠以在噴霧中一面維持極性一面使電壓之大小作改變的方式來作控制。進而，亦可施加極性僅為正或者是僅為負之藉由電壓高低差之改變所構成的脈衝電壓。當施加此種脈衝電壓的情況時，可設定為亦包含有0V，亦可設定為並不包含0V。在本實施例中，噴嘴2之前端部2b和線材305之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
另外，在本實施例中，係亦可構成為代替直流電壓而施加脈衝電壓。此時，靜電噴霧裝置32之控制手段10，係對於噴嘴2施加使相對於線材305(電極部)之極性作正和負之交互改變的脈衝電壓(進行脈衝振盪)。脈衝電壓，例如，係適合使用在線材305之導電性為低的情況。又，脈衝電壓，例如，係適合使用在對於線材305之表面而選擇性地形成薄膜的情況。此係因為，係能夠因應於脈衝電壓之極性來對於從噴嘴2而來之液劑的噴霧作控制之故。
當施加脈衝電壓的情況時，首先，係如同圖3(a) 中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，在線材305之表面(噴嘴2側之面)上，正電荷(+電荷)係集中，此表面係帶電為正(+)。接著，係如同圖3(b)中所示一般，對於噴嘴2施加負電壓(-電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為負(-)，並付著(命中)於帶電為正(+)之線材305的表面上。接著，係如同圖3(c)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為正(+)，並付著於線材305的表面上。
之後，藉由反覆進行圖3(b)中所示一般之施加負電壓的狀態和圖3(c)中所示一般之施加正電壓的狀態(施加脈衝電壓)，在線材305之上係堆積有液劑之構成薄膜的粒子31b。脈衝電壓之大小，例如係被設定為0.5kV~10kV程度，脈衝寬幅(噴霧速度)，例如係被設定為5Hz~1kHz程度。又，噴嘴2之前端部2b和線材之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
又，在本實施例中，為了對於到達線材305之上的粒子31b之粒子直徑作控制，係能夠對於噴霧距離、亦即是對於噴嘴2之位置(高度)作控制。圖4，係為對於在靜電噴霧裝置32中的噴嘴2(噴嘴前端部)之位置控制(高度控制)作展示之圖。如圖4中所示一般，在靜電噴霧裝置32處，係被設置有攝像機8。攝像機8，係以能夠對於到達線材305之表面上的粒子31b作觀察的方式而被 作配置。如此這般地，使用攝像機8來對於粒子31b之粒子直徑或者是由粒子31b所致之塗布狀態作觀察，並以因應於該觀察結果來使噴嘴2移動至所期望之位置處的方式來作控制。例如，如圖4中所示一般，在噴霧中，係能夠將噴嘴前端部和線材305之表面間的距離d1變更為距離d2。
此種控制，係能夠藉由畫像處理來自動性地實行，或者是亦可藉由手動來實行。另外，在對於粒子直徑作控制的情況時，係並不被限定於使噴嘴2之高度或左右方向的位置作移動之構成，例如亦可採用對於噴嘴之口徑或施加電壓之大小或者是脈衝寬幅作變更之構成。當在線材305上形成液劑之薄膜的期間中而線材305之靜電特性會有所改變的情況時，係為有效。
又，在本實施例中，靜電噴霧裝置32，為了在線材305之表面上形成均一之薄膜，係以被配置在線材305之周圍的方式來具備有複數之噴嘴2(複數之噴嘴部)為理想。又，為了形成更為均一之薄膜，較理想，複數之噴嘴2係構成為從線材305之徑方向來朝向線材305噴霧。
接著，參考圖13，針對具備有複數之噴嘴的靜電噴霧裝置32作說明。圖13，係為在靜電噴霧裝置32中之複數之噴嘴的配置圖，並對於與線材305所延伸之方向相正交之面(線材305為朝向與紙面相正交之方向而延伸的狀態)作展示。
如圖13中所示一般，在線材305之周圍，係被配置 有3個的噴嘴2。又，3個的噴嘴2，係在與線材305相正交之面上相互以相等之角度(120度)來作配置。如此這般，在線材305之周圍，藉由將3個的噴嘴2相互以相等之角度來作配置，係能夠在線材305上形成均一之薄膜。另外，在本實施例中，噴嘴2之數量係並不被限定於3個，亦可在線材305之周圍，設置2個或者是4個以上之噴嘴2。又，複數之噴嘴2，係並不被限定於以互為相等之角度來作配置的情況，只要是能夠在線材305上形成均一之厚度的膜，則係能夠將複數之噴嘴2以任意之角度關係來作配置。在本實施例中，為了更為容易地進行均一之厚度的膜，係以使用複數之噴嘴2為理想。但是，由於就算是單一之噴嘴2亦能夠形成薄膜，因此係並非一定需要配置複數之噴嘴2。於此情況，噴嘴2係可作固定，亦可在朝向線材305之狀態下而一面於圓周方向上旋轉一面進行噴霧。
又，為了在線材305之上形成均一之厚度的膜，較理想，對於複數之噴嘴2，係施加互為相等之電壓(直流電壓、脈衝電壓)。但是，因應於需要，亦可對於施加於複數之噴嘴2處的電壓獨立地作控制。
接著，參考圖14，針對本實施例中之薄膜形成裝置作說明。圖14，係為薄膜形成裝置140的概略構成圖。薄膜形成裝置140，係構成為藉由靜電噴霧而在線材305上形成薄膜。在本實施例中，薄膜形成裝置140，係具備有3個的靜電噴霧裝置32a、32b、32c(複數之靜電噴霧 裝置)，而構成之。但是，本實施例之薄膜形成裝置140，係並不被限定於具備有3個的靜電噴霧裝置32a、32b、32c之構成。薄膜形成裝置，係亦可為僅具備1個的靜電噴霧裝置之構成或者是具備2個或4個以上的靜電噴霧裝置之構成。
靜電噴霧裝置32a(第1靜電噴霧裝置)，係具備有將成為第1薄膜之原料的第1液劑33a從身為線材305之徑方向的複數之方向而朝向線材305作噴霧的第1之複數之噴嘴2a、以及對於第1之複數之噴嘴2a的各個和線材305之間施加第1電壓之第1電壓控制裝置(未圖示)。第1之複數之噴嘴2a，係在與線材305(線材之移動方向)相正交之面上相互以相等之第1角度(當設置有3個的噴嘴2a的情況時，係為120度)來作配置。
又，靜電噴霧裝置32b(第2靜電噴霧裝置)，係具備有將成為第2薄膜之原料的第2液劑33b從身為線材305之徑方向的複數之方向而朝向線材305作噴霧的第2之複數之噴嘴2b、以及對於第2之複數之噴嘴2b的各個和線材305之間施加第2電壓之第2電壓控制裝置(未圖示)。第2之複數之噴嘴2b，係在與線材305相正交之面上相互以相等之第2角度(當設置有3個的噴嘴2b的情況時，係為120度)來作配置。
同樣的，靜電噴霧裝置32c(第3靜電噴霧裝置)，係具備有將成為第3薄膜之原料的第3液劑33c從身為線材305之徑方向的複數之方向而朝向線材305作噴霧的第 3之複數之噴嘴2c、以及對於第3之複數之噴嘴2c的各個和線材305之間施加第3電壓之第3電壓控制裝置(未圖示)。第3之複數之噴嘴2c，係在與線材305相正交之面上相互以相等之第3角度(當設置有3個的噴嘴2c的情況時，係為120度)來作配置。
在本實施例中，薄膜形成裝置140，係具備有使線材305(線材305之薄膜形成區域)移動的移動裝置18、19。在本實施例中，移動裝置18係為進行線材305之卷送出的卷送出裝置，移動裝置19係為進行線材305之卷取的卷取裝置。但是，本實施例係並不被限定於此，亦可構成為藉由其他之方法來使線材305移動。在薄膜的形成中，移動裝置18、19係藉由使線材305以一定之速度移動，而能夠進行均一之膜厚的成膜。但是，本實施例，係並不被限定於使線材305以一定之速度來移動的情況。例如，亦可藉由使線材305之移動速度改變，來使膜厚改變。又，當在既定之細微區域處而形成薄膜(形成細微構造)的情況等時，亦能夠進行先使線材305之移動停止，並在薄膜被形成之後而再度開始線材305之移動等的控制。又，在移動裝置18處，係被設置有用以將線材305接地(賦予GND電位)之電極部，但是，係亦可將電極部設置在移動裝置18以外之處。又，對於電極部所賦予之電位，係亦可為GND電位以外之電位。
又，在本實施例中，薄膜形成裝置140，係具備有進行形成了薄膜後之線材305的乾燥以及燒成之第1乾燥/ 燒成裝置15a以及第2乾燥/燒成裝置15b。第1乾燥/燒成裝置15a，係被設置在第1靜電噴霧裝置32a和第2靜電噴霧裝置32b之間。又，第2乾燥/燒成裝置15b，係被設置在第3靜電噴霧裝置32c和移動裝置19之間。
在本實施例中，首先，係使在第1靜電噴霧裝置32a處之第1電壓控制裝置施加第1電壓而將第1液劑33a從第1之複數之噴嘴2a來朝向線材305噴霧，並藉由此而在線材305上形成第1薄膜。之後，被形成有第1薄膜之線材305，係一直移動至第1乾燥/燒成裝置15a處，第1乾燥/燒成裝置15a係進行被形成有第1薄膜之線材305的乾燥以及燒成。
接著，係使在第2靜電噴霧裝置32b處之第2電壓控制裝置施加第2電壓而將第2液劑33b從第2之複數之噴嘴2b來朝向線材305噴霧，並藉由此而在被形成有第1薄膜之線材305上形成第2薄膜。接著，係使在第3靜電噴霧裝置32c處之第3電壓控制裝置施加第3電壓而將第3液劑33c從第3之複數之噴嘴2c來朝向線材305噴霧，並藉由此而在被形成有第2薄膜之線材305上形成第3薄膜。在本實施例中，作為其中一例，藉由第2靜電噴霧裝置32b所形成之第2薄膜，由於係想定為形成容易乾燥之薄膜的情況，因此，在第2靜電噴霧裝置32b和第3靜電噴霧裝置32c之間，係並未設置有乾燥/燒成裝置。但是，因應於需要，亦可在第2靜電噴霧裝置32b和第3靜電噴霧裝置32c之間設置乾燥/燒成裝置。
之後，被形成有第3薄膜之線材305，係一直移動至第2乾燥/燒成裝置15b處，第2乾燥/燒成裝置15b係進行被形成有第3薄膜之線材305的乾燥以及燒成。另外，當第1薄膜或第2薄膜係為容易乾燥之薄膜的情況時，係亦可省略圖14中所示之第1乾燥/燒成裝置15a或第2乾燥/燒成裝置15b。若是結束全部的工程並在線材305上形成第1薄膜、第2薄膜以及第3薄膜，則係藉由移動裝置19而捲取線材305。
若依據本實施例，則係能夠提供一種在線材上而均一地形成薄的膜之薄膜形成裝置。又，藉由在薄膜形成裝置處設置複數之靜電噴霧裝置，係能夠藉由在線材上以均一之膜厚來形成複數之種類的薄膜，而在連續之線材上形成均一之層積構造。
例如，係亦可在具備有絕緣性之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)的線材305上，以將前述之3種的液劑使用3個的靜電噴霧裝置32a、32b、32c來層積3層的方式而進行成膜。作為其中一例，係可藉由在線材305上，將被與陰極作連接之鋁電極膜、使用有有機EL材料之發光膜、被與陽極作連接之氧化銦錫(ITO)的透明之電極膜的3層之膜依序進行成膜，而製造出作為有機EL而起作用之線材。若依據此種構成，則由於係能夠藉由靜電噴霧來將各膜以均一之厚度而成膜，因此係能夠製造出在可在線材之徑方向以及長邊方向上而均一地發光之線材狀的有機EL元件。另外，亦可在外側之電極膜上，更進而成膜反射防 止膜、彩色濾鏡或保護膜。
又，藉由在金或銅等之導電線材上，使用1個的靜電噴霧裝置32a來形成例如由聚醯亞胺樹脂或環氧樹脂所成的絕緣膜，來製造出具有保護膜而能夠防止線材短路之導電線材。
〔實施例10〕
接著，參考圖15，針對本發明之實施例10作說明。圖15，係為本實施例中之有機EL元件240(OLED)的概略構成圖。有機EL元件240，係為線材狀之有機EL元件，線材上之各膜，係藉由實施例9之靜電噴霧所形成。本實施例，亦係適用在圖1~圖4之概念圖中的方法。工件5，係成為線材。
具體而言，在圖15中，305a係為絕緣線材。在絕緣線材305a之第1區域處，係藉由靜電噴霧而被形成有第1電極14(導電膜)。第1電極14，係被與有機EL元件240之陰極24作電性連接。又，在絕緣線材305a之第1電極14之上，係被形成有發光層17(有機EL膜)。
進而，在絕緣線材305a之第2區域處，係被形成有第2電極13a(導電膜)。又，在絕緣線材305a之發光層17之上，係被形成有第2電極13b(導電膜)。在本實施例中，第2電極13b，例如係為藉由氧化銦錫(ITO)所構成之透明電極。第2電極13a、13b，係被與有機EL元件240之陽極23作電性連接。在本實施例中，在絕緣線 材305a之第2區域處，亦可首先形成絕緣膜，之後在該絕緣膜之上形成第2電極13a。藉由使用此種線材狀之有機EL元件來構成發光構件，係能夠製造可撓性之發光裝置。
另外，本實施例，雖係針對線材狀之有機EL元件而作了說明，但是，係並不被限定於此，例如，係亦可使用藉由靜電噴霧而在線材上形成複數之種類的薄膜之裝置，來形成線材狀之太陽電池。例如，代替上述之發光層17(有機EL膜)，藉由形成矽系、化合物系、有機系等之發電層，係能夠製造線材狀之太陽電池元件。又，藉由在外側之電極膜上成膜反射防止膜，係能夠提昇發電效率。藉由使用此種線材狀之太陽電池元件來構成發電構件，係能夠製造可撓性之發光裝置。
又，在本實施例中，雖係使用靜電噴霧方法(實施例9之薄膜形成裝置)而形成線材狀之有機EL元件或線材狀之太陽電池，但是，係並不被限定於此。例如，藉由反覆進行將液劑以空氣之噴出來噴霧並在線材上進行成膜的空氣式噴霧法或者是以將線材浸漬在液劑中之後拉上並使其乾燥而進行成膜的浸漬鍍敷等之成膜方法，係亦能夠形成上述之各膜並製造線材狀之有機EL元件。又，係亦可將層積有前述之各層的材質，押出成細線狀，而製造線材狀之有機EL元件。
〔實施例11〕
接著，參考圖16，針對本發明之實施例11作說明。圖16，係為本實施例中之有機EL元件300(OLED)的概略構成圖。有機EL元件300，係與實施例10相同的，為線材狀之有機EL元件，線材上之各膜，係藉由實施例9之靜電噴霧所形成。作為本實施例之線材，係使用有導電線材305b，在此點上，係與使用有絕緣線材305a之實施例10的構成相異。本實施例，亦係適用在圖1~圖4之概念圖中的方法。
在圖16中，305b係為導電線材。導電線材305b，係構成第1電極，並被與陰極24作電性連接。在導電線材305b之第1區域處，係藉由靜電噴霧而被形成有絕緣層16(絕緣膜)。又，在導電線材305b之第2區域處，係被形成有發光層17(有機EL膜)。
進而，在絕緣層16之上，係被形成有第2電極13a。進而，在發光層17之上，係被形成有第2電極13b。在本實施例中，第2電極13b，係為透明電極(ITO)。第2電極13a、13b，係被與有機EL元件300之陽極23作電性連接。若依據此，則與實施例10相同的，係能夠製造可均一地發光之線材狀的有機EL。
另外，本實施例，雖係針對線材狀之有機EL元件而作了說明，但是，與實施例10相同的，係亦可形成線材狀之太陽電池。又，在本實施例中，係與實施例10相同的，亦可使用押出成形或浸漬鍍敷等而形成相同之構造。
若依據上述各實施例，則係能夠提供一種在線材上而 均一地形成薄的膜之薄膜形成裝置。又，係能夠提供一種使用有線材之細微之有機EL元件。
〔實施例12〕
接著，參考圖17，針對本發明之實施例12作說明。本實施例，係為使用藉由實施例10、11等所製作的線材狀之有機EL元件的形態。圖17，係為本實施例中之發光裝置450的概略構成圖。發光裝置450，係藉由將線材狀之有機EL元件401作為橫絲以及縱絲來作編織，而具備有布狀之發光部。發光裝置450，係具備有被與有機EL元件401之其中一端側作連接的陽極側之端子412和被與有機EL元件401之另外一端側作連接的陰極側之端子413，並構成為藉由透過該些來與電源404作連接而能夠發光。
若依據本實施例，則藉由編織為布狀，係能夠形成可自由變形之可撓性的發光裝置450，且亦能夠配合於發光裝置之設置位置的形狀而自由地作配置。另外，發光裝置450，係亦可使用有機EL元件401來藉由其他之織法或編法來製造。又，有機EL元件401，係亦可並不作編織地來在布等之上而縫入為既定之形狀(文字或模樣)，並藉由此來在所縫入之布上來使其作部分性之發光。
〔實施例13〕
接著，參考圖18，針對本發明之實施例13作說明。 本實施例，係為使用藉由實施例10、11等所製作的線材狀之有機EL元件的形態。圖18，係為本實施例中之發光裝置550a的概略構成圖。發光裝置550a，係藉由將線材狀之有機EL元件501平行地作多數之並排並且並聯地與電源503作連接，而可進行平面發光。若依據本實施例之發光裝置550a，則相較於在基板上形成有有機EL元件之發光裝置，由於有機EL元件501係為線材狀，因此僅需要對於並排之數量和長度作變更，便能夠調整發光裝置之大小，且大型化亦為容易。
因此，係可作為大型之照明裝置來使用，或者是亦可作為大型之顯示裝置的背光來使用。又，由於有機EL元件係被形成為可彎曲之線材狀，因此係亦可作為能夠配合於設置位置之形狀來自由地作配置之發光裝置而使用。又，係能夠構成可在表面和背面之兩面而發光之發光裝置，而能夠利用在對於兩面而顯示資訊之顯示裝置中。藉由此，係能夠提供可對於兩面而顯示資訊之導覽板或電子終端等之顯示裝置。
又，在發光裝置550a中，係亦可為了提昇效率，而在有機EL元件501之背後配置反射構件，且亦可為了將發光狀態平坦化，而在有機EL元件501之前面配置透鏡或濾鏡。又，亦可藉由將一對之發光裝置550a傾斜90度而作配置，來提供將發光強度之方向依存性更加縮小了的發光裝置。
圖19，係為本實施例中之其他發光裝置550b的概略 構成圖。發光裝置550b，係藉由將線材狀之有機EL元件501綁成一束並並聯地與電源503作連接，而構成為直線型之發光裝置。若依據本實施例之發光裝置550b，則係可代替直管型之螢光燈而作使用，而可作為輕量且高效率之照明來作使用。又，若依據發光裝置550b，則藉由對於有機EL元件501之根數作變更，係能夠簡易地對於發光之強度作調整。又，由於有機EL元件501係被形成為細的線材狀，因此係亦可形成可撓性之發光裝置550b並配合於發光裝置之設置位置的形狀來自由地作配置。例如，有機EL元件501，係不僅是如同前述一般之直線性的平面性配置，而亦可構成像是漩渦狀或彈簧狀一般之包含有曲線的形狀。若依據此種構成，則係可容易地製造出柱形、圓形或者是球形等之各種形狀的發光裝置。另外，亦能夠以使有機EL元件501成為繩狀或綱狀的方式來作配合使用。
又，本實施例之發光裝置550a、550b，係可藉由使用矽酮橡膠等之具有可撓性的樹脂材來如同圖18以及圖19中之虛線所示一般地來作密封，而並不使有機EL元件501之配列崩潰地來進行可撓性之配置。又，發光裝置550a、550b，就算是貼附在PET或矽酮樹脂等之薄片上或者是被夾入於其中地來作使用，亦能夠發揮與本實施例相同之效果。
〔實施例14〕
接著，參考圖20，針對本發明之實施例14作說明。本實施例，係為使用藉由實施例10、11等所製作的線材狀之有機EL元件的形態。圖20，係為本實施例中之發光裝置650的概略構成圖。發光裝置650，係為藉由被配置在線材狀之有機EL元件601的背後之反射構件606來將光導引至導光板603處並使其發光的邊緣發光方式之發光裝置。若依據發光裝置650，則相較於在此種之發光裝置中所被使用的冷陰極管，係能夠抑制構件之數量並成形為細的形狀。進而，係能夠達成搭載有發光裝置650之裝置的薄型化以及小型化。
另外，藉由代替圖17乃至圖20中所示之發光裝置450、550a、550b、650的有機EL元件401、501、601之各個，而使用前述之線材狀的太陽電池元件，係能夠製造布狀、平板型或直管型等之太陽電池單元(太陽發電單元)。藉由此，例如，係可使用將絲狀之太陽電池元件作編織所製造的布來製作衣類，並藉由以此布狀之太陽電池元件所發電之電力來驅動被安裝在衣類上之半導體裝置。
若依據此種構成，則能夠製造可藉由構成衣類之布狀的太陽電池元件來對於演算部、記憶部、操作部或顯示部等進行供電之可穿著式電腦。另外，藉由具備將布狀之太陽電池元件所發電的電力作蓄電之電池，係亦能夠製造無電源之可穿著式電腦。於此情況，作為衣類，係可為外套、毛衣、運動服、夾克、襯衫、西裝、西裝褲、裙子等的衣服，或者是帽子、手套等之配件，若是使用穿著狀態 為成為外側者，則發電效率係為佳，在使用顯示部或操作部時，係為理想。又，作為在衣類上之半導體裝置，藉由代替電腦而設置發光部或顯示部，係可製造出能夠在夜晚等之必要時而使其發光或者是使其顯示各種資訊(例如所屬資訊)的衣類。又，亦可設為能夠將藉由布狀之太陽電池元件所發電的電力對於衣類所具備之電池進行充電並對於其他之裝置作供電的構成。例如，藉由在口袋中具備無線式之供電裝置，僅需要將具備有無線式之受電裝置的攜帶型之電子裝置收容在口袋中，便能夠進行充電。
〔實施例15〕
接著，參考圖1，針對本發明之實施例15中的靜電噴霧以及靜電塗布之裝置構成的概要作說明。圖1，係為本實施例之靜電噴霧裝置32(靜電塗布裝置)的概略構成圖。靜電噴霧裝置32，係藉由靜電噴霧而在工件5上立體性地形成凸塊或配線(3維配線)。在本實施例中，工件5，係為將複數之凸塊相互以狹窄的間隔來作配置所構成之基板或者是具有階差部之基板等，但是，係並不被限定於該些。作為工件5，除了基板以外，亦可為玻璃或半導體晶片。藉由將本實施例之靜電噴霧或靜電塗布對於工件5來作利用，係能夠製造半導體裝置或MEMS等。凸塊，例如係為Ag凸塊或Au凸塊或Cu凸塊或Ni或焊錫。又，配線，例如係為聚醯亞胺膜(PI膜)等之絕緣膜或者是Au配線等之導電膜。
靜電噴霧裝置32，主要係具備有噴嘴2和控制手段10以及用以載置工件5之台7，而構成之。控制手段10，係包含有對於噴嘴施加特定之電壓的電壓控制裝置。對於噴嘴2，係從圖1中之箭頭A的方向而供給有液劑。液劑，係因應於被形成在工件5上之薄膜(絕緣膜、導電膜配線)的種類而適宜作選擇。亦即是，係將形成在工件5上之膜的原料作為液劑而作選擇。
控制手段10，係對於噴嘴2之電極2a和台7之電極7a之間施加既定之電壓。工件5，係以與噴嘴2之前端部21(噴嘴前端部)相對向的方式，而被載置於台7之上。噴嘴前端部之直徑(液劑所通過之內徑)，例如係被設定為5μm~400μm程度。
若是藉由控制手段10而被施加有既定之電壓，則係從噴嘴2之前端部2b起而朝向工件5噴霧液劑。此時，噴嘴2之內部的液劑，係藉由起因於施加電壓所產生的靜電力而反斥，並破壞在噴嘴2之前端部2b處的液面之表面張力而微粒子化。被微粒子化後之液劑，由於係帶電正或負之其中一者，因此，粒子彼此係互相反斥，而能夠並不發生凝集地來作噴霧。如此這般，液劑係從噴嘴2之前端部2b而被噴霧，最初係為具有較大之直徑的粒子31a之狀態，之後係成為具有較小之直徑的粒子31b，並被形成(堆積)在工件5之上。之後，藉由使堆積了的粒子31b(液劑)硬化，在工件5之表面上係成為被形成有液劑之薄膜(絕緣膜、導電膜)。
又，在本實施例中，被形成於工件5上之薄膜(絕緣膜、導電膜)的厚度，例如係為0.2~30μm，而能夠形成均一且為薄之配線。另外，被形成在工件5上之凸塊或配線的厚度，係能夠因應於原料(絕緣膜或導電膜的種類)而適宜作設定。如此這般，若依據本實施例之靜電噴霧方法，則係能夠形成在先前技術的噴霧手法中所無法形成之薄的配線。又，若藉由靜電噴霧，則就算是當工件5具備有階差部(凸部)的情況時，亦能夠在工件5(亦包含工件5之側面)上均一地形成液劑之膜。
於此，參考圖36，針對本實施例中之靜電塗布的概要作說明。在靜電塗布中，與靜電噴霧相異，係對接近於工件5之噴嘴2處，一面施加例如脈衝電壓一面將液劑並不噴霧地而直線性對於工件5射出。具體而言，液劑係藉由當被施加有脈衝電壓時所產生之靜電力而破壞在噴嘴2之前端部21處的液面之表面張力並成為微小之液滴31c。此液滴，由於係被施加脈衝電壓，而並未帶電可噴霧之電壓，因此係並不會細微化，而被拉向工件5。藉由此，此液滴，係並不被噴霧地而直線性朝向工件5射出，並成為能夠進行以液滴之大小所進行的塗布。本靜電塗布，係亦可因應於需要而對於本發明之全部的實施例作適用。
故而，藉由並不移動噴嘴2地而將液滴以點狀來作塗布，係成為能夠形成細微之凸塊，又，藉由一面使噴嘴2移動一面反覆塗布液滴，係能夠塗布成線狀，藉由此，係 成為可形成細微之配線。
接著，參考圖2以及圖3，針對藉由靜電噴霧裝置32所施加之電壓(用以使靜電產生之電壓)作說明。圖2，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之直流電壓的說明圖。圖3，係為藉由靜電噴霧裝置32所施加之脈衝電壓的說明圖。藉由一面如同圖2一般而施加直流電壓一面從噴嘴2來朝向工件5噴霧液劑，係進行靜電噴霧。另一方面，藉由一面如同圖3一般而施加脈衝電壓一面從噴嘴2來朝向工件5塗布液劑，係進行靜電噴霧或靜電塗布。
在圖2中，係對於將工件5(台7)作接地(GND連接)並對於噴嘴2而施加了正(+)的直流電壓之狀態(進行靜電噴霧的情況)作展示。但是，本實施例係並不被限定於此，係亦可對於噴嘴2施加負(-)的直流電壓。關於使用正電壓或負電壓之何者，係因應於液劑或工件5之材料而適宜作設定。又，由於係只要以並不改變極性地而僅施加其中一方之極性之電壓的方式來構成即可，因此，係並不被限定於直流電壓，而亦能夠以在噴霧中一面維持極性一面使電壓之大小作改變的方式來作控制。進而，亦可施加極性僅為正或者是僅為負之藉由電壓高低差之改變所構成的脈衝電壓。當施加此種脈衝電壓的情況時，可設定為亦包含有0V，亦可設定為並不包含0V。在本實施例中，噴嘴2之前端部2b和工件5之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
在圖3中，係對於靜電噴霧裝置32之控制手段10為 對於噴嘴2施加使相對於工件5(台7)之極性作正和負之交互改變的脈衝電壓(進行脈衝振盪)之狀態作展示。另外，使用脈衝電壓所進行之靜電塗布，係適合使用在對於工件5之表面而選擇性地形成凸塊或配線的情況。此係因為，係能夠因應於脈衝電壓之極性來對於從噴嘴2而來之液劑並不作噴霧地來進行塗布之故。
當施加脈衝電壓的情況時，首先，係如同圖3(a)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，在工件5之表面(噴嘴2側之面)上，正電荷(+電荷)係集中，此表面係帶電為正(+)。接著，係如同圖3(b)中所示一般，對於噴嘴2施加負電壓(-電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為負(-)，並付著(命中)於帶電為正(+)之工件5的表面上。接著，係如同圖3(c)中所示一般，對於噴嘴2施加正電壓(+電壓)。此時，從噴嘴2而被作靜電噴霧之粒子31b係帶電為正(+)，並付著於工件5的表面上。
之後，藉由反覆進行圖3(b)中所示一般之施加負電壓的狀態和圖3(c)中所示一般之施加正電壓的狀態(施加脈衝電壓)，在工件5之上係堆積有粒子31b。脈衝電壓之大小，例如係被設定為0.5kV~10kV程度，脈衝寬幅(噴霧速度)，例如係被設定為5Hz~1kHz程度。又，噴嘴2之前端部2b和工件5之表面間的距離d，例如係被設定為0.5mm~20mm程度。
又，在本實施例中，為了對於到達工件5之上的粒子31b之粒子直徑作控制，係能夠對於噴霧距離、亦即是對於噴嘴2之位置(高度)作控制。圖4，係為對於在靜電噴霧裝置32中的噴嘴2(噴嘴前端部)之位置控制(高度控制)作展示之圖。如圖4中所示一般，在靜電噴霧裝置32處，係被設置有攝像機8。攝像機8，係以能夠對於到達工件5之表面上的粒子31b作觀察的方式而被作配置。如此這般地，使用攝像機8來對於粒子31b之粒子直徑或者是由粒子31b所致之塗布狀態作觀察，並以因應於該觀察結果來使噴嘴2移動至所期望之位置處的方式來作控制。例如，如圖4中所示一般，在噴霧中，係能夠將噴嘴前端部和工件5之表面間的距離d1變更為距離d2。
此種控制，係能夠藉由畫像處理來自動性地實行，或者是亦可藉由手動來實行。另外，在對於粒子直徑作控制的情況時，係並不被限定於使噴嘴2之高度或左右方向的位置作移動之構成，例如亦可採用對於噴嘴之口徑或施加電壓之大小或者是脈衝寬幅作變更之構成。當在工件5上形成凸塊或配線之期間中而工件5之靜電特性會有所改變的情況時，係為有效。
又，在本實施例中，噴嘴2，係亦可構成為具備有複數之噴嘴部。此時，為了在工件5之上而均一地形成液劑(凸塊或配線)，係能夠將對於複數之噴嘴部的各別所施加之電壓(脈衝電壓)相互獨立地作控制。又，亦可構成為在每一既定之區域處而將複數之噴嘴部的配置作變更。 藉由對於電壓之大小作設定，係成為能夠將凸塊或配線的厚度更為均一地來形成。
以下，針對利用靜電塗布來形成凸塊之方法以及利用靜電噴霧和靜電塗布之雙方來形成3維配線之方法，個別作具體性說明。
首先，參考圖21，針對本發明之實施例1作說明。圖21，係為本實施例中之凸塊形成方法之說明圖，並對於凸塊形成裝置150的概略作展示。本實施例，特別係有關於在工件5上形成細微之凸塊43的方法，並利用上述之靜電塗布方法來進行。
如圖21中所示一般，凸塊形成裝置150，係具備有藉由以包含有電壓控制裝置之控制手段10來施加既定之脈衝電壓而將成為凸塊(導電體)之原料的液劑之液滴41作塗布之噴嘴2a。控制手段10，係以使用液劑之液滴41而在工件5上形成凸塊43的方式，來進行控制。在本實施例中，由於凸塊係適合使用Ag凸塊或Au凸塊，因此，作為成為凸塊之原料的液劑，係使用在溶媒中熔融有Ag、Au等之金屬的液劑(Ag奈米墨水或Au奈米墨水)。
在本實施例中，工件5，係具備有基板51以及被設置在基板51上之墊片部52，而構成之。例如，在具備有例如墊片部52之間隔為10μm長度一般之非常高密度之配線構造的半導體裝置之製造中，係有必要在各個墊片部52之上，搭載較此間隙而更小之凸塊43。在使用有先前 技術之印刷法的凸塊形成方法中，係形成例如具備有200~300μm程度之直徑的較大之凸塊，而無法形成可適用在如同圖22中所示一般之高密度構造中的細微之凸塊。
因此，在本實施例中，係利用靜電塗布，來形成細微之凸塊。具體而言，係在墊片部52之上部配置噴嘴2a，並對於噴嘴2a和工件5之間施加脈衝電壓。若是被施加脈衝電壓，則藉由與此脈衝電壓相對應之靜電塗布，成為凸塊43之原料的液劑係被吐出，並成為1個塊狀物(粒子42)而被塗布在工件5之既定的位置(墊片部52之上)。藉由此種靜電塗布方法，係能夠形成具備有3~10μm程度之直徑的細微之凸塊43。
另外，為了使連接凸塊43之外部裝置的墊片部以及墊片部52之間的密著性提昇，係亦可在凸塊43之形成的前後，藉由靜電噴霧或靜電塗布來形成Ni膜。又，為了使凸塊43乾燥，亦可當在工件5上形成了凸塊43之後，進行助焊噴霧。所謂助焊噴霧，係指將蟻酸等從噴嘴而朝向被形成在工件5上之凸塊43進行噴霧並將金屬表面之氧化物化學性地除去。
如同上述一般，若依據本實施例，則係能夠使用靜電塗布方法而容易地形成可適用於高密度構造中之細微的凸塊。
又，凸塊43，係亦可並非如同前述之工件5一般而僅形成在一面上，而為形成在工件5之兩面上。具體而言，係在將工件5之緣部作了保持的狀態下，從在工件5 之上下而朝向工件地作了配置之噴嘴2a，來對於配置在工件5之兩面的墊片部52之上吐出液劑(液滴41)。於此情況，由於係藉由靜電塗布方法而形成凸塊43，因此，就算是工件5之下面，亦能夠成形凸塊43。若依據此，則由於係能夠在工件5之兩面上形成凸塊43，因此係能夠容易地構成使用有工件5之層積構造。
又，由於係使用有靜電塗布方法，因此，不僅是對於工件5之1個的平面，就算是ㄈ字狀或L字狀之類的具有將複數之平面作了組合之面的工件5，亦可在各側面處形成凸塊43。
〔實施例16〕
接著，參考圖22乃至圖24，針對本發明之其他實施例作說明。圖22乃至圖24，係為本實施例中之3維配線形成方法之說明圖，並對於3維配線形成裝置250的概略作展示。本實施例，係有關於在具備有階差部之工件60(在本實施例16、17中，係將工件5記載為60)上形成3維配線的方法，並利用上述之靜電噴霧方法以及靜電塗布方法來進行。工件60，係在基板61之上將晶片接面材63以及半導體晶片(die)64的構造體作3層層積，而構成之。又，各層之構造體的端部，係分別相互偏離，其結果，係形成有3段的階差部69a、69b、69c。
圖22，係對於藉由靜電噴霧而形成聚醯亞胺膜65(絕緣膜)的情況作展示。本實施例之3維配線形成裝 置，係具備有藉由被施加第1電壓而將成為聚醯亞胺膜65之原料(第1原料)的液劑65a(第1液劑)朝向工件60進行噴霧之噴嘴2b(第1噴嘴)。噴嘴2b，係亦可為具備有複數之噴嘴部的多噴嘴。又，控制手段10，係以使用液劑65a而在工件60上將形成3維配線之部位作覆蓋的方式，來進行控制。
在本實施例中，由於係在較廣的範圍中而形成聚醯亞胺膜65，因此，控制手段10，係對於噴嘴2b和工件60之間施加既定之直流電壓，並將聚醯亞胺膜65之原料的液劑65a朝向工件60噴霧。如此這般，就算是對於具備有如同圖22中所示一般之階差部69a、69b、69c的工件60，亦能夠藉由靜電噴霧而形成均一且為薄之聚醯亞胺膜65。藉由此，係能夠形成作為光阻膜(絕緣膜)而起作用的聚醯亞胺膜65。
在半導體晶片64處，係被形成有用以與後述之Au配線作電性連接的電極部75。因此，朝向電極部75，係並不噴霧液劑65a，而形成並未被填充有聚醯亞胺膜65之孔部71。同樣的，在基板61處，係被形成有用以與後述之Au配線作電性連接的電極部62。因此，朝向電極部62，係並不噴霧液劑65a，而形成並未被填充有聚醯亞胺膜65之孔部66。
圖23，係對於藉由靜電塗布而形成Au配線67(金屬配線)的情況作展示。本實施例之3維配線形成裝置，係具備有藉由被施加第2電壓而將成為Au配線67之原料 (第2原料)的液劑67a(第2液劑)朝向工件60進行塗布之噴嘴2c(第2噴嘴)。噴嘴2c，係亦可為具備有複數之噴嘴部的多噴嘴。又，控制手段10，係以使用液劑67a而在工件60上形成3維配線的方式，來進行控制。另外，在階差部69a、69b、69c處，由於相對於形成Au配線67之面，噴嘴2c係成為平行的狀態，而塗布係變得困難，因此，係可因應於需要而一面使噴嘴2c傾斜一面進行塗布。
在本實施例中，Au配線67，係在被形成有聚醯亞胺膜65之區域中的一部分之區域(例如局部性地)而選擇性地被形成。因此，較理想，Au配線67，係並非藉由靜電噴霧，而是藉由靜電塗布來形成。故而，控制手段10，係對於噴嘴2c(第2噴嘴)和工件60之間施加既定之脈衝電壓，而將成為Au配線67之原料(第2原料)的液劑67a(第2液劑)塗布在工件60上。若依據本實施例，則例如係能夠形成具備有3~10μm程度之線寬幅的細微之Au配線。又，此時，在被設置於電極部62之上部處的孔部66以及被設置在電極部75之上部處的孔部71處，由於係亦塗布有液劑67a，因此，在孔部66和孔部71處，係被形成有Au層68，Au配線67係被與電極部62和電極部75作電性連接。藉由此，例如就算是包夾有其他之晶片而成為需要藉由線材所進行之配線的構成中，亦能夠藉由立體性地做了形成的Au配線67來作電性連接。故而，係亦能夠將配線距離縮短而將半導體晶片之處 理速度高速化。又，由於Au配線67係成為附著在工件5之面上的狀態，因此係並不會有起因於工件5之撓折而破斷的情形，故而係能夠進行對於具有可撓性之工件5的配線之形成。
圖24，係對於在階差部69a、69b、69c之側面而形成Au配線67的情況作展示。當使用靜電塗布而在階差部69a、69b、69c之側面形成Au配線67的情況時，較理想，係如同圖24中所示一般，以使噴嘴2c作了適當之角度之傾斜的狀態來塗布液劑67a。例如，係以在對於工件60之平面部而進行靜電塗布的情況時之噴嘴2c的位置作為基準，來使噴嘴2c作角度α之傾斜。與靜電噴霧相異，靜電塗布，係從噴嘴2c而將液劑67a作局部性之塗布。因此，藉由在使噴嘴2c作了既定之角度α之傾斜的狀態下，來並不改變噴嘴2c之傾斜地而進行靜電塗布，係亦能夠在階差部69a、69b、69c之側面處形成均一之Au配線67。另外，噴嘴2b(第1噴嘴)，當將液劑65a朝向階差部69a、69b、69c之側面而進行噴霧的情況時，係從相對於工件60而相正交的方向來進行噴霧，但是，亦能夠與噴嘴2c(第2噴嘴)相同的，在朝向階差部之側面而進行噴霧時，使其作既定之角度的傾斜。
在本實施例中，係針對藉由聚醯亞胺膜65以及Au配線67來立體性地作了構成的3維配線而作了說明。但是，本實施例係並不被限定於此，亦可藉由聚醯亞胺膜以外之絕緣膜以及Au以外之金屬配線，來構成3維配線。 又，亦可包含其他之絕緣膜或金屬配線地而構成3維配線。進而，亦可並不形成絕緣膜，而僅將金屬配線作為3維配線而構成之。
又，係亦可藉由在形成了Au配線67之後，在工件60上形成聚醯亞胺膜65，而藉由靜電噴霧來形成對於Au配線67作保護之保護膜。又，亦可藉由在此保護膜之上面以靜電噴霧來形成導電膜或導電網格，來形成將電磁波作遮斷之電磁遮罩。
若依據上述之各實施例，則係能夠提供一種在工件上而形成細微之凸塊的凸塊形成裝置以及凸塊形成方法。又，係能夠提供一種在具有階差部之工件上而形成具備均一之尺寸(厚度、寬幅)的細微之3維配線之3維配線形成裝置以及3維配線形成方法。
〔實施例17〕
接著，參考圖25乃至圖31，針對本發明之其他實施例作說明。在本實施例中，係將複數之3維配線作層積而形成之。首先，如同圖25中所示一般，在電極部62、70之上，藉由靜電塗布而形成與前述之Au層68同樣地而起作用之凸塊68a。接著，如圖26中所示一般，以避開電極部62、70的方式來形成聚醯亞胺膜65，之後，形成將被設置在基板61處之電極部62的凸塊68a和被形成在第1段之半導體晶片64處之電極部75的凸塊68a作電性連接之Au配線67，而形成3維配線。
接著，如圖27中所示一般，形成將基板61之凸塊68a和被形成在第2段的半導體晶片64處之電極部75的凸塊68a作連接之3維配線。接著，如圖28中所示一般，形成將基板61之凸塊68a和被形成在第3段的半導體晶片64處之電極部75的凸塊68a作連接之3維配線。如此這般，藉由交互成形聚醯亞胺膜65和Au配線67，而將複數之3維配線作層積形成，係能夠成形可將複數之半導體晶片64和基板61個別地進行電性連接之配線構造。若依據此種構成，則係能夠在極為狹窄的面積內(極小範圍內)而將立體性之3維配線構造作層積設置，而成為能夠達成3維配線構造之高密度化。
又，係亦能夠形成將層積了的半導體晶片64之間作連接之3維配線。此時，如同圖29中所示一般，在電極部62、70之上，藉由靜電塗布而形成凸塊68a。接著，如圖30中所示一般，一面將基板61之凸塊68a和第1段的半導體晶片64之凸塊68a藉由Au配線67來作電性連接，一面將在作了層積的第1段和第2段之半導體晶片64的各個處之電極部75的凸塊68a之間，藉由Au配線67來作電性連接。另外，如圖31中所示一般，就算是包夾有第2段的半導體晶片64並起因於凸塊等而導致若是不使用線材則難以進行電性連接之第1段和第3段之半導體晶片64，亦能夠將電極部75之凸塊68a之間藉由Au配線67來作電性連接，而能夠縮短配線距離並將半導體晶片之處理速度高速化。又，若依據此種構成，則係能夠 自由地形成配線構造。
〔實施例18〕
接著，參考圖32乃至圖35，針對本發明之其他實施例作說明。在本實施例中，如同於圖32乃至圖35中所示一般，在藉由以使一面作露出的方式來進行樹脂密封而並不產生階差部地所形成之半導體晶片處，立體性地形成將被形成在此面上之端子的端子間隔作擴張之扇出(fan-out)型的再配線層。如圖32中所示一般，工件85(在本實施例中，係將工件5記載為85)，係具備有例如係使用熱硬化性等之樹脂81來將半導體晶片82除了其中一面側以外地來進行樹脂密封，並且在所露出的其中一面側上形成有電極83之構成。
如同圖32中所示一般，在工件85之電極83處，藉由靜電塗布而形成凸塊68a。接著，如圖33中所示一般，以避開凸塊68a的方式而形成身為光阻膜(絕緣膜)之聚醯亞胺膜65。並以從凸塊68a起而朝向半導體晶片82之外側作延伸存在的方式，來形成Au配線67。接著，如同圖34中所示一般，在Au配線67之前端側處，藉由靜電塗布而形成凸塊68a。又，藉由以避開凸塊68a的方式來形成聚醯亞胺膜65，係能夠在半導體晶片82之外側處形成端子並將端子間隔擴廣。此時，係成為從鄰接(近接)於半導體晶片82之緣部而被設置的複數之電極83起，而使各個Au配線67在俯視時而朝向外側延伸的狀 態。藉由此，Au配線67係以輻射狀(扇狀)而擴張，而能夠立體性地形成將端子間隔作了擴廣的扇出型之再配線層。
另外，如同圖35中所示一般，在所形成的再配線層之凸塊68a之上，亦可藉由靜電塗布而更進而形成用以進行與外部間之連接的凸塊68a。當從工件85而製造個別之半導體裝置的情況時，藉由對於外部連接用之凸塊68a之間(該圖中之中心位置)進行切割，係能夠製造扇出型之半導體裝置。另外，在上述實施例中，雖係針對藉由Au配線67和凸塊68a來形成立體性之配線構造之例而作了說明，但是，係亦可並不形成凸塊68a地，來在電極83處將Au配線67直接作連接並形成立體性之配線構造。
在實施例15~18中，例如，係亦可藉由對於1個的工件而形成凸塊43以及3維配線之雙方，來形成其他的配線構造體。例如，亦可對於層積有複數之半導體晶片之中介(interposer)基板，而在被層積有半導體晶片之其中一面(上面)處構成3維配線，並在朝向將中介基板作安裝之對象物的另外一面(下面)處形成凸塊43。此時，係與藉由相同之液劑來形成凸塊43和3維配線的情況相同地，係可藉由噴嘴來形成，而能夠以低價之構成來形成複雜之配線構造。另外，在各實施例中，配線構造體，係並不被限定於具備有立體性之3維配線構造者，例如亦可為在半導體晶片或基板等之基材上具備有平面性之 2維配線構造的配線構造體。又，亦可在金屬配線間形成介電質層而形成具有電容之配線構造體。
又，亦可藉由靜電噴霧或靜電塗布來合成液劑並在工件上形成凸塊或3維配線等之配線構造體(具備有凸塊以及配線之至少一者的配線構造)。於此情況，係對於一對之噴嘴而分別施加正電壓以及負電壓之相異極性的電壓，並且將工件作接地。之後，在從各噴嘴所吐出之液劑到達工件處之前，一面將各液劑作噴霧一面進行合成，並在工件上形成膜，藉由此，係能夠形成凸塊43或絕緣膜或者是金屬配線。例如，係可使用藉由將主劑和硬化劑作混合而硬化的硬化性樹脂，來形成絕緣膜。又，亦可藉由對於所層積之各膜的組成而一面因應於需要來作調整一面進行合成，來使線膨脹係數相互接近，而防止配線構造體之彎曲或膜的破損。
又，亦可先藉由靜電塗布來使從噴嘴所吐出之液滴彼此相互碰撞並合成，之後再進行塗布。例如，當作為凸塊而成形焊錫凸塊時，係亦可將錫和鉛之吐出量的比例設為可變，並藉由改變含有率來使性能有所相異。又，藉由對於在焊錫中所使用之錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鉍(Bi)、銦(In)等的材質，而因應於所要求之性能來使該些之從噴嘴的吐出量有所相異，來自由地形成高品質之配線構造體。
以上，係針對本發明之實施例而作了具體性說明。但是，本發明，係不被限定於上述之作為實施例所記載的事 項，在不脫離本發明之技術思想的範圍內，係可適宜作變更。
100‧‧‧光阻膜形成裝置
102‧‧‧噴嘴
105‧‧‧基板
105a‧‧‧階差部
108‧‧‧光阻膜
110‧‧‧控制手段
111‧‧‧驅動手段
131‧‧‧粒子

Claims (23)

  1. 一種光阻膜形成裝置，係為藉由靜電塗布而在具有凸塊之半導體晶片上形成光阻膜之光阻膜形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加既定之電壓，而將成為前述光阻膜之原料的液劑之粒子塗布在前述半導體晶片上之噴嘴；和使前述半導體晶片或前述噴嘴作相對性移動之驅動手段；和以使用前述液劑之粒子來在具有前述凸塊之前述半導體晶片上的除了該凸塊之上面以外之該凸塊的周圍而選擇性地形成前述光阻膜的方式而進行控制之控制手段。
  2. 一種光阻膜形成方法，係為藉由靜電塗布而在基板上形成光阻膜之光阻膜形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴施加既定之電壓之步驟；和將成為前述光阻膜之原料的液劑之粒子塗布於半導體晶片上之步驟；和使用前述液劑之粒子來在具有凸塊之前述半導體晶片上的除了該凸塊之上面以外之該凸塊的周圍而選擇性地形成前述光阻膜之步驟。
  3. 一種液劑合成裝置，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布來合成液劑並在工件之上形成膜之液劑合成裝置，其特徵為，具備有：對於前述工件而噴霧或塗布被施加有負電壓並帶電為負之第1液劑的第1噴嘴；和 對於前述工件而噴霧或塗布被施加有正電壓並帶電為正之第2液劑的第2噴嘴；和使前述工件或前述第1噴嘴以及前述第2噴嘴相對性移動之驅動手段；和以將前述帶電為負之第1液劑和前述帶電為正之第2液劑合成並在前述工件之上形成膜的方式而進行控制之控制手段。
  4. 一種液劑合成方法，係為藉由靜電噴霧或靜電塗布來合成液劑並在工件之上形成膜之液劑合成方法，其特徵為，具備有：對於前述工件而對第1噴嘴施加負電壓並對於該工件而對於第2噴嘴施加正電壓之步驟；和從前述第1噴嘴而噴霧或塗布帶電為負之第1液劑，並從前述第2噴嘴而噴霧或塗布帶電為正之第2液劑之步驟；和將前述第1液劑和前述第2液劑合成並形成合成液劑之步驟；和使用前述合成液劑而在前述工件之上形成前述膜之步驟。
  5. 一種薄膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧而在線材上形成薄膜之薄膜形成裝置，其特徵為，具備有：將成為前述薄膜之原料的液劑，從前述線材之徑方向來朝向前述線材進行噴霧之噴嘴；和對於前述噴嘴和前述線材之間施加既定之電壓之電壓 控制裝置，前述電壓控制裝置，係藉由施加前述既定之電壓並將前述液劑從前述噴嘴而朝向前述線材噴霧，來在該線材上形成前述薄膜。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之薄膜形成裝置，其中，前述噴嘴，係具備有複數之噴嘴部而構成，前述複數之噴嘴部，係在與前述線材相正交之面上，相互以等角度來作配置。
  7. 如申請專利範圍第5項或第6項所記載之薄膜形成裝置，其中，係更進而具備有進行形成有前述薄膜之線材的乾燥以及燒成之乾燥/燒成裝置。
  8. 一種薄膜形成裝置，係為藉由靜電噴霧而在線材上形成薄膜之薄膜形成裝置，其特徵為，具備有：第1靜電噴霧裝置，係具有將成為第1薄膜之原料的第1液劑從複數之方向而朝向前述線材進行噴霧之第1複數之噴嘴部、以及對於該第1複數之噴嘴部之各個和該線材之間施加第1電壓之第1電壓控制裝置；和第2靜電噴霧裝置，係具有將成為第2薄膜之原料的第2液劑從複數之方向而朝向前述線材進行噴霧之第2複數之噴嘴部、以及對於該第2複數之噴嘴部之各個和該線材之間施加第2電壓之第2電壓控制裝置；和移動裝置，係使前述線材移動，前述第1電壓控制裝置，係藉由施加前述第1電壓並將前述第1液劑從前述第1複數之噴嘴部而朝向前述線材 進行噴霧，來在該線材上形成前述第1薄膜，前述移動裝置，係使被形成了前述第1薄膜之線材一直移動至前述第2靜電噴霧裝置處，前述第2電壓控制裝置，係藉由施加前述第2電壓並將前述第2液劑從前述第2複數之噴嘴部而朝向前述線材進行噴霧，來在被形成了前述第1薄膜之線材上形成前述第2薄膜。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之薄膜形成裝置，其中，在前述第1靜電噴霧裝置和前述第2靜電噴霧裝置之間，係更進而具備有進行形成了前述第1薄膜之線材的乾燥以及燒成之第1乾燥/燒成裝置，前述第1乾燥/燒成裝置，係進行被形成了前述第1薄膜之線材的乾燥以及燒成，前述第2靜電噴霧裝置，係在藉由前述第1乾燥/燒成裝置而進行了被形成了前述第1薄膜之線材的乾燥以及燒成之後，在該線材上形成前述第2薄膜。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之薄膜形成裝置，其中，在前述第2靜電噴霧裝置和前述移動裝置之間，係更進而具備有進行形成了前述第2薄膜之線材的乾燥以及燒成之第2乾燥/燒成裝置，前述第2乾燥/燒成裝置，係進行被形成了前述第2薄膜之線材的乾燥以及燒成。
  11. 一種有機EL元件，其特徵為，具備有：絕緣線材；和被形成於前述絕緣線材的第1區域處之第1電極；和被形成於前述絕緣線材的前述第1電極之上之發光層；和被形成在前述絕緣線材的前述發光層之上之第2電極。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之有機EL元件，其中，構成前述第1電極、前述發光層以及前述第2電極之各者的薄膜，係使用藉由靜電噴霧來在前述絕緣線材上形成該薄膜之薄膜形成裝置而形成，前述薄膜形成裝置，係具備有：將成為前述薄膜之原料的液劑，從身為前述線材之徑方向的複數之方向來朝向前述絕緣線材進行噴霧之噴嘴；和對於前述噴嘴和前述絕緣線材之間施加既定之電壓之電壓控制裝置，前述電壓控制裝置，係藉由施加前述既定之電壓並將前述液劑從前述噴嘴而朝向前述絕緣線材噴霧，來在該絕緣線材上形成前述薄膜。
  13. 一種有機EL元件，其特徵為，具備有：構成第1電極之導電線材；和被形成於前述導電線材的第1區域處之絕緣層；和 被形成於前述導電線材的第2區域處之發光層；和被形成在前述導電線材的前述絕緣層以及前述發光層之上之第2電極。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之有機EL元件，其中，構成前述絕緣層、前述發光層以及前述第2電極之各者的薄膜，係使用藉由靜電噴霧來在前述導電線材上形成該薄膜之薄膜形成裝置而形成，前述薄膜形成裝置，係具備有：將成為前述薄膜之原料的液劑，從前述線材之徑方向來朝向前述導電線材進行噴霧之噴嘴；和對於前述噴嘴和前述導電線材之間施加既定之電壓之電壓控制裝置，前述電壓控制裝置，係藉由施加前述既定之電壓並將前述液劑從前述噴嘴而朝向前述導電線材噴霧，來在該導電線材上形成前述薄膜。
  15. 一種凸塊形成裝置，係為藉由靜電塗布而在工件上形成凸塊之凸塊形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加脈衝電壓，而將成為前述凸塊之原料的液劑塗布於前述工件上之噴嘴；和以使用前述液劑來在前述工件上形成前述凸塊的方式而進行控制之控制手段。
  16. 如申請專利範圍第15項所記載之凸塊形成裝置，其中，前述凸塊之原料，係為Ag奈米墨水或Au奈 米墨水。
  17. 一種凸塊形成方法，係為藉由靜電塗布而在工件上形成凸塊之凸塊形成方法，其特徵為，具備有：對於噴嘴和前述工件之間施加脈衝電壓之步驟；和藉由與前述脈衝電壓相對應之靜電塗布來將成為前述凸塊之原料的液劑塗布於前述工件的既定之位置處，而在前述工件上形成具備有3~10μm之直徑的前述凸塊之步驟。
  18. 一種配線形成裝置，係為藉由靜電噴霧以及靜電塗布之至少其中一者而在工件上形成配線之配線形成裝置，其特徵為，具備有：藉由被施加第1電壓，而將成為前述配線之第1原料的第1液劑朝向前述工件進行噴霧之第1噴嘴；和以使用前述第1液劑來在前述工件上3維性地形成前述配線的方式而進行控制之控制手段。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之配線形成裝置，其中，係具備有：藉由被施加第2電壓，而將成為前述配線之第2原料的第2液劑朝向前述工件進行塗布之第2噴嘴，前述控制手段，係以在塗布前述第1液劑之前，使用前述第2液劑來在前述工件上形成前述配線的方式，而進行控制。
  20. 如申請專利範圍第19項所記載之配線形成裝 置，其中，前述第1液劑，係為形成構成前述配線之金屬配線的液劑，前述第2液劑，係為形成構成前述配線之絕緣膜的液劑。
  21. 如申請專利範圍第20項所記載之配線形成裝置，其中，前述絕緣膜，係為聚醯亞胺膜，前述金屬配線，係為Au配線。
  22. 一種配線形成方法，係為藉由靜電噴霧以及靜電塗布之至少其中一者而在工件上形成配線之配線形成方法，其特徵為，具備有：對於第1噴嘴和前述工件之間施加第1電壓之步驟；和因應於前述第1電壓而將成為前述配線之第1原料的第1液劑朝向前述工件噴霧，並使用該第1液劑而在前述工件上形成絕緣膜之步驟；和對於第2噴嘴和前述工件之間施加第2電壓之步驟；和因應於前述第2電壓而將成為前述配線之第2原料的第2液劑塗布在前述工件上，並使用該第2液劑而在前述工件上形成導電膜之步驟。
  23. 一種配線構造體，其特徵為：係藉由靜電噴霧以及靜電塗布之至少其中一者而形成凸塊以及配線之至少其中一者的配線構造。
TW102142089A 2012-11-30 2013-11-19 Photoresist film forming apparatus and method thereof, conductive film forming and circuit forming apparatus and method thereof, electromagnetic wave mask forming apparatus and method thereof, film forming apparatus and method for short wavelength high transmittance insulating film, film forming of phosphor Device and method thereof, micro-material synthesizing device and method thereof, resin mold sealing device, resin sealing method, film forming apparatus, organic EL element, bump forming apparatus and method thereof, wiring forming apparatus and method thereof, and wiring structure TWI570772B (zh)

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