CN1592528B - 导电膜图案的形成方法、电光学装置和电子仪器 - Google Patents

导电膜图案的形成方法、电光学装置和电子仪器 Download PDF

Info

Publication number
CN1592528B
CN1592528B CN2004100749384A CN200410074938A CN1592528B CN 1592528 B CN1592528 B CN 1592528B CN 2004100749384 A CN2004100749384 A CN 2004100749384A CN 200410074938 A CN200410074938 A CN 200410074938A CN 1592528 B CN1592528 B CN 1592528B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive
light
film pattern
base material
conductive film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2004100749384A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1592528A (zh
Inventor
丰田直之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhiji Shidun Technology Co ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1592528A publication Critical patent/CN1592528A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1592528B publication Critical patent/CN1592528B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/207Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a prefabricated paste pattern, ink pattern or powder pattern
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502Patterning and lithography
    • H05K2203/0514Photodevelopable thick film, e.g. conductive or insulating paste
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502Patterning and lithography
    • H05K2203/0528Patterning during transfer, i.e. without preformed pattern, e.g. by using a die, a programmed tool or a laser
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107Using laser light
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/165Thermal imaging composition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

提供一种不受基体材料的材质左右、能将基体材料上的导电性薄膜很好地改质,形成导电膜图案的形成方法。对具有含导电性材料的导电性层(3),和含有将光能变换成热能的光热转换材料的光热转换层(2)的基体材料(1)照射激光光线,用所述光热转换材料烧制至少一部分所述导电性层(3)。

Description

导电膜图案的形成方法、电光学装置和电子仪器 
技术领域
本发明涉及图案的形成方法、电光学装置和电子仪器。 
背景技术
过去例如在基体材料上形成导电性薄膜,并热处理该导电性薄膜进行改质。在下述专利文献1中公开了一种通过对基体材料上形成的金属薄膜照射激光光线将金属薄膜改质的激光退火处理技术。 
【专利文献1】特开平5-21387号公报。 
然而,在基体材料上涂布含有导电性材料的功能液后,为了使之出现导电性而采用激光光线照射进行热处理的情况下,为使烧制充分进行必需以大输出功率照射激光光线。此时,例如基体材料一旦是塑料等不具有耐热性的材料,就会产生热变性等不利情况。 
发明内容
本发明正是考虑到这种情况而提出的,目的在于提供一种不受基体材料材质的左右,能很好地将基体材料上的导电性薄膜改质而形成导电膜图案的方法。此外,本发明目的还在于提供一种具有采用该形成方法形成的导电膜图案的电光学装置和电子仪器。 
为解决上述课题,本发明的导电膜图案形成方法,具有:在含有将光能变换成热能的光热转换材料的基体材料上设置含导电性材料的导电性层的工序;对所述基体材料照射光,通过使用所述光热转换材料来烧制所述导电性层的至少一部分的工序,其中所述导电性层由将导电性微粒子分散到分散剂中的功能液构成。按照本发明通过使基体材料含有光热转换材料,为使照射光的光能高效地转换成热能,烧制导电性层而使之出现导电性,能够向该导电性层供给充分的热能。而且本发明中,由于具有对光热转换材料照射光使之瞬间产生高温的构成,所以能够在短时间内烧制导电 性层。此外,由于本发明具有对基体材料瞬间供给热能的构成,所以基体材料即使含有塑料等不具有耐热性的材料的情况下,也能抑制对该基体材料的影响。于是在对所述基体材料的所定区域照射光的情况下,通过将所述被烧制的烧制区域图案形成,能够在基体材料上形成与烧制区域对应的导电膜图案。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,其特征在于,其中具有在含有所述光热转换材料的基体材料上涂布含有所述导电性材料的功能液的配置工序,在所述的材料配置工序后,照射所述光以进行所述烧制。这样,借助于对采用任意涂布法或液滴喷出法在基体材料上涂布的功能液(涂液)仅仅照射光这一简易构成,就能形成导电膜图案。这种情况下,在所述的材料配置工序与照射所述光进行烧制工序之间,可以采用将在所述基体材料上涂布了的功能液进行干燥的中间干燥工序的构成。在材料配置工序中在基体材料上配置了功能液之后进行中间干燥处理的情况下,能够在除去被设置在基体材料上的功能液的一部分液体成分之后进行烧制处理,能使烧制处理顺利地进行。而且在多次反复进行材料配置工序和工件干燥工序的情况下,在先与基体材料上被配置的功能液的表面成膜之后,由于能使其后的功能液在其上很好地重叠,所以能够使形成的导电膜图案的膜厚加厚,能够形成具有所需导电性的导电膜图案。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,既可以采用在所述基体材料上与基体材料独立地设置含有所述光热转换材料材料的光热转换层,将其层叠在所述基体材料上,使所述光热转换层与所述导电性层邻接的构成,也可以采用使所述光热转换材料混合存在的构成。无论是哪种结构,都能向导电性层供给由光热转换材料产生的热能,都能将该导电性层烧制。特别是通过事先层叠得使光热转换层与导电性层邻接,能够高效地向导电性层供给由光热转换层产生的热能。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,其特征在于,具有对所述基体材料的所定区域照射所述光,将所述导电性层的一部分烧制后,除去所述导电性层中没有被烧制的未烧制部分的工序。这样可以从基体材料上除去没有导电性的非导电性部分。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,也可以采用从基体材料的导电性层的设置面一侧照射所述光的构成,或者采用从基体材料的导电性层 未设置面一侧照射所述光的构成。无论采用哪种结构,都能利用光热转换材料将热能转换成热能,并能够将该热能供给导电性层。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,可以采用使所述基体材料上的所述导电性层与所定基板相对向后,对所述基体材料的所定区域照射光的情况下,将与所述所定区域对应的所述导电性材料转印在所述基板上,在所述基板上形成导电膜图案这样一种构成。也就是说,除了在基体材料上形成导电膜图案的构成以外,通过照射光后转印在与基体材料不同的基板上,也能在该基板上形成导电膜图案。这种情况下,可以采用对被转印在所述基板上的导电膜图案进一步照射光的构成。也就是说,对被转印在基板上的导电膜图案进一步照射光,能够对基板上的导电膜图案进行确实烧制而使之出现导电性。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,其特征在于,所述光是激光光线,照射具有与所述光热转换材料相应波长的光。这样能够将照射在光热转换材料上的光能高效地变换成热能。 
本发明的导电膜图案的形成方法中,可以采用对具有所定图案的掩模照射光,使通过所述的掩模的光照射所述基体材料的构成。这样,能够形成照射光光束直径以下的微细的导电膜图案。另一方面,也可以采用一边使所述基体材料照射光相对于所述光相对移动,一边进行所述照射的构成。也就是说,也可以使照射光(激光光线)与所述基体材料作相对移动一边扫描导电膜图案,采用这种构成能够省略制造掩模的工序。 
本发明的电光学装置,其特征在于,其中具有上述记载的导电膜图案的形成方法形成的导电膜图案。而且本发明的电光学装置,其特征在于,具有上述记载的电光学装置。按照本发明,能够提供一种以良好的生产率生产、能够发挥所需功能的电光学装置以及具有该装置的电子仪器。另外,作为电光学装置可以举出液晶显示装置、有机EL(电致发光)显示装置和等离子显示装置。 
在基体材料上设置导电性层或光热转换层的情况下,能够采用以在基体材料上喷出的方式配置功能液的液滴的液滴喷出法。液滴喷出法可以使用具备喷头的液滴喷出装置来实施,液滴喷出装置包括具备喷墨头的喷墨装置。喷墨装置的喷墨头,能够用喷墨法定量喷出含有功能液的 液体状材料的液滴,是一种能够断续定量滴下例如每滴相当1~300纳克液体状材料的滴下装置。而且,作为液滴喷出装置也可以是分配器。 
所述的液体状材料是指具备能从液滴喷出装置的喷头的喷嘴喷出(滴下)粘度的介质。无论水性或油性的均可。若所具备的能从喷嘴等喷出的流动性足够,则即使混入固体物质也可以在总体上是流动性的。而且被液体状材料所含的材料既可以是加热至熔点以上熔化的,也可以是在溶剂之中以微粒形式被搅拌的,还可以是除溶剂之外添加了染料和颜料等其他功能性材料的。 
而且所述的功能液是指含有功能性材料的液体状材料,这里虽然是指含有形成电流流通的导电膜图案(配线图案)用金属等导电性材料的导电膜图案形成用材料(配线图案形成用材料),但是也可以含有含彩色滤光片的液晶显示装置形成用液晶显示装置形成用材料、有机EL(电致发光)显示装置形成用的有机EL显示装置形成用材料、及等离子显示装置形成用等离子显示装置形成用材料等,通过在基板上配置这些材料将发挥所定功能的材料。 
附图说明
图1是表示本发明的导电膜图案形成方法的一种实施方式的流程图。 
图2是表示配置功能液时使用喷头的构成示意图。 
图3是表示本发明的导电膜图案形成方法的一种实施方式的模式图。 
图4是表示本发明涉及的烧制处理用烧制装置的一种实施方式的构成示意图。 
图5是表示本发明涉及的烧制处理用烧制装置的另外一种实施方式的构成示意图。 
图6是表示本发明导电膜图案形成方法的另外一种实施方式的模式图。 
图7是表示具有用本发明的导电膜图案形成方法形成的配线图案的一种电光学装置实例中等离子体显示器的分解立体图。 
图8是表示具有本发明电光学装置的电子仪器实例的图。 
其中, 
1…基体材料;2…光热转换层;3…导电性层;4…导电膜图案:5…未烧制部分;6…基板;15…掩模 
具体实施方式
<导电膜图案的形成方法> 
以下参照附图说明本发明的导电膜图案的形成方法。图1是表示本发明的导电膜形成方法中一种实施方式的流程图。图1中,本实施方式涉及的导电膜图案形成方法,具有:在基体材料上涂布含有光热转换材料的功能液的第一材料配置工序(步骤S1);将在基体材料上涂布的含有光热转换材料的功能液进行干燥而形成光热转换层的第一中间干燥工序(步骤S2);在该光热转换层上涂布含有导电性材料的功能液的第二材料配置工序(步骤S3);将在基体材料上涂布的含有导电性材料的功能液进行干燥后形成导电性层的第二中间干燥工序(步骤S4),和对该基体材料照射光,并使用光热转换材料将至少一部分导电性层进行烧制的烧制工序(步骤S5)。 
以下说明各工序。 
(第一材料配置工序) 
首先用所定溶剂等将基体材料洗净。这样能够除去基体材料上的有机物残渣等。另外,对基体材料照射紫外线也能除去有机物残渣等。照射紫外线(UV)的情况下,还能赋予基体材料表面以亲液性。而且采用含氧(O2)气体作为处理气体的O2等离子体处理,既能将基体材料洗净,并且赋予亲液性。而且可以采用所定方法在基体材料上涂布含有光热转换材料的功能液。 
作为基体材料,可以使用能够透过激光光束的,例如玻璃基板或透明性高分子等。作为透明性高分子,可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯之类聚酯、聚丙烯酸、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚砜、 聚酰亚胺等。用透明性高分子形成基体材料的情况下,其厚度优选为10~500微米。这样,既能将基体材料例如形成带状或者卷成辊状,也能一边被保持在旋转滚筒上一边输送(移动)。 
光热转换材料是能将光能转换成热能的一种材料。作为光热转换材料可以使用公知的,只要是能以高效地将光转换成热的就无特别限制,例如可以举出由铝、其氧化物和/或硫化物组成的金属,以及添加了炭黑、石墨或红外线吸收颜料等由高分子组成的有机物等。作为红外线吸收颜料,可以举出蒽醌系、二硫醇镍络合物系、菁系、偶氮钴络合物系、二亚胺鎓盐(diimminium)系、方鎓(squarylium)系、酞菁系、萘菁系等。而且也可以以环氧树脂等合成树脂作粘结剂,将所述光热转换材料溶解或分散在该粘结剂树脂中后设置在基体材料上。这种情况下,环氧树脂具有作固化剂的功能,通过使之固化能够将光热转换材料固定在基体材料上。而且当然也可以不在粘结剂中溶解或分散的情况下,将所述光热转换材料设置在基体材料上。 
本实施方式中,将所述光热转换材料溶解(分散)在溶剂(分散剂)中形成功能液后,采用一般的膜涂布法,例如挤压涂布法、旋转涂布法、照相凹版涂布法、反向辊涂布法、棒涂法、微照相凹版(micro gravure)涂布法和刀涂法将该功能液涂布在基体材料上。在光热转换材料的涂布方法中,优选消除基体材料表面上所带静电之后,在基体材料上均匀形成光热转换层形成用功能液,因此优选在各种方法所用的装置上附加有静电消除装置的。这种涂布方法在使用上述有机物作为光热转换材料时特别优选。 
另外使用上述金属作为光热转换材料的情况下,可以利用真空蒸镀法、电子束蒸镀法、或溅射法在基体材料上设置。而且也可以利用液滴喷出法(喷墨法)在基体材料上配置含有光热转换材料的功能液。 
液滴喷出法中,在使喷头与基体材料相对的情况下,用喷头喷出功能液的液滴。作为液滴喷出法的喷出技术,可以举出带电控制方式、加压振动方式、电热转换方式、静电吸引方式和电机转换方式等。带电控制方式是指用带电电极将电荷赋予材料,用偏转电极控制材料的飞翔方 向使之从喷嘴中喷出的方式。加压振动方式是指对材料施加30千克/平方厘米左右的超高压,使材料向喷嘴尖端侧喷出的方式,在不加控制电压的情况下,材料可以直接进入喷嘴喷出,一旦施加控制电压就会在材料之间就会产生静电排斥作用,使材料飞散而不能从喷嘴喷出。而且电热方式是指通过在储存了材料的空间内设置的加热器,使材料急剧气化产生气泡,借助于气泡压力使空间内材料喷出的方式。静电吸引方式是指对储存材料的空间内施加微小压力,在喷嘴中形成材料弯月面,在这种状态下施加静电引力后将材料吸引出来。此外,电机转换方式是指利用压电元件(压电元件)接受脉冲电信号后变形的性质,压电元件变形借助于柔性物质向储存材料的空间内施压,挤压材料使之从这种空间中喷嘴喷出的方式。此外还可以采用因电场使流体粘性变化的方式,以及利用放电火花飞翔的方式等技术。液滴喷出法具有材料使用上浪费少,而且能在所需位置准确配置所需量材料的优点。其中利用液滴喷出法喷出的一滴液体状材料(流体)量,例如为1~300纳克。本实施方式中采用电机转换方式(压电方式)。 
图2是以压电方式喷出功能液(液体状材料)的原理的说明图。图2中,喷头20具有容纳功能液的液体室21、与该液体室21相邻设置的压电元件22。通过包括容纳液体状材料的材料罐的供给系统23向液体室21供给功能液。压电元件22与驱动电路24连接,利用此驱动电路24向压电元件22施加电压,液体室21通过使压电元件22的变形而变形,可以从喷嘴25喷出功能液。这种情况下通过使施加的电压值发生变化来控制压电元件22的变形量。而且通过使施加电压的频率发生变化可以控制压电元件22的变形速度。用压电方式喷出液滴由于对材料不加热,所以具有对材料的组成很难产生影响的优点。 
(第一中间干燥工序) 
在基体材料上涂布含有光热转换材料的功能液之后,为了除去溶剂(分散剂)和确保膜厚,必要时进行干燥处理。干燥处理例如用通常的电热板、电炉等加热基体材料之外,也可以利用灯退火的方式进行。通 过第一中间干燥工序可以除去被涂布的功能液中液体成分的至少一部分,如图3(a)所示,可以在基体材料1上形成含有光热转换材料的光热转换层2。其中当第一材料配置工序和第一中间干燥工序反复进行多次的情况下,能够使形成的光热转换层2的膜厚达到所需的厚度。 
另外,也可以省略此第一中间干燥工序。 
(第二材料配置工序) 
然后在基体材料1的光热转换层2上涂布含有导电性材料的功能液。本实施方式中,作为形成导电膜图案用的功能液,使用以二乙二醇二乙基醚作为溶剂(分散剂)的有机银化合物。而且,作为含有导电膜图案形成用材料的功能液,也可以使用将导电性微粒分散在分散剂中的分散液。作为导电性微粒,例如除了含有金、银、铜、铝、钯和镍中至少一种任何金属微粒以外,还可以使用其氧化物,以及导电性聚合物和超导体微粒等。作为分散剂只要是能够将上述导电性微粒分散而不产生凝聚的就无特别限制。除水以外,例如还可以举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类,正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、对异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物,或者乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、1,2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物,以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。这些当中从微粒的分散性和分散液稳定性以及从采用液滴喷出法的容易性观点来看,优选水、醇类、烃化合物类和醚类化合物,更优选的分散剂可以举出水和烃类化合物。 
于是形成含有导电性材料的功能液之后,与上述第一材料配置工序同样,采用一般的膜涂布方法,例如挤压涂布法、旋涂法、照相凹版涂布法、反向辊涂布法、棒涂法、微照相凹版涂布法和刀涂法等,将该功能液涂布在光热转换层2(基体材料1)上。这种情况下,也与第一材料配置工序同样,优选消除基体材料表面带电的静电之后,均匀形成导电 层形成用功能液,形成光热转换层2(基体材料1),各种方法所用的装置上优选附加有静电消除装置。而且采用上述液滴喷出法(喷墨法),当然能够在光热转换层2(基体材料1)上配置含有导电性材料的功能液。 
(第二中间干燥工序) 
涂布了含有导电性材料的功能液之后,为了除去溶剂(分散剂)和确保膜厚,必要时可以进行干燥处理。第二中间干燥处理,与第一中间干燥处理同样,例如用加热基体材料的通常的电热板、电炉等处理之外,也可以利用灯退火的方式进行。利用第二中间干燥工序可以除去被涂布在光热转换层2(基体材料1)上的功能液中液体成分的至少一部分,如图3(b)所示,可以在光热转换层2上形成含有导电性材料的导电性层3。其中当第二材料配置工序和第二中间干燥工序反复进行多次的情况下,将在先配置在光热转换层2(基体材料1)上的功能液的表面膜化之后,由于能使下一功能液在其上很好地重叠,所以能使形成的导电性层3的膜厚达到所需的厚度,并能得到所需的导电性。而且,也可以省略此第二中间干燥工序。 
本实施方式中,如图3(b)所示,光热转换层2在基体材料1上设置得与此基体材料1独立,可以在该基体材料1上邻接地层叠光热转换层2和导电性层3。 
(烧制工序) 
为了微粒之间实现充分电接触,对于使基体材料1上的导电性层3必需完全除去溶剂(分散剂)。而且为了提高导电性微粒表面的分散性而涂布了有机物等涂料的情况下,还必需除去这种涂料。进而像本实施方式那样,功能液含有有机银化合物的情况下,为了获得导电性还必需进行热处理,以便除去有机银化合物的有机成分使银粒子残留。为此可以对设置了导电性层3的基体材料1实施热本发明涉及的烧制处理。 
图4是表示本发明涉及的烧制处理采用的烧制装置一种实施方式的构成示意图。图4中,烧制装置10具备射出具有所定波长激光光束的激 光光线源11、和支持具有光热转换层2和导电性层3的基体材料1的台架12。本实施方式中,将基体材料1在台架12上支持得使导电性层3与台架12相对向。激光光线源11和台架12被配置在腔室14内。腔室14与能够抽吸腔室14内气体的抽吸装置13相连。本实施方式中,可以使用近红外半导体激光器(波长830nm)作为激光光线源11。 
其中在以下的说明中,将水平面内的所定方向定为X轴方向,将水平面内与X轴方向正交的方向定为Y轴方向。将与X轴和Y轴方向正交的方向(垂直方向)定为Z轴方向。 
台架12设置得能够在支持基体材料1的状态下沿着X轴方向和Y轴方向移动,借助于台架12的移动能使基体材料1相对于从光源11射出的光束相对移动。而且台架12也能沿着Z轴方向移动。其中光源11与被支持在台架12上的基体材料1之间配置有图中未示出的光学系统。支持基体材料1的台架12通过沿着Z轴方向移动,能够调整基体材料1相对于上述光学系统焦点的位置。于是从光源11发出的光束就可以对被支持在台架12上的基体材料1进行照射。 
另外,这里虽然将基体材料1支持在将同时沿着XY方向移动的台架12上,但是将基体材料1保持在转鼓上的情况下,转鼓能够同时沿着水平方向(扫描线方向、X轴方向)、旋转方向(Y方向)和垂直方向(Z)方向移动。 
进行烧制处理时,如图3(c)所示的示意图所示,从基体材料1的未设导电性层3的面侧照射由光源11发出的具有所定光束直径的激光光线。通过照射激光光束,与该照射区域对应的基体材料1和光热转换层2被加热。光热转换层2将被照射的激光光束的光能转换成热能,将该热能供给导电性层3。这样一来,就能对导电性层3中与光照射区域对应的一部分区域供给热能。于是利用光热转换层2将被供给热能的导电性层3的一部分区域充分加热烧制,可以确保该一部分区域内的导电性材料(有机银化合物)中微粒之间的电接触,如图3(d)所示,可以转换成具有导电性的导电膜图案4。 
此时通过使台架12沿着XY平面作相对于注射激光光束的移动,能 够对与该台架12的移动轨迹对应的区域进行烧制,因而能够将烧制区域图案形成。这里由于被烧制的烧制区域形成导电膜图案,所以以所定的移动轨迹使台架12移动的情况下,能够在基体材料1上形成任意导电膜图案4。而且,也可以使台架12不移动,而使激光光束相对于基体材料1移动,或者使激光光束和台架12二者都移动。 
对导电性层3的一部分区域烧制形成导电膜图案4之后,可以将导电性层3中未被烧制的未烧制部分5除去(灰化)。作为灰化(ashing)处理,例如可以采用用所定溶剂除去的方法、和对未烧制部分5照射激光光线将其除去的方法等公知方法。这样能够从基体材料1上除去不起导电膜图案(配线图案)作用的部分(非导电性部分)。而且,也可以使未烧制部分(非导电性部分)在基体材料1上事先残留。 
如上所述,通过在基体材料1上设置光热转换层2,能够将照射激光光线的光能高效转变成热能,为烧制导电性层3而向该导电性层3供给充分的热能。于是在本实施方式中,由于采用了借助于基体材料1对光热转换层2照射光使之瞬间产生高温的构成,所以能够在短时间内烧制导电性层3。而且能够使烧制与导电膜图案形成(描绘)同时进行,因而能以高生产率形成导电膜图案(配线图案)。此外,本实施方式中,由于采用了能对导电性层3(基体材料1)瞬间供给热能的构成,所以即使在含有例如塑料等不具有耐热性材料的情况下,也能够抑制对该基体材料1产生的影响。而且即使不用电子束和紫外线而用近红外激光光线等,通过设置光热转换层2也能对该导电性层3供给烧制导电性层3所需的充分热能。因此,使用光照射装置的选择范围宽,即使不采用昂贵大型的光照射装置,而使用光热转换层2,也能用足够的热量烧制导电性层3。 
另外,对导电性层3的所定区域进行烧制的情况下,如图5所示,也能采用对具有所定图案的掩模15照射光,借助于掩模15对基体材料1照射光的构成。图5中,掩模15被支持在具有通过透过掩模15的光用的开口部分16A的掩模支持部分16上。从光源11射出的光束,被光学系统17转换成具有均匀照度分布的照明光后,对掩模15照明。透过掩模15的光,照射到被台架12支持的基体材料1上。这样能够形成照射 激光光束直径以下的微细的导电膜图案。另一方面,正如参照图4说明过的实施方式那样,通过使基体材料1相对于激光光束一边移动一边照射激光光束,以此扫描导电膜图案,能够省略制造掩模所需的操作。 
另外,在本实施方式中,虽然是将光热转换层2与导电性层3层叠得相邻接,但是例如也可以在基体材料1的一个侧面上设置光热转换层2,在另一侧面上设置导电性层3等,在光热转换层2与导电性层3之间设置另外的层。即使采用这种结构,也可以将光热转换层2产生的热能通过基体材料1(其他层)供给导电性层3,利用该热能将导电性层3烧制。另一方面,通过将光热转换层2与导电性层3层叠得相邻接,可以以高效率地将光热转换层2产生的热能供给导电性层3。 
上述实施方式中,也可以在光热转换层2与导电性层3之间设置例如使光热转换层2的光热转换作用均匀化用的中间层。作为形成上述中间层的中间层形成用材料,可以举出能够满足上述要件的树脂材料。 
这样的中间层,在基体材料1上形成光热转换层2后(即第一中间干燥工序S2后),利用旋涂法、照相凹版涂布法、金属模涂布法等公知方法在光热转换层2上涂布具有所定组成的树脂组合物,将其干燥后可以形成。一旦照射激光光束,在光热转换层2的作用下,光能就可以被转变成热能,这种热能在中间层的作用下被进一步均匀化。因此,能够向与该光照射区域相当部分的导电性层3均匀供给热能。 
上述实施方式中,虽然从基体材料1未设置导电性层3的一面侧照射激光光线,但是也可以在基体材料1设置导电性层3的一面侧照射激光光线。所照射的激光光线通过导电性层3被照射到光热转换层2上,被激光光线照射的光热转换层2,可以将该光的光能转换成热能之后供给导电性层3。另一方面,正如上述实施方式那样,通过从基体材料1未设置导电性层3的一面侧照射激光光线,由于激光光线能够透过透明的基体材料1直接照射到光热转换层2上,所以利用该光热转换层2能够将激光光线的光能高效地转换成热能。 
另外,在上述实施方式中,光热转换材料虽然是被设置成与基体材料1独立的层(光热转换层2),但是也可以采用使光热转换层材料在基 体材料1中混合存在的构成。即使是这样的结构,也能将照射激光光线的光能转换成热能,并将该热能供给导电性层3。而且,还可以在光热转换材料混合存在的基体材料1上,设置与其不同的光热转换层2。 
设置光热转换层2的情况下,优选照射具有与光热转换材料相应波长的光。也就是说,具有良好地吸收的光的波长区域因所使用的光热转换材料而异,所以通过照射具有与光热转换材料相应波长的光,能以高效地将光能转换成热能。换句话说,应当根据照射光的波长选择使用的光热转换材料。本实施方式中,由于使用了近红外半导体激光器(波长830nm)作为激光光线源,所以优选使用具有吸收红外~可见光区域内光性质的材料作为光热转换材料。 
此外,上述实施方式中的光源11虽然是近红外半导体激光器,但是并不限于这种激光器,也可以使用汞灯、卤素灯、氙灯、闪光灯等。而且还可以使用紫外线激光器等、近红外激光器以外的全部泛用的激光器。 
上述实施方式中,虽然采用在基体材料1上形成导电膜图案4的结构,但是也可以像图6(a)所示,使基体材料1上的导电性层3与所定基板6相对向后,如图6(b)所示,对基体材料1的所定区域照射激光光线,如图6(c)所示,将与该光照射区域对应的导电性层3的一部分转印在基板6上,在该基板6上形成导电膜图案4。而且在其后,如图6(d)所示,对被转印在基板6上的导电膜图案4进一步照射激光光线,在基板6上利用光照射进行烧制处理。其中基板6可以用玻璃板和合成树脂膜或者半导体晶片制成。 
这种情况下,在使导电性层3与基板6密接的状态下通过对基体材料1照射激光光线,能够将导电性层3顺利地转印在基板6上。在使导电性层3与基板6密接的情况下,以基板6与基体材料1的导电性层3相对向的状态下将其载于图4所示的烧制装置10的台架12上,驱动抽吸装置13,使腔室14内形成负压,这样能够使导电性层3与基板6密接。而且照射激光光线后,在使基体材料1的导电性层3与基板6分离之际,停止抽吸装置13的驱动可以接触所述的负压。 
另外,将导电性层3的一部分在基板6上转印的情况下,也可以在 基体材料1(光热转换层2)与导电性层3之间设置含有因光照射而产生气体的气体发生材料的气体发生层。作为气体发生材料,是一种一旦吸收光或吸收从光能转换成的热能,就会产生分解反应放出氮气或氢气等的物质,它具有因发生的气体向导电性层3提供与基体材料1分离能量的作用。作为这种气体发生材料,可以举出从四硝酸季戊四醇酯(pentaerythritol tetranitrate:PETN)和三硝基甲苯(trinitrotoluene:TNT)中选出的至少一种物质等。 
实施例 
使用厚度0.2毫米左右的聚碳酸酯片材作为基体材料1,在该片材上涂布厚度2微米左右的混合了炭黑的热固性环氧树脂并使其固化的作为光热转换层。进而在该光热转换层2上涂布含有银微粒的功能液(银油墨)形成了导电性层3。然后将该片材保持在转鼓上使导电性层(银油墨层)处于内侧,一边使该转鼓以50rpm旋转,一边用输出为14W的近红外半导体激光装置,对片材照射波长830nm的激光光线两次。其中,将此时照射的激光光束设定得使形成的配线图案(导电膜图案)的线宽达到1毫米。于是银油墨呈银色,电阻值为30Ω/cm。而且未照射光区域(未烧制部分)的电阻值为8Ω/cm,因而能够确认在光照射区域内出现了导电性。 
<等离子体显示装置> 
以下参照图7以具有采用本发明的导电膜图案形成方法形成的导电膜图案(配线图案)的一个电光学装置实例的方式,说明等离子体显示器(等离子体显示装置)。图7是表示制造了地址电极511和总线电极512a的等离子体显示器500的分解立体图。这种等离子体显示器500大体上由互相相对向配置的玻璃基板501和玻璃基板502,以及在其间形成的放电显示部510构成。 
放电显示部510由多个放电室516集合而成,在多个放电室516中将红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)和蓝色放电室516(B)等 三个放电室配置成对构成一个像素。在上述(玻璃)基板510的上面使地址电极511以所定间隙形成条状,并形成电介质层519将这些地址电极511和基板501的上面覆盖,进而在电介质层519上位于地址电极511与511之间沿着各地址电极511形成有隔壁515。另外,在隔壁515中沿着其纵向所定位置在与地址电极511正交的方向上也以所定间隔隔开(图示略),形成基本上由地址电极511的宽度方向左右两侧相邻的隔壁,和与地址电极511正交方向上延伸的隔壁隔成的长方形区域,与这些长方形区域对应地形成放电室516,这些长方形区域以三对构成一个像素。而且在由隔壁515所区分的长方形区域的内侧配置荧光体517。荧光体517由于能发出红、绿、蓝中颜色的荧光,所以分别将红色荧光体517(R)配置在红色放电室516(R)的底部、绿色荧光体517(G)配置绿色放电室516(G)的底部、蓝色荧光体517(B)配置在蓝色放电室516(B)的底部。 
接着在上述玻璃基板502侧,以所定间隔处于使与前面的地址电极511正交方向上的多个由ITO组成透明电极512形成得呈条纹状,同时形成有弥补高电阻ITO用的由金属制成的总线电极512a。形成电介质层513将这些电极覆盖,进而形成由MgO等组成的保护膜514。而且将上述基板510与玻璃基板502互相相对向粘合得使上述地址电极511…与显示电极512…互相正交,将被在基板501、隔壁515和玻璃基板502侧形成的保护膜514包围的空间部分排气,封入稀有气体之后形成着放电室516。而且,在玻璃基板502侧形成的显示电极512,可以形成得对于每个放电室516各配置两个。将上述地址电极511和显示电极512与电源连接(图示略),接通各电极的情况下就会在处于必要位置的放电显示部510中使荧光体517激发发光,因而能够进行彩色显示。 
本例中,上述地址电极511和总线电极512a特别是用本发明涉及的导电膜图案形成方法形成的。也就是说,关于这些地址电极511和总线电极512a,特别从有利于其图案形成的角度来看,可以采用喷出由金属胶体材料(例如金胶体或银胶体)和导电性微粒(例如金属微粒)分散而成的功能液,然后干燥和烧制的方式形成。而且关于荧光体517也能 采用从喷头20喷出将荧光材料溶解在溶剂中或分散在分散剂中的功能液,然后干燥烧制的方法形成。 
另外,这里虽然是以等离子体显示装置作为电光学装置的实例说明的,但是在形成有机EL显示装置和液晶显示装置时,也可以适用本发明的导电膜图案形成方法。 
<电子仪器> 
以下说明具备上述电光学装置(有机EL显示装置、等离子体显示装置、液晶显示装置等)的电子仪器的具体实例。图8(a)是表示一种移动电话机实例的立体图。图8(a)中,符号1000表示移动电话机主体,符号1001表示采用上述电光学装置的液晶显示部。图8(b)是表示一种手表型电子仪器实例的立体图。图8(b)中,符号1100表示仪器主体,符号1101表示采用上述电光学装置的液晶显示部。图8(c)是表示一种文字处理机和个人计算机等便携式信息处理装置实例的立体图。图8(c)中,符号1200表示信息处理装置,符号1202表示键盘等输入部件,符号1204表示信息处理装置的主体,符号1206表示采用上述电光学装置的液晶显示部。图8(a)~图8(c)所示的电子仪器,由于具备上述实施方式的电光学装置,所以能够实现显示品味优良、具有明亮画面显示部的电子仪器。 
另外,本实施方式的电子仪器虽然是具备液晶装置的,但是也可以制成具备有机电致发光显示装置、等离子体显示装置等其他电光学装置的电子仪器。 
其中除上述实例以外,作为其他实例还可以举出液晶电视、取景框式和监控直观式磁带录像机、汽车驾驶导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理机、可视电话机、POS终端、电子纸、和具备触摸屏的仪器等。本发明的电光学装置也能够作为这些电子仪器的显示部而适用。 

Claims (15)

1.一种导电膜图案的形成方法,其特征在于,具有:
在含有将光能变换成热能的光热转换材料的基体材料上设置含导电性材料的导电性层的工序;
对所述基体材料照射光,通过使用所述光热转换材料来烧制所述导电性层的至少一部分的工序,
其中所述导电性层由将导电性微粒子分散到分散剂中的功能液构成。
2.根据权利要求1所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,通过对所述基体材料的所定区域照射光,使被烧制的烧制区域进行图案形成。
3.根据权利要求1或2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,在上述设置含导电性材料的导电性层的工序中,还具有在含有所述光热转换材料的基体材料上涂布含有所述导电性材料的功能液的材料配置工序,在所述材料配置工序后,照射所述光进行所述烧制。
4.根据权利要求3所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,在所述材料配置工序和照射所述光进行所述烧制的工序之间,具有将在所述基体材料上涂布的功能液进行干燥的中间干燥工序。
5.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,所述含有将光能变换成热能的光热转换材料的基体材料还被构成为:在基体材料上与该基体材料独立设置含有所述光热转换材料的光热转换层,将其层叠在所述基体材料上,使所述光热转换层与所述导电性层邻接。
6.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,具有对所述基体材料的所定区域照射所述光将所述导电性层一部分烧制后,除去所述导电性层中没有被烧制的未烧制部分的工序。
7.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,在所述基体材料中混合存在所述光热转换材料。
8.根据权利要求1或者2所述导电膜图案形成方法,其特征在于,从所述基体材料的所述导电性层设置面一侧照射所述光。
9.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,从所述基体材料的所述导电性层未设置面一侧照射所述光。
10.一种导电膜图案的形成方法,其特征在于,具有:
在含有将光能变换成热能的光热转换材料的基体材料上设置含导电性材料的导电性层的工序;和
在使所述基体材料上的所述导电性层与所定基板相对向后,通过对所述基体材料的所定区域照射所述光,将与所述所定区域对应的所述导电性材料转印在所述基板上,在所述基板上形成导电膜图案的工序,
其中所述导电性层由将导电性微粒子分散到分散剂中的功能液构成。
11.根据权利要求10所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,在所述基体材料与所述导电性层之间设置有通过照射光而产生气体的气体产生材料。
12.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,所述光是激光。
13.根据权利要求1或者2所述的导电膜图案的形成方法,其特征在于,照射具有与所述光热转换材料相应波长的光。
14.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,对具有所定图案的掩模照射所述光,使通过所述掩模的光照射所述基体材料。
15.根据权利要求1或者2所述导电膜图案的形成方法,其特征在于,一边使所述基体材料对所述光作相对移动,一边进行所述照射。
CN2004100749384A 2003-09-02 2004-09-01 导电膜图案的形成方法、电光学装置和电子仪器 Expired - Lifetime CN1592528B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP310071/2003 2003-09-02
JP2003310071A JP2005079010A (ja) 2003-09-02 2003-09-02 導電膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
JP2003-310071 2003-09-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1592528A CN1592528A (zh) 2005-03-09
CN1592528B true CN1592528B (zh) 2011-03-16

Family

ID=34412045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100749384A Expired - Lifetime CN1592528B (zh) 2003-09-02 2004-09-01 导电膜图案的形成方法、电光学装置和电子仪器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7105264B2 (zh)
JP (1) JP2005079010A (zh)
KR (1) KR100676155B1 (zh)
CN (1) CN1592528B (zh)
TW (1) TWI262035B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062356A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Seiko Epson Corp パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
JP4273871B2 (ja) * 2003-08-12 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2006302679A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Seiko Epson Corp 導電膜の形成方法、及び電子機器の製造方法
US8945686B2 (en) * 2007-05-24 2015-02-03 Ncc Method for reducing thin films on low temperature substrates
JP2008240092A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Brother Ind Ltd 成膜装置及び成膜方法
US20090011143A1 (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming apparatus and pattern forming method
KR100951320B1 (ko) * 2007-07-26 2010-04-05 주식회사 엘지화학 레이저 조사에 의한 전기전도성 구리 패턴층의 형성방법
JP5310559B2 (ja) * 2007-10-03 2013-10-09 コニカミノルタ株式会社 電極の製造方法、電子回路パターン、薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101770524B (zh) * 2008-12-31 2012-04-18 英业达股份有限公司 线路图的线段换层方法
TWI524244B (zh) 2010-05-04 2016-03-01 Winsky Technology Ltd Touch panel and manufacturing method thereof
ITRM20110184A1 (it) * 2011-04-12 2012-10-13 Dyepower Procedimento di sinterizzazione di formulazioni a base di ossidi metallici.
KR101259352B1 (ko) * 2011-06-24 2013-04-30 한국과학기술원 레이저를 이용한 선택적 금속패턴 형성방법
US20130100390A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Yewen Wang Liquid Crystal Substrate and Manufacturing Method thereof, and Liquid Crystal Display Device
JP6032271B2 (ja) * 2012-02-15 2016-11-24 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法および有機電子素子の製造方法
CN104144873B (zh) * 2012-03-05 2017-12-05 英派尔科技开发有限公司 柔性电路
US10358723B2 (en) * 2012-08-16 2019-07-23 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. System and method for surface modification by laser diffusion
KR102138625B1 (ko) * 2013-12-23 2020-07-29 엘지디스플레이 주식회사 박막 형성 장치
JP6241999B2 (ja) * 2014-02-21 2017-12-06 国立大学法人金沢大学 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及び走査型プローブ顕微鏡
KR102181239B1 (ko) 2014-09-03 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 장치 및 그를 이용한 박막 형성 방법
TWI748872B (zh) 2021-02-19 2021-12-01 歆熾電氣技術股份有限公司 薄膜圖案及其形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931323A (en) * 1987-12-10 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Thick film copper conductor patterning by laser
EP0415336A2 (en) * 1989-08-31 1991-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing thick film circuit substrate

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4942110A (en) * 1988-08-29 1990-07-17 Xerox Corporation High resolution conductor patterning
JPH03262187A (ja) * 1990-03-13 1991-11-21 Fujitsu Ltd パターン形成方法
JPH0521387A (ja) 1991-07-14 1993-01-29 Sony Corp 金属薄膜の低抵抗化方法
US5685939A (en) * 1995-03-10 1997-11-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for making a Z-axis adhesive and establishing electrical interconnection therewith
US6348295B1 (en) * 1999-03-26 2002-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging
JP2001168061A (ja) 1999-09-27 2001-06-22 Toshiba Corp レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するためのターゲット及びその製造方法
TW476108B (en) 1999-09-27 2002-02-11 Toshiba Corp Target for providing film on semiconductor substrate using laser emission and method of making the same
US20030146019A1 (en) * 2001-11-22 2003-08-07 Hiroyuki Hirai Board and ink used for forming conductive pattern, and method using thereof
JP2004143571A (ja) * 2001-11-22 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd 導電パターン描画用基板およびインク、ならびに導電パターンの形成方法
JP2003215816A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性パターン材料及び導電性パターン形成方法
JP4487471B2 (ja) * 2002-07-03 2010-06-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 導電路又は電極の形成方法
US20060003262A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Eastman Kodak Company Forming electrical conductors on a substrate

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931323A (en) * 1987-12-10 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Thick film copper conductor patterning by laser
EP0415336A2 (en) * 1989-08-31 1991-03-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing thick film circuit substrate

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2001-64765A 2001.03.13
JP特开2002-365806A 2002.12.18

Also Published As

Publication number Publication date
KR100676155B1 (ko) 2007-01-31
KR20050024224A (ko) 2005-03-10
CN1592528A (zh) 2005-03-09
TWI262035B (en) 2006-09-11
JP2005079010A (ja) 2005-03-24
TW200511887A (en) 2005-03-16
US20050095866A1 (en) 2005-05-05
US7105264B2 (en) 2006-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1592528B (zh) 导电膜图案的形成方法、电光学装置和电子仪器
KR100613160B1 (ko) 성막 방법, 배선 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4400138B2 (ja) 配線パターンの形成方法
TWI244363B (en) Pattern forming method, pattern forming apparatus and manufacturing method thereof, conductive film wiring, opto-electronic device, and electronic machine
KR100690547B1 (ko) 박막 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기광학 장치 및 전자 기기
KR100707265B1 (ko) 패턴의 형성 방법
KR100608122B1 (ko) 패턴의 형성 방법 및 배선 패턴의 형성 방법
TWI285800B (en) Method for forming photoresist pattern, method for forming wiring pattern, method for making semiconductor devices, electro-optical device and electronic apparatus
KR100679963B1 (ko) 열처리 방법, 배선 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치의제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기
JP2004349640A (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器
KR100597348B1 (ko) 배선 패턴의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 전기광학 장치 및 전자 기기
JP2005081299A (ja) 成膜方法、配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ZHIJI SHIDUN TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SEIKO EPSON CORP.

Effective date: 20130812

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130812

Address after: Delaware, Newcastle, USA

Patentee after: Zhiji Shidun Technology Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20110316