KR100676155B1 - 도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR100676155B1
KR100676155B1 KR1020040069505A KR20040069505A KR100676155B1 KR 100676155 B1 KR100676155 B1 KR 100676155B1 KR 1020040069505 A KR1020040069505 A KR 1020040069505A KR 20040069505 A KR20040069505 A KR 20040069505A KR 100676155 B1 KR100676155 B1 KR 100676155B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
substrate
conductive film
film pattern
photothermal conversion
Prior art date
Application number
KR1020040069505A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050024224A (ko
Inventor
도요다나오유키
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20050024224A publication Critical patent/KR20050024224A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100676155B1 publication Critical patent/KR100676155B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/14—Decomposition by irradiation, e.g. photolysis, particle radiation or by mixed irradiation sources
    • C23C18/143—Radiation by light, e.g. photolysis or pyrolysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
    • H05K3/207—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern using a prefabricated paste pattern, ink pattern or powder pattern
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0514—Photodevelopable thick film, e.g. conductive or insulating paste
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0528—Patterning during transfer, i.e. without preformed pattern, e.g. by using a die, a programmed tool or a laser
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/165—Thermal imaging composition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 기재의 재질에 좌우되지 않아 기재 위의 도전성 박막을 양호하게 개질하여 도전막 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
도전성 재료를 함유하는 도전성층(3)과, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층(2)을 갖는 기재(1)에 대하여 레이저광을 조사하고, 광열 변환 재료를 사용하여 도전성층(3)의 적어도 일부를 소성한다.
광열 변환층, 도전성층, 유기 EL

Description

도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기{METHOD FOR FORMING PATTERNED CONDUCTIVE FILM, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE}
도 1은 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법의 일 실시예를 나타내는 플로차트.
도 2는 기능액을 배치할 때에 사용하는 토출 헤드를 나타내는 개략 구성도.
도 3은 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법의 일 실시예를 나타내는 모식도.
도 4는 본 발명에 따른 소성(燒成) 처리에 사용하는 소성 장치의 일 실시예를 나타내는 개략도.
도 5는 본 발명에 따른 소성 처리에 사용하는 소성 장치의 다른 실시예를 나타내는 개략도.
도 6은 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법의 다른 실시예를 나타내는 모식도.
도 7은 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 배선 패턴을 갖는 전기 광학 장치의 일례를 나타내는 플라즈마 디스플레이의 분해사시도.
도 8은 본 발명의 전기 광학 장치를 갖는 전자 기기의 일례를 나타내는 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1 : 기재
2 : 광열(光熱) 변환층
3 : 도전성층
4 : 도전막 패턴
5 : 미소성부(未燒成部)
6 : 기판
15 : 마스크
본 발명은 도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.
종래부터, 예를 들어, 기재(基材) 위에 도전성 박막을 형성하고, 그 도전성 박막을 열처리하여 개질(改質)하는 것이 행하여지고 있다. 일본국 특개평5-21387호 공보에는, 기재 위에 형성된 금속 박막에 대하여 레이저광을 조사함으로써 금속 박막을 개질하는 레이저 어닐링 처리에 관한 기술이 개시되어 있다.
그런데, 기재 위에 도전성 재료를 함유하는 기능액을 도포한 후, 도전성을 발현시키기 위해 레이저광을 조사함으로써 소성 처리를 행할 경우, 소성을 충분히 행하기 위해 레이저광을 큰 출력으로 조사할 필요가 있다. 이 때, 예를 들어, 기 재가 플라스틱제 등 내열성을 갖고 있지 않으면, 열변형되는 등의 결점을 발생시킨다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 안출된 것으로서, 기재의 재질에 좌우되지 않아 기재 위의 도전성 박막을 양호하게 개질하여 도전막 패턴을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 그 형성 방법에 의해 형성된 도전막 패턴을 갖는 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법은, 도전성 재료를 함유하는 도전성층이 설치되고, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료를 함유하는 기재에 대하여 광을 조사하며, 상기 광열 변환 재료를 사용하여 상기 도전성층의 적어도 일부를 소성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 기재에 광열 변환 재료를 함유시킴으로써, 조사한 광의 광에너지를 효율적으로 열에너지로 변환하고, 도전성층을 소성하여 도전성을 발현시키는데 충분한 열에너지를 그 도전성층에 공여할 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 광열 변환 재료에 광을 조사하여 순간적으로 고온을 발생시키는 구성이기 때문에, 단시간에 도전성층을 소성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 기재에 대하여 열에너지를 순간적으로 공여하는 구성이기 때문에, 기재가, 예를 들어, 플라스틱 등의 내열성을 갖고 있지 않은 재료를 함유하고 있는 경우일지라도, 그 기재에 주는 영향을 억제할 수 있다. 그리고, 상기 기재의 소정 영역에 광을 조사함으로써, 상기 소성되는 소성 영역을 패터닝하는 것에 의해, 기재 위에 소성 영역에 따른 도전막 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 광열 변환 재료를 함유하는 기재 위에 상기 도전성 재료를 함유하는 기능액을 도포하는 재료 배치 공정을 갖고, 상기 재료 배치 공정 후, 상기 광을 조사하여 상기 소성하는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 임의의 코팅법 또는 액체방울 토출법 등에 의거하여 기재 위에 도포한 기능액(도포액)에 광을 조사한다는 간단한 구성에 의해 도전막 패턴을 형성할 수 있다. 이 경우에 있어서, 상기 재료 배치 공정과 상기 광을 조사하여 소성하는 공정 사이에, 상기 기재 위에 도포한 기능액을 건조시키는 중간 건조 공정을 갖는 구성을 채용할 수 있다. 재료 배치 공정에서 기재 위에 기능액을 배치한 후, 중간 건조 처리를 행함으로써 기재 위에 배치된 기능액의 액체 성분 일부를 제거하고 나서 소성 처리를 행할 수 있어, 소성 처리를 원활하게 행할 수 있다. 또한, 재료 배치 공정과 중간 건조 공정을 복수회 반복하여 행함으로써, 앞서 기재 위에 배치된 기능액의 표면을 막화(膜化)한 후, 그 위에 다음 기능액을 양호하게 중첩시킬 수 있기 때문에, 형성하는 도전막 패턴의 막 두께를 두껍게 할 수 있고, 원하는 도전성을 갖는 도전막 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층이 상기 기재 위에 상기 기재와는 독립적으로 설치되고, 상기 기재 위에 상기 광열 변환층과 상기 도전성층이 인접하도록 적층되어 있는 구성을 채용할 수도 있으며, 상기 기재에 상기 광열 변환 재료가 혼재(混在)되어 있는 구성을 채용할 수도 있다. 모든 구성에 있어서, 광열 변환 재료에 의해 생성된 열에너 지를 도전성층에 공여하여, 그 도전성층을 소성할 수 있다. 특히, 광열 변환층과 도전성층을 인접하도록 적층하여 둠으로써, 광열 변환층에서 생성된 열에너지를 효율적으로 도전성층에 공여할 수 있다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 광을 상기 기재의 소정 영역에 조사하여 상기 도전성층의 일부를 소성한 후, 상기 도전성층 중 상기 소성되지 않은 미(未)소성부를 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 기재 위로부터 도전성을 갖지 않는 비도전성 부분이 제거된다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 기재의 상기 도전성층이 설치된 한쪽 면 측으로부터 상기 광을 조사하는 구성을 채용할 수도 있고, 상기 기재의 상기 도전성층이 설치되지 않은 다른쪽 면 측으로부터 상기 광을 조사하는 구성을 채용할 수도 있다. 모든 구성에 있어서, 광열 변환 재료에 의해 광에너지를 열에너지로 변환하여, 그 열에너지를 도전성층에 공여할 수 있다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 기재 위의 상기 도전성층과 소정의 기판을 대향시킨 후, 상기 기재의 소정 영역에 상기 광을 조사함으로써, 상기 소정 영역에 따른 상기 도전성 재료를 상기 기판에 전사(轉寫)하여, 상기 기판 위에 도전막 패턴을 형성하는 구성을 채용할 수 있다. 즉, 도전막 패턴을 기재 위에 형성하는 구성 이외에, 광을 조사하여 기재와는 다른 소정의 기판 위에 전사하고, 그 기판 위에 도전막 패턴을 형성할 수도 있다. 이 경우에 있어서, 상기 기판 위에 전사된 도전막 패턴에 대하여 광을 더 조사하는 구성을 채용할 수 있다. 즉, 기판 위에 전사된 도전막 패턴에 대하여 광을 더 조사하고, 기판 위의 도전막 패턴을 확실하게 소성하여 도전성을 발현시킬 수 있다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 상기 광은 레이저광이며, 상기 광열 변환 재료에 따른 파장을 갖는 광을 조사하는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 광열 변환 재료에 조사한 광의 광에너지를 효율적으로 열에너지로 변환할 수 있다.
본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 있어서, 소정의 패턴을 갖는 마스크에 상기 광을 조사하여, 상기 마스크를 개재(介在)시킨 광을 상기 기재에 조사하는 구성을 채용할 수 있다. 이것에 의해, 조사하는 광의 광속 직경 이하의 미세한 도전막 패턴을 형성할 수 있다. 한편, 상기 광에 대하여 상기 기재를 상대 이동시키면서 상기 조사를 행하는 구성을 채용할 수도 있다. 즉, 조사하는 광(레이저광)과 기재를 상대 이동시켜 도전막 패턴을 묘화(描畵)하도록 할 수도 있고, 이 구성에 의하면 마스크를 제조하는 공정을 생략할 수 있다.
본 발명의 전기 광학 장치는, 상기 기재된 도전막 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 도전막 패턴을 갖는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 전자 기기는 상기 기재된 전기 광학 장치를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 양호한 생산성으로 제조되어, 원하는 성능을 발휘할 수 있는 전기 광학 장치 및 그것을 갖는 전자 기기를 제공할 수 있다. 또한, 전기 광학 장치로서는, 액정 표시 장치, 유기 EL(일렉트로루미네선스) 표시 장치, 및 플라즈마 표시 장치 등을 들 수 있다.
도전성층 또는 광열 변환층을 기재 위에 설치할 경우, 기능액의 액체방울을 기재 위에 토출함으로써 배치하는 액체방울 토출법을 적용할 수 있다. 액체방울 토출법은 토출 헤드를 구비한 액체방울 토출 장치를 사용하여 실현되고, 상기 액체방울 토출 장치는 잉크젯 헤드를 구비한 잉크젯 장치를 포함한다. 잉크젯 장치의 잉크젯 헤드는 잉크젯법에 의해 기능액을 함유하는 액상체 재료의 액체방울을 정량적으로 토출할 수 있으며, 예를 들어, 1도트당 1∼300나노그램의 액상체 재료를 정량적으로 단속(斷續)하여 적하(滴下)할 수 있는 장치이다. 또한, 액체방울 토출 장치로서는 디스펜서 장치일 수도 있다.
액상체 재료는 액체방울 토출 장치의 토출 헤드의 토출 노즐로부터 토출 가능(적하 가능)한 점도(粘度)를 구비한 매체를 의미한다. 수성(水性)이든 유성(油性)이든 상관없다. 토출 노즐 등으로부터 토출 가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입(混入)되어 있어도 전체적으로 유동체이면 된다. 또한, 액상체 재료에 함유되는 재료는 융점(融點) 이상으로 가열되어 용해된 것일 수도 있고, 용매 중에 미립자로서 교반(攪拌)된 것일 수도 있으며, 용매 이외에 염료(染料)나 안료(顔料) 기타 기능성 재료를 첨가한 것일 수도 있다.
또한, 상기 기능액은 기능성 재료를 함유하는 액상체 재료로서, 여기서는 전력을 유통(流通)하는 도전막 패턴(배선 패턴)을 형성하기 위한 금속 등의 도전성 재료를 함유하는 도전막 패턴 형성용 재료(배선 패턴 형성용 재료)를 가리키지만, 컬러 필터를 포함하는 액정 표시 장치를 형성하기 위한 액정 표시 장치 형성용 재료, 유기 EL(일렉트로루미네선스) 표시 장치를 형성하기 위한 유기 EL 표시 장치 형성용 재료, 및 플라즈마 표시 장치를 형성하기 위한 플라즈마 표시 장치 형성용 재료 등 기판 위에 배치됨으로써 소정의 기능을 발휘하는 것도 포함된다.
<도전막 패턴의 형성 방법>
이하, 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법의 일 실시예를 나타내는 플로차트이다. 도 1에 있어서, 본 실시예에 따른 도전막 패턴의 형성 방법은, 기재 위에 광열 변환 재료를 함유하는 기능액을 도포하는 제 1 재료 배치 공정(스텝 S1)과, 기재 위에 도포된 광열 변환 재료를 함유하는 기능액을 건조시켜 광열 변환층을 형성하는 제 1 중간 건조 공정(스텝 S2)과, 그 광열 변환층 위에 도전성 재료를 함유하는 기능액을 도포하는 제 2 재료 배치 공정(스텝 S3)과, 기재 위에 도포된 도전성 재료를 함유하는 기능액을 건조시켜 도전성층을 형성하는 제 2 중간 건조 공정(스텝 S4)과, 그 기재에 대하여 광을 조사하고, 광열 변환 재료를 사용하여 도전성층의 적어도 일부를 소성하는 소성 공정(스텝 S5)을 갖고 있다.
이하, 각 공정에 대해서 설명한다.
(제 1 재료 배치 공정)
우선, 소정의 용제(溶劑) 등을 사용하여 기재가 세정된다. 이것에 의해, 기재 위의 유기물 잔사(殘渣) 등이 제거된다. 또한, 기재 표면에 자외광을 조사하는 것에 의해서도 유기물 잔사 등을 제거할 수 있다. 자외광(UV)을 조사함으로써, 기재 표면에 친액성(親液性)을 부여할 수도 있다. 또한, 처리 가스로서 산소(O2)를 포함하는 가스를 사용한 O2 플라즈마 처리에 의해서도, 기재를 세정하고, 또한 친액성을 부여할 수 있다. 그리고, 소정의 코팅 방법을 이용하여 기재 위에 광열 변환 재료를 함유하는 기능액이 도포된다.
기재로서는, 레이저 광속을 투과 가능한, 예를 들어, 유리 기판이나 투명성 고분자 등을 사용할 수 있다. 투명성 고분자로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리설폰, 폴리이미드 등을 들 수 있다. 투명성 고분자에 의해 기재를 형성한 경우, 그 두께는 10∼500㎛인 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 예를 들어, 기재를 밴드 형상으로 형성하여 롤(roll) 형상으로 감을 수 있고, 회전 드럼 등에 의해 유지시키면서 반송(이동)할 수도 있다.
광열 변환 재료는 광에너지를 열에너지로 변환하는 것이다. 광열 변환 재료로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 광을 효율적으로 열로 변환할 수 있는 재료라면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 알루미늄, 그 산화물 및/또는 그 황화물로 이루어지는 금속이나, 카본블랙, 흑연 또는 적외선 흡수 색소 등이 첨가된 고분자로 이루어지는 유기물 등을 들 수 있다. 적외선 흡수 색소로서는, 안트라퀴논계, 디티올니켈 착체계, 시아닌계, 아조코발트 착체계, 디임모늄계, 스쿠아릴리움계, 프탈로시아닌계, 나프탈로시아닌계 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지 등의 합성수지를 바인더(binder)로 하고, 그 바인더 수지에 상기 광열 변환 재료를 용해 또는 분산시켜 기재 위에 설치하도록 할 수도 있다. 이 경우, 에폭시 수지는 경화제로서의 기능을 갖고, 경화시킴으로써 광열 변환 재료를 기재 위에 정착(定着)시킬 수 있다. 또한, 바인더에 용해 또는 분산시키지 않고, 상기 광열 변환 재료를 기재 위에 설치하는 것도 물론 가능하다.
본 실시예에서는, 상기 광열 변환 재료를 용매(분산매)에 용해(분산)시켜 기능액을 생성한 후, 그 기능액을 일반적인 필름 코팅 방법, 예를 들어, 압출(壓出) 코팅 방법, 스핀 코팅 방법, 그라비어(gravure) 코팅 방법, 리버스롤(reverse-roll) 코팅 방법, 로드(rod) 코팅 방법, 마이크로그라비어 코팅 방법, 나이프 코팅 방법 등에 의해 기재 위에 도포한다. 광열 변환 재료의 코팅 방법에서는, 기재의 표면에 대전한 정전기를 제전(除電)하여 광열 변환층 형성용 기능액을 균일하게 기재에 형성하는 것이 바람직하고, 각 방법에 사용되는 장치에는 제전(除電) 장치가 부착되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 코팅 방법은 광열 변환 재료로서 상기 유기물을 사용하는 경우에 특히 바람직하다.
한편, 광열 변환 재료로서 상기 금속을 사용할 경우에는, 진공 증착법, 전자 빔 증착법, 또는 스퍼터링을 이용하여 기재 위에 설치할 수 있다. 또한, 광열 변환 재료를 함유하는 기능액을 액체방울 토출법(잉크젯법)에 의거하여 기재 위에 배치하는 것도 가능하다.
액체방울 토출법에서는, 토출 헤드와 기재를 대향시킨 상태에서 기능액의 액체방울이 토출 헤드로부터 토출된다. 액체방울 토출법의 토출 기술로서는, 대전 제어 방식, 가압 진동 방식, 전기열 변환 방식, 정전 흡인 방식, 전기기계 변환 방식 등을 들 수 있다. 대전 제어 방식은 재료에 대전 전극에 의해 전하를 부여하고, 편향 전극에 의해 재료의 비상(飛翔) 방향을 제어하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 가압 진동 방식은 재료에 30㎏/㎠ 정도의 초고압을 인가하여 노즐 선단(先端) 측에 재료를 토출시키는 것이며, 제어 전압을 인가하지 않을 경우 에는 재료가 직진하여 토출 노즐로부터 토출되고, 제어 전압을 인가하면 재료간에 정전적인 반발이 일어나 재료가 비산(飛散)되어 토출 노즐로부터 토출되지 않는다. 또한, 전기열 변환 방식은 재료를 저장한 공간 내에 설치한 히터에 의해 재료를 급격하게 기화(氣化)시켜 버블(기포)을 발생시키고, 버블의 압력에 의해 공간 내의 재료를 토출시키는 것이다. 정전 흡인 방식은 재료를 저장한 공간 내에 미소(微小) 압력을 가하여 토출 노즐에 재료의 메니스커스를 형성하고, 이 상태에서 정전인력을 가하고 나서 재료를 인출(引出)하는 것이다. 전기기계 변환 방식은 피에조 소자(압전 소자)가 펄스적인 전기 신호를 받아 변형되는 성질을 이용한 것이며, 피에조 소자가 변형됨으로써 재료를 저장한 공간에 가요(可撓) 물질을 통하여 압력을 주고, 이 공간으로부터 재료를 압출하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 그 이외에, 전기장에 의한 유체(流體)의 점성(粘性) 변화를 이용하는 방식이나, 방전 불꽃에 의해 튀기는 방식 등의 기술도 적용할 수 있다. 액체방울 토출법은 재료의 사용에 낭비가 적고, 또한 원하는 위치에 원하는 양의 재료를 정확하게 배치할 수 있다는 이점(利點)을 갖는다. 또한, 액체방울 토출법에 의해 토출되는 액체 재료의 1방울의 양은, 예를 들어, 1∼300나노그램이다. 본 실시예에서는 전기기계 변환 방식(피에조 방식)을 이용한다.
도 2는 피에조 방식에 의한 기능액(액상체 재료)의 토출 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 2에 있어서, 토출 헤드(20)는 기능액을 수용하는 액체실(21)과, 그 액체실(21)에 인접하여 설치된 피에조 소자(22)를 구비하고 있다. 액체실(21)에는 기 능액을 수용하는 재료 탱크를 포함하는 공급계(23)를 통하여 기능액이 공급된다. 피에조 소자(22)는 구동 회로(24)에 접속되어 있으며, 이 구동 회로(24)를 통하여 피에조 소자(22)에 전압을 인가하고, 피에조 소자(22)를 변형시킴으로써, 액체실(21)이 변형되어 토출 노즐(25)로부터 기능액이 토출된다. 이 경우, 인가 전압의 값을 변화시킴으로써 피에조 소자(22)의 왜곡량이 제어된다. 또한, 인가 전압의 주파수를 변화시킴으로써 피에조 소자(22)의 왜곡 속도가 제어된다. 피에조 방식에 의한 액체방울 토출은 재료에 열을 가하지 않기 때문에, 재료의 조성에 영향을 주기 어렵다는 이점을 갖는다.
(제 1 중간 건조 공정)
기재에 광열 변환 재료를 함유하는 기능액을 도포한 후, 용매(분산매)의 제거 및 막 두께 확보를 위해, 필요에 따라 건조 처리가 행하여진다. 건조 처리는, 예를 들어, 기재를 가열하는 통상의 핫플레이트 및 전기로(電氣爐) 등에 의한 처리 이외에, 램프 어닐링에 의해 행할 수도 있다. 그리고, 제 1 중간 건조 공정에 의해 기재 위에 도포된 기능액의 액체 성분의 적어도 일부가 제거되고, 도 3의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기재(1) 위에 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층(2)이 형성된다. 여기서, 제 1 재료 배치 공정과 제 1 중간 건조 공정을 복수회 반복하여 행함으로써, 앞서 기재(1) 위에 배치된 기능액의 표면을 막화한 후, 그 위에 다음 기능액을 양호하게 중첩시킬 수 있기 때문에, 형성하는 광열 변환층(2)의 막 두께를 원하는 두께로 할 수도 있다. 또한, 이 제 1 중간 건조 공정은 생략할 수도 있다.
(제 2 재료 배치 공정)
이어서, 기재(1)의 광열 변환층(2) 위에 도전성 재료를 함유하는 기능액이 도포된다. 본 실시예에서는, 도전막 패턴을 형성하기 위한 기능액으로서, 용매(분산매)를 디에틸렌글리콜디에틸에테르로 하는 유기 은 화합물을 사용한다. 또한, 도전막 패턴 형성용 재료를 함유하는 기능액으로서는, 도전성 미립자를 분산매에 분산시킨 분산액을 사용하는 것도 가능하다. 도전성 미립자로서는, 예를 들어, 금, 은, 구리, 알루미늄, 팔라듐, 및 니켈 중의 적어도 어느 하나를 함유하는 금속 미립자 이외에, 이들의 산화물 및 도전성 폴리머나 초전도체의 미립자 등이 사용된다. 분산매로서는, 상기 도전성 미립자를 분산시킬 수 있는 것으로서 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 물 이외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알코올류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프탈렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또한 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌카보네이트, γ-부틸로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드, 시클로헥사논 등의 극성(極性) 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중, 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 액체방울 토출법에 대한 적용의 용이성의 점에서, 물, 알코올류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로서는, 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다.
그리고, 도전성 재료를 함유하는 기능액을 생성한 후, 그 기능액을, 상기 제 1 재료 배치 공정과 동일하게, 일반적인 필름 코팅 방법, 예를 들어, 압출 코팅 방법, 스핀 코팅 방법, 그라비어 코팅 방법, 리버스롤 코팅 방법, 로드 코팅 방법, 마이크로그라비어 코팅 방법, 나이프 코팅 방법 등에 의해 광열 변환층(2)(기재(1)) 위에 도포할 수 있다. 이 경우에 있어서도, 제 1 재료 배치 공정과 동일하게, 기재(1)의 표면에 대전한 정전기를 제전하여 도전성층 형성용 기능액을 균일하게 광열 변환층(2)(기재(1)) 위에 형성하는 것이 바람직하고, 각 방법에 사용되는 장치에는 제전 장치가 부착되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 도전성 재료를 함유하는 기능액을 상술한 액체방울 토출법(잉크젯법)에 의거하여 광열 변환층(2)(기재(1)) 위에 배치하는 것도 물론 가능하다.
(제 2 중간 건조 공정)
도전성 재료를 함유하는 기능액을 도포한 후, 용매(분산매)의 제거 및 막 두께 확보를 위해, 필요에 따라 건조 처리가 행하여진다. 제 2 중간 건조 공정은, 제 1 중간 건조 공정과 동일하게, 예를 들어, 기재를 가열하는 통상의 핫플레이트 및 전기로 등에 의한 처리, 램프 어닐링에 의해 행할 수도 있다. 그리고, 제 2 중간 건조 공정에 의해 광열 변환층(2)(기재(1)) 위에 도포된 기능액의 액체 성분의 적어도 일부가 제거되고, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 광열 변환층(2) 위에 도전성 재료를 함유하는 도전성층(3)이 형성된다. 여기서, 제 2 재료 배치 공정과 제 2 중간 건조 공정을 복수회 반복하여 행함으로써, 앞서 광열 변환층(2)(기재 (1)) 위에 배치된 기능액의 표면을 막화한 후, 그 위에 다음 기능액을 양호하게 중첩시킬 수 있기 때문에, 형성하는 도전성층(3)의 막 두께를 원하는 두께로 할 수 있고, 원하는 도전성을 얻을 수 있다. 또한, 이 제 2 중간 건조 공정도 생략할 수 있다.
본 실시예에서는, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 광열 변환층(2)이 기재(1) 위에 이 기재(1)와는 독립적으로 설치되고, 그 기재(1) 위에 광열 변환층(2)과 도전성층(3)이 인접하여 적층된다.
(소성 공정)
기재(1) 위의 도전성층(3)에 대하여, 미립자간의 전기적 접촉을 양호하게 하기 위해, 용매(분산매)를 완전히 제거할 필요가 있다. 또한, 도전성 미립자의 표면에 분산성을 향상시키기 위해 유기물 등의 코팅재가 코팅되어 있을 경우에는, 이 코팅재도 제거할 필요가 있다. 또한, 본 실시예와 같이, 기능액에 유기 은 화합물이 함유되어 있을 경우, 도전성을 얻기 위해, 열처리를 행하여, 유기 은 화합물의 유기분을 제거하고 은 입자를 잔류(殘留)시킬 필요가 있다. 그 때문에, 도전성층(3)이 설치된 기재(1)에 대하여 본 발명에 따른 소성 처리가 실시된다.
도 4는 본 발명에 따른 소성 처리에 사용되는 소성 장치의 일 실시예를 나타내는 개략 구성도이다. 도 4에 있어서, 소성 장치(10)는 소정의 파장을 갖는 레이저 광속을 사출(射出)하는 레이저 광원(11)과, 광열 변환층(2) 및 도전성층(3)을 갖는 기재(1)를 지지하는 스테이지(12)를 구비하고 있다. 본 실시예에서는, 도전성층(3)과 스테이지(12)가 대향하도록 기재(1)가 스테이지(12)에 의해 지지되어 있 다. 레이저 광원(11) 및 스테이지(12)는 챔버(14) 내에 배치되어 있다. 챔버(14)에는, 이 챔버(14) 내의 가스를 흡인 가능한 흡인 장치(13)가 접속되어 있다. 본 실시예에서는, 레이저 광원(11)으로서 근적외(近赤外) 반도체 레이저(파장 830㎚)가 사용된다.
여기서, 이하의 설명에 있어서, 수평면 내에서의 소정 방향을 X축 방향, 수평면 내에서 X축 방향과 직교하는 방향을 Y축 방향, X축 및 Y축의 각각과 직교하는 방향(연직 방향)을 Z축 방향으로 한다.
스테이지(12)는 기재(1)를 지지한 상태에서 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있고, 기재(1)는 스테이지(12)의 이동에 의해 광원(11)으로부터 사출된 광속에 대하여 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 스테이지(12)는 Z축 방향으로도 이동 가능하게 되어 있다. 여기서, 광원(11)과 스테이지(12)에 의해 지지된 기재(1) 사이에는 광학계(도시 생략)가 배치되어 있다.
기재(1)를 지지한 스테이지(12)는 Z축 방향으로 이동함으로써, 상기 광학계의 초점에 대한 기재(1)의 위치를 조정할 수 있게 되어 있다. 그리고, 광원(11)으로부터 사출된 광속은 스테이지(12)에 의해 지지되어 있는 기재(1)를 조사하게 되어 있다.
또한, 여기서는 기재(1)를 XY 방향으로 병진(竝進) 이동시키는 스테이지(12)에 의해 지지시키고 있지만, 기재(1)를 회전 드럼에 의해 유지시킬 경우, 회전 드럼은 수평 병진 방향(주사 방향, X방향), 회전 방향(Y방향), 및 연직 방향(Z축 방향)으로 이동 가능하다.
소성 처리를 행할 때에는, 도 3의 (c)에 나타낸 모식도와 같이, 기재(1)의 도전성층(3)이 설치되지 않은 면 측으로부터 소정의 광속 직경을 갖는 레이저광이 광원(11)으로부터 조사된다. 레이저 광속이 조사됨으로써, 그 조사 영역에 대응하는 기재(1) 및 광열 변환층(2)이 가열된다. 광열 변환층(2)은 조사된 레이저 광속의 광에너지를 열에너지로 변환하여, 그 열에너지를 도전성층(3)에 공여한다. 이것에 의해, 도전성층(3) 중 광조사 영역에 대응하는 일부의 영역에 대하여 열에너지가 공여된다. 그리고, 광열 변환층(2)을 사용하여 열에너지가 공급된 도전성층(3)의 일부 영역은 충분히 가열되어 소성되고, 그 일부 영역의 도전성 재료(유기 은 화합물)의 미립자간의 전기적 접촉이 확보되어, 도 3의 (d)에 나타낸 바와 같이, 도전성을 갖는 도전막 패턴(4)으로 변환된다.
이 때, 조사하는 레이저 광속에 대하여 스테이지(12)를 XY 평면을 따라 이동시킴으로써, 그 스테이지(12)의 이동 궤적에 따른 영역을 소성할 수 있고, 소성 영역을 패터닝할 수 있다. 여기서, 소성된 소성 영역이 도전막 패턴으로 되기 때문에, 스테이지(12)를 미리 설정된 이동 궤적으로 이동시킴으로써, 기재(1) 위에 임의의 도전막 패턴(4)을 형성할 수 있다. 또한, 스테이지(12)를 이동시키지 않고, 기재(1)에 대하여 레이저 광속을 이동시킬 수도 있으며, 레이저 광속 및 스테이지(12)의 양쪽을 이동시킬 수도 있다.
도전성층(3)의 일부 영역을 소성하여 도전막 패턴(4)을 형성한 후, 도전성층(3) 중 소성되지 않은 미소성부(5)를 제거(에싱(ashing))할 수 있다. 에싱 처리로서는, 예를 들어, 소정의 용제를 사용하여 제거하는 방법이나, 레이저광을 미소성 부(5)에 조사하여 제거하는 방법 등 공지의 방법을 채용할 수 있다. 이것에 의해, 도전막 패턴(배선 패턴)으로서 기능하지 않는 부분(비(非)도전성부)을 기재(1) 위로부터 제거할 수 있다. 또한, 미소성부(비도전성부)(5)를 기재(1) 위에 남겨 두는 것도 가능하다.
상술한 바와 같이, 기재(1) 위에 광열 변환층(2)을 설치함으로써, 조사한 광의 광에너지를 효율적으로 열에너지로 변환하여, 도전성층(3)을 소성하는데 충분한 열에너지를 그 도전성층(3)에 공여할 수 있다. 그리고, 본 실시예에서는 광열 변환층(2)에 기재(1)를 통하여 광을 조사하여 순간적으로 고온을 발생시키는 구성이기 때문에, 단시간에 도전성층(3)을 소성할 수 있다. 또한, 소성과 도전막 패턴의 패터닝(묘화)을 동시에 행할 수 있어, 도전막 패턴(배선 패턴)을 양호한 생산성으로 형성할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 도전성층(3)(기재(1))에 대하여 열에너지를 순간적으로 공여하는 구성이기 때문에, 기재(1)가, 예를 들어, 플라스틱 등의 내열성을 갖고 있지 않은 재료를 함유하고 있는 경우일지라도, 그 기재(1)에 주는 영향을 억제할 수 있다. 또한, 전자 빔이나 자외선을 이용하지 않고 근적외 레이저광 등을 이용하여도, 광열 변환층(2)을 설치함으로써 도전성층(3)을 소성하기 위한 충분한 열에너지를 그 도전성층(3)에 공여할 수 있다. 따라서, 사용하는 광조사 장치의 선택의 폭이 넓어져, 고가(高價)의 대규모 광조사 장치를 사용하지 않아도, 충분한 열에너지로 광열 변환층(2)을 사용하여 도전성층(3)을 소성할 수 있다.
또한, 도전성층(3)의 소정 영역을 소성 처리할 경우, 도 5에 나타낸 바와 같 이, 소정의 패턴을 갖는 마스크(15)에 광을 조사하고, 마스크(15)를 개재시킨 광을 기재(1)에 조사하는 구성을 채용할 수 있다. 도 5에 있어서, 마스크(15)는 마스크(15)를 투과한 광을 통과시키기 위한 개구부(16A)를 갖는 마스크 지지부(16)에 의해 지지되어 있다. 광원(11)으로부터 사출된 광속은 광학계(17)에 의해 균일한 조도(照度) 분포를 갖는 조명광으로 변환된 후, 마스크(15)를 조명한다. 마스크(15)를 통과한 광은 스테이지(12)에 의해 지지되어 있는 기재(1)를 조사한다. 이것에 의해, 조사하는 레이저 광속 직경 이하의 미세한 도전막 패턴을 형성할 수 있다. 한편, 도 4를 참조하여 설명한 실시예와 같이, 레이저 광속에 대하여 기재(1)를 이동시키면서 레이저 광속을 조사하여 도전막 패턴을 묘화함으로써, 마스크를 제조하는 수고를 덜 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 광열 변환층(2)과 도전성층(3)은 인접하도록 적층되어 있지만, 예를 들어, 기재(1)의 한쪽 면 측에 광열 변환층(2)을 설치하고, 다른쪽 면 측에 도전성층(3)을 설치하는 등 광열 변환층(2)과 도전성층(3) 사이에 다른 층을 개재시킬 수도 있다. 이렇게 함으로써도, 광열 변환층(2)에서 생성된 열에너지를 기재(1)(다른 층)를 통하여 도전성층(3)에 공여하고, 그 열에너지를 사용하여 도전성층(3)을 소성할 수 있다. 한편, 광열 변환층(2)과 도전성층(3)을 인접하도록 적층함으로써, 광열 변환층(2)에서 생성된 열에너지를 효율적으로 도전성층(3)에 공여할 수 있다.
상기 실시예에 있어서, 광열 변환층(2)과 도전성층(3) 사이에, 예를 들어, 광열 변환층(2)의 광열 변환 작용을 균일화하기 위한 중간층을 설치할 수도 있다. 상기 중간층을 형성하는 중간층 형성용 재료로서는, 상기 요건을 충족시킬 수 있는 수지 재료를 들 수 있다.
이러한 중간층은, 기재(1) 위에 광열 변환층(2)을 형성한 후(즉, 제 1 중간 건조 공정 S2 후), 소정의 조성을 갖는 수지 조성물을, 예를 들어, 스핀 코팅 방법, 그라비어 코팅 방법, 다이(dye) 코팅법 등의 공지의 코팅 방법에 의거하여 광열 변환층(2)의 표면에 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 레이저 광속이 조사되면, 광열 변환층(2)의 작용에 의해 광에너지가 열에너지로 변환되고, 또한 이 열에너지가 중간층의 작용에 의해 균일화된다. 따라서, 광조사 영역에 해당하는 부분의 도전성층(3)에는 균일한 열에너지가 공여된다.
상기 실시예에서는, 기재(1)의 도전성층(3)이 설치되지 않은 면 측으로부터 레이저광을 조사하고 있지만, 기재(1)의 도전성층(3)이 설치된 면 측으로부터 레이저광을 조사하는 것도 가능하다. 조사된 레이저광은 도전성층(3)을 통하여 광열 변환층(2)에 조사되고, 레이저광이 조사된 광열 변환층(2)은 그 광의 광에너지를 열에너지로 변환하여 도전성층(3)에 공여할 수 있다. 한편, 상기 실시예와 같이, 기재(1)의 도전성층(3)이 설치되지 않은 면 측으로부터 레이저광을 조사함으로써, 레이저광을 투명한 기재(1)를 통하여 광열 변환층(2)에 직접적으로 조사할 수 있기 때문에, 그 광열 변환층(2)에 의해 레이저광의 광에너지를 열에너지로 효율적으로 변환할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 광열 변환 재료는 기재(1)와는 독립된 층(광열 변환층(2))에 설치되어 있지만, 기재(1)에 광열 변환 재료를 혼재시키는 구성도 가능 하다. 이러한 구성일지라도, 조사한 레이저광의 광에너지를 열에너지로 변환하여, 그 열에너지를 도전성층(3)에 공여할 수 있다. 또한, 광열 변환 재료가 혼재된 기재(1) 위에 그것과는 별도로 광열 변환층(2)을 설치할 수도 있다.
광열 변환층(2)을 설치한 경우, 광열 변환 재료에 따른 파장을 갖는 광을 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 사용하는 광열 변환 재료에 따라 양호하게 흡수하는 광의 파장 대역이 다르기 때문에, 광열 변환 재료에 따른 파장을 갖는 광을 조사함으로써, 광에너지를 열에너지로 효율적으로 변환할 수 있다. 환언하면, 조사하는 광에 따라 사용하는 광열 변환 재료를 선택한다. 본 실시예에서는, 레이저 광원으로서 근적외 반도체 레이저(파장 830㎚)를 사용하고 있기 때문에, 광열 변환 재료로서는, 적외선으로부터 가시광선 영역의 광을 흡수하는 성질을 갖고 있는 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 실시예에서의 광원(11)은 근적외 반도체 레이저이나, 이것에 한정되지 않아, 수은 램프, 할로겐 램프, 크세논 램프, 플래시 램프 등을 사용하는 것도 가능하다. 또한, 자외선 레이저 등 근적외선 레이저 이외의 모든 범용적인 레이저를 사용할 수 있다.
상기 실시예에서는 기재(1) 위에 도전막 패턴(4)을 형성하는 구성이지만, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기재(1) 위의 도전성층(3)과 소정의 기판(6)을 대향시킨 후, 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 기재(1)의 소정 영역에 레이저광을 조사함으로써, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같이, 그 광조사 영역에 따른 도전성층(3)의 일부를 기판(6)에 전사하고, 그 기판(6) 위에 도전막 패턴(4)을 형성할 수도 있다. 또한, 그 후, 도 6의 (d)에 나타낸 바와 같이, 기판(6) 위에 전사된 도전막 패턴(4)에 대하여 레이저광을 더 조사하고, 기판(6) 위에서 광조사에 의한 소성 처리를 행할 수 있다. 여기서, 기판(6)은, 예를 들어, 유리 플레이트나 합성수지 필름, 또는 반도체 웨이퍼에 의해 구성되어 있다.
이 경우에 있어서, 도전성층(3)과 기판(6)을 밀착시킨 상태에서 기재(1)에 레이저광을 조사함으로써, 도전성층(3)을 기판(6)에 원활하게 전사할 수 있다. 도전성층(3)과 기판(6)을 밀착시킬 경우에는, 도 4에 나타낸 소성 장치(10)의 스테이지(12) 위에 기판(6)과 기재(1)의 도전성층(3)을 대향시킨 상태에서 탑재하고, 흡인 장치(13)를 구동하여 챔버(14) 내를 부압(負壓)으로 함으로써, 도전성층(3)과 기판(6)을 밀착시킬 수 있다. 또한, 레이저광을 조사한 후, 기재(1)의 도전성층(3)과 기판(6)을 분리시킬 때에는, 흡인 장치(13)의 구동을 정지하여 상기 부압을 해제하면 된다.
또한, 도전성층(3)의 일부를 기판(6)에 전사하는 구성의 경우, 기재(1)(광열 변환층(2))와 도전성층(3) 사이에 광조사에 의해 가스를 발생시키는 가스 발생 재료를 함유하는 가스 발생층을 설치할 수도 있다. 가스 발생 재료는, 광을 흡수하거나 광에너지로부터 변환된 열에너지를 흡수하면, 분해 반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스 등을 방출하는 것으로서, 발생한 가스에 의해 도전성층(3)을 기재(1)로부터 분리시키는 에너지를 제공하는 역할을 갖는다. 이러한 가스 발생 재료로서는, 사질산펜타에리트리톨(pentaerythritol tetranitrate: PETN) 및 트리니트로톨루엔(trinitrotoluene: TNT)으로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질 등을 들 수 있다.
<실시예>
기재(1)로서 두께 0.2㎜ 정도의 폴리카보네이트제 시트를 사용하고, 그 시트 위에 광열 변환층(2)으로서 카본블랙을 혼합한 열경화형 에폭시 수지를 두께 2㎛ 정도로 코팅하여 경화시킨 것을 사용했다. 또한, 그 광열 변환층(2) 위에 은 미립자를 함유하는 기능액(은 잉크)을 도포하여 도전성층(3)을 형성했다. 그리고, 그 시트를 도전성층(은 잉크층)이 내측으로 되도록 회전 드럼에 의해 유지시키고, 그 회전 드럼을 50rpm으로 회전시키면서, 시트에 대하여 출력 14W의 근적외 반도체 레이저 장치로부터 파장 830㎚의 레이저광을 2회 조사했다. 또한, 이 때 조사한 레이저 광속 직경을 형성되는 배선 패턴(도전막 패턴)의 선폭(선幅)이 1㎜로 되도록 설정했다. 그리하면, 은 잉크가 은색을 나타내어 전기 저항값이 30Ω/㎝를 나타내게 되었다. 또한, 광을 조사하지 않은 영역(미소성부)의 전기 저항값은 ∞Ω/㎝이며, 광조사 영역에서 도전성이 발현된 것을 확인할 수 있었다.
<플라즈마 표시 장치>
다음으로, 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 도전막 패턴(배선 패턴)을 갖는 전기 광학 장치의 일례로서, 플라즈마 디스플레이(플라즈마 표시 장치)에 대해서 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은 어드레스 전극(511)과 버스 전극(512a)이 제조된 플라즈마 디스플레이(500)를 나타내는 분해사시도이다. 이 플라즈마 디스플레이(500)는 서로 대향하여 배치된 유리 기판(501, 502)과, 이들의 사이에 형성된 방전 표시부(510)로 개략 구성되어 있다.
방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합되어 이루어지고, 복수의 방전실(516) 중 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍을 이루어 1화소를 구성하도록 배치되어 있다. 상기 (유리)기판(501)의 상면에는 소정의 간격에 의해 스트라이프 형상으로 어드레스 전극(511)이 형성되고, 이들 어드레스 전극(511)과 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되며, 또한 유전체층(519) 위에서 어드레스 전극(511, 511) 사이에 위치하여 각 어드레스 전극(511)에 따르도록 격벽(515)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에서는 그 길이 방향의 소정 위치에서 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로도 소정의 간격으로 구획되어 있으며(도시 생략), 기본적으로는 어드레스 전극(511)의 폭방향 좌우 양측에 인접하는 격벽과 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 연장 설치된 격벽에 의해 구획되는 직사각형 형상의 영역이 형성되고, 이들 직사각형 형상의 영역에 대응하도록 방전실(516)이 형성되며, 이들 직사각형 형상의 영역이 3개 쌍을 이루어 1화소가 구성된다. 또한, 격벽(515)으로 구획되는 직사각형 형상의 영역 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 형광을 발광하는 것이며, 적색 방전실(516(R))의 저부(底部)에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 저부에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 저부에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.
다음으로, 상기 유리 기판(502) 측에는, 상기 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 복수의 ITO로 이루어지는 투명 표시 전극(512)이 스트라이프 형상으로 소정의 간격에 의해 형성되는 동시에, 고저항의 ITO를 보충하기 위해 금속으로 이루어지는 버스 전극(512a)이 형성되어 있다. 또한, 이들을 덮어 유전체층(513)이 형성되고, 또한 MgO 등으로 이루어지는 보호막(514)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 기판(501)과 유리 기판(502)의 기판이 상기 어드레스 전극(511, …)과 표시 전극(512, …)을 서로 직교시키도록 대향시켜 상호 접합되고, 기판(501)과 격벽(515)과 유리 기판(502) 측에 형성되어 있는 보호막(514)에 의해 둘러싸인 공간 부분을 배기하여 희유(稀有) 가스를 봉입(封入)함으로써 방전실(516)이 형성되어 있다. 또한, 유리 기판(502) 측에 형성되는 표시 전극(512)은 각 방전실(516)에 대하여 2개씩 배치되도록 형성되어 있다. 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 교류 전원(도시 생략)에 접속되고, 각 전극에 통전(通電)함으로써 필요한 위치의 방전 표시부(510)에서 형광체(517)를 여기(勵起) 발광시켜, 컬러 표시할 수 있게 되어 있다.
그리고, 본 예에서는, 특히 상기 어드레스 전극(511)과 버스 전극(512a)이 본 발명에 따른 도전막 패턴의 형성 방법에 의해 형성된다. 즉, 이들 어드레스 전극(511)이나 버스 전극(512a)에 대해서는, 특히 그 패터닝에 유리하기 때문에, 금속 콜로이드 재료(예를 들어, 금 콜로이드나 은 콜로이드)나 도전성 미립자(예를 들어, 금속 미립자)를 분산시켜 이루어지는 기능액을 토출하고, 건조 및 소성함으로써 형성하고 있다. 또한, 형광체(517)에 대해서도, 형광체 재료를 용매에 용해시키거나, 또는 분산매에 분산시킨 기능액을 토출 헤드(20)로부터 토출하고, 건조 및 소성함으로써 형성할 수 있다.
또한, 여기서는 전기 광학 장치로서 플라즈마 표시 장치를 예로 들어 설명했지만, 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 구성하는 배선 패턴을 형성할 때에도, 본 발명의 도전막 패턴의 형성 방법을 적용할 수 있다.
<전자 기기>
이하, 상기 전기 광학 장치(유기 EL 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 등)를 구비한 전자 기기의 적용 예에 대해서 설명한다. 도 8의 (a)는 휴대전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 8의 (a)에 있어서, 부호 1000은 휴대전화 본체를 나타내고, 부호 1001은 상기 전기 광학 장치를 사용한 표시부를 나타낸다. 도 8의 (b)는 손목시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 8의 (b)에 있어서, 부호 1100은 시계 본체를 나타내고, 부호 1101은 상기 전기 광학 장치를 사용한 표시부를 나타낸다. 도 8의 (c)는 워드프로세서 및 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 8의 (c)에 있어서, 부호 1200은 정보처리 장치, 부호 1202는 키보드 등의 입력부, 부호 1204는 정보처리 장치 본체, 부호 1206은 상기 전기 광학 장치를 사용한 표시부를 나타낸다. 도 8의 (a)∼(c)에 나타낸 전자 기기는 상기 실시예의 전기 광학 장치를 구비하고 있기 때문에, 표시 품위가 우수하며, 밝은 화면의 표시부를 구비한 전자 기기를 실현할 수 있다.
또한, 상술한 예에 더하여, 다른 예로서, 액정 텔레비전, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 리코더, 카 네비게이션(car navigation) 장치, 소형 무선 호출기(pager), 전자수첩, 전자계산기, 워드프로세서, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 전자종이, 터치패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 본 발명의 전기 광학 장치는 이러한 전자 기기의 표시부로서도 적용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기재의 재질에 좌우되지 않아 기재 위의 도전성 박막을 양호하게 개질하여 도전막 패턴을 형성할 수 있고, 또한 이러한 형성 방법에 의해 형성된 도전막 패턴을 갖는 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (17)

  1. 도전성 재료를 함유하는 도전성층이 설치되고 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열(光熱) 변환 재료를 함유하며 그 재질이 열에 의해서 변질되기 쉬운 기재(基材)에 대하여 광을 조사(照射)하며, 상기 광열 변환 재료를 사용하여 상기 도전성층의 적어도 일부를 소성(燒成)하는 공정과,
    상기 광을 상기 기재의 소정 영역에 조사하여 상기 도전성층의 일부를 소성한 후, 상기 도전성층 중 상기 소성되지 않은 미(未)소성부를 제거하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 소정 영역에 광을 조사함으로써, 상기 소성되는 소성 영역을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 광열 변환 재료를 함유하는 기재 위에 상기 도전성 재료를 함유하는 기능액을 도포하는 재료 배치 공정을 갖고, 상기 재료 배치 공정 후, 상기 광을 조사하여 상기 소성하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 재료 배치 공정과 상기 광을 조사하여 소성하는 공정 사이에, 상기 기재 위에 도포한 기능액을 건조시키는 중간 건조 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층이 상기 기재 위에 상기 기재와는 독립적으로 설치되고, 상기 기재 위에 상기 광열 변환층과 상기 도전성층이 인접하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재에 상기 광열 변환 재료가 혼재(混在)되어 있는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 상기 도전성층이 설치된 한쪽 면 측으로부터 상기 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 상기 도전성층이 설치되지 않은 다른쪽 면 측으로부터 상기 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 위의 상기 도전성층과 소정의 기판을 대향시킨 후, 상기 기재의 소정 영역에 상기 광을 조사함으로써, 상기 소정 영역에 따른 상기 도전성 재료를 상기 기판에 전사(轉寫)하여, 상기 기판 위에 도전막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 위에 전사된 도전막 패턴에 대하여 광을 더 조사하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 광은 레이저광인 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 광열 변환 재료에 따른 파장(波長)을 갖는 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    소정의 패턴을 갖는 마스크에 상기 광을 조사하여, 상기 마스크를 개재(介在)시킨 광을 상기 기재에 조사하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 광에 대하여 상기 기재를 상대 이동시키면서 상기 조사를 행하는 것을 특징으로 하는 도전막 패턴의 형성 방법.
  16. 제 1 항에 기재된 형성 방법에 의해 형성된 도전막 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  17. 제 16 항에 기재된 전기 광학 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1020040069505A 2003-09-02 2004-09-01 도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기 KR100676155B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003310071A JP2005079010A (ja) 2003-09-02 2003-09-02 導電膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
JPJP-P-2003-00310071 2003-09-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050024224A KR20050024224A (ko) 2005-03-10
KR100676155B1 true KR100676155B1 (ko) 2007-01-31

Family

ID=34412045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040069505A KR100676155B1 (ko) 2003-09-02 2004-09-01 도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7105264B2 (ko)
JP (1) JP2005079010A (ko)
KR (1) KR100676155B1 (ko)
CN (1) CN1592528B (ko)
TW (1) TWI262035B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005062356A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Seiko Epson Corp パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
JP4273871B2 (ja) * 2003-08-12 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JP2006302679A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Seiko Epson Corp 導電膜の形成方法、及び電子機器の製造方法
US8945686B2 (en) * 2007-05-24 2015-02-03 Ncc Method for reducing thin films on low temperature substrates
JP2008240092A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Brother Ind Ltd 成膜装置及び成膜方法
US20090011143A1 (en) * 2007-06-22 2009-01-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pattern forming apparatus and pattern forming method
KR100951320B1 (ko) * 2007-07-26 2010-04-05 주식회사 엘지화학 레이저 조사에 의한 전기전도성 구리 패턴층의 형성방법
WO2009044800A1 (ja) * 2007-10-03 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. 電極の製造方法、電子回路パターン、薄膜トランジスタ素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
CN101770524B (zh) * 2008-12-31 2012-04-18 英业达股份有限公司 线路图的线段换层方法
TWI524244B (zh) 2010-05-04 2016-03-01 Winsky Technology Ltd Touch panel and manufacturing method thereof
ITRM20110184A1 (it) * 2011-04-12 2012-10-13 Dyepower Procedimento di sinterizzazione di formulazioni a base di ossidi metallici.
KR101259352B1 (ko) * 2011-06-24 2013-04-30 한국과학기술원 레이저를 이용한 선택적 금속패턴 형성방법
US20130100390A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Yewen Wang Liquid Crystal Substrate and Manufacturing Method thereof, and Liquid Crystal Display Device
WO2013121912A1 (ja) * 2012-02-15 2013-08-22 コニカミノルタ株式会社 透明電極の製造方法、透明電極および有機電子素子
KR101713791B1 (ko) * 2012-03-05 2017-03-08 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨 플렉서블 회로
US10358723B2 (en) * 2012-08-16 2019-07-23 University Of Central Florida Research Foundation, Inc. System and method for surface modification by laser diffusion
KR102138625B1 (ko) * 2013-12-23 2020-07-29 엘지디스플레이 주식회사 박막 형성 장치
JP6241999B2 (ja) * 2014-02-21 2017-12-06 国立大学法人金沢大学 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及び走査型プローブ顕微鏡
KR102181239B1 (ko) 2014-09-03 2020-11-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 장치 및 그를 이용한 박막 형성 방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4931323A (en) * 1987-12-10 1990-06-05 Texas Instruments Incorporated Thick film copper conductor patterning by laser
US4942110A (en) * 1988-08-29 1990-07-17 Xerox Corporation High resolution conductor patterning
JP2616040B2 (ja) * 1989-08-31 1997-06-04 松下電器産業株式会社 厚膜回路基板の製造方法
JPH03262187A (ja) * 1990-03-13 1991-11-21 Fujitsu Ltd パターン形成方法
JPH0521387A (ja) 1991-07-14 1993-01-29 Sony Corp 金属薄膜の低抵抗化方法
US5685939A (en) * 1995-03-10 1997-11-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for making a Z-axis adhesive and establishing electrical interconnection therewith
US6348295B1 (en) * 1999-03-26 2002-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging
JP2001168061A (ja) 1999-09-27 2001-06-22 Toshiba Corp レーザ照射により半導体基板上に成膜を形成するためのターゲット及びその製造方法
TW476108B (en) 1999-09-27 2002-02-11 Toshiba Corp Target for providing film on semiconductor substrate using laser emission and method of making the same
US20030146019A1 (en) * 2001-11-22 2003-08-07 Hiroyuki Hirai Board and ink used for forming conductive pattern, and method using thereof
JP2004143571A (ja) * 2001-11-22 2004-05-20 Fuji Photo Film Co Ltd 導電パターン描画用基板およびインク、ならびに導電パターンの形成方法
JP2003215816A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性パターン材料及び導電性パターン形成方法
JP4487471B2 (ja) * 2002-07-03 2010-06-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 導電路又は電極の形成方法
US20060003262A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Eastman Kodak Company Forming electrical conductors on a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20050095866A1 (en) 2005-05-05
KR20050024224A (ko) 2005-03-10
CN1592528A (zh) 2005-03-09
JP2005079010A (ja) 2005-03-24
TW200511887A (en) 2005-03-16
US7105264B2 (en) 2006-09-12
TWI262035B (en) 2006-09-11
CN1592528B (zh) 2011-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100676155B1 (ko) 도전막 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기
KR100613160B1 (ko) 성막 방법, 배선 패턴의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR100684702B1 (ko) 뱅크의 형성 방법 및 배선 패턴의 형성 방법, 전기 광학장치 및 전자 기기
KR100608122B1 (ko) 패턴의 형성 방법 및 배선 패턴의 형성 방법
KR100707265B1 (ko) 패턴의 형성 방법
TWI244363B (en) Pattern forming method, pattern forming apparatus and manufacturing method thereof, conductive film wiring, opto-electronic device, and electronic machine
KR100690547B1 (ko) 박막 패턴의 형성 방법 및 디바이스의 제조 방법, 전기광학 장치 및 전자 기기
JP2003142802A (ja) 線パターンの形成方法、線パターン及び電気光学装置
TWI285800B (en) Method for forming photoresist pattern, method for forming wiring pattern, method for making semiconductor devices, electro-optical device and electronic apparatus
TW200425213A (en) Device, method of manufacturing the same, electro-optic device, and electronic equipment
KR100679963B1 (ko) 열처리 방법, 배선 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치의제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기
KR100597348B1 (ko) 배선 패턴의 형성 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 전기광학 장치 및 전자 기기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141222

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151221

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171220

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181219

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191220

Year of fee payment: 14