KR100684702B1 - 뱅크의 형성 방법 및 배선 패턴의 형성 방법, 전기 광학장치 및 전자 기기 - Google Patents

Abstract

본 발명은 생산성 좋게, 양호한 형상의 뱅크를 형성할 수 있는 뱅크의 형성 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 승화성 재료를 함유하는 승화층(2)이 마련된 기재(1)에 대하여 광을 조사하여, 승화성 재료를 승화함으로써, 기재(1) 상에 이 기재(1)의 소정 영역을 구획하는 뱅크(B)를 형성한다.

뱅크 형성, 승화성 재료, 승화층

Description

뱅크의 형성 방법 및 배선 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기{METHOD OF FORMING BANK AND METHOD OF FORMING WIRING PATTERN, ELECTROOPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}

도 1은 본 발명의 뱅크의 형성 방법에 사용하는 뱅크 형성 장치의 일실시 형태를 나타내는 개략 구성도.

도 2는 본 발명의 뱅크의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 모식도.

도 3은 본 발명의 뱅크의 형성 방법에 사용하는 뱅크 형성 장치 다른 실시 형태를 나타내는 개략 구성도.

도 4은 본 발명의 뱅크의 형성 방법의 다른 실시 형태를 나타내는 모식도.

도 5는 본 발명의 뱅크의 형성 방법의 다른 실시 형태를 나타내는 모식도.

도 6은 본 발명의 뱅크의 형성 방법의 다른 실시 형태를 나타내는 모식도.

도 7은 본 발명의 배선 패턴의 형성 방법의 일실시 형태를 나타내는 모식도.

도 8은 본 발명의 배선 패턴의 형성 방법에 사용하는 토출 헤드를 나타내는 개략 구성도.

도 9은 본 발명의 배선 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 배선 패턴을 가진 전기 광학 장치의 일례를 나타내는 플라즈마 디스플레이의 분해 사시도.

도 10은 본 발명의 뱅크의 형성 방법에 의해 형성된 뱅크를 사용하여 제조되 는 전기 광학 장치의 일례를 나타내는 도면으로서, 액정 표시 장치의 칼라 필터의 제조 공정의 일례를 나타낸 도면.

도 11은 본 발명의 뱅크의 형성 방법에 의해 형성된 뱅크를 사용하여 제조되는 전기 광학 장치의 일례를 나타내는 도면으로서, 유기 EL 표시 장치를 나타내는 측단면도.

도 12는 본 발명의 전기 광학 장치를 가진 전자 기기의 일례를 나타내는 도면.

도 13은 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여 마이크로렌즈를 형성하는 순서를 나타내는 모식도.

도 14는 마이크로렌즈를 포함하는 칼라 필터의 일실시 형태를 나타내는 도면.

도 15는 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여 형성한 DNA 칩의 일실시 형태를 나타내는 모식도.

도 16은 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여 DNA 칩을 형성하는 순서를 나타내는 모식도.

[부호의 설명]

1…기재, 2…승화층, 3…홈, 4…광열 변환층, 5…저부, 11…광원

13…흡인 장치, 15…마스크, 20…토출 헤드, B…뱅크

본 발명은 기재 상의 소정 영역을 구획하는 뱅크의 형성 방법, 및 그 뱅크를 사용한 배선 패턴의 형성 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기에 관한 것이다.

종래부터, 반도체 집적회로 등의 미세한 배선 패턴을 가진 디바이스의 제조 방법으로서 포토리소그래피법이 많이 사용되고 있지만, 액적 토출법(잉크젯법)을 사용한 디바이스의 제조 방법이 주목받고 있다. 액적 토출법을 사용하여 미세한 배선 패턴을 형성하는 경우, 패턴 선폭의 정밀도를 좋게 하기 위해, 기재 상에 칸막이 부재인 뱅크를 마련하고, 그 뱅크간에 기능액의 액적을 배치하는 방법이 제안되어 있다. 또한, 일본 특개평6-347637호 공보(특허문헌 1)에는, 뱅크(블랙 매트릭스)의 간극(間隙)에 액적 토출법을 사용하여 특정 표면장력을 가진 기능액을 배치하는 기술이 개시되어 있고, 그 뱅크(블랙 매트릭스)는 포토리소그래피법에 의해 형성되어 있다. 또한, 일본 특개2001-130141호 공보(특허문헌 2)에는, 전사층이 마련된 도너 시트와 기판을 밀착시켜, 도너 시트에 레이저광을 조사함으로써 전사층의 일부를 기판에 전사하고, 그 전사된 전사층을 뱅크로서 사용하는 기술이 개시되어 있다.

그러나, 상기 종래 기술에는 이하에서 기술하는 문제가 존재한다. 상기 특허 문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 포토리소그래피법에 의해 뱅크를 형성하는 경우, 현상 처리를 비롯한 많은 프로세스 처리를 필요로 하여 생산성이 낮다. 또한, 상기 특허 문헌 2에 개시되어 있는 바와 같이, 도너 시트로부터 기판에 뱅크를 전사하는 경우, 전사 상태가 나쁘면 기판 상에 형성된 뱅크의 형상이 열화한다.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 생산성 좋고, 양호한 형상의 뱅크를 형성할 수 있는 뱅크의 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 그 뱅크를 사용하여 배선 패턴을 형성하는 배선 패턴의 형성 방법, 그 배선 패턴을 가진 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 뱅크의 형성 방법은 승화성 재료를 함유하는 승화층이 마련된 기재에 대해서 광을 조사하여, 상기 승화성 재료를 승화시킴으로써, 상기 기재 상에 그 기재의 소정 영역을 구획하는 뱅크를 형성하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 승화성 재료는 승화성 색소를 함유한다. 본 발명에 의하면, 승화층을 가진 기재에 광을 조사함으로써, 그 조사한 광에 의거하여 열에 의해 승화성 재료를 승화시켜 기재 상으로부터 제거할 수 있으므로, 형성하고자 하는 뱅크 패턴에 따른 영역에 대해서 광을 조사함으로써, 그 조사 영역의 승화성 재료를 제거하여 소망한 패턴을 가진 뱅크를 기재 상에 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 광조사 영역에 해당하는 부분의 승화성 재료를 제거함으로써 뱅크를 형성하는 구성으로서, 종래와 같은 전사 공정을 행하지 않고 뱅크를 형성할 수 있기 때문에, 전사 얼룩 등에 기인하는 뱅크 형상의 열화를 방지할 수 있다.

본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 상기 기재 상에, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층이 마련되어 있는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 조사한 광의 광에너지를 효율 좋게 열에너지로 변환하여, 그 열에너지를 승화층의 승화성 재료에 공여하여, 승화성 재료를 승화시켜 기재 상으로부터 제거할 수 있다. 특히, 상기 광열 변환층을, 상기 기재와 상기 승화층의 사이에 마련하여 승화층을 외부에 대해서 개방 상태(노출 상태)로 둠에 의해, 승화성 재료를 외부로 원활히 방출(승화)할 수 있다. 또한, 본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 상기 기재에 광열 변환 재료를 혼재시키는 구성을 채용할 수도 있고, 상기 승화층에 광열 변환 재료를 혼재시키는 구성을 채용할 수도 있다. 이러한 구성이라도, 조사한 광의 광에너지를 열에너지로 변환하여, 그 열에너지를 승화성 재료에 공여할 수 있다.

본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 상기 승화층에, 액체에 대한 친화성을 조정하는 조정 재료가 혼재되어 있는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 뱅크를 형성한 뒤, 그 뱅크에 대해서 기능액을 배치하는 경우에서, 배치하는 기능액의 위치나 젖어퍼진 상태를 제어할 수 있다. 이 경우에서, 상기 액체에 대한 친화성이 각각 다른 복수의 승화층이 적층되어 있는 구성을 채용할 수 있다. 이것에 의해, 배치하는 기능액의 위치나 젖어퍼진 상태를 소망 상태로 더 제어할 수 있게 된다. 특히, 상기 기재 상에, 제1 승화층과 그 제1 승화층으로부터 발액성을 갖는 제2 승화층이 이 순서로 적층되어 있는 구성을 채용함으로써, 예를 들면 형성 후의 뱅크간에 기능액을 배치하는 경우, 뱅크간의 저부 근방에서 기능액을 양호하게 젖어퍼지게 할 수 있고, 또한, 뱅크의 상면을 포함하는 상부 근방에 기능액이 배치된 경우에도, 상부의 발액 영역에 의해 그 상부 근방의 기능액을 뱅크간의 저부에 흘러떨어지게 하여 배치할 수 있다. 또한, 뱅크를 형성하는 승화층에 미리 조정 재료 를 혼재시켜 두는 구성 외에, 상기 광을 조사한 뒤, 액체에 대한 친화성을 조정하는 표면 처리를 행하도록 해도 좋다. 이렇게 함에 의해서도, 기능액을 뱅크간에 양호하게 배치할 수 있다.

본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 상기 기재의 상기 승화층이 마련된 한쪽 면측으로부터 상기 광을 조사하는 구성을 채용할 수 있고, 상기 기재의 상기 승화층이 마련되어 있지 않은 다른쪽 면측으로부터 상기 광을 조사하는 구성을 채용할 수도 있다. 한쪽 면측으로부터 광을 조사하는 경우, 기재를 거치지 않으므로 승화층 또는 광열 변환층에 광을 조사할 수 있으므로, 예를 들면 기재를 거침에 기인하는 광의 회절이나 산란에 의한 광조사 위치의 흔들림 등의 발생을 없게 하여, 소망한 위치에 광을 조사하여 소망한 형상을 가진 뱅크를 형성할 수 있다. 또한, 다른쪽 면측으로부터 광을 조사하는 경우, 기재와 승화층 사이에 광열 변화층을 마련해 둠으로써, 광을 기재를 거쳐서 광열 변환층에 대하여 직접적으로 조사할 수 있어, 광에너지를 열에너지로 효율 좋게 변환하고, 그 열에너지를 승화층에 공여할 수 있다. 이 경우, 열 에너지를 공여한 승화층의 승화성 재료는 외부로 원활히 방출(승화)된다.

본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 상기 광은 레이저광이며, 상기 광열 변환 재료에 따른 파장을 가진 광을 조사하는 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 광열 변환 재료에 조사한 광에너지를 효율 좋게 열에너지로 변환할 수 있다.

본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 소정의 패턴을 가진 마스크를 거쳐서, 광을 상기 기재에 조사하는 구성을 채용할 수 있다. 이것에 의해, 조사하는 광의 광 속 지름 이하의 미세한 뱅크 패턴을 형성할 수 있다. 한편, 상기 광에 대해서 상기 기재를 상대 이동시키면서, 조사를 행하는 구성을 채용할 수도 있다. 즉, 조사하는 광(레이저광)과 기재를 상대 이동하여 뱅크 패턴을 묘화하도록 해도 좋고, 이 구성에 의하면 마스크를 제조하는 공정을 생략할 수 있다.

본 발명의 뱅크의 형성 방법에서, 상기 기재로부터 분리한 재료를 흡인 제거하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 승화한 승화성 재료를 비롯하여 기재로부터 분리한 재료를 흡인함으로써 그 재료를 제거할 수 있어, 분리(승화)한 재료가 기재에 다시 부착한다는 결점의 발생을 방지할 수 있다.

본 발명의 배선 패턴의 형성 방법은, 상기 기재의 뱅크의 형성 방법에 의해 형성된 뱅크간에 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 액적을 배치시켜 상기 기재 상에 배선 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 액적 토출법에 의거하여, 소비하는 재료의 낭비를 억제하면서, 미세한 배선 패턴을 양호하게 형성할 수 있다.

본 발명의 전기 광학 장치는 상기 기재의 배선 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 배선 패턴을 가진 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 전자 기기는, 상기 기재의 전기 광학 장치를 가진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 액적 토출법에 의거하여 형성된 미세한 배선 패턴을 갖고, 소망한 성능을 발휘할 수 있는 전기 광학 장치 및 그것을 가진 전기 기기를 제공할 수 있다. 또한, 전기 광학 장치로는 액정 표시 장치, 유기 EL(일렉트로루메네선스) 표시 장치, 및 플라즈마 표시 장치 등을 들 수 있다.

뱅크는 기재 상의 소정 영역을 구획하는 칸막이 부재로서, 배선 패턴 등의 패턴 선폭의 정밀도를 좋게 하기 위한 뱅크, 액정 표시 장치의 칼라 필터에 마련되어, 서로 이웃하는 화소끼리를 격리하는 뱅크(블랙 매트릭스), 및 유기 EL 표시 장치에 마련되어, 서로 이웃하는 화소 끼리를 격리하는 뱅크 등을 포함한다.

상술한 액적 토출법은 토출 헤드를 구비한 액적 토출 장치를 사용하여 실현되고, 그 액적 토출 장치는 잉크젯 헤드를 구비한 잉크젯 장치를 포함한다. 잉크젯 장치의 잉크젯 헤드는, 잉크젯법에 의해 기능액을 함유하는 액상체 재료의 액적을 정량적으로 토출할 수 있고, 예를 들면 1도트당 1∼300나노그램의 액상체 재료를 정량적으로 단속(斷續)하여 적하할 수 있는 장치이다. 또한, 액적 토출 장치로는 디스펜서 장치여도 좋다.

액상체 재료라 함은 액적 토출 장치의 토출 헤드의 토출 노즐로부터 토출 가능(적하 가능)한 점도를 구비한 매체를 말한다. 수성이든 유성이든 관계없다. 토출 노즐 등으로부터 토출가능한 유동성(점도)을 구비하고 있으면 충분하고, 고체 물질이 혼입해 있어도 전체로서 유동체이면 좋다. 또한, 액상체 재료에 함유되는 재료는 융점 이상으로 가열되어 용해된 것이어도, 용매 중에 미립자로서 교반된 것이어도 좋고, 용매 외에 염료나 안료 기타 기능성 재료를 첨가한 것이어도 좋다.

또한, 상기 기능액으로는 기능성 재료를 함유하는 액상체 재료로서, 기재 상에 배치함으로써 소정의 기능을 발휘하는 것이다. 기능성 재료로는, 칼라 필터를 포함하는 액정 표시 장치를 형성하기 위한 액정 표시 장치 형성용 재료, 유기 EL(일렉트로루미네선스) 표시 장치를 형성하기 위한 유기 EL 표시 장치 형성용 재료, 플라즈마 표시 장치를 형성하기 위한 플라즈마 표시 장치 형성용 재료, 및 전력을 유통하는 배선 패턴을 형성하기 위한 금속을 함유하는 배선 패턴 형성용 재료 등을 들 수 있다.

[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]

＜뱅크의 형성 방법＞

이하, 본 발명의 뱅크의 형성 방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 뱅크의 형성 방법에 사용되는 뱅크 형성 장치의 일실시 형태를 나타내는 개략 구성도이다. 도 1에서, 뱅크 형성 장치(10)는 소정의 파장을 가진 레이저 광속을 사출하는 레이저 광원(11)과, 처리 대상인 기재(1)를 지지하는 스테이지(12)를 구비하고 있다. 기재(1)의 상면에는 승화성 재료를 함유하는 승화층(2)이 마련되어 있다. 레이저 광원(11) 및 기재(1)를 지지하는 스테이지(12)는 챔버(14)내에 배치되어 있다. 챔버(14)에는 이 챔버(14)내의 가스를 흡인가능한 흡인 장치(13)가 접속되어 있다. 본 실시 형태에서는, 레이저 광원(11)으로서 근적외 반도체 레이저(파장 830nm)가 사용된다.

여기서, 이하의 설명에서, 수평면내에서의 소정 방향을 X축 방향, 수평면내에서 X축 방향과 직교하는 방향을 Y축 방향, X축 및 Y축의 각각에 직교하는 방향(연직 방향)을 Z축 방향으로 한다.

스테이지(12)는 기재(1)를 지지한 상태로 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동 가능하게 마련되어 있고, 기재(1)는 스테이지(12)의 이동에 의해 광원(11)으로부터 사출된 광속에 대해서 이동가능하게 되어 있다. 또한, 스테이지(12)는 Z축 방향으 로도 이동가능하게 되어 있다. 여기서, 광원(11)과 스테이지(12)로 지지된 기재(1)의 사이에는 도시하지 않은 광학계가 배치되어 있다.

기재(1)를 지지한 스테이지(12)는 Z축 방향으로 이동함으로써, 상기 광학계의 초점에 대한 기재(1)의 위치를 조정할 수 있게 되어 있다. 또한 광원(11)으로부터 사출된 광속은 스테이지(12)로 지지되어 있는 기재(1)(승화층(2))를 조사하도록 되어 있다.

기재(1)로는, 예를 들면 유리 기판이나 투명성 고분자 등을 사용할 수 있다. 투명성 고분자로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리설폰 등을 들 수 있다. 투명성 고분자에 의해 기재(1)를 형성한 경우, 그 두께는 10∼500㎛인 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 예를 들면, 기재(1)를 띠모양으로 형성하여 롤상으로 감을 수 있고, 회전 드럼 등에 유지시키면서 반송(이동)할 수도 있다.

또한, 여기서는 기재(1)를 XY방향으로 병진 이동하는 스테이지(12)로 지지하고 있지만, 기재(1)를 회전 드럼에 유지시키는 경우, 회전 드럼은 수평 병진 방향(주사 방향, X방향), 회전 방향(Y방향), 및 연직 방향(Z축 방향)으로 이동할 수 있다.

승화층(2)은 바인더 수지에 용해 또는 분산시킨 승화성 색소를 함유하고 있다. 또한 바인더가 없는 구성도 가능하다. 승화성 재료로는 공지의 승화성 재료(승화성 색소)를 사용할 수 있고, 예를 들면 일본 특개평6-99667호 공보에 개시되어 있는 분산 염료, 염기성 염료, 유용(油溶)성 염료, 일본 특개2001-514106호 공보에 개시되어 있는 재료를 사용할 수 있다. 또한, 옐로우(Y) 승화성 재료로서, 피리돈아조계, 디시아노스티릴계, 퀴노프타론계, 마젠다(M) 승화성 재료로서, 안트라퀴논계, 트리시아노스티릴계, 벤젠아조계, 시안(C) 승화성 재료로서, 안트라퀴톤계, 인도페놀계, 인도나프톨계 등을 들 수 있다. 또한, 승화층(2)은 한층으로 형성해도 좋고, 2층 이상의 복수층으로 형성해도 좋다.

승화층(2)에 바인더 수지를 사용하는 경우, 공지의 바인더 수지를 사용할 수 있고, 예를 들면, 폴리아미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리아크릴계 수지(예를 들면 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴아미드, 폴리스티렌-2-아크릴로니트릴), 폴리비닐피롤리돈을 비롯한 비닐계 수지, 폴리염화비닐계 수지(예를 들면 염화비닐-아세트산비닐 공중합체), 폴리카보네이트계 수지, 폴리스티렌, 폴리페닐렌옥사이드, 셀룰로스계 수지(예를 들면 메틸셀룰로스, 에틸셀룰로스, 카복시메틸셀룰로스, 셀룰로스아세테이트 수소 프탈레이트, 아세트산셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트, 셀룰로스아세테이트 부티레이트, 셀룰로오스트리아세테이트), 폴리비닐알콜계 수지(예를 들면 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 부분 검화 폴리비닐알콜), 석유계 수지, 로진 유도체, 쿠마론-인덴 수지, 테르펜계 수지, 폴리올레핀계 수지(예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌) 등을 사용할 수 있다.

상기 색소 및 바인더 수지를 용해 또는 분산하기 위한 유기용매로는 1가 알콜을 함유하는 것이 사용된다. 예를 들면, n-부틸알콜(b.p. 117.4℃), 이소부틸알콜(b.p. 108.1℃), sec-부틸알콜(b.p. 100℃), n-아밀알콜(b.p. 138℃), 이소아밀 알콜(b.p. 132℃), 헥실알콜(b.p. 155.7℃) 등이다. 또한, 상기의 알콜류와 다른 유기용매를 혼합하여 사용해도 좋다. 혼합하여 사용하는 유기용매로는, 공지의 용제를 사용할 수 있고, 구체적으로는, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족류, 디클로로메탄, 트리클로로에탄 등의 할로겐류, 아세트산에틸, 부틸산프로필 등의 에스테르류, 디옥산, 테트라히드로푸란 등, 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.

승화층(2)은 일반적인 필름 코팅 방법, 예를 들면, 압출 코팅 방법, 스핀 코팅 방법, 그라비아 코팅 방법, 리버스 롤 코팅 방법, 로드 코팅 방법, 마이크로 그라비아 코팅 방법 등에 의해, 기재(1)상에 형성할 수 있다. 이들 승화층(2)의 코팅 방법에서는, 기재(1)의 표면에 대전한 정전기를 제전(除電)하여 승화층 형성용 기능액을 균일하게 기재(1)에 형성하는 것이 바람직하고, 각 방법에 사용되는 장치에는 제전 장치가 부착되어 있는 것이 바람직하다.

다음에, 도 2를 참조하면서 뱅크의 형성 순서에 대해서 설명한다. 도 2(a)에 나타내는 바와 같이, 기재(1)의 승화층(2)이 마련된 상면측으로부터, 소정의 광속 지름을 갖는 레이저 광속을 조사한다. 레이저 광속을 조사함으로써, 그 조사 위치에 대응하는 기재(1) 및 기재(1)상의 승화층(2)이 가열된다. 조사한 레이저 광속에 의거하여 발생한 열에 의해 승화층(2)의 승화성 재료가 승화하여, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 조사 위치에 대응하는 승화성 재료(승화층(2))가 기재(1)로부터 제거된다. 이것에 의해, 뱅크(B,B)가 형성되어, 뱅크(B,B)간의 홈(3)에서 기재(1)가 노출된다.

이 때, 조사하는 레이저 광속에 대해서 스테이지(12)를 XY 평면을 따라 이동함에 의해, 그 스테이지(12)의 이동 궤적에 따른 홈(3)이 묘화된다. 이렇게 해서, 기재(1)의 소정 영역을 구획하는 뱅크 패턴이 기재(1)상에 형성된다.

광의 조사에 의해 승화한 승화성 재료나, 승화성 재료와 함께 기재(1)로부터 분리한 재료는 챔버(14)내를 부유하지만, 흡인 장치(13)를 구동하여 챔버(14)내의 가스를 흡인함에 의해, 그 기재(1)로부터 분리한 재료를 회수할 수 있다. 따라서, 기재(1)로부터 분리한 재료가 기재(1)나 홈(3) 또는 뱅크(B)에 다시 부착해버리는 결함의 발생이 방지된다.

이상 설명한 바와 같이, 승화층(2)을 가진 기재(1)에 광을 조사함으로써, 그 조사한 광에 의거하여 발생한 열에 의해서 승화성 재료를 승화시켜 기재(1) 상으로부터 제거할 수 있으므로, 형성하고자 하는 뱅크 패턴에 따른 영역에 대하여 광을 조사함으로써, 그 조사 영역의 승화성 재료를 제거하여 소망한 패턴을 가진 뱅크(B)를 기재(1)상에 형성할 수 있다. 또한, 광조사 영역에 해당하는 부분의 승화성 재료를 제거함으로써 뱅크(B)를 형성하기 때문에, 종래와 같은 전사 공정을 행하지 않고 뱅크(B)를 형성할 수 있기 때문에, 전사 얼룩 등에 기인하는 뱅크 형상의 열화를 방지할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 기재(1)를 지지한 스테이지(12)를 이동함으로써 뱅크(B)(홈(3))을 기재(1)상에 묘화하고 있지만, 물론, 기재(1)를 정지한 상태로 조사하는 광속을 이동하게 해도 좋고, 기재(1)와 광속의 쌍방을 이동하게 해도 좋다. 또한, 기재(1)를 이동하는 경우, 스테이지(12)에 XY 평면내를 이동하는 구성 외에, 상술한 바와 같이 회전 드럼에 유지시킨 상태로 이동하는 구성도 가능하다.

또한, 본 실시 형태에서는, 뱅크를 형성하기 위한 재료층(승화층)은 승화성 재료를 함유하는 구성이며, 광조사에 의거하여 발생하는 열에너지에 의해 승화성 재료를 제거하지만, 뱅크를 형성하기 위한 재료층으로는 승화성 재료를 함유하지 않은 구성이라도 좋고, 레이저광을 조사하여 어브레이션 가능한 재료이면 임의의 재료를 사용할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에서는, 조사한 광에 의거하여 발생하는 열에너지에 의해 승화성 재료를 제거하여 뱅크를 형성하는 구성이지만, 기재에 대해서 예를 들면 써멀 헤드 등을 사용하여 열에너지를 공여하여, 그 열에너지로 승화성 재료를 제거할 수도 있다.

뱅크 패턴을 형성할 때, 도 3에 나타내는 바와 같이, 형성하고자 하는 뱅크 패턴에 따른 패턴을 가진 마스크(15)에 대해서 광속을 조사하고, 마스크(15)를 거친 광을 기재(1)(승화층(2))에 조사하도록 해도 좋다. 도 3에 나타내는 예에서, 마스크(15)는, 마스크(15)를 투과한 광을 통과하기 위한 개구부(16A)를 가진 마스크 지지부(16)로 지지되어 있다. 광원(11)으로부터 사출된 광속은 광학계(17)에 의해 균일한 조도 분포를 가진 조명광으로 변환된 뒤, 마스크(15)를 조명한다. 마스크(15)를 통과한 광은 스테이지(12)로 지지되어 있는 기재(1)(승화층(2))를 조사하고, 그 조사된 광에 의거하여 발생하는 열에 의해 승화성 재료가 승화되어, 뱅크 패턴이 형성된다. 마스크(15)를 사용함으로써, 레이저 광원(11)으로부터 사출된 광속의 지름보다 미세한 뱅크 패턴을 형성할 수 있다. 한편, 도 1을 참조하여 설 명한 바와 같이, 광속과 기재(1)를 상대 이동시키면서 뱅크(B)(홈(3))를 묘화함에 의해 마스크(15)를 제조하는 수고가 생략된다.

또한, 도 3에 나타내는 예에서는, 마스크(15)와 기재(1)(승화층(2))를 분리한 상태로, 기재(1)(승화층(2))에 대해서 광을 조사하고 있지만, 마스크(15)와 기재(1)(승화층(2))를 밀착시킨 상태로 마스크(15)에 광을 조사하고, 그 마스크(15)를 거친 광을 기재(1)(승화층(2))에 조사하도록 해도 좋다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 기재(1)의 승화층(2)이 마련되어 있지 않은 이면측으로부터, 기재(1)에 대해서 광속을 조사하도록 해도 좋다. 이 경우, 기재(1)는 광속을 투과할 수 있는 투명 재료로 형성되어 있다. 이렇게 함에 의해서도, 승화층(2)의 승화성 재료는 조사된 광에 의해 가열되므로, 조사 위치에 대응한 위치의 승화성 재료(승화층(2))를 제거하여 뱅크(B)를 형성할 수 있다. 또한, 기재(1)의 이면측으로부터 기재(1)를 거쳐서 승화층(2)에 광을 조사하는 구성의 경우, 광은 기재(1)를 통과할 때 산란(회절)할 가능성이 있기 때문에, 그 산란 상태를 미리 계측해 두어, 승화층(2)의 소망 위치에 광이 조사되도록, 상기 계측 결과에 의거하여 조사 조건을 조정하면서 기재(1)의 이면측으로부터 광을 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 기재(1)의 표면측 및 이면측의 쌍방으로부터 광을 조사해도 상관없다.

도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 기재(1)와 승화층(2) 사이에, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층(4)을 마련할 수 있다. 이렇게 함으로써, 조사한 레이저 광속의 광에너지를 효율 좋게 열에너지로 변환하 고, 도 5(b)로 나타내는 바와 같이, 그 광열 변환층(4)과 인접하는 승화층(2)의 승화성 재료를 양호하게 승화할 수 있다. 또한, 광열 변환층(4)을, 기재(1)의 승화층(2)이 마련되어 있지 않은 이면측에 마련하도록 할 수도 있다.

광열 변환층(4)을 구성하는 광열 변환 재료로는 공지의 것을 사용할 수 있고, 레이저광을 효율좋게 열로 변환할 수 있는 재료이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 알루미늄, 그 산화물 및／또는 그 황화물로 이루어지는 금속층이나, 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 흡수 색소 등이 첨가된 고분자로 이루어지는 유기층 등을 들 수 있다. 적외선 흡수 색소로는 안트라퀴논계, 디티올니켈착체계, 시아닌계, 아조코발트착체계, 디인모늄계, 스쿠왈륨계, 프탈로시아닌계, 나프탈로시아닌계 등을 들 수 있다. 또한, 에폭시 수지 등의 합성 수지를 바인더로 하고, 그 바이더 수지에 상기 광열 변환 재료를 용해 또는 분산시켜 기재(1) 상에 마련하도록 해도 좋다. 또한, 바인더에 용해 또는 분산시키지 않고, 상기 광열 변환 재료를 기재(1) 상에 마련하는 것도 물론 가능하다.

광열 변환층(4)으로서 상기 금속층을 사용하는 경우에는, 진공 증착법, 전자 빔 증착법, 또는 스퍼터링을 이용하여 기재(1)상에 형성할 수 있다. 광열 변환층(4)으로서 상기 유기층을 사용하는 경우에는, 일반적인 필름 코팅 방법, 예를 들면, 압출 코팅 방법, 스핀 코팅 방법, 그라비아 코팅 방법, 리버스 롤 코팅 방법, 로드 코팅 방법, 마이크로 그라비아 코팅 방법, 나이프 코팅 방법 등에 의해 기재(1)상에 형성할 수 있다.

여기서, 도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 광열 변환층(4)을 기재(1)와 승화층 (2)의 사이에 마련한 경우, 기재(1)의 이면측으로부터 광을 조사하는 것이 바람직하다. 이렇게 함에 의해, 조사한 광을 직접적으로 광열 변환층(4)에 조사할 수 있기 때문에, 조사한 광의 광에너지를 열에너지로 원활히 변환할 수 있어, 그 열에너지로 승화층(2)의 승화성 재료를 승화할 수 있다.

한편, 기재(1)의 표면측으로부터 광을 조사함에 의해서도, 그 조사한 광에너지를 광열 변환층(4)에서 열에너지로 변환하여, 그 열에너지로 승화층(2)의 승화성 재료를 승화할 수 있다. 또한, 광열 변환층(4)을 기재(1)와 승화층(2) 사이에 마련하여 승화층(2)을 외부에 대해서 개방 상태(노출 상태)로 둠으로써, 승화성 재료는 외부로 원활히 방출(승화)된다.

광열 변환층(4)을 마련한 경우, 광열 변환 재료에 따른 파장을 가진 광을 조사하는 것이 바람직하다. 즉, 사용하는 광열 변환 재료에 따라 양호하게 흡수하는 광의 파장 대역은 다르기 때문에, 광변환 재료에 따른 파장을 가진 광을 조사함에 의해, 광에너지를 열에너지로 효율 좋게 변환할 수 있다. 바꿔말하면, 조사하는 광에 따라 사용하는 광열 변환 재료를 선택한다. 본 실시 형태에서는, 레이저 광원으로서 근적외 반도체 레이저(파장 830nm)를 사용하기 때문에, 광열 변환 재료로는 적외선∼가시광선 영역의 광을 흡수하는 성질을 갖고 있는 재료를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 도 5를 참조하여 설명한 실시 형태에서는, 광열 변환 재료는 기재(1) 및 승화층(2)와는 독립한 층(광열 변환층(4))에 마련되어 있으나, 기재(1)에 광열 변환 재료를 혼재시키는 구성도 가능하고, 승화층(2)에 광열 변환 재료를 혼재시키 는 구성도 가능하다. 이러한 구성이라도, 조사한 레이저광의 광에너지를 열에너지로 변환하여, 그 열에너지를 승화성 재료에 공여할 수 있다. 광열 변환 재료를 승화층(2)에 혼재시키는 구성의 경우, 광을 조사함으로써 승화성 재료와 함께 광열 변환 재료도 기재(1)로부터 분리(제거)되기 때문에, 그 후의 프로세스 처리에 대해서 광열 변환 재료가 주는 영향을 억제할 수 있는 동시에, 디바이스 설계의 자유도를 향상할 수도 있다. 특히, 기재(1)를 유기 EL 표시 장치를 비롯한 표시 장치에 사용하는 경우, 잔존한 광열 변환층(4)이 표시색에 영향을 주는 결함이 생길 가능성이 있지만, 승화층(2)에 광열 변환 재료를 혼재시켜, 승화성 재료와 함께 광열 변환 재료를 제거함으로써, 상기 결함을 회피할 수 있다.

한편, 도 5에 나타낸 실시 형태와 같이, 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층(4)과 승화층(2)을 별개로 마련한 경우, 광을 조사한 후에도 기재(1)상에 광열 변환층(4)이 잔존하는 경우가 있지만, 예를 들면 광열 변환층(4)이 잔존하는 뱅크(B,B)간의 홈(3)에, 열처리 또는 광처리에 의해 도전성을 발현하는 재료를 함유하는 기능액을 배치하고, 기재(1)의 이면측으로부터 광열 변환층(4)에 광을 조사함으로써, 광열 변환층(4)으로부터 발생하는 열에 의해 상기 재료에 도전성을 발현시킬 수 있다. 여기서, 열처리 또는 광처리에 의해 도전성을 발현하는 재료로는 후술하는 유기은 화합물 등을 들 수 있다.

광열 변환 재료를 승화층(2)에 혼재시킨 구성의 경우, 기재(1)의 승화층(2)이 마련된 표면측으로부터 광을 조사한 편이, 직접적으로 광열 변환 재료에 광에너지를 공여할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 표면측으로부터 광을 조사한 편 이, 이면측으로부터 광을 조사하는 경우에 비해서, 기재(1)를 통과함에 의해 생기는 광의 산란(회절)이라는 결함이 생기지 않는다.

그런데, 승화층(2)에, 액체에 대한 친화성을 조정하는 조정 재료를 혼재시켜 둘 수 있다. 예를 들면, 승화층 형성용 기능액에, 액체에 대한 친화성을 조정하는 조정 재료를 미리 혼재시켜 두고, 그 후, 그 기능액을 기재(1)상에 도포함으로써, 상기 조정 재료가 혼재된 승화층(2)을 기재(1)상에 형성할 수 있다.

조정 재료로는, 발액성을 가진 재료, 예를 들면 함불소 화합물 또는 실리콘 화합물을 들 수 있다. 이렇게 함으로써, 승화층(2)으로 이루어지는 뱅크(B)에 발액성을 부여할 수 있다. 또한, 뱅크(B)에 발액성을 부여함에 의해, 예를 들면 액적 토출법에 의거하여 뱅크(B,B)간의 홈(3)에 대해서 기능액을 배치하는 경우에 있어서, 뱅크(B)의 상면을 포함하는 상부 근방에 기능액이 배치된 경우라도, 그 발액성에 의해 기능액을 뱅크(B,B)간의 홈(3)의 저부에 흘러떨어지도록 배치할 수 있어, 기능액을 소망 상태로 배치할 수 있다.

함불소 화합물로는, 예를 들면 분자내에 불소 원자를 함유하는 모노머, 올리고머 또는 중합체나, 불소 함유의 계면활성제 등을 들 수 있다. 또한, 이러한 함불소 화합물은 승화층(2)에 함유되는 바인더 수지에 상용하거나 또는 분산시킨 것이 바람직하다. 또한, 실리콘 화합물로는, 예를 들면 유기 폴리실록산을 주성분으로 하는 수지, 고무, 계면활성제, 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 함불소 화합물 및 실리콘 화합물의 쌍방을 승화층(2)에 혼재시켜도 좋고, 어느 하나를 혼재시켜도 좋다.

도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 액체(기능액)에 대한 친화성이 각각 다른 복수의 승화층(2A,2B)을 적층할 수 있다. 이것에 의해, 배치하는 기능액의 위치나 젖어퍼진 상태를 소망 상태로 더 제어할 수 있게 된다. 특히, 기재(1)상에, 승화층(2A)과 그 승화층(2A)보다 발액성을 가진 승화층(2B)를 이 순서로 적층함에 의해, 예를 들면 형성 후의 뱅크(B,B)간에 기능액을 배치하는 경우, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 뱅크(B,B)간의 홈(3)의 저부(5) 근방에서 기능액을 양호하게 젖어 퍼지게 할 수 있고, 또한, 뱅크(B,B) 상면(6)을 포함하는 상부 근방에 기능액이 배치된 경우라도, 상부의 발액 영역에 의해 그 상부 근방의 기능액을 뱅크(B,B)간의 홈(3)의 저부(5)로 흘러떨어지도록 배치할 수 있다.

또한, 승화층(2A,2B)의 발액성을 다르게 하기 위해서는, 예를 들면 각 승화층(2A,2B)의 각각에 혼재시키는 상기 조정 재료(함불소 화합물 또는 실리콘 화합물)의 양을 다르게 하거나, 또는, 승화층(2A)에 친액성을 갖는 조정 재료를 혼재시키면 좋다.

또한, 도 6에 나타내는 예에서는, 승화층(2A)은 기재(1)상에 직접 마련되어 있지만, 물론, 이 승화층(2A)과 기재(1) 사이에 광열 변환층(4)을 설치해도 좋다. 또한, 도 6에는, 2개의 승화층(2A,2B)을 적층한 예를 나타내고 있지만, 물론 3층 이상의 임의의 복수의 승화층을 적층할 수도 있다.

또한, 기재(1)와 승화층(2) 사이에, 광을 조사함에 의해 또는 가열함에 의해 가스를 발생하는 가스 발생 재료를 함유하는 가스 발생층을 설치해도 좋다. 가스 발생 재료는 광을 흡수하거나 광에너지로부터 변환된 열에너지를 흡수하면, 분해 반응을 일으켜 질소 가스나 수소 가스 등을 방출하는 것으로서, 발생한 가스에 의해 승화층(2)을 제거하는 에너지를 제공하는 역할을 갖는다. 이러한 가스 발생 재료로는, 4질산펜타에리트리톨 (pentaerythritol tetranitrate：PETN) 및 트리니트로톨루엔(trinitrotoluene：TNT)으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질 등을 들 수 있다.

또한, 광열 변환층(4)를 마련한 경우, 광열 변환층(4)과 승화층(2) 사이에, 광열 변환층(4)의 광열 변환 작용을 균일화하기 위한 중간층을 마련할 수 있다. 이러한 중간층 형성 재료로는, 상기 요건을 만족할 수 있는 수지 재료를 들 수 있다. 이러한 중간층은 소정의 조성을 가진 수지 조성물을 예를 들면 스핀 코팅 방법, 그라비아 코팅 방법, 다이 코팅법 등의 공지의 코팅 방법에 의거하여 광열 변환층(4)의 표면에 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 레이저 광속을 조사하면, 광열 변환층(4)의 작용에 의해, 광에너지가 열에너지로 변환되고, 이 열에너지가 중간층의 작용에 의해 더 균일화된다. 따라서, 광조사 영역에 해당하는 부분의 승화층(2)에는 균일한 열에너지가 공여된다.

＜실시예＞

기재(1)로서 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)제 시트를 사용하고, 그 PET제 시트상에 광열 변환층(4)을 마련하고, 그 광열 변환층(4)상에 승화층(2)을 마련하였다. 또한, 그 시트를 회전 드럼에 유지시켜, 회전 드럼을 130rpm으로 회전시키면서, 시트에 대해서 출력 11W의 근적외 반도체 레이저 장치로 파장 830nm의 레이저광을 조사하였다. 그 결과, 승화층(2)의 승화성 색소가 소실하였다. 또한, 그 광조사 영역에 대응하는 영역의 승화성 재료가 제거되었는지의 여부를, 테트라데칸에 대한 접촉각을 측정함으로써 확인하였다. 광조사 전의 승화층(2)의 테트라데칸에 대한 접촉각은 49도였지만, 광조사 후의 승화성 색소 소실 영역의 접촉각은 7도이며, 이것으로부터, 레이저 광조사에 의해서 승화층(2)의 일부가 제거된 것을 확인할 수 있었다.

＜배선 패턴의 형성 방법＞

이하, 상기 설명한 방법에 의해 형성한 뱅크(B,B)를 사용하여 기재(1)상에 배선 패턴을 형성하는 방법에 대해서 설명한다. 도 7은 형성된 뱅크(B)를 사용하여 기재(1)상에 배선 패턴을 형성하는 방법을 나타내는 모식도이다. 본 실시 형태에서는, 배선 패턴 형성용 재료를 기재(1)상에 배치 하기 위해서, 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 기능액의 액적을 토출하는 액적 토출법(잉크젯법)을 사용한다. 뱅크(B)는 기재(1)상에 미리 설정된 배선 패턴 형성 영역을 구획하도록 마련되어 있다. 액적 토출법에서는, 토출 헤드(20)와 기재(1)를 대향시킨 상태로, 뱅크(B,B)간의 홈(3)에 대해서 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 기능액의 액적이 토출 헤드(20)로부터 토출된다.

여기서, 액적 토출법의 토출 기술로는 대전 제어 방식, 가압 진동 방식, 전기열변환 방식, 정전 흡인 방식, 전기 기계 변환 방식 등을 들 수 있다. 대전 제어 방식은 재료에 대전 전극으로 전하를 부여하고, 편향 전극으로 재료의 비상 방향을 제어하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 또한, 가압 진동 방식은 재료에 30kg／㎠ 정도의 초과 고압을 인가하여 노즐 선단측에 재료를 토출시키는 것이 고, 제어 전압을 걸지 않은 경우에는 재료가 직진하여 토출 노즐로부터 토출되어, 제어 전압을 걸면 재료간에 정전적인 반발이 일어나, 재료가 비산하여 토출 노즐로부터 토출되지 않는다. 또한, 전기열변환 방식은, 재료를 저장한 공간내에 마련한 히터에 의해, 재료를 급격히 기화시켜 버블(기포)을 발생시켜, 버블의 압력에 의해서 공간내의 재료를 토출시키는 것이다. 정전 흡인 방식은 재료를 저장한 공간내에 미소 압력을 가하여, 토출 노즐에 재료의 매니스커스를 형성하고, 이 상태로 정전 인력을 가하므로 재료를 인출하는 것이다. 전기 기계 변환 방식은 피에조 소자(압전소자)가 펄스적인 전기 신호를 받아 변형하는 성질을 이용한 것으로서, 피에조 소자가 변형함에 의해서 재료를 저장한 공간에 가요 물질을 거쳐서 압력을 주어, 이 공간으로부터 재료를 압출하여 토출 노즐로부터 토출시키는 것이다. 이 외에, 전기장에 의한 유체의 점성 변화를 이용하는 방식이나, 방전 불꽃으로 날리는 방식 등의 기술도 적용할 수 있다. 액적 토출법은 재료의 사용에 낭비가 적고, 또한 소망한 위치에 소망한 양의 재료를 적확하게 배치할 수 있는 이점을 갖는다. 또한, 액적 토출법에 의해 토출되는 액체 재료의 한 방울의 양은 예를 들면 1∼300나노그램이다. 본 실시 형태에서는 전기 기계 변환 방식(피에조 방식)을 사용한다.

도 8은 피에조 방식에 의한 기능액(액상체 재료)의 토출 원리를 설명하기 위한 도면이다.

도 8에서, 토출 헤드(20)는 기능액(배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 액상체 재료)을 수용하는 액체실(21)과, 그 액체실(21)에 인접하여 설치된 피에조 소자 (22)를 구비하고 있다. 액체실(21)에는, 기능액을 수용하는 재료 탱크를 포함하는 공급계(23)을 거쳐서 기능액이 공급된다. 피에조 소자(22)는 구동 회로(24)에 접속되어 있고, 이 구동 회로(24)를 거쳐서 피에조 소자(22)에 전압을 인가하여, 피에조 소자(22)를 변형시킴에 의해, 액체실(21)이 변형하고, 토출 노즐(25)로부터 기능액이 토출된다. 이 경우, 인가 전압의 값을 변화시킴에 의해 피에조 소자(22)의 변형량이 제어된다. 또한, 인가 전압의 주파수를 변화시킴에 의해 피에조 소자(22)의 변형 속도가 제어된다. 피에조 방식에 의한 액적 토출은 재료에 열을 가하지 않기 때문에, 재료의 조성에 영향을 주기 어렵다는 이점을 갖는다.

이하, 배선 패턴을 형성하는 순서에 대해서 설명한다. 상기 설명한 방법에 의해 뱅크(B,B)를 형성한 뒤, 우선, 뱅크(B,B)간의 홈(3)의 저부(5)(기재(1)의 노출부)의 잔사를 제거하는 잔사 처리를 행하는 것이 바람직하다. 잔사 처리로는 홈(3)의 저부(5)에 대해서 예를 들면 자외선(UV) 등의 광을 조사함에 의해, 광여기에 의해, 저부(5)에 잔존하는 특히 유기계의 잔사를 양호하게 제거할 수 있다. 또한, 광열 변환층(4)이 유기계의 재료에 의해 구성되어 있는 경우, 저부(5)(광열 변환층(4))에 대해서 자외선 등의 광을 조사함으로써, 저부(5)의 광열 변환층(4)을 제거할 수 있다. 또한, 잔사 처리로는 소정의 처리 가스로서 예를 들면 산소(O₂)를 함유하는 처리 가스를 사용한 O₂ 플라즈마 처리에 의해서도 잔사를 제거할 수 있다. 또한, 자외선 조사 처리나 O₂ 플라즈마 처리는 저부(5)(기재(1)의 노출부)에 대해서 친액성을 부여하는 친액화 처리로서의 역할도 가지며, 저부(5)(기재(1)의 노출부) 에 친액성을 부여함으로써 후술하는 바와 같이 기능액의 액적을 홈(3)에 배치했을 때, 그 기능액을 저부(5)에 양호하게 젖어퍼지게 할 수 있다.

이어서, 뱅크(B)에 대해 발액화 처리를 행하여, 그 표면에 발액성을 부여한다. 발액화 처리로는, 예를 들면 대기 분위기 중에서 테트라플루오로메탄을 처리 가스로 하는 플라즈마 처리법(CF₄ 플라즈마 처리법)을 채용할 수 있다. 또한, 처리 가스로는, 테트라플루오로메탄(4불화탄소)에 한정되지 않고, 다른 탄화불소계의 가스를 사용할 수도 있다. 또한, 기능액에 대한 발액성을 부여할 수 있는 것이면, 불소계 이외의 처리 가스를 사용해도 좋다. 또한, 발액화 처리로는 FAS(플루오로알킬실란)로 처리하는 방법(자기 조직화막법, 화학 기상 증착법 등)이나, 공역 도금법, 또는 금 티올로 발액화하는 방법 등, 공지의 여러 방법을 채용할 수 있다. 뱅크(B)에 발액성을 부여함으로써, 토출 헤드(20)로부터 토출된 액적의 일부가 뱅크(B)의 상면(6)에 놓여져도, 뱅크 표면이 발액성으로 되어 있으므로 뱅크(B)로부터 튕겨져, 뱅크(B,B)간의 홈(3)으로 흘러떨어지게 된다. 따라서, 토출된 기능액은 기재(1)상의 뱅크(B,B)간에 양호하게 배치된다.

또한, 뱅크(B,B)에 대한 발액화 처리에 의해, 먼저 친액화 처리한 뱅크간의 저부(5)(기재(1)의 노출부)에 대해 다소는 영향이 있지만, 특히 기재(1)가 유리 등으로 이루어지는 경우에는, 발액화 처리에 의한 불소기의 도입이 일어나지 않기 때문에, 기재(1)는 그 친액성을 실질상 손상시키지 않는다. 또한, 상술한 바와 같이, 뱅크(B)(승화층(2))에 미리 발액성을 가진 조정 재료를 혼재시켜 둠으로써, 이 발액화 처리 공정을 생략할 수 있다.

다음에, 토출 헤드(20)를 사용하여, 기재(1)상의 뱅크(B,B)간에 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 기능액의 액적을 배치하는 재료 배치 공정이 행해진다. 여기서는, 배선 패턴 형성용 재료를 구성하는 도전성 재료로서 유기은 화합물을 사용하고, 용매(분산매)로서 디에틸렌글리콜디에틸에테르를 사용하여, 그 유기은 화합물을 함유하는 기능액을 토출한다. 재료 배치 공정에서는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 토출 헤드(20)로부터 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 기능액을 액적으로 하여 토출한다. 토출된 액적은 기판(P)상의 뱅크(B,B)간의 홈(3)에 배치된다. 이 때, 액적이 토출되는 배선 패턴 형성 영역은 뱅크(B)에 의해 구획되어 있으므로, 액적이 소정 위치 이외로 퍼짐을 저지할 수 있다. 또한, 뱅크(B,B)에는 발액성이 부여되어 있기 때문에, 토출된 액적의 일부가 뱅크(B)상에 놓여져도 뱅크간의 홈(3)으로 흘러떨어지게 된다. 또한, 기재(1)가 노출되어 있는 홈(3)의 저부(5)는 친액성이 부여되어 있기 때문에, 토출된 액적이 저부(5)에서 보다 퍼지기 쉽게 되어, 이것에 의해 기능액은 소정 위치내에 균일하게 배치된다.

또한, 기능액으로는 도전성 미립자를 분산매에 분산한 분산액을 사용할 수도 있다. 도전성 미립자로는, 예를 들면, 금, 은, 동, 알루미늄, 팔라듐, 및 니켈 중의 적어도 어느 하나를 함유하는 금속 미립자 외에, 이들의 산화물, 및 도전성 폴리머나 초전도체의 미립자 등이 사용된다. 분산매로는 상기의 도전성 미립자를 분산할 수 있는 것으로 응집을 일으키지 않는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 물 외에, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 알콜류, n-헵탄, n-옥탄, 데칸, 도데칸, 테트라데칸, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 듀렌, 인덴, 디펜텐, 테트라히드로나프탈렌, 데카히드로나프타렌, 시클로헥실벤젠 등의 탄화수소계 화합물, 또한 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 1,2-디메톡시에탄, 비스(2-메톡시에틸)에테르, p-디옥산 등의 에테르계 화합물, 또한 프로필렌카보네이트, γ-부티로락톤, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭시드, 시클로헥사논 등의 극성 화합물을 예시할 수 있다. 이들 중, 미립자의 분산성과 분산액의 안정성, 또한 액적 토출법에의 적용의 용이함의 관점에서, 물, 알콜류, 탄화수소계 화합물, 에테르계 화합물이 바람직하고, 보다 바람직한 분산매로는 물, 탄화수소계 화합물을 들 수 있다.

재료 배치 공정(액적 토출 공정) 후, 소성 공정이 행해진다. 도전성 재료를 함유하는 기능액에 대해서 소성 처리를 행함에 의해 도전성을 얻을 수 있다. 특히 유기은 화합물의 경우, 소성 처리를 행하여 그 유기분을 제거하여 은입자를 잔류시킴으로써 도전성이 발현된다. 그 때문에, 재료 배치 공정 후의 기재(1)에 대해서, 소성 처리로서 열처리 및 광처리 중의 적어도 하나가 행해진다. 열처리·광처리는 통상 대기 중에서 행하지만, 필요에 따라서, 질소, 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스 분위기 중에서 행할 수도 있다. 열처리·광처리의 처리 온도는 용매의 비점(증기압), 분위기 가스의 종류나 압력, 미립자의 분산성이나 유기은 화합물, 산화성 등의 열적 거동, 코팅재의 유무나 양, 기재의 내열 온도 등을 고려하여 적당히 결정된다. 예를 들면, 유기은 화합물의 유기분을 제거하기 위해서는, 약 200℃에서 소성하는 것이 필요하다. 또한, 플라스틱 등의 기판을 사용하는 경우에는, 실온 이상 100℃이하에서 행하는 것이 바람직하다. 이상의 공정에 의해 토출 공정 후의 도전성 재료(유기은 화합물)는 은입자의 잔류에 의해, 도전성을 가진 배선 패턴으로 변환된다.

또한, 재료 배치 공정 후, 중간 건조 공정(또는 소성 공정)을 행하고, 이들 재료 배치 공정과 중간 건조 공정(소성 공정)을 교대로 수회 반복함에 의해, 배선 패턴 형성용 재료를 뱅크(B,B)간에 적층할 수 있다.

또한, 소성 공정 후, 기재(1)상에 존재하는 뱅크(B)를 제거(에싱)할 수 있다. 예를 들면, 뱅크(B)(승화층(2))에 레이저광을 조사하거나, 소정의 용제에 의해 세정함으로써 뱅크(B)를 기재(1)로부터 제거할 수 있다. 또한, 에싱 처리로는 플라즈마 에싱이나 오존 에싱 등을 채용할 수도 있다.

＜플라즈마 표시 장치＞

다음에, 본 발명의 배선 패턴의 형성 방법에 의해 형성된 배선 패턴을 가진 전기 광학 장치의 일례로서, 플라즈마 디스플레이(플라즈마 표시 장치)에 대해서 도 9를 참조하면서 설명한다. 도 9는, 어드레스 전극(511)과 버스 전극(512a)이 제조된 플라즈마 디스플레이(500)를 나타내는 분해 사시도이다. 이 플라즈마 디스플레이(500)는 서로 대향하여 배치된 유리 기판(501)과 유리 기판(502)과, 이들 간에 형성된 방전 표시부(510)로 구성되어 있다.

방전 표시부(510)는 복수의 방전실(516)이 집합되어 이루어지고, 복수의 방전실(516) 중, 적색 방전실(516(R)), 녹색 방전실(516(G)), 청색 방전실(516(B))의 3개의 방전실(516)이 쌍으로 되어 1화소를 구성하도록 배치되어 있다. 상기 (유리)기판(501)의 상면에는 소정의 간격으로 스트라이프상으로 어드레스 전극(511)이 형성되고, 그들 어드레스 전극(511)과 기판(501)의 상면을 덮도록 유전체층(519)이 형성되고, 또한 유전체층(519)상에서 어드레스 전극(511,511)간에 위치하여 각 어드레스 전극(511)을 따라 격벽(515)이 형성되어 있다. 또한, 격벽(515)에서는 그 길이 방향의 소정 위치에서 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로도 소정의 간격으로 분할되어 있어(도시 생략), 기본적으로는 어드레스 전극(511)의 폭방향 좌우양측에 인접하는 격벽과, 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 뻗어 있는 격벽에 의해 분할된 직사각형상의 영역이 형성되고, 이들 직사각형상의 영역에 대응하도록 방전실(516)이 형성되어, 이들 직사각형상의 영역이 3 쌍으로 되어 1화소가 구성된다. 또한, 격벽(515)으로 구획되는 직사각형상의 영역의 내측에는 형광체(517)가 배치되어 있다. 형광체(517)는 적, 녹, 청의 어느 하나의 형광을 발광하는 것으로서, 적색 방전실(516(R))의 저부에는 적색 형광체(517(R))가, 녹색 방전실(516(G))의 저부에는 녹색 형광체(517(G))가, 청색 방전실(516(B))의 저부에는 청색 형광체(517(B))가 각각 배치되어 있다.

다음에, 상기 유리 기판(502)측에는, 앞의 어드레스 전극(511)과 직교하는 방향으로 복수의 ITO로 이루어지는 투명 표시 전극(512)이 스트라이프상으로 소정의 간격으로 형성되는 동시에, 고저항의 ITO를 보충하기 위해서 금속으로 이루어지는 버스 전극(512a)이 형성되어 있다. 또한, 이들을 덮어서 유전체층(513)이 형성되고, MgO 등으로 이루어지는 보호막(514)이 더 형성되어 있다. 또한, 상기 기판 (501)과 유리 기판(502)의 기판(2)이 상기 어드레스 전극(511…)과 표시 전극(512…)을 서로 직교하도록 대향시켜 서로 접합시켜, 기판(501)과 격벽(515)과 유리 기판(502)측에 형성되어 있는 보호막(514)으로 둘러싸이는 공간 부분을 배기하여 희가스를 봉입함으로써 방전실(516)이 형성되어 있다. 또한, 유리 기판(502)측에 형성되는 표시 전극(512)은 각 방전실(516)에 대해서 2개씩 배치되도록 형성되어 있다. 상기 어드레스 전극(511)과 표시 전극(512)은 도시를 생략한 교류 전원에 접속시켜, 각 전극으로 통전함으로써 필요한 위치의 방전 표시부(510)에서 형광체(517)를 여기발광시켜, 칼라 표시할 수 있도록 되어 있다.

또한, 본 예에서는, 특히 상기 어드레스 전극(511)과 버스 전극(512a)이 본 발명에 의한 배선 패턴의 형성 방법에 의해 형성된다. 즉, 이들 어드레스 전극(511)이나 버스 전극(512a)에 대해서는, 특히 그 패터닝에 유리하므로, 금속 콜로이드 재료(예를 들면 금 콜로이드나 은 콜로이드)나 도전성 미립자(예를 들면 금속 미립자)를 분산시키는 기능액을 토출·소성에 의해서 형성하고 있다. 또한, 형광체(517)에 대해서도, 형광체 재료를 용매에 용해시키거나 또는 분산매에 분산시킨 기능액을 토출 헤드(20)로부터 토출하여 건조·소성에 의해서 형성할 수 있다.

＜칼라 필터＞

다음에, 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여 액정 표시 장치의 칼라 필터를 제조하는 순서에 대해서, 도 10을 참조하면서 설명한다. 우선, 도 10(a)에 나타내는 바와 같이 투명한 기판(기재)(P)의 한쪽 면에 대해, 블랙 매트릭스(뱅크)(52)를 형성한다. 이 블랙 매트릭스(52)는 칼라 필터 형성 영역을 구획하는 것이며, 본 발 명에 의한 뱅크의 형성 방법에 의해서 형성된다. 블랙 매트릭스(뱅크)를 형성할 때, 승화성 재료로 흑색 재료를 사용하는 동시에, 승화성 재료에 광경화성 수지를 혼재시켜둠으로써, 광조사 공정에 의해 블랙 매트릭스를 경화할 수 있다.

다음에, 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 상기 토출 헤드(20)로부터 칼라 필터용의 기능액의 액적(54)을 토출하여, 이것을 필터 소자(53)에 착탄시킨다. 토출하는 기능액(54)의 양에 대해서는, 가열 공정(건조·소성 공정)에서의 기능액의 체적 감소를 고려한 충분한 양으로 한다.

이와 같이 하여 기판(P)상의 모든 필터 소자(53)에 액적(54)을 충전한 뒤, 히터를 사용하여 기판(P)이 소정의 온도(예를 들면 70℃ 정도)로 되도록 가열 처리한다. 이 가열 처리에 의해, 기능액의 용매가 증발하여 기능액의 체적이 감소한다. 이 체적 감소가 격렬한 경우에는, 칼라 필터로서 충분한 막의 두께를 얻을 수 있을 때까지, 액적 토출 공정과 가열 공정을 반복한다. 이 처리에 의해, 기능액에 함유된 용매가 증발하여, 최종적으로 기능액에 함유된 고형분(기능성 재료)만이 잔류하여 막화하여, 도 10(c)에 나타내는 바와 같이 칼라 필터(55)로 된다.

그 다음에, 기판(P)를 평탄화하고, 또한 칼라 필터(55)를 보호하기 위해, 도 10(d)에 나타내는 바와 같이 칼라 필터(55)나 블랙 매트릭스(52)를 덮어 기판(P)상에 보호막(56)을 형성한다. 이 보호막(56)의 형성에서는, 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 립핑법 등의 방법을 채용할 수도 있지만, 칼라 필터(55)의 경우와 마찬가지로, 상기 토출 장치를 사용하여 행할 수도 있다. 그 다음에, 도 10(e)에 나타내는 바와 같이 이 보호막(56)의 전면에, 스퍼터법이나 진공 증착법 등에 의해서 투명 도 전막(57)을 형성한다. 그 후, 투명도전막(57)을 패터닝하고, 도 10(f)에 나타내는 바와 같이 화소 전극(58)을 상기 필터 소자(53)에 대응시켜 패터닝한다. 또한, 액정 표시 패널의 구동에 TFT(Thin Film Transistor)를 사용하는 경우에는, 이 패터닝은 불용으로 된다. 이러한 칼라 필터의 제조에서, 상기 토출 헤드(20)를 사용하고 있으므로, 칼라 필터 재료를 지장없이 연속적으로 토출할 수 있고, 따라서 양호한 칼라 필터를 형성할 수 있는 동시에, 생산성을 향상시킬 수 있다.

＜유기 EL 표시 장치＞

다음에, 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여 유기 EL 표시 장치를 제조하는 순서에 대해서, 도 11을 참조하면서 설명한다. 도 11은 상기 토출 헤드(20)에 의해 일부의 구성 요소가 제조된 유기 EL 표시 장치의 측단면도이며, 먼저 이 유기 EL 표시 장치의 개략 구성을 설명한다. 또한, 여기서 형성되는 유기 EL 표시 장치는, 본 발명에서의 전기 광학 장치의 일실시 형태로 되는 것이다. 도 11에 나타내는 바와 같이 이 유기 EL 장치(301)는 기판(기재)(311), 회로 소자부(321), 화소 전극(331), 뱅크부(341), 발광 소자(351), 음극(361)(대향 전극), 및 밀봉 기판(371)으로 구성된 유기 EL 소자(302)에, 플렉시블 기판(도시 생략)의 배선 및 구동 IC(도시 생략)를 접속한 것이다. 회로 소자부(321)는 기판(311)상에 형성되고, 복수의 화소 전극(331)이 회로 소자부(321)상에 정렬해 있다. 또한, 각 화소 전극(331)간에는 뱅크부(341)가 격자상으로 형성되어 있고, 뱅크부(341)에 의해 생긴 요부 개구(344)에, 발광 소자(351)가 형성되어 있다. 음극(361)은 뱅크부(341) 및 발광 소자(351)의 상부 전면에 형성되고, 음극(361)상에는 밀봉용 기판(371)이 적층되어 있다.

뱅크부(341)는 제1 뱅크(342)와, 그 위에 적층되는 제2 뱅크(343)로 구성되어 있다. 또한, 이 뱅크부(341)를 형성할 때에, 본 발명에 의한 뱅크의 형성 방법이 사용된다.

유기 EL 소자를 포함하는 유기 EL 표시 장치(301)의 제조 프로세스는 뱅크부(341)를 형성하는 뱅크부 형성 공정과, 발광 소자(351)를 적절히 형성하기 위한 플라즈마 처리 공정과, 발광 소자(351)를 형성하는 발광 소자 형성 공정과, 음극(361)을 형성하는 대향 전극 형성 공정과, 밀봉용 기판(371)을 음극(361)상에 적층하여 밀봉하는 밀봉 공정을 구비하고 있다.

발광 소자 형성 공정은 요부 개구(344), 즉 화소 전극(331)상에 정공 주입층(352) 및 발광층(353)을 형성함에 의해 발광 소자(351)를 형성하는 것으로서, 정공 주입층 형성 공정과 발광층 형성 공정을 구비하고 있다. 또한, 정공 주입층 형성 공정은 정공 주입층(352)을 형성하기 위한 제1 기능액을 각 화소 전극(331)상에 토출하는 제1 토출 공정과, 토출된 제1 기능액을 건조시켜 정공 주입층(352)을 형성하는 제1 건조 공정을 갖고, 발광층 형성 공정은, 발광층(353)을 형성하기 위한 제2 기능액을 정공 주입층(352) 상에 토출하는 제2 토출 공정과, 토출된 제2 기능액을 건조시켜 발광층(353)을 형성하는 제2 건조 공정을 가지고 있다.

이 발광 소자 형성 공정에서, 정공 주입층 형성 공정에서의 제1 토출 공정과, 발광층 형성 공정에서의 제2 토출 공정에서 상기 토출 헤드(20)를 사용하고 있다.

＜전자 기기＞

이하, 상기 전기 광학 장치(액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 플라즈마 표시 장치 등)를 구비한 전자 기기의 적용예에 대해서 설명한다. 도 12(a)는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(a)에서, 부호 1000은 휴대 전화 본체를 나타내고, 부호 1001은 상기의 전기 광학 장치를 사용한 표시부를 나타내고 있다. 도 12(b)는 손목시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(b)에서, 부호 1100은 시계 본체를 나타내고, 부호 1101은 상기의 전기 광학 장치를 사용한 표시부를 나타내고 있다. 도 12(c)는 워드 프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 12(c)에서, 부호 1200은 정보 처리 장치, 부호 1202는 키보드 등의 입력부, 부호 1204는 정보 처리 장치 본체, 부호 1206은 상기의 전기 광학 장치를 사용한 표시부를 나타내고 있다. 도 12(a)∼(c)에 나타내는 전자 기기는 상기 실시의 형태의 전기 광학 장치를 구비하고 있으므로, 표시 품위가 뛰어나고, 밝은 화면의 표시부를 구비한 전자 기기를 실현 할 수 있다.

또한, 상술한 예에 더하여, 다른 예로서, 액정 텔레비젼, 뷰파인더형이나 모니터 직시형의 비디오테이프 레코더, 카 네비게이션 장치, 페이저, 전자 수첩, 계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 전자 페이퍼, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 본 발명의 전기 광학 장치는 이러한 전자 기기의 표시부로서도 적용할 수 있다.

＜마이크로렌즈＞

도 13은 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여 마이크로렌즈를 형성하는 공정의 일례를 나타낸 도면이다.

도 13(a)에 나타내는 바와 같이, 기재(810) 상에, 본 발명에 의한 뱅크의 형성 방법에 의거하여 뱅크(811)가 형성된다. 또한, 그 뱅크(811,811)간의 홈에 대해서 렌즈 재료를 함유하는 기능액(812)이 토출 헤드(20)로부터 토출된다. 렌즈 재료로는, 투명하고 고굴절율의 재료인 것이 바람직하고, 예를 들면, 광경화성이나 열경화성의 수지, 무기 재료 등이 사용된다. 본 예에서는, 경화 처리의 저온화를 도모하는 등을 목적으로 하여, 광경화성의 수지를 사용한다. 또한, 기능액(812)을 토출하는 공정 전에, 뱅크(811)에 대해서 상술한 발액화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 그 다음에, 도 13(b)에 나타내는 바와 같이, 기재(810)상에 배치된 렌즈 재료(812)를 경화시킨다. 경화 처리로는 렌즈 재료에 대해서 소정 파장의 광을 조사함에 의해 행한다. 또한, 렌즈 재료로서 열경화성의 수지를 사용하는 경우, 렌즈 재료를 소정의 온도로 가열함에 의해 경화 처리를 행한다. 경화 처리에 의해, 뱅크(811)에 의해서 구획된 영역에 볼록한 모양의 곡면 렌즈(813)가 형성된다.

도 14에 나타내는 바와 같이, 뱅크(811)에 의해서 구획된 영역에 형성된 곡면 렌즈(813)상에, 칼라 필터 형성용 재료로서의, 적(R), 녹(G), 청(B)의 각 색재(814,815,816)을 배치할 수 있다. 뱅크(811)에 의해서 구획된 영역에는, 상술한 볼록한 모양의 곡면 렌즈(813)가 이미 형성되어 있으므로, 색재(814,815,816)의 배치에 의해, 뱅크(811)내에서, 곡면 렌즈(813)상에 색재(814,815,816)가 적층된다. 색재(814,815,816)를 배치하는 경우에도 액적 토출법을 사용할 수 있다. 도 14에 서, 이 칼라 필터에서는, 기재(810)측으로부터 입사한 광은 볼록한 모양의 곡면 렌즈(813), 및 색재(814,815,816)를 통과한 뒤에 취출한다. 이 때 광은, 곡면 렌즈(813)를 통과함에 의해 집광되는 동시에, 각 색재(814,815,816)를 통과함에 의해, 소정의 파장대역의 광으로 된다. 또한, 곡면 렌즈(813)의 집광에 의해, 취출된 광의 휘도의 향상이 도모된다.

또한, 본 실시 형태에서는, 뱅크내에 볼록 렌즈를 형성하고 있지만, 렌즈의 형상은 이것에 한정되지 않는다.

＜DNA 칩＞

도 15는 본 발명에 의한 뱅크를 사용하여, 검사기로서의 DNA 칩을 형성하는 실시 형태를 설명하기 위한 도면이며, (a)는 평면도, (b) 및 (c)는 A-A 단면도이다. 또한, DNA 칩에 관한 기술은, 예를 들면, 일본 특개평10-168386호 공보, 특개 2000-232883호 공보 등에 기재되어 있다.

도 15(a) 및 (b)에서, 본 예의 DNA 칩은, 기재(900)상에, 도 13을 참조하여 설명한 곡면 렌즈(901)가 마련되어 있고, 이 렌즈(901)상에 반응제(902)가 정착된 구성으로 된다. 또한, 렌즈(901) 및 반응제(902)는 본 발명에 의한 형성 방법에 의해 형성된 뱅크(903)에 의해서 구획된 영역에 겹쳐서 배치되어 있다. DNA 칩용의 반응제로는, 예를 들면 DNA 단편이 이용된다. 미리 유전자 서열이 판명되어 있는 수십에서 수백 종류의 DNA 단편을 용액중에 포함시켜, 대응하r는 뱅크(903)에 고정한다. 또한, 본 예의 DNA 칩은 도 15(c)에 나타내는 바와 같이, 기재(900)의 뒤측으로부터 광이 입사하여, 렌즈(901) 및 반응제(902)를 통과하여 취출되도록 되 어 있다. 본 예의 DNA 칩의 사용에 있어서는, 액상의 유전자 샘플(905)을 제조하고, 그것을 칩상에 배치한다. 샘플에 적합한 유전자가 있는 경우는, 포착 반응에 의해 반응제(902)에 반응하여 염기 배열이 특정되어, 합성된 형광 염료에 의해 형광을 발한다. 기체(900)의 뒤쪽으로부터 입사한 광은 렌즈(901)에 의해서 집광되어, 취출되는 광의 휘도가 올라가, 시인성이 향상한다.

도 16(a)∼(e)는 상기 DNA 칩의 제조 과정을 모식적으로 나타낸 도면이다. 또한, 간략화를 위해서, 도 16(a)∼(e)에서는, 도 15(b)에 나타낸 단면만을 부분적으로 확대하여 나타내고 있다. 우선, 도 16(a)에 나타내는 바와 같이, 기재(900)상에, 반응제가 배치되는 영역을 구획하는 뱅크(903)가, 본 발명에 의한 뱅크의 형성 방법에 의거하여 형성된다. 또한, 도 16(b)에 나타내는 바와 같이, 그 뱅크(903)의 표면에 대해서 발액화 처리가 행해진다. 다음에, 도 16(c)에 나타내는 바와 같이, 토출 헤드(20)에 의해, 뱅크(903)에 의해서 구획된 영역에 렌즈 재료(904)가 배치된다. 다음에, 도 16(d)에 나타내는 바와 같이, 렌즈 재료(904)가 배치된 기재(900)에 대해서 광이 조사되어, 렌즈 재료(904)를 경화함에 의해, 뱅크(903)내에 볼록한 모양의 곡면 렌즈(901)가 형성된다. 다음에, 도 16(e)에 나타내는 바와 같이, 뱅크(903)에 의해서 구획된 영역에 토출 헤드(20)로부터 반응제(902)가 배치되고, 그 반응제(902)가 렌즈(901)상에 정착됨에 의해, DNA 칩이 제조된다.

상술한 DNA 칩의 제조 방법에서는, 기능 재료로서의 반응제(902)와, 렌즈 재료(904)를 함께, 뱅크(903)에 의해서 구획된 영역에 배치함으로써, 렌즈 재료(904) 와 반응제(902)가 뱅크(903)내에 확실히 적층된다. 또한, 재료의 배치에 있어서 액적 토출법을 사용함으로써, 렌즈 재료 또는 반응제의 사용에 낭비가 적고, 또한, 뱅크(903)내에 소망한 양의 재료가 적확하게 배치된다.

본 발명에 의하면, 생산성 좋고, 양호한 형상의 뱅크를 형성할 수 있는 뱅크의 형성 방법을 제공할 수 있으며, 또한, 그 뱅크를 사용하여 배선 패턴을 형성하는 배선 패턴의 형성 방법, 그 배선 패턴을 갖는 전기 광학 장치 및 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (18)

1. 승화성 재료를 함유하는 승화층이 마련된 기재에 대해서 광을 조사하여, 상기 승화성 재료를 승화시킴으로써, 상기 기재 상에 그 기재의 소정 영역을 구획하는 뱅크를 형성하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 승화성 재료는 승화성 색소를 함유하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 기재 상에, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료를 함유하는 광열 변환층이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
4. 제3항에 있어서,

   상기 광열 변환층은, 상기 기재와 상기 승화층의 사이에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 기재에, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료가 혼재되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   승화층에, 광에너지를 열에너지로 변환하는 광열 변환 재료가 혼재되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
7. 제1항에 있어서,

   상기 승화층에, 액체에 대한 친화성을 조정하는 조정 재료가 혼재되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
8. 제7항에 있어서,

   상기 액체에 대한 친화성이 각각 다른 복수의 승화층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 기재 상에, 제1 승화층과 그 제1 승화층보다 발액성을 갖는 제2 승화층이 이 순서로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
10. 제1항에 있어서,

    상기 광을 조사한 뒤, 액체에 대한 친화성을 조정하는 표면 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
11. 제1항에 있어서,

    상기 기재의 상기 승화층이 마련된 한쪽 면측으로부터 상기 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
12. 제1항에 있어서,

    상기 기재의 상기 승화층이 마련되지 않은 다른쪽 면측으로부터 상기 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
13. 제1항에 있어서,

    소정의 패턴을 가진 마스크를 거쳐서, 광을 상기 기재에 조사하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
14. 제1항에 있어서,

    상기 광에 대해서 상기 기재를 상대 이동시키면서, 조사를 행하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
15. 제1항에 있어서,

    상기 기재로부터 분리한 재료를 흡인 제거하는 것을 특징으로 하는 뱅크의 형성 방법.
16. 제1항 기재의 형성 방법에 의해 형성된 뱅크 사이에 배선 패턴 형성용 재료를 함유하는 액적을 배치시켜 상기 기재 상에 배선 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성 방법.
17. 제16항 기재의 형성 방법에 의해 형성된 배선 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
18. 제17항 기재의 전기 광학 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.

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