CN1582091B - 贮格围堰及配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器 - Google Patents

贮格围堰及配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器 Download PDF

Info

Publication number
CN1582091B
CN1582091B CN2004100558616A CN200410055861A CN1582091B CN 1582091 B CN1582091 B CN 1582091B CN 2004100558616 A CN2004100558616 A CN 2004100558616A CN 200410055861 A CN200410055861 A CN 200410055861A CN 1582091 B CN1582091 B CN 1582091B
Authority
CN
China
Prior art keywords
storage lattice
cofferdam
formation method
basis material
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2004100558616A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1582091A (zh
Inventor
丰田直之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhiji Shidun Technology Co ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1582091A publication Critical patent/CN1582091A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1582091B publication Critical patent/CN1582091B/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/013—Inkjet printing, e.g. for printing insulating material or resist
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/083—Evaporation or sublimation of a compound, e.g. gas bubble generating agent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1173—Differences in wettability, e.g. hydrophilic or hydrophobic areas
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
    • Y10T428/31616—Next to polyester [e.g., alkyd]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

本发明提供生产性好，并且能够形成形状良好的贮格围堰的贮格围堰形成方法。通过对设有含升华性材料的升华层(2)的基体材料(1)照射光，使升华性材料升华，在基体材料(1)上形成区划该基体材料(1)的所定区域的贮格围堰B。

Description

贮格围堰及配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器 
技术领域
本发明涉及区划基体材料上所定区域的贮格围堰的形成方法，以及使用该贮格围堰的配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器。 
技术背景 
作为半导体集成电路等具有微细配线图案的装置的制造方法以往多使用光刻法，而使用液滴喷出法(喷墨法)的装置制造方法受人注目。使用液滴喷出法形成微细配线图案时，提案有一种为了获得图案线幅精度，在基体材料上设置作为隔板部件的贮格围堰，在该贮格围堰间配置功能液的液滴的方法。还有，下述专利文献1中公开了一种使用液滴喷出法在贮格围堰(黑基质)间隙配置具有特定表面张力的功能液的技术，由光刻法形成该贮格围堰(黑基质)。还有，下述专利文献2中公开了一种密接设有转写层的施主板与基板，通过向施主板照射激光在基板转写一部分转写层，把该转写的转写层用作贮格围堰的技术。 
【专利文献1】特开平6-347637号公报 
【专利文献2】特开2001-130141号公报 
但是，上述现有技术存在如下问题。如在上述专利文献1中公开，根据光刻法形成贮格围堰时，需要包括显影处理的多个工序处理，因此生产性低。还有，如在上述专利文献2中公开，由施主板向基板转写贮格围堰时，如果转写状态不好，则形成于基板上的贮格围堰的形状也不好。 
发明内容
本发明就是鉴于以上问题进行的，其目的在于提供生产性良好、可以形成形状良好的贮格围堰的贮格围堰形成方法。进而，本发明的另一目在于，提供使用该贮格围堰形成配线图案的配线图案形成方法，具有该配线图案的电光学装置及电子机器。 
为解决上述课题，本发明的贮格围堰形成方法的特征在于：通过对设有含升华性材料的升华层的基体材料照射光，使所述升华性材料升华，在所述基体材料上形成由该基体材料的没有受到光照射的用于区划所定区域的升华层自身构成的贮格围堰。这里，所述升华性材料含有升华性色素。根据本发明，通过对具有升华层的基体材料照射光，根据该照射光产生的热将升华性材料升华，并可以从基体材料上去除，因此，通过对需要形成贮格围堰图案的相应的区域照射光，去除该照射区域的升华性材料，可以在基体材料上形成具有期望图案的贮格围堰。这样，本发明的构成是通过去除相应于光照射区域部分的升华性材料，以形成图案，从而可以在不进行以往转写工序的条件下形成图案，因此，可以防止转写斑等引起的图案形状的劣化。 
本发明的贮格围堰形成方法的特征在于：在所述基体材料上设有含有把光能转换成热能的光热转换材料的光热转换层。根据此，把照射光的光能有效地转换成热能，把该热能供给于升华层的升华性材料，通过把升华性材料升华而从基体材料上去除。尤其是，通过把所述光热转换层设置在所述基体材料与所述升华层之间，使升华层成为对外部开放的状态(露出状态)，可以把升华性材料顺利地释放(升华)到外部。还有，本发明的贮格围堰形成方法中，还能够采用在所述基体材料中混杂着光热转换材料的构成，也可以采用在所述升华层中混杂着光热转换材料的构成。即使是这种构成，也可以把照射光的光能转换成热能，把该热能供给于升华性材料。 
本发明的贮格围堰形成方法的特征在于，在所述升华层上混杂着用于调节相对于液体亲和性的调节材料。根据此，在形成贮格围堰后，对该贮格围堰配置功能液时，可以控制所配置功能液的位置及润湿扩散状况。此时，可以采用层叠对所述液体的亲和性各不相同的多个升华层的构成。根据此，能够进而控制所配置功能液的位置及润湿扩散状况。尤其通过采用在所述基体材料上依次层叠第一个升华层和、具有疏液性比该第一个升华层大的第二个升华层的构成，例如在形成后的贮格围堰间配置功能液时，在贮格围堰间的底部附近可以良好地润湿扩散功能液，并且，在包括贮格围堰上面的上部附近配置功能液时，也可以配置成根据上部的疏液区域把该上部附近功能液流落到贮格围堰间底部。还有，除了在形成贮格围堰的升华层预先混杂着调节材料的构成外，还可以在照射所述光后，进行用于调节对液体亲和性的表面处理。即使这样，也可以将功能液良好地配置在贮格围堰间。 
本发明的贮格围堰形成方法可以采用，从所述基体材料上设有所述升华层的那一面照射所述光的构成，也可以采用从所述基体材料上未设有所述升华层的另一面照射所述光的构成。从设有升华层的那一面照射光时，可以在不经过基体材料的条件下向升华层或光热转换层照射光，因此可以杜绝如经过基体材料引起的光的衍射或散射带来的光照射位置模糊等现象，可以向期望位置照射光，形成具有期望形状的贮格围堰。还有，从未设有升华层的另一面照射光时，通过在基体材料与升华层之间设置光热转换层，可以经过基体材料直接对光热转换层照射光，因此能够把光能有效转换成热能，把该热能供给于升华层。此时，被供给热能的升华层的升华性材料可以顺利地释放(升华)到外部。 
本发明的贮格围堰形成方法的特征在于，所述光为激光，照射具有对应于所述光热转换材料的波长的光。根据此，可以把照射到光热转换材料的光能有效转换成热能。 
本发明的贮格围堰形成方法中，可以采用经过具有所定图案的掩模向所述基体材料照射光的构成。根据此，可以形成小于所照射光的光束直径的微细贮格围堰图案。另一方面，也可以采用对于所述光相对移动所述基体材料来进行照射的构成。即，可以使照射光(激光)和基体材料相对移动来描绘贮格围堰图案，根据该构成，可以省略制造掩模的工序。 
本发明的贮格围堰形成方法的特征在于，吸引去除由所述基体材料分离的材料。根据本发明，通过吸引包括升华的升华性材料的由基体材料分离的材料，去除该材料，防止发生所分离(升华)的材料再次附着到基体材料等不理想情况。 
本发明的配线图案的形成方法的特征在于，在根据上述形成方法形成的贮格围堰之间配置含有配线图案形成用材料的液滴，在所述基体材料上形成配线图案。根据本发明，根据液滴喷出法，抑制材料的浪费，并且可以良好地形成微细配线图案。 
本发明的电光学装置的特征在于，具有根据上述配线图案形成方法形成的配线图案。还有，本发明的电子机器的特征在于，具有上述电光学装置。根据本发明，可以提供具有根据液滴喷出法形成的微细配线图案，且可以发挥期望性能的电光学装置、及具有它的电器。电光学装置可列举液晶显示装置、有机EL(电致发光)显示装置、及等离子体显示装置等。 
贮格围堰是区划基体材料上所定区域的隔板部件，包括为获得配线图案等图案线幅精度的贮格围堰、设置于液晶显示装置的彩色滤光器且隔离相互邻接的像素彼此间的贮格围堰(黑基质)、及设置于有机EL显示装置且隔离相互邻接像素彼此间的贮格围堰等。 
上述液滴喷出法是使用具备喷头的液滴喷出装置实现，该液滴喷出装置包括具备喷墨头的喷墨装置。喷墨装置的喷墨头是通过喷墨法能够定量喷出含有功能液的液状材料的液滴，例如能够把每1像素1～300毫微克的液状材料以定量连续滴落的装置。液滴喷出装置可以是分配器装置。 
液状材料是指具有的粘度为能够从液滴喷出装置喷头的喷嘴喷出(可滴落)的介质。可以是水性也可以是油性。只要具有能够从喷嘴等喷出的流动性(粘度)即可，即使混入固体物质，只要整体为流体即可。还有，液状材料中含有的材料可以是加热至熔点以上来溶解的物质，也可以是在溶剂中搅拌微粒的物质，也可以是除了溶剂外添加染料或颜料及其他功能性材料。 
还有，上述功能液是含有功能性材料的液状材料，通过配置在基体材料上发挥所定功能。作为功能性材料可列举，用于形成含有彩色滤光器的液晶显示装置的液晶显示装置形成用材料、用于形成有机EL(电致发光)显示装置的有机EL显示装置形成用材料、用于形成等离子体显示装置的等离子体显示装置形成用材料、及用于形成通电配线图案的含有金属的配线图案形成用材料等。 
附图说明
图1是表示用于本发明的贮格围堰形成方法的贮格围堰形成装置的一个实施方案的示意构成图。 
图2是表示本发明的贮格围堰形成方法的一个实施方案的模式图。 
图3是表示用于本发明的贮格围堰形成方法的贮格围堰形成装置的另一实施方案的示意构成图。 
图4是表示本发明的贮格围堰形成方法的另一实施方案的模式图。 
图5是表示本发明的贮格围堰形成方法的另一实施方案的模式图。 
图6是表示本发明的贮格围堰形成方法的另一实施方案的模式图。 
图7是表示本发明的配线图案形成方法的一个实施方案的模式图。 
图8是表示用于本发明的配线图案形成方法的喷头的示意构成图。 
图9是表示具有根据本发明的配线图案形成方法形成的配线图案的电光学装置一例的等离子体显示器的分解立体图。 
图10是表示使用根据本发明的贮格围堰形成方法形成的贮格围堰制造的电光学装置的一例的图，是表示液晶显示装置的彩色滤光器制造工序的一例的图。 
图11是表示使用根据本发明的贮格围堰形成方法形成的贮格围堰制造的电光学装置的一例的图，是表示有机EL显示装置的侧剖面图。 
图12是表示具有本发明的电光学装置的电子机器的一例的图。 
图13是表示使用本发明的贮格围堰形成显微透镜的顺序的模式图。 
图14是表示含有显微透镜的彩色滤光器的一个实施方案的图。 
图15是表示使用本发明的贮格围堰形成的DNA芯片的一个实施方案的模式图。 
图16是表示使用本发明的贮格围堰形成DNA芯片的顺序的模式图。图中， 
1-基体材料，2-升华层，3-沟槽部，4-光热转换层，5-底部，11-光源，13-吸引装置，15-掩模，20-喷头，B-贮格围堰 
具体实施方式
贮格围堰的形成方法 
下面，参照附图说明本发明的贮格围堰的形成方法。图1是表示用于本发明的贮格围堰形成方法的贮格围堰形成装置的一个实施方案的示意构成图。图1中贮格围堰形成装置10备有发射具有所定波长激光光束的激光光源11和、支撑处理对象基体材料1的台架12。基体材料1的上面 设有含升华性材料的升华层2。激光光源11及支撑基体材料1的台架12配置在腔室14内。腔室14上连接着能够吸引该腔室14内气体的吸引装置13。本实施方案中使用近红外半导体激光(波长830nm)作为激光光源11。 
这里，在以下说明中，把水平面内的所定方向定为X轴方向、在水平面内与X轴方向正交的方向定为Y轴方向、与X轴及Y轴都正交的方向(垂直方向)定为Z轴方向。 
台架12设置成在支撑基体材料1的状态下能够向X轴方向和Y轴方向移动，基体材料1则根据台架12的移动能够对从光源11发射的光束相对移动。还有，台架12还能够向Z轴方向移动。这里，光源11与被台架12支撑的基体材料1之间配置有未图示的光学系统。 
支撑基体材料1的台架12通过向Z轴方向移动，能够调节基体材料1对所述光学系统焦点的位置。这样，由光源11发射的光束能照射被台架12支撑的基体材料1(升华层2)。 
作为基体材料1可以使用如玻璃基板或透明高分子等。透明高分子可列举聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚丙烯酸酯、聚环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚砜等。由透明高分子形成基体材料1时，其厚度优选10～500μm。通过这样，例如，可以把基体材料1形成为带状，并卷成辊状，保持在旋转鼓等来运输(移动)。 
这里，基体材料1是被向XY方向并进移动的台架12所支撑，但把基体材料1保持在旋转鼓时，旋转鼓可以向水平并进方向(扫描方向、X方向)、旋转方向(Y方向)、及垂直方向(Z轴方向)移动。 
升华层2含有溶解或分散在粘合剂树脂中的升华性色素。没有粘合剂的构成也是可能的。升华性材料能够使用已知的升华性材料(升华性色素)，可以使用例如特开平6-99667号公报中公开的分散染料、碱性染料、油溶性染料，特开2001-514106号公报中公开的材料。进而，作为黄(Y)升华性材料可列举吡啶酮偶氮类系、二氰基苯乙烯系、奎酞酮系；洋红(M)升华性材料可列举蒽醌系、三氰基苯乙烯系、苯偶氮系；蓝绿(C)升华性材料可列举蒽醌系、靛酚系、靛萘酚(indo naphthol)系等。还有，升华层2可以形成为一层，也可以形成为两层以上的多层。 
在升华层2使用粘合剂树脂时，可以使用已知的粘合剂树脂，1例如聚酰胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚丙烯酸系树脂(如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酰胺、聚苯乙烯-2-丙烯腈)、聚乙烯吡咯烷酮为首的乙烯类树脂、聚氯乙烯树脂(如氯乙烯-醋酸乙烯共聚物)、聚碳酸酯系树脂、聚苯乙烯、聚苯撑氧化物、纤维素系树脂(如甲基纤维素、乙基纤维素、羧甲基纤维素、纤维素醋酸酯氢化邻苯二甲酸酯、醋酸纤维素、纤维素醋酸酯丙酸酯)、聚乙烯醇系树脂(如聚乙烯醇、聚乙烯丁缩醛等部分酮化聚乙烯醇)、石油系树脂、松香衍生物、香豆酮-茚树脂、萜烯系树脂、聚烯烃系树脂、(如聚乙烯、聚丙烯)等。 
用于溶解或分散上述色素和粘合剂树脂的有机溶剂可使用含一元醇的物质。例如，正丁醇(沸点117.4℃)、异丁醇(沸点108.1℃)、叔丁醇(沸点100℃)、正戊醇(沸点138℃)、异戊醇(沸点132℃)、己醇(沸点155.7℃)等。还有，也可以混合使用上述醇类和其他有机溶剂。混合使用的有机溶剂可以使用已知溶剂，具体可以列举甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮类，甲苯、二甲苯等芳香族类，二氯甲烷、三氯乙烷等卤素类，醋酸乙酯、丁酸丙酯等酯类，二噁烷、四氢呋喃等，以及它们的混合物。 
升华层2可以使用通常的薄膜涂层法，如通过挤压涂层法、旋转涂层法、照相凹版涂层法、逆辊涂层法、棒涂法、缩微照相凹版涂层法等形成于基体材料1上。这些升华层2的涂层方法中，优选消除基体材料1表面的静电后均匀地在基体材料1上形成升华层形成用功能液，用于各方法的装置优选安装消除静电装置。 
接着，参照图2说明贮格围堰的形成顺序。如图2(a)所示，从基体材料1设有升华层2的上面侧照射具有所定光束直径的激光光束。通过照射激光光束，加热对应于该照射位置的基体材料1及基体材料1上的升华层2。根据所照射激光光束产生的热，使升华层2的升华性材料升华，如图2(b)所示，从基体材料1去除对应于照射位置的升华性材料(升华层2)。根据此，形成贮格围堰B、B，在贮格围堰B、B间的沟槽部3露出基体材料1。 
此时，通过把台架12相对于所照射激光光束沿着XY平面移动，描绘对应于该台架12移动轨迹的沟槽部3。这样，在基体材料1上形成区划 基体材料1的所定区域的贮格围堰图案。 
由光照射升华的升华性材料或与升华性材料一同从基体材料1分离的材料虽然在腔室14内浮游，但通过驱动吸引装置13吸引腔室14内的气体，可以回收从该基体材料1分离的材料。从而防止发生从基体材料1分离的材料再次附着到基体材料1或沟槽部3或贮格围堰B等不良现象。 
如上说明，通过对具有升华层2的基体材料1照射光，根据该照射光产生的热，使升华性材料升华，从基体材料1上去除，因此，通过把光照射到对应于需要形成贮格围堰图案的区域，去除该照射区域的升华性材料，在基体材料1上形成具有期望图案的贮格围堰B。这样，通过去除相当于光照射区域部分的升华性材料来形成贮格围堰B，所以可以在不进行以往转写工序的情况下形成贮格围堰B，因此，可以防止转写斑等引起的贮格围堰形状的劣化。 
本实施方案中，通过移动支撑基体材料1的台架12来在基体材料1上描绘贮格围堰B(沟槽部3)，但理所当然，也可以在停止基体材料1的状态下移动所照射的光束，也可以移动基体材料1和光束双方。还有，移动基体材料1时，除了用台架12移动XY平面内的构成外，还可以是如上所述在保持于旋转鼓的状态下移动的构成。 
本实施方案中，用于形成贮格围堰的材料层(升华层)是含有升华层材料的构成，根据光照射产生的热能去除升华性材料，但也可以是用于形成贮格围堰的材料层为不含升华性材料的构成，只要是能够通过照射激光来脱离的材料，则可以使用任意材料。 
本实施方案中根据照射光产生的热能去除升华性材料来形成贮格围堰，但也可以使用如热头等对基体材料供给热量，用该热能去除升华性材料。 
形成贮格围堰时，如图3所示，也可以对具有与需要形成贮格围堰图案相应图案的掩模15照射光束，把经掩模15的光照射到基体材料1(升华层2)。如图3所示例子中，掩模15被具有用于通过透过掩模15的光的开口部16A的掩模支撑部16所支撑。从光源11发射的光束由光学系统17转换成具有均匀照度分布的照明光后，照明到掩模15。经过掩模15的光将照射被台架12支撑的基体材料1(升华层2)，根据该照射光产生 的热能去除升华性材料而形成贮格围堰图案。通过使用掩模15，可以形成比从激光光源11发射的光束直径微细的贮格围堰图案。另一方面，如参照图1进行说明，通过相对移动光束与基体材料1来描绘贮格围堰B(沟槽部3)，省去制造掩模15的麻烦。 
如图3所示例子中，在分开掩模15与基体材料1(升华层2)的状态下对基体材料1(升华层2)照射光，但也可以在密接掩模15与基体材料1(升华层2)的状态下对掩模15照射光，并将经该掩模15的光照射到基体材料1(升华层2)。 
如图4所示，也可以从基体材料1未设有升华层2的背面侧对基体材料1照射光束。此时，基体材料1由能够透过光束的透明材料形成。这样，升华层2的升华性材料被所照射的光加热，去除照射位置对应位置的升华性材料(升华层2)，形成贮格围堰B。另外，从基体材料1的背面侧经基体材料1对升华层2照射光时，当光通过基体材料1时可能会散射(衍射)，因此，预先测量该散射状态，使得光能够照射到升华层2的期望位置，优选基于所述测量结果，调节照射条件，从基体材料1的背面侧照射光。还有，也可以从基体材料1的表面侧及背面侧双方照射光。 
如图5(a)所示，可以在基体材料1与升华层2之间设置含有把光能转换成热能的光热转换材料的光热转换层4。这样，把所照射激光光束的光能有效地转换成热能，如图5(b)所示，可以良好地升华与该光热转换层4邻接的升华层2的升华性材料。也可以把光热转换层4设置在基体材料1未设有升华层2的背面侧。 
构成光热转换层4的光热转换材料可以使用已知的材料，只要可以把激光有效地转换成热的材料，则不做特别限定，可列举如由铝、其氧化物和/或其硫化物构成的金属层，由添加了碳黑、石墨或红外线吸收色素等的高分子构成的有机层等。红外线吸收色素可列举蒽醌系、二硫醇镍配位化合物系、菁系、偶氮钴络合物系、diimmonium(ジインモニウム)系、角鲨稀鎓(スクワリリウム)系、酞菁系、萘菁系等。还有，也可以用环氧树脂等合成树脂作为粘合剂，在该粘合剂树脂中溶解或分散所述光热转换材料，设置在基体材料1上。还有，也可以不溶解或分散在粘合剂中，在基体材料1上设置所述光热转换材料。 
使用所述金属层作为光热转换层4时，可以利用真空蒸镀法、电子束蒸镀法、或溅射法形成于基体材料1上。使用所述有机层作为光热转换层4时，可以通过普通的薄膜涂层法，如挤压涂层法、旋转涂层法、照相凹版涂层法、逆辊涂层法、棒涂法、缩微照相凹版涂层法、刮刀涂层法等形成于基体材料1上。 
这里，如图5(a)所示，在基体材料1与升华层2之间设置光热转换层4时，优选从基体材料1的背面侧照射光。这样，所照射光可以直接照射到光热转换层4上，将所照射光的光能顺利地转换成热能，由该热能使升华层2的升华性材料升华。 
另一方面，从基体材料1的表面侧照射光，也可以把该照射光的光能在光热转换层4转换成热能，由该热能使升华层2的升华性材料升华。还有，通过把光热转换层4设置在基体材料1与升华层2之间，使升华层2成为对外部开放的状态(露出状态)，能够把升华性材料顺利地释放(升华)到外部。 
设置光热转换层4时，优选照射其波长对应于光热转换材料的光。即光热转换材料对应的光吸收良好的波长范围不同，因此，通过照射其波长对应于光热转换材料的光，把光能有效地转换成热能。换言之，根据所照射的光选择所使用光热转换材料。本实施方案中，使用近红外半导体激光(波长830nm)作为激光光源，因此，优选使用具有吸收红外线～可见光区域光特性的材料作为光热转换材料。 
另外，参照图5说明的实施方案中，光热转换材料设置在独立于基体材料1和升华层2的层(光热转换层4)，但也可以是光热转换材料混杂于基体材料1的构成，也可以是光热转换材料混杂于升华层2的构成。即使是这种构成，也可以把所照射的激光光能转换成热能，把该热能供给于升华性材料。把光热转换材料混杂于升华层2的构成时，通过照射光使光热转换材料与升华性材料一同从基体材料1分离(去除)，因此，可以抑制光热转换材料对其后工序处理的影响，同时提高设计装置的自由度。尤其把基体材料1用于包括有机EL显示装置的显示装置时，残留的光热转换层4可能会引起影响显色等不良状况，但通过在升华层2中混杂光热转换材料，把光热转换材料与升华性材料一同去除，从而避免上述不良状况。 
另一方面，如图5所示实施方案，分别设置含有光热转换材料的光热转换层4和升华层2时，有时在照射光后光热转换层4还会残留在基体材料1上，但通过在残留光热转换层4的贮格围堰B、B间的沟槽部3配置含有可以根据热处理或光处理显示导电性的材料的功能液，并从基体材料1的背面侧对光热转换层4照射光，根据由光热转换层4产生的热使所述材料显示导电性。这里，根据热处理或光处理显示导电性的材料可列举后述的有机银化合物。 
把光热转换材料混杂着于升华层2的构成时，从直接对光热转换材料供给光能的角度考虑，优选从基体材料1的设有升华层2的表面侧照射光。还有，从表面侧照射光时与从背面侧照射光的情况相比，不产生经基体材料1而引起的光的散射(衍射)等不良状况。 
可以在升华层2混杂着用于调节对液体亲和性的调节材料。例如在升华层形成用功能液中事先混杂着用于调节相对于液体亲和性的调节材料，然后把该功能液涂布在基体材料1上，在基体材料1上形成混杂着所述调节材料的升华层2。 
作为调节材料可举例具有疏液性的材料，例如含氟化合物或硅化合物。这样，可以对由升华层2构成的贮格围堰B赋予疏液性。然后通过对贮格围堰B赋予疏液性，如根据液滴喷出法对贮格围堰B、B间的沟槽部3配置功能液时，即使功能液配置在包括贮格围堰B上面的上部附近时，也可以配置成根据其疏液性把功能液流落到贮格围堰B、B间的沟槽部3的底部，把功能液配置成期望状态。 
含氟化合物可列举如在分子内含有氟原子的单体、低聚物或聚合物，以及含氟表面活性剂等。这种含氟化合物优选溶解或分散在升华层2中含有的粘合剂树脂中。还有，硅化合物可列举如以有机聚硅氧烷为主要成分的树脂、橡胶、表面活性剂、偶合剂等。这些含氟化合物及硅化合物可以双方都混杂于升华层2，可以混杂任意一方。 
如图6(a)所示，可以层叠对液体(功能液)的亲和性各不相同的多个升华层2A、2B。根据此，能够把配置功能液的位置和润湿扩散情况进而控制在期望状态。尤其通过在基体材料1上依次层叠升华层2A和，疏液性优于该升华层2A的升华层2B，如在形成后的贮格围堰B、B间配置 功能液时，如图6(b)所示，可以在贮格围堰B、B间的沟槽部3的底部5附近良好地润湿扩散功能液，并且在包括贮格围堰B、B的上面6的上部附近配置功能液时，也可以配置成根据上部疏液区域把该上部附近的功能液流落到贮格围堰B、B间的沟槽部3的底部5。 
另外，为了使升华层2A、2B的疏液性不同，可以使各自混杂于各升华层2A、2B的所述调节材料(含氟化合物或硅化合物)的量不同，或者在升华层2A中混杂着具有亲液性的调节材料。 
如图6所示例子中，升华层2A直接设置在基体材料1上，但也可以在该升华层2A和基体材料1之间设置光热转换层4。还有，图6中表示了层叠两个升华层2A、2B的例子，但也可以层叠三层以上任意多个升华层。 
在基体材料1和升华层2之间可以设置具有根据照射光或加热产生气体的气体发生材料的气体发生层。气体发生材料在吸收光或由光能转换的热能后，发生分解反应，释放氮气或氢气等，根据产生的气体提供去除升华层2的能量。这种气体发生材料可列举选自季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritol tetranitrate：PETN)及三硝基甲苯(trinitrotoluene：TNT)中的至少一种物质。 
还有，设置光热转换层4时，可以在光热转换层4与升华层2之间设置用于使光热转换层4的光热转换作用均匀的中间层。这种中间层材料可举例满足上述要点的树脂材料。这些中间层可根据旋涂法、照相凹版涂层法、模涂法等已知涂层法在光热转换层4表面涂布具有所定组成的树脂组成物，并干燥而形成。照射激光光束后，根据光热转换层4的作用，光能转换成热能，进而该热能根据中间层的作用被均匀化。从而对相应于光照射区域部分的升华层2供给均匀的热能。 
实施例 
使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制薄板作为基体材料1，在该PET制薄板上设置光热转换层4，在该光热转换层4上设置升华层2。然后，把该薄板保持在旋转鼓上，以130rpm旋转该旋转鼓，用输出功率11W的近红外半导体激光装置对薄板照射了波长830nm的激光。这样，升华 层2的升华性色素便消失了。然后，通过测定对十四烷的接触角来确认是否去除了对应于该光照射区域的升华性材料。光照射前升华层2对十四烷的接触角为49度，但光照射后的升华性色素消失区域的接触角为7度，由此，可以确认根据激光照射去除了升华层2的一部分。 
配线图案的形成方法 
下面，说明使用根据上述方法形成的贮格围堰B、B在基体材料1上形成配线图案的方法。图7是表示使用所形成的贮格围堰B在基体材料1上形成配线图案的方法的模式图。本实施方案中，在基体材料1上配置配线图案形成用材料，因此，使用喷出含有配线图案形成用材料的功能液液滴的液滴喷出法(喷墨法)。贮格围堰B设置成区划事先设定在基体材料1上的配线图案形成区域。液滴喷出法中，在喷头20与基体材料1对置的状态下，由喷头20，对贮格围堰B、B间的沟槽部3喷出含有配线图案形成用材料的功能液的液滴。 
这里，液滴喷出法的喷出技术可列举带电控制方式、加压振动方式、电热转换方式、静电吸引方式、电机械转换方式等。带电抑制方式是用带电电极赋予材料电荷，用偏向电极控制材料的飞翔方向，从喷嘴喷出。还有，加压振动方式是对材料施加30kg/cm2左右的超高压，在喷嘴前端侧喷出材料，不施加控制电压时材料直接进入而从喷嘴喷出，施加控制电压时材料间产生静电斥力，材料飞散而无法从喷嘴喷出。还有，电热转换方式是根据设置在储藏材料的空间内的加热器，急剧气化材料，产生气泡(泡)，根据气泡的压力喷出空间内的材料。静电吸引方式是对储藏材料的空间内施加微小压力，在喷嘴形成材料的弯曲面，在这种状态施加静电引力，吸引出材料。电机械转换方式是利用压电元件受到脉冲性电气信号后变形的性质，根据压电元件变形，在储藏材料的空间经可弯曲物质施加压力，从该空间挤压材料，从喷嘴喷出。此外，还可以适用利用根据电场流体粘性变化的方式，用放电火花飞散的方式等技术。液滴喷出法的优点是材料浪费少，并且能够在期望位置确切配置期望量的材料。而且根据液滴喷出法喷出的液体材料的每一滴量为如1～300毫微克。本实施方案中使用了电机械转换方式(压电方式)。 
图8是采用压电方式的功能液(液体材料)喷出原理示意图。 
图8中，喷头20备有收纳功能液(含有配线图案形成用材料的液体材料)的液体室21和、邻接于该液体室21来设置的压电元件22。经含有收纳功能液的材料槽的供给系统23向液体室21供给功能液。压电元件22连接在驱动电路24，经该驱动电路24对压电元件22施加电压，使压电元件22变形，由此液体室21变形，从喷嘴25喷出功能液。此时，通过变化所施加电压值，控制压电元件22的变形量。还有，通过变化施加电压的频率，控制压电元件22的变形速度。根据压电方式喷出液体时，不对材料加热，因此，具有不影响材料组成的优点。 
下面，说明形成配线图案的顺序。根据如上所述方法形成贮格围堰B、B后，优选首先进行去除贮格围堰B、B间沟槽部3的底部5(基体材料1的露出部)残留物的残留物处理工序。作为残留物处理工序可根据对沟槽部3的底部5照射如紫外线(UV)等，通过光激发可以良好地去除残留于底部5的残留物，尤其是有机系残留物。还有，光热转换层4由有机系材料构成时，通过对底部5(光热转换层4)照射紫外线等光，去除底部5的光热转换层4。另外，作为残留物处理工序，可以根据使用含氧(O2)处理气体的O2等离子体处理去除残留物。还有，紫外线照射处理或O2 等离子体处理还可以作为对底部5(基体材料1的露出部)赋予亲液性的亲液化处理，通过对底部5(基体材料1的露出部)赋予亲液性，在如后述把功能液的液滴配置于沟槽部3时，可将该功能液良好地润湿扩散到底部5。 
接着，对贮格围堰B进行疏液化处理，对其表面赋予疏液性。疏液化处理可以采用如在大气气氛中用四氟甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。处理气体并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，可以使用其他氟代烃系的气体。进而，只要能够对功能液赋予疏液性，则可以使用氟系以外的处理气体。还有，作为疏液化处理，可以采用FAS(氟硅烷)处理的方法(自组织化膜法、化学气相蒸镀法等)、共轭镀金法、或金硫代物疏液化方法等已知的各种方法。通过对贮格围堰B赋予疏液性，即使由喷头20喷出的液滴的一部分落到贮格围堰B的上面6，因贮格围堰表面呈疏液性，所以被贮格围堰B挡掉，流落到贮格围堰B、B间 的沟槽部3。从而喷出的功能液良好地配置在贮格围堰B、B间。 
另外，根据对贮格围堰B、B的疏液化处理，虽然多少影响先进行亲液化处理的贮格围堰间的底部5(基体材料1的露出部)，但尤其是基体材料1由玻璃等构成时，因没有疏液化处理带来的氟基的引入，所以基体材料1的亲液性实际上不受损失。还有，如上所述通过对贮格围堰B(升华层2)事先混杂着具有疏液性的调节材料，还能够省去该疏液化处理工序。 
接着，进行使用喷头20，在基体材料1上的贮格围堰B、B间配置含有配线图案形成用材料的功能液的液滴的材料配置工序。这里，使用有机银化合物作为构成配线图案形成用材料的导电性材料，用二甘醇二乙醚作为溶剂(分散溶剂)，喷出该含有有机银化合物的功能液。材料配置工序中，如图7所示，从喷头20把含有配线图案形成用材料的功能液以液滴喷出。喷出的液滴配置在基板P上的贮格围堰B、B间的沟槽部3上。此时，喷出液滴的配线图案形成区域被贮格围堰B区划，所以可以阻止液滴扩散到所定位置以外。还有，贮格围堰B、B赋予了疏液性，所以即使喷出液滴的一部分落到贮格围堰B上，也能流落到贮格围堰间的沟槽部3。进而，露出基体材料1的沟槽部3的底部5因赋予了亲液性，所以喷出液滴容易在底部5扩散，功能液由此能均匀地配置在所定位置内。 
功能液还可以使用把导电性微粒分散到分散溶剂里的分散液。导电性微粒可列举含有金、银、铜、铝、钯、及镍中的至少一种的金属微粒，及它们的氧化物，以及导电性聚合物或超导体微粒等。作为分散溶剂只要可以分散上述导电性微粒而不引起凝集，则不做特别限定。如可列举水、甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类；正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜稀、茚、双戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃类化合物；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物；丙烯碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲醛、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。其中从微粒分散性及分散液的稳定性，以及容易适用于液滴喷出法的角度出发，优选使用水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，更优选的分散 溶剂为水、烃类化合物。 
材料配置工序(液滴喷出工序)后进行烧成工序。通过对含有导电性材料的功能液进行烧成处理，获得导电性。尤其是有机银化合物时，进行烧成处理来去除其有机组分，残留银离子，呈现导电性。因此，对材料配置工序后的基体材料1，实施热处理或光处理中的至少一种来作为烧成处理。热处理·光处理通常是在大气中进行，但也可以根据需要在氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理·光处理的处理温度根据溶剂的沸点(蒸气压)、惰性气体的种类和压力、微粒的分散性或有机银化合物、氧化性等热行为、涂层材料的有无及其量、基体材料的耐热温度等适当选择。例如，为了去除有机银化合物的有机组分，需要在约200℃烧成。还有，使用塑料等基板时，优选在室温～100℃进行。根据以上工序，喷出工序后的导电性材料(有机银化合物)根据银离子的残留，转换成具有导电性的配线图案。 
材料配置工序后，进行中间干燥工序(或烧成工序)，多次反复交替这些材料配置工序和中间干燥工序(烧成工序)，以在贮格围堰B、B间层叠配线图案形成用材料。 
另外，烧成工序后，可以去除(抛光)存在于基体材料1上的粘合剂。例如通过对贮格围堰B(升华层2)照射激光，或用所定溶剂洗涤，从基体材料1去除贮格围堰B。还有，抛光处理可以采用等离子体抛光或臭氧抛光等。 
等离子体显示装置 
接着，参照图9说明等离子体显示器(等离子体显示装置)，作为具有根据本发明的配线图案形成方法形成的配线图案的电光学装置的一例。图9是表示制造了地址电极511和总线电极512a的等离子体显示器500的分解立体图。该等离子体显示器500由相互对置配置的玻璃基板501和玻璃基板502，以及在它们之间形成的放电显示部510示意构成。 
放电显示部510由多个放电室516集合而成，多个放电室516中，红色放电室516(R)、绿色放电室(G)、蓝色放电室(B)该三个放电室516配置成对而构成了1像素。所述(玻璃)基板501上面以所定间隔形成条 纹状地址电极511，并形成覆盖这些地址电极511和基板501上面的介电层519，进而在该介电层519上，位于地址电极511、511间，沿着各地址电极511形成有隔板515。隔板515在其长轴向的所定位置与地址电极511正交的方向也以所定间隔被切割(略图示)，形成基本上被邻接于地址电极511横向左右两侧的隔板和延设在正交于地址电极511方向的隔板切割的长方形区域，放电室516形成为对应于这些长方形区域，三对这些长方形区域构成1像素。还有，被隔板516区划的长方形区域的内侧配置有荧光体517。荧光体517发出红、绿、蓝中的任意荧光，在红色放电室516(R)的底部配置有红色荧光体517(R)、绿色放电室516(G)的底部配置有绿色荧光体517(G)、蓝色放电室516(B)的底部配置有蓝色荧光体517(B)。 
接着，在所述玻璃基板502侧，与上述地址电极511正交的方向以所定间隔形成条纹状多个由ITO构成的透明显示电极512，同时为辅助高电阻ITO形成有由金属构成的总线电极512a。还有，形成覆盖这些的介质层513，进而，形成了由MgO等构成的保护膜514。这样，所述基板501和玻璃基板502的基板2相对置贴合成与所述地址电极511和显示电极512相互正交，通过对由基板501和隔板515和形成于玻璃基板502侧的保护膜514围住的空间部分进行排气并封入稀有气体来形成了放电室516。形成于玻璃基板502侧的显示电极512形成为对每个放电室516配置有2个。所述地址电极511与显示电极512连接到略图示的交流电源上，通过对各电极进行通电，在所需位置的放电显示部510激发荧光体517以发光，从而显示颜色。 
本例子中尤其是所述地址电极511和总线电极512a由本发明的配线图案的形成方法形成。即，这些地址电极511和总线电极512a尤其为其图案结构考虑，将分散金属胶体材料(如金胶体或银胶体)或导电性微粒来构成的功能液喷出、干燥、烧成来形成。还有，荧光体517也可以把在溶剂中溶解荧光体材料或在分散溶剂中分散的功能液由喷头20喷出，通过干燥、烧成而形成。 
彩色滤光器 
接着，参照图10说明使用本发明的贮格围堰制造液晶显示装置彩色滤光器的顺序。首先，如图10(a)所示，对透明基板(基体材料)P的一面形成黑基质(black matrix贮格围堰)52。该黑基质52区划彩色滤光器形成区域，由本发明的贮格围堰的形成方法形成。形成黑基质(贮格围堰)时，通过在升华性材料使用黑色材料的同时，在升华性材料中混杂着光固化性树脂，根据光照射工序使黑基质固化。 
接着，如图10(b)所示，从所述喷头20喷出彩色滤光器用功能液的液滴54，将其弹落到滤光元件53。喷出的功能液54的量应考虑加热工序(干燥、烧成工序)中功能液的体积减少来定充分的量。 
这样对基板P上的所有滤光元件53填充液滴54后，使用加热器加热处理至基板P达到所定温度(如70℃程度)。根据该加热处理，功能液的溶剂蒸发，从而功能液的体积减少。该体积减少激烈时，重复液滴喷出工序和加热工序直到获得作为彩色滤光器的充分膜厚。根据该处理，功能液中含有的溶剂蒸发，最终只残留功能液中含有的固体组分(功能性材料)，并成膜，成为如图10(c)所示彩色滤光器55。 
接着，为了使基板P平坦化，且保护彩色滤光器55，如图10(d)所示在基板P上形成保护膜56，覆盖彩色滤光器55和黑基质52。形成该保护膜56时，可以采用旋涂法、辊涂法、刷涂法等方法，但也可以与彩色滤光器55相同，使用所述喷出装置进行。接着，如图10(e)所示，根据溅射法或真空蒸镀法在该保护膜56整面形成透明导电膜57。然后，对透明导电膜57制造图案，如图10(f)所示，把像素电极58对应于所述滤光元件53制造图案。另外，液晶显示板的驱动使用TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)时，不需要该图案制造工序。在这种彩色滤光器制造过程中使用所述喷头20，可无阻碍地连续喷出彩色滤光器材料，从而能形成良好的彩色滤光器，同时还可以提高生产性。 
有机EL显示装置 
接着，参照图11说明使用本发明的贮格围堰制造有机EL显示装置的顺序。图11是由喷头20制造一部分构成要素的有机EL显示装置的侧剖面图，首先说明该有机EL显示装置的示意构成。这里形成的有机EL显 示装置为本发明的电光学装置的一个实施方案。如图11所示，该有机EL装置301为，在由基板(基体材料)311、电路元件部321、像素电极331、贮格围堰部341、发光元件351、阴极361(对置电极)、及密封基板371构成的有机EL元件302连接可弯曲基板(略图示)的接线及驱动IC(略图示)。电路元件部321形成于基板311上，多个像素电极331整齐排列在电路元件部321上。这样，各像素电极331间以格子状形成有贮格围堰部341，在由贮格围堰部341产生的凹部开口344形成着发光元件351。阴极361形成于贮格围堰部341及发光元件351上部的整面，阴极361上层叠有密封用基板371。 
贮格围堰部341由第一个贮格围堰342和在其上层叠的第二个贮格围堰343构成。还有，形成该贮格围堰部341时使用本发明的贮格围堰形成方法。 
含有有机EL元件的有机EL显示装置301的制造工序备有：形成贮格围堰部341的贮格围堰部形成工序和、为了恰当地形成发光元件351的等离子体处理工序和、形成发光元件351的发光元件形成工序和、形成阴极361的对置电极形成工序和、把密封用基板371层叠到阴极361上来密封的密封工序。 
发光元件形成工序是在凹部开口344，即像素电极331上形成空穴注入层352及发光层353来形成发光元件351，备有空穴注入层形成工序和发光层形成工序。并且，空穴注入层形成工序具有把用于形成空穴注入层352的第一个功能液喷出到各像素电极331上的第一个喷出工序和、干燥所喷出第一个功能液，以形成空穴注入层352的第一个干燥工序；发光层形成工序具有把用于形成发光层353的第二个功能液喷出到空穴注入层352上的第二个喷出工序和、干燥所喷出第二个功能液，以形成发光层353的第二个干燥工序。 
该发光元件形成工序中，在空穴注入层形成工序的第一个喷出工序和发光层形成工序的第二个喷出工序中使用所述喷头20。 
电子机器 
下面说明具备上述电光学装置(液晶显示装置、有机EL显示装置、 等离子体显示装置等)的电子机器的适用例。图12(a)是表示移动电话机例子的立体图。图12(a)中，符号1000表示移动电话机机体，符号1001表示使用上述电光学装置的显示部。图12(b)是表示手表型电子机器例子的立体图。图12(b)中符号1100表示表主体，符号1101表示使用上述电光学装置的显示部。图12(c)是表示文字处理器、个人计算机等便携式信息处理装置例子的立体图。图12(c)中符号1200表示信息处理装置、符号1202表示键盘等输入部、符号1204表示信息处理装置机体、符号1206表示使用上述电光学装置的显示部。图12(a)～(c)中所示电子机器备有上述实施方案的电光学装置，因此，可以获得显示品质优异，具备明亮画面显示部的电子机器。 
上述例子外还可以列举具备液晶电视、探视器型或监视器直看型录象机、汽车驾驶导航装置、寻呼机、电子记事本、计算器、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端、电子纸、触摸屏的机器等。本发明的电光学装置还适合用作这种电子机器的显示部。 
显微透镜 
图13是表示使用本发明的贮格围堰形成显微透镜工序的一例的图。 
如图13(a)所示，根据本发明的贮格围堰形成方法在基体材料810上形成贮格围堰811。然后，由喷头20向该贮格围堰811、811间的沟槽部喷出含有透镜材料的功能液812。作为透镜材料优选透明且折射率高的材料，可使用如光固性或热固性树脂、无机材料等。本例中从追求低温固化处理的目的出发，使用光固性树脂。在喷出功能液812的工序之前优选对贮格围堰811进行上述疏液化处理。接着，如图13(b)所示，固化配置于基体材料810上的透镜材料812。作为固化处理是通过对透镜材料照射所定波长光来进行。使用热固性树脂作为透镜材料时，通过用所定温度加热透镜材料来进行固化处理。根据固化处理在被贮格围堰811区划的区域形成凸状曲面透镜813。 
如图14所示，可以在被贮格围堰811区划的区域上形成的凸状曲面透镜813上配置作为彩色滤光器形成用材料的红(R)、绿(G)、蓝(B)各颜色材料814、815、816。在由贮格围堰811区划的区域上已形成有上述 凸状曲面透镜813，因此通过配置颜色材料814、815、816，在贮格围堰811内的曲面透镜813之上层叠颜色材料814、815、816。配置颜色材料814、815、816时也可以使用液滴喷出法。图14中，该彩色滤光器为，从基体材料810侧入射的光经过凸状曲面透镜813、及颜色材料814、815、816后出射。此时，根据经过曲面透镜813来聚光的同时，根据经过各颜色材料814、815、816来成为所定波长区域的光。还有，根据曲面透镜813的聚光可提高出射光的辉度。 
本实施方案中，在贮格围堰内形成了凸透镜，但透镜形状并不限定于此。 
DNA芯片 
图15为用于说明使用本发明的贮格围堰形成作为检测仪的DNA芯片的实施方案的图，(a)为平面图、(b)及(c)为A-A剖面图。而且，关于DNA芯片的技术在如特开平10-168386号公报、特开2000-232883号公报等中有所述。 
图15(a)及(b)中，本例的DNA芯片的构成为，在基体材料900上设有参照图13说明的曲面透镜901，在该透镜901上固着反应剂902。还有，透镜901及反应剂902重叠配置于通过根据本发明形成方法形成的贮格围堰903区划的区域。作为DNA芯片用反应剂使用如DNA片段。事先把基因排列明确的几十至几百种DNA片段浸在溶液中，固定在对应的贮格围堰903。进而，本例DNA芯片为，如图15(c)所示，从基体材料900的背侧入射光，经过透镜901及反应剂902出射。使用本例的DNA芯片时，制作液状基因样品905，把它配置在芯片上。当有适合样品的基因时，根据捕捉反应与反应剂902反应，确定碱基序列，根据合成的荧光染料发出荧光。从基体900的背侧入射的光根据透镜901聚光，提高出射光的辉度，提高视觉性。 
图16(a)～(e)是上述DNA芯片制造过程的模式图。为了简单化，图16(a)～(e)中只对图15(b)所示的剖面进行部分性扩大表示。首先如图16(a)所示，在基体材料900上根据本发明的贮格围堰形成方法形成区划配置反应剂区域的贮格围堰903。然后，如图16(b)所示，对 该贮格围堰903表面进行疏液化处理。接着，如图16(c)所示，在被贮格围堰903区划的区域由喷头20配置透镜材料904。接着，如图16(d)所示，对配置透镜材料904的基体材料900照射光，使透镜材料904固化，这样在贮格围堰903内形成凸状曲面透镜901。接着，如图16(e)所示，在被贮格围堰903区划的区域由喷头20配置反应剂902，通过把该反应剂902固着到透镜901上，制造DNA芯片。 
如上所述DNA芯片制造方法中，把作为功能材料的反应剂902和透镜材料904一同配置在被贮格围堰903区划的区域，从而透镜材料904和反应剂902确实能够层叠在贮格围堰903内。还有，配置材料时，通过使用液滴喷出法，减少透镜材料或反应剂的浪费，并且在贮格围堰903内确实配置期望量的材料。 

Claims (18)

1.一种贮格围堰的形成方法，其特征在于：通过对设有含升华性材料的升华层的基体材料照射光，使所述升华性材料升华，在所述基体材料上形成由该基体材料的没有受到光照射的用于区划所定区域的升华层自身构成的贮格围堰。
2.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：所述升华性材料含有升华性色素。
3.根据权利要求1或2所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：所述基体材料上设有含有把光能转换成热能的光热转换材料的光热转换层。
4.根据权利要求3所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：所述光热转换层设置在所述基体材料与所述升华层之间。
5.根据权利要求1或2所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：所述基体材料上混杂着把光能转换成热能的光热转换材料。
6.根据权利要求1或2所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：所述升华层上混杂着把光能转换成热能的光热转换材料。
7.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：所述升华层上混杂着用于调节对液体亲和性的调节材料。
8.根据权利要求7所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：层叠有对所述液体亲和性各不相同的多个升华层。
9.根据权利要求8所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：在所述基体材料上依次层叠有第一个升华层和、疏液性比该第一个升华层大的第二个升华层。
10.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：照射所述光后，进行用于调节相对于液体亲和性的表面处理。
11.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：从所述基体材料的设有所述升华层的那一面照射所述光。
12.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：从所述基体材料的未设有所述升华层的另一面照射所述光。
13.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：经具有所定图案的掩模向所述基体材料照射光。
14.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：将所述基体材料相对于所述光相对移动的同时进行照射。
15.根据权利要求1所述的贮格围堰的形成方法，其特征在于：吸引去除由所述基体材料分离的材料。
16.一种配线图案的形成方法，其特征在于：在根据权利要求1～15中的任意一项所述的形成方法形成的贮格围堰之间配置含有配线图案形成用材料的液滴，以在所述基体材料上形成配线图案。
17.一种电光学装置的形成方法，其特征在于：具有根据权利要求16所述的形成方法形成的配线图案。
18.一种电子机器，其特征在于：具有权利要求17所述的电光学装置。
CN2004100558616A 2003-08-08 2004-08-04 贮格围堰及配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器 Expired - Lifetime CN1582091B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003290656A JP4400138B2 (ja) 2003-08-08 2003-08-08 配線パターンの形成方法
JP2003290656 2003-08-08
JP2003-290656 2003-08-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1582091A CN1582091A (zh) 2005-02-16
CN1582091B true CN1582091B (zh) 2011-06-01

Family

ID=34269048

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100558616A Expired - Lifetime CN1582091B (zh) 2003-08-08 2004-08-04 贮格围堰及配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7732003B2 (zh)
JP (1) JP4400138B2 (zh)
KR (1) KR100684702B1 (zh)
CN (1) CN1582091B (zh)
TW (1) TWI269607B (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4239750B2 (ja) * 2003-08-13 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ及びマイクロレンズの製造方法、光学装置、光伝送装置、レーザプリンタ用ヘッド、並びにレーザプリンタ
JP2006245526A (ja) * 2005-02-04 2006-09-14 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP4297106B2 (ja) * 2005-02-23 2009-07-15 セイコーエプソン株式会社 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
EP1720389B1 (en) * 2005-04-25 2019-07-03 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method for forming pattern and a wired board
US7510951B2 (en) * 2005-05-12 2009-03-31 Lg Chem, Ltd. Method for forming high-resolution pattern with direct writing means
KR100833017B1 (ko) * 2005-05-12 2008-05-27 주식회사 엘지화학 직접 패턴법을 이용한 고해상도 패턴형성방법
JP4254743B2 (ja) * 2005-05-13 2009-04-15 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP4200981B2 (ja) * 2005-05-16 2008-12-24 セイコーエプソン株式会社 バンク構造、配線パターン形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器
EP1729358B1 (en) * 2005-06-02 2016-03-02 Samsung SDI Germany GmbH Substrate for inkjet printing
JP4745062B2 (ja) * 2005-06-02 2011-08-10 三星モバイルディスプレイ株式會社 平板表示装置及びその製造方法
JP2007019014A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置及びその製造方法
JP2007030394A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 光学構造体及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置
JP4622955B2 (ja) * 2005-08-25 2011-02-02 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、カラーフィルタ基板、表示装置
JP4572814B2 (ja) 2005-11-16 2010-11-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置並びに電子機器
JP2007163927A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Seiko Epson Corp カラーフィルタ、電気光学装置、電子機器、およびカラーフィルタの製造方法
KR100712182B1 (ko) * 2005-12-16 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP4961819B2 (ja) * 2006-04-26 2012-06-27 株式会社日立製作所 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4190021B1 (ja) * 2008-01-11 2008-12-03 アサヒテック株式会社 導電性ボール配置用マスク及びその製造方法
CN102004274B (zh) * 2009-09-03 2012-03-14 奇景光电股份有限公司 微透镜结构、微透镜工艺及应用于微透镜工艺的岸堤图案
KR20110044369A (ko) * 2009-10-23 2011-04-29 삼성전기주식회사 트렌치기판 및 그 제조방법
CN102293052B (zh) * 2010-03-31 2015-04-15 松下电器产业株式会社 显示面板装置以及显示面板装置的制造方法
JP2012099769A (ja) * 2010-11-05 2012-05-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
KR20140033671A (ko) * 2012-09-10 2014-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
JP6372083B2 (ja) * 2014-01-08 2018-08-15 コニカミノルタ株式会社 配線パターン形成装置および配線パターン形成方法並びに配線基板
CN113097417B (zh) * 2021-03-30 2023-04-18 云南创视界光电科技有限公司 Oled显示基板及显示装置
KR102647610B1 (ko) * 2021-12-30 2024-03-14 주식회사 고산테크 잉크젯 프린팅을 이용한 전극형성방법과 전극형성장치

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5718324A (en) * 1980-07-07 1982-01-30 Mitsubishi Electric Corp Method of working
JPS61133632A (ja) * 1984-12-03 1986-06-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS6360788A (ja) * 1986-09-01 1988-03-16 Tomoegawa Paper Co Ltd 放電転写記録媒体
US4806506A (en) 1987-09-14 1989-02-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for detackifying photopolymer flexographic printing plates
JPH0574704A (ja) 1991-09-13 1993-03-26 Seiko Epson Corp 半導体層の形成方法
JPH06347637A (ja) 1993-06-14 1994-12-22 Dainippon Ink & Chem Inc 印刷方法
IL115934A0 (en) 1995-11-09 1996-01-31 Oramir Semiconductor Ltd Laser processing chamber with cassette cell
US6451506B1 (en) * 1995-12-04 2002-09-17 Agra-Gevaert Material for producing a lithographic printing plate comprising a glass support
JP3849726B2 (ja) 1996-05-10 2006-11-22 ソニー株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US6196129B1 (en) * 1996-05-14 2001-03-06 New England Sciences & Specialty Products, Inc. Wet lithographic printing plates
IL120588A (en) * 1997-04-01 2001-08-08 Creoscitex Corp Ltd Offset plate for small quantities
JPH10301261A (ja) * 1997-04-28 1998-11-13 Daicel Chem Ind Ltd 印刷用版材
US6235445B1 (en) 1998-04-15 2001-05-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Thermal transfer sheet
JP2000001055A (ja) 1998-04-15 2000-01-07 Fuji Photo Film Co Ltd 熱転写シ―ト
AU739174B2 (en) * 1998-09-21 2001-10-04 Presstek, Inc. Lithographic printing plates for use with laser imaging apparatus
JP3290432B2 (ja) * 1998-12-28 2002-06-10 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001166125A (ja) 1999-04-07 2001-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 特に薄膜間等の微小な、区画構造物とその製造方法
JP4590663B2 (ja) 1999-10-29 2010-12-01 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタの製造方法
JP3706901B2 (ja) 1999-12-06 2005-10-19 セイコーインスツル株式会社 動圧発生用溝形成方法、及びレジスト溶液
US20020043170A1 (en) * 2000-01-10 2002-04-18 Rafael Bronstein System and method for preparing and utilizing a printing member having magnetic particles therein
JP3897146B2 (ja) * 2000-03-31 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルターを形成するための基板、カラーフィルター、及びその製造方法
JP2002019008A (ja) 2000-07-04 2002-01-22 Seiko Epson Corp 有機分子膜、有機分子膜パターン及びその製造方法
DE10043042C2 (de) * 2000-09-01 2003-04-17 Bruker Daltonik Gmbh Verfahren zum Belegen eines Probenträgers mit Biomolekülen für die massenspektrometrische Analyse
JP4355436B2 (ja) * 2000-10-25 2009-11-04 森村ケミカル株式会社 配線パターンの形成方法、回路基板の製造方法および遮光パターンの形成された透光体の製造方法
JP2003072217A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Dainippon Printing Co Ltd 立体図形記録媒体及び立体図形記録方法、その利用方法
JP4236081B2 (ja) * 2001-10-16 2009-03-11 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
JP4281342B2 (ja) * 2001-12-05 2009-06-17 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および配線形成方法
JP2003188497A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Yasunaga Corp 導体回路の形成方法
JP3963730B2 (ja) 2002-01-25 2007-08-22 パナソニック コミュニケーションズ株式会社 印刷版、印刷装置、及び印刷方法
JP4487471B2 (ja) 2002-07-03 2010-06-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 導電路又は電極の形成方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP平5-74704A 1993.03.26
JP平9-306666A 1997.11.28

Also Published As

Publication number Publication date
US20050058840A1 (en) 2005-03-17
US7732003B2 (en) 2010-06-08
KR20050016191A (ko) 2005-02-21
JP2005062355A (ja) 2005-03-10
KR100684702B1 (ko) 2007-02-20
TW200518619A (en) 2005-06-01
TWI269607B (en) 2006-12-21
CN1582091A (zh) 2005-02-16
JP4400138B2 (ja) 2010-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1582091B (zh) 贮格围堰及配线图案的形成方法，电光学装置及电子机器
CN100420355C (zh) 图形的形成方法以及布线图形的形成方法、电光装置
CN100421532C (zh) 图形形成方法及布线图形形成方法，电光学装置及电子设备
TWI294795B (en) Droplet application method, droplet application device, electro-optical device, and electronic apparatus
TWI296945B (en) Thin film pattern substrate, method for manufacturing device, electro-optic device, and electronic apparatus
US7105264B2 (en) Method for forming patterned conductive film, electrooptical device, and electronic appliance
CN100375239C (zh) 抗蚀剂图案及配线图案的形成方法、半导体装置的制造法
CN100440580C (zh) 热处理方法、配线图案的形成方法、电光学装置及其制法
JP4273871B2 (ja) 配線パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
JPH10142417A (ja) カラーフィルターの製造方法、及びカラー液晶ディスプレイパネル
JP2005091849A (ja) フォトマスク、フォトマスクの製造方法、配線基板、カラーフィルタおよび電子光学機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ZHIJI SHIDUN TECHNOLOGY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SEIKO EPSON CORP.

Effective date: 20130905

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130905

Address after: Delaware, Newcastle, USA

Patentee after: Zhiji Shidun Technology Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20110601

CX01 Expiry of patent term