JP4433722B2 - パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法 - Google Patents
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Description
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、前記基材に、前記昇華性材料が混在されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、前記薄膜及び前記基材の少なくとも1つの光透過率に基づいて、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側及び前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側のどちらかから前記光を照射するかを決定することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、昇華性材料及び光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材の一方の面側に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、前記昇華性材料は、前記基材の表面側又は裏面側に、前記基材及び前記薄膜とは独立した昇華性色素層として形成されており、前記光熱変換材料を含む光熱変換層が、前記基材、前記薄膜及び前記昇華性色素層とは独立して設けられており、前記光熱変換層は、前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、前記薄膜は光開始剤を有するモノマーを含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とすることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、前記薄膜及び前記基材の少なくとも1つの光透過率に基づいて、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側及び前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側のどちらかから前記光を照射するかを決定することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記昇華性材料は昇華性色素を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記薄膜は有機薄膜を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記薄膜は単分子膜を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記薄膜は光開始剤を有するモノマーを含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記昇華性材料は、前記基材の表面側又は裏面側に、前記基材及び前記薄膜とは独立した昇華性色素層として形成されることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記昇華性色素層は、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記昇華性色素層は、前記薄膜と隣接して設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記昇華性色素層は、前記基材と前記薄膜との間に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記基材に、前記昇華性材料が混在されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記基材は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含むことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記基材は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含み、前記昇華性色素層に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側から前記光を照射することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、前記光は、前記昇華性材料及び前記光熱変換材料の少なくとも一方に応じた波長を有することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る配線パターンの形成方法は、請求項1〜請求項22のいずれか一項に記載の形成方法により形成された薄膜パターンを有する前記基材上に、配線パターン形成用材料を含む液滴を配置することにより配線パターンを形成することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る配線パターンの形成方法は、昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する位置の前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記薄膜を有する前記基材上に、配線パターン形成用材料を含む液滴を配置することにより配線パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る配線パターンの形成方法は、ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する位置の前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記薄膜を有する前記基材上に、配線パターン形成用材料を含む液滴を配置することにより配線パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法は、昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングすることを特徴とする。ここで、前記昇華性材料は昇華性色素を含む。前記薄膜は有機薄膜、単分子膜、及び光開始剤を含むモノマーを含む。本発明によれば、基材上又は基材の中に昇華性材料を設けることにより、照射された光によって所望領域の昇華性材料が熱せられ、その昇華性材料の昇華により所望領域の薄膜を気化又は分解することができ、薄膜をパターニングすることができる。したがって、薄膜が直接吸収帯を持たない波長の光であっても、昇華性材料あるいは光熱変換材料の持つ吸収帯でのパターニングが可能となり、簡便にかつ高い解像度で薄膜をパターニングすることができる。すなわち、本発明によれば、使用する光照射装置の選択の幅が広がり、高価で大掛かりな光照射装置を用いなくても、基材上より薄膜を良好に除去して高精度にパターニングすることができる。
本発明のパターンの形成方法において、前記光熱変換材料を前記昇華性色素層に混在させるようにしてもよい。このようにすると、昇華性材料が昇華したときに光熱変換材料も一緒に昇華して、その光熱変換材料も基材上から除去することができる。
本発明のパターンの形成方法において、前記基材又は前記光熱変換層と前記昇華性色素層との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層が設けられている構成を採用することができる。このようにすると、光照射のみにより、加熱のみにより、又は光照射と加熱と両方により、ガスを発生させて、薄膜をパターニングすることができる。
以下、本発明のパターンの形成方法について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の薄膜パターンの形成方法に用いられるパターン形成装置の一実施形態を示す概略構成図である。図1において、パターン形成装置10は、所定の波長を有するレーザ光束を射出するレーザ光源11と、処理対象である基材1を支持するステージ12とを備えている。基材1の上面には光熱変換層4が設けられ、その光熱変換層4の上層には昇華性色素層5が設けられ、その昇華性色素層5の上層には薄膜2が設けられている。この基材1(上面側の各層)の構成においては、光熱変換層4を省略して、基材1の上面に昇華性色素層5が設けられ、その昇華性色素層5の上層に薄膜2が設けられているものとすることも可能である。本実施形態では、レーザ光源11として近赤外半導体レーザ(波長830nm)が使用される。
なお、ここでは基材1をXY方向に並進移動するステージ12に支持させているが、基材1を回転ドラムに保持させる場合は、例えば光源11の走査方向をX軸方向、回転ドラムの回転方向をY軸方向とする。
昇華性色素層5の所望領域を加熱して昇華させると、その昇華とともに、その所望領域に対応する部位の薄膜2を物理的に気化又は分解することができる。
また、図1〜図4を参照して説明した実施形態では、昇華性色素は、基材1、光熱変換層4及び薄膜2とは独立した層(昇華性色素層5)に設けられているが、基材1に熱変換材料及び昇華性色素を混在させる構成も可能であり、薄膜2に昇華性色素を混在させる構成も可能である。このような構成であっても、照射された光によって所望領域の昇華性色素が熱せられ、その昇華性色素の昇華により所望領域の薄膜2を気化又は分解することができ、薄膜2をパターニングすることができる。
また、光熱変換材料を昇華性色素層5に混在させるようにしてもよい。このようにすると、昇華性色素が昇華したときに光熱変換材料も一緒に昇華して、その光熱変換材料も基材1上から除去することができる。
以下、上記説明した方法により形成された薄膜パターンを有する基材1上に配線パターンを形成する方法について説明する。図7は、薄膜2のパターンが形成された基材1上に配線パターンを形成する方法を示す模式図である。本実施形態では、配線パターン形成用材料を基材1上に配置するために、配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴を吐出する液滴吐出法(インクジェット法)を用いる。液滴吐出法では、吐出ヘッド20と基材1とを対向させた状態で、薄膜2の除去領域3に対して配線パターン形成用材料を含む機能液の液滴が吐出ヘッド20より吐出される。ここで、薄膜(単分子膜)2は撥液性を有しており、除去領域3は薄膜2が除去されて親液性を有している。また、本実施形態では、図7に示すように、基材1の表面側に薄膜2及び昇華性色素層5が設けられ、裏面側に光熱変換層4が設けられているものとする。
次に、本発明の配線パターンの形成方法により形成された配線パターンを有する電気光学装置の一例として、プラズマディスプレイ(プラズマ表示装置)について図9を参照しながら説明する。図9は、アドレス電極511とバス電極512aとが製造されたプラズマディスプレイ500を示す分解斜視図である。このプラズマディスプレイ500は、互いに対向して配置されたガラス基板501とガラス基板502と、これらの間に形成された放電表示部510とから概略構成されている。
次に、本発明に係る薄膜を使って液晶表示装置のカラーフィルタを製造する手順について、図10を参照しながら説明する。なお、本実施形態における薄膜は単分子膜ではなく、所定の高さ(厚み)を有する有機薄膜により構成されており、基材上の所定領域を区画するバンク(ブラックマトリクス)を構成する。まず、図10(a)に示すように透明の基板(基材)Pの一方の面に対し、ブラックマトリックス(バンク)52を形成する。このブラックマトリックス52は、カラーフィルタ形成領域を区画するものであり、本発明に係るバンクの形成方法によって形成される。ブラックマトリクス(バンク)を形成するに際し、光開始剤およびモノマーとともに黒色の昇華性材料を使用することで、後の光照射工程においてブラックマトリクスを硬化することができる。
次に、本発明に係るバンクを使って有機EL表示装置を製造する手順について、図11を参照しながら説明する。なお、本実施形態における薄膜も単分子膜ではなく、所定の高さ(厚み)を有する有機薄膜により構成されており、基材上の所定領域を区画するバンクを構成する。図11は、前記吐出ヘッド20により一部の構成要素が製造された有機EL表示装置の側断面図であり、まずこの有機EL表示装置の概略構成を説明する。なお、ここで形成される有機EL表示装置は、本発明における電気光学装置の一実施形態となるものである。図11に示すようにこの有機EL装置301は、基板(基材)311、回路素子部321、画素電極331、バンク部341、発光素子351、陰極361(対向電極)、および封止基板371から構成された有機EL素子302に、フレキシブル基板(図示略)の配線および駆動IC(図示略)を接続したものである。回路素子部321は基板311上に形成され、複数の画素電極331が回路素子部321上に整列している。そして、各画素電極331間にはバンク部341が格子状に形成されており、バンク部341により生じた凹部開口344に、発光素子351が形成されている。陰極361は、バンク部341および発光素子351の上部全面に形成され、陰極361の上には封止用基板371が積層されている。
以下、上記電気光学装置(液晶表示装置、有機EL表示装置、プラズマ表示装置等)を備えた電子機器の適用例について説明する。図12(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図12(a)において、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図12(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図12(b)において、符号1100は時計本体を示し、符号1101は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図12(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図12(c)において、符号1200は情報処理装置、符号1202はキーボードなどの入力部、符号1204は情報処理装置本体、符号1206は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。図12(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施の形態の電気光学装置を備えているので、表示品位(特に解像度)に優れ、明るい画面の表示部を備えた電子機器を低コストで実現することができる。
図13は、本発明に係る薄膜パターンを使ってマイクロレンズを形成する工程の一例を示す図である。本実施形態における薄膜は、例えばFAS膜などからなる撥液性を有する単分子膜により構成される。
本例ではまず、図13(a)に示すように、吐出ヘッド20より基板(基材)P上に光透過性樹脂からなる液滴622aを吐出し、これを塗布する。なお、各吐出ヘッド20から液滴622aを吐出するに際しては、その吐出に先立ち、本発明に係る薄膜パターンが基板P上に形成されており、液滴622aは、親液性を有する除去領域3に配置される。
図14は、本発明に係る薄膜パターンを使って、検査機としてのDNAチップを形成する実施形態を説明するための図であり、(a)は平面図、(b)及び(c)はA−A断面図である。なお、DNAチップに関する技術は、例えば、特開平10−168386号公報、特開2000−232883号公報などに記載されている。
図14(a)及び(b)において、本例のDNAチップは、基材900上に反応膜902が設けられた構成からなる。本実施形態においては、反応膜902の周囲に撥液性を有する薄膜903が設けられている。薄膜903は撥液性を有する単分子膜からなる。DNAチップ用の反応膜902を形成する反応剤としては、例えばDNA断片が用いられる。あらかじめ遺伝子配列の判明している数十から数百種類のDNA断片を溶液中に含ませ、基材900上に固定する。さらに、本例のDNAチップは、図13(c)に示すように、基材900の裏側から光が入射し、反応膜902を通過して取り出されるようになっている。本例のDNAチップの使用にあたっては、液状の遺伝子サンプル905を作成し、それをチップ上に配置する。サンプルに適合する遺伝子がある場合は、捕捉反応により反応膜902に反応し塩基配列が特定され、合成された蛍光染料により蛍光を発する。
上記実施形態において、昇華性色素層5(又は昇華性色素)の代わりに、光を照射されることによりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層を設けてもよい。このようにすれば、基材1上又は基材1の中にガス発生材料を設けることにより、照射された光によって所望領域からガスを発生させ、そのガスの発生により所望領域の薄膜2を基材1上から除去することができ、薄膜2をパターニングすることができる。したがって、従来のパターニングのおけるマスクを必要とせず、また電子ビームや紫外線を用いることなく、簡便にかつ高い解像度で薄膜をパターニングすることができる。すなわち、本実施形態によっても、使用する光照射装置の選択の幅が広がり、高価で大掛かりな光照射装置及びマスクを用いなくても、基材上より薄膜を良好に除去して高精度にパターニングすることができる。
また、上記ガス発生層は、光が照射されることによりガスが発生するものではなく、加熱されることによりガスが発生するものであってもよい。そして、光熱変換層4に隣接してガス発生層を設け、光熱変換層4に光を照射して熱を発生させ、その熱でガス発生層からガスを発生させて、薄膜2をパターニングすることとしてもよい。そこで、上記実施の形態における基材1又は光熱変換層4と昇華性色素層5との間に、光照射又は加熱によりガスを発生するガス発生材料を含むガス発生層が設けられている構成を採用することもできる。このようにすると、光照射のみにより、加熱のみにより、又は光照射と加熱と両方により、ガスを発生させて、薄膜2をパターニングすることができる。
Claims (25)
- 昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記薄膜は光開始剤を有するモノマーを含むことを特徴とするパターンの形成方法。 - 昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記基材に、前記昇華性材料が混在されていることを特徴とするパターンの形成方法。 - 昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とするパターンの形成方法。 - 昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記薄膜及び前記基材の少なくとも1つの光透過率に基づいて、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側及び前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側のどちらかから前記光を照射するかを決定することを特徴とするパターンの形成方法。 - 昇華性材料及び光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含む基材の一方の面側に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記昇華性材料は、前記基材の表面側又は裏面側に、前記基材及び前記薄膜とは独立した昇華性色素層として形成されており、
前記光熱変換材料を含む光熱変換層が、前記基材、前記薄膜及び前記昇華性色素層とは独立して設けられており、
前記光熱変換層は、前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側に設けられていることを特徴とするパターンの形成方法。 - ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記薄膜は光開始剤を有するモノマーを含むことを特徴とするパターンの形成方法。 - ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とすることを特徴とするパターンの形成方法。 - ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングするパターンの形成方法であって、
前記薄膜及び前記基材の少なくとも1つの光透過率に基づいて、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側及び前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側のどちらかから前記光を照射するかを決定することを特徴とするパターンの形成方法。 - 前記昇華性材料は昇華性色素を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記薄膜は有機薄膜を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記薄膜は単分子膜を含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記薄膜は光開始剤を有するモノマーを含むことを特徴とする請求項2〜5、7及び9のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記昇華性材料は、前記基材の表面側又は裏面側に、前記基材及び前記薄膜とは独立した昇華性色素層として形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記昇華性色素層は、前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側に設けられていることを特徴とする請求項13に記載のパターンの形成方法。
- 前記昇華性色素層は、前記薄膜と隣接して設けられていることを特徴とする請求項13または14に記載のパターンの形成方法。
- 前記昇華性色素層は、前記基材と前記薄膜との間に設けられていることを特徴とする請求項13〜15のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記基材に、前記昇華性材料が混在されていることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記基材は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含むことを特徴とする請求項1〜4及び6〜7のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記基材は、光エネルギーを熱エネルギーに変換する光熱変換材料を含み、前記昇華性色素層に、前記光熱変換材料が混在されていることを特徴とする請求項13〜16のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記基材の前記薄膜が設けられた一方の面側から前記光を照射することを特徴とする請求項1、2、5及び6のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記基材の前記薄膜が設けられていない他方の面側から前記光を照射することを特徴とする請求項5〜8のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
- 前記光は、前記昇華性材料及び前記光熱変換材料の少なくとも一方に応じた波長を有することを特徴とする請求項19に記載のパターンの形成方法。
- 請求項1〜請求項22のいずれか一項に記載の形成方法により形成された薄膜パターンを有する前記基材上に、配線パターン形成用材料を含む液滴を配置することにより配線パターンを形成することを特徴とする配線パターンの形成方法。
- 昇華性材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって生じる熱により所望領域の前記昇華性材料を昇華させることで、前記光が照射された照射領域に対応する位置の前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記薄膜を有する前記基材上に、配線パターン形成用材料を含む液滴を配置することにより配線パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線パターンの形成方法。 - ガス発生材料を含む基材上に薄膜を設け、前記基材に対して光を照射し、前記光の照射によって所望領域の前記ガス発生材料からガスを発生させることで、前記光が照射された照射領域に対応する位置の前記薄膜を除去することにより該薄膜をパターニングする工程と、
パターニングされた前記薄膜を有する前記基材上に、配線パターン形成用材料を含む液滴を配置することにより配線パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線パターンの形成方法。
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