WO2010064386A1 - パターン形成方法 - Google Patents

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WO2010064386A1
WO2010064386A1 PCT/JP2009/006386 JP2009006386W WO2010064386A1 WO 2010064386 A1 WO2010064386 A1 WO 2010064386A1 JP 2009006386 W JP2009006386 W JP 2009006386W WO 2010064386 A1 WO2010064386 A1 WO 2010064386A1
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pattern
forming method
pattern forming
ionic liquid
electrons
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PCT/JP2009/006386
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桑畑進
関修平
今西哲士
井上浩輔
鳥本司
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国立大学法人大阪大学
国立大学法人名古屋大学
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/06—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
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    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/092—Particle beam, e.g. using an electron beam or an ion beam
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    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method for forming a pattern by irradiating electromagnetic waves, ions or electrons.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2008-251711 (Released Oct. 16, 2008)”
  • the above-described conventional method has a problem in that it has many steps, is complicated, production time is long, and production efficiency is low.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to realize a pattern forming method capable of easily forming a fine pattern.
  • the present inventor has intensively studied to solve the above problems. As a result, in the past, liquids were rarely put in order to cause equipment failure. In an ion beam device used under vacuum, an ionic liquid in which metal ions were dissolved was put into an ion beam device. The present inventors have found that a pattern can be formed by depositing a metal by irradiating the liquid with a beam, and the present invention has been completed.
  • the pattern forming method according to the present invention irradiates a solution in which a reactive substance causing a chemical reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons is dissolved in an ionic liquid, with electromagnetic waves, ions, or electrons. Then, the method includes a pattern formation step of forming a pattern of the reactant by chemically reacting the reactive substance and depositing the reactant on the irradiated portion.
  • the above method it is considered that secondary electrons are generated in the solution by irradiating the solution with electromagnetic waves, ions or electrons.
  • the reactive substance causes a reaction due to the secondary electrons, and a reactant of the reactive substance is deposited. Therefore, for example, by applying the above solution to an arbitrary material, a pattern of a reaction product having an arbitrary shape can be formed on the material. Therefore, according to the above method, there is an effect that a fine pattern can be easily formed.
  • the reactive substance in the liquid is reacted to form a pattern
  • the reactive substance can freely move in the liquid during pattern formation.
  • a pattern of many reactants can be formed with a small amount of reactive substance.
  • the solution can be repeatedly used without being discarded or subjected to special treatment. Therefore, in the above method, the use efficiency of the raw material can be increased.
  • the pattern forming method according to the present invention irradiates an ionic liquid to which a polymerizable compound causing a polymerization reaction by electromagnetic waves, ions or electrons is bonded with electromagnetic waves, ions or electrons. And a pattern forming step of forming a pattern of the polymer by causing the ionic liquid to undergo a polymerization reaction and depositing the polymer on the irradiated portion.
  • the ionic liquid to which the polymerizable compound is bonded is reacted to form a pattern, the ionic liquid to which the polymerizable compound is bonded can freely move in the liquid during pattern formation. As a result, many polymer patterns can be formed in a small amount. Furthermore, the ionic liquid to which the polymerizable compound is bonded can be repeatedly used after the use without discarding the liquid or applying a special treatment. Therefore, in the above method, the use efficiency of the raw material can be increased.
  • the pattern forming method irradiates a solution in which a reactive substance that causes a chemical reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons is dissolved in an ionic liquid, and applies the electromagnetic waves, ions, or electrons to the reaction. It is characterized by including a pattern formation step of forming a pattern of the reactant by chemically reacting the active substance and precipitating the reactant on the irradiated portion.
  • the pattern forming method irradiates an ionic liquid, to which a polymerizable compound that causes a polymerization reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons, is bonded with electromagnetic waves, ions, or electrons, thereby causing the ionic liquid to undergo a polymerization reaction.
  • the method further comprises the step of forming a pattern of the polymer by depositing the polymer on the irradiated portion.
  • a reactive substance that causes a chemical reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons is irradiated with electromagnetic waves, ions, or electrons to a solution in which the reactive substance is dissolved in an ionic liquid.
  • a pattern forming step of forming a pattern of the reactant by chemical reaction and precipitating the reactant on the irradiated portion is included.
  • the wavelength of the electromagnetic wave is not particularly limited, and examples thereof include a wavelength range of visible light (about 380 to 800 nm) or less that causes a reaction from a general excited state.
  • the pattern forming method includes a solution preparation step of adjusting the solution in which a reactive substance is dissolved in an ionic liquid, a solution application step of applying the prepared solution on a substrate, and the pattern A washing step for removing the solution may be further included after the forming step.
  • the “pattern” in this specification means an arbitrary shape such as a design or a pattern mainly composed of a straight line, a curve, and a combination thereof.
  • “to form a pattern” in the present specification means to reproduce the shape of the intended pattern with a reactive substance, and when the intended shape is not reproduced simply by forming fine particles. It cannot be said that “pattern formation” is used in the present invention.
  • Solution preparation process is a process of preparing the solution which melt
  • the ionic liquid used in the present embodiment means a substance that is liquid at normal temperature and pressure, is a salt composed of an anion and a cation, and has a vapor pressure almost zero.
  • Examples of the cation constituting the ionic liquid include an imidazolium cation, a pyridinium cation, a tetraalkylammonium cation, and a tetraalkylphosphonium cation.
  • A-based cation means a cation containing the structure of A as a main skeleton unless otherwise specified.
  • the “imidazolium-based cation” means a cation containing an imidazolium structure as a main skeleton. means.
  • Examples of the imidazolium-based cation include 1,3-dialkylimidazolium cation.
  • the alkyl group constituting the imidazolium-based cation is not particularly limited, and examples thereof include a linear or branched alkyl group.
  • Examples of the pyridinium cation include an N-alkylpyridinium cation.
  • the alkyl group constituting the N-alkylpyridinium cation is not particularly limited, and examples thereof include a linear or branched alkyl group.
  • Examples of the tetraalkylammonium cation include an asymmetric tetraalkylammonium cation.
  • the alkyl group constituting the tetraalkylammonium cation is not particularly limited, and examples thereof include a linear or branched alkyl group.
  • Examples of the tetraalkylphosphonium cation include asymmetric tetraalkylphosphonium cations.
  • the alkyl group constituting the tetraalkylphosphonium cation is not particularly limited, and examples thereof include a linear or branched alkyl group.
  • anions constituting the ionic liquid include fluorinated alkyl sulfonate anions such as CF 3 SO 3 ⁇ and C 4 F 9 SO 3 — , (CF 3 SO 2 ) 2 N ⁇ , and (C 2 F 5 SO 2 ).
  • fluorinated alkylsulfonyl) imide anions such as 2 N ⁇
  • fluorinated alkyl carboxylate anions such as CF 3 COO ⁇ , BF 4 ⁇ , PF 6 ⁇ , SbF 6 ⁇ , (HF) n F ⁇ and the like. It is done.
  • the ionic liquid can be produced by a conventionally known method, for example, by reacting a halogen salt of the cation constituting the ionic liquid with a metal salt or ammonium salt containing the anion constituting the ionic liquid. can do.
  • the metal cation that is more easily reduced than the ionic liquid is not particularly limited as long as the metal cation has a lower reduction potential than the ionic liquid used.
  • the metal constituting the cation include Mg, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Ir, Au, and Pt.
  • the concentration of the metal cation in the solution can be appropriately changed depending on the ionic liquid to be used, the type of the substrate, and the like, and can be, for example, in the range of 0.001 to 1M.
  • a surfactant may be further dissolved in the above solution in which cations are dissolved in an ionic liquid.
  • the surfactant is not particularly limited as long as it is a compound that dissolves in an ionic liquid and has a hydrophilic group and a hydrophobic group.
  • Conventionally known anionic surfactants and nonionic surfactants are known. Any of cationic surfactants may be used.
  • a polymer compound may be used as the surfactant, and examples thereof include a polymer compound containing two or more repeating structural units such as polyvinylpyrrolidone, polyhydroxystyrene, polyvinyl alcohol, and polysaccharide.
  • the concentration of the surfactant in the solution may be appropriately changed depending on the ionic liquid, metal cation, base material, etc. used, and is not particularly limited.
  • the concentration of the surfactant in the solution can be, for example, in the range of 5 to 20% by mass.
  • the base material to be used is not particularly limited, and examples thereof include semiconductor base materials such as silicon base materials, conductors such as metal base materials, and insulator materials such as glass base materials and polymer base materials.
  • the shape is not particularly limited, and may be a plate shape or a spherical shape.
  • a coating method a conventionally known film production technique can be used. For example, a method of dropping a solution onto a substrate and then thinning the solution by a spin coating method can be used.
  • Application of the solution may be performed by directly applying the solution prepared in the solution preparation step, or by diluting the solution with a solvent or the like and then evaporating the solvent.
  • the thickness of the solution to be applied may be appropriately changed depending on the thickness of the pattern to be formed, the type of metal cation used, the type of substrate, and the like.
  • the thickness of the solution is reduced, the distance between the position where the reduced cation is generated and the surface of the base material is shortened, so the reduced cation is located at a position different from the position on the irradiated base material. Precipitation can be suppressed. For this reason, the difference in shape between the irradiated pattern and the actually formed pattern can be reduced.
  • Pattern formation step the solution applied to the base material is irradiated with a beam to reduce metal cations in the solution, and the metal is deposited on the irradiated portion of the beam, thereby Form a pattern.
  • the beam examples include an ion beam, an electron beam, and a laser beam, and an ion beam and an electron beam are more preferable.
  • the irradiation conditions of these beams are not particularly limited, and may be appropriately changed depending on the shape of the pattern to be obtained, the type of metal cation used, the type of ionic liquid, and the like.
  • the wavelength of the laser beam is not particularly limited, and examples thereof include a wavelength range of visible light (about 380 to 800 nm) or less.
  • the pattern forming step is performed in a vacuum.
  • vacuum in the present specification means a space whose pressure is lower than that of the atmosphere, and preferably means a space where the atmospheric pressure is zero.
  • the substrate may be left stationary or may be moved.
  • the thickness of the pattern can be increased by repeatedly irradiating the beam along the pattern to be formed, and the aspect ratio (height / width) of the pattern can be freely controlled by the number of scans (repetition count). be able to.
  • an arbitrary three-dimensional shape can be formed by changing the shape described by beam irradiation little by little. Specifically, for example, if the width of the shape drawn by beam irradiation is reduced, a tapered pattern can be formed in the pattern stacking direction. If the width is increased, an inversely tapered pattern (a shape in which the tip is widened) can be formed in the pattern stacking direction.
  • the substrate after pattern formation is immersed in a solvent such as acetone to dissolve and remove the solution, or the substrate after pattern formation is treated with plasma.
  • a solvent such as acetone
  • the substrate after pattern formation is treated with plasma.
  • a surfactant or ionic liquid is positively mixed into the deposited metal, and then these components are thermally decomposed, so that It is also possible to form a metal pattern having pores.
  • the present invention is not limited to this.
  • other reducing substances, crosslinkable polymer compounds, and polymerizable compounds may be used. Even if the metal ions are replaced with these, substantially the same effect can be obtained.
  • the crosslinkable polymer compound is not particularly limited as long as it is a polymer compound that causes a crosslinking reaction by irradiation with electromagnetic waves, ions, or electrons, and examples thereof include polyvinylpyrrolidone and polyvinylphenol.
  • the polymerizable compound is not particularly limited as long as it is an organic compound that causes a polymerization reaction by irradiation with electromagnetic waves, ions, or electrons. For example, an acrylonitrile derivative, styrene, the above-described ionic liquid substituted with a polymerizable group, and the like. Is mentioned.
  • the ionic liquid substituted with a polymerizable group include ionic liquids obtained by substituting a polymerizable group for at least one of the above-described anions and cations.
  • An ionic liquid composed of an anion which does not substitute a functional group is preferred.
  • the polymerizable group is not particularly limited as long as it is a functional group that causes a polymerization reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons, and examples thereof include unsaturated hydrocarbon groups such as an ethylene group and an allyl group.
  • the irradiation amount can be reduced by about one digit compared with the case of using a metal.
  • a solution obtained by dissolving a reactive substance in an ionic liquid is irradiated with electromagnetic waves, ions, or electrons to cause a chemical reaction of the reactive substance, and the reactant is deposited on the irradiated portion.
  • the pattern of the reactant is formed has been described, the present invention is not limited to this.
  • an ionic liquid to which a polymerizable compound that causes a polymerization reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons is bonded is irradiated with electromagnetic waves, ions, or electrons to cause the ionic liquid to undergo a polymerization reaction, and then irradiated. Even if a pattern of the polymer is formed by precipitating the polymer in the portion, substantially the same effect can be obtained.
  • the above-described solution preparation step, solution coating step, and washing step are performed by using “an ionic liquid having a polymerizable compound bonded” instead of “a solution in which a reactive substance is dissolved in the ionic liquid”. The same can be done. Further, as the ionic liquid to which the polymerizable compound is bonded, the above-described “ionic liquid substituted with a polymerizable group” can be used.
  • the present invention is not limited to this.
  • an arbitrary pattern is not drawn like a beam, but light of an arbitrary pattern is irradiated to the solution applied to the substrate by a mask pattern in which the arbitrary pattern is engraved.
  • an arbitrary pattern can be formed on the substrate.
  • methods for depositing a reduced product in an ionic liquid and forming a pattern include increasing the thickness of the layer of the ionic liquid solution, increasing the viscosity of the ionic liquid solution, and the like. .
  • the pattern forming method irradiates a solution in which a reactive substance that causes a chemical reaction by electromagnetic waves, ions, or electrons is dissolved in an ionic liquid, and applies the electromagnetic waves, ions, or electrons to the reaction. It is characterized by including a pattern formation step of forming a pattern of the reactant by chemically reacting the active substance and precipitating the reactant on the irradiated portion.
  • the reactive substance is a reducing substance
  • the reducing substance in the pattern forming step, is irradiated with solvated electrons in an ionic liquid by irradiation with electromagnetic waves, ions, or electrons. It is preferable to form a pattern of the reduced product by causing a reduction reaction and precipitating the reduced product on the irradiated part.
  • the reactive substance is preferably a metal ion.
  • the reactive substance is a polymer compound.
  • the polymer compound is irradiated with electromagnetic waves, ions, or electrons to cause a crosslinking reaction of the polymer compound. It is preferable to form a pattern of the crosslinked product by precipitating the crosslinked product.
  • a fine pattern of a crosslinked product of a polymer compound can be easily formed.
  • the reactive substance is a polymerizable compound
  • the irradiated portion is irradiated with electromagnetic waves, ions or electrons to cause the polymerizable compound to undergo a polymerization reaction, and is irradiated. It is preferable to form a pattern of the polymer by precipitating the polymer.
  • a fine pattern of a polymer can be easily formed.
  • the pattern forming step is performed in a vacuum.
  • a beam such as an ion beam or an electron beam can be irradiated and a finer pattern can be formed.
  • the irradiation is performed with a beam.
  • the beam is preferably an ion beam or an electron beam.
  • the pattern forming method according to the present invention further includes, before the pattern forming step, a solution applying step of applying the solution obtained by dissolving a reactive substance in an ionic liquid onto a substrate.
  • a solution applying step of applying the solution obtained by dissolving a reactive substance in an ionic liquid onto a substrate Preferably, the reaction product pattern is formed on the substrate.
  • the surfactant is further dissolved in the above solution in which the reactive substance is dissolved in the ionic liquid.
  • the surfactant reduces the interfacial tension between the solution and the substrate, the reactant is likely to approach the substrate, and the reactant is likely to be deposited on the substrate. Become.
  • the pattern forming method according to the present invention it is preferable to form a pattern three-dimensionally by changing the beam irradiation angle.
  • the pattern forming method according to the present invention it is preferable to form a pattern three-dimensionally by tilting the base material.
  • the beam is repeatedly irradiated along the pattern to be formed in the pattern forming step.
  • the beam in the pattern forming step, is repeatedly irradiated along the pattern to be formed, and the shape described by the beam irradiation is changed as the number of times of repeated irradiation of the beam increases. It is preferable.
  • Polyvinyl pyrrolidone used was synthesized as follows.
  • Vinylpyrrolidone (manufactured by Wako Pure Chemical Industries) was used as a 50% by mass aqueous solution, and argon gas bubbling was performed for about 10 minutes. This solution was allowed to react in a flask under reflux at 100 ° C. for about 20 hours, and after the reaction, water was removed under heating under reduced pressure to obtain the target compound, polyvinylpyrrolidone.
  • the ionic liquid solution was spin-coated (6000 rpm) on a titanium-coated silicon wafer substrate (manufactured by Shin-Etsu Silicon Co., Ltd.), and the ionic liquid solution was applied on the substrate to a thickness of about 4 ⁇ m (thickness is Measured with a confocal laser microscope).
  • a pattern of “KUWABATA” was drawn on the silicon wafer by irradiating the above-described silicon wafer with a focused ion beam in a vacuum.
  • the focused ion beam is irradiated using a focused ion beam device (product name: SMI-2040, manufactured by SII Nano Technology) under conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 50 pA, and a dose of 50 ⁇ 10 15 ions / cm 2 . I went there.
  • the beam irradiation time per point was about 10 microseconds.
  • the substrate on which the metal pattern was formed was washed with acetone, and the metal pattern formed on the substrate was observed by SEM.
  • An image measured by SEM is shown in FIG.
  • the composition of the pattern on the substrate was analyzed with a fluorescent X-ray analyzer. The results are shown in FIG.
  • Example 2 The same operation as in Example 1 was performed except that the silicon wafer substrate coated with titanium was changed to a silicon wafer substrate not coated with titanium, and the pattern drawn by the focused ion beam was changed to a cross pattern. A metal pattern was formed on the substrate.
  • the focused ion beam was irradiated in the same manner as in Example 1 under the conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 50 pA, and a dose of 50 ⁇ 10 15 ions / cm 2 .
  • FIG. 3 shows an SEM image of the formed metal pattern
  • FIG. 4 shows the result of analysis by a fluorescent X-ray analyzer.
  • Example 3 Add 50 ml of BMI-TFSI (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) as a metal salt to a concentration of 0.1 M Na (AuClO 4 ) ⁇ 2H 2 O, and spin coat (6000 rpm) on a silicon substrate without containing polyvinylpyrrolidone did.
  • BMI-TFSI manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.
  • a cross-shaped metal pattern having a width of 10 ⁇ m and a length of 120 ⁇ m was formed on this sample.
  • the irradiation of the focused ion beam is performed under the conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 50 pA, and a dose of 50 ⁇ 10 15 ions / cm 2 in the same manner as in Example 1, and the irradiation time is longer than in Examples 1 and 2.
  • the beam irradiation time per point was 1 millisecond.
  • FIG. 5 SEM image of the formed metal pattern is shown in FIG. As a result, as shown in FIG. 5, it was confirmed that the shape grew like a three-dimensional branch from the cross pattern on the substrate.
  • FIG. 6 SEM image of the formed metal pattern is shown in FIG. As a result, as shown in FIG. 6, it was confirmed that the gold precipitation form could be controlled by changing the dose. Specifically, in the system of this example, when the dose was increased, the reduced metal tended to precipitate in a continuous shape as scanned. On the other hand, when the dose was decreased, the reduced metal did not have a continuous shape, but showed a tendency to precipitate in the form of particles.
  • Reference Example 2 Effect of change in addition amount of surfactant
  • a pattern was drawn on a silicon wafer by performing the same operation as in Reference Example 1 except that the concentration of polyvinylpyrrolidone was changed to 0 mass% and 10 mass%, respectively.
  • FIG. 7 shows an SEM image of the formed metal pattern together with the SEM image of Reference Example 1. As a result, as shown in FIG. 7, it was confirmed that the gold precipitation form could be controlled by changing the addition amount of the surfactant.
  • the reduced metal showed a tendency to precipitate according to the scanned shape.
  • the amount of the surfactant was decreased, the reduced metal tended to precipitate at a position shifted from the scanned position.
  • BMI-TFSI manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.
  • a cross-shaped pattern having a width of 2 ⁇ m and a length of 120 ⁇ m was formed on this sample.
  • the focused ion beam was irradiated in the same manner as in Example 1 under the conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 50 pA, and a dose of 50 ⁇ 10 15 ions / cm 2 . As a result, it was confirmed that a cross pattern was formed on the silicon wafer.
  • Example 5 ⁇ -cyclodextrin (manufactured by Nacalai Tesque), which is a sugar chain polymer, was added to 50 mL of BMI-TFSI (manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) so as to be 25% by mass, and spin-coated (6000 rpm) on a silicon substrate.
  • BMI-TFSI manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.
  • a cross-shaped pattern having a width of 2 ⁇ m and a length of 120 ⁇ m was formed on this sample.
  • the focused ion beam was irradiated in the same manner as in Example 1 under the conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 50 pA, and a dose of 50 ⁇ 10 15 ions / cm 2 . As a result, it was confirmed that a cross pattern was formed on the silicon wafer.
  • Example 6 The following structure is a polymerizable ionic liquid
  • AEI-TFSA (1-allyl-3-ethylimidazolium bis (trifluoromethane sulfonyl) imide) (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) having a spin coating (6000 rpm) on a titanium-coated silicon wafer substrate (manufactured by Shin-Etsu Silicon Co., Ltd.)
  • the ionic liquid was applied on the substrate to a thickness of about 1 ⁇ m (the thickness was measured with a confocal laser microscope).
  • the silicon wafer after coating was irradiated with a focused ion beam in a vacuum to draw the pattern shown in FIG. 8 on the silicon wafer, and the same pattern was repeatedly drawn on the drawn pattern.
  • the focused ion beam is irradiated using a focused ion beam device (product name: SMI-2040, manufactured by SII Nano Technology) under conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 48 pA, and a dose of 100 ⁇ 10 15 ions / cm 2 . I went there.
  • the beam irradiation time per point was about 250 microseconds, and the pattern was scanned 150 times in total.
  • Example 7 AEI-TFSA (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) was spin-coated (6000 rpm) on a titanium-coated silicon wafer substrate (manufactured by Shin-Etsu Silicon Co., Ltd.), and the ionic liquid was applied on the substrate to a thickness of about 1 ⁇ m ( Thickness is measured with a confocal laser microscope).
  • the silicon wafer after application was irradiated with a focused ion beam in a vacuum to draw a character pattern of “Osaka” having a width of 2 ⁇ m and a width of 5 ⁇ m on the silicon wafer. Further, the same pattern was repeatedly depicted on the depicted pattern.
  • the focused ion beam is irradiated using a focused ion beam device (product name: SMI-2040, manufactured by SII Nano Technology) under conditions of an acceleration voltage of 30 keV, a beam current of 48 pA, and a dose of 100 ⁇ 10 15 ions / cm 2 . I went there.
  • the beam irradiation time per point was about 250 microseconds, and the pattern was scanned a total of 400 times.
  • Example 8 A character pattern of “Osaka” was repeatedly depicted by performing the same operation as in Example 7 except that the dose of the focused ion beam was 300 ⁇ 10 15 ions / cm 2 and the pattern was scanned a total of 1200 times.
  • Example 9 AEI-TFSA (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) was spin-coated (6000 rpm) on a titanium-coated silicon wafer substrate (manufactured by Shin-Etsu Silicon Co., Ltd.), and the ionic liquid was applied on the substrate to a thickness of about 1 ⁇ m ( Thickness is measured with a confocal laser microscope).
  • a focused ion beam in a vacuum to the silicon wafer after coating each circle pattern is increased on the silicon wafer by 0.1 ⁇ m from 2 ⁇ m to 2.5 ⁇ m in diameter. The center position of the circle was fixed and repeated (total 6 scans).
  • the focused ion beam is irradiated with a focused ion beam device (product name: SMI-2040, manufactured by SII Nano Technology), beam diameter 13 nm, acceleration voltage 30 keV, beam current 48 pA, dose 50 ⁇ 10 15 / It was carried out under the conditions of cm 2.
  • the beam irradiation time per point was about 100 microseconds.
  • the pattern forming method of the present invention can easily form a fine pattern. For this reason, it can use suitably for uses, such as formation of the metal pattern used for an electronic circuit etc.

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Abstract

　本発明のパターン形成方法は、電磁波、イオン又は電子により化学反応を引き起こす反応性物質がイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成するパターン形成工程を含む。このため、簡便に微細なパターンを形成することができるパターン形成方法を実現することができる。

Description

パターン形成方法
　本発明は、電磁波、イオン又は電子を照射してパターンを形成するパターン形成方法に関するものである。
　従来、電子回路等に用いられる金属パターンの形成は、主としてレジスト材料を用いた方法により行われてきた。
　具体的には、金属薄層上にレジスト材料を塗布し、金属パターンを露光した後現像により不要なレジストを除去し、露出した金属薄をエッチングにより除去し、残存するレジスト部分を剥離することで金属パターンを記録した金属薄を形成していた（例えば、特許文献１参照）。
日本国公開特許公報「特開２００８－２５１７１１号公報（２００８年１０月１６日公開）」
　しかしながら、上記従来の方法は、工程が多く複雑であり、生産時間が長く、生産効率が低いという問題があった。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡便に微細なパターンを形成することができるパターン形成方法を実現することにある。
　本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討を行った。その結果、従来、機器の故障の原因となるために液体を入れることはほとんど行われていなかった、真空下で用いられるイオンビーム装置の中に、金属イオンを溶解させたイオン液体を入れ、イオンビームを当該液体に照射することにより、金属を析出させてパターン形成できることを本発明者は見出し、本発明を完成するに至った。
　即ち、本発明に係るパターン形成方法は、上記課題を解決するために、電磁波、イオン又は電子により化学反応を引き起こす反応性物質をイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
　上記方法によれば、上記溶液に電磁波、イオン又は電子を照射することにより、上記溶液中に二次電子が発生すると考えられる。そして当該二次電子により、反応性物質が反応を引き起こし、当該反応性物質の反応物が析出する。このため、例えば、上記溶液を任意の材料に塗布することにより、当該材料上に、任意の形状の反応物のパターンを形成することができる。従って、上記方法によれば、簡便に微細なパターンを形成することができるという効果を奏する。
　また、液体中の反応性物質を反応させてパターン形成するため、パターン形成中、反応性物質は液体中を自由に移動できる。その結果、少ない反応性物質の量で多くの反応物のパターンを形成できる。更には、使用後のイオン液体溶液に、反応性物質を追加して添加すれば、当該溶液を廃棄したり、特別な処理を施したりすることなく繰り返し使用することができる。従って、上記方法では、原料の使用効率を高くすることが可能である。
　更には、本発明に係るパターン形成方法は、上記課題を解決するために、電磁波、イオン又は電子により重合反応を引き起こす重合性化合物が結合したイオン液体に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該イオン液体を重合反応させ、照射した部分に当該重合物を析出させることにより、当該重合物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
　上記方法によれば、重合性化合物が結合した上記イオン液体に電磁波、イオン又は電子を照射することにより、上記イオン液体中に二次電子が発生すると考えられる。そして当該二次電子により、重合性化合物が反応を引き起こし、当該重合性化合物の重合物が析出する。このため、例えば、上記イオン液体を任意の材料に塗布することにより、当該材料上に、任意の形状の重合物のパターンを形成することができる。従って、上記方法によれば、簡便に微細なパターンを形成することができるという効果を奏する。
　また、重合性化合物が結合したイオン液体を反応させてパターン形成するため、パターン形成中、重合性化合物が結合したイオン液体は当該液体中を自由に移動できる。その結果、少ない量で多くの重合物のパターンを形成できる。更には、重合性化合物が結合したイオン液体は、その使用後に、当該液体を廃棄したり、特別な処理を施したりすることなく繰り返し使用することができる。従って、上記方法では、原料の使用効率を高くすることが可能である。
　本発明に係るパターン形成方法は、以上のように、電磁波、イオン又は電子により化学反応を引き起こす反応性物質がイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
　また、本発明に係るパターン形成方法は、電磁波、イオン又は電子により重合反応を引き起こす重合性化合物が結合したイオン液体に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該イオン液体を重合反応させ、照射した部分に当該重合物を析出させることにより、当該重合物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
　このため、簡便に微細なパターンを形成することができるという効果を奏する。
実施例１により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 実施例１により得られたパターンの蛍光Ｘ線分析結果を示す図面である。 実施例２により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 実施例２により得られたパターンの蛍光Ｘ線分析結果を示す図面である。 実施例３により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 参考例１により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 参考例１及び参考例２により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 実施例６で描写したパターンを示す平面図である。 実施例６により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 実施例７により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 実施例８により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。 実施例９により得られたパターンをＳＥＭにより測定した画像を示す図面である。
　本発明の実施の一形態について説明すれば、以下の通りである。尚、本実施の形態では、範囲を示す「Ａ～Ｂ」は、Ａ以上Ｂ以下であることを示す。また、本明細書で挙げられている各種物性は、特に断りの無い限り後述する実施例に記載の方法により測定した値を意味する。
　本実施の形態に係るパターン形成方法は、電磁波、イオン又は電子により化学反応を引き起こす反応性物質がイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成するパターン形成工程を含む。
　上記電磁波の波長は、特には限定されないが、例えば、一般的な励起状態から反応が引き起こされる、可視光（約３８０～８００ｎｍ）以下の波長の範囲内が挙げられる。
　また、本実施の形態に係るパターン形成方法は、反応性物質をイオン液体に溶解した上記溶液を調整する溶液調製工程や、調製した上記溶液を基材上に塗布する溶液塗布工程や、上記パターン形成工程の後に、上記溶液を除去する洗浄工程を更に含んでもよい。
　以下に、本実施形態の一例として、上記照射にビームを用い、反応性物質として金属イオンを用い、溶液調製工程、溶液塗布工程及び洗浄工程を含む場合について詳細に説明する。
　尚、本明細書における「パターン」とは、直線、曲線及びこれらの組合せから主に構成される図案や模様等の任意の形状を意味する。また、本明細書における「パターン形成する」とは、意図したパターンの形状を反応性物質により再現することを意味し、単に微粒子を形成するのみで、意図した形状を再現していない場合には、本発明における「パターン形成する」とはいえない。
　（１）溶液調製工程
　溶液調製工程は、イオン液体よりも還元され易い金属カチオンをイオン液体に溶解した溶液を調製する工程である。
　本実施の形態で用いる上記イオン液体は、常温常圧下で液体であり、アニオンとカチオンとから構成される塩であり、且つ蒸気圧がほとんどゼロである物質を意味する。
　上記イオン液体を構成するカチオンとしては、イミダゾリウム系カチオンや、ピリジニウム系カチオンや、テトラアルキルアンモニウム系カチオンや、テトラアルキルフォスフォニウム系カチオンが挙げられる。
　尚、上記「Ａ系カチオン」とは、特に断りのない限りＡの構造を主骨格として含むカチオンを意味し、例えば、「イミダゾリウム系カチオン」とは、イミダゾリウム構造を主骨格として含むカチオンを意味する。
　上記イミダゾリウム系カチオンとしては、例えば、１，３－ジアルキルイミダゾリウムカチオンが挙げられる。イミダゾリウム系カチオンを構成する上記アルキル基としては、特には限定されず、例えば、直鎖若しくは分岐状のアルキル基が挙げられる。
　上記ピリジニウム系カチオンとしては、例えば、Ｎ－アルキルピリジニウムカチオンが挙げられる。Ｎ－アルキルピリジニウムカチオンを構成する上記アルキル基としては、特には限定されず、例えば、直鎖若しくは分岐状のアルキル基が挙げられる。
　上記テトラアルキルアンモニウム系カチオンとしては、例えば、非対称なテトラアルキルアンモニウム系カチオンが挙げられる。テトラアルキルアンモニウム系カチオンを構成する上記アルキル基としては、特には限定されず、例えば、直鎖若しくは分岐状のアルキル基が挙げられる。
　上記テトラアルキルフォスフォニウム系カチオンとしては、例えば、非対称なテトラアルキルフォスフォニウム系カチオンが挙げられる。テトラアルキルフォスフォニウム系カチオンを構成する上記アルキル基としては、特には限定されず、例えば、直鎖若しくは分岐状のアルキル基が挙げられる。
　上記イオン液体を構成するアニオンとしては、ＣＦ３ＳＯ３ －、Ｃ４Ｆ９ＳＯ３ －等のフッ化アルキルスルホン酸アニオン、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ－、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ－等のビス（フッ化アルキルスルホニル）イミドアニオン、ＣＦ３ＣＯＯ－等のフッ化アルキルカルボン酸アニオン、ＢＦ４ －、ＰＦ６ －、ＳｂＦ６ －、（ＨＦ）ｎＦ－、等が挙げられる。
　上記イオン液体は、従来公知の方法により製造することができ、例えば、イオン液体を構成する上記カチオンのハロゲン塩を、イオン液体を構成する上記アニオンを含む金属塩やアンモニウム塩と反応させることにより製造することができる。
　イオン液体よりも還元され易い上記金属カチオンとしては、用いるイオン液体よりも還元電位が低い金属カチオンであれば特に限定されない。当該カチオンを構成する金属としては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｔが挙げられる。
　上記溶液における上記金属カチオンの濃度は、使用するイオン液体や、基材の種類等により適宜変更することができ、例えば、０．００１～１Ｍの範囲内とすることができる。
　本実施の形態では、イオン液体にカチオンを溶解した上記溶液に、更に、界面活性剤を溶解させてもかまわない。これにより、照射したパターンと実際に形成されるパターンとの形状の差を小さくすることができる。
　上記界面活性剤としては、イオン液体に溶解し、親水性基と疎水性基とを有する化合物であれば特には限定されず、従来から知られている、アニオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、カチオン界面活性剤の何れを用いてもよい。
　また、高分子化合物を上記界面活性剤として用いてもよく、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリヒドロキシスチレン、ポリビニルアルコール、多糖類等の、２以上の繰り返し構造単位を含む高分子化合物が挙げられる。
　上記溶液における上記界面活性剤の濃度は、使用するイオン液体、金属カチオン、基材の種類等により適宜変更すればよく、特には限定されない。上記溶液における上記界面活性剤の濃度は、例えば、５～２０質量％の範囲内とすることができる。
　（２）溶液塗布工程
　溶液塗布工程では、調製した上記溶液を基材上に塗布する。用いる基材としては特には限定されず、例えば、シリコン基材等の半導体基材、金属基材等の導電体、ガラス基材や高分子基材等の絶縁体機材等が挙げられる。また、その形状についても特には限定されず、板状であってもよいし、球状であってもよい。
　塗布方法としては、従来公知の膜作製技術を用いることができ、例えば、基材に溶液を滴下した後、スピンコート法により溶液を薄層化する方法が挙げられる。
　上記溶液の塗布は、上記溶液調製工程で調整した溶液をそのまま塗布してもよいし、溶剤等で希釈して塗布した後に、溶剤を蒸発させることにより行ってもよい。
　塗布する上記溶液の厚さとしては、形成するパターンの厚さ、用いる金属カチオンの種類、基材の種類等によって適宜変更すればよい。但し、上記溶液の厚さを薄くすると、還元したカチオンが発生する位置と基材表面との間の距離が短くなるため、還元したカチオンが、照射された基材上の位置とは異なる位置に析出することを抑制できる。このため、照射したパターンと実際に形成されるパターンとの形状の差を小さくすることができる。
　（３）パターン形成工程
　パターン形成工程では、上記基材に塗布した溶液に、ビームを照射して溶液中の金属カチオンを還元させ、ビームを照射した部分に金属を析出させることにより、当該金属のパターンを形成する。
　上記ビームとしては、イオンビーム、電子ビーム、レーザー光等が挙げられ、イオンビーム、電子ビームがより好ましい。これらビームの照射条件は、特には限定されず、得られるパターンの形状、用いる金属カチオンの種類、イオン液体の種類等によって適宜変更すればよい。上記レーザー光の波長は、特には限定されないが、例えば、可視光（約３８０～８００ｎｍ）以下の波長の範囲内が挙げられる。
　また、このようなビームを使用する場合、上記パターン形成工程は、真空中で行なうことが好ましい。
　尚、本明細書における「真空」とは、大気よりも圧力の低い空間を意味し、好ましくは気圧が０である空間を意味する。
　パターン形成中、基材は静置させてもよく、動かしてもかまわない。例えば、ビーム照射中に、基材を傾けることにより、３次元のパターンを形成することが可能となる。また反対に、基材を静置させ、ビームの照射角度を変化させることにより３次元のパターンを形成することも可能である。
　更には、スポットでビームを当て、エネルギーを一点に集中させることにより、基材から３次元的に枝分かれして広がったようなパターンを形成することもできる。
　また、形成するパターンに沿ってビームを繰り返し照射することにより、パターンの厚さを増加させることもでき、パターンのアスペクト比（高さ／幅）を当該スキャン回数（繰り返し回数）によって自由に制御することができる。
　更には、形成するパターンに沿ってビームを繰り返し照射する場合において、少しずつビームの照射によって描写する形状を変化させれば、任意の３次元形状を形成することができる。具体的には、例えば、ビームの照射によって描写する形状の幅を小さくしていけば、パターンの積層方向に向かってテーパー状になったパターンを形成することができ、反対に、少しずつパターンの幅を大きくしていけば、パターンの積層方向に向かって逆テーパー状（先が広がった形状）のパターンを形成することができる。
　（４）洗浄工程
　洗浄工程では、上記イオン液体溶液を形成したパターンから除去する。
　上記溶液の除去方法としては、例えば、パターン形成後の上記基材を、アセトン等の溶剤に浸漬させることにより、上記溶液を溶解して除去する方法や、パターン形成後の上記基材を、プラズマ炎等に導入して、上記溶液を熱分解させて除去する方法が挙げられる。特に、後者の方法では、金属パターン中に含まれるイオン液体や界面活性剤についても良好に除去することができる。
　更には、上記の溶液を熱分解させて除去する方法を利用すれば、例えば、析出する金属に積極的に界面活性剤やイオン液体を混入させ、その後これら成分を熱分解させることにより、内部に細孔を有する金属パターンを形成することも可能である。
　尚、上述の説明では、イオン液体よりも還元され易いカチオンが金属イオンである場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、他の還元性物質や、架橋性の高分子化合物や重合性化合物であってもよい。金属イオンをこれらのものに代えてもほぼ同様の効果が得られる。
　上記架橋性の高分子化合物としては、電磁波、イオン又は電子の照射により架橋反応を引き起こす高分子化合物であれば特には限定されないが、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリビニルフェノールが挙げられる。また、上記重合性化合物としては、電磁波、イオン又は電子の照射により重合反応を引き起こす有機化合物であれば特には限定されないが、例えば、アクリロニトリル誘導体、スチレン、重合性基を置換した上述のイオン液体等が挙げられる。
　重合性基を置換した上記イオン液体としては、具体的には、上述したアニオン及びカチオンの少なくとも何れか一方に重合性基を置換したイオン液体が挙げられ、重合性基を置換したカチオンと、重合性基を置換していないアニオンとからなるイオン液体が好ましい。また、上記重合性基としては、電磁波、イオン又は電子により重合反応を引き起こす官能基であれば特には限定されず、例えば、エチレン基、アリル基等の不飽和炭化水素基が挙げられる。
　架橋性の高分子化合物や重合性化合物を用いる場合には、金属を用いる場合に比べ、照射量を１ケタ程度低くすることができる。
　また、上述の説明では、反応性物質をイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成する場合について説明したが、本発明はこれには限られない。例えば、上記パターン形成工程において、電磁波、イオン又は電子により重合反応を引き起こす重合性化合物が結合したイオン液体に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該イオン液体を重合反応させ、照射した部分に当該重合物を析出させることにより、当該重合物のパターンを形成しても、ほぼ同様の効果が得られる。
　係る場合には、上述した、溶液調製工程、溶液塗布工程、及び洗浄工程を、「反応性物質がイオン液体に溶解した溶液」の代わりに「重合性化合物が結合したイオン液体」を用いることによって同様に行うことができる。また、上記重合性化合物が結合したイオン液体としては、上述した「重合性基を置換したイオン液体」を用いることができる。
　また、上述の説明では、電磁波、イオン又は電子の照射をビームの照射により行なう場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、ビーム状ではない電磁波を照射してもよい。この場合には、例えば、ビームのように任意のパターンを描写するのではなく、任意のパターンが刻まれたマスクパターンにより、上記基材に塗布した溶液に対して任意のパターンの光を照射して、基材上に任意のパターンを形成することができる。
　更には、上述の説明では、パターン形成工程以外に、各工程を含む場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、基材上にパターンを析出させずに、イオン液体中に還元物を析出させ、パターンを形成させれば、溶液塗布工程を含まなくても本実施形態とほぼ同様の効果が得られる。
　このように、イオン液体中に還元物を析出させ、パターンを形成させる方法としては、イオン液体溶液の層の厚さを厚くしたり、イオン液体溶液の粘度を高くしたりすること等が挙げられる。
　以上のように、本発明に係るパターン形成方法は、電磁波、イオン又は電子により化学反応を引き起こす反応性物質がイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴としている。
　このため、簡便に微細なパターンを形成することができるという効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記反応性物質は還元性物質であり、上記パターン形成工程では、電磁波、イオン又は電子を照射して、還元性物質をイオン液体中の溶媒和電子により還元反応させ、照射した部分に当該還元物を析出させることにより、当該還元物のパターンを形成することが好ましい。
　更には、本発明に係るパターン形成方法では、上記反応性物質は金属イオンであることが好ましい。
　上記方法によれば、簡便に微細な金属パターンを形成することができる。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記反応性物質は高分子化合物であり、上記パターン形成工程では、電磁波、イオン又は電子を照射して、高分子化合物を架橋反応させ、照射した部分に当該架橋物を析出させることにより、当該架橋物のパターンを形成することが好ましい。
　上記方法によれば、簡便に高分子化合物の架橋物の微細なパターンを形成することができる。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記反応性物質は、重合性化合物であり、上記パターン形成工程では、電磁波、イオン又は電子を照射して、重合性化合物を重合反応させ、照射した部分に当該重合物を析出させることにより、当該重合物のパターンを形成することが好ましい。
　上記方法によれば、簡便に重合物の微細なパターンを形成することができる。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記パターン形成工程を真空中で行なうことが好ましい。
　上記方法によれば、イオンビーム又は電子ビーム等のビームを照射することができ、より微細なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記照射をビームにより行なうことが好ましい。
　上記方法によれば、ビームでパターンを描写することにより、より簡便に任意のパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記ビームは、イオンビーム又は電子ビームであることが好ましい。
　上記方法によれば、より微細なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記パターン形成工程の前に、反応性物質をイオン液体に溶解した上記溶液を基材上に塗布する溶液塗布工程を更に含み、上記パターン形成方法では、上記反応物のパターンを上記基材上に形成することが好ましい。
　上記方法によれば、基材上に、簡便に微細なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、イオン液体に反応性物質を溶解した上記溶液に、界面活性剤を更に溶解させることが好ましい。
　上記方法によれば、界面活性剤が上記溶液と基材との界面張力を低下させるため、上記反応物が上記基材上に接近し易くなり、上記反応物が上記基材上に析出し易くなる。その結果、反応物が、照射された基材上の位置とは異なる位置に析出することを抑制できるため、照射したパターンと実際に形成されるパターンとの形状の差を小さくすることができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、ビームの照射角度を変化させることにより、３次元的にパターンを形成することが好ましい。
　上記方法によれば、簡便に３次元的なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記基材を傾けることにより、３次元的にパターンを形成することが好ましい。
　上記方法によれば、簡便に３次元的なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記パターン形成工程では、形成するパターンに沿ってビームを繰り返し照射することが好ましい。
　上記方法によれば、簡便に３次元的なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　また、本発明に係るパターン形成方法では、上記パターン形成工程では、形成するパターンに沿ってビームを繰り返し照射し、当該繰り返すビームの照射回数の増加に伴い、ビームの照射によって描写する形状を変化させることが好ましい。
　上記方法によれば、簡便により複雑な３次元的なパターンを形成することができるという更なる効果を奏する。
　以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　〔実施例１〕
　イオン液体である、下記構造
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
を有するＢＭＩ－ＴＦＳＩ（関東化学社製）５０ｍＬに、金属塩としてＮａ（ＡｕＣｌＯ４）・２Ｈ２Ｏを０．１Ｍとなるように加え、ポリビニルピロリドンを５質量％となるように加えイオン液体溶液を調製した。
　尚、ポリビニルピロリドンは、以下のように合成したものを用いた。
　ビニルピロリドン（和光純薬工業製）を５０質量％水溶液とし、アルゴンガスバブリングをおよそ１０分間行った。この溶液をフラスコ中で、１００℃還留下、およそ２０時間反応させ、反応後、減圧加熱下で水を除去することにより、目的化合物であるポリビニルピロリドンを得た。
　上記イオン液体溶液を、チタンコートされたシリコンウエハ基板（信越シリコン社製）上に、スピンコート（６０００ｒｐｍ）し、当該基板上に上記イオン液体溶液を厚さ約４μｍに塗布した（厚さは、共焦点レーザー顕微鏡で測定）。塗布後の上記シリコンウエハに対して、真空中で集束イオンビームを照射することによりシリコンウエハ上に「ＫＵＷＡＢＡＴＡ」のパターンを描写した。
　尚、集束イオンビームの上記照射は、集束イオンビーム装置（製品名：ＳＭＩ－２０４０、SIIナノテクノロジー社製）を用い、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流５０ｐＡ、ドーズ５０×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。また、一点あたりのビーム照射時間はおよそ１０マイクロ秒で行った。
　パターン描写後、金属パターンを形成した上記基板をアセトンで洗浄し、基板上に形成した金属パターンをＳＥＭにより観察した。ＳＥＭにより測定した画像を図１に示す。また、基板上のパターンの組成を蛍光Ｘ線分析装置により分析した。結果を図２に示す。
　図１に示すように、「ＫＵＷＡＢＡＴＡ」の文字パターンがシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。また、図２に示すように、「ＫＵＷＡＢＡＴＡ」の文字パターンは、金（Ａｕ）から構成されていることが確認できた。
　〔実施例２〕
　チタンコートされた上記シリコンウエハ基板を、チタンコートしていないシリコンウエハ基板に変更したこと、並びに集束イオンビームで描写するパターンを十字パターンに変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行い、基板上に金属パターンを形成した。
　尚、集束イオンビームの上記照射は、実施例１と同様に、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流５０ｐＡ、ドーズ５０×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。形成した金属パターンのＳＥＭ画像を図３に示し、蛍光Ｘ線分析装置による分析結果を図４に示す。
　その結果、図３に示すように、十字パターンがシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。また、図４に示すように、十字パターンは、金（Ａｕ）から構成されていることが確認できた。
　〔実施例３〕
　ＢＭＩ－ＴＦＳＩ（関東化学社製）５０ｍＬに、金属塩としてＮａ（ＡｕＣｌＯ４）・２Ｈ２Ｏを０．１Ｍとなるように加え、ポリビニルピロリドンを含有させずにシリコン基板上にスピンコート（６０００ｒｐｍ）した。
　この試料に対し、幅１０μｍ・長さ１２０μｍの十字状の金属パターンを形成した。尚、集束イオンビームの上記照射は、実施例１と同様に、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流５０ｐＡ、ドーズ５０×１０１５個／ｃｍ２の条件で行い、実施例１，２と比べて照射時間を長くし、一点あたりのビーム照射時間は１ミリ秒で行った。
　形成した金属パターンのＳＥＭ画像を図５に示す。その結果、図５に示すように、基板上の十字パターンから３次元的に枝分かれして成長したような形状が確認できた。
　〔参考例１：ドーズ量の変化による影響〕
　ポリビニルピロリドンを濃度が２０質量％となるように加え、ドーズ量を２×１０１５、４×１０１５、８×１０１５、１６×１０１５、３２×１０１５、６４×１０１５、１２８×１０１５、２５６×１０１５、５１２×１０１５、１０２４×１０１５個／ｃｍ２にそれぞれ変化させて直線を描写したこと以外は実施例２と同様の操作を行い、基板上にパターンを描写した。
　形成した金属パターンのＳＥＭ画像を図６に示す。その結果、図６に示すように、ドーズ量を変化させることにより、金の析出形態を制御できることを確認できた。具体的には、本実施例の系では、ドーズ量を増加させれば、還元した金属はスキャンした形状の通り連続した形状で析出する傾向を示した。これに対して、ドーズ量を減少させれば、還元した金属は連続した形状とならず、粒子状で析出する傾向を示した。
　〔参考例２：界面活性剤の添加量の変化による影響〕
　ポリビニルピロリドンの濃度を０質量％、１０質量％にそれぞれ変化させたこと以外は参考例１と同様の操作を行い、シリコンウエハ上にパターンを描写した。
　形成した金属パターンのＳＥＭ画像を、参考例１のＳＥＭ画像と共に図７に示す。その結果、図７に示すように、界面活性剤の添加量を変化させることにより、金の析出形態を制御できることが確認できた。
　具体的には、本実施例の系では、界面活性剤の添加量を増加させれば、還元した金属はスキャンした形状の通りに析出する傾向を示した。これに対して、界面活性剤の量を減少させれば、還元した金属は、スキャンした位置からずれた位置に析出し易い傾向を示した。
　〔実施例４〕
　ＢＭＩ－ＴＦＳＩ（関東化学社製）５０ｍＬに、ポリ－４－ビニルフェノール（分子量１．１７×１０４、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２、アルドリッチ社製）を５～２０質量％となるように加え、シリコン基板上にスピンコート（６０００ｒｐｍ）した。
　この試料に対し、幅２μｍ・長さ１２０μｍの十字状のパターンを形成した。尚、集束イオンビームの上記照射は、実施例１と同様に、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流５０ｐＡ、ドーズ５０×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。その結果、十字パターンがシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。
　〔実施例５〕
　ＢＭＩ－ＴＦＳＩ（関東化学社製）５０ｍＬに、糖鎖高分子であるβシクロデキストリン（ナカライテスク社製）を２５質量％となるように加え、シリコン基板上にスピンコート（６０００ｒｐｍ）した。
　この試料に対し、幅２μｍ・長さ１２０μｍの十字状のパターンを形成した。尚、集束イオンビームの上記照射は、実施例１と同様に、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流５０ｐＡ、ドーズ５０×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。その結果、十字パターンがシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。
　〔実施例６〕
　重合性のイオン液体である、下記構造
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
を有するＡＥＩ－ＴＦＳＡ（1-allyl-3-ethylimidazolium bis(trifluoromethane sulfonyl)imide）（関東化学社製）を、チタンコートされたシリコンウエハ基板（信越シリコン社製）上に、スピンコート（６０００ｒｐｍ）し、当該基板上に上記イオン液体を厚さ約１μｍに塗布した（厚さは、共焦点レーザー顕微鏡で測定）。塗布後の上記シリコンウエハに対して、真空中で集束イオンビームを照射することによりシリコンウエハ上に図８に示すパターンを描写し、更に、描写した当該パターン上に同一のパターンを繰り返し描写した。
　尚、集束イオンビームの上記照射は、集束イオンビーム装置（製品名：ＳＭＩ－２０４０、SIIナノテクノロジー社製）を用い、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流４８ｐＡ、ドーズ１００×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。また、一点あたりのビーム照射時間はおよそ２５０マイクロ秒で行い、パターンのスキャンは計１５０回行った。
　パターン描写後、パターンを形成した上記基板をアセトンで洗浄し、基板上に形成したパターンをＳＥＭにより観察した。ＳＥＭにより測定した画像を図９に示す。
　図９に示すように、図８で示すパターンが立体的にシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。
　〔実施例７〕
　ＡＥＩ－ＴＦＳＡ（関東化学社製）を、チタンコートされたシリコンウエハ基板（信越シリコン社製）上に、スピンコート（６０００ｒｐｍ）し、当該基板上に上記イオン液体を厚さ約１μｍに塗布した（厚さは、共焦点レーザー顕微鏡で測定）。塗布後の上記シリコンウエハに対して、真空中で集束イオンビームを照射することによりシリコンウエハ上に幅、縦２μｍ・横５μｍの「Ｏｓａｋａ」の文字パターンを描写した。更に、描写した当該パターン上に同一のパターンを繰り返し描写した。
　尚、集束イオンビームの上記照射は、集束イオンビーム装置（製品名：ＳＭＩ－２０４０、SIIナノテクノロジー社製）を用い、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流４８ｐＡ、ドーズ１００×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。また、一点あたりのビーム照射時間はおよそ２５０マイクロ秒で行い、パターンのスキャンは計４００回行った。
　パターン描写後、パターンを形成した上記基板をアセトンで洗浄し、基板上に形成した金属パターンをＳＥＭにより観察した。ＳＥＭにより測定した画像を図１０に示す。
　図１０に示すように、「Ｏｓａｋａ」の文字パターンが立体的にシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。
　〔実施例８〕
　集束イオンビームのドーズを３００×１０１５個／ｃｍ２とし、パターンのスキャンを計１２００回としたこと以外は実施例７と同様の操作を行い、「Ｏｓａｋａ」の文字パターンを繰り返し描写した。
　パターン描写後、パターンを形成した上記基板をアセトンで洗浄し、基板上に形成した金属パターンをＳＥＭにより観察した。ＳＥＭにより測定した画像を図１１に示す。
　図１１に示すように、「Ｏｓａｋａ」の文字パターンが立体的にシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。また、スキャン回数が４００回である実施例７の結果（図１０）と比較して、より厚さが増加したパターンを形成できることが確認できた。つまり、スキャン回数によって、パターンの厚さを制御することができることが確認できた。
　〔実施例９〕
　ＡＥＩ－ＴＦＳＡ（関東化学社製）を、チタンコートされたシリコンウエハ基板（信越シリコン社製）上に、スピンコート（６０００ｒｐｍ）し、当該基板上に上記イオン液体を厚さ約１μｍに塗布した（厚さは、共焦点レーザー顕微鏡で測定）。塗布後の上記シリコンウエハに対して、真空中で集束イオンビームを照射することによりシリコンウエハ上に、円のパターンを、その直径を２μｍから２．５μｍへと０．１μｍづつ増加させながら、各円の中心位置を固定して繰り返し描写した（計６回スキャン）。
　尚、集束イオンビームの上記照射は、集束イオンビーム装置（製品名：ＳＭＩ－２０４０、SIIナノテクノロジー社製）を用い、ビーム径１３ｎｍ、加速電圧３０ｋｅＶ、ビーム電流４８ｐＡ、ドーズ５０×１０１５個／ｃｍ２の条件で行った。また、一点あたりのビーム照射時間はおよそ１００マイクロ秒で行った。
　パターン描写後、パターンを形成した上記基板をアセトンで洗浄し、基板上に形成したパターンをＳＥＭにより観察した。ＳＥＭにより測定した画像を図１２に示す。
　図１２に示すように、基板に向かってテーパー状となった、リング形状が積み重なったパターンがシリコンウエハ上に形成されていることが確認できた。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明のパターン形成方法は、簡便に微細なパターンを形成することができる。このため、電子回路等に用いられる金属パターンの形成等の用途に好適に用いることができる。

Claims (15)

  1. 　電磁波、イオン又は電子により化学反応を引き起こす反応性物質がイオン液体に溶解した溶液に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該反応性物質を化学反応させ、照射した部分に当該反応物を析出させることにより、当該反応物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  2. 　上記反応性物質は還元性物質であり、
    　上記パターン形成工程では、電磁波、イオン又は電子を照射して、還元性物質をイオン液体中の溶媒和電子により還元反応させ、照射した部分に当該還元物を析出させることにより、当該還元物のパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
  3. 　上記反応性物質は金属イオンであることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
  4. 　上記反応性物質は、高分子化合物であり、
    　上記パターン形成工程では、電磁波、イオン又は電子を照射して、高分子化合物を架橋反応させ、照射した部分に当該架橋物を析出させることにより、当該架橋物のパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
  5. 　上記反応性物質は、重合性化合物であり、
    　上記パターン形成工程では、電磁波、イオン又は電子を照射して、重合性化合物を重合反応させ、照射した部分に当該重合物を析出させることにより、当該重合物のパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
  6. 　上記パターン形成工程の前に、反応性物質をイオン液体に溶解した上記溶液を基材上に塗布する溶液塗布工程を更に含み、
    　上記パターン形成方法では、上記反応物のパターンを上記基材上に形成することを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載のパターン形成方法。
  7. 　イオン液体に反応性物質を溶解した上記溶液に、界面活性剤を更に溶解させることを特徴とする請求項６に記載のパターン形成方法。
  8. 　上記基材を傾けることにより、３次元的にパターンを形成することを特徴とする請求項６又は７に記載のパターン形成方法。
  9. 　電磁波、イオン又は電子により重合反応を引き起こす重合性化合物が結合したイオン液体に対して、電磁波、イオン又は電子を照射して、当該イオン液体を重合反応させ、照射した部分に当該重合物を析出させることにより、当該重合物のパターンを形成するパターン形成工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  10. 　上記パターン形成工程を真空中で行なうことを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載のパターン形成方法。
  11. 　上記照射をビームにより行なうことを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載のパターン形成方法。
  12. 　上記ビームは、イオンビーム又は電子ビームであることを特徴とする請求項１１に記載のパターン形成方法。
  13. 　ビームの照射角度を変化させることにより、３次元的にパターンを形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載のパターン形成方法。
  14. 　上記パターン形成工程では、形成するパターンに沿ってビームを繰り返し照射することを特徴とする請求項１１又は１２に記載のパターン形成方法。
  15. 　上記パターン形成工程では、形成するパターンに沿ってビームを繰り返し照射し、当該繰り返すビームの照射回数の増加に伴い、ビームの照射によって描写する形状を変化させることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のパターン形成方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015071766A (ja) * 2014-11-05 2015-04-16 セイコーエプソン株式会社 ナノ粒子分散ゲルの製造方法
JP2015125087A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料加工方法および試料加工装置
JP2020136574A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 国立大学法人静岡大学 金属微細構造体の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243273A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Hitachi Ltd 金属配線の形成方法
JP2002323756A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Kansai Paint Co Ltd ネガ型感エネルギー線性ペースト及びそれを使用したパターン形成方法
JP2004047400A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Keiichi Uno イオン性樹脂シート
JP2004131806A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Japan Science & Technology Agency 導電性高分子上への金属粒子の光析出方法
JP2005058911A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Seiko Epson Corp パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005298759A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Nippon Paint Co Ltd クリヤー塗料組成物及びクリヤー塗膜形成方法
JP2006010923A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Konica Minolta Opto Inc クリアハードコートフィルム及びその製造方法、並びにそれを用いた反射防止フィルム
JP2006064923A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性パターン材料の製造方法
WO2007083756A1 (ja) * 2006-01-20 2007-07-26 Juridical Foundation Osaka Industrial Promotion Organization 電子顕微鏡用チャージアップ防止液状媒体、及びそれを用いた試料観察方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003231097A (ja) * 2002-02-08 2003-08-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子を基板に載せた構造物およびその作製方法
JP2005243675A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール、電子機器および非接触記録情報媒体
JP2006179380A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Toppan Printing Co Ltd 意匠性を備えた太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2006245074A (ja) * 2005-02-28 2006-09-14 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池
JP4699149B2 (ja) * 2005-09-15 2011-06-08 ジャパンゴアテックス株式会社 回路基板、および薄膜太陽電池とその製造方法
JP5398992B2 (ja) * 2008-01-31 2014-01-29 三洋化成工業株式会社 活性エネルギー線硬化型帯電防止性樹脂組成物

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11243273A (ja) * 1998-02-26 1999-09-07 Hitachi Ltd 金属配線の形成方法
JP2002323756A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Kansai Paint Co Ltd ネガ型感エネルギー線性ペースト及びそれを使用したパターン形成方法
JP2004047400A (ja) * 2002-07-10 2004-02-12 Keiichi Uno イオン性樹脂シート
JP2004131806A (ja) * 2002-10-10 2004-04-30 Japan Science & Technology Agency 導電性高分子上への金属粒子の光析出方法
JP2005058911A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Seiko Epson Corp パターンの形成方法及び配線パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器
JP2005298759A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Nippon Paint Co Ltd クリヤー塗料組成物及びクリヤー塗膜形成方法
JP2006010923A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Konica Minolta Opto Inc クリアハードコートフィルム及びその製造方法、並びにそれを用いた反射防止フィルム
JP2006064923A (ja) * 2004-08-26 2006-03-09 Fuji Photo Film Co Ltd 導電性パターン材料の製造方法
WO2007083756A1 (ja) * 2006-01-20 2007-07-26 Juridical Foundation Osaka Industrial Promotion Organization 電子顕微鏡用チャージアップ防止液状媒体、及びそれを用いた試料観察方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015125087A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料加工方法および試料加工装置
JP2015071766A (ja) * 2014-11-05 2015-04-16 セイコーエプソン株式会社 ナノ粒子分散ゲルの製造方法
JP2020136574A (ja) * 2019-02-22 2020-08-31 国立大学法人静岡大学 金属微細構造体の製造方法

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