JP2008198574A - 色変換層のパターニング方法および有機ｅｌディスプレイの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】１５０ｐｐｉを超える高精細度のパターン形成を実現することができる、色変換層のパターニング方法を提供すること、および、当該パターニング方法を用いた有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】ある波長の光を吸収し、吸収した波長と異なる波長を含む光を出力する色変換層をパターニングする方法であって、（１）支持体上に上記色変換層を形成する工程、および（２）微細パターンが形成されたモールドを加熱し、上記モールドを部分的に上記色変換層に接触させることによって、上記色変換層の一部を蒸発させ、上記モールドの微細パターン形状を上記色変換層に転写する工程を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、色変換層のパターニング方法に関し、特に、高精度なパターンを得ることができる色変換層のパターニング方法に関する。本発明は、このようなパターニング方法により得られた色変換層を含み、三原色のうちの少なくとも一色を発光する有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。

有機ＥＬディスプレイは、一般に、有機ＥＬ素子から発せられた光を色変換層およびカラーフィルタ層に順次通して、所望の波長を有する光を外部に放出するものである。ここで、色変換層は、有機ＥＬ素子（光源）から発せられた近紫外領域ないし可視領域の光を吸収して波長分布変換を行い、異なる波長の光を含む可視光を放射する機能を有する。また、カラーフィルタ層は、色変換層を通った可視光の色純度の向上を、特定波長の遮断によって行なう機能を有する。

近年、有機ＥＬディスプレイにおいては、マルチカラー表示またはフルカラー表示が可能な、多色発光型ディスプレイの開発が行なわれている。特に、低電圧の印加によっても高い電流密度、ひいては高い発光輝度および発光効率を実現可能な、有機ＥＬ素子の特性を有効に利用し得る、高精細なカラー表示の有機ＥＬディスプレイの開発が盛んに行なわれている。

色変換層およびカラーフィルタ層を備える有機ＥＬディスプレイに関し、多色発光を実現する例としては、以下の技術が開示されている。
即ち、特許文献１には、基板を備えるとともに、少なくとも一方が透明な２つの電極の間に、少なくとも一層の有機発光層を含み、さらに、顔料および／または有機染料を蒸着して形成したカラーフィルタ層を含み、独立して、制御が可能な複数の有機ＥＬ素子に分割され、さらに、上記カラーフィルタ層の上記２つの電極側に、上記少なくとも一層の有機発光層からの発光光を所定の波長の光に変換する蛍光変換層（上記色変換層に相当）を備えた有機ＥＬディスプレイパネルが開示されている。この技術において、蛍光変換層（色変換層）は、短波長の光を吸収して長波長の光に変換する、少なくとも１種の色変換物質を含む層である。また、特許文献１には、蛍光変換層（色変換層）の形成方法として、樹脂に色変換物質を分散させた液を塗布する方法、および色変換物質を蒸着もしくはスパッタ等のドライプロセスにより堆積する方法が開示されている。

このような有機ＥＬディスプレイを用いて高精細なカラー表示を実現するに際し、ディスプレイの構成要素である色変換層に着目した場合、光の吸光度を増加させ、高い変換光強度を得るには、一般に、色変換層中の色変換物質の濃度を高くすることが有利である。

しかしながら、色変換物質の濃度を高くすると、有機ＥＬ素子から発せられた光による吸収エネルギーが、色変換物質内の同一分子間において移動を繰り返すうちに発光を伴わずに失活する。この現象は濃度消光と呼ばれ、その抑制には何らかの媒体中に色変換物質を溶解または分散させてその濃度を低下させることが肝要である。

このような、相反する性質を考慮し、濃度消光の発生を抑制しつつ、高い変換光強度を得る技術として、色変換層の膜厚を１０μｍ程度と比較的大きくし、優れた色変換効率を実現する技術が知られている。

しかしながら、色変換層の厚さを大きくした場合には、色変換層の段差部における電極パターン断線の問題、および厚膜のフォトプロセスの困難さによる高精細化の困難性の問題がある。また、色変換層の厚さが大きい場合には、膜中の水分または溶媒の残留により発光層中への水分または溶媒の侵入による発光層の変質の問題、および視野角依存性の増大の問題もある。

従って、特許文献１には、厚さを大きくせずに十分な変換光強度が得られる色変換層を提供する技術として、２０００ｎｍ以下の膜厚を有するホスト−ゲスト系色変換層を蒸着法によって形成する技術が開示されている。

このような蒸着法により色変換層を形成する場合には、下地層の全面に色変換層を形成するため、３原色（赤色、緑色、および青色）を分けて発光できない。このため、何らかの手段によって、特定の画素に対応した微細パターンの形成が必要となる。特許文献１には、蒸着材料からなる薄膜をパターン形成する方法として、メタルマスクによる塗分け法が開示されている。

しかしながら、メタルマスクはその性質上、貫通した開口部を必須とすることから、マスクの強度を確保するためには開口部間の間隔を確保する必要があり、高精細化に限界が生じる欠点を有する。また、基板が大きくなるにつれ、メタルマスクも大きくなり、マスクのたわんでしまうという問題もある。さらには、メタルマスクの背後への蒸発物質の回りこみが生じることから、パターンの微細化には限界がある。１５０ｐｐｉの精細度レベルが限界であり、それを超える高精細なパターンの形成は困難である。また上記問題のため、基板の大面積化に問題があり、パターンずれ等の歩留りの低下・低コスト化が困難になるという問題もある。

また、特許文献２には、有機ＥＬ素子にエキシマレーザ光を照射し、一部を蒸発させてパターニングする方法が開示されている。しかしながら、この方法では、レーザー光を吸収する層は同時に蒸発が生じるため、色変換層だけをパターニングすることが困難である。さらには、基板が大面積になった際に、レーザーを当てる面積が大きくなるため、パターンニングに時間がかかるという問題がある。

特開２００２−７５６４３号公報 特開平９−３２０７６０号公報

本発明の第１の目的は、特に、１５０ｐｐｉを超える高精細度のパターンを得ることができる、色変換層のパターニング方法を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、このようなパターニング方法を用いた有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することにある。

本発明は、ある波長の光を吸収し、吸収した波長と異なる波長を含む光を出力する色変換層をパターニングするにあたり、（１）支持体上に上記色変換層を形成する工程、および（２）微細パターンが形成されたモールドを加熱し、上記モールドを部分的に上記色変換層に接触させることによって、上記色変換層の一部を蒸発させ、上記モールドの微細パターン形状を上記色変換層に転写する工程を備える色変換層のパターニング方法に関する。ここで、支持体とは、色変換層の下方に位置し、かつ、色変換層を直接積層する可能性のある層のすべてを意味し、例えば、平坦化層および保護層などがこれにあたる。本発明は、有機ＥＬディスプレイのマルチカラー表示およびフルカラー表示の実現にあたり、高精細度のパターンを提供することができる。

このような色変換層のパターニング方法においては、上記モールドを、ロール形状またはスリット形状とすることができる。また、当該モールドの加熱温度は、色変換層の構成材料の蒸発温度以上であること、および／または、色変換層の構成材料の分解温度未満であることが望ましい。さらに、上記工程（１）および（２）を一貫して真空中または不活性ガス雰囲気中で行なうことが望ましく、上記真空の圧力が、１０^−３Ｐａ以下であることおよび／またはＯ_２濃度およびＨ_２Ｏ濃度が、ともに１０ｐｐｍ以下であることがさらに望ましい。

本発明は、（ｉ）支持体上面にそれぞれ異なる波長域の光を透過する、少なくとも２種類のカラーフィルタ層を独立して形成する工程、（ｉｉ）上記カラーフィルタ層の上面に平坦化層を形成する工程、（ｉｉｉ）上記平坦化層の上面に、真空蒸着法によって、ある波長の光を吸収し、吸収した波長と異なる波長を含む光を出力する色変換層を形成する工程、（ｉｖ）微細パターンが形成されたモールドを加熱し、上記モールドを部分的に上記色変換層に接触させることによって上記色変換層の一部を蒸発させ、上記モールドの微細パターンの形状を上記色変換層に転写することによって、上記色変換層をパターニングする工程、（ｖ）パターニングされた色変換層の上面にバリア層を形成する工程、および（ｖｉ）上記バリア層の上面に有機ＥＬ素子を形成する工程を含む有機ＥＬディスプレイの製造方法を包含する。

このような有機ＥＬディスプレイの製造方法においては、上記工程（ｉｉ）と上記工程（ｉｉｉ）との間に、保護層を形成する工程をさらに備えることが望ましく、上記工程（ｉｖ）において、上記モールドの加熱温度が、色変換層の構成材料の蒸発温度以上であること、および／または、色変換層の構成材料の分解温度未満であることが望ましい。さらに、上記工程（ｉｖ）を、一貫して真空中または不活性ガス雰囲気中で行なうことが望ましい。

本発明の色変換層のパターニング方法は、パターニングに先立ち、メタルマスクを用いずに、下地層に直接色変換層を蒸着する。このため、当該方法によれば、メタルマスク使用時に生ずる問題、即ち、マスク自体の精細度の限界、蒸発物質の回り込みによるパターンニング精度の低下に関する問題を克服し、結果的に１５０ｐｐｉ以上の精細度レベルを実現することができる。また、当該方法によれば、この高精細度レベルを、上記モールドの高精細化により、基板の大面積化に適用することができ、パターンずれ等の問題もなく歩留り良く実現することができる。

また、このようなパターニング方法を用いた有機ＥＬディスプレイの製造方法によれば、色変換層だけを単独でパターニングでき、さらには、エキシマレーザ光を用いて形成する場合のように、長時間を要さず、全体として、迅速に有機ＥＬディスプレイの製造を実現することができる。

以下、本発明の好適な実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。

以下、パッシブマトリクス駆動のボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイ製造方法を、図１（ａ）〜（ｊ）を参照して順次説明する。なお、本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法だけでなく、色変換層のパターニング方法に係るものでもあるが、当該パターニング方法は、図１（ｃ）〜（ｆ）に示す工程において詳説する。

（色変換層２０を形成する下地層群の準備工程１）
図１（ａ）は、後述する色変換層２０を形成するための下地層群（基板１０、ブラックマトリクス４０、カラーフィルタ層３０（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））、および平坦化層６を含む）の準備工程を示す積層体の断面図である。同図に示すように、支持体として用意した透明基板１０上に、有機層であるブラックマトリクス４０およびカラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成し、さらにこれらの層４０，３０を覆うように平坦化層６を形成する。

透明基板１０は、その上に順次形成される有機ＥＬディスプレイの各構成要素を支持するための層である。透明基板１０は、光透過性に富み、かつ、ブラックマトリクス４０、カラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）、および後述する色変換層２０、ならびに有機ＥＬ素子（電極、有機発光層等）の形成に用いられる条件（溶媒、温度等）に耐え得るものを用いる。また、透明基板１０は、後続の各形成工程において、度重なる各層の形成条件に曝されるため、寸法安定性に優れていることが好ましい。さらに、透明基板１０としては、多色発光ディスプレイの発光性能の低下を引き起こさないものを用いることが肝要であり、例えば、ガラス、各種プラスチック、および各種フィルム等が挙げられる。

カラーフィルタ層３０は、後述する色変換層２０を通り、一定領域の波長を有することとなった光の色純度を、特定波長の遮断により向上させるための層である。カラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、透明基板１０上に、フラットパネルディスプレイ用の材料を用いて形成することができ、例えば、フォトレジストに顔料を分散させた、顔料分散型材料を使用することができる。カラーフィルタ層３０は、４００〜５５０ｎｍの波長を透過する青色カラーフィルタ層、５００〜６００ｎｍの波長を透過する緑色カラーフィルタ層、および６００ｎｍ以上の波長を透過する赤色カラーフィルタ層を配列した構造とすることが一般的である。カラーフィルタ層３０の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。

また、任意選択的に、各カラーフィルタ層のサブピクセル間に可視域を透過しないブラックマトリクス４０を形成し、コントラストの向上を図ることができる。ブラックマトリクス４０は、通常のフラットパネルディスプレイ用の材料を用いて形成する。ブラックマトリックス４０の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。

平坦化層６は、カラーフィルタ層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）３０を保護する目的で形成される層である。また、平坦化層６は、カラーフィルタ層３０およびブラックマトリクス４０により生じた段差が、これらの層３０，４０より上方に形成される各層の寸法精度に悪影響を与えないようにするために形成される層である。このため、平坦化層６は、光透過性に富み、かつ、カラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を劣化させることのない材料およびプロセスを選択して形成する必要がある。

平坦化層６に適用可能な材料としては、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を、光および／または熱処理して、ラジカル種、イオン種を発生させて重合または架橋させ、不溶不融化させたものが一般的である。また、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂は、パターニングを行うために、硬化をする前は有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶性であることが好ましい。

具体的に、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂としては、
（１）アクロイル基、メタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーまたはオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物膜を、光または熱処理して、光ラジカルまたは熱ラジカルを発生させて重合させたもの、
（２）ポリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物を、光または熱処理により二量化させて架橋したもの、
（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物膜を、光または熱処理によりナイトレンを発生させて、オレフィンと架橋させたもの、ならびに
（４）エポキシ基を有するモノマーと光酸発生剤からなる組成物膜とを、光または熱処理により酸（カチオン）を発生させて重合させたもの
などが挙げられる。

特に上記（１）の光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂を用いた場合には、フォトプロセスのため、パターニングが可能であり、耐溶剤性、耐熱性等の信頼性の面でも好ましい。

その他の、光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂としては、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルホン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ノルボルネン系樹脂、メタクリル樹脂、イソブチレン無水マレイン酸共重合樹脂、環状オレフィン系等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ビニルエステル樹脂、イミド系樹脂、ウレタン系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート等と３官能性、あるいは４官能性のアルコキシシランを含むポリマーハイブリッド等が挙げられる。

平坦化層６の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。

（色変換層２０を形成する下地層群の準備工程２）
図１（ｂ）は、図１（ａ）で示す積層体の最上層である平坦化層６上に、保護層５をさらに形成する工程を示す積層体の断面図である。

保護層５は、平坦化層６と後述する色変換層２０との間に任意選択的に形成され、色変換層２０のパターニング時に、平坦化層６が同時にパターニングされてしまうことを防止するための層である。図１に示す例においては、後述する色変換層２０のパターニングによって赤色変換層２０Ｒの形成をする際に、平坦化層６が同時にパターニングされてしまうおそれがあるため、保護層５を形成することが好ましい。

保護層５に適用可能な材料としては、可視域における透明性が高い材料（４００〜７００ｎｍの範囲での透過率が５０％以上）を用いることができる。また、保護層５上で色変換層２０がロールまたはスリットの押圧によってパターニングされる際の圧力に耐え得る硬度である、２Ｈ以上の膜硬度（鉛筆硬度）を有する材料を用いることが好ましい。なお、この膜硬度（鉛筆硬度）は、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に準拠したものである。具体的な保護層５としては、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ、ＳｎＯ_２、ＩＴＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＩＺＯ、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物等の無機酸化物、および無機窒化物等を使用することができる。

保護層５の形成方法としては、特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、または真空蒸着法等を使用することができる。また、保護層５は、単層とすることは勿論、複数の層からなる積層体とすることもできる。

（保護層５への色変換層２０の全面形成工程）
図１（ｃ）は、図１（ｂ）で示す積層体の最上層である保護層５上に、色変換層２０を全面形成する工程を示す積層体の断面図である。上述したように、保護層５は任意選択的に形成するため、保護層５が形成されない場合には、平坦化層６上に色変換層２０を直接形成する。

色変換層２０は、光源である有機ＥＬ素子から発せられた近紫外領域ないし可視領域の光を吸収して波長分布変換を行い、吸収した波長と異なる波長の光を含む可視光を放射するための層であり、少なくとも１種の色変換色素を含む。色変換層２０は、例えば、白色光から青色ないし青緑色領域の光を吸収して、他色の領域の光に変換することができる。また、色変換層を通した後の光の波長は、緑色変換層を使用した場合は５００〜５５０ｎｍであり、赤色変換層を使用した場合には６００〜７００ｎｍである。

色変換層２０を形成するための色変換色素としては、Ａｌｑ_３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）などのアルミキレート系色素；３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、クマリン１３５などのクマリン系色素；ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４のようなナフタルイミド系色素；４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ−１（下記化１中のＩ））、ＤＣＭ−２（下記化１中のＩＩ）、およびＤＣＪＴＢ（下記化１中のＩＩＩ）などのシアニン色素；ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン系色素；ピリジン１などのピリジン系色素；４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン（下記化１中のＩＶ）、ルモゲンＦレッド、ナイルレッド（下記化１中のＶ）などを用いることができる。また、公知である各種ＥＬの発光層に用いられているホスト−ゲスト材料を色変換色素として使用することもできる。
以下に、上述した色変換色素の具体例の構造式を示す。

色変換層２０は、各種ドライプロセスによって形成するこができ、真空蒸着法によって形成することが有機材料を分解させずに形成できるため好ましい。真空蒸着法の加熱方式としては、直接加熱法または間接加熱法のいずれを用いることもでき、具体的には、抵抗加熱、電子ビーム加熱、または赤外線加熱等を用いることができる。複数種の色変換色素を用いて色変換層２０を形成する場合には、複数種の色変換色素を所定の比率で混合した予備混合物を予め作製し、この予備混合物を用いて共蒸着を行うことができる。また、複数種の色変換色素を別個の加熱部位に配置し、各色変換色素を別個に加熱して共蒸着を行うこともできる。特に、複数種の色変換色素において、蒸着速度および／または蒸気圧などの特性が大きく異なる場合には、後者の方法を用いることが有利である。

色変換層２０の膜厚は、１μｍ以下とすることが好ましく、２００ｎｍ〜１μｍとすることがより好ましい。

（色変換層２０のパターニング工程）
図１（ｄ）〜（ｆ）は、図１（ｃ）で示す積層体の最上層である色変換層２０のパターニング工程を示す積層体の断面図である。ここでは、色変換層（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のうち、赤色変換層２０Ｒのみのパターニングについて説明する。

保護層５上において赤色変換層２０Ｒのパターニングを行なうにあたり、このパターニングを比較的大面積の有機ＥＬディスプレイにおいて実現することが、本願発明の目的の１つである。この目的達成のため、ミクロンオーダのギャップでパターン化する方法として、本発明では、以下の方法を採用する。即ち、微細パターン形状を有するロールまたはスリットなどのモールド８０（図１においてはスリット）を配置し（図１（ｄ））、モールド８０を加熱して、部分的に色変換層２０に接触させ、色変換層２０の一部を蒸発させて（図１（ｅ））、モールドの微細パターン形状を色変換層２０に転写する（図１（ｆ））。ここで、色変換層２０のモールド８０と接触する部分は、赤色変換層２０Ｒとして不必要な部分である。

このような方法は、事前に塗布した層に対して、微細パターンが形成されたモールドを接触させることにより当該層を蒸発させ、当該層の表面に微細パターンを転写する方法である。赤色色変換層２０Ｒの具体的な形成手順は、以下のとおりである。

第１に、図１（ｄ）に示すように、モールド８０を、その凹凸パターンを色変換層２０と対向させて配置する。ここで、スリット形状のモールド８０は、本発明に用いられるモールドの１例であり、ロール形状とすることもできる。メタルマスクとは異なり、モールドには貫通した開口部を必要としないことおよび充分な厚みを付与して剛性を確保し得ることから、モールド８０のパターンは高精細化することが可能である。

モールド８０の材料としては、後述する加熱温度に耐え得るものであって、十分な硬度を有し、モールド８０の表面に金型成型等によってミクロンオーダの微細パターンを付与することができるものであれば、特に限定されない。例えば、石英、各種ステンレス鋼、シリコン、セラミック等を使用することができる。また、モールド８０の凹部の深さは、色変換層２０の膜厚より深くし、後述の蒸発工程における、色変換層２０とモールド８０との接触時において、凹部内に空間が形成される程度とする。この空間の形成理由は、色変換層２０の蒸発物の逃げ道になるだけでなく、色変換層２０からモールド８０を引き上げることを容易ならしめるためである。なお、モールド８０のパターン形状は、例えば図３に断面図で示すような所望の凹凸の形状（モールド８２）とすることができる。

第２に、図１（ｅ）に示すように、モールド８０を所定の温度に加熱し、モールド８０および色変換層２０の少なくとも一方を移動して、モールド８０と色変換層２０とを部分的に接触させ、接触部の色変換層を蒸発させる。また、図２は、図１（ｅ）の積層体を、その側面側から見た図である。これらの図に示すように、色変換層２０は、その下方に位置する有機層（カラーフィルタ層３０、平坦化層６等）の変形による補助を受けながら、図１（ｅ）におけるモールド８０の凹部の下方に設けられた空隙部に、および／または図２におけるモールド８０の左右方向外側に蒸発する。モールドをスリット形状またはロール形状とすることにより、モールドと色変換層の接触領域を限定することができ、蒸発した色変換層の材料をモールド８０の左右方向外側に効果的に飛散させることができる。なお、モールドをスリット形状とした場合には、その長さ／幅を０．２未満とすることが、色変換層の蒸発を容易ならしめるため、好ましい。ここで、モールド８０の長さとは、図２の左右方向のモールドのサイズを示す。また、モールド８０の幅とは図２の紙面垂直方向のモールドのサイズを示す。

モールド８０の加熱温度は、色変換層２０の構成材料の蒸発温度以上であることが好ましい。これは、色変換層２０の不要部位を、完全に除去するためである。また、モールド８０の加熱温度は、色変換層２０の構成材料の分解温度未満であることが好ましい。ここで、色変換層２０の分解温度は、ＴＧ−ＤＴＡ測定またはＴＧＭＳ測定によって測定される温度である。分解温度に関する条件設定は、発光特性に影響を及ぼすおそれのある、分解物の発生を完全に回避するためである。なお、モールド８０の加熱は、抵抗体または電熱線などによる抵抗加熱を用いることができる。上述したとおり、モールド８０の加熱時に、平坦化層６への熱による悪影響、例えば変形等が懸念される場合には、図１に示す保護層５を形成することが有利である。

色変換層２０に含まれる色変換色素は有機物であるため、水分・酸素の浸入により、消光または分解という問題が生じる。また、色変換層２０中に、画素欠陥をもたらすごみ、即ちパーティクルが存在すると、当該ディスプレイの使用時に、電流が常に流れる状態、即ちリークを引き起こすおそれがある。このため、本発明の色変換層２０のパターニングは、水分・酸素の浸入、およびパーティクルの存在を回避すべく、真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で行うことが好ましい。色変換層２０を形成した後、引き続いてパターニングを行うチャンバーまで積層体を真空状態で搬送すると、色変換層２０に対する水分・酸素・パーティクルの影響が特に少ないことから、真空中でパターニングを行うことがさらに好ましい。ただし、色変換層２０が、水分・酸素に強く、かつ、何らかのパーティクル対策がなされている場合には、パターニングを行う空気中で行ってもよい。なお、本発明において、真空の圧力は１０^−３Ｐａ以下とすることが好ましい。

第３に、図１（ｆ）に示すように、積層体を冷却するとともに、積層体からモールド８０を除去し、パターニングされた色変換層（本例では赤色変換層２０Ｒ）を得る。

ここで、モールド８０を色変換層２０から引き上げる際に、モールド８０によって形成された色変換層２０のパターン部が一緒に剥離しないようにすることが肝要である。このため、モールド８０の表面には、色変換層２０とモールド８０との密着性を低下させるための、フッ素コートを施すことが好ましい。

以上に示す一連の赤色変換層２０Ｒのパターニングの後に、青色・緑色カラーフィルタ層３０（Ｂ，Ｇ）に対応する位置（すなわち、青色・緑色サブピクセル）に色変換層２０が残存してしまった場合には、必要に応じて残存した色変換層２０を除去することが望ましい。これは、青色・緑色サブピクセルの位置に色変換層２０が残存した場合に、青色・緑色サブピクセルの輝度が低下するからである。残存した色変換層２０の除去には、酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理、またはドライエッチングなどのソフトエッチングを用いることができる。特に、酸素プラズマ処理を用いることが、有機物を効果的に除去するの点で好ましい。この除去工程を実施する場合には、赤色変換層２０Ｒが損傷するおそれがあるため、図１（ｃ）に示す色変換層２０の成形工程において、必要な膜厚よりも厚い色変換層２０を形成しておくことが望ましい。なお、赤色変換層２０Ｒが青色・緑色のサブピクセルの位置に残存しても青色等の表示性能に問題が発生しない場合には、残存した色変換層の除去を省略することができる。

（バリア層４の形成工程）
図１（ｇ）は、図１（ｆ）で示す積層体の、平坦化層６、保護層５および赤色変換層２０Ｒを包み込むように、バリア層４を形成する工程を示す積層体の断面図である。

バリア層４は、外部から色変換層（同図に示す場合においては、赤色変換層２０Ｒ）に、水分および／または酸素が侵入することを防止するために形成される層である。これは、色変換色素は有機物であるため、水分・酸素に弱いためである。

ここで、バリア層４の形成目的は、赤色変換層２０Ｒの保護であるが、図１（ｇ）に示す例では、赤色変換層２０Ｒのみならず、平坦化層６および保護層５をも保護することとなる。なお、この構造は、カラーフィルタ基板からの水分を出さないためにも必要なため、後述する有機ＥＬ層３の保護にも有効である。

バリア層４に適用可能な材料としては、電気絶縁性を有し、かつ、ガスおよび有機溶剤に対するバリア性を有する、可視域での透明性が高い材料（４００〜７００ｎｍの範囲での透過率が５０％以上）を用いることができる。また、バリア層４上に形成される、後述の透明電極２等の形成に耐え得る硬度である、好ましくは２Ｈ以上の膜硬度（鉛筆硬度）を有する材料を用いることが好ましい。なお、この膜硬度（鉛筆硬度）は、保護層５の欄で記載したものと同様に、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に準拠したものである。具体的なバリア層４としては、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、または無機窒化物等を使用することができる。

バリア層４の形成方法としては、特に制約はなく、スパッタ法、ＣＶＤ法、または真空蒸着法等を使用することができる。また、バリア層４は、単層とすることま勿論、複数の層からなる積層体とすることもできる。

（有機ＥＬ素子の形成工程）
図１（ｈ）〜（ｊ）は、図１（ｇ）で示す積層体の最上層であるバリア層４上に、有機ＥＬ素子（図１においては、透明電極２、有機ＥＬ層３、および反射電極１からなる）を形成する工程を示す積層体の断面図である。

第１に、図１（ｈ）に示すように、バリア層４の上面に透明電極２を形成する。透明電極２に適用可能な材料としては、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物にＦもしくはＳｂなどのドーパントを添加した導電性透明金属酸化物を用いることができる。また、透明電極２は、蒸着法、スパッタ法または化学気相堆積（ＣＶＤ）法を用いて形成した後に、フォトリソグラフ法等を用いてパターニングすることにより得ることができる。このような形成法の中でも、特にスパッタ法を用いることが、一般的であり好ましい。

透明電極２は、陽極、陰極のいずれとすることもできる。透明電極２を陰極として使用する場合には、透明電極２と有機ＥＬ層３との間に図示しない陰極バッファ層を形成し、有機ＥＬ層３に対する電子注入効率を向上させることが好ましい。陰極バッファ層に適用可能な材料としては、Ｌｉ、Ｎａ、ＫもしくはＣｓなどのアルカリ金属、ＢａもしくはＳｒなどのアルカリ土類金属、これらを含む合金、希土類金属、またはこれら金属のフッ化物などを用いることができる。陰極バッファ層の膜厚は、透明性を確保する観点から、１０ｎｍ以下とすることが好ましい。これに対し、透明電極２を陽極として使用する場合には、透明電極２と有機ＥＬ層３との間に、導電性透明金属酸化物の層を設けて有機ＥＬ層３に対する正孔注入効率を向上させることが好ましい。導電性透明金属酸化物として適用可能な材料としては、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物にＦもしくはＳｂなどのドーパントを添加した材料を用いることができる。

第２に、図１（ｉ）に示すように、透明電極２の上面に有機ＥＬ層３を形成する。有機ＥＬ層３は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的な有機ＥＬ素子の層構造としては、下記の構造を採用することができる。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
なお、上記（１）〜（７）の層構造中、陽極および陰極は、透明電極２および反射電極１のいずれかである。

有機ＥＬ層３を構成する各層の材料としては、公知のものを使用することができる。また、有機ＥＬ層３を構成する各層は、蒸着法などの当該技術において公知の任意の方法を用いて形成することができる。

図１に示すような赤色変換層２０Ｒを用いる場合には、有機ＥＬ層３が青色から青緑色の発光を実現することが肝要である。青色から青緑色の発光を得るための有機発光層に適用可能な材料としては、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、もしくはベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、または芳香族ジメチリディン系化合物などを用いることが好ましい。また、図１に示す例においては、有機発光層の発光は、必要に応じて白色光とすることもできるが、この場合には、公知の赤色ドーパントを使用することが肝要である。

これに対し、図１には示していないが、色変換層として緑色変換層を使用する場合には、有機発光層の発光を青色から赤色の発光とすることが肝要である。

第３に、図１（ｊ）に示すように、有機ＥＬ層３の上面に反射電極１を形成し、パッシブマトリクス駆動のボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイを得る。

反射電極１に適用可能な材料としては、高反射率の金属、高反射率のアモルファス合金、または高反射率の微結晶性合金を用いることが好ましい。高反射率の金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、またはＣｒが挙げられる。高反射率のアモルファス合金としては、例えば、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰまたはＣｒＢが挙げられる。高反射率の微結晶性合金としては、例えば、ＮｉＡｌが挙げられる。

反射電極１は、陰極、陽極のいずれとすることもできる。反射電極１を陰極として使用する場合には、反射電極１と有機ＥＬ層３との間に図示しない陰極バッファ層を形成し、有機ＥＬ層３に対する電子注入効率を向上させることが好ましい。あるいはまた、上述の高反射率特性を有する、金属、アモルファス合金または微結晶性合金に対して仕事関数が小さい材料、即ちリチウム、ナトリウムもしくはカリウム等のアルカリ金属、またはカルシウム、マグネシウムもしくはストロンチウムなどのアルカリ土類金属を添加して合金化し、電子注入効率を向上させることも好ましい。これに対し、反射電極１を陽極として使用する場合には、反射電極１と有機ＥＬ層３との間に、導電性透明金属酸化物の層を設けて有機ＥＬ層３に対する正孔注入効率を向上させることが好ましい。導電性透明金属酸化物として適用可能な材料としては、ＩＴＯ、酸化スズ、酸化インジウム、ＩＺＯ、酸化亜鉛、亜鉛−アルミニウム酸化物、亜鉛−ガリウム酸化物、またはこれらの酸化物にＦもしくはＳｂなどのドーパントを添加した材料を用いることができる。

反射電極１の形成方法としては、用いる材料に依存して、真空蒸着、スパッタ、イオンプレーティング、またはレーザーアブレーションなどの当該技術分野において公知の任意の手段を用いることができる。なお、図１に示す例とは異なり、複数の部分電極からなる反射電極１が必要となる場合には、所望の形状を付与するマスクを用いて複数の部分電極からなる反射電極１を形成することもできる。

図１に示す例において用いられる有機ＥＬ素子は、透明電極２、有機ＥＬ層３および反射電極１によって構成されるが、この構成における有機ＥＬ素子は、独立して制御される複数の発光部を有してもよい。例えば、反射電極１および透明電極２の両方を、複数のストライプ状の部分電極として形成し、反射電極１の構成要素である部分電極の延在方向と透明電極２の構成要素である部分電極の延在方向とを交差させてもよい。このような構造の素子は、独立した複数の発光部を有する、パッシブマトリクス駆動の有機ＥＬ素子である。パッシブマトリクス駆動の有機ＥＬ素子における、両電極の上記交差態様は、直交させることが好ましい。

以上は、図１（ｊ）に示すパッシブマトリクス駆動のボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイの製造方法である。本発明は、このように、ボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイおよびこれに使用する色変換層２０のパターニング方法に限定されない。即ち、本発明はトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイを作製する際にも適用可能である。図４に、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイの構成例を示す。

図４は、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法により得られた、パッシブマトリクス駆動のトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイを示す断面図である。この有機ＥＬディスプレイは、以下の製造工程を順次行なうことで得られる。

第１に、図１（ａ）〜（ｇ）に示す工程に従い、基板１０に、ブラックマトリクス４０、カラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）、平坦化層６、赤色変換層２０Ｒおよびバリア層４０が形成された色変換フィルタを作製する。なお、図１に示す保護層５は任意選択的に形成すればよいため、図４に示す例では省略してある。

第２に、基板１０とは別個に用意したデバイス基板１１上に、反射電極１、有機ＥＬ層３および透明電極２をこの順に形成したトップエミッション型有機ＥＬ素子を作製する。デバイス基板１１は、透明基板１０と同様の材料に加えて、トップエミッション型であるため、シリコンおよびセラミックなどの不透明な材料とすることができる。この有機ＥＬ素子においては、図４に示すように、バリア層１４を形成することもできる。なお、バリア層１４の材料および形成方法は、バリア層４と同じものを用いることができる。また、バリア層１４は、単層であっても複層であってもよい。

第３に、バリア層４と透明電極２（存在する場合にはバリア層１４）とが対向するように、色変換フィルタとトップエミッション型有機ＥＬ素子とを貼り合わせることによって、図４に示すようなトップエミッション型有機ＥＬディスプレイを得る。反射電極１、有機ＥＬ層３、および透明電極２は、ボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイの製造方法の欄で説明した方法を用いて形成することができる。色変換フィルタとトップエミッション型有機ＥＬ素子との接着は、基板１０，１１の周縁部に設けた接着層５０を用いて行なうことができる。接着層５０は、例えば、ＵＶ硬化接着剤とすることができる。

以上は、パッシブマトリクス駆動の、ボトムエミッション型およびトップエミッション型の有機ＥＬディディスプレイの製造方法であるが、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、パッシブマトリクス駆動ディスプレイに関する方法に限定されない。即ち、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、アクティブマトリクス駆動のディスプレイに関する方法も含む。

アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬディスプレイ（トップエミッション型）を形成する手順は、以下のとおりである。即ち、図４において、まず、デバイス基板１１上に複数のスイッチング素子を形成するとともに、反射電極１を発光部の画素またはサブピクセルに対応する複数の部分電極として形成し、対応するスイッチング素子と部分電極とを１対１に接続する。次いで、反射電極１上に有機ＥＬ層３を形成し、さらに透明電極２を一体型の共通電極として形成することによって、アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬディスプレイを得る。

以下に、本発明の実施例を説明し、本発明の効果を実証する。
（実施例１）
図１に示す各工程に従い、実施例１の多色発光有機ＥＬディスプレイを作製した。なお、以下に示す各層の符号は、図１に示す符号である。
（１）カラーフィルタ層３０、ブラックマトリクス４０の形成
透明基板１０（１７３７ガラス（コーニング社製））上に、ブラックマトリクス用材料（ＣＫ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）、赤色カラーフィルタ層用材料（ＣＲ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）、緑色カラーフィルタ層用材料（ＣＧ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）、および青色カラーフィルタ層用材料（ＣＢ−７００１：富士フィルムＡＲＣＨ製）を用いて、フォトリソグラフ法にてブラックマトリクス４０およびカラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を形成した。各層の膜厚はそれぞれ１μｍとした。

作製したカラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のサブピクセル寸法は、縦×横が１００μｍ×３０μｍとし、サブピクセル間のギャップは縦方向１０μｍ、横方向５μｍとした。サブピクセル３個（Ｒ，Ｇ，Ｂ）で１画素であり、縦方向に５０画素、横方向に５０画素を配列させた。ここで、横方向とは、図１の紙面左右方向であり、縦方向とは、紙面垂直方向である。

（２）平坦化層６の形成
カラーフィルタ層３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を覆うように、新日鐵化学製Ｖ２５９ＰＡＰ５を塗布後、硬化させて、平坦化層６を形成した。平坦化層６の膜厚は２μｍとした。

（３）保護層５の形成
平坦化層６上に、スパッタ法にて、膜厚２００ｎｍのＩＺＯ膜からなる保護層５を形成した。スパッタ装置にはＲＦ−ブレーナマグネトロンを用い、ターゲットにはＩＺＯを用いた。製膜時のスパッタガスにはＡｒを用いた。形成時の基板温度は８０℃とした。

（４）色変換層２０の形成
保護層５上に、抵抗加熱蒸着装置で、Ａｌｑ_３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）およびＤＣＭ−２からなる色変換層２０を作製した。具体的には、Ａｌｑ_３およびＤＣＭ−２を蒸着装置内の別個の坩堝にて加熱する共蒸着によって、膜厚４００ｎｍの色変換層２０を作製した。この際に、Ａｌｑ_３の蒸着速度を０．３ｎｍ／ｓ、ＤＣＭ−２の蒸着速度を０．００５ｎｍ／ｓとなるように、それぞれの坩堝の加熱温度を制御した。実施例１の色変換層２０は、その総構成分子数を基準として、２モル％のＤＣＭ−２を含む層であり、即ちＡｌｑ_３とＤＣＭ−２とのモル比は４９：１であった。

（５）赤色変換層２０Ｒのパターニング
色変換層２０が形成された積層体を、引き続き、真空中にて、スリット装置に搬送し、真空中で本発明のパターニングを実施した。幅方向３０μｍ、横方向７５μｍのギャップで配列されたパターンを有するスリット形状のモールド８０を用意した。モールド８０は、ステンレス鋼製であって、その寸法は、幅１０ｍｍ、長さ０．２ｍｍ、および高さ１０ｍｍであった。パターン形状の寸法は、凹部３０μｍ、凸部７５μｍ、および深さ１０００μｍであった。モールド８０を、３００℃に加熱し、３０ｋｇｆ／ｃｍ^２（２．９４ＭＰａ（ゲージ圧））の圧力で押し付けるとともに、モールドの長さ方向に速度１ｍｍ／ｓで移動させて、色変換層２０をパターニングし、モールド８４を加圧したままの状態で、温度を室温まで下げて冷却した。続いて、酸素プラズマ処理を２０秒間行い、幅３０μｍ、横方向７５μｍのギャップで配列された微細パターン（ストライプパターン）を有する赤色変換層２０Ｒを得た。

（６）バリア層４の形成
真空を破ることなく、赤色変換層２０Ｒをパターン形成した積層体を、プラズマＣＶＤ装置に移動させた。次いで、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ_４）、アンモニア（ＮＨ_３）および窒素（Ｎ_２）を用い、プラズマＣＶＤ法を使用して赤色変換層２０Ｒ以下の層を覆うように厚さ３μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）を形成し、バリア層４を得た。ここで、ＳｉＮ形成時の基板温度は１００℃以下とした。

（７）有機ＥＬディスプレイの形成
バリア層４の上面に、透明電極２／有機ＥＬ層３（正孔輸送層／有機発光層／電子注入輸送層）／反射電極１を順次形成し、有機ＥＬ素子を形成した。

具体的には、まず、バリア層４の上面にスパッタ法にてＩＴＯを全面形成した。次いで、ＩＴＯ上にレジスト剤（ＯＦＲＰ−８００：東京応化工業株式会社製）を塗布した後、フォトリソグラフ法にてパターニングを行った。これにより、それぞれの色の発光部（赤色、緑色、および青色）に位置する、幅３０μｍ、膜厚２００ｎｍの縦方向に延在する複数のストライプパターンをギャップ５μｍで配列した透明電極２を得た。

次に、透明電極２を形成した積層体を抵抗加熱蒸着装置内に移し、正孔輸送層、有機発光層、および電子注入輸送層を、真空を破らずに順次形成した。これらの層の形成に際して、抵抗加熱蒸着装置の真空槽内圧を１×１０^−４Ｐａまで減圧した。正孔輸送層として、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を５０ｎｍ形成した。有機発光層として、Ａｌｑ_３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）：ＤＣＪＴＢ（０．５％）を３０ｎｍ形成した。電子注入輸送層として、Ａｌｑ_３（トリス８−キノリノラトアルミニウム錯体）を２０ｎｍ形成した。

さらに、真空を破ることなしに、横方向に延在し、１０μｍのギャップで配列された１００μｍのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層を反射電極１として形成し、有機ＥＬディスプレイを得た。

（８）有機ＥＬディスプレイの封止
グローブボックス内の乾燥窒素雰囲気（Ｏ_２濃度およびＨ_２Ｏ濃度がともに１０ｐｐｍ以下の雰囲気）下において、上記有機ＥＬディスプレイを、図示しない封止ガラスとＵＶ硬化接着剤からなる接着層とを用いて封止した。

（高精細度パターンに関する評価）
本発明の範囲内である実施例１の有機ＥＬディスプレイにおいては、メタルマスクを用いた際に、従来限界であると考えられてきた、４０μｍ幅より小さな幅、具体的には、３０μｍの幅のパターン形状を有する、赤色変換層２０Ｒを得、これを有機ＥＬディスプレイに適用することができることが実証された。即ち、これは、実施例１の有機ＥＬディスプレイが２００ｐｐｉ以上のピクセル密度を有することを意味する。これにより、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法によれば、高精細度パターンの実現が可能であることが実証された。

本発明によれば、色変換層の製造方法に着眼し、特に、１５０ｐｐｉを超える高精細度のパターン形成が可能な、色変換層のパターニング方法を提供することができる。従って、本発明は、近年、益々高精細度な表示装置の開発が要請されている各種ディスプレイの製造に適用可能な点で有望である。

本発明のボトムエミッション型のディスプレイ製造方法における、各工程を準じ示す、積層体の断面図であり、（ａ）は色変換層２０を形成するための下地層群の準備工程を示し、（ｂ）は平坦化層６上に保護層５を形成する工程を示し、（ｃ）は保護層５上に色変換層２０を全面形成する工程を示し、（ｄ）〜（ｆ）は色変換層２０のパターニング工程を示し、（ｇ）は平坦化層６、保護層５および赤色変換層２０Ｒを包み込むように、バリア層４を形成する工程を示し、（ｈ）〜（ｊ）はバリア層４上に有機ＥＬ素子を形成する工程を示す。 図１（ｅ）に示す積層体を、その側面側から示す図である。 本発明の色変換層のパターニング方法において使用するモールドを示す断面図である。 本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法により得られた、パッシブマトリクス駆動のボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイを示す断面図である。

符号の説明

１ 反射電極
２ 透明電極
３ 有機ＥＬ層
４ バリア層
５ 保護層
６ 平坦化層
１０ 透明基板
１１ デバイス基板
１４ バリア層
２０ 色変換層
２０Ｒ 赤色変換層
３０Ｒ 赤色カラーフィルタ層
３０Ｇ 緑色カラーフィルタ層
３０Ｂ 青色カラーフィルタ層
４０ ブラックマトリクス
５０ 接着層
８０、８２ モールド

Claims (12)

1. ある波長の光を吸収し、吸収した波長と異なる波長を含む光を出力する色変換層をパターニングする方法であって、
   （１）支持体上に前記色変換層を形成する工程、および
   （２）微細パターンが形成されたモールドを加熱し、前記モールドを部分的に前記色変換層に接触させることによって、前記色変換層の一部を蒸発させ、前記モールドの微細パターン形状を前記色変換層に転写する工程
   を備えることを特徴とする色変換層のパターニング方法。
2. 前記モールドが、ロール形状またはスリット形状であることを特徴とする、請求項１に記載の色変換層のパターニング方法。
3. 前記モールドの加熱温度が、色変換層の構成材料の蒸発温度以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の色変換層のパターニング方法。
4. 前記モールドの加熱温度が、色変換層の構成材料の分解温度未満であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の色変換層のパターニング方法。
5. 前記工程（１）および（２）を一貫して真空中または不活性ガス雰囲気中で行なうことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の色変換層のパターニング方法。
6. 前記真空の圧力が、１０^−３Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項５に記載の色変換層のパターニング方法。
7. Ｏ_２濃度およびＨ_２Ｏ濃度が、ともに１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする、請求項５または６に記載の色変換層のパターニング方法。
8. （ｉ）支持体上面にそれぞれ異なる波長域の光を透過する、少なくとも２種類のカラーフィルタ層を独立して形成する工程、
   （ｉｉ）前記カラーフィルタ層の上面に平坦化層を形成する工程、
   （ｉｉｉ）前記平坦化層の上面に、真空蒸着法によって、ある波長の光を吸収し、吸収した波長と異なる波長を含む光を出力する色変換層を形成する工程、
   （ｉｖ）微細パターンが形成されたモールドを加熱し、前記モールドを部分的に前記色変換層に接触させることによって前記色変換層の一部を蒸発させ、前記モールドの微細パターンの形状を前記色変換層に転写することによって、前記色変換層をパターニングする工程、
   （ｖ）パターニングされた色変換層の上面にバリア層を形成する工程、および
   （ｖｉ）前記バリア層の上面に有機ＥＬ素子を形成する工程
   を含むことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
9. 前記工程（ｉｉ）と前記工程（ｉｉｉ）との間に、保護層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
10. 前記工程（ｉｖ）において、前記モールドの加熱温度が、色変換層の構成材料の蒸発温度以上であることを特徴とする、請求項８または９に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
11. 前記工程（ｉｖ）において、前記モールドの加熱温度が、色変換層の構成材料の分解温度未満であることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
12. 前記工程（ｉｖ）を、一貫して真空中または不活性ガス雰囲気中で行なうことを特徴とする、請求項８〜１１のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。

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