JP2009259644A - 有機ｅｌデバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁膜と分離隔壁との接着力の低下、およびそれらの界面に発生する応力による故障などの問題点がないパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬデバイスおよびその製造方法の提供。
【解決手段】支持体と；第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極と；第１および第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる格子形状を有し、Ｓｉを含む無機材料で形成される第１絶縁分離壁と；少なくとも第１絶縁分離壁の第２ストライプ状部分の上に形成され、５〜４０ｎｍの膜厚を有するＳｉの薄膜からなる中間層と；第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなり、有機材料で形成される第２絶縁分離壁と；有機ＥＬ層と；第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極を含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬデバイスおよびその製造方法に関する。特に、本発明は、パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬデバイスおよびその製造方法に関する。

パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬデバイスにおいて電極パターニングを行う場合、一般的には、最初に、支持体上に第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極を形成する。第１電極の形成は、支持体全面にわたる第１電極用材料の膜を堆積させ、その後にフォトリソグラフ法などを用いてパターニングを行うことによって実施することができる。その後に第１電極間隙に位置する複数のストライプ状部分と、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる絶縁膜を形成する。ここで、第２の方向は第１の方向と交差する方向、好ましくは第１の方向と直交する方向である。絶縁膜は、第１電極の複数のストライプ状部分電極間の短絡を防止するために有用な層である。続いて、絶縁膜の第２の方向に延びるストライプ状部分の上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる分離隔壁を形成する。分離隔壁は、逆テーパ形状など底部の幅より頂部の幅が大きい断面形状を有する。分離隔壁を形成した後に有機ＥＬ層および第２電極を形成し、分離隔壁によって第２電極を第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極に分割することによって、パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬデバイスが得られる（たとえば、特許文献１参照）。

特許第３７０７２９０号公報

ここで絶縁膜に有機材料を用いた場合、第１電極上に有機物残渣が残留し、第１電極／有機ＥＬ層間の導通不良部位が形成されるおそれがある。加えて、絶縁膜または第１電極上の有機物残渣からのアウトガスによる有機ＥＬ層材料が劣化するおそれがある。その結果、有機ＥＬデバイスの寿命が低下することが懸念される。

また、分離隔壁は１０μｍ程度の膜厚が必要であり、製造上の観点から有機材料を用いて分離隔壁を形成することが望ましい。しかしながら、絶縁膜に無機材料を用いた場合、無機材料の絶縁膜と有機材料の分離隔壁との界面での接着力が弱くなり、以降の製造プロセスにおいて絶縁膜と分離隔壁との界面での剥離が発生するおそれがある。この剥離現象は、パターンの微細化に伴う絶縁膜および分離隔壁の線幅減少によって助長される。

さらに、製造プロセス終了後、すなわち製品完成後においても、支持体が可撓性の場合、支持体の変形などにより、絶縁膜と分離隔壁との界面に応力が発生して、接着が維持できなくなり、有機ＥＬデバイス内部での破断・剥離が発生するおそれがある。

したがって、本発明の課題は、上記の問題点の発生することのないパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を提供することである。

本発明の有機ＥＬデバイスは、支持体と；支持体上に形成され第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極と；第１電極のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、第２の方向に延びる第２ストライプ状部分とからなる格子形状を有し、Ｓｉを含む無機材料で形成される第１絶縁分離壁と；少なくとも第１絶縁分離壁の第２ストライプ状部分の上に形成され、５〜４０ｎｍの膜厚を有するＳｉの薄膜からなる中間層と；中間層の上に形成され、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなり、有機材料で形成される第２絶縁分離壁と；第１電極上に形成される有機ＥＬ層と；有機ＥＬ層上に形成され、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極とを含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする。ここで、前記中間層は、前記第１絶縁分離壁の上面全体に形成されていてもよい。また、前記中間層は、５ｍΩ・ｃｍ以上の抵抗率を有することが望ましい。さらに、前記支持体は、１種または複数種の色変換フィルタ層を含んでもよい。

本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、（１）支持体上に、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極を形成する工程と；（２）Ｓｉを含む無機材料を用いて、第１電極のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、第２の方向に延びる第２ストライプ状部分とからなる格子形状を有する第１絶縁分離壁を形成する工程と；（３）Ｓｉを用いて、第１絶縁分離壁の少なくとも第２ストライプ状部分の上に５〜４０ｎｍの膜厚を有する中間層を形成する工程と；（４）有機材料を用いて、中間層の上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる第２絶縁分離壁を形成する工程と；（５）第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と；（６）有機ＥＬ層上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極を形成する工程とを含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする。

あるいはまた、本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、（１）支持体上に、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極を形成する工程と；（２Ａ）Ｓｉを含む無機材料の膜を堆積させる工程と；（２Ｂ）５〜４０ｎｍの膜厚を有するＳｉ膜を堆積させる工程と；（２Ｃ）前記無機材料の膜およびＳｉ膜を同時にパターニングして第１絶縁分離壁および中間層を形成する工程であって、第１絶縁分離壁は第１電極のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、第２の方向に延びる第２ストライプ状部分とからなる格子形状を有する前記無機材料の膜から構成され、および、中間層は、少なくとも第１絶縁分離壁の第２ストライプ状部分の上に位置する前記Ｓｉ膜から構成される工程と；（４）有機材料を用いて、中間層の上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる第２絶縁分離壁を形成する工程と；（５）第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と；（６）有機ＥＬ層上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極を形成する工程とを含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする。ここで、工程（２Ｃ）をドライエッチング法によって実施してもよい。

以上のような構成をとり、第１絶縁分離壁と第２絶縁分離壁との間に中間層を形成することによって、第１絶縁分離壁／中間層／第２絶縁分離壁の構造の密着力を高めて、以降の製造プロセスおよび完成後の応力に耐えることができる有機ＥＬデバイスを提供することが可能となる。また、中間層の膜厚を小さくすることによって、第１絶縁分離壁と中間層とを同時にパターニングすることが可能となり、製造工程を短縮することが可能となる。

図１に本発明の有機ＥＬデバイスの第１の例を示す。図１（ａ）は有機ＥＬデバイスの上面図であり、図１（ｂ）は切断腺Ｉｂ−Ｉｂに沿った画素部領域の横方向断面図であり、図１（ｃ）は切断腺Ｉｃ−Ｉｃに沿った画素間領域の縦方向断面図であり、図１（ｄ）は切断腺Ｉｄ−Ｉｄに沿った画素部領域の縦方向断面図である。図１の有機ＥＬデバイスにおいては、支持体１０の上に、第１電極２０、第１絶縁分離壁３１、中間層３２、第２絶縁分離壁３３、有機ＥＬ層４０および第２電極５０が積層されており、中間層３２が第１絶縁分離壁３１の上面全体に形成されている。図２に本発明の有機ＥＬデバイスの第１の例を示す。図２（ａ）は有機ＥＬデバイスの上面図であり、図２（ｂ）は切断腺IIｂ−IIｂに沿った画素部領域の横方向断面図であり、図２（ｃ）は切断腺IIｃ−IIｃに沿った画素間領域の縦方向断面図であり、図２（ｄ）は切断腺IIｄ−IIｄに沿った画素部領域の縦方向断面図である。図２の有機ＥＬデバイスは、中間層３２が第１絶縁分離壁３１の上面の一部のみに形成されている点で、図１の有機ＥＬデバイスと相違する。なお、図１および図２においては、簡潔性のために第２絶縁分離壁３３の上面に形成される有機ＥＬ層材料および第２電極材料の層を省略した。

本発明における支持体１０は、透明基板であってもよい。あるいはまた、支持体１０は、透明基板上に、任意選択的にブラックマトリクス、色変換フィルタ層、平坦化層および／またはパッシベーション層を積層した積層体であってもよい。

透明基板は、光透過性に富み、かつ後述する有機ＥＬデバイスの各構成層の形成に用いられる条件（溶媒、温度等）に耐える材料を用いて形成される。さらに寸法安定性に優れた材料を用いることが好ましい。透明基板の材料の例は、ガラス、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂およびポリイミド樹脂を含む。透明基板は、前述の樹脂から形成される可撓性フィルムであってもよい。

任意選択的に設けてもよいブラックマトリクス２０は、可視光を遮断して、コントラストを向上させるための層である。ブラックマトリクス２０は、市販のフラットパネルディスプレイ用の材料を用いて形成することができる。ブラックマトリクスの２０の膜厚は、前述の機能を満たす限りにおいて、任意に設定することができる。

任意選択的に設けてもよい色変換フィルタ層は、有機ＥＬデバイスによる多色表示を可能にするための層である。本発明における「色変換フィルタ層」は、カラーフィルタ層、色変換層、およびカラーフィルタ層と色変換層との積層体の総称である。フルカラー表示が可能な有機ＥＬデバイスを形成するためには、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の色変換フィルタ層が設けられる。色変換フィルタ層は、スピンコート法、ロールコート法、ディップコート法などの塗布法を用いて材料を塗布し、フォトリソグラフ法などを用いてパターニングを実施することによって形成することができる。あるいはまた、スクリーン印刷などの印刷法を用いてパターン状の色変換フィルタ層を形成してもよい。

カラーフィルタ層は、可視光の特定波長域を透過させ、透過光を所望の色相とし、および透過光の色純度を向上させるための層である。カラーフィルタ層３０は、フラットパネルディスプレイ用の市販の材料を用いて形成することができる。近年では、フォトレジスト中に顔料を分散させた、顔料分散型材料がよく用いられている。前述の３種の色変換フィルタ層を設ける場合、４００ｎｍ〜５５０ｎｍの波長域の光を透過する青色カラーフィルタ層、５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域の光を透過する緑色カラーフィルタ層、および６００ｎｍ以上の波長域の光を透過する赤色カラーフィルタ層を用いることができる。

色変換層は、後述する有機ＥＬ層４０から発せられる近紫外域ないし可視領域の光、特に青色〜青緑色の光を吸収して、異なる波長の光を放射する層である。色変換層は、少なくとも１種の色変換色素と、マトリクス樹脂とを含む。

本発明において用いることができる色変換色素は、Ａｌｑ₃（トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体）などのアルミキレート系色素；３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２−ベンゾイミダゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、クマリン１３５などのクマリン系色素；ソルベントイエロー４３、ソルベントイエロー４４のようなナフタルイミド系色素のような、低分子系有機蛍光色素を含む。あるいはまた、ポリフェニレン、ポリアリーレンおよびポリフルオレンに代表される高分子蛍光材料を、色変換色素として用いてもよい。必要に応じて、２種以上の色素混合物を色変換色素として用いることもできる。色素混合物は、前述の色素同士の混合物であってもよい。あるいはまた、前述の色素と、下記の色素との混合物であってもよい。
（１） ジエチルキナクリドン（ＤＥＱ）などのキナクリドン誘導体；
（２） ４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ−１）、ＤＣＭ−２、およびＤＣＪＴＢなどのシアニン色素；
（３） ４，４−ジフルオロ−１，３，５，７−テトラフェニル−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−インダセン；
（４） ルモゲンＦレッド；
（５） ナイルレッド；
（６） ローダミンＢ、ローダミン６Ｇなどのキサンテン系色素；および
（７） ピリジン１などのピリジン系色素

マトリクス樹脂は、光硬化性樹脂または光熱併用硬化性樹脂の硬化物、熱硬化性樹脂の硬化物、または熱可塑性樹脂を含む。用いることができる光硬化性樹脂または光熱併用硬化性樹脂は、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物、（２）ボリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物、（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物、および（４）エポキシ基を有するモノマーと酸発生剤とからなる組成物などを含む。用いることができる熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ビニルエステル樹脂、イミド系樹脂、ウレタン系樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂などを含む。用いることができる熱可塑性樹脂は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルサルホン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ノルボルネン系樹脂、メタクリル樹脂、イソブチレン無水マレイン酸共重合樹脂、環状オレフィン系樹脂などを含む。あるいはまた、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート等と３官能性、あるいは４官能性のアルコキシシランを含むポリマーハイブリッドなどをマトリクス樹脂として用いてもよい。

任意選択的に設けてもよい平坦化層は、ブラックマトリクスおよび／または色変換フィルタ層により形成される段差を補償して、平坦な上面を与えるための層である。また、有機ＥＬ層４０からの発光を平坦化層を通して外部に取り出す場合には、平坦化層は、発光波長領域において優れた透明性（３００〜８００ｎｍの範囲において５０％以上の透過率）を有することが望ましい。また、平坦化層は、電気絶縁性、ならびに、水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有することが望ましい。平坦化層は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂または光熱併用硬化性樹脂を用いて形成することができる。用いることができる熱可塑性樹脂は、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリビニルアルコール及びその誘導体、ポリフェニレンエーテル、ノルボルネン系樹脂、イソブチレン無水マレイン酸共重合樹脂、および環状オレフィン系樹脂を含む。用いることができる熱硬化性樹脂は、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、およびベンゾグアナミン樹脂を含む。用いることができる光硬化性樹脂または光熱併用硬化性樹脂は、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマーと、光または熱重合開始剤とからなる組成物、（２）ボリビニル桂皮酸エステルと増感剤とからなる組成物、（３）鎖状または環状オレフィンとビスアジドとからなる組成物、および（４）エポキシ基を有するモノマーと酸発生剤とからなる組成物などを含む。を含む。平坦化層は、スピンコート法、ロールコート法、ディップコート法などの塗布法を用いて前述の材料を塗布することによって形成することができる。なお、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を用いて平坦化層を形成する場合、塗布の後にそれら樹脂の硬化を行うことが望ましい。

任意選択的に設けてもよいパッシベーション層は、カラーフィルタ層、色変換層および／または平坦化層から放出されるアウトガスおよび水分から有機ＥＬ層４０を保護するために有用である。パッシベーション層は、アウトガスおよび水分に対するバリア性を有する材料を用いて形成される。また、有機ＥＬ層４０からの発光を効率よく透過させるため、パッシベーション層は、有機ＥＬ層４０の発光波長領域において透明であること（たとえば、３００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）であることが望ましい。パッシベーション層を形成するのに好適な材料は、ＳｉＮ_xまたはＡｌＮ_xのような無機窒化物、あるいはＳｉＯ_xＮ_yのような無機酸化窒化物を含む。パッシベーション層は、その下に形成される平坦化層などを覆うように形成され、好ましくは０．１〜５μｍ、より好ましくは０．２〜３μｍの膜厚を有する。パッシベーション層は、前述の材料の単一の層であってもよく、複数の層の積層体であってもよい。パッシベーション層の形成は、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いて実施することができる。

次に、支持体１０の上に第１電極２０を形成する。第１電極２０は、第１の方向（図１においては縦方向）に延びる複数のストライプ形状の部分電極で構成される。第１電極２０は、透明電極であっても反射電極であってもよい。また、第１電極２０は陽極または陰極のいずれであってもよい。支持体１０が色変換フィルタ層を含む場合、第１電極２０は透明電極である。

透明電極は、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）、ＩＷＯ（インジウム−タングステン酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌドープ亜鉛酸化物）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ：transparent conductive oxide）、あるいはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）などの高導電性高分子材料を用いて形成することができる。一方、反射電極は、高反射率の金属、アモルファス合金または微結晶性合金を用いて形成することができる。用いることができる高反射率の金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。用いることができる高反射率のアモルファス合金は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、ＣｒＢなどを含む。用いることができる高反射率の微結晶性合金は、ＮｉＡｌ、Ａｇ合金などを含む。あるいはまた、反射電極は、前述の高反射性材料とＴＣＯ材料の積層体であってもよい。

ＴＣＯ材料、高反射率の金属、アモルファス合金、または微結晶性合金を用いて第１電極２０を形成する場合、蒸着、スパッタなどの当該技術において知られている任意の方法を用いて支持体１０の全面に前述の材料の薄膜を形成し、フォトリソグラフ法などを用いてパターニングすることによって、第１電極２０を形成することができる。あるいはまた、所定の形状を与える開口部を有するマスクを用いて、前述の材料をパターン状に堆積させて、第１電極２０を形成してもよい。一方、高導電性高分子材料を用いて第１電極２０を形成する場合には、スピンコートのような塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷のような印刷法などの当該技術で知られている任意の方法を用いることができる。

次に、第１絶縁分離壁３１を形成する。第１絶縁分離壁３１は、（ａ）第１電極２０を構成する複数のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、（ｂ）第２の方向に延びる複数の第２ストライプ状部分とからなる格子状の形状を有する。ここで、第２の方向は、第１の方向と交差する方向であり、好ましくは第１の方向と直交する方向である。第１ストライプ状部分（ａ）は、第１電極２０を構成する複数のストライプ状部分電極間の短絡を紡糸するための部分であり、第２ストライプ状部分（ｂ）は、第２電極を複数の部分電極に分離するための第２絶縁分離壁３３の下地となる部分である。第１絶縁分離壁３１は、ＳｉＯ_x、ＳｉＮ_xまたはＳｉＮ_xＯ_yなどのＳｉを含む無機材料を用いて形成することができる。

次いで、第１絶縁分離壁３１の少なくとも第２ストライプ状部分（ｂ）の上に、中間層３２を形成する。中間層３２は、無機材料で形成される第１絶縁分離壁３１と、有機材料で形成される第２絶縁分離壁３３との密着性を改善するための層である。中間層３２は、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように第１絶縁分離壁３１の第１ストライプ状部分（ａ）および第２ストライプ状部分（ｂ）の両方の上に形成されてもよい。あるいはまた、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１絶縁分離壁３１の第２ストライプ状部分（ｂ）のみの上に形成されてもよい。

中間層３２は、有機ＥＬ層４０の複数のストライプ状部分間の短絡、および第２電極５０の複数のストライプ状部分電極間の短絡を防止するため、５ｍΩ・ｃｍ以上の抵抗率を有することが望ましい。中間層３２を形成するのに好適な材料は、Ｓｉを含む。中間層３２は、５〜２０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍの膜厚を有することが望ましい。

第１絶縁分離壁３１および中間層３２の形成は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の手法による第１絶縁分離壁材料膜の積層、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の手法による中間層材料膜の積層、および中間層材料膜および第１絶縁分離壁材料膜の同時パターニングによって実施してもよい。この方法は、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように第１絶縁分離壁３１の上面全体に中間層３２を形成する場合に特に有利である。中間層材料膜および第１絶縁分離壁材料膜の同時パターニングは、たとえばフッ素含有ガスを用いるプラズマエッチングなどのドライエッチング法によって実施することができる。

一方、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１絶縁分離壁３１の第２ストライプ状部分（ｂ）の上のみに中間層３２を形成する場合には、第１絶縁分離壁３１および中間層３２のそれぞれについて、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などの当該技術において知られている任意の手法による積層、およびパターニングを別個に実施することが好ましい。第１絶縁分離壁３１および中間層３２のそれぞれのパターニングには、ドライエッチング法またはウェットエッチング法のいずれを用いてもよい。あるいはまた、所定の形状を与える開口部を有するマスクを用いるパターン状堆積法によって、第１絶縁分離壁３１および中間層３２のそれぞれを形成してもよい。

次に、中間層３２の上面に第２絶縁分離壁３３を形成する。第２絶縁分離壁３３は、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる。図１（ａ）〜（ｄ）に示す第１絶縁分離壁３１の上面全体に中間層が形成される場合、図１（ｃ）に示す第１絶縁分離壁３１の第１ストライプ状部分（ａ）の上には、第２ストライプ状部分（ｂ）との交差部分を除いて第２絶縁分離壁３３は形成されない。一方、図１（ｄ）に示す第１絶縁分離壁３１の第２ストライプ状部分（ｂ）において、中間層３２の上に第２絶縁分離壁３３が形成される。図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、第１絶縁分離壁３１の第２ストライプ状部分（ｂ）のみの上に中間層が形成される場合、図２（ｄ）に示す第１絶縁分離壁３１の第２ストライプ状部分（ｂ）において、中間層３２の上に第２絶縁分離壁３３が形成される。

第２絶縁分離壁３３は、有機ＥＬ層４０および第２電極５０を第２の方向に延びる複数のストライプ状部分に分離するため、下面（底面）幅よりも上面（頂面）幅の大きい断面、好ましくは逆テーパ形状の断面を有する。第２絶縁分離壁３３は、アクリレート樹脂、ポリイミド樹脂またはノボラック樹脂などの感光性樹脂の膜を塗布し、その感光性樹脂膜をパターン状に露光して硬化させることによって形成することができる。

次いで、有機ＥＬ層４０を形成する。有機ＥＬ層４０は、第２絶縁分離壁３３によって、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分に分離して形成される。本発明における有機ＥＬ層４０は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層を介在させた構造を有する。具体的には、有機ＥＬ素子には下記のような層構造からなるものが採用される。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ここで、陽極および陰極のそれぞれは、第１電極２０または第２電極５０のいずれかである。）

有機ＥＬ層４０を構成する各層は、当該技術において知られている任意の材料を使用して形成される。たとえば、青色から青緑色の発光を得るための有機発光層の材料としては、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などの材料が好ましく使用される。また、必要に応じて、有機発光層の発光色は白色であっても良い。その場合は公知の赤ドーパントが使用される。また、有機ＥＬ層４０を構成する各層は、蒸着法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。

次いで、第２電極５０を形成する。第２電極５０は、第２絶縁分離壁３３によって、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極に分離して形成される。第２電極５０は、透明電極であっても反射電極であってもよい。ただし、第１電極２０および第２電極５０の少なくとも一方は透明電極である。さらに、第２電極５０は、陽極または陰極のいずれであってもよい。支持体１０が色変換フィルタ層を含む場合、第２電極５０は反射電極である。

反射電極は、高反射率の金属、アモルファス合金または微結晶性合金を用いて形成することができる。用いることができる高反射率の金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。用いることができる高反射率のアモルファス合金は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＣｒＰ、ＣｒＢなどを含む。用いることができる高反射率の微結晶性合金は、ＮｉＡｌ、Ａｇ合金などを含む。透明電極は、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）、ＩＷＯ（インジウム−タングステン酸化物）、ＡＺＯ（Ａｌドープ亜鉛酸化物）などの透明導電性酸化物（ＴＣＯ：transparent conductive oxide）を用いて形成することができる。第２電極５０は、蒸着、スパッタなどの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。

必要に応じて、保護層の配設または封止を行って、酸素、水分および／または有機溶媒による有機ＥＬデバイスの各構成層の劣化を防止してもよい。たとえば、電気絶縁性およびバリア性を有するＳｉＮｘを第２電極５０以下の層を覆うように堆積させて保護層を形成してもよい。保護層の形成には、たとえばＣＶＤ法などのドライプロセスを用いることが好ましい。

また、酸素および水分の濃度が１００ｐｐｍ以下の乾燥雰囲気中において、支持体１０に対して封止基板を貼り合わせることによって、封止を行うことができる。貼り合わせには、たとえばＵＶ硬化型接着剤などを用いることができる。封止基板としては、ガラス基板、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレートなどの樹脂基板を用いることができる。任意選択的に、封止基板内面に乾燥剤を配置してもよい。

＜実施例１＞
２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．７ｍｍ厚の無アルカリガラス基板を純粋にて洗浄し、洗浄済み基板上に、スピンコート法によってカラーモザイクＣＫ−７８００（富士フィルムエレクトロニクスマテリアル株式会社製）を塗布し、フォトリソグラフ法を用いて、複数の矩形状開口部を有するブラックマトリクスを形成した。ブラックマトリクスは、１μｍの膜厚を有した。矩形状開口部のそれぞれ（サブピクセルに相当する）は、縦方向３００μｍ×横方向９０μｍを有し、隣接する矩形状開口部間の間隔は、縦方向３０μｍおよび横方向２０μｍであった。なお、この寸法のガラス基板を用いた場合、複数の有機ＥＬデバイスを同時に形成することが可能であるが、複数の有機ＥＬデバイスの中の１つのデバイスについて、以下記載する。

次に、カラーモザイクＣＲ−７００１、ＣＧ−７００１およびＣＢ−７００１（富士フィルムエレクトロニクスマテリアル株式会社製）を塗布し、フォトリソグラフ法を用いて、縦方向に延びる複数のストライプ形状部分からなる赤色、緑色および青色カラーフィルタ層を形成した。各カラーフィルタ層は、１μｍの膜厚を有した。各カラーフィルタ層の複数のストライプ形状部分のそれぞれは９０μｍの幅を有し、２４０μｍの間隔で配置された。

次に、１００重量部の光硬化性樹脂Ｖ２５９ＰＡＰ５（新日鐵化学製）中に、０．６重量部のクマリン６、０．３重量部のローダミン６Ｇ、および０．３重量部のローダミンＢを溶解させて、塗布液を得た。得られた塗布液をカラーフィルタ層を形成した積層体の上に塗布し、パターニングを実施して、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる赤色変換層を赤色カラーフィルタ層上に形成した。赤色変換層のストライプ状部分のそれぞれは、１０μｍの膜厚および９０μｍの幅を有し、２４０μｍの間隔で配置された。

次に、１００重量部の光硬化性樹脂Ｖ２５９ＰＡＰ５（新日鐵化学製）中に、０．７重量部のクマリン６を溶解させて、塗布液を得た。得られた塗布液を赤色変換層を形成した積層体の上に塗布し、パターニングを実施して、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる緑色変換層を緑色カラーフィルタ層上に形成した。緑色変換層のストライプ状部分のそれぞれは、１０μｍの膜厚および９０μｍの幅を有し、２４０μｍの間隔で配置された。

続いて、スピンコート法を用いて感光性アクリル系材料ＮＮ８１０Ｌ（ＪＳＲ製）を塗布し、フォトリソグラフィー法を適用して、色変換層以下の層を覆うように平坦化層を形成した。平坦化層形成後、乾燥窒素雰囲気中、２２０℃において６０分間にわたって加熱して、平坦化層中に残存する水分を除去した。

続いて、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮを堆積させ、膜厚３００ｎｍのパッシベーション層を形成し、支持体１０を得た。ここで、流量１００ｓｃｃｍのＳｉＨ₄、流量５００ｓｃｃｍのＮＨ₃、流量３０００ｓｃｃｍのＮ₂の混合物を原料ガスとして用い、原料ガスの圧力を１００Ｐａとした。また、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力５００ＷのＲＦ電力、ならびに周波数４００ｋＨｚ、出力４０ＷのＲＦ電力を印加して、プラズマを発生させた。

次に、スパッタ法を用いて、支持体１０の表面全体に膜厚２２０ｎｍのＩＺＯ膜を堆積させた。ここで、ターゲットとしてＩｎ−Ｚｎ酸化物（出光興産株式会社製）を用い、スパッタガスとしてＡｒおよびＯ₂の混合ガスを用いた。続いて、フォトリソグラフ法を用いてＩＺＯ膜をパターニングして、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極２０を形成した。ストライプ状部分電極のそれぞれは、１００μｍの幅を有し、１０μｍの間隔をおいて配置された。本実施例における第１電極２０は透明電極である。

次に、ＡＣスパッタ法を用いて、膜厚３００ｎｍのＳｉＯ₂膜を形成した。ここで、ターゲットとしてＢドープされたＳｉ結晶を用い、スパッタガスとしてＡｒおよびＯ₂の混合ガスを用いた。続いて、ＡＣスパッタ法を用いて、膜厚５ｎｍのＳｉ膜を形成した。ここで、ターゲットとしてＢドープされたＳｉ結晶を用い、スパッタガスとしてＡｒガスを用いた。別途、同条件で堆積したＳｉ膜の抵抗率を測定したところ、８．０ｍΩ・ｃｍの抵抗率を有した。

続いて、スピンコート法を用いてレジストを塗布し、パターン状露光し、現像してレジストパターンを形成した。得られたレジストパターンをマスクするドライエッチング（プラズマエッチング）によって、Ｓｉ膜およびＳｉＯ₂膜のパターニングを実施し、ＳｉＯ₂からなる第１絶縁分離壁３１およびＳｉからなる中間層３２を形成した。ここで、流量３５０ｓｃｃｍのＣＨＦ₃、流量３５０ｓｃｃｍのＡｒ、流量２００ｓｃｃｍのＳＦ₆および流量１０ｓｃｃｍのＨｅの混合物を原料ガスとして用い、原料ガスの圧力を１３Ｐａとした。また、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力２．７ｋＷのＲＦ電力、ならびに出力２ｋＷのＤＣ電力を印加して、プラズマを発生させた。

第１絶縁分離壁３１および中間層３２のそれぞれは、縦方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と横方向に延びる複数の第２ストライプ状部分とで構成される格子状の形状を有した。第１ストライプ状部分および第２ストライプ状部分は、ブラックマトリクスに対応する位置に配置された。第１ストライプ状部分のそれぞれは、２０μｍの幅を有し、９０μｍの間隔をおいて配置された。また、第２ストライプ状部分のそれぞれは、３０μｍの幅を有し、３００μｍの間隔をおいて配置された。

続いて、酸素プラズマアッシングを実施して、レジストをアッシングした。ここで、流量４５０ｓｃｃｍのＯ₂および流量１０ｓｃｃｍのＨｅの混合ガスを用い、ガスの圧力を３３Ｐａとした。また、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力２ｋＷのＲＦ電力、ならびに出力１．５ｋＷのＤＣ電力を印加して、プラズマを発生させた。引き続いて、積層体をレジスト剥離液の浴に浸漬して、レジストを完全に除去した。後述するように、この段階において第１絶縁分離壁３１および中間層３２によって形成される格子形状の開口部の観察を行った。

続いて、スピンコート法を用いてネガ型フォトレジストＺＰＮ１１６８（日本ゼオン製）を塗布して、膜厚３．５μｍのレジスト膜を形成した。得られたレジスト膜に対して、プリベーク、露光、露光後ベーク、現像、およびポストベークを順次行って、中間層３２の第２ストライプ状部分の上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる第２絶縁分離壁３３を形成した。第２絶縁分離壁３３を構成するストライプ状部分のそれぞれは、１２μｍの上面幅、４μｍの下面幅、および４μｍの高さを有する逆テーパ形状の断面を有した。後述するように、この段階において第２絶縁分離壁３３の形状の観察を行った。

続いて、第２絶縁分離壁３３を形成した積層体を抵抗加熱蒸着装置内に配置し、真空を破ることなしに正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層および電子注入層を順次成膜して、有機ＥＬ層４０を形成した。成膜に際して、抵抗加熱蒸着装置内を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。正孔注入層は膜厚１００ｎｍの銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）膜であり、正孔輸送層は膜厚２０ｎｍのα−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）膜であり、有機発光層は膜厚３０ｎｍのＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（２、２’−ジフェニルビニル）ビフェニル）膜であり、電子注入層は膜厚２０ｎｍのＡｌｑ₃（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体）であった。有機ＥＬ層４０は、第２絶縁分離壁３３によって第２の方向に延びる複数のストライプ状部分に分割された。

続いて、Ａｌを蒸着して、膜厚２００ｎｍの反射性の第２電極５０を形成した。第２電極５０は、第２絶縁分離壁３３によって第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極に分割された。

さらに、第２電極５０を形成した積層体に対して、ＣＶＤ法を用いて、第２電極５０以下の構造を覆うようにＳｉＮ_xを堆積させ、膜厚３００ｎｍの保護層を形成した。さらに、保護層を形成した積層体を、酸素濃度５ｐｐｍ以下、および水分濃度５ｐｐｍ以下の雰囲気を有する貼り合わせ装置内に移動させた。２００ｍｍ×２００ｍｍ×０．７ｍｍ厚の無アルカリガラス基板を真空乾燥し、前述の保護層以下の構造を包囲するように設定される接着部にビーズ含有紫外線硬化型エポキシ系高粘度接着剤を塗布し、接着部の内部に前述の高粘度接着剤よりも低い粘度を有する紫外線硬化型エポキシ系低粘度接着剤を滴下して、封止用基板を準備した。貼り合わせ装置内を約１Ｐａまで減圧し、保護層および低粘度接着剤が対向するように、保護層を形成した積層体と封止用基板とを貼り合わせた。その後に、貼り合わせ装置内を大気圧まで加圧し、貼り合わせ体に対して封止用基板側から紫外線を照射し、加熱炉内で１時間にわたって８０℃に加熱し、自然冷却して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜実施例２＞
第１絶縁分離壁３１となるＳｉＯ₂膜の形成をプラズマＣＶＤ法で実施したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜実施例３＞
ＡＣスパッタ法によるＳｉＯ₂膜の形成に代えて、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＮ_x膜の形成を実施し、ＳｉＮ_xからなる膜厚３００ｎｍの第１絶縁分離壁３１を形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜実施例４＞
ＡＣスパッタ法によるＳｉＯ₂膜の形成に代えて、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ_xＮ_y膜の形成を実施し、ＳｉＯ_xＮ_yからなる膜厚３００ｎｍの第１絶縁分離壁３１を形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜実施例５＞
ＡＣスパッタ法により形成されるＳｉ膜の膜厚を３０ｎｍとし、膜厚３０ｎｍの中間層３２を形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜実施例６＞
ネガ型フォトレジストＺＰＮ１１６８に代えて、ネガ型フォトレジストＺＰＮ１１００（日本ゼオン製）を用いて第２絶縁分離壁３３をを形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例１＞
中間層３２となるＳｉ膜を形成しなかったことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例２＞
中間層３２となるＳｉ膜を形成しなかったことを除いて実施例２の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例３＞
中間層３２となるＳｉ膜を形成しなかったことを除いて実施例３の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例４＞
中間層３２となるＳｉ膜を形成しなかったことを除いて実施例４の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例５＞
ＡＣスパッタ法によるＳｉ膜の形成に代えて、スパッタ法で膜厚１０ｎｍのＭｏ膜の形成をを実施し、Ｍｏからなる膜厚１０ｎｍの中間層３２を形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例６＞
ＡＣスパッタ法により形成されるＳｉ膜の膜厚を５０ｎｍとし、膜厚５０ｎｍの中間層３２を形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜比較例７＞
ＡＣスパッタ法により形成されるＳｉ膜の膜厚を１００ｎｍとし、膜厚１００ｎｍの中間層３２を形成したことを除いて実施例１の手順を繰り返して、有機ＥＬデバイスを得た。

＜評価１＞
実施例１〜６および比較例１〜７において、第１絶縁分離壁３１および中間層３２のパターニング終了時点におけるそれらの層の格子形状の開口部を光学顕微鏡にて観察し、第１絶縁分離壁／中間層のパターン欠陥を評価した。その結果を第１表に示す。第１表において、開口部の端部形状に乱れがないものを「○」、開口部の端部形状に許容できない乱れが認められるものを「×」と評価した。

第１表から分かるように、Ｓｉからなる中間層の膜厚を１００ｎｍとした比較例７を除いて、いずれの有機ＥＬデバイスにおいても第１絶縁分離壁３１および中間層３２のパターニングを良好に実施できていることが分かる。比較例７においては、中間層３２の膜厚の増大に伴って、第１絶縁分離壁３１および中間層３２の同時パターニングが困難になり、第１絶縁分離壁３１および中間層３２のストライプ状部分の線幅不良が発生した。

＜評価２＞
実施例１〜６および比較例１〜７において、第２絶縁分離壁３３の形成終了時点における第２絶縁分離壁３３を構成するストライプ状部分の形状を光学顕微鏡にて観察し、第２絶縁分離壁のパターン欠陥を評価した。その結果を第１表に示す。第１表において、ストライプ状部分の形状に乱れがないものを「○」小数の箇所においてストライプ状部分の形状に軽微な乱れが認められ、性能が低下するものの使用可能なレベルにあるものを「△」、ストライプ状部分の形状に許容できない乱れが認められるものおよびストライプ状部分の剥離が認められるものを「×」と評価した。

第１表に示すように、膜厚５ｎｍのＳｉからなる中間層３２を有する実施例１〜４の有機ＥＬデバイスにおいて第２絶縁分離壁３３のストライプ形状に乱れが認められず、中間層３２が存在しないことを除いて対応する構造を有する比較例１〜４の有機ＥＬデバイスにおいて第２絶縁分離壁３３のストライプ形状に軽微な乱れが認められる。この比較から、Ｓｉからなる中間層３２が、第２絶縁分離壁３３のストライプ形状を改善するのに有効であることが分かる。この効果は、中間層３２の存在により、第１絶縁分離壁３１／中間層／第２絶縁分離壁３３間の密着力が向上したためと考えられる。

また、Ｍｏからなる中間層３２を有する比較例５の有機ＥＬデバイスにおいて、第２絶縁分離壁３３のストライプ形状に乱れが認められた。Ｓｉからなる中間層３２を有する実施例１の有機ＥＬデバイスとの比較から、Ｓｉからなる中間層３２が優れた形状を有する第２絶縁分離壁３３を与えることにおいて有効であることが分かる。

さらに、比較例６の結果から、中間層３２の膜厚が５０ｎｍ以上となった場合に、第２絶縁分離壁３３のストライプ形状に軽微な乱れが発生し始めることが分かる。

＜評価３＞
実施例１、５および６、ならびに比較例１、６および７において、有機ＥＬデバイスを点灯させ、点灯状態での不具合を光学顕微鏡を用いて観察した。その結果を第１表に示す。第１表において、発光部のパターン形状に乱れがないものを「○」、発光部のパターン形状に許容できない乱れが認められるものを「×」と評価した。「−」は未評価を示す。第１表から分かるように、第１絶縁分離壁３１および中間層の開口部の端部形状、あるいは第２絶縁分離壁３３のストライプ形状のいずれかに乱れが存在する場合に、発光部のパターン形状の乱れが発生することが分かる。

本発明の有機ＥＬデバイスの一例を示す図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は切断腺Ｉｂ−Ｉｂに沿った断面図であり、（ｃ）は切断腺Ｉｃ−Ｉｃに沿った断面図であり、（ｄ）は切断腺Ｉｄ−Ｉｄに沿った断面図である。 本発明の有機ＥＬデバイスの他の例を示す図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は切断腺IIｂ−IIｂに沿った断面図であり、（ｃ）は切断腺IIｃ−IIｃに沿った断面図であり、（ｄ）は切断腺IIｄ−IIｄに沿った断面図である。

符号の説明

１０ 支持体
２０ 第１電極
３１ 第１絶縁分離壁
３２ 中間層
３３ 第２絶縁分離壁
４０ 有機ＥＬ層
５０ 第２電極

Claims (7)

1. 支持体と；
   支持体上に形成され第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極と；
   第１電極のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、第２の方向に延びる第２ストライプ状部分とからなる格子形状を有し、Ｓｉを含む無機材料で形成される第１絶縁分離壁と；
   少なくとも第１絶縁分離壁の第２ストライプ状部分の上に形成され、５〜４０ｎｍの膜厚を有するＳｉの薄膜からなる中間層と；
   中間層の上に形成され、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなり、有機材料で形成される第２絶縁分離壁と；
   第１電極上に形成される有機ＥＬ層と；
   有機ＥＬ層上に形成され、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極と
   を含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする有機ＥＬデバイス。
2. 前記中間層は、前記第１絶縁分離壁の上面全体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
3. 前記中間層は、５ｍΩ・ｃｍ以上の抵抗率を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
4. 前記支持体は、１種または複数種の色変換フィルタ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
5. （１） 支持体上に、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極を形成する工程と；
   （２） Ｓｉを含む無機材料を用いて、第１電極のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、第２の方向に延びる第２ストライプ状部分とからなる格子形状を有する第１絶縁分離壁を形成する工程と；
   （３） Ｓｉを用いて、第１絶縁分離壁の少なくとも第２ストライプ状部分の上に５〜４０ｎｍの膜厚を有する中間層を形成する工程と；
   （４） 有機材料を用いて、中間層の上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる第２絶縁分離壁を形成する工程と；
   （５） 第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と；
   （６） 有機ＥＬ層上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極を形成する工程と
   を含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
6. （１） 支持体上に、第１の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第１電極を形成する工程と；
   （２Ａ） Ｓｉを含む無機材料の膜を堆積させる工程と；
   （２Ｂ） ５〜４０ｎｍの膜厚を有するＳｉ膜を堆積させる工程と；
   （２Ｃ） 前記無機材料の膜およびＳｉ膜を同時にパターニングして第１絶縁分離壁および中間層を形成する工程であって、第１絶縁分離壁は第１電極のストライプ状部分電極の間隙に位置し、第１の方向に延びる複数の第１ストライプ状部分と、第２の方向に延びる第２ストライプ状部分とからなる格子形状を有する前記無機材料の膜から構成され、および、中間層は、少なくとも第１絶縁分離壁の第２ストライプ状部分の上に位置する前記Ｓｉ膜から構成される工程と；
   （４） 有機材料を用いて、中間層の上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分からなる第２絶縁分離壁を形成する工程と；
   （５） 第１電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と；
   （６） 有機ＥＬ層上に、第２の方向に延びる複数のストライプ状部分電極からなる第２電極を形成する工程と
   を含み、第２の方向は第１の方向と交差する方向であることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
7. 工程（２Ｃ）をドライエッチング法によって実施することを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。

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