TWI470283B

TWI470283B - Discoloration filter substrate

Info

Publication number: TWI470283B
Application number: TW99106936A
Authority: TW
Inventors: Shinichi Nakamata
Original assignee: Sharp Kk
Priority date: 2009-03-16
Filing date: 2010-03-10
Publication date: 2015-01-21
Also published as: KR20120001719A; JPWO2010106619A1; TW201106024A; WO2010106619A1

Description

變色濾光片基板

本發明係關於變色濾光片基板。更詳細地說，本發明之變色濾光片基板，係關於變色效率高，可適合用於大畫面顯示器的量產的變色濾光片基板。

作為使用有機EL(electroluminescent，電致發光)元件實現多色發光的方法之一，有變色法。變色法，係把有機EL元件之吸收發光，進行與吸收波長不同的波長分布的發光之變色膜配設於有機EL元件的前面表現多色的方法，作為變色膜有對高分子樹脂分散螢光色素者。關於變色法，例如已揭示有以下之技術。

於專利文獻1，揭示著把(a)羅丹明(rhodamine)系螢光顏料、(b)於藍色區域有吸收且誘發對該羅丹明系螢光顏料之能量移動或再吸收之螢光顏料，分散於透光性媒體者所構成的紅色螢光變換膜。

於使用此方式的場合，來自有機EL元件的發光為單色即可，所以製造很容易，因此對大畫面顯示器的應用受到積極的檢討。此外，此方式，具有可藉由組合變色膜與彩色濾光片，而得到良好的色再現性等優點。

然而，為了要藉由專利文獻1所揭示的變色膜，獲得優異的變色效率，變色膜的厚度必須要厚到10μm程度。此外，為了於此變色膜的上面形成有機EL元件，必須要有使變色膜的表面凹凸變得平滑的技術，及遮斷由變色膜所產生的水分的技術等特殊的技術。要採用這些附隨的特殊技術，形成大畫面顯示器時，會導致相當程度的成本提高。

作為這樣的成本提高的問題之解決策略，係於有機EL元件的電極間以乾式製程配設具有變色功能之層的技術，具體而言，揭示著以下的技術。

於專利文獻2，揭示著由有機化合物所構成相互被層積的螢光體發光層及正孔輸送層被配設於陰極與陽極間的構成之電場發光元件，且前述螢光體發光層係相互被層積且陰極側比陽極側電氣輸送能力更大之一對螢光體薄膜所構成的，電場發光元件。根據專利文獻2，選擇最適切的變色材料的話，應該可以實現沒有水分發生的問題之高效率且極薄(1μm以下)之變色元件。

此外，作為進而改良被揭示於專利文獻2的技術之技術，被提出把變色膜之構成材料油墨化，以噴墨法圖案化該膜之方法。

然而，藉由噴墨法，進行精密圖案化時，必須要使微量液滴精密地吐出，所以成為增加黏度的原因之固形物成分比不能夠太高。有鑑於為了確保必要的膜厚所需要的液滴的體積必然會是大的，因此作為形成精度佳的圖案的技術，揭示了以下的技術。

於專利文獻3，揭示著藉由墨水吐出法對同一畫素內至少吐出2次以上包含有機EL材料之墨水組成物而製膜，將墨水組成物吐出至以堤區隔的區域內，第n次(n為吐出次數)之吐出點徑，與堤徑相比為相等或者更小的有機EL元件之製造方法。

然而，形成堤的場合，不僅在特定其形狀上，在濕潤性的控制止也是重要的。具體而言，於滴下墨水的區域，使其壁面對墨水為撥液性的狀態，使下底對墨水為親液性的狀態是重要的。關於這樣的濕潤性的技術，被揭示有以下的技術。

於專利文獻4，揭示著在以無機材料構成的堤形成面以有機材料形成堤，以氟系氣體為導入氣體而在氟過多的條件下進行電漿處理，對以堤包圍的區域填充薄膜材料液形成薄膜層，於具有以有機物形成的堤的基板上，進行氧氣電漿處理後，進行氟系氣體電漿處理之薄膜形成方法。

如此般，含變色膜的基板(變色濾光片基板)，有各種技術被揭示，藉由把變色濾光片基板，與有機EL基板貼合，可得有機EL顯示器。

例如，把變色濾光片基板使用於頂放射構造之有機EL顯示器的場合，貼合有機EL基板(例如，含TFT元件的基板)與變色濾光片基板之構成係一般的。作為貼合方法，可以使用藉著液晶之一般的真空滴下貼合法等。

在此，於貼合時，於變色濾光片基板，形成埋住與有機EL基板之間的間隙之間隙層。於此間隙層，一般使用黏接劑等之固體，但亦可使用液體或氣體。

於間隙層之形成，精密地控制兩基板間的間隙的場合，在彩色濾光片或變色膜之上，或者在這些的周圍形成間隔件係屬已知，例如，有以下的技術被提出。

於專利文獻5，揭示著於位在有機EL層的發光方向的透明基板上，具備與前述有機EL層對向而由黑矩陣與複數之著色樹脂區域所構成的有效區域，與中介於前述有機EL層與前述透明基板之間的間隔件；前述間隔件被形成於前述黑矩陣上，前述間隔件的頂面的面積為A，前述有效區域的面積為S的場合，A對S之比率R滿足以下的條件：0.05%≦R≦1%之彩色濾光片。

間隔件的形成理由如下所述。亦即，於兩基板間之間隙太寬的場合，會有光線侵入旁邊的副畫素部之產生串訊的問題，另一方面該間隙太窄的場合，會有產生干涉影響或者往發光區域之機械的接觸等問題。

此外，特別是於使用變色方式的有機EL顯示器，入射至變色膜的光量對於變色效率影響很大，所以必須根據間隔件來精密控制間隙。

[專利文獻1]日本專利特開平08-286033號公報

[專利文獻2]日本專利特開平02-216790號公報

[專利文獻3]日本專利特開2001-291583號公報

[專利文獻4]日本專利特開2000-353594號公報

[專利文獻5]日本專利特開2004-311305號公報

然而，於頂放射型有機EL顯示器，在前述間隙層含有黏接劑等固體的場合，可以提高其折射率，結果可實現優異的光取出效率。

這是因為透明電極層，以及變色膜及彩色濾光片的折射率為1.5～2.0程度，但相對於氮氣及非活性液體的折射率為1.0～1.3程度，環氧系黏接劑等之折射率為1.5以上。

此外，於間隙層含有黏接劑等固體的場合，可以實現有機EL顯示器之優異的機械強度。

然而，一般而言，黏接劑等樹脂與液晶等液體相比黏度很高，在貼合有機EL基板與變色濾光片基板時欠缺擴展性。

特別是變色膜是藉由噴墨法形成的變色濾光片基板的場合，為了要精度佳地形成變色膜而在變色濾光片基板側形成堤。因此，貼合兩基板時，雖往彩色濾光片之線方向間隙層(樹脂)的擴展沒有被阻礙，但是對與前述方向垂直的方向，樹脂必須要越過堤而擴展。因而，單純的滴下貼合，因為樹脂不會擴展至外周密封材內側之各個角落，所以即使是2～3英吋程度的面板，也有發生畫面之一部分沒有以樹脂埋沒之不良的可能。

這樣的樹脂的擴展之調整，應與光學間隙調整一併進行，如前所述，彩色濾光片或變色膜之上，或者於其周圍形成間隔件的技術係屬已知。間隔件，可以在堤上，用光硬化性或光熱併用型硬化性樹脂等以光蝕刻法形成。

通常，間隔件隊顯示部(畫素)係以10～20%之比例塗佈於到處存在的堤上。因此，特別是畫素尺寸變小時，相對於堤的寬幅為10～15μm間隔件的寬幅成為10μm前後，堤及間隔件的尺寸變成非常接近，有間隔件在堤上突出等引起位置偏移之虞。在這樣的場合，間隔件的高度會產生不均，所以有必要講究對準光罩的高的位置之精度。

作為關於該位置對準的解決之道，有在不塗佈變色油墨的畫素，形成由透明的樹脂材料或與堤相同的材料所構成的埋入部，於其上形成間隔件之手段。

此處，於兩基板之貼合後，防止來自鄰接於應與變色濾光片基板之副畫素一對一對向的有機EL基板的副畫素之副畫素的發光，進入變色基板之上述副畫素而產生的混色是很重要的。

然而，關於前述混色之防止，在應防止以噴墨法塗佈的變色膜之油墨漏溢，而使堤之高度為相當大的場合，在黑色等之堤的著色會變得困難。因此，僅於前述埋入部使用透明材料也是被考慮的，但於堤的形成之外進而形成埋入部，會有招致工程量增大的結果，導致實質上的成本提高。

亦即，被期待著變色效率高、量產性優異、安定性高的有機EL顯示器之生產。

本發明有鑑於前述情形，目的在提供能夠實現低成本的大畫面顯示器之量產，特別是提供變色效率高的變色濾光片基板。

本發明係關於變色濾光片基板，其係具備：基板、被形成於前述基板上之至少副畫素部之具有不同的透過波長的複數彩色濾光片、被形成於前述基板的上方之非副畫素部之由硬化性樹脂所構成的堤(bank)、藉由噴墨法且以細長條(slit)圖案形成在至少一部分之彩色濾光片之上方區域中之被區劃於前述堤之間的區域用於吸收光源的光而發出與吸收波長不同的波長分布的光之變色膜、及於至少一部份之堤上藉由光蝕刻法形成的間隔件之變色濾光片基板；其係形成前述間隔件之堤，與其他堤相比，於側面剖視圖觀察時，在水平方向上伸出之變色濾光片基板(型式1)。本發明之變色濾光片基板，可以作為內藏於個人電腦等的多色發光有機EL裝置之構成要素而利用。

於這樣的變色濾光片基板，前述硬化性樹脂，可以採用光硬化性樹脂或光熱併用硬化性樹脂。此外，前述堤，可以形成於被形成在前述基板上的黑矩陣的上方。進而，最好是前述堤之至少一部分被著色，前述著色是著黑色，且前述提之可見區域之透過率為10%以下為更佳。

其次，本發明包含一種變色濾光片基板(型式2)，其特徵為具備：基板、被形成於前述基板上之至少副畫素部之具有不同的透過波長的複數彩色濾光片、被形成於前述基板的上方之非副畫素部之由硬化性樹脂所構成的堤(bank)、藉由噴墨法且以細長條(slit)圖案形成在至少一部分之彩色濾光片之上方區域中之被區劃於前述堤之間的區域用於吸收光源的光而發出與吸收波長不同的波長分布的光之變色膜、形成在位於前述區域中之不形成前述變色膜之區域的兩側之堤間之由光硬化性樹脂或光熱併用硬化性樹脂所構成之埋入構件、及於前述埋入構件上藉由光蝕刻法形成的間隔件；前述堤與前述埋入構件係同時被形成的。型式2之變色濾光片基板，也與型式1之變色濾光片基板同樣，可作為內藏於個人電腦等的多色發光有機EL裝置的構成要素來利用。

於這樣的變色濾光片基板，前述光硬化性樹脂或光熱併用硬化性樹脂之硬化後之對波長區域350～500nm之光的折射率，最好至少比1.5更大。進而，前述埋入構件，最好是在側方剖視時，含有10μm以上對堤上面而言為-1～+1μm之平坦部。

本發明之變色濾光片基板，於前述型式1、2之任一構成，都可以實現以低成本達成大畫面顯示器之量產，特別是可以實現優異的變色效率。

[供實施發明之最佳型態] <變色濾光片基板及其形成方法>

圖1A～圖1C係顯示本發明之變色濾光片基板之一例之圖，圖1A為平面圖，圖1B為圖1A之IB-IB線剖面圖，圖1C為圖1A之IC-IC線剖面圖。根據這些圖所示，變色濾光片基板10a，為具備透明基板12、被形成於透明基板12上之除了副畫素部以外的部分(非副畫素部)之黑矩陣14、以覆蓋副畫素部的方式條紋狀被形成於其上的紅色、綠色、藍色之各彩色濾光片16R、16G、16B，及以覆蓋黑矩陣14及彩色濾光片16(R、G、B)的方式進而被形成於其上的親液層18、被形成於親液層18上之非副畫素部的堤20、及被形成於非副畫素部且為區劃出不形成後述之變色膜的區域之堤20上的光間隔件22、被形成於藉由親液層18及堤20所區劃的區域之紅色及綠色變換膜24R、24G、以覆蓋堤20、光間隔件22、變色膜24(R、G)、及未被形成變色膜的親液層18的部分的方式被形成之障壁層26之構造體。

(透明基板12)

作為透明基板12，可以使用玻璃、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯、聚苯碸(PPSU)等高分子材料。透明基板12亦可為剛直者，亦可具有可撓性。透明基板12最好是對可見光具有80%以上的透過率。

(黑矩陣14)

黑矩陣14，係以提高後述之彩色濾光片16(R、G、B)之配設位置的對比為目的而配設的構成要素。黑矩陣14係把不透過可見區域的光的材料形成為狹縫圖案。

於黑矩陣14之材料，可以使用在丙烯酸型樹脂等感光性樹脂中混合供黑色化之用的著色劑者。此外，亦可適用使用於液晶顯示裝置的黑矩陣材料。

黑矩陣14，可以在透明基板12上，藉由旋轉塗布法等濕式製程之塗布手段進行塗布，加熱乾燥之後，藉由光蝕刻法進行圖案化而形成。

又，黑矩陣14，藉由因應需要而設置，可以有效地防止來自鄰接的畫素的光之繞入，亦即，來自鄰接的副畫素的發光，漏入對應於旁邊的副畫素之彩色濾光片層。藉此，可以實現高的對比。此外，黑矩陣14的形成，在減低由於後述之各彩色濾光片16(R、G、B)的形成所產生的階差這一點也有效。

(彩色濾光片16(R、G、B))

彩色濾光片16(R、G、B)，係藉由遮斷特定波長而提高具有一定區域的波長的光之色純度之用的構成要素。彩色濾光片16(R、G、B)可以在透明基板12上使用平面面板顯示器用的材料來形成，例如，使顏料分散於光阻之顏料分散型材料。

彩色濾光片16，一般為排列透過600nm以上的波長的光之紅色濾光片16R、透過500～600nm的波長的光之綠色濾光片16G、及透過400～550nm的波長的光之藍色濾光片16B之構造。彩色濾光片16(R、G、B)之形成方法，可以使用塗布法，特別是以使用光學製程為佳。

(親液層18)

親液層18，如後所述，係在變色膜24(R、G)係以噴墨法形成的場合，供提高變色膜24(R、G)之濕潤性之用而配設的構成要素。

於親液層18，可以因應於作為變色膜24(R、G)使用的油墨的極性，而使用藉由濺鍍法或化學氣相沉積法(CVD法)而形成的SiOx膜，或SiNx膜。

又，不形成親液層18的場合，藉由電漿處理等，可以適切地控制彩色濾光片16(R、G、B)之上面與後述之堤20之濕潤性。

(堤20)

堤20，係為了防止起因於後述的變色膜24(R、G)之油墨流入鄰接的其他副畫素導致混色的發生而配設的構成要素。

於圖1A～圖1C所示之例，係以藉由噴墨法形成變色膜24(R、G)為前提。因此，要精密地圖案化變色膜24(R、G)，必須要精密塗出微量液滴。因而，針對使用於變色膜24(R、G)之油墨，會成為其增黏的原因之油墨固形成分比不可以過度地大。亦即，對於必要膜厚而言液滴的體積必然會變大，所以為了防止往旁邊的副畫素混色，高精度地形成各副畫素之圖案，堤20之形成是有效的。

此外，作為堤20的圖案形狀，有於各副畫素(約略對應於各色的彩色濾光片16(R、G、B)支配設位置的區域)劃分出的狹縫圖案，及於彩色濾光片16(R、G、B)之各條線劃分出的狹縫圖案。為了不妨礙填充密封材的擴展，且防止往旁邊的副畫素混色，最好是採用狹縫圖案形狀。

此處，於圖1A～圖1C所示之例，形成後述之間隔件22之堤(於圖1C，係由右起第2個堤)與其他堤相比，側方向剖視係往水平方向伸出的形狀。藉此，於側方向剖視，藉由於水平方向上形成寬幅較寬的作為底座之堤，可以提高間隔件22的形狀精度。

堤20的形成，可以光及/或熱處理光硬化性或者光熱併用型硬化性樹脂，使產生自由基種或離子種而使其聚合或架橋，而使其變成不溶不融。此外，該光硬化性或光熱併用型硬化性樹脂，為了進行圖案化在進行硬化之前最好成為對有機溶媒或鹼性溶液為可溶性。

於圖1A～圖1C所示之變色濾光片基板10a，可以作為堤20的材料使用的光硬化性或光熱併用型硬化性樹脂，具體而言，可以舉出以下幾種。亦即，可以舉出(1)光處理或熱處理複數具有烯丙基或甲基烯丙基的壓克力系多官能基單體及寡聚體，與由光或熱聚合開始劑所構成的組成物膜，使產生光自由基或熱自由基而聚合者，(2)藉由光或熱處理聚乙烯桂皮酸酯與增感劑所構成的組成物使二聚化而架橋者，(3)藉由光或熱處理使鏈狀或環狀烯烴與雙疊氮基所構成的組成物膜使產生氮烯(nitrene)，而與烯烴架橋者，以及(4)藉由光或熱處理具有環氧基的單體與光氧產生劑所構成的組成物膜，使產生酸(陽離子)而使聚合者等等。

特別是，前述(1)之光硬化性或光熱併用型硬化性樹脂可進行高精細的圖案化，在耐溶劑性、耐熱性等可信賴性的方面也較佳。

其他，也可以使用聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚碸、聚乙烯醇、聚苯醚、聚醯胺、聚醚亞醯胺、降冰片烯系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、異丁烯吳水馬來酸共聚合樹脂、環狀烯烴系等之熱塑性樹脂，環氧樹脂、苯酚樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、丙烯酸樹脂、乙烯基酯樹脂、醯亞胺系樹脂、胺甲酸乙酯系樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺[甲醛]樹脂等之熱固性樹脂，或者聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等含有3官能基或4官能基之烷氧基矽烷的高分子混合物等。

以上，係前述型式1的變色濾光片基板之堤20的型態，在側方剖視，針對水平方向伸出的堤的部分，可作為與堤20不同的構件來形成，特別是使該伸出部延伸至鄰接的堤，結果也可以使伸出部作為埋入構件而形成，作為前述型式2的型態。

關於這樣的埋入構件的形成材料，及形成方法等各條件，係與堤20之各條件為相同條件或者依據此之條件，特別是，同時形成堤20與埋入構件，從經濟性的觀點來看是較佳的。

此外，作為埋入構件使用的場合，光硬化性樹脂或光熱併用硬化性樹脂之硬化後之對波長區域350～500nm之光的折射率，最好至少比1.5更大。如此般，藉由使用折射率更高的材料，提高往變色濾光片基板之來自有機電致發光元件基板的光的入射效率。

進而，埋入構件，最好是在側方剖視時，含有10μm以上對堤上面而言為-1～+1μm之平坦部。這樣的場合，於產生光蝕刻導致圖案位置偏移的場合，也可以提高間隔件22的形狀精度。

其次，前述之堤20，如在圖2A～圖2C所示之例那樣，最好是著色其外周部分。亦即，圖2A～圖2C係顯示本發明之變色濾光片基板之其他例之圖，圖2A為其平面圖，圖2B為圖2A之IIB-IIB線剖面圖，圖2C為圖2A之IIC-IIC線剖面圖。這些之圖所示的變色濾光片基板10b之各構成要素12～26之使用材料及形成條件等，與前述之末著色的場合之變色濾光片基板(10a)(圖1A～圖1C)之材料與條件是相同的。

在圖2A～圖2C所示之例，除了圖1A～圖1C所示之例的構成以外，還有堤20的側方及上方之各外周部被著色，藉此形成堤著色部20a。

此著色，使堤20之可見區域的透過率減低，係以抑制往鄰接的其他副畫素漏光導致的色度降低為目的而形成的部分。

這樣的堤著色部20a的著色，可以藉由使顏料或染料分散於透明的堤材料，或者於堤20覆蓋被著色之膜而進行。使顏料或染料分散於堤材料，減少製造步驟數從經濟的觀點來看是較佳的。

例如，於前述著色，可以採用滿足使可見區域的透過率降低而抑制色度減低之色，特別是採用黑色，使堤20之可見區域的透過率為10%以下為較佳。

(光間隔件22)

一般而言，把變色濾光片基板使用於頂放射型之有機EL顯示器的場合，貼合有機EL基板(例如，TFT基板)與變色濾光片基板形成該顯示器。

此時，於精密控制有機EL基板與變色濾光片基板之貼合時之間隙的場合，有在彩色濾光片或變色膜之上，或者於其周圍設間隔件的情形。這在間隙太大的場合，光會侵入旁邊的副畫素發生串訊的問題，另一方面，太窄的場合，會產生干涉的影響或是發生往發光區域的機械接觸。

特別是在圖1A～圖1C所示的變色方式之有機EL顯示器，入射至變色膜24(R、G)的光量對變色效率影響很大，所以根據間隔件22之間隙控制變得重要。

間隔件22的形狀，可以是寬幅10μm前後的圓形，矩形或順應這些之形狀，使其成為不影響填充樹脂往與堤20直交的方向(圖1B、圖1C之水平方向)擴展的形狀是很重要的。此外，為了使光不侵入旁邊的副畫素產生串訊，有必要使堤20與間隔件22分別之單體重疊形成的間隙在10μm以下，而且被形成於堤20上的間隔件22的高度最好在1～3μm程度。

進而，要不妨礙填充樹脂往與堤20直交的方向擴展，且在顯示器的面板面內貼合使間隙確保為一樣，最好是在彩色濾光片16(R、G、B)或者變色膜24(R、G)之上，或其周圍離散地形成間隔件為較佳。具體而言，每1畫素(每3個副畫素)形成1個間隔件22的程度是較佳的。

然而，對顯示部(畫素部)以10～20%之比例離散地形成的堤20上塗佈間隔件22的場合，特別是隨著畫素部的精細度變高，對堤20的寬幅10～15μm間隔件22的寬幅為10μm前後，這些的大小變得非常接近。因此，在堤20上引起間隔件22伸出等位置偏移的場合，間隔件22的高度會產生不均，所以有必要提高光罩的位置對準精度。

間隔件22的形成，可以光及/或熱處理光硬化性或者光熱併用型硬化性樹脂，使產生自由基種或離子種而使其聚合或架橋，而使其變成不溶不融。此外，該光硬化性或光熱併用型硬化性樹脂，為了進行圖案化在進行硬化之前最好成為對有機溶媒或鹼性溶液為可溶性。

一般而言，間隔件22係散佈玻璃珠等而形成的。在這樣的形成態樣，通常堤20與彩色濾光片16(R、G、B)之高度不同，而且間隔件22係不經意地被配置於堤20上或彩色濾光片16(R、G、B)上。因此，彩色濾光片16(R、G、B)比堤20還要低的場合，被配置於彩色濾光片16(R、G、B)上的間隔件22的高度變得比較小。特別是在採用變色方式的有機EL顯示器，入射至變色膜的光量對變色效率影響很大。因此，必須精密地根據間隔件來控制間隙，必須要使間隔件22保持於同一高度。亦即，作為間隔件22，以使用能夠以光蝕刻法形成的材料是比較好的。

於圖1A～圖1C所示之變色濾光片基板10a，可以作為光間隔件22的材料使用的光硬化性或光熱併用型硬化性樹脂，具體而言，可以舉出以下幾種。亦即，可以舉出(1)光處理或熱處理複數具有烯丙基或甲基烯丙基的壓克力系多官能基單體及寡聚體，與由光或熱聚合開始劑所構成的組成物膜，使產生光自由基或熱自由基而聚合者，(2)藉由光或熱處理聚乙烯桂皮酸酯與增感劑所構成的組成物使二聚化而架橋者，(3)藉由光或熱處理使鏈狀或環狀烯烴與雙疊氮基所構成的組成物膜使產生氮烯(nitrene)，而與烯烴架橋者，以及(4)藉由光或熱處理具有環氧基的單體與光氧產生劑所構成的組成物膜，使產生酸(陽離子)而使聚合者等等。

又，間隔件22，於其材料塗佈時，只要不會藉由堤20而產生膜彈起及/或膜剝離的話，可以採與堤20相同的材質，也可採不同的材質。

(變色膜24(R、G))

變色膜24(R、G)係發揮吸收來自光源的光，而發出不同的波長分布的螢光之功能的構成要素。

作為可以適用於變色膜24(R、G)的材料，可以舉出螢光色素，如Alq₃ (三(8-羥基喹啉)鋁錯體)等鋁螯合物系色素，3-(2-Benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin(香豆素6)、3-(2-Benzimidazolyl)-7-(diethylamino)coumarin(香豆素7)、香豆素135等香豆素系色素，溶劑黃43、溶劑黃44之類的萘二甲亞醯胺(naphthalimide)系色素之類的低分子系之有機螢光色素，聚苯撐、聚醯胺、聚芴為代表的高分子螢光材料。

此外，因應必要也可混合複數這些色素而使用。這樣的混合手段，係在由藍色往紅色變換時等，波長移位寬幅很寬的場合是有效的手段。

於圖1A～圖1C所示的變色濾光片基板之形成，變色膜24(R、G)係藉由噴墨法形成。因此，圖案化時有必要把這些螢光材料調製成油墨，具體而言係使前述的螢光材料溶解至溶媒。

作為溶媒，係可以溶解螢光材料者之中，可以適當選擇適合於使用螢光材料者。例如，可以使用甲苯等非極性有機溶媒、氯仿、醇、酮系等極性有機溶媒等。在調整油墨的黏度、蒸氣壓、及/或溶解性的場合，最好是混合複數種溶媒而使用。

(障壁層26)

障壁層26，係在如前所述圖案化的變色膜24(R、G)是由於水及/或氧氣的存在而劣化的物質的場合下，防止水等往變色層24(R、G)之浸入，使其性能安定之用而配設的構成要素。

作為障壁層26的材料，可以使用對氣體及/或有機溶劑具有障壁性，可見區域的透明性很高(在400～700nm之範圍的透過率為50%以上)者。例如，可以使用SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx、ZnOx等無機氧化物、無機氮化物等。

作為障壁層26的形成方法，可以使用濺鍍法、CVD法、真空蒸鍍法等，要避免對變色膜24(R、G)的損傷，以使用可在100℃以下的低溫下實施，而且粒子所具有的能量比較弱的CVD法較佳。

<有機EL顯示器及其製造方法>

其次，針對使用了前述變色濾光片基板10a，10b(不使堤20著色的場合與著了色的場合之任一)之有機EL顯示器一併記述。

有機EL顯示器，係貼合變色濾光片基板與有機EL基板而形成的。

[變色濾光片基板及其製造方法]

關於變色濾光片基板及其製造方法，如前所述，例如，把圖1A～圖1C及圖2A～圖2C所示的基板依照前述各條件等而形成。

[有機EL基板及其製造方法]

如圖3所示，有機EL基板30，係於基板32，依序形成開關元件34、平坦化層36、反射電極38、絕緣層40、有機EL膜42、透明電極44、及無機障壁層46之層積體。

以下，依該層積順序(由圖3的下側起依序)說明有機EL基板30的各構成要素32～46。

(基板32)

有機EL顯示器，係貼合前述之變色濾光片基板10a，10b、與有機EL基板者，由變色濾光片10a，10b側取出光線的裝置。因此，有機EL基板之基板32不必要是透明的。例如，可以使用鋁等金屬材料、玻璃、石英等非晶質基板，及樹脂等透明或半透明材料。或者，也可以使用Si、GaAs等結晶性基板之類的不透明材料。進而，除了玻璃等以外，也可以使用氧化鋁等陶瓷、不銹鋼等金屬片上施以表面氧化等之絕緣處理的材料、苯酚樹脂等熱硬化性樹脂，及聚碳酸酯等熱塑性樹脂等。

(開關元件34)

於基板32上，被形成複數之開關元件、以及供使這些連接至外部驅動電路之用的配線及外部接續端子部分。

開關元件34，例如可以為薄膜電晶體元件(TFT元件)，係把閘極電極設於閘極絕緣膜之下的底閘極型式，作為主動層可以是使用多晶矽膜之構造體。具體而言，可以使用從前的多晶矽之TFT元件。

又，TFT元件，係於各畫素之端部且為後述的反射電極38上，以可透過未圖示的配線電極來連接的方式形成。形成方法，亦可使用習知的任何一種方法。TFT元件的尺寸為10～30μm程度較佳。亦即，畫素的尺寸，通常為20μm×20μm～300μm×300μm程度。

(平坦化層36)

平坦化層36，係以覆蓋開關元件34的方式形成的任意選擇的構成要素。

平坦化層36，可以採用於該項技術領域已知的任意樹脂以任意方法來形成。

(鈍化層)

於圖3雖未顯示，但為了防止由形成平坦化層36的樹脂產生的氣體之擴散，於平坦化層36上任意選擇地配設鈍化層亦可。

鈍化層，可以是單一層，也可以是由複數之層所構成的層積體。鈍化層，可以由無機氧化物(SiO₂ 等)、無機氮化物(SiN等)、及無機氧氮化物(SiON等)等來形成。鈍化層，可以藉由濺鍍法、CVD法等來形成。

又，於平坦化層36及鈍化層，設置供連接開關元件34與後述之反射電極38之用的複數接觸孔是很重要的。接觸孔的形成，可以使用乾蝕刻等方法。

(下底層)

於圖3雖未圖示，但亦可配設供保證開關元件34與反射電極38的密接性之下底層。下底層，可以使用IZO、ITO等導電性氧化物，藉由濺鍍法等來形成。下底層，可以使用濕式蝕刻等方法，對構成反射電極38的複數之部分電極分割為1對1對應的複數部分而形成。

(反射電極38)

反射電極38，可以使用高反射率的金屬(Al、Ag、Mo、W、Ni、Cr等)或者包含這些的合金，非晶質合金(NiP、NiB、CrP、CrB等)，或者是微結晶性合金(NiAl等)來形成。

反射電極38，可以由與複數之開關元件34為1對1對應的複數之部分電極來構成，分別之部分電極區劃出發光部。

於圖3所示之例，構成反射電極38的分別的發光部係作為長方形的區域而被構成的。反射電極38，可以在藉由平坦化層36與鈍化層所區劃的區域，藉由使用遮罩的乾式製程(蒸鍍法，或濺鍍法等)，來部分地形成。此外，反射電極38，在平坦化層36的全面堆積前述材料後藉由濕式蝕刻等方法分割為複數之部分而形成亦可。

(間隙層)

在反射電極38與後述之有機EL層42之間，任意選擇性地形成在圖3未圖示的間隙層亦可。間隙層，與下底層同樣，可以使用IZO、ITO等導電性氧化物，藉由濺鍍法等來形成。

間隙層，可以使用濕式蝕刻等方法，對構成反射電極38的複數之部分電極分割為1對1對應的複數部分而形成。形成下底層與間隙層雙方的場合，以使用相同材料形成這些層為較佳。此外，在此場合，同時處理下底層及間隙層而往複數的部分進行分割是比較簡便的所以更佳。

(絕緣層40)

為了防止構成反射電極38的複數部分電極間之短路，於反射電極38間設置絕緣層40亦可。絕緣層40，如圖3所示，在相當於發光部的位置以區畫出開口部的方式形成。

絕緣層40覆蓋住反射電極38的一部份的場合，以在反射電極38之未被絕緣層覆蓋的區域(由反射電極38往有機EL層42進行載子注入的區域，亦即，發光部)成為長方形的方式來形成為較佳。

絕緣層40，可以使用樹脂、無機氧化物(SiO₂ 等)、無機氮化物(SiN等)、無機氧氮化物(SiON等)之絕緣性材料來形成。絕緣層40的圖案化，可以使用於光蝕刻法等之該項技術已知的任意的方法來進行。

(陰極緩衝層)

把反射電極38作為陰極(電子注入電極)使用的場合，亦可任意選擇地，在反射電極38或間隙層，與後述之有機EL層42之間，配設供提高電子注入效率之用的陰極緩衝層。作為陰極緩衝層的材料，可以使用Li、Na、K、Cs等鹼金屬、Ba、Sr等之鹼土金屬、或者包含這些的合金、稀土類金屬、或者這些金屬的氟化物等。然而，並不限定於前述之材料。陰極緩衝層的膜厚，可以考慮驅動電壓等而適宜選定，通常，以10nm以下較佳。

(有機EL膜42)

有機EL膜42，係層積正孔注入層、正孔輸送層、有機發光層、電子輸送層、及電子注入層等之複數之層而成，可以使用於基板全面開口了畫素區域的蒸鍍遮罩，藉由真空蒸鍍法依序形成各層。以下，顯示例示之有機EL膜42的構成，同時也顯示配置於其兩側的陽極(反射電極38)以及陰極(透明電極44)。

(1)陽極/有機發光層/陰極

(2)陽極/正孔注入層/有機發光層/陰極

(3)陽極/有機發光層/電子注入層/陰極

(4)陽極/正孔注入層/有機發光層/電子注入層/陰極

(5)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機發光層/電子注入層/陰極

有機EL膜42之各層的材料，並沒有特別限定，可以使用習知之任何材料。

於正孔注入層，可以使用鈦菁(phthalocyanine)(Pc)類(包含銅鈦菁(CuPc)等)或者陰丹士林(indanthrene)系化合物等。

於正孔輸送層，可以使用三芳香胺(triarylamine)部分構造、咔唑(carbazole)部分構造、或者噁二唑(oxadiazole)部分構造之各材料(例如，TPD、α-NPD、PBD、m-MTDATA等)。此外，也可以使用於這些之中摻雜F4-TCNQ等路易士酸化合物之材料。

於有機發光層，可以因應所要的色調而適當選擇材料。

為了得到藍色至藍綠色的發光，可以使用苯並噻唑(benzothiazole)系、苯並咪唑(Benzimidazole)系、苯並惡唑(benzoxazole)等螢光增白劑，金屬螯合化氧正離子(oxonium)化合物、乙烯苯撑(styryl benzene)系化合物、芳香族二亞甲基系化合物等。

具體而言，於宿主材料添加摻雜物，可以形成有機發光層。

作為宿主材料，可以使用鋁螯合物，4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl、2,5-bis(5-tert-butyl-2)-Benzoxazol-thiophene(BBOT)、聯苯(DPVBi)。

作為藍色摻雜物，可以添加0.1～5%之苝(perylene)、2,5,8,11-tetra(t-butyl)-perylene(TBP)、4,4'-bis[2-(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)vinyl]biphenyl(DPAVBi)等。

作為紅色摻雜物，可以添加0.1～5%之4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran、4,4-difluoro-1,3,5,7-tetraphenyl-4-bora-3a,4a,-diaza-s-indacene(機械翻譯自日本特許廳網站)、propanedinitolyl(DCJT1)(機械翻譯自日本特許廳網站)、尼羅紅等。

作為電子輸送層，可以使用Alq₃ (三(8-羥基喹啉)鋁錯體)，亦可於此摻雜鋰等之鹼金屬者。

作為電子注入層，可以使用Alq₃ 之類的鋁錯體、摻雜鹼金屬或鹼土類金屬的鋁錯體、或者添加鹼金屬或鹼土類金屬的二苯基二氮雜菲(Bathophenanthroline)等。進而，也可使用氟化鋰。

(損傷緩和層)

有機EL層42與後述之透明電極44之間，任意選擇性地配設損傷緩和層亦可。損傷緩和層，係在藉由濺鍍法形成透明電極44時，防止或者是緩和有機EL層42受到損傷之構成要素。損傷緩和層可以使用MgAg或Au等透過率高的金屬藉由蒸鍍法形成。此外，為了保證透明性，損傷緩和層，最好是數nm～10nm程度之膜厚。

(透明電極44)

形成於有機EL膜42上的透明電極44，例如可以藉由蒸鍍法、濺鍍法等形成緩衝層，於其上進而形成透明電極材料之金屬氧化物而形成之。透明電極44，被均一地形成於顯示部全面，作為共通電極發揮功能。

作為緩衝層，可以使用鋰、鈉、或者鉀等鹼金屬、鈣、鎂或者鍶等鹼土類金屬，或者由這些的氟化物等所構成的電子注入性金屬，與其他金屬的合金，或者化合物。

為了提高電子注入性，最好使用如前述之工作函數很小的材料。緩衝層的膜厚，可以考慮驅動電壓及透明性等而適宜選定，但特別以在10nm以下較佳。

作為金屬氧化物，可以舉出ITO、氧化錫、氧化銦、IZO、氧化鋅、鋅鋁氧化物、鋅鎵氧化物，或者對這些氧化物添加F、Sb等摻雜物之導電性透明金屬氧化物。該氧化物，可以使用濺鍍法或CVD法來形成，但以使用濺鍍法形成較佳。

(無機障壁層46)

為了防止有機EL層42之由於氧氣或水分導致失去活性，如圖3所示，以覆蓋形成於基板32上的各構成要素34～44的方式，任意選擇性地配設無機障壁層46亦可。

無機障壁層46，可以是單一層，亦可係由複數之層所構成的層積體。無機障壁層46，可以由無機氧化物(SiO₂ 等之SiOx)、無機氮化物(SiN等之SiNx)、及無機氧氮化物(SiON等之SiOxNy)等來形成。無機障壁層46，可以使用濺鍍法、CVD法等來形成。

如以上所述地進行，使用複數之開關元件34，可以得到使用由複數之部分電極所構成的反射電極38與作為共通電極之一體型透明電極44的主動矩陣驅動型之有機EL基板。此有機EL基板，如後述般，係與圖1A～圖1C及圖2A～圖2C所示的變色濾光片基板10a，10b貼合而形成有機EL顯示器之構成要件。

對此，於本發明，替代如前所述的主動矩陣驅動型之有機EL基板，不使用複數之開關元件，而使用延伸於第1方向的複數條紋狀部分電極所構成的反射電極，及延伸於第2方向之複數之條紋形狀部分電極所構成的透明電極而構成的所謂被動矩陣驅動型之有機EL基板，作為有機EL顯示器的構成要素亦可。又，前述之第1方向係與第2方向交叉的方向，較佳者為直交的方向。

[變色濾光片基板與有機EL基板之貼合及有機EL顯示器]

如前述般形成的，使變色濾光片基板10a或10b，與主動矩陣驅動型或被動矩陣驅動型有機EL基板，以障壁層26(圖1A～圖1C或圖2A～圖2C)與無機障壁層46(圖3)對向的方式重合。具體而言，在乾燥氮氣氛圍(氧氣及水分濃度都在10ppm以下)之手套箱內，導入這兩個基板。接著，使由紫外線硬化型樹脂所構成的未圖示的密封材配至於這些基板之各端部間，得到有機EL顯示器。

如以上所述進行而形成的有機EL顯示器，係把發揮優異的變色效率之變色濾光片基板，適用於大畫面顯示器者。此外，根據前述形成方法，可以進行低成本之量產。

[實施例1]

以下，在實施例1，實證堤往水平方向伸出之根據前述型式1的變色濾光片基板之效果。

<有機EL顯示器之形成> [本發明例1] (變色濾光片基板之形成)

本發明例1之變色濾光片基板，為圖1A～圖1C所示的形式之基板10a。

《對基板12之黑矩陣14的形成》

於玻璃(Eagle2000：康寧公司製造)上，以光蝕刻法形成黑矩陣(CK-7001：富士軟片公司製造)。副畫素間的間隙為縱方向30μm、橫方向10μm。開口的尺寸為300μm×100μm，每1畫素間距為330μm。

《彩色濾光片16(R、G、B)的形成》

於形成黑矩陣的玻璃上，使用紅色濾光片(CR-7001：富士軟片公司製造)、綠色濾光片(CG-7001：富士軟片公司製造)、藍色濾光片(CB-7001：富士軟片公司製造)，以光蝕刻法形成彩色濾光片。各層的膜厚分別為1μm。形成的彩色濾光片的寬幅尺寸為106μm，各色之彩色濾光片係形成為條紋圖案。

《親液層18的形成》

以電漿CVD裝置，使用作為原料氣體之單矽烷(SiH₄ )、氨(NH₃ )以及氮氣(N₂ )，以電漿CVD法，形成膜厚300μm的氮化矽(SiN)。

《堤20的形成》

使用丙烯酸系樹脂VPA100(新日鐵化學製造)，以光蝕刻法於彩色濾光片的條紋圖案的兩側形成堤。堤的寬幅為10μm，由彩色濾光片表面起算的高度為5μm。此時，於藍色濾光片線下部之30μm寬幅的黑矩陣線上，側面剖視，同時形成縱25μm×橫20μm之伸出部。

《間隔件22的形成》

使用丙烯酸系樹脂VPA100(新日鐵化學公司製造)，以光蝕刻法以在1個畫素配設1個的方式，以330μm的間隔，形成平面俯視為Φ7μm之點狀圖案之間隔件。間隔件的高度，以由堤表面起成為1.5μm的方式調整旋轉塗佈機的旋轉數，在藍色彩色濾光片線上部之30μm寬幅的黑矩陣線上形成的堤伸出部之上形成間隔件。

《表面處理》

變色膜之形成前，先流以2000SCCM之N₂ 氣體進行施加電力為0.5kW，120秒鐘之電漿處理。其後接著於1小時內進行後述之變色膜的形成。

《變色膜24(R、G)的形成》

綠色變換膜，係進行如以下所述而形成。亦即，調整甲苯1000重量部，第1色素：香豆素6+第2色素：DEQ50重量部(莫耳比為香豆素6：DEQ=48：2)之油墨，使用噴墨裝置(Litrex製造之Litrex120L)，在氮氣氛圍中製作膜厚500nm的綠色變換膜。油墨的乾燥，係不破壞氮氣氛圍地使用真空乾燥爐，在真空度1.0×10^-3 Pa溫度100℃下進行的。

紅色變換膜，係進行如以下所述而形成。亦即，調整甲苯1000重量部，第1色素：香豆素6+第2色素：DCM50重量部(莫耳比為香豆素6：DCM=48：2)之油墨，使用噴墨裝置(Litrex製造之Litrex120L)，在氮氣氛圍中製作膜厚500nm的紅色變換膜。油墨的乾燥，係不破壞氮氣氛圍地使用真空乾燥爐，在真空度1.0×10^-3 Pa溫度100℃下進行的。

《障壁層26的形成》

不破壞真空，使用電漿CVD裝置，使用作為原料氣體之單矽烷(SiH₄ )、氨(NH₃ )以及氮氣(N₂ )，以電漿CVD法，堆積膜厚1μm的氮化矽(SiN)而形成障壁層。此處，堆積SiN時基板溫度在100℃以下。

如以上所述地進行，得到本發明例1之變色濾光片基板10a。

(有機EL元件基板之形成)

本發明例1之有機EL元件基板，為圖3所示的型式之基板30。

《對基板32之TFT元件34、配線、外部接續端子、平坦化層36、及鈍化層之形成》

200×200mm×厚度0.7mm之無鹼玻璃板上之相當於6個獨立的副畫素的位置，形成TFT元件(開關元件)、配線及外部接續端子部分，以覆蓋這些的方式形成具有2μm的膜厚的平坦化層、及300nm膜厚的SiNx鈍化層。此處，於平坦化層及鈍化層，形成供連接TFT元件與反射電極之用的接觸孔。

《下底層，及反射電極38的形成》

其次，使用RF平面磁控管濺鍍裝置，在氬氣氛圍中，形成膜厚100nm的IZO膜(下底層)。

接著，以濺鍍法，形成膜厚100nm的鋁層。進而，使用藉由光阻劑「OFRP-800」(東京應化工業(股)製造)形成的遮罩，濕式蝕刻鋁層，形成由複數之部分構成的反射電極。反射電極之複數部分之各個，中介著IZO膜同時透過被設於平坦化層及鈍化層的複數接觸孔，1對1地連接於開關元件之TFT元件。反射電極的複數部分之分別的尺寸，為縱方向280μm及橫方向90μm。

《間隙層的形成》

以濺鍍法，以覆蓋反射電極的方式，形成膜厚50nm的IZO膜(間隙層)。接著，統括2個IZO膜藉由進行濕式蝕刻，形成反射電極下的下底層及反射電極上之間隙層。下底層及間隙層，係由被形成於對應於反射電極的複數部分的位置之複數部分所構成，複數部分之分別的尺寸為縱方向300μm、橫方向100μm。

《絕緣層40的形成》

使用濺鍍裝置，形成300nm作為畫素分離膜之SiO₂ 膜(絕緣層)。那時候的條件，作為標靶使用單晶矽，同時作為濺鍍氣體使用氬氣與氧氣之分壓比為1對1之濺鍍氣體，功率為2.5kW，氣體分壓為0.5Pa。

接著，塗佈正型光阻(東京應化工業(股)製造：TFR-1250)，使用特定圖案的遮罩，進行曝光、顯影，形成光阻圖案。

進而，使用ICP電漿型乾式蝕刻裝置，流以SF₆ 氣體：100SCCM、CHF₃ 氣體：100SCCM、Ar氣體：250SCCM，在氣體分壓20Pa、附加電力1500W的條件下進行蝕刻。其後，在前述裝置流以O₂ 氣體：500SCCM，在40Pa、施加電力2kW之下，進行灰化除去光阻，在覆蓋對應於反射電極的複數部分的間隙層以下的構造之位置，得到縱方向260μm、橫方向86μm之具有複數開口部的絕緣層。

《陰極緩衝層、及有機EL層42的形成》

把如以上所述得到的層積體配置於蒸鍍裝置內，層積陰極緩衝層及有機EL層。以不破壞真空的方式，依序形成膜厚1.5nm的鋰所構成的陰極緩衝層、膜厚20nm之三(8-羥基喹啉)鋁(Alq₃ )所構成的電子輸送層、膜厚30nm的4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)biphenyl(DPVBi)所構成的有機發光層、膜厚10nm之4,4'-bis[N-(1-naphtl)-N-phenylamino]biphenyl(α-NPD)所構成的正孔輸送層，及膜厚100nm之銅鈦菁(CuPc)所構成的正孔注入層。於這些層之成膜時，使蒸鍍裝置內的真空槽的內壓減壓至1×10^-4 Pa，使分別的層以0.1nm/s的蒸鍍速度堆積。

《透明電極44的形成》

接著，以不破壞真空地形成有機EL層之層積體移動至對向濺鍍裝置，使用濺鍍法形成具有150nm膜厚的IZO膜，得到透明電極。

《無機障壁層46的形成》

進而，把不破壞真空形成透明電極的層積體移動至CVD裝置，跨全面使堆積膜厚2μm之SiN膜而形成無機障壁層。

如以上所述進行，得到有機EL元件基板。

(變色濾光片基板10a與有機EL基板30之貼合)

使如以上所述進行而得到的變色濾光片基板與有機EL基板，移動至內部氧濃度被控制在5ppm以及水分濃度被控制在5ppm以下之貼合裝置。接著，使處理面(被形成變色濾光片膜之面)成為上側的方式設置變色濾光片基板，使用分配器於複數之顯示部之分別的外周，以無縫的方式塗佈環氧系紫外線硬化黏接劑而形成年階層。接著，於各顯數部的中央之一點，滴下黏度比黏階層用的紫外線硬化型環氧系黏接劑更低的熱硬化型環氧樹脂黏接劑。

接著，使處理面(形成有機EL層等之面)朝下的狀態下設置有機EL元件基板，使處理面彼此對向。在此狀態，使貼合裝置內減壓至約10Pa程度，使有機EL元件基板及變色濾光片接近至約20μm之間隔。使用貼合裝置的對準機構，進行兩基板的位置對準。

接著，使貼合裝置內回到大氣壓，對兩基板，在朝這些基板接近的方向上施加荷重。於此階段，隨著裝置內的壓力變化兩基板更為接近，在變色濾光片基板上之堤接觸於有機EL基板的時間點停止接近。伴隨著兩基板的接近，被滴下的填充劑朝向顯示部的周緣部移動，全方位地擴開而填充顯示部全體。

接著，由變色濾光片基板側僅對黏接層照射紫外線而使黏接層暫硬化，取出至一般環境。使用自動玻璃劃線器及破裂裝置，使所得到的貼合物，分割為6個獨立的有機EL顯示器。

把得到的有機EL顯示器，跨1個小時在加熱爐中加熱至80℃，實施填充劑的硬化、及黏接層的正式硬化。加熱步驟結束後，把有機EL顯示器跨30分鐘在爐內自然冷卻而取出。最後，把有機EL顯示器配置於乾蝕刻裝置內，除去覆蓋外部接續端子的障壁層。

如以上所述地進行，得到本發明例1之有機EL顯示器。

[本發明例2]

於本發明例2，變色濾光片基板為圖2A～圖2C所示的型式之基板10b，有機EL元件基板為圖3所示的型式之基板30。

與本發明例1同樣，進行彩色濾光片、新液層、變色層、障壁層等的形成。此外，與本發明例1同樣也形成有機EL基板。

又，堤的寬幅為8μm，由彩色濾光片表面起算的高度為3.5μm。於其上以堤著色部(CK-7001：富士軟片公司製造)進行1.5μm之覆蓋。結果，堤著色部之覆蓋後的堤全體的寬幅成為10μm。針對間隔件係在堤形成後，進行塗布於堤上以成為1.5μm的厚度的方式形成。

如以上所述地進行，得到本發明例2之有機EL顯示器。

[比較例1]

於比較例1，變色濾光片基板為圖4A～圖4C所示的基板10c，有機EL元件基板為圖3所示的型式之基板30。亦即，與本發明例1同樣，進行彩色濾光片、新液層、變色層、障壁層等的形成，得到變色濾光片基板，與本發明例1同樣也形成有機EL基板，將這些貼合，得到比較例1之有機EL顯示器。

又，圖4A～圖4C所示的變色濾光片基板10c之構成要素12～26，與顯示於圖1A～圖1C的變色濾光片基板10a之對應的構成要素是相同的。

但是，於比較例1之變色濾光片基板10c，堤的形成，不形成伸出部，為單純的條紋圖案。進而，針對間隔件係在堤形成後，進行塗布於堤上以成為1.5μm的厚度的方式形成。

如以上所述地進行，得到比較例1之有機EL顯示器。

<評估項目> (關於填充樹脂的括開之貼合評估)

針對各本發明例1、2及比較例1之變色濾光片基板之各個，進行關於填充樹脂的擴開的評估。

把各例之變色濾光片基板移動至貼合裝置，使變色濾光片基板之處理面朝上地設置，使用分配器把環氧系紫外線硬化黏接劑無縫地塗佈，形成所謂的堤。接著，於畫面中央附近滴下低黏度(300mPa‧s)的熱硬化型環氧黏接劑。作為滴下裝置，使用空氣壓控制加注射器(syringe)之分配器系統。

進而，假設有機EL基板，把玻璃(Eagle2000：康寧)，在使變色濾光片基板與處理面彼此對向的狀態，減壓至約10Pa程度後使接近至約20μm，配合進畫素位置後回到大氣壓而附加些許的荷重。

接著，由變色濾光片基板側僅對外周密封材黏接部照射紫外線使其暫硬化。其後，將此放入加熱爐在95℃加熱1小時，在爐內自然冷卻30分鐘而取出後，評估氣泡之混入數目以及填充樹脂的擴展。

又，針對各例，於進行密封的各10基板合計60片面板，關於熱硬化性環氧黏接劑的突出不良及發光部之氣泡的混入之發生數的評估結果顯示於表1。

(混色評估)

針對各本發明例1、2及比較例1之有機EL顯示器之各個，使用柯尼卡美能達製造之CS1000，以配合於白色D65的RGB各色之色度座標之平均值進行評估。其結果併記於表1。

根據表1，於本發明例1、2，確認了氣泡的混入，但該混入與比較例1為同程度，經判定本發明例1、2與比較例1之填充樹脂的擴展沒有差異。

此外，應該是在本發明例1，與比較例1相比藉由抑制貼合的參差不齊(突出不良)而擴展色再現範圍，在本發明例2，可以防止來自鄰接畫素的光的進入，進而擴展色再現範圍。

由以上，於本發明的範圍內之本發明例1、2，於根據噴墨法之變色濾光片基板的形成，可說是與比較例相比實現了同等的樹脂填充性，而且可以形成富於色再現性的辨色濾光片基板。

[實施例2]

以下，在實施例2，針對於堤間被配設埋入構件的前述型式2的變色濾光片基板之效果進行實證。

<變色濾光片基板之形成> [本發明例3] (變色濾光片基板之形成)

本發明例3之變色濾光片基板為圖5所示的型式之基板10d。

又，圖5所示的變色濾光片基板10d之構成要素12～26，與顯示於圖1A～圖1C的變色濾光片基板10a之對應的構成要素是相同的。又，在圖5所示之例，在藉由堤20與藍色濾光片16B所區劃的區域，被形成埋入構件28，進而於其上被形成間隔件22這一點，與圖1A～圖1C所示之例不同。又，在本例，堤20與埋入構件28係同時以相同材料形成的，所以成為一體的構造，於圖5，為了強調這些構件20、28為不同物，而在其邊界賦予虛線。

《對基板12之黑矩陣14、彩色濾光片16(R、G、B)的形成》

於1737玻璃上，使用黑矩陣(CK-7001：富士軟片公司製造)，紅色濾光片(CR-7001：富士軟片公司製造)、綠色濾光片(CG-7001：富士軟片公司製造)、及藍色濾光片(CB-7001：富士軟片公司製造)，以光蝕刻法形成彩色濾光片。各層的膜厚分別為1μm。形成的彩色濾光片之副畫素的尺寸為300μm×100μm，副畫素間之間係為縱方向30μm、橫方向10μm。各色之彩色濾光片係形成為條紋圖案。

《親液層18的形成》

使用電漿CVD裝置，作為原料氣體用單矽烷(SiH₄ )、氨(NH₃ )以及氮氣(N₂ )，以電漿CVD法，堆積膜厚300μm的氮化矽(SiN)。

《堤20及埋入構件28的形成》

使用丙烯酸系樹脂V259PAP5(新日鐵化學製造)，以光蝕刻法於紅色濾光片(CR-7001：富士軟片公司製造)、綠色濾光片(CG-7001：富士軟片公司製造)的兩側，形成條紋圖案狀之寬幅10μm、厚度5μm之堤。於藍色濾光片(CB-7001：富士軟片公司製造)之上，與堤統括形成埋入構件。

《光間隔件22的形成》

使用丙烯酸系樹脂V259PAP5(新日鐵化學製造)，於被形成在藍色濾光片上的埋入構件之上，以1畫素配設1個的方式以300μm的間隔，平面俯視Φ7μm的點狀圖案形成厚度2μm之光間隔件。

《表面處理》

變色膜之形成前，先流以2000SCCM之N₂ 氣體進行施加電力為0.5kW，120秒鐘之電漿處理。其後接著於1小時內進行變色膜的形成。

《變色膜24(R、G)的形成》

針對綠色變色膜，調整甲苯1000重量部，第1色素：香豆素6+第2色素：DEQ50重量部(莫耳比為香豆素6：DEQ=48：2)之油墨，使用噴墨裝置(Litrex製造之Litrex120L)，在氮氣氛圍中形成膜厚500nm的綠色變換膜。油墨的乾燥，係不破壞氮氣氛圍地使用真空乾燥爐，在真空度1.0×10^-3 Pa、溫度100℃下進行的。

針對紅色變色膜，調整甲苯1000重量部，第1色素：香豆素6+第2色素：DCM50重量部(莫耳比為香豆素6：DCM=48：2)之油墨，使用噴墨裝置(Litrex製造之Litrex120L)，在氮氣氛圍中形成膜厚500nm的紅色變換膜。油墨的乾燥，係不破壞氮氣氛圍地使用真空乾燥爐，在真空度1.0×10^-3 Pa、溫度100℃下進行的。

《障壁層26的形成》

不破壞真空，以電漿CVD裝置，作為原料氣體用單矽烷(SiH₄ )、氨(NH₃ )以及氮氣(N₂ )，以電漿CVD法，堆積膜厚1μm的氮化矽(SiN)而形成障壁層。此處，堆積SiN時基板溫度在100℃以下。

如以上所述地進行，得到本發明例3之變色濾光片基板10d。

[本發明例4]

本發明例4之變色濾光片基板為圖6所示的型式之基板10e。

又，圖6所示的變色濾光片基板10e之構成要素12～28，與顯示於圖5的變色濾光片基板10d之對應的構成要素是相同的。又，在圖6所示之例，在藉由堤20與藍色彩色濾光片16B區劃的區域形成的埋入構件28，係未與堤20同時被形成這一點，與圖5所示之例不同。

與本發明例3同樣進行，形成彩色濾光片及新液層，於條紋圖案的兩側以寬幅10μm、厚度5μm形成堤。接著，於藍色濾光片之上使用丙烯酸系樹脂V259PAP5(新日鐵化學製造)，以光蝕刻法在堤間形成厚度5μm之埋入構件。光間隔件，與本發明例3同樣，係以光蝕刻法在被形成於藍色濾光片上的埋入構件上以對1畫素配設1個的方式以300μm的間隔，形成平面俯視為Φ7μm之點狀圖案。

接著，與本發明例3同樣形成變色層、障壁層，得到本發明例4之變色濾光片基板10e。

[比較例2]

比較例2之變色濾光片基板為圖7所示的型式之基板10f。

又，圖7所示的變色濾光片基板10f之構成要素12～26，與顯示於圖5的變色濾光片基板10d之對應的構成要素是相同的。又，在圖7所示之例，未在藉由堤20與藍色彩色濾光片16B區劃的區域形成埋入構件這一點，與圖5所示之例不同。

與本發明例4同樣，形成彩色濾光片，形成新液層、堤、變色層、障壁層。針對光間隔件，在堤形成後，於被形成於彩色濾光片之條紋圖案間的堤上以成為2μm厚的方式形成。

如以上所述地進行，得到比較例2之變色濾光片基板10f。

<評估項目> (關於填充樹脂的括開之貼合評估)

針對各本發明例3、4及比較例2之變色濾光片基板之各個，進行關於填充樹脂的擴開的評估。

把各例之變色濾光片基板移動至貼合裝置，使變色濾光片基板之處理面朝上地設置，使用分配器把環氧系紫外線硬化黏接劑無縫地塗佈，形成所謂的堤。接著，於畫面中央附近滴下低黏度的熱硬化型環氧黏接劑。作為滴下裝置，使用空氣壓控制加注射器(syringe)之分配器系統。

進而，假設有機EL基板，把1737玻璃，在使變色濾光片基板與處理面彼此對向的狀態，減壓至約10Pa程度後使接近至約20μm，配合進畫素位置後回到大氣壓而附加些許的荷重。

接著，由變色濾光片基板側僅對外周密封材黏接部照射紫外線使其暫硬化。其後，將此放入加熱爐在95℃加熱1小時，在爐內自然冷卻30分鐘而取出後，以氣泡之混入數目評估填充樹脂的擴展。

又，針對各例，觀察進行密封的各12個面板後之結果，確認各有1個面板有氣泡混入。因而，判斷本發明例3、4及比較例2之填充樹脂的擴展沒有不同。

(變色油墨漏逸評估)

變色油墨，一般吸收藍色發光，而使發出綠色、紅色光。因此，於藍色濾光片上溢出變色油墨的場合，導致藍色強度降低。

在此，針對本發明例3、4及比較例2，以螢光顯微鏡觀察變色油墨塗佈後之各12個面板。

結果，往藍色濾光片上之變色油墨的油墨漏逸處所，於比較例2，所有12000條線中有478條線發生漏逸。對此，於本發明例3、4，因為形成埋入構件，所以沒有發生往藍色濾光片上之變色油墨的流入，可以抑制油墨漏逸。

如此般，由貼合評估及漏逸評估的結果，本發明例3、4，與本發明例1、2同樣，可以抑制來自鄰接畫素的光的進入，可說是可以實現優異的色再現範圍。

由以上之實施例1、2，根據本發明的話，於根據噴墨法之變色濾光片基板的形成，可以得到不損及密封性能，且可實現安定的保存壽命的變色濾光片基板。藉由使用這樣的變色濾光片基板，可以實現良好的生產性，高的可信賴性，於使用該變色濾光片基板的有機EL顯示器，可以實現高精細化與低成本化。

又，特別是根據前述型式2的實施型態(實施例2之本發明例3、4)，可以形成高水準地抑制了油墨漏逸導致藍色發光強度的降低之變色濾光片基板。

10a，10b，10d，10e．．．相關於本發明之變色濾光片基板

12．．．透明基板

14．．．黑矩陣

16R．．．紅色濾光片

16G．．．綠色濾光片

16B．．．藍色濾光片

18．．．親液層

20．．．堤

20a．．．堤著色部

22．．．光間隔件

24R．．．紅色變換膜

24G．．．綠色變換膜

24B．．．藍色變換膜

26．．．障壁層

28．．．埋入構件

圖1A係顯示本發明之變色濾光片基板之一例之平面圖。

圖1B係顯示本發明之變色濾光片基板之一例，係圖1A之IB-IB線剖面圖。

圖1C係顯示本發明之變色濾光片基板之一例，係圖1A之IC-IC線剖面圖。

圖2A係顯示本發明之變色濾光片基板之一例之平面圖。

圖2B係顯示本發明之變色濾光片基板之一例，係圖2A之IIB-IIB線剖面圖。

圖2C係顯示本發明之變色濾光片基板之一例，係圖2A之IIC-IIC線剖面圖。

圖3係顯示與變色濾光片基板貼合的有機EL基板之一例之剖面圖。

圖4A係顯示本發明之變色濾光片基板之一例之平面圖。

圖4B係顯示本發明之變色濾光片基板之一例，係圖4A之IVB-IVB線剖面圖。

圖4C係顯示本發明之變色濾光片基板之一例，係圖4A之IVC-IVC線剖面圖。

圖5係顯示本發明之變色濾光片基板之一例之剖面圖。

圖6係顯示本發明之變色濾光片基板之一例之剖面圖。

圖7係顯示從前的變色濾光片基板之一例之剖面圖。

10a．．．相關於本發明之變色濾光片基板