KR20200100903A - 광 변환 기판, 표시 장치와 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

광 변환 기판이 제공된다. 광 변환 기판은 제1 기판, 제1 기판 상에 배치되며, 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴, 제1 기판 상에서 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며, 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴 및 제1 기판 상에 배치되며, 산란 입자를 포함하는 제1 산란 패턴을 포함하고, 제1 산란 패턴은 제1 광 변환 패턴의 일부 및 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩한다.

Description

광 변환 기판, 표시 장치와 그의 제조 방법{LIGHT CONVERSION SUBSTRATE, DISPPAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 광 변환 기판, 표시 장치와 그의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display Device, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
표시 장치 중, 유기 발광 표시 장치는 자발광형 소자인 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함할 수 있다. 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하기 때문에 소비 전력이 낮고 경량의 박형으로 구성할 수 있을 뿐만 아니라 넓은 시야각, 높은 휘도와 콘트라스트 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성을 가져 차세대 표시 장치로 주목을 받고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 화소의 발광 소자로부터 발광된 광이 그에 인접한 화소의 광 변환 패턴층으로 진행하는 혼색을 개선할 수 있는 광 변환 기판 및 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반투과 마스크(하프-톤 또는 슬릿 마스크)를 통해 마스크 수 및 공정 단계를 감소시킬 수 있는 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 광 변환 기판은 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 제1 기판, 상기 제1 영역 상에 배치되며, 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴, 상기 제2 영역 상에서 상기 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며, 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴, 및 상기 제2 영역 상에서 상기 제1 광 변환 패턴 및 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되며, 산란 입자를 포함하는 제1 산란 패턴을 포함하고, 상기 제1 산란 패턴은 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩한다.
상기 제1 산란 패턴은 평탄부와 상기 평탄부의 일 측으로부터 연장되며 상기 제2 광 변환 패턴과 중첩하는 제1 중첩부 및 상기 평탄부의 타 측으로부터 연장되며 상기 제1 광 변환 패턴과 중첩하는 제2 중첩부를 포함할 수 있다.
상기 제1 중첩부 및 상기 제2 중첩부의 두께는 상기 평탄부의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 기판과 상기 제1 산란 패턴 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에서 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되고, 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩하는 제2 산란 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 광 변환 패턴, 상기 제2 광 변환 패턴 및 상기 제1 산란 패턴은 평면상 열 방향으로 연장되는 스트라이프(stripe) 형상일 수 있다.
상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴은 동일한 산란 입자를 포함할 수 있다.
상기 제2 산란 패턴의 최대 두께는 상기 제1 광 변환 패턴의 최대 두께와 상기 제2 광 변환 패턴의 최대 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 각각은 상기 제1 산란 패턴과 동일한 산란 입자를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 파장 변환 입자의 크기는 상기 제2 파장 변환 입자의 크기보다 클 수 있다.
상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 상기 열 방향 및 상기 열 방향과 교차하는 행 방향을 따라 복수의 화소들을 포함할 수 있고, 상기 화소들의 행 경계를 따라 상기 제1 광 변환 패턴 및 상기 제2 광 변환 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 중첩부와 상기 제2 산란 패턴 사이 및 상기 제2 중첩부와 상기 제2 산란 패턴 사이에 배치되는 제3 산란 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 중첩부의 두께, 상기 제2 중첩부의 두께, 상기 제2 산란 패턴의 두께 및 상기 제3 산란 패턴의 두께는 동일할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 화소 영역, 제2 화소 영역 및 제3 화소 영역을 포함할 수 있고,서로 대향하는 광 변환 기판과 광 제공 기판을 구비하고, 상기 광 변환 기판은 제1 기판을 포함하고, 상기 제1 화소 영역 상에 배치되며 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴, 상기 제2 화소 영역 상에 상기 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴 및 상기 제3 화소 영역 상에서 상기 제1 광 변환 패턴 및 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되며 산란 입자를 포함하는 제1 산란 패턴을 포함하며, 상기 광 제공 기판은 상기 제1 광 변환 패턴과 중첩하는 제1 발광 영역, 상기 제2 광 변환 패턴과 중첩하는 제2 발광 영역, 및 상기 제1 산란 패턴과 중첩하는 제3 발광 영역을 포함하며, 상기 제1 산란 패턴은 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩한다.
상기 제1 화소 영역과 상기 제2 화소 영역 사이에서 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되고, 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩하는 제2 산란 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴은 동일한 산란 입자를 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 영역 내지 상기 제3 발광 영역은 제1 색의 광을 발광하고, 상기 제1 광 변환 패턴은 상기 제1 색의 광을 제2 색의 광으로 변환하여 출력하고, 상기 제2 광 변환 패턴은 상기 제1 색의 광을 제3 색의 광으로 변환하여 출력할 수 있다.
상기 광 변환 기판과 상기 광 제공 기판 사이에 배치된 충진재를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 상에 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 기판 상에 상기 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며, 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴에 의해 덮이지 않고 노출된 제1 기판,상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부를 덮는 제1 산란 패턴, 및 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 사이에 배치되는 제2 산란 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 광 변환 패턴을 형성하기 전에, 상기 제1 기판 상에 제1 캡핑층을 형성하는 단계 및 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 상에 제2 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴을 동시에 형성하는 단계는, 상기 제1 기판, 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 상에 포토 레지스트를 도포하는 단계, 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴과 중첩하는 차광부, 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴에 의해 덮이지 않고 노출된 제1 기판을 덮는 상기 제1 산란 패턴과 중첩하는 투광부 및 상기 제1 광 변환 패턴의 일부를 덮는 상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴과 중첩하는 반투광부를 포함하는 마스크를 상기 포토 레지스트 상에 배치하는 단계, 상기 마스크를 통해 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계 및 상기 포토 레지스트를 현상하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 화소의 발광 소자로부터 발광된 광이 그에 인접한 화소의 광 변환 패턴층으로 진행하는 혼색을 개선할 수 있는 광 변환 기판 및 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 의하면, 마스크 수 및 공정 단계의 감소로 생산성을 향상시킬 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 표시 장치의 각 화소 및 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 배치를 나타낸 평면 배치도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4는 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴을 통과한 광의 경로를 나타내는 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 제조 방법을 보여주는 흐름도이다.
도 6 및 도 7은 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9 및 도 10은 다른 실시예에 따른 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 11은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12 및 도 13은 또 다른 실시예에 따른 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 표시 장치의 각 화소 및 제1 산란 패턴과 제2 산란 패턴의 배치를 나타낸 평면 배치도이다.
도 15는 도 14의 Ⅳ-Ⅳ'을 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 도 14의 Ⅴ-Ⅴ'을 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 17 내지 도 18은 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴과 제2 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 표시 장치의 각 화소 및 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 배치를 나타낸 평면 배치도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'을 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 4는 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴을 통과한 광의 경로를 나타내는 도면이다. 도 1 내지 도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치는 유기 발광 표시 장치, 액정 디스플레이 장치, 퀀텀 나노 발광 표시 장치, 마이크로 엘이디 장치, 전계 방출 디스플레이 장치, 전기 영동 장치 등이 적용될 수 있다. 예시된 실시예에서는 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치가 적용되어 있다.
표시 장치(1)는 도 1에 도시된 바와 같이, 화상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 화상을 표시하지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.
표시 영역(DA)은 표시 장치(1)의 중앙부에 배치될 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소를 포함할 수 있다. 복수의 화소는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 복수의 화소는 제1 색을 표시하는 복수의 제1 화소(PX1), 제2 색을 표시하는 복수의 제2 화소(PX2) 및 제3 색을 표시하는 복수의 제3 화소(PX3)를 포함할 수 있다. 제1 화소(PX1)는 약 610nm 내지 약 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색광을 출사하는 적색 화소이고, 제2 화소(PX2)는 약 510nm 내지 약 550nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색광을 출사하는 녹색 화소이고, 제3 화소(PX3)는 약 430nm 내지 약 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색광을 출사하는 청색 화소일 수 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않는다.
제1 화소(PX1), 제2 화소(PX2) 및 제3 화소(PX3)는 스트라이프 방식으로 배열될 수 있다. 동일한 화소 열에 속하는 화소는 모두 동일한 색을 표시할 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 화소(PX1)가 화소 제1 열에 배치되고, 복수의 제2 화소(PX2)가 화소 제2 열에 배치되고, 복수의 제3 화소(PX3)가 화소 제3 열에 배치되며, 이와 같은 배열이 행 방향을 따라 반복될 수 있다.
화소 들의 경계에는 차광 패턴(320)이 배치될 수 있다. 차광 패턴(320)은 색필터들(331, 332, 333) 사이에 배치될 수 있다. 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)은 화소 행 경계(RL1, RL2, RL3) 및 화소 열 경계(CL1, CL2, CL3)를 따라 배치될 수 있다. 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 표시 장치(1)의 단면 구조에 대해 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1)는 광 제공 기판(100), 광 변환 기판(300), 및 충진재(70)를 포함할 수 있다.
광 제공 기판(100)는 제1 베이스 기판(110), 스위칭 소자(T1, T2, T3), 절연막(130), 뱅크층(150), 유기 발광 소자들(ED1, ED2, ED3), 및 박막 봉지층(170)을 포함할 수 있다.
제1 베이스 기판(110)은 광 투광성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 제1 베이스 기판(110)은 유기 기판 또는 플라스틱 기판일 수 있다.
제1 베이스 기판(110) 상에는 각 화소(PX1, PX2, PX3)마다 적어도 하나의 스위칭 소자들(T1, T2, T3)이 배치될 수 있다. 나아가, 제1 베이스 기판(110) 상에는 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)에 신호를 전달하는 복수의 신호선들(예컨대, 게이트선, 데이터선, 전원선 등)이 더 배치될 수 있다.
스위칭 소자들(T1, T2, T3) 상에는 절연막(130)이 배치될 수 있다. 절연막(130)은 유기막으로 이루어질 수 있다. 예시적으로 절연막(130)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 에스테르계 수지 등을 포함할 수 있다.
절연막(130) 상에는 각 화소(PX1, PX2, PX3)별로 화소 전극(AE1, AE2, AE3)이 배치될 수 있다. 각 화소 전극(AE1, AE2, AE3)은 절연막(130)을 관통하는 비아홀을 통해 각 스위칭 소자(T1, T2, T3)와 각각 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 화소 전극(AE1, AE2, AE3)은 유기 발광 소자의 애노드 전극일 수 있다. 화소 전극(AE1, AE2, AE3)은 정공 주입이 용이한 일함수가 높은 물질, 예컨대, 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3) 등을 포함할 수 있다. 전면 발광 표시 장치의 경우, 화소 전극(AE1, AE2, AE3)은 반사성 물질층을 더 포함할 수 있다.
화소 전극(AE1, AE2, AE3) 상에는 뱅크층(150)이 위치할 수 있다. 뱅크층(150)은 화소 열 경계(CL1, CL2), 화소 행 경계(RL1, RL2)를 따라 배치된 격자 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 뱅크층(150)은 화소 전극(AE1, AE2, AE3)을 부분적으로 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 전극(AE1, AE2, AE3) 중 뱅크층(150)에 의해 커버되지 않고 노출되는 영역이 발광 영역(PA1, PA2, PA3)이고, 뱅크층(150)에 의해 커버되는 영역이 비발광 영역(PB)일 수 있다. 뱅크층(150)은 유기 절연 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
뱅크층(150)의 상기 개구부에 의해 노출된 화소 전극(AE1, AE2, AE3) 상에는 유기층(OL1, OL2, OL3)이 배치될 수 있다. 도면에서는 유기층(OL)이 화소의 구분없이 일체로 연결된 경우를 예시하였지만, 유기층(OL)은 화소(PX1, PX2, PX3)별로 분리되도록 형성될 수도 있다.
유기층(OL1, OL2, OL3)은 유기 발광층을 포함한다. 상기 유기 발광층에서 애노드 전극과 캐소드 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 청색광(L1)이 방출될 수 있다. 유기층(OL1, OL2, OL3)은 정공과 전자의 주입/이동을 보조하는 보조층을 더 포함할 수 있다.
유기층(OL1, OL2, OL3) 상에는 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다. 화소 전극(AE1, AE2, AE3)이 유기 발광 소자의 애노드 전극인 경우, 공통 전극(CE)은 유기 발광 소자의 캐소드 전극이 되며, 공통 전극(CE)은 전자 주입이 용이한 일함수가 낮은 물질, 예컨대 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)을 포함할 수 있다.
제1 화소 전극(AE1), 유기층(OL1) 및 공통 전극(CE)은 제1 유기 발광 소자(ED1)를 이루고, 제2 화소 전극(AE2), 유기층(OL2) 및 공통 전극(CE)은 제2 유기 발광 소자(ED2)를 이루고, 제3 화소 전극(AE3), 유기층(OL3) 및 공통 전극(CE)은 제3 유기 발광 소자(ED3)를 이룰 수 있다.
각 화소(PX1, PX2, PX3)마다 배치된 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광한 청색광(L1)은 해당 화소(PX1, PX2, PX3)에 제공될 수 있다. 나아가, 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광은 인접한 화소에도 제공될 수 있다.
박막 봉지층(170)은 공통 전극(CE) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170)은 외부로부터 불순물 또는 수분 등이 침투하는 것을 방지하기 위해 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3) 상부에 배치되어 발광 소자(ED1, ED2, ED3)를 밀봉하도록 배치될 수 있다. 박막 봉지층(170)은 무기 물질을 포함하는 제1 봉지 무기막(171), 제3 봉지 무기막(173), 및 이들 사이에 배치된 봉지 유기막(172)을 포함할 수 있다.
이하 광 변환 기판(300)에 대해 설명한다. 광 변환 기판(300)는 제2 베이스 기판(310), 차광 패턴(320), 색필터(331, 332, 333), 광 변환 패턴(351, 352), 복수의 적층된 캡핑층(341, 342), 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)을 포함할 수 있다.
제2 베이스 기판(310)은 제1 베이스 기판(110)과 대향한다. 제2 베이스 기판(310)은 제1 베이스 기판(110)의 예시된 물질 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
광 제공 기판(100)를 향하는 제2 베이스 기판(310)의 일면 상에는 차광 패턴(320)가 배치될 수 있다. 차광 패턴(320)은 화소 열 경계(CL1, CL2), 화소 행 경계(RL1, RL2)를 따라 배치된 격자 형상으로 형성될 수 있다.
차광 패턴(320)은 광의 투과를 차단할 수 있다. 구체적으로, 각 화소(PX1, PX2, PX3)에서 표시면으로 출사하는 광의 혼색을 방지하는 역할을 할 수 있다. 차광 패턴(320)은 불투명 계열의 유기물, 크롬을 포함하는 금속 물질 또는 카본 블랙(Carbon black) 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
제2 베이스 기판(310)의 일면 상에는 색필터(330)가 배치될 수 있다. 나아가 색필터(330)는 차광 패턴(320) 상에 배치될 수 있다. 색필터(330)는 특정 파장의 빛은 흡수하고, 다른 특정 파장의 빛은 투과시키는 흡수형 필터일 수 있다.
색필터(330)는 제1 내지 제3 색필터(331, 332, 333)를 포함할 수 있다. 제1 색필터(331) 내지 제3 색필터(333)는 스트라이프(Stripe) 방식으로 배열될 수 있다. 제1 색필터(331) 내지 제3 색필터(333)는 각각 상기 열 방향(제2 방향(DR2))을 따라 일체로 연결되어 배치될 수 있다. 제1 색필터(331)는 화소 제1 열에 배치되고, 제2 색필터(332)는 화소 제2 열에 배치되며, 제3 색필터(333)는 화소 제3 열에 배치될 수 있다. 즉, 각 색필터(331, 332, 333)는 열 방향으로 배열된 화소 행 경계(RP1, RP2, RP3)에 무관하게 연장될 수 있다.
제1 색필터(331)는 제1 광 변환 패턴(351)에서 출사된 청색광(L1) 및 적색광(L2) 중 청색광(L1)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제1 색필터(331)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능하며, 적색광(L2)을 선택적으로 투과 필터로 기능할 수 있다. 제1 색필터(331)는 적색의 색제(red colorant)를 포함할 수 있다.
제2 색필터(332)는 제2 광 변환 패턴(352)에서 출사된 청색광(L1) 및 녹색광(L3) 중 청색광(L1)을 차단하거나 흡수할 수 있다. 즉, 제2 색필터(332)는 청색광을 차단하는 청색광 차단 필터로 기능하며, 녹색광(L3)을 선택적으로 투과 필터로 기능할 수 있다. 제2 색필터(332)는 녹색의 색제(green colorant)를 포함할 수 있다.
제3 색필터(333)는 후술할 제1 산란 패턴(353)에서 출사된 청색광(L4)을 투과시킬 수 있다. 제3 색필터(333)는 청색광 투과 필터로 기능할 수 있다. 제3 색필터(333)는 청색의 색제(blue colorant)를 포함할 수 있다.
인접한 색필터(331, 332, 333)는 화소 열 경계(CL1, CL2, CL3)에서 서로 부분적으로 적층될 수 있으나, 이에 제한되지 않고 중첩하지 않고 분리 배치될 수도 있다.
각 색필터(331, 332, 333) 상에는 제1 캡핑층(341)이 배치될 수 있다. 제1 캡핑층(341)은 색필터(331, 332, 333)의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다.
제1 캡핑층(341)은 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 각 색필터(331, 332, 333)를 손상시키거나 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
제1 캡핑층(341)은 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(341)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산질화물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 캡핑층(341) 상에는 광 변환 패턴(350)이 배치될 수 있다. 광 변환 패턴(350)은 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)을 포함할 수 있다.
제1 광 변환 패턴(351)은 청색광(L1)을 적색광(L2)으로 변환하여 출사하고, 제2 광 변환 패턴(352)은 청색광(L1)을 녹색광(L3)으로 변환하여 출사하며, 후술할 제1 산란 패턴(353)은 청색광(L1)을 그대로 투과시킬 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 광 변환 패턴(351)은 제1 베이스 수지(3511), 및 제1 베이스 수지(3511) 내에 분산된 제1 파장 변환 입자(3512)를 포함하고, 제2 광 변환 패턴(352)은 제2 베이스 수지(3521), 및 제2 베이스 수지(3521) 내에 분산된 제2 파장 변환 입자(3522)를 포함할 수 있다. 도시하지 않았지만, 각 광 변환 패턴(351, 352, 353)은 각 베이스 수지(3511, 3521)에 분산된 산란 입자를 더 포함할 수 있다. 상기 산란 입자는 산화 티타늄(TiO2), 산화 규소(SiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등의 금속 산화물 입자 또는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등의 유기 입자일 수 있다. 이를 통해 광 변환 패턴(350)을 투과하는 광의 경로 길이를 증가시킬 수 있고, 광 변환 패턴(350)에 의한 색 변환 효율을 증가시킬 수 있다.
몇몇 실시예에서 광 변환 패턴(350)의 두께는 3㎛ 내지 15㎛일 수 있다. 광 변환 패턴(350)이 3㎛ 이상의 두께를 갖도록 형성하는 경우 광 변환 패턴(350)을 투과하는 광의 색 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서 광 변환 패턴(350)의 두께의 상한은 공정상의 용이성의 관점에서 약 15㎛일 수 있다.
몇몇 실시예에서 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)에 포함된 제1 파장 변환 입자(3512) 및 제2 파장 변환 입자(3522)의 함량은 10% 내지 60%일 수 있다. 또한 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)에 포함된 산란 입자의 함량은 5% 미만일 수 있다. 더욱 바람직하게 산란 입자의 함량은 2% 이하일 수 있다. 광 변환 패턴(350) 내에서 산란 입자의 함량이 5% 이상일 경우, 광 변환 패턴(350)의 투명도가 낮아져, 광 추출 효율이 낮아질 수 있다.
각 베이스 수지(3511, 3521)는 광 투과율이 높고, 각 파장 변환 입자(3512, 3522) 및 상기 산란 입자에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 각 베이스 수지(3511, 3521)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환 입자(3512)는 청색광(L1)을 적색광(L2)으로 변환시키고, 제2 파장 변환 입자(3522)는 청색광(L1)을 녹색광(L3)으로 변환시킬 수 있다. 각 파장 변환 입자(3512, 3522)의 예로는 양자점, 양자 막대 또는 형광체 등을 들 수 있다. 예를 들어 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다. 제1 파장 변환 입자(3512) 및 제2 파장 변환 입자(3522)는 모두 양자점으로 이루어진 경우, 제1 파장 변환 입자(3512)를 이루는 양자점의 직경은 제2 파장 변환 입자(3522)를 이루는 양자점의 직경보다 클 수 있다.
상기 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 상기 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다. 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다.
광 변환 패턴(350)은 스트라이프(Stripe) 방식으로 배열될 수 있다. 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352) 은 색필터(330)와 마찬가지로 상기 열 방향(제2 방향(DR2))을 따라 일체로 연결되어 배치될 수 있다. 즉, 제1 광 변환 패턴(351)은 화소 제1 열에 배치되고, 제2 광 변환 패턴(352)은 화소 제2 열에 배치될 수 있다. 즉, 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)은 열 방향으로 배열된 화소 행 경계(RP1, RP2)에 무관하게 연장될 수 있다.
또한, 광 변환 패턴(350)은 두께 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 광 변환 패턴(350)의 두께는 약 3 μm 내지 약 15 μm일 수 있다.
평면상, 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)은 해당 화소(PX1, PX2) 내에 배치될 수 있다. 즉, 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)의 평면상 크기는 각 화소(PX1, PX2)의 크기보다 작을 수 있다. 이로 인해, 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)은 화소 제1 열 경계(CL1)를 기준으로, 서로 이격되어 배치될 수 있다.
따라서 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)이 배치된 영역과 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352) 사이 영역 간에는 광 변환 패턴(351, 352)의 돌출 높이에 해당하는 단차가 형성될 수 있다.
광 변환 패턴(350) 상에는 제2 캡핑층(342)이 배치될 수 있다. 제2 캡핑층(342)은 광 변환 패턴(350)을 커버할 수 있다.
제2 캡핑층(342)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 제2 캡핑층(342)은 제1 캡핑층(341)과 동일한 물질로 이루어지거나, 제1 캡핑층(341)의 설명에서 예시된 물질 중에서 선택될 수 있다.
제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)은 제2 캡핑층(342) 상에 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1 광 변환 패턴(351)은 제1 영역 상에 배치되며, 제2 광 변환 패턴(352)은 제2 영역 상에서 제1 광 변환 패턴(351)과 이격되어 배치되며, 제1 산란 패턴(353)은 제3 영역 상에서 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352) 사이 공간을 채우도록 배치될 수 있다. 제1 산란 패턴(353)은 제1 광 변환 패턴(351)의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴(353)의 일부와 중첩하게 배치될 수 있다. 제1 산란 패턴(353)은 제3 베이스 수지(3531) 및 산란 입자(3533)를 포함하고, 제2 산란 패턴(360)은 제4 베이스 수지(3611) 및 산란 입자(3613)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)은 동일한 물질로 구성되고, 하나의 공정으로 동시에 형성될 수 있다. 구체적인 제조 방법은 도 6 및 도 7을 통해 후술한다.
산란 입자(3533, 3613)는 제3 베이스 수지(3531) 및 제4 베이스 수지(3611)와 상이한 굴절률을 가지고 제3 베이스 수지(3531) 및 제4 베이스 수지(3611)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 산란 입자(3533, 3613)는 광 산란 입자일 수 있다. 산란 입자(3533, 3613)는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다. 산란 입자(3533, 3613)는 제1 산란 패턴(353)을 투과하는 광의 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있다.
제3 베이스 수지(3531) 및 제4 베이스 수지(3611)는 광 투과율이 높고, 각 산란 입자(3533, 3613)에 대한 분산 특성이 우수한 재료이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 각 베이스 수지(3531, 3613)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제2 산란 패턴(360)은 광 변환 패턴(350)과 마찬가지로, 스트라이프 방식으로 배열될 수 있다. 즉, 제2 산란 패턴(360)은 화소 열 경계(CL1)를 따라 일체로 형성될 수 있다.
제2 산란 패턴(360)은 차광 패턴(320)과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 제2 산란 패턴(360)은 화소 열 경계(CL1)에서 차광 패턴(320)과 중첩할 수 있다. 제2 산란 패턴(360)의 평면상 폭은 차광 패턴(320)의 평면상 폭보다 클 수 있다. 하지만 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 산란 패턴(360)의 평면상 폭은 차광 패턴(320)의 평면상 폭보다 작거나 같을 수 있다.
구체적으로, 제2 산란 패턴(360)은 인접한 제1 영역과 제2 영역 사이에 배치되어, 제1 광 변환 패턴(351)과 제2 광 변환 패턴(352)의 사이 공간을 채울 수 있다. 나아가, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 산란 패턴(360)은 인접한 광 변환 패턴(351, 352)의 상면의 일부 영역까지 연장되어 두께 방향으로 중첩되게 배치될 수 있다.
나아가, 제2 산란 패턴(360)은 각 광 변환 패턴(351, 352)의 표면 보다 두께 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.
제1 산란 패턴(353)은 평탄부(353a), 제1 중첩부(353b) 및 제2 중첩부(353c)를 포함할 수 있다.
제1 산란 패턴(353)의 평탄부(353a)는 스트라이프 방식으로 배열될 수 있다. 평탄부(353a)는 색필터(330)와 마찬가지로 상기 열 방향(제2 방향(DR2))을 따라 일체로 연결되어 배치될 수 있다. 즉, 평탄부(353a)는 화소 제3 열에 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 평탄부(353a)는 광 변환 패턴(350)의 두께와 동일한 두께를 갖도록 형성될 수 있다.
제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)는 차광 패턴(320)의 적어도 일부 영역과 두께 방향으로 중첩할 수 있다. 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)는 화소 열 경계(CL2, CL3)를 따라 일체로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)의 평면상 폭은 제2 산란 패턴(360)의 평면상 폭보다 작을 수 있다. 일 실시예에 따르면 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)의 평면상 폭은 제2 산란 패턴(360)의 평면상 폭의 절반에 해당할 수 있다.
제1 중첩부(353b)는 인접한 제2 광 변환 패턴(352)의 상면의 일부 영역까지 연장되어 두께 방향으로 중첩되게 배치될 수 있고, 제2 광 변환 패턴(352)의 표면 보다 두께 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다. 제2 중첩부(353c)는 인접한 제1 광 변환 패턴(351)의 상면의 일부 영역까지 연장되어 두께 방향으로 중첩되게 배치될 수 있고, 제1 광 변환 패턴(351)의 표면 보다 두께 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.
제2 산란 패턴(360), 및 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)는 상술한 바와 같이, 인접한 화소의 경계에 배치되어 각 화소(PX1, PX2, PX3) 간 빛의 혼색을 개선할 수 있다.
도 4를 참조하여 구체적으로 설명하면, 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 청색광(L1)은 표시 장치의 해당 화소(PX1, PX2, PX3)의 상부 방향으로 진행될 수 있지만, 인접한 화소(PX1, PX2, PX3)를 향하는 측면 방향으로도 진행될 수 있다. 이 경우 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광은 인접한 화소의 광 변환 패턴(351, 352) 및 제1 산란 패턴(353)에도 제공되어, 누설 전류에 의해 원치 않는 인접 화소가 발광되는 원인이 된다.
다만, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 제2 산란 패턴(360) 및 제1 산란 패턴(353)의 중첩부(353b) 각각이 인접한 광 변환 패턴(351, 352) 및 제1 산란 패턴(353) 사이에 배치되어 광 변환 패턴(351, 352) 및 제1 산란 패턴(353)의 사이 공간을 채우는 동시에, 각 광 변환 패턴(351, 352) 및 제1 산란 패턴(353)의 표면 보다 두께 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.
제2 산란 패턴(360) 및 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c) 각각은 상술한 바와 같이, 산란 입자(3533, 3613)를 포함할 수 있다.
일반적으로 산란 입자(13SC)는 입사된 빛을 산란시켜 파장 별 빛의 출사각을 균일하게 제어하는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 산란 입자를 통과한 광의 방출 방향은 무작위의 산란 특성을 갖고, 이로 인해 표시 장치의 시야각 특성이 향상될 수 있다.
반면에, 산란 입자는 입사광의 입사 방향과 무관하게 랜덤한 방향으로 광을 산란시킬 수 있으므로, 입사광의 적어도 일부는 진행 경로와 반대 방향으로 방출될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 유기 발광 소자(ED1)에서 발광된 광은 제2 산란 패턴(360)의 좌측으로 입사될 수 있다. 이 경우, 산란 입자(3613)를 통과한 광이 5개의 경로를 통해 방출된다고 가정 시, 제1 방출 방향(OL1) 및 제2 방출 방향(OL2)으로 방출되는 광은 제2 광 변환 패턴(352)으로 입사되지 않을 수 있다. 마찬가지로, 다른 유기 발광 소자(ED2, ED3)에서 발광된 광 역시, 제2 산란 패턴(360) 및 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)에 포함된 산란 입자(3533, 3613)에 의해 적어도 일부는 진행 경로와 반대 방향으로 방출될 수 있고, 인접한 광 변환 패턴(350) 또는 제1 산란 패턴(353)으로 입사되지 않을 수 있다.
이로 인해 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광이 측면 방향으로 진행하여 인접한 화소(PX1, PX2, PX3)로 진행하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 인접 화소(PX1, PX2, PX3)로 인한 색 순도 저하를 방지할 수 있다.
일반적으로 인접한 화소의 혼색을 방지하기 위해 사용되는 차광 부재는 불투명 계열의 유기물, 크롬을 포함하는 금속 물질 또는 카본 블랙(Carbon black) 등 중 적어도 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 이로 인해 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광이 차광 부재에 의해 흡수되어 파장 변환 패턴에 입사되는 광의 양이 줄어들 수 있다. 따라서, 불투명 계열의 유기물 등을 포함하지 않는 제2 산란 패턴(360)을 차광 부재로 사용하는 경우, 파장 변환 패턴에 인가되는 광의 양이 증가되어 파장 변환 효율이 증가할 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 제조 방법을 보여주는 흐름도이고, 도 6 및 도 7은 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 우선, 제1 기판 상에 광 변환 패턴층(QD1, QD2)을 형성할 수 있다(S100). 광 변환 패턴층(QD1, QD2) 및 광 변환 패턴층(QD1, QD2)에 의해 덮이지 않은 제1 기판 상에 캡핑층(CP)을 형성할 수 있다.
이후, 광 변환 패턴층(QD1, QD2)를 덮고 있는 캡핑층(CP) 상에 포토 레지스트를 도포할 수 있다(S101). 포토 레지스트는 감광성 유기막(PR)일 수 있다. 감광성 유기막의 상면은 캡핑층(CP)의 상면과 대체로 평행하게 형성될 수 있다. 감광성 유기막(PR)은 예를 들어, 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
감광성 유기막(PR)은 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자는 광 산란 입자일 수 있다. 산란 입자는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다.
그 후, 반투과 노광 공정(예컨대, 하프톤 마스크나 슬릿 마스크를 이용)을 수행하기 위하여, 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴에 대응되는 하프톤 마스크를 감광성 유기막(PR) 상에 배치할 수 있다(S102). 이하에서, 네거티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 감광성 유기막(PR)을 형성하는 경우를 예로 하여 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 다른 실시예에서 감광성 유기막(PR)은 포지티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 형성될 수도 있다. 이때 이 하프톤 마스크(HM) 또는 슬릿 마스크에 의해 감광성 유기막(PR) 이 제거될 영역과, 감광성 유기막(PR)이 남아서 제2 산란 패턴(360)이 형성될 영역, 감광성 유기막(PR)이 남아서 제1 산란 패턴(353)이 형성될 영역이 각각 서로 다른 정도로 노광된다.
즉, 상기 하프톤 마스크(HM) 또는 슬릿 마스크는 광을 100% 통과시키는 제1투광부(Ma)와 광을 중간 정도로 투과시키는 제2투광부(Mb) 그리고 광을 거의 통과시키지 않는 제3 투광부(Mc)를 구비하고 있다. 상기 제1투광부(Ma)는 감광성 유기막(PR)이 남아서 제1 산란 패턴(353)의 평탄부(353a)이 형성될 영역에 배치되고, 상기 제2투광부(Mb)는 감광성 유기막(PR)이 대략 절반 정도 남아서 제2 산란 패턴(360) 및 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)가 형성될 영역에 배치되고, 상기 제3투광부(Mc)는 감광성 유기막(PR)이 제거될 영역에, 각각 대응되도록 하프톤 마스크(HM) 또는 슬릿 마스크를 배치할 수 있다. 다만, 상기한 감광성 유기막(PR)으로서, 포지티브 감광 물질이 적용될 경우 상기한 제2투광부(Mb)와 제1투광부(Ma)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
이어, 통상의 패터닝 공정에 이용되는 조사광, 예컨대 UV 자외선 또는 CW 레이저를 광 조절 마스크 장치(M) 상부에서 조사하여 노광을 진행할 수 있다(S103).
끝으로, 노광이 진행된 감광성 유기막(PR)을 현상(development)하는 과정을 진행할 수 있다(S104). 그러면, 제1 투광부(Ma)에 의해 100% 노광된 부위는 현상을 통해 감광성 유기막(PR)이 그대로 남아서 제1 산란 패턴(353)의 평탄부(353a) 형태를 갖추게 된다. 또한, 제3 투광부(Mc)에 의해 100% 빛이 차단된 부위는 감광성 유기막(PR)이 제거되어 캡핑층(CP)을 노출한다. 그리고, 광이 중간 정도로 투과된 제2투광부(Mb) 영역에는 감광성 유기막(PR)이 중간 정도 남게 되어 제2 산란 패턴(360) 및 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)가 형성된다.
그 결과, 도 7에 도시된 바와 같이 광 변환 패턴(351, 352)에 대응되는 제1 산란 패턴(353)의 평탄부(353a)와 제2 산란 패턴(360)에 대응되는 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)가 일체로 이루어진 구조를 형성할 수 있다. 구체적으로 제1 산란 패턴(353)의 평탄부(353a)의 두께(H1)는 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)의 두께(H2)보다 약 2 배 정도 두꺼울 수 있다. 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)의 두께(H2)는 제2 산란 패턴(360)의 두께(H3)와 동일할 수 있다.
본 실시예의 경우, 기존에 두 번의 마스크 공정을 사용하던 번거로움을 해결할 수 있고, 한번의 마스크 공정이 줄어들게 되어 포토레지스트막을 애슁 또는 스트립하기 위한 공정도 생략할 수 있다.
이하, 다른 실시예에 대해서 설명한다. 이하의 실시예에서 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조 부호로서 지칭하고, 그 설명을 생략하거나 간략화한다.
도 8은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 9 및 도 10은 다른 실시예에 따른 제2 산란 패턴 및 제1 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_1)는 제1 산란 패턴(353_1) 및 제2 산란 패턴(360_1)의 구성이 도 2에 도시된 표시 장치(1)의 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)의 구성과 상이하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
제1 산란 패턴(353_1) 및 제2 산란 패턴(360_1)은 도 2에 도시된 제1 산란 패턴(353_1) 및 제2 산란 패턴(360_1)과 달리 제1 산란 패턴(353_1)의 평탄부(353_1a)의 두께(H1_1)와 제1 산란 패턴(353_1)의 제1 및 제2 중첩부(353_1b, 353_1c)의 두께(H2_1)가 동일하다.
다시 말해, 도 8에 도시된 제1 산란 패턴(353_1)의 중첩부(353_1b)의 두께(H2_1) 및 제2 산란 패턴(360_1)의 두께(H3_1)는 도 2에 도시된 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)의 두께(H2) 및 제2 산란 패턴(360)의 두께(H3)보다 약 2배 정도 두꺼울 수 있다.
이로 인해 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광이 측면 방향으로 진행하여 인접한 화소(PX1, PX2, PX3)로 진행하는 것을 더욱 방지할 수 있다. 즉, 인접한 화소간의 혼색을 방지하여 화소의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
이상 도 8에 도시된 제1 산란 패턴(353_1) 및 제2 산란 패턴(360_1)에 포함된 산란 입자의 함량이 도 2에 도시된 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)에 포함된 산란 입자의 함량과 동일한 경우를 예시로 하여 설명하였다.
한편, 도 8에 도시된 제1 산란 패턴(353_1) 및 제2 산란 패턴(360_1)에 포함된 산란 입자의 함량이 도 2에 도시된 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)에 포함된 산란 입자의 함량보다 작을 수 있다.
상술한 바와 같이 제1 산란 패턴의 중첩부 및 제2 산란 패턴의 두께가 증가할수록 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광이 측면 방향으로 진행하여 인접한 화소(PX1, PX2, PX3)로 진행하는 것을 더욱 방지할 수 있으나 반면에, 제1 산란 패턴의 중첩부 및 제2 산란 패턴의 두께가 증가할수록 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광이 제1 산란 패턴에 포함된 파장 변환 입자를 여기시키는 확률도 낮아질 수 있다. 따라서, 제1 산란 패턴의 중첩부 및 제2 산란 패턴의 두께가 증가한 것에 비례하여, 포함되는 산란 입자의 함량을 감소시킬 수 있다.
도 8 및 도 10를 참조하면, 우선, 광 변환 패턴층(QD1, QD2)을 덮고 있는 캡핑층(CP) 상에 감광성 유기막(PR)을 형성한다. 감광성 유기막(PR)의 상면은 캡핑층(CP)의 상면과 대체로 평행하게 형성될 수 있다. 감광성 유기막(PR)은 예를 들어, 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
감광성 유기막(PR)은 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자는 광 산란 입자일 수 있다. 산란 입자는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다.
그 후, 노광 공정을 수행한다. 이 때, 통상의 패터닝 공정에 이용되는 조사광, 예를 들어 UV 자외선 또는 CW 레이저를 광 조절 마스크 장치(M) 상부에서 조사하여 노광을 진행할 수 있다.
이하에서, 네거티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 감광성 유기막(PR)을 형성하는 경우를 예로 하여 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 다른 실시예에서 감광성 유기막(PR)은 포지티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 형성될 수도 있다. 이때 제1 마스크(Ma)에 의해 감광성 유기막(PR)이 남아서 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)이 형성될 영역과, 제3 마스크(Mc)에 의해 감광성 유기막(PR) 이 제거될 영역이 각각 서로 다른 정도로 노광된다.
즉, 마스크는 광을 100% 통과시키는 제1투광부(Ma)와 광을 거의 통과시키지 않는 제3 투광부(Mc)를 구비하고 있다. 상기 제1투광부(Ma)는 감광성 유기막(PR) 이 남아서 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)이 형성될 영역에, 제3투광부(Mc)는 감광성 유기막(PR)이 제거될 영역에, 각각 대응되도록 마스크를 배치할 수 있다. 다만, 상기한 감광성 유기막(PR)으로서, 포지티브 감광 물질이 적용될 경우 상기한 제1 투광부(Ma)와 제3투광부(Mc)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
그러면, 제1 투광부(Ma)에 의해 100% 노광된 부위는 현상(development)을 통해 감광성 유기막(PR)이 그대로 남아서 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)의 형태를 갖추게 된다. 또한, 제3 투광부(Mc)에 의해 100% 빛이 차단된 부위는 감광성 유기막(PR)이 제거되어 캡핑층(CP)을 노출한다.
그 결과, 도 10에 도시된 바와 같이 광 변환 패턴(350)에 대응되는 제1 산란 패턴(353_1)의 평탄부(353_1a)와 제2 산란 패턴(360_!)에 대응되는 제1 산란 패턴(353)의 중첩부(353_1b)가 일체로 이루어진 구조를 형성할 수 있다. 구체적으로 제1 산란 패턴(353_1)의 평탄부(353a)의 두께(H1_1)는 제1 산란 패턴(353_1)의 중첩부(353_1b)의 두께(H2_1)와 동일할 수 있다. 제1 산란 패턴(353_1)의 중첩부(353_1b)의 두께(H2_1)는 제2 산란 패턴(360_1)의 두께(H3_1)와 동일할 수 있다.
본 실시예의 경우, 광이 완전히 투과하는 제1 마스크(Ma)와 광이 완전히 차단되는 제3 마스크만(Mc)으로 공정을 진행할 수 있어, 마스크의 크기가 소정 크기 이상인 경우에도 균일한 패터닝을 기대할 수 있다.
도 11은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 자른 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 12 및 도 13는 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1_2)는 제1 산란 패턴(353_2) 및 제2 산란 패턴(360_2)의 구성이 도 2에 도시된 표시 장치(1)의 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)의 구성과 상이하며, 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
구체적으로 제1 산란 패턴(353_2) 및 제2 산란 패턴(360_2)은 도 2에 도시된 제1 산란 패턴(353) 및 제2 산란 패턴(360)과 달리 제1 산란 패턴(353_2)의 평탄부(353_2a)의 두께보다 제1 산란 패턴(353_2)의 제1 및 제2 중첩부(353_2b, 353_2c)의 두께가 더 두껍다.
다시 말해, 도 11에 도시된 제1 산란 패턴(353_2)의 제1 및 제2 중첩부(353_2b, 353_2c)의 두께 및 제2 산란 패턴(360_2)의 두께는 도 2에 도시된 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c)의 두께 및 제2 산란 패턴(360)의 두께보다 약 4배 정도 두꺼울 수 있다.
이로 인해 각 유기 발광 소자(ED1, ED2, ED3)에서 발광된 광이 측면 방향으로 진행하여 인접한 화소(PX1, PX2, PX3)로 진행하는 것을 더욱 방지할 수 있다. 즉, 인접한 화소간의 혼색을 방지하여 화소의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
이상 도 11에 도시된 광 변환 패턴(351, 352) 및 제1 산란 패턴(353)의 두께가 도 2에 도시된 광 변환 패턴(351, 352) 및 제1 산란 패턴(353)의 두께와 동일한 경우를 예시로 하여 설명하였다.
한편, 도 11에 도시된 광 변환 패턴(351, 352)에 포함된 파장 변환 입자의 파장 변환 효율은 도 2에 도시된 광 변환 패턴(351, 352)에 포함된 파장 변환 입자의 파장 변환 효율보다 우수할 수 있다. 이와 같은 경우, 도 11에 도시된 광 변환 패턴의 두께는 도 2에 도시된 광 변환 패턴의 두께보다 얇을 수 있다. 즉, 도 11에 도시된 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 높이는 도 2 또는 도 8에 도시된 제1 산란 패턴 및 제2 산란 패턴의 높이와 동일할 수 있다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 우선, 광 변환 패턴층(QD1, QD2)을 덮고 있는 캡핑층(CP) 상에 감광성 유기막(PR_1)을 형성한다. 감광성 유기막(PR_1)의 상면은 캡핑층(CP)의 상면과 대체로 평행하게 형성될 수 있다. 이 때, 캡핑층(CP) 상에 도포되는 감광성 유기막(PR_1)의 양을 조절하는 경우, 제1 산란 패턴(353_2) 및 제2 산란 패턴(360_2)의 두께를 조절할 수 있다. 도 12에 도시된 감광성 유기막(PR_1)의 두께는 도 6에 도시된 감광성 유기막(PR_1)의 두께의 약 두 배에 해당하는 경우를 예로 하여 설명한다.
감광성 유기막(PR_1)은 예를 들어, 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
감광성 유기막(PR_1)은 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자는 광 산란 입자일 수 있다. 산란 입자는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다.
그 후, 반투과 노광 공정(예컨대, 하프톤 마스크나 슬릿 마스크를 이용)을 수행한다. 이 때, 통상의 패터닝 공정에 이용되는 조사광, 예컨대 UV 자외선 또는 CW 레이저를 광 조절 마스크 장치(M) 상부에서 조사하여 노광을 진행할 수 있다.
이하에서, 네거티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 감광성 유기막(PR_1)을 형성하는 경우를 예로 하여 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 다른 실시예에서 감광성 유기막(PR)은 포지티브 감광성 재료를 포함하는 감광층을 이용하여 형성될 수도 있다. 이때 이 하프톤 마스크(HM) 또는 슬릿 마스크에 의해 감광성 유기막(PR) 이 제거될 영역과, 감광성 유기막(PR)이 남아서 제1 산란 패턴(353_2) 및 제2 산란 패턴(360_2)이 형성될 영역이 각각 서로 다른 정도로 노광된다.
즉, 상기 하프톤 마스크(HM) 또는 슬릿 마스크는 광을 100% 통과시키는 제1투광부(Ma)와 광을 중간 정도로 투과시키는 제2투광부(Mb) 그리고 광을 거의 통과시키지 않는 제3 투광부(Mc)를 구비하고 있다. 제1투광부(Ma)는 감광성 유기막(PR_1) 이 남아서 제2 산란 패턴(360_2) 및 제1 산란 패턴(353_2)의 중첩부(353_2b)가 형성될 영역에, 상기 제2투광부(Mb)는 감광성 유기막(PR_1)이 대략 절반 정도 남아서 제1 산란 패턴(353_2)의 평탄부(353_2a)가 형성될 영역에, 제3투광부(Mc)는 감광성 유기막(PR_1)이 제거될 영역에, 각각 대응되도록 하프톤 마스크(HM) 또는 슬릿 마스크를 배치할 수 있다. 다만, 상기한 감광성 유기막(PR_1)으로서, 포지티브 감광 물질이 적용될 경우 상기한 제1투광부(Ma)와 제2투광부(Mb)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
그러면, 제1 투광부(Ma)에 의해 100% 노광된 부위는 현상(development)을 통해 감광성 유기막(PR_1)이 그대로 남아서 제1 산란 패턴(353_2)의 중첩부(353_2b) 및 제2 산란 패턴(360_2) 형태를 갖추게 된다. 또한, 제3 투광부(Mc)에 의해 100% 빛이 차단된 부위는 감광성 유기막(PR_1)이 제거되어 캡핑층(CP)을 노출한다. 그리고, 광이 중간 정도로 투과된 제2투광부(Mb) 영역에는 감광성 유기막(PR_1)이 중간 정도 남게 되어 제1 산란 패턴(353_2)의 평탄부(353_2a)가 형성된다.
그 결과, 도 13에 도시된 바와 같이 광 변환 패턴(QD1, QD2)에 대응되는 제1 산란 패턴(353_2)의 평탄부(353_2a)와 제2 산란 패턴(360_2)에 대응되는 제1 산란 패턴(353_2)의 제1 및 제2 중첩부(353_2b, 353_2c)가 일체로 이루어진 구조를 형성할 수 있다. 구체적으로 제1 산란 패턴(353_2)의 중첩부(353_2b)의 두께(H2_2)는 제1 산란 패턴(353_2)의 평탄부(353_2a)의 두께(H1_2)보다 약 2 배 정도 두꺼울 수 있다. 제1 산란 패턴(353_2)의 제1 및 제2 중첩부(353_2b, 353_2c)의 두께(H2_2)는 제2 산란 패턴(360_2)의 두께(H3_2)와 동일할 수 있다.
도 14은 다른 실시예에 따른 표시 장치의 각 화소 및 제2 산란 패턴과 제1 산란 패턴의 배치를 나타낸 평면 배치도이고, 도 15는 도 14의 Ⅳ-Ⅳ'을 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 16는 도 14의 Ⅴ-Ⅴ'을 따라 자른 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 14 내지 도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 산란 패턴(360_3)은 화소 제1 행 및 화소 제2 행 사이의 화소 행 경계(RL1, RL2)에 배치된 제3 산란 패턴(361)을 더 포함한다는 점에서 일 실시예에 따른 제2 산란 패턴(360)과 차이가 있다.
구체적으로 설명하면, 평면상 제3 산란 패턴(361)은 인접한 제2 산란 패턴(360) 사이에 배치되거나 인접한 제2 산란 패턴(360)과 제1 산란 패턴(353)의 제1 및 제2 중첩부(353b, 353c) 사이에 배치될 수 있다.
제3 산란 패턴(361)은 제2 산란 패턴(360)과 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 산란 패턴(361)은 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352) 상에 배치될 수 있다. 제3 산란 패턴(361)의 평면상 폭은 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352) 의 평면상 폭보다 작을 수 있다. 제3 산란 패턴(361)은 상기 열 방향으로 연장된 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352) 상에 배치되어 있어 그 표면은 실질적으로 굴곡진 곡면 형상을 가질 수 있다.
각 제3 산란 패턴(361)은 각 화소 열 경계(CL1, CL2)를 따라 연장하다가 인접한 제2 산란 패턴(360)의 단부와 직접 맞닿아 연결될 수 있다.
즉, 각 제3 산란 패턴(361)은 양 측으로 인접한 제2 산란 패턴(360)과 만나 연결되거나 인접한 제2 산란 패턴(360)과 제1 산란 패턴의 중첩부와 만나 연결될 수 있다. 따라서, 평면상 제2 산란 패턴(360_3)은 제2 산란 패턴(360)과 제3 산란 패턴(361)이 일체로 연결되고 화소 행 경계(RL), 화소 열 경계(CL)을 따라 배치된 격자 형상을 가질 수 있다.
제3 산란 패턴(361)과 제2 산란 패턴(360)은 각각 광 변환 패턴(351, 352)의 표면을 기준으로 최대 돌출 두께(TPa, TP)를 가질 수 있다.
한편, 제2 산란 패턴(360_1)은 포토리소그래피 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 제1 광 변환 패턴(351) 및 제2 광 변환 패턴(352)이 배치된 제2 베이스 기판(310) 상에 감광성 유기막(PR)을 형성한다. 유기막(PR)은 예를 들어, 벤조사이클로부텐(Benzo Cyclo Butene;BCB), 폴리이미드(polyimide;PI), 폴리아마이드(poly amaide;PA), 아크릴 수지 및 페놀수지 등으로부터 선택된 적어도 하나의 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
감광성 유기막(PR_2)은 산란 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자는 광 산란 입자일 수 있다. 산란 입자는 투과광의 적어도 일부를 산란시킬 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기입자의 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다.
상기한 바와 같이 광 변환 패턴(351, 352)이 배치된 영역 및 광 변환 패턴(351, 352)이 배치되지 않은 영역 간에는 표면 단차가 형성되어 있어, 상기 제1 산란 패턴 물질층은 광 변환 패턴(351, 352)이 배치된 영역에서의 표면 높이가 광 변환 패턴(351, 352)이 배치되지 않은 영역에서의 표면 높이보다 더 클 수 있다. 즉, 제3 산란 패턴(361)을 형성하는 상기 제1 산란 패턴 물질층의 표면 높이는 제2 산란 패턴(360)을 형성하는 상기 제1 산란 패턴 물질층의 표면 높이보다 커질 수 있다. 물론, 광 변환 패턴(351, 352) 상에 배치된 제1 산란 패턴 물질층은 인접한 영역(광 변환 패턴(351, 352)이 배치되지 않은 영역)으로 일부 유동하여 그 표면 높이가 감소할 수 있으나, 여전히 광 변환 패턴(351, 352) 상에 배치되지 않은 영역에 위치한 제1 산란 패턴 물질층의 표면 높이보다 크다.
상기한 바와 같이 충진재(70)는 합착 공정 이후, 제2 산란 패턴(360_3) 및 광 제공 기판(100) 간의 접촉 및/또는 충돌로 인한 손상을 방지하기 위해, 제2 산란 패턴(360_3)의 표면과 광 제공 기판(100) 간 최소 두께를 유지하는데, 제3 산란 패턴(361)을 형성하는 상기 제1 산란 패턴 물질층의 표면 높이가 제2 산란 패턴(360)을 형성하는 상기 제1 산란 패턴 물질층의 표면 높이보다 커지는 경우, 충진재(70)는 제2 산란 패턴(360)보다 표면 높이가 큰 제3 산란 패턴(361)의 표면과 광 제공 기판(100) 사이의 최소 두께를 유지하기 위해 전체적인 두께가 증가될 수 있다. 이는 표시 장치(2)의 광 투광성을 저해하는 원인이 된다.
본 실시예에서는 제2 산란 패턴(360_3)의 영역 별로 표면 높이를 조절할 수 있는 광 조절 마스크 장치(M)를 이용하여 광 변환 패턴(351, 352)의 표면을 기준, 제2 산란 패턴(360)과 제3 산란 패턴(361)의 표면 높이를 서로 동일하도록 조절할 수 있다. 이에 대한 설명은 도 17 내지 도 12을 참조하여 설명하기로 한다.
도 16 내지 17은 일 실시예에 따른 제1 산란 패턴의 제조 방법을 나타낸 도면이다.
도 16 내지 도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 산란 패턴(360_3)은 영역 별로 두께를 조절할 수 있는 광 조절 마스크 장치(M)를 통해 형성될 수 있다. 광 조절 마스크 장치(M)는 하프톤 마스크(Half Tone Mask) 또는 슬릿 마스크(Slit Mask)일 수 있다. 이하에서는 하프톤 마스크가 적용된 예를 중심으로 설명하기로 한다.
도 16를 참조하면, 광 변환 패턴(351, 352) 배치 유무에 따른 단차가 생긴 감광성 유기막(PR_2) 상에 광 조절 마스크 장치(M)를 배치한다.
한편, 감광성 유기막(PR_2)은 네가티브 감광 물질(Negative PR)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 감광성 유기막(PR_2)은 포지티브 감광 물질(Positive PR)을 포함할 수 있다. 이하에서는 감광성 유기막(PR_2)이 네가티브 감광 물질(Negative PR)을 포함하는 것을 중심으로 설명하기로 한다.
광 조절 마스크 장치(M)는 광을 100% 통과시키는 제1 투광부(Ma)와 광을 중간 정도로 투과시키는 제2 투광부(Mb) 그리고 광을 거의 통과시키지 않는 제3 투광부(Mc)를 포함할 수 있다. 제1 투광부(Ma)제2 투광부(Mb) 도 16에 도시된 바와 같이, 제2 광 변환 패턴(352) 상에 배치된 감광성 유기막(PR_2) 상에는 광 조절 마스크 장치(M)의 제2 투광부(Mb)가 배치되고, 제2 광 변환 패턴(352)가 배치되지 않은 감광성 유기막(PR_2) 상에는 광 조절 마스크 장치(M)의 제1 투광부(Ma)가 배치될 수 있다. 다만, 상기한 감광성 유기막(PR_2)으로서, 포지티브 감광 물질이 적용될 경우 상기한 제2 투광부(Mb)와 제1 투광부(Ma)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
이어, 통상의 패터닝 공정에 이용되는 조사광, 예컨대 UV 자외선 또는 CW 레이저를 광 조절 마스크 장치(M) 상부에서 조사한다.
광 조절 마스크 장치(M)의 제1 투광부(Ma)가 배치된 영역에서 상기 조사광은 제1 투광부(Ma)를 그대로 투과하여 감광성 유기막(PR_2)에 조사되고, 광 조절 마스크 장치(M)의 제2 투광부(Mb)가 배치된 영역에서 상기 조사광은 제2 투광부(Mb)를 통해 적어도 일부가 투과하여 감광성 유기막(PR_2)에 조사된다.
이로 인해, 제1 투광부(Ma)에 의해 100% 노광된 부위는 현상(development)을 통해 감광성 유기막(PR_2)이 그대로 남아서 제2 산란 패턴(360) 형태를 갖추게 된다. 또한, 광이 중간 정도로 투과된 제2투광부(Mb) 영역에는 감광성 유기막(PR_2)이 중간 정도 남게 되어 제3 산란 패턴(361)가 형성된다.
따라서, 도 16 내지 도 18을 참조하면, 도 18에 도시된 바와 같이 최종적인 구조에서 제1 투광부(Ma) 아래에 배치된 제2 산란 패턴(360)과 제2 투광부(Mb) 아래에 배치된 제3 산란 패턴(361)의 표면 돌출 높이(TP, TPa)차이가 약 0.8㎛ 내지 약 1.2㎛ 사이일 수 있다. 상기한 충진재(70) 두께 증가 방지 관점에서 바람직하게 이들의 표면 돌출 높이(TP, TPa)는 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
이로 인해, 도 16에 도시된 바와 같이, 충진재(70)는 제2 산란 패턴(360)과 제3 산란 패턴(361)이 배치된 영역에서 각각 동일한 최소 두께(TH1, TH2)를 가지며, 이로 인해 충진재(70)의 제3 산란 패턴(361)과 중첩하는 영역에서의 두께 증가를 방지하여, 불필요한 광 투광성 감소를 방지할 수 있다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 제3 산란 패턴(361)이 배치된 제2 베이스 기판 상에 충진재(70)가 형성된다. 충진재(70)는 제2 베이스 기판의 전면에 걸쳐 배치될 수 있다.
한편, 화소 행 경계(RL1, RL2, RL3) 및 화소 열 경계(CL1, CL2)를 따라 배치된 제2 산란 패턴(360)은 충진재(70)가 흐르는 진행 방향을 가이드하는 역할을 할 수 있다. 즉, 제2 산란 패턴(360)은 화소 열 방향으로 충진재(70)가 흐르는 진행 방향을 가이드하고, 제3 산란 패턴(361)은 화소 행 방향으로 충진재(70)가 흐르는 진행 방향을 가이드할 수 있다.
이로 인해, 충진재(70)가 상기 화소 행 방향으로도 진행하여 화소(PX1, PX2, PX3)에 골고루 퍼질 수 있다. 따라서, 제3 산란 패턴(361)은 충진재(70)의 미채움 불량을 개선할 수 있다.
나아가, 제3 산란 패턴(361)은 제2 산란 패턴(360)과 마찬가지로, 광 제공 기판(100)과 광 변환 기판(300)의 합착 공정 시에 광 제공 기판(100)과 광 변환 기판(300) 간의 갭(Gap)을 유지시켜, 이들이 접촉 및/또는 충돌하여 손상되는 것을 미연에 방지하는 역할을 할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치 100: 광 제공 기판
300: 광 변환 기판 350: 광 변환 패턴
351, 352: 제1 광 변환 패턴, 제2 광 변환 패턴
353, 360, 361: 제1 산란 패턴, 제2 산란 패턴, 제3 산란 패턴

Claims (20)

  1. 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 제1 기판;
    상기 제1 영역 상에 배치되며, 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴;
    상기 제2 영역 상에서 상기 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며, 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴; 및
    상기 제3 영역 상에서 상기 제1 광 변환 패턴 및 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되며, 산란 입자를 포함하는 제1 산란 패턴을 포함하고,
    상기 제1 산란 패턴은 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩하는 광 변환 기판.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 산란 패턴은 평탄부와 상기 평탄부의 일 측으로부터 연장되며 상기 제2 광 변환 패턴과 중첩하는 제1 중첩부 및 상기 평탄부의 타 측으로부터 연장되며 상기 제1 광 변환 패턴과 중첩하는 제2 중첩부를 포함하는 광 변환 기판.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 중첩부 및 상기 제2 중첩부의 두께는 상기 평탄부의 두께보다 두꺼운 광 변환 기판.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 상에 배치되고, 상기 제1 기판과 상기 제1 산란 패턴 사이에 배치되는 캡핑층을 더 포함하는 광 변환 기판.
  5. 상기 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에서 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되고, 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩하는 제2 산란 패턴을 포함하는 광 변환 기판.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 광 변환 패턴, 상기 제2 광 변환 패턴 및 상기 제1 산란 패턴은 평면상 열 방향으로 연장되는 스트라이프(stripe) 형상인 광 변환 기판.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴은 동일한 산란 입자를 포함하는 광 변환 기판.
  8. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 산란 패턴의 최대 두께는 상기 제1 광 변환 패턴의 최대 두께와 상기 제2 광 변환 패턴의 최대 두께보다 두꺼운 광 변환 기판.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 각각은 상기 제1 산란 패턴과 동일한 산란 입자를 더 포함하는 광 변환 기판.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 파장 변환 입자의 크기는 상기 제2 파장 변환 입자의 크기보다 큰 광 변환 기판.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 상기 열 방향 및 상기 열 방향과 교차하는 행 방향을 따라 복수의 화소들을 포함하고,
    상기 화소들의 행 경계를 따라 상기 제1 광 변환 패턴 및 상기 제2 광 변환 패턴 상에 배치되고,
    상기 제1 중첩부와 상기 제2 산란 패턴 사이 및 상기 제2 중첩부와 상기 제2 산란 패턴 사이에 배치되는 제3 산란 패턴을 포함하는 광 변환 기판.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 중첩부의 두께, 상기 제2 중첩부의 두께, 상기 제2 산란 패턴의 두께 및 상기 제3 산란 패턴의 두께는 동일한 광 변환 기판.
  13. 제1 화소 영역, 제2 화소 영역 및 제3 화소 영역을 포함하며, 서로 대향하는 광 변환 기판과 광 제공 기판을 구비하고,
    상기 광 변환 기판은 제1 기판을 포함하고, 상기 제1 화소 영역 상에 배치되며 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴, 상기 제2 화소 영역 상에 상기 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴 및 상기 제3 화소 영역 상에서 상기 제1 광 변환 패턴 및 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되며 산란 입자를 포함하는 제1 산란 패턴을 포함하며,
    상기 광 제공 기판은 상기 제1 광 변환 패턴과 중첩하는 제1 발광 영역, 상기 제2 광 변환 패턴과 중첩하는 제2 발광 영역, 및 상기 제1 산란 패턴과 중첩하는 제3 발광 영역을 포함하며,
    상기 제1 산란 패턴은 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 화소 영역과 상기 제2 화소 영역 사이에서 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 사이 공간을 채우도록 배치되고, 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부와 중첩하는 제2 산란 패턴을 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴은 동일한 산란 입자를 포함하는 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 발광 영역 내지 상기 제3 발광 영역은 제1 색의 광을 발광하고,
    상기 제1 광 변환 패턴은 상기 제1 색의 광을 제2 색의 광으로 변환하여 출력하고, 상기 제2 광 변환 패턴은 상기 제1 색의 광을 제3 색의 광으로 변환하여 출력하는 표시 장치.
  17. 제13 항에 있어서,
    상기 광 변환 기판과 상기 광 제공 기판 사이에 배치된 충진재를 포함하는 표시 장치.
  18. 제1 기판 상에 제1 파장 변환 입자를 포함하는 제1 광 변환 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 상기 제1 광 변환 패턴과 이격되어 배치되며, 제2 파장 변환 입자를 포함하는 제2 광 변환 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴에 의해 덮이지 않고 노출된 제1 기판, 상기 제1 광 변환 패턴의 일부 및 상기 제2 광 변환 패턴의 일부를 덮는 제1 산란 패턴, 및 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 사이에 배치되는 제2 산란 패턴을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제1 광 변환 패턴을 형성하기 전에, 상기 제1 기판 상에 제1 캡핑층을 형성하는 단계 및
    상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 상에 제2 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴을 동시에 형성하는 단계는,
    상기 제1 기판, 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴 상에 포토 레지스트를 도포하는 단계;
    상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴과 중첩하는 차광부, 상기 제1 광 변환 패턴과 상기 제2 광 변환 패턴에 의해 덮이지 않고 노출된 제1 기판을 덮는 상기 제1 산란 패턴과 중첩하는 투광부 및 상기 제1 광 변환 패턴의 일부를 덮는 상기 제1 산란 패턴과 상기 제2 산란 패턴과 중첩하는 반투광부를 포함하는 마스크를 상기 포토 레지스트 상에 배치하는 단계;
    상기 마스크를 통해 상기 포토 레지스트를 노광하는 단계; 및
    상기 포토 레지스트를 현상하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11121342B2 (en) * 2019-12-16 2021-09-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel having a nano-stack layer
KR20210158461A (ko) 2020-06-23 2021-12-31 삼성디스플레이 주식회사 컬러필터유닛 및 그를 구비하는 디스플레이 장치
CN112447931B (zh) * 2020-11-20 2023-07-14 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20220126856A (ko) * 2021-03-09 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 그 제조 방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009230889A (ja) 2008-03-19 2009-10-08 Fuji Electric Holdings Co Ltd 色変換フィルタの製造方法
JPWO2010106619A1 (ja) 2009-03-16 2012-09-20 富士電機株式会社 色変換フィルター基板
JP2017027872A (ja) * 2015-07-27 2017-02-02 ソニー株式会社 表示装置
KR102469945B1 (ko) * 2017-07-14 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
US10762806B2 (en) * 2018-04-24 2020-09-01 Innolux Corporation Display device

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