CN219626664U - 颜色转换衬底和包括其的显示设备 - Google Patents

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CN219626664U CN202320749252.9U CN202320749252U CN219626664U CN 219626664 U CN219626664 U CN 219626664U CN 202320749252 U CN202320749252 U CN 202320749252U CN 219626664 U CN219626664 U CN 219626664U
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金暲镒
金种勳
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Abstract

提供了颜色转换衬底以及包括颜色转换衬底的显示设备。颜色转换衬底包括:第一基础衬底,包括第一区域、围绕第一区域的第二区域以及围绕第二区域的第三区域;密封构件,在第一基础衬底上并且在第二区域中;滤色器层,在第一基础衬底上并且在密封构件之下;以及低折射层,在滤色器层上,在密封构件之下,并且在第三区域的至少一部分中从第三区域到第二区域厚度增加。

Description

颜色转换衬底和包括其的显示设备
技术领域
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及显示设备,并且具体地涉及颜色转换衬底、包括其的显示设备以及制造颜色转换衬底的方法。
背景技术
显示设备是显示用于向用户提供视觉信息的图像的设备。这种显示设备的代表性示例可以包括液晶显示设备和有机发光显示设备。
近来,为了改善显示质量,已经提出了一种显示设备,其包括具有多个像素的显示衬底以及具有滤色器层和颜色转换层的颜色转换衬底。颜色转换层可以转换从显示衬底提供的光的波长。因此,包括颜色转换层的显示设备可以发射具有与入射光的颜色不同的颜色的光。例如,颜色转换层可以包括诸如量子点的波长转换颗粒。
实用新型内容
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有改善的可靠性的颜色转换衬底。
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及包括颜色转换衬底的显示设备。
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及制造颜色转换衬底的方法。
附加的方面将在随后的描述中在某种程度上阐述,并且在某种程度上将从描述中显而易见,或者可以通过实践所呈现的实施方式来习得。
本公开的一个或多个实施方式提供了颜色转换衬底,其包括:第一基础衬底,包括第一区域、围绕第一区域的第二区域以及围绕第二区域的第三区域;密封构件,在第一基础衬底上并且在第二区域中;滤色器层,在第一基础衬底上并且在密封构件之下;以及低折射层,在滤色器层上,在密封构件之下,并且在第三区域的至少一部分中从第三区域到第二区域厚度增加。
在一个或多个实施方式中,低折射层的与第一区域和第二区域重叠的部分可以具有比低折射层的与第三区域重叠的部分大的厚度。
在一个或多个实施方式中,低折射层可以包括有机材料。
在一个或多个实施方式中,颜色转换衬底还可以包括在低折射层上的保护层。
在一个或多个实施方式中,滤色器层的侧表面和保护层的侧表面可以被暴露。
在一个或多个实施方式中,保护层可以覆盖低折射层的一端。
在一个或多个实施方式中,保护层可以暴露低折射层的侧表面,并且低折射层的暴露的侧表面的厚度可以大于约0微米且小于或等于约0.7微米。
在一个或多个实施方式中,在滤色器层中可以限定有沟槽。
在一个或多个实施方式中,沟槽可以与密封构件重叠,并且低折射层的一部分可以设置成填充沟槽的内部。
本公开的一个或多个实施方式提供了显示设备,其包括:第一基础衬底,包括第一区域、围绕第一区域的第二区域以及围绕第二区域的第三区域;第二基础衬底,面对第一基础衬底;密封构件,在第一基础衬底与第二基础衬底之间;滤色器层,在第一基础衬底之下并且在密封构件上;以及低折射层,在滤色器层之下,在密封构件上,并且在第三区域的至少一部分中从第三区域到第二区域厚度增加。
在一个或多个实施方式中,低折射层的与第一区域和第二区域重叠的部分可以具有比低折射层的与第三区域重叠的部分大的厚度。
在一个或多个实施方式中,显示设备还可以包括在低折射层之下的保护层。
在一个或多个实施方式中,保护层可以覆盖低折射层,并且低折射层的侧表面的厚度可以为约0.7微米或更小。
在一个或多个实施方式中,在滤色器层中可以限定有与密封构件重叠的沟槽。
本公开的一个或多个实施方式提供了制造颜色转换衬底的方法,其包括:形成第一基础母衬底,第一基础母衬底包括有效区域和围绕有效区域的无效区域并且限定位于有效区域和无效区域之间的边界中的切割线;在第一基础母衬底上形成滤色器层,其中,滤色器层与有效区域和无效区域重叠并且包括至少一个滤色器图案,并且至少一个滤色器图案的一端位于切割线的至少一侧上;在滤色器层上形成低折射层,其中,低折射层与有效区域和无效区域重叠,并且覆盖至少一个滤色器图案的一端;在低折射层上形成密封构件;以及沿着切割线切割第一基础母衬底、滤色器层和低折射层。
在一个或多个实施方式中,形成滤色器层可以包括:在第一基础母衬底上形成第一滤色器图案;在第一滤色器图案上形成第二滤色器图案;以及在第二滤色器图案上形成第三滤色器图案。
在一个或多个实施方式中,在形成第三滤色器图案中,第三滤色器图案的一端可以设置在切割线的至少一侧上。
在一个或多个实施方式中,第三滤色器图案的一端可以与切割线间隔开约44.5微米或更小。
在一个或多个实施方式中,在形成第二滤色器图案中,第二滤色器图案的一端可以定位成与切割线的至少一侧相邻,并且第二滤色器图案的一端可以形成为从第三滤色器图案的一端突出。
在一个或多个实施方式中,第二滤色器图案的一端可以与切割线间隔开约50微米或更小。
在一个或多个实施方式中,第三滤色器图案的一端可以与第二滤色器图案的一端间隔开约6微米或更小。
在一个或多个实施方式中,在形成滤色器层之后,该方法还可以包括在滤色器层中形成沟槽。
在一个或多个实施方式中,沟槽可以与密封构件重叠。
在一个或多个实施方式中,形成低折射层可以包括将低折射层的一部分填充在沟槽中。
在一个或多个实施方式中,沟槽可以与密封构件和无效区域重叠。
在根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备中,由于低折射层的厚度在其至少一部分中从显示设备的外侧到内侧增加,因此可以防止或减少外部材料通过低折射层的侵入。因此,防止或减少显示设备的缺陷,并且可以改善显示设备的可靠性。
在根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法中,当形成颜色转换衬底时,至少一个滤色器图案的一端位于切割线的至少一侧上,使得低折射层的侧表面不暴露或暴露约0.7微米或更小。因此,低折射层的暴露的侧表面的厚度可以由于低折射层的调平现象而减小。可以防止或减少外部材料通过低折射层的侵入。因此,防止或减少显示设备的缺陷,并且可以改善显示设备的可靠性。
附图说明
包括附图以提供对本公开的进一步理解,并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了本公开的实施方式,并且与说明书一起用于解释本公开的原理。本公开的以上和/或其它方面将从结合附图的实施方式的以下描述中变得显而易见和得到理解。在附图中:
图1是示出根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的平面图;
图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图;
图3是图2的区域A的放大剖视图;
图4是示出图2的颜色转换衬底的剖视图;
图5是图4的区域B的放大剖视图;
图6是图4的区域C的放大剖视图;
图7是图6的区域D的放大剖视图;
图8是示出图7的另一示例的剖视图;
图9是示出图6的另一示例的剖视图;
图10是示出图9的另一示例的剖视图;
图11至图23是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的视图;
图24至图30是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的视图;以及
图31至图36是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的视图。
具体实施方式
本公开可以以许多替代形式进行修改,并且因此将在附图中例示并更详细地描述特定实施方式。然而,应该理解的是,其并不旨在将本公开限制于所公开的特定形式,而是旨在覆盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同和替换。
在下文中,将参考附图更详细地描述根据一个或多个实施方式的显示设备。相同的附图标记用于附图中相同的组件,并且为了简洁起见,将不提供相同组件的冗余描述。
在附图中,为了清楚示出,可以夸大结构的尺寸。应当理解,尽管可以在本文中使用术语第一、第二等来描述一个或多个合适的元件,但是这些元件不应被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,第一元件可以被称为第二元件。类似地,第二元件可以被称为第一元件。如本文中所使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式旨在也包括复数形式。
在本公开中,将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括(comprise)/包括(include)”和/或“包括(comprising)/包括(including)”指定所述特征、数字、步骤、操作、元件、部分或其组合的存在,但不排除一个或多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、部分或其组合的存在或添加。如本文中所使用的,术语“和”、“或”以及“和/或”可以包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。当在一列表的元素之后时,诸如“…中的至少一个”、“…中的一个”和“从…中选择”的表述修饰整个列表的元素,并且不修饰列表中的个别元素。例如,“a、b和c中的至少一个”、“选自a、b和c中的至少一个”、“选自a至c中的至少一个”等可以表示仅a、仅b、仅c、a和b两者(例如,同时表示a和b)、a和c两者(例如,同时表示a和c)、b和c两者(例如,同时表示b和c)、a、b和c中的全部或者其变型。此外,当描述本公开的实施方式时,“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。
在本公开中,当层、膜、区域、板等被称为在另一部分“上”或在另一部分“上方”时,其可以直接在另一部分“上”,或者还可以存在居间层。相反,当层、膜、区域、板等被称为在另一部分“之下”或“下方”时,它可以直接在另一部分“之下”,或者还可以存在居间层。此外,当元件被称为设置在另一个元件“上”时,它可以设置在另一个元件之下。
图1是示出根据本公开的一个或多个实施方式的显示设备的平面图。图2是沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参考图1和图2,显示设备10可以包括颜色转换衬底100和阵列衬底200。颜色转换衬底100可以面对阵列衬底200。颜色转换衬底100可以从阵列衬底200定位在第一方向D1上(例如,可以在阵列衬底200上)。例如,第一方向D1可以是从阵列衬底200起的显示设备10的正向方向。
在一个或多个实施方式中,颜色转换衬底100可以包括密封构件SLM。密封构件SLM可以设置在阵列衬底200和颜色转换衬底100之间。密封构件SLM可以将阵列衬底200和颜色转换衬底100彼此联接。
显示设备10可以包括其中显示图像的第一区域A1、围绕第一区域A1的第二区域A2以及围绕第二区域A2的第三区域A3。例如,第一区域A1可以是显示区域,并且第二区域A2和第三区域A3可以是非显示区域。例如,在一些实施方式中,第二区域A2可以是密封区域,并且第三区域A3可以是外部区域。
颜色转换衬底100可以包括颜色转换层(例如,图3的颜色转换层CCL)。颜色转换层可以设置在第一区域A1中,并且可以转换从阵列衬底200的发光元件产生的光的波长。颜色转换衬底100还可以包括透射特定颜色的光的滤色器层。
阵列衬底200可以包括多个像素,并且可以被称为显示衬底。像素可以设置在阵列衬底200的第一区域A1中。像素中的每一个可以包括驱动元件和发光元件。驱动元件可以包括至少一个薄膜晶体管。发光元件可以根据驱动信号产生光。例如,发光元件可以是无机发光二极管或有机发光二极管。
密封构件SLM可以设置在阵列衬底200和颜色转换衬底100之间,并且可以设置在第二区域A2中。例如,在一个或多个实施方式中,密封构件SLM可以在第二区域A2中设置在阵列衬底200和颜色转换衬底100之间,以在平面图中围绕第一区域A1。
例如,在一个或多个实施方式中,密封构件SLM可以具有中空四边形的平面形状。然而,本公开的实施方式不限于此,例如,在一些实施方式中,取决于阵列衬底200或颜色转换衬底100的平面形状,密封构件SLM可以具有一个或多个合适的平面形状。例如,当阵列衬底200或颜色转换衬底100具有诸如三角形、菱形、多边形、圆形或椭圆形的平面形状时,密封构件SLM可以具有诸如中空三角形、中空菱形、中空多边形、中空圆形或中空椭圆形的平面形状。
填充层可以设置在阵列衬底200和颜色转换衬底100之间。例如,在一个或多个实施方式中,填充层可以用作抵抗施加到显示设备10的外部压力的缓冲件。例如,在一些实施方式中,填充层可以保持阵列衬底200和颜色转换衬底100之间的间隙。然而,本公开的实施方式不限于此。
图3是图2的区域A的放大剖视图。
参考图1至图3,第一区域A1可以包括发光区域和光阻挡区域BA。由阵列衬底200产生并入射到颜色转换衬底100的光L1(在下文中,入射光)可以通过发光区域发射到外部。发光区域可以包括用于发射不同颜色的光的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如,在一个或多个实施方式中,具有红色的第一透射光L2R可以从第一发光区域LA1发射,具有绿色的第二透射光L2G可以从第二发光区域LA2发射,并且具有蓝色的第三透射光L2B可以从第三发光区域LA3发射。
在一个或多个实施方式中,第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以在平面图中彼此间隔开,并且布置成彼此重复。光阻挡区域BA可以在平面图中围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如,在一些实施方式中,光阻挡区域BA可以在平面图中具有栅格形状。
在一个或多个实施方式中,颜色转换衬底100可以包括密封构件SLM、第一基础衬底SUB1、滤色器层CF、分隔结构PT、颜色转换层CCL、低折射层LR、保护层PL和封盖层CP。
因为显示设备10包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3,所以第一基础衬底SUB1可以包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。
第一基础衬底SUB1可以是由透明材料形成的绝缘衬底。第一基础衬底SUB1可以包括玻璃或塑料。
滤色器层CF可以设置在第一基础衬底SUB1之下,并且可以设置在密封构件SLM上。例如,在一个或多个实施方式中,滤色器层CF可以设置在第一基础衬底SUB1之下,并且可以与第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3重叠。滤色器层CF可以包括第一滤色器图案CF1、第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3。
第一滤色器图案CF1可以与第三发光区域LA3重叠并且可以选择性地透射蓝光。第二滤色器图案CF2可以与第一发光区域LA1重叠并且可以选择性地透射红光。第三滤色器图案CF3可以与第二发光区域LA2重叠并且可以选择性地透射绿光。
在一个或多个实施方式中,第一滤色器图案CF1、第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3中的每一个可以设置成进一步与光阻挡区域BA重叠。例如,如图3中所示,第二滤色器图案CF2可以与第一发光区域LA1和光阻挡区域BA重叠,但是可以不与第二发光区域LA2和第三发光区域LA3重叠。第三滤色器图案CF3可以与第二发光区域LA2和光阻挡区域BA重叠,但是可以不与第一发光区域LA1和第三发光区域LA3重叠。第一滤色器图案CF1可以与第三发光区域LA3和光阻挡区域BA重叠,但是可以不与第一发光区域LA1和第二发光区域LA2重叠。在这种布置下,在光阻挡区域BA中,第一滤色器图案CF1、第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3的部分可以在第一方向D1上彼此重叠。因此,可以防止或减少相邻的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3之间的颜色混合。
滤色器层CF可以设置在第一基础衬底SUB1之下,并且可以选择性地进一步与第二区域A2和第三区域A3重叠。例如,在一个或多个实施方式中,滤色器层CF可以从第一区域A1延伸到第二区域A2和第三区域A3。
滤色器层CF的与第二区域A2和第三区域A3重叠的部分可以用作光阻挡构件。在第二区域A2和第三区域A3中,第三滤色器图案CF3、第二滤色器图案CF2和第一滤色器图案CF1可以设置成在第一方向D1上彼此重叠。这样,在第二区域A2和第三区域A3中,滤色器层CF可以有效地阻挡或减少在第一方向D1上行进的光。
例如,在一个或多个实施方式中,在第二区域A2和第三区域A3中,第一滤色器图案CF1可以设置在第一基础衬底SUB1之下,并且第二滤色器图案CF2可以设置在第一滤色器图案CF1之下,并且第三滤色器图案CF3可以设置在第二滤色器图案CF2之下。然而,本公开的实施方式中的布置顺序不限于此。
在第二区域A2和第三区域A3中,滤色器层CF可以防止设置在颜色转换衬底100的第二区域A2中的电路结构(诸如布线和驱动电路)从显示设备10的外部在视觉上被识别。此外,滤色器层CF可以防止或减少其中从电路结构反射的光或从第一区域A1发射的光通过第一基础衬底SUB1的第二区域A2和第三区域A3发射的光泄漏现象。
分隔结构PT可以在第一区域A1中设置在滤色器层CF之下。多个开口可以形成在分隔结构PT中。例如,如图3中所示,分隔结构PT的开口可以分别暴露第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。分隔结构PT可以在形成颜色转换层CCL的工艺中形成用于容纳墨水组合物的空间。例如,在一些实施方式中,在平面图中,分隔结构PT可以与光阻挡区域BA完全重叠,并且可以具有栅格形状。
在一个或多个实施方式中,分隔结构PT可以包括有机材料。在一个或多个实施方式中,分隔结构PT还可以包括光阻挡材料。例如,在一些实施方式中,分隔结构PT的至少一部分可以包括诸如黑色颜料、黑色染料或炭黑的光阻挡材料。
在一个或多个实施方式中,低折射层LR可以设置在滤色器层CF之下,并且可以设置在密封构件SLM上。低折射层LR可以与第一区域A1,第二区域A2和第三区域A3重叠。
低折射层LR可以具有比颜色转换层CCL低的折射率。低折射层LR可以改善光提取效率以增加显示设备10的亮度和寿命。
在一个或多个实施方式中,低折射层LR可以包括有机材料。
保护层PL可以设置在低折射层LR之下。例如,保护层PL可以覆盖低折射层LR。保护层PL可以完全设置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中。
在一个或多个实施方式中,保护层PL可以包括无机材料。
颜色转换层CCL可以设置在保护层PL之下,并且可以与第一区域A1重叠。颜色转换层CCL可以包括设置在保护层PL的底表面上以彼此间隔开的颜色转换部分。在一个或多个实施方式中,颜色转换层CCL可以包括第一颜色转换部分CCL1、第二颜色转换部分CCL2和透射部分TL。第一颜色转换部分CCL1、第二颜色转换部分CCL2和透射部分TL可以在第一区域A1中设置在滤色器层CF之下,并且可以分别与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3重叠。例如,第一颜色转换部分CCL1、第二颜色转换部分CCL2和透射部分TL可以分别设置在分隔结构PT的开口中。
第一颜色转换部分CCL1可以与第一发光区域LA1重叠。第一颜色转换部分CCL1可以将入射光L1转换为具有红色的第一透射光L2R。例如,在一个或多个实施方式中,第一颜色转换部分CCL1可以包括树脂部分CCL1a、散射体CCL1b和波长转换颗粒CCL1c。
散射体CCL1b可以散射入射光L1以增加光路,而基本上不改变入射到第一颜色转换部分CCL1上的入射光L1的波长。散射体CCL1b可以包括金属氧化物或有机材料。在一些实施方式中,可以不提供散射体CCL1b。
在一个或多个实施方式中,波长转换颗粒CCL1c可以包括量子点。量子点可以定义为具有纳米晶体的半导体材料。取决于组分和尺寸,量子点具有特定带隙。因此,量子点可以吸收入射光L1并发射具有与入射光L1的波长不同的波长的光。例如,量子点可以具有约100nm或更小的直径,具体地,具有约1nm至约20nm的直径。例如,在一些实施方式中,第一颜色转换部分CCL1的波长转换颗粒CCL1c可以包括吸收入射光L1并发射红光的量子点。
散射体CCL1b和波长转换颗粒CCL1c可以设置在树脂部分CCL1a中。例如,在一些实施方式中,树脂部分CCL1a可以包括环氧基树脂、丙烯酸基树脂、酚基树脂、蜜胺基树脂、卡多基(cardo-based)树脂和/或酰亚胺基树脂。
第一颜色转换部分CCL1可以转换入射光L1以发射具有红色的第一透射光L2R。未被第一颜色转换部分CCL1转换的入射光L1可以被第二滤色器图案CF2阻挡。因此,在第一发光区域LA1中,具有红色的第一透射光L2R可以穿过第一基础衬底SUB1并且发射到外部(即,在第一方向D1上发射到外部)。
第二颜色转换部分CCL2可以与第二发光区域LA2重叠。第二颜色转换部分CCL2可以将入射光L1转换为具有绿色的第二透射光L2G。例如,在一些实施方式中,第二颜色转换部分CCL2可以包括树脂部分CCL2a、散射体CCL2b和波长转换颗粒CCL2c。第二颜色转换部分CCL2的树脂部分CCL2a和散射体CCL2b可以与第一颜色转换部分CCL1的树脂部分CCL1a和散射体CCL1b基本上相同或相似。
例如,在一些实施方式中,第二颜色转换部分CCL2的波长转换颗粒CCL2c可以包括吸收入射光L1并发射绿光的量子点。因此,第二颜色转换部分CCL2可以转换入射光L1以发射具有绿色的第二透射光L2G。未被第二颜色转换部分CCL2转换的入射光L1可以被第三滤色器图案CF3阻挡。因此,在第二发光区域LA2中,具有绿色的第二透射光L2G可以穿过第一基础衬底SUB1并且发射到外部(即,在第一方向D1上发射到外部)。
透射部分TL可以与第三发光区域LA3重叠。透射部分TL可以透射入射光L1以发射第三透射光L2B。例如,在一些实施方式中,透射部分TL可以包括树脂部分TLa和散射体TLb。透射部分TL的树脂部分TLa和散射体TLb可以与第一颜色转换部分CCL1的树脂部分CCL1a和散射体CCL1b基本上相同或相似。
然而,本公开的实施方式不限于此,例如,在一个或多个实施方式中,透射部分TL可以将入射光L1转换为具有蓝色的第三透射光L2B。在这种情况下,透射部分TL还可以包括具有吸收入射光L1并发射蓝光的量子点的波长转换颗粒。
入射光L1的一部分可以被第一滤色器图案CF1阻挡。因此,在第三发光区域LA3中,具有蓝色的第三透射光L2B可以穿过第一基础衬底SUB1并且发射到外部(即,在第一方向D1上发射到外部)。
在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中,当通过第一基础衬底SUB1发射到外部的第一透射光L2R、第二透射光L2G和第三透射光L2B组合时,可以在第一区域A1中显示图像。
封盖层CP可以设置在保护层PL之下。封盖层CP可以保护颜色转换层CCL免受氧气、湿气、异物等的影响。封盖层CP可以完全设置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中。例如,在一个或多个实施方式中,封盖层CP可以覆盖滤色器层CF、低折射层LR、保护层PL、分隔结构PT和颜色转换层CCL。
在一个或多个实施方式中,阵列衬底200可以包括第二基础衬底SUB2、缓冲层BFR、第一驱动元件TR1、第二驱动元件TR2、第三驱动元件TR3、绝缘层IL和像素限定层PDL、第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3以及封装层ECL。
第二基础衬底SUB2可以面对第一基础衬底SUB1。由于显示设备10包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3,因此第二基础衬底SUB2可以包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。
第二基础衬底SUB2可以是由透明或不透明材料形成的绝缘衬底。在一些实施方式中,第二基础衬底SUB2可以包括玻璃。在这种情况下,阵列衬底200可以是刚性显示衬底。在一些实施方式中,第二基础衬底SUB2可以包括塑料。在这种情况下,阵列衬底200可以是柔性显示衬底。
缓冲层BFR可以设置在第二基础衬底SUB2上。缓冲层BFR可以防止或减少诸如氧气和湿气的杂质通过第二基础衬底SUB2扩散到第二基础衬底SUB2上。缓冲层BFR可以包括无机材料,诸如硅化合物或金属氧化物。缓冲层BFR可以具有单层结构或包括多个绝缘层的多层结构。
第一驱动元件TR1、第二驱动元件TR2和第三驱动元件TR3可以在缓冲层BFR上设置在第一区域A1中。第一驱动元件TR1、第二驱动元件TR2和第三驱动元件TR3中的每一个可以包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管的沟道层可以包括氧化物半导体、硅半导体、有机半导体等。例如,氧化物半导体可以包括选自铟(In)的氧化物、镓(Ga)的氧化物、锡(Sn)的氧化物、锆(Zr)的氧化物、钒(V)的氧化物、铪(Hf)的氧化物、镉(Cd)的氧化物、锗(Ge)的氧化物、铬(Cr)的氧化物、钛(Ti)的氧化物和锌(Zn)的氧化物中的至少一种。硅半导体可以包括非晶硅、多晶硅等。
绝缘层IL可以覆盖第一驱动元件TR1、第二驱动元件TR2和第三驱动元件TR3。绝缘层IL可以包括无机绝缘层和有机绝缘层的组合。
第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3可以设置在绝缘层IL上。例如,在一个或多个实施方式中,第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以设置在绝缘层IL上。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3中的每一个可以包括导电材料,诸如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3中的每一个可以具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。
第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3可以分别通过形成在绝缘层IL中的接触孔电连接到第一驱动元件TR1、第二驱动元件TR2和第三驱动元件TR3。
像素限定层PDL可以设置在第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上。像素限定层PDL可以包括有机材料。像素限定层PDL可以限定暴露第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3中的每一个的至少一部分的像素开口。
发射层EL可以设置在由像素限定层PDL的像素开口暴露的第一像素电极AE1、第二像素电极AE2和第三像素电极AE3上。在一个或多个实施方式中,发射层EL可以跨过多个像素在第一区域A1中连续延伸。在一个或多个实施方式中,发射层EL可以与相邻像素的发射层EL分离。
发射层EL可以包括选自有机发光材料和量子点中的至少一种。在一些实施方式中,发射层EL可以产生蓝光。然而,本公开的实施方式不限于此。在一个或多个实施方式中,发射层EL可以产生红光或绿光,或者可以根据像素产生具有不同颜色的光。
例如,在一个或多个实施方式中,发射层EL中的全部可以包括用于发射蓝光的有机材料。在这些实施方式中,发射层EL可以形成为多层,并且可以具有其中多个蓝色有机发射层堆叠的结构。例如,在一些实施方式中,发射层EL可以具有其中三个蓝色有机发射层堆叠的结构。
然而,根据本公开的实施方式不限于此,例如,在一个或多个实施方式中,发射层EL可以具有其中多个蓝色有机发射层和发射不同颜色的光的有机发射层堆叠的结构。例如,在一些实施方式中,发射层EL可以具有其中三个蓝色有机发射层和一个绿色有机发射层堆叠的结构。在一个或多个实施方式中,诸如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和/或电子注入层的功能层可以设置在发射层EL的上部分和/或下部分上。
公共电极CE可以设置在发射层EL上。公共电极CE可以包括导电材料,诸如金属、合金、导电金属氮化物、导电金属氧化物和/或透明导电材料。公共电极CE可以具有单层结构或包括多个导电层的多层结构。在一个或多个实施方式中,公共电极CE可以跨过多个像素在第一区域A1中连续延伸。
第一像素电极AE1、发射层EL和公共电极CE可以形成第一发光元件LED1,并且第二像素电极AE2、发射层EL和公共电极CE可以形成第二发光元件LED2,并且第三像素电极AE3、发射层EL和公共电极CE可以形成第三发光元件LED3。
封装层ECL可以设置在公共电极CE上。封装层ECL可以包括至少一个无机封装层和/或至少一个有机封装层。在一个或多个实施方式中,封装层ECL可以包括设置在公共电极CE上的第一无机封装层IEL1、设置在第一无机封装层IEL1上的有机封装层OEL以及设置在有机封装层OEL上的第二无机封装层IEL2。
在一个或多个实施方式中,坝可以在第二基础衬底SUB2上设置在第二区域A2中。例如,在一些实施方式中,坝可以在平面图中围绕第一区域A1。在形成有机封装层OEL期间,坝可以防止或减少有机材料溢出到坝的外部(例如,在图3中在第二方向D2上溢出到坝的外部)。
在下文中,将参考图4至图6进一步描述颜色转换衬底100。
图4是示出图2的颜色转换衬底的剖视图。图5是图4的区域B的放大剖视图。图6是图4的区域C的放大剖视图。
例如,图4可以是图2的颜色转换衬底100的倒置形状。因此,第一方向D1可以面向下。
进一步参考图4至图6,颜色转换衬底100可以包括第一基础衬底SUB1、滤色器层CF、分隔结构PT、颜色转换层CCL、低折射层LR、保护层PL、封盖层CP、间隔件CS和密封构件SLM。
密封构件SLM可以设置在第一基础衬底SUB1上并且可以设置在第二区域A2中。间隔件CS可以设置在密封构件SLM之下并且设置在封盖层CP上。间隔件CS可以支承密封构件SLM并且可以保持密封构件SLM和封盖层CP之间的间隙。
滤色器层CF可以设置在第一基础衬底SUB1上,并且可以设置在密封构件SLM之下。例如,在一个或多个实施方式中,第一滤色器图案CF1可以在与第一方向D1相反的方向上设置在第一基础衬底SUB1上,第二滤色器图案CF2可以设置在第一滤色器图案CF1上,并且第三滤色器图案CF3可以设置在第二滤色器图案CF2上。
低折射层LR可以设置在滤色器层CF上,并且可以设置在密封构件SLM之下。低折射层LR可以包括有机材料。
在一个或多个实施方式中,低折射层LR可以设置在第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3中。在第三区域A3的至少一部分中,低折射层LR的厚度可以从第三区域A3到第二区域A2增加。例如,在一些实施方式中,在第三区域A3的至少一部分中,低折射层LR的厚度可以从显示设备10的外侧到内侧增加。如此,低折射层LR的与第一区域A1和第二区域A2重叠的部分可以具有比低折射层LR的与第三区域A3重叠的部分大的厚度。
保护层PL可以设置在低折射层LR上。
图7是图6的区域D的放大剖视图。
进一步参考图7,滤色器层CF的侧表面CFa和保护层PL的侧表面PLa可以暴露于外部。在一个或多个实施方式中,保护层PL可以覆盖低折射层LR的一端LR1。例如,在一些实施方式中,保护层PL可以覆盖低折射层LR的上表面LRb和侧表面LRa。例如,在特定实施方式中,低折射层LR可以不暴露于外部。
在一个或多个实施方式中,低折射层LR通过保护层PL和滤色器层CF不暴露于外部,使得显示设备10可以防止或减少外部材料通过低折射层LR的侵入。因此,可以防止或减少显示设备10的缺陷,并且可以改善显示设备10的可靠性。
图8是示出图7的另一示例的剖视图。
参考图8,在一个或多个实施方式中,保护层PL可以暴露低折射层LR的侧表面LRa。例如,在一些实施方式中,保护层PL可以仅覆盖低折射层LR的上表面LRb并暴露低折射层LR的侧表面LRa。
在一个或多个实施方式中,低折射层LR的暴露的侧表面LRa的厚度T1可以大于0微米且小于或等于约0.7微米。当低折射层LR的暴露的侧表面LRa的厚度T1大于约0.7微米时,外部材料可以通过低折射层LR渗入显示设备10中。在这种情况下,可能在显示设备10中出现缺陷。
在一个或多个实施方式中,由于低折射层LR的通过保护层PL暴露的侧表面LRa的厚度T1大于0微米且小于或等于约0.7微米,因此防止或减少外部材料通过低折射层LR的侵入。因此,可以防止或减少显示设备10的缺陷,并且可以改善显示设备10的可靠性。
例如,参考图7和图8,在一个或多个实施方式中,保护层PL覆盖低折射层LR,或者低折射层LR的侧表面LRa的厚度T1可以大于0微米且小于或等于约0.7微米。
图9是示出图6的另一示例的剖视图。
参考图9,在一个或多个实施方式中,沟槽TR可以限定在滤色器层CF中。沟槽TR可以设置在第二区域A2中并且可以与密封构件SLM重叠。
例如,在一个或多个实施方式中,沟槽TR可以限定在包括在滤色器层CF中的第三滤色器图案CF3中。然而,根据本公开的实施方式不限于此,例如,在一些实施方式中,沟槽TR也可以选择性地限定在第一滤色器图案CF1和第二滤色器图案CF2中。
低折射层LR的一部分可以设置成填充沟槽TR的内部。
因此,低折射层LR在第一区域A1和第二区域A2中的厚度可以大于低折射层LR在第三区域A3中的厚度。例如,在一个或多个实施方式中,低折射层LR的厚度可以从第三区域A3到第一区域A1增加。然而,本公开的实施方式不限于此。
在一个或多个实施方式中,当沟槽TR限定在滤色器层CF中并且低折射层LR的一部分填充沟槽TR的内部时,可以减小低折射层LR的一端LR1的厚度。可以防止或减少外部材料通过低折射层LR的侵入。如此,防止或减少显示设备10的缺陷,并且可以改善显示设备10的可靠性。
图10是示出图9的另一示例的剖视图。
参考图10,在一个或多个实施方式中,沟槽TR可以限定在滤色器层CF中。沟槽TR可以设置在第二区域A2和第三区域A3中。例如,在一些实施方式中,沟槽TR可以限定在包括在滤色器层CF中的第三滤色器图案CF3中。
因此,低折射层LR在第一区域A1和第二区域A2中的厚度可以大于低折射层LR在第三区域A3中的厚度。例如,在一些实施方式中,低折射层LR的厚度可以从第三区域A3到第一区域A1增加。然而,本公开的实施方式不限于此。
当在滤色器层CF中形成更多的沟槽TR时,可以减小低折射层LR的一端LR1的厚度。因此,可以防止或减少外部材料通过低折射层LR的侵入。
图11至图23是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的视图。
例如,在一个或多个实施方式中,参考图11至图23描述的制造显示设备的方法可以是制造参考图1至图8描述的显示设备10的方法。因此,为了简洁起见,可以在本文中不提供重复的描述。
参考图11,可以形成第一基础母衬底BMS1。第一基础母衬底BMS1可以包括有效区域AA和围绕有效区域AA的无效区域NAA。切割线CL可以限定在有效区域AA和无效区域NAA之间的边界中。
有效区域AA可以是保留在显示设备中的部分,并且无效区域NAA可以是被切割和去除的部分。有效区域AA可以包括第一区域A1、围绕第一区域A1的第二区域A2以及围绕第二区域A2的第三区域A3。
参考图12至图14,可以在第一基础母衬底BMS1上形成滤色器层CF。滤色器层CF可以与有效区域AA和无效区域NAA重叠。滤色器层CF可以包括至少一个滤色器图案。
参考图12,可以在第一基础母衬底BMS1上形成第一滤色器图案CF1。参考图13,可以在第一滤色器图案CF1上形成第二滤色器图案CF2。参考图14,可以在第二滤色器图案CF2上形成第三滤色器图案CF3。第一滤色器图案CF1、第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3可以形成滤色器层CF。
在一个或多个实施方式中,滤色器层CF可以形成为使得至少一个滤色器图案(例如,选自第一滤色器图案CF1、第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3中的至少一个滤色器图案)的一端位于切割线CL的至少一侧上。第三滤色器图案CF3可以形成为使得第二滤色器图案CF2的一端从第三滤色器图案CF3突出。第二滤色器图案CF2可以形成为使得第一滤色器图案CF1的一端从第二滤色器图案CF2突出。
进一步参考图15,可以在滤色器层CF上形成低折射层LR。低折射层LR可以形成为与有效区域AA和无效区域NAA重叠。低折射层LR可以覆盖至少一个滤色器图案的一端。
低折射层LR可以由有机材料形成。因为低折射层LR由有机材料形成,所以当形成低折射层LR时,低折射层LR可以向下流动(例如,低折射层LR的调平现象)。例如,在一个或多个实施方式中,由于低折射层LR的调平现象,低折射层LR可以从滤色器层CF的一端向下流动。
图16是图14的区域E的放大剖视图。
参考图16,例如,在一个或多个实施方式中,第三滤色器图案CF3的一端可以位于切割线CL的至少一侧上。例如,在一些实施方式中,第三滤色器图案CF3的一端可以与切割线CL重合。此外,第二滤色器图案CF2的一端可以与切割线CL相邻。如此,可以通过靠近切割线CL的第三滤色器图案CF3和第二滤色器图案CF2形成台阶。当形成低折射层LR时,低折射层LR可以由于台阶差而在切割线CL附近向下流动(例如,调平现象)。因此,可以减小位于切割线CL处的低折射层LR的厚度。
图17是示出图16的另一示例的剖视图。
参考图17,在一个或多个实施方式中,第三滤色器图案CF3的一端可以与切割线CL间隔开约44.5微米或更小。第二滤色器图案CF2的一端可以与切割线CL间隔开约50微米或更小。例如,在一些实施方式中,切割线CL和第三滤色器图案CF3的一端之间的第二方向D2上的长度T2可以为约44.5微米或更小。切割线CL和第二滤色器图案CF2的一端之间的第二方向D2上的长度T3可以为约50微米或更小。此外,在这些实施方式中,第三滤色器图案CF3的一端可以形成在第二滤色器图案CF2的一端的内侧。
当第三滤色器图案CF3的一端与切割线CL间隔开超出约44.5微米时,由于由第三滤色器图案CF3形成的台阶而导致的低折射层LR的调平现象可以在切割线CL处减小。因此,形成在切割线CL处的低折射层LR的厚度可以增加。
当第二滤色器图案CF2的一端与切割线CL间隔开超出约50微米时,由于由第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3形成的台阶而导致的低折射层LR的调平现象可以在切割线CL处减小。因此,形成在切割线CL处的低折射层LR的厚度可以增加。
图18是示出图15的另一示例的剖视图。
参考图18,在一个或多个实施方式中,第三滤色器图案CF3的一端可以形成为与第二滤色器图案CF2的一端间隔开约6微米或更小。例如,在一些实施方式中,第二滤色器图案CF2的一端和第三滤色器图案CF3的一端之间的第二方向D2上的长度T4可以为约6微米或更小。
当第三滤色器图案CF3的一端与第二滤色器图案CF2的一端间隔开小于约6微米时,由第二滤色器图案CF2的一端和第三滤色器图案CF3的一端形成的台阶的斜率可以增加。因此,由于台阶而导致的低折射层LR的调平现象可以在切割线CL处增加。因此,可以减小形成在切割线CL处的低折射层LR的厚度。
参考图19,可以在低折射层LR上形成保护层PL。保护层PL可以与有效区域AA和无效区域NAA重叠。保护层PL可以覆盖低折射层LR。
可以在保护层PL上在第一区域A1中形成分隔结构(例如,图4的分隔结构PT)。可以在保护层PL上在第一区域A1中在分隔结构之间形成颜色转换层(例如,图4的颜色转换层CCL)。
参考图20,可以在保护层PL上形成封盖层CP。封盖层CP可以覆盖颜色转换层。
参考图21,可以在封盖层CP上形成间隔件CS,并且可以在间隔件CS上形成密封构件SLM。间隔件CS和密封构件SLM可以形成在有效区域AA中。密封构件SLM可以形成在第二区域A2中。
参考图22,可以沿着切割线CL切割第一基础母衬底BMS1以及设置在其上的组件。因此,第一基础母衬底BMS1可以形成第一基础衬底SUB1,并且可以形成包括第一基础衬底SUB1的颜色转换衬底100。沿着切割线CL切割的颜色转换衬底100中的低折射层LR的侧表面(例如,图7和图8中的低折射层LR的侧表面LRa)可以暴露0微米或更大且约0.7微米或更小(参考图7和图8)。
参考图23,可以形成面对颜色转换衬底100的阵列衬底200。阵列衬底200和颜色转换衬底100可以彼此结合。如此,可以形成显示设备10。
在一个或多个实施方式中,当形成颜色转换衬底100时,由于至少一个滤色器图案(例如,选自第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3中的至少一个)位于切割线CL的至少一侧上,所以低折射层LR的侧表面可以不暴露,或者可以暴露约0微米或更大且约0.7微米或更小。因此,低折射层LR的暴露侧表面的厚度(例如,图8的厚度T1)可以由于低折射层LR的调平现象而减小。可以防止或减少外部材料通过低折射层LR的侵入。因此,防止或减少显示设备10的缺陷,并且可以改善显示设备10的可靠性。
图24至图30是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的视图。
例如,在一个或多个实施方式中,除了滤色器层CF和低折射层LR之外,参考图24至图30描述的制造显示设备的方法可以与参考图11至图23描述的制造显示设备的方法基本上相同。因此,为了简洁起见,可以在本文中不提供重复的描述。
参考图24,可以在第一基础母衬底BMS1上形成滤色器层CF。可以在滤色器层CF中形成沟槽TR。沟槽TR可以形成在有效区域AA中。
例如,在一个或多个实施方式中,沟槽TR可以形成在包括在滤色器层CF中的第三滤色器图案CF3中。然而,本公开的实施方式不限于此,例如,在一些实施方式中,沟槽TR也可以选择性地形成在第二滤色器图案CF2和第一滤色器图案CF1中。
参考图25,可以在滤色器层CF上形成低折射层LR。低折射层LR可以由有机材料形成,并且低折射层LR的一部分可以形成为填充沟槽TR的内部。
参考图26和图27,可以在低折射层LR上形成保护层PL。可以在保护层PL上形成封盖层CP。
参考图28,可以在封盖层CP上在有效区域AA中形成间隔件CS。可以在间隔件CS上形成密封构件SLM。密封构件SLM可以设置在第二区域A2中并且可以与沟槽TR重叠。
参考图29和图30,可以沿着切割线CL切割第一基础母衬底BMS1以及设置在其上的组件以形成包括第一基础衬底SUB1的颜色转换衬底100'。沿着切割线CL切割的颜色转换衬底100'中的低折射层LR的侧表面(例如,图9中的低折射层LR的侧表面LRa)可以暴露0微米或更大(例如,不小于0微米)且约0.7微米或更小(例如,不大于0.7微米)的厚度。
可以形成面对颜色转换衬底100'的阵列衬底200。阵列衬底200和颜色转换衬底100'可以彼此结合。如此,可以形成显示设备11。
在一个或多个实施方式中,当在滤色器层CF中形成沟槽TR并且低折射层LR的一部分填充沟槽TR的内部时,可以减小低折射层LR的侧表面的厚度。因此,由于低折射层LR的暴露侧表面的厚度由于低折射层LR的调平现象而减小,因此可以防止或减少显示设备11的缺陷,并且因此可以改善显示设备11的可靠性。
图31至图36是示出根据本公开的一个或多个实施方式的制造显示设备的方法的视图。
例如,在一个或多个实施方式中,除了滤色器层CF和低折射层LR,参考图31至图36描述的制造显示设备的方法可以与参考图24至图30描述的制造显示设备的方法基本上相同。因此,为了简洁起见,可以在本文中不提供重复的描述。
参考图31,可以在第一基础母衬底BMS1上形成滤色器层CF。包括在滤色器层CF中的第二滤色器图案CF2和第三滤色器图案CF3中的每一个的一端可以与切割线CL间隔开。
进一步参考图32,可以在滤色器层CF中形成沟槽TR。沟槽TR可以形成在有效区域AA和无效区域NAA中。
例如,在一个或多个实施方式中,沟槽TR可以形成在包括在滤色器层CF中的第三滤色器图案CF3中。然而,本公开的实施方式不限于此,例如,在一些实施方式中,沟槽TR可以形成在第二滤色器图案CF2和第一滤色器图案CF1中。
参考图33,可以在滤色器层CF上形成低折射层LR。低折射层LR可以由有机材料形成,并且低折射层LR的一部分可以形成为填充沟槽TR的内部。
参考图34和图35,可以在低折射层LR上形成保护层PL。可以在保护层PL上形成封盖层CP。
可以在封盖层CP上在有效区域AA中形成间隔件CS。可以在间隔件CS上形成密封构件SLM。密封构件SLM设置在第二区域A2中并且可以与沟槽TR重叠。
参考图36,可以沿着切割线CL切割第一基础母衬底BMS1以及设置在其上的组件。因此,可以形成包括第一基础衬底SUB1的颜色转换衬底100”。切割线CL可以与沟槽TR间隔开。因此,在沿着切割线CL切割的颜色转换衬底100”中,低折射层LR的侧表面LRa(例如,图10的低折射层LR的侧表面LRa)可以暴露约0.7微米或更小的厚度。
可以形成面对颜色转换衬底100”的阵列衬底200。阵列衬底200和颜色转换衬底100”可以彼此结合。如此,可以形成显示设备12。
在一个或多个实施方式中,因为沟槽TR更多地形成在滤色器层CF中,所以可以减小低折射层LR的暴露侧表面的厚度。因此,可以防止或减少外部材料通过低折射层LR的侵入。由于低折射层LR的暴露侧表面的厚度由于低折射层LR的调平现象减小,因此可以防止或减少显示设备12的缺陷,并且因此可以改善显示设备12的可靠性。
根据本公开的实施方式的显示设备和方法可以应用于包括在计算机、笔记本计算机、移动电话、智能电话、智能板、PMP、PDA、MP3播放器等中的显示设备。
在本公开中,当颗粒为球形时,“直径”表示平均颗粒直径,并且当颗粒为非球形时,“直径”表示长轴长度。可以使用扫描电子显微镜或粒度分析仪测量颗粒的直径(或尺寸)。作为粒度分析仪,可以使用例如HORIBA、LA-950激光粒度分析仪。当使用粒度分析仪测量颗粒的尺寸时,平均颗粒直径(或尺寸)被称为D50。D50是指在粒度分布(例如,累积分布)中其累积体积对应于50vol%的颗粒的平均直径(或尺寸),并且是指当在以最小颗粒尺寸至最大颗粒尺寸的顺序累积的分布曲线中颗粒的总数为100%时对应于距最小颗粒50%的颗粒尺寸的值。
如本文中所使用的,术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似术语而不用作程度术语,并且旨在为将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差留有余量。如本文中所使用的,“约”或“基本上”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如,“约”可表示在一个或多个标准偏差内,或在所述值的±30%、±20%、±10%、±5%内。
尽管已经参考附图描述了根据本公开的实施方式的显示设备和方法,但是所示出的实施方式是示例,并且在不脱离所附权利要求及其等同中描述的技术精神的情况下,可以由相关技术领域的普通技术人员进行修改和改变。

Claims (10)

1.颜色转换衬底,其特征在于,所述颜色转换衬底包括:
第一基础衬底,包括第一区域、围绕所述第一区域的第二区域以及围绕所述第二区域的第三区域;
密封构件,在所述第一基础衬底上;
滤色器层,在所述第一基础衬底上并且在所述密封构件之下;以及
低折射层,在所述滤色器层上,在所述密封构件之下,并且在所述第三区域的至少一部分中从所述第三区域到所述第二区域厚度增加。
2.根据权利要求1所述的颜色转换衬底,其特征在于,所述低折射层的与所述第一区域和所述第二区域重叠的部分具有比所述低折射层的与所述第三区域重叠的部分大的厚度。
3.根据权利要求1所述的颜色转换衬底,其特征在于,所述颜色转换衬底还包括:
保护层,在所述低折射层上。
4.根据权利要求3所述的颜色转换衬底,其特征在于,所述滤色器层的侧表面和所述保护层的侧表面被暴露。
5.根据权利要求3所述的颜色转换衬底,其特征在于,所述保护层覆盖所述低折射层的一端。
6.根据权利要求1所述的颜色转换衬底,其特征在于,在所述滤色器层中限定有沟槽。
7.根据权利要求6所述的颜色转换衬底,其特征在于,所述沟槽与所述密封构件重叠,以及
所述低折射层的一部分填充所述沟槽的内部。
8.显示设备,其特征在于,所述显示设备包括:
第一基础衬底,包括第一区域、围绕所述第一区域的第二区域以及围绕所述第二区域的第三区域;
第二基础衬底,面对所述第一基础衬底;
密封构件,在所述第一基础衬底与所述第二基础衬底之间;
滤色器层,在所述第一基础衬底与所述密封构件之间;以及
低折射层,在所述滤色器层之下,在所述密封构件上,并且在所述第三区域的至少一部分中从所述第三区域到所述第二区域厚度增加。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其特征在于,所述低折射层的与所述第一区域和所述第二区域重叠的部分具有比所述低折射层的与所述第三区域重叠的部分大的厚度。
10.根据权利要求8所述的显示设备,其特征在于,在所述滤色器层中限定有与所述密封构件重叠的沟槽。
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