KR102617089B1 - 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일실시예는, 제1 면 및 상기 제1 면과 반대에 위치하는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하고 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조; 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 상기 제1 면에 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이; 상기 제1 및 제2 광방출창 내에 충전되며 상기 제2 면 방향에 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부; 상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제1 및 제2 파장변환부를 덮고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및 상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.

Description

발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치{LED LIGHTING DEVICE PACKAGE AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME}
본 발명의 기술적 사상은 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치에 관한 것이다.
발광다이오드와 같은 반도체 발광소자는 조명 장치용 광원뿐만 아니라, 다양한 전자 제품의 광원으로 사용되고 있다. 특히, TV, 휴대폰, PC, 노트북 PC, PDA 등과 같은 각종 디스플레이 장치들을 위한 광원으로 널리 사용되고 있다.
종래의 디스플레이 장치는 주로 액정 디스플레이(LCD)로 구성된 디스플레이 패널과 백라이트로 구성되었으나, 최근에는 LED 소자를 그대로 하나의 픽셀로서 사용하여 백라이트가 별도로 요구되지 않는 형태로도 개발되고 있다. 이러한 디스플레이 장치는 컴팩트화할 수 있을 뿐만 아니라, 기존 LCD에 비해 광효율도 우수한 고휘도 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 이러한, 디스플레이 장치는 각각의 픽셀을 구성하는 복수의 발광소자 패키지로 구성된다.
본 발명의 해결하고자 하는 과제 중 하나는, 신뢰성이 향상된 발광소자 패키지 및 디스플레이 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예는, 제1 면 및 상기 제1 면과 반대에 위치하는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하고 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조; 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 상기 제1 면에 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이; 상기 제1 및 제2 광방출창 내에 충전되며 상기 제2 면 방향에 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부; 상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제1 및 제2 파장변환부를 덮고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및 상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 폭 방향으로 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조; 상기 제1 및 제2 광방출창에 각각 충전되며 입사된 광을 다른 파장의 광으로 제공하도록 구성되고, 상기 제2 면 방향에 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부; 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이; 상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제1 및 제2 파장변환부를 덮어 평탄면을 이루고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및 상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는, 회로 기판과 상기 회로 기판 상에 행과 열을 이루어 배치된 복수의 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 복수의 발광소자 패키지 각각은 하나의 화소를 제공하는 디스플레이 패널; 상기 디스플레이 패널을 구동하기 위한 구동부; 및 상기 구동부를 제어하기 위한 제어부;를 포함하고, 상기 복수의 발광소자 패키지는 각각, 제1 면 및 상기 제1 면과 반대에 위치하는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하고 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조; 각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 상기 제1 면에 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이; 상기 제1 및 제2 광방출창 내에 충전되며 상기 제2 면 방향에 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부; 상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제1 및 제2 파장변환부를 덮고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및 상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 발광소자 패키지 및 이러한 발광소자 패키지를 이용한 디스플레이 장치는, 봉지부에 균열이 발생하는 것이 차단되어 신뢰성이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 디스플레이 장치의 개략 사시도이다.
도 2는 도 1의 'A'부분을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 개략 사시도이다.
도 4는 도 3의 I방향에서 본 발광소자 패키지의 평면도이다.
도 5는 도 4의 II-II'선을 따라 절개하여 본 측 단면도이다.
도 6은 도 5의 'B'부분을 확대한 도면이다.
도 7은 비교예의 도면이다.
도 8 내지 도 13은 도 5의 발광소자 패키지의 주요 제조공정을 개략적으로 도시한 측 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지를 갖는 디스플레이 장치의 개략 사시도이고, 도 2는 도 1의 'A'부분을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 회로 기판(30)과, 회로 기판(30) 상에 배치된 디스플레이 패널(20)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 디스플레이 패널(20)은 적색(Red, R), 녹색(Green, G), 청색(Blue, B)의 광이 혼합된 광을 방출할 수 있는 복수의 발광소자 패키지(10)를 포함할 수 있다. 복수의 발광소자 패키지(10)는 각각 디스플레이 패널의 하나의 픽셀(pixel)을 구성할 수 있으며, 회로 기판(30) 상에 행과 열을 이루어 배열될 수 있다. 본 실시예에서는, 15×15의 발광소자 패키지(10)들로 배열된 형태를 예시하였으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며 실제로는 필요한 해상도에 따른 더 많은 수의 발광소자 패키지들(예, 예, 1024×768, 1920×1080, 3840×2160, 7680×4320))이 배열될 수 있다.
각각의 발광소자 패키지(10)는 RGB의 광원에 해당하는 복수의 서브 픽셀(sub-pixel)을 포함할 수 있으며, 하나의 발광소자 패키지(10) 내의 복수의 서브 픽셀은 근접하여 배치된 구조로 제공될 수 있다. 이에 대해서는, 도 3 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 다만, 서브 픽셀의 색은 RGB로 한정되는 것은 아니며, CYMK(Cyan, Yellow, Magenta, Black)와 같이 다양한 색이 사용될 수도 있다. 또한, 본 실시예에서는 하나의 픽셀에 RGB의 광원에 각각 해당하는 3개의 서브 픽셀이 포함된 형태를 예시하였으나, 이에 한정하는 것은 아니며 4개 이상의 서브 픽셀이 포함될 수도 있다.
상기 회로 기판(30)에는 디스플레이 패널(20)의 각각의 발광소자 패키지(10)에 전원을 공급하도록 구성된 구동부 및 구동부를 제어하는 제어부가 배치될 수 있다. 상기 회로 기판(30)은 각 픽셀의 서브 픽셀을 독립적으로 구동하도록 구성된 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 회로 기판(30)은 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 TFT 기판일 수 있다.
도 2를 참조하면, 디스플레이 패널(20)은 제1 몰딩부(21)와 제2 몰딩부(22)를 포함할 수 있다. 제1 몰딩부(21)는 디스플레이 패널(20)의 둘레에 배치되어 복수의 발광소자 패키지(10)가 탑재되는 영역을 정의하는 가이드 라인으로서 역할을 할 수 있다. 제2 몰딩부(22)는 복수의 발광소자 패키지(10)를 각각 둘러싸도록 배치될 수 있다. 제2 몰딩부(22)는 각 발광소자 패키지(10)를 전기적으로 분리시켜, 각 발광소자 패키지(10)가 하나의 픽셀로서 서로 독립적으로 구동되도록 할 수 있다. 또한, 제2 몰딩부(22)는 복수의 발광소자 패키지(10)를 회로 기판(30) 상에 견고하게 고정시킬 수 있다. 다만, 제1 및 제2 몰딩부(21, 22)는 실시예에 따라서는 생략될 수도 있다.
제1 및 제2 몰딩부(21, 22)는 블랙 매트릭스(black matrix)를 포함할 수 있다. 상기 매트릭스는 블랙(black) 색상에 한정되는 것은 아니며 제품의 용도 및 사용처 등에 따라 백색(white) 매트릭스 또는 녹색(green) 등 다른 색깔을 사용할 수 있으며 필요에 따라서는 투명 재질의 매트릭스를 사용할 수도 있다. 상기 백색 매트릭스는 반사 물질 또는 산란 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스는 수지를 포함하는 폴리머, 세라믹, 반도체 또는 금속과 같은 재료 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 발광소자 패키지의 개략 사시도이고, 도 4는 도 3의 I방향에서 본 발광소자 패키지의 평면도이다. 도 5는 도 4의 II-II'선을 따라 절개하여 본 측 단면도이고, 도 6은 도 5의 'B'부분을 확대한 도면이다. 도 5의 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)은 각각 제1 내지 제3 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)에 대응되는 발광소자로 이해될 수 있다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 하나의 픽셀을 이루는 발광소자 패키지(10)는 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)을 갖는 격벽 구조(160)와, 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)를 구비한 셀 어레이(CA)와, 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)와, 제1 봉지부(180)와, 제2 봉지부(190)를 포함할 수 있다. 일 실시예의 발광소자 패키지(10)는 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package, CSP)일 수 있으며, 웨이퍼 레벨 패키지(Wafer Level Package, WLP)일 수 있다.
발광소자 패키지(10)는 하나의 픽셀의 RGB광원에 각각 해당하는 제1 내지 제3 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3)을 포함할 수 있다. 이 중 제1 및 제2 서브 픽셀(SP1, SP2)은 각각 제1 및 제2 발광소자(LED1, LED2)와 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)를 포함하며, 제3 서브 픽셀(SP3)은 제3 발광소자(LED) 상에 별도의 파장변환부 없이 제3 광방출창(163)에 제1 봉지부(180)가 충전될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 발광소자(LED1, LED2)에서 방출된 광은 각각 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)를 거쳐 다른 파장의 광으로 변환되어 발광소자 패키지(10)의 외부로 방출되며, 제3 발광소자(LED3)에서 방출된 광은 파장변환 없이 발광소자 패키지(10)의 외부로 방출될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 서로 인접하여 나란하게 배치되되, 제3 발광소자(LED3)가 제1 발광소자(LED1)와 제2 발광소자(LED2)의 사이에 배치될 수 있다. 이때, 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 서로 전기적으로 영향을 미치지 않는 한도 내에서 서로 밀접하게 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 각각 하나의 픽셀을 구성하는 서브 픽셀로 제공되므로, 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)과 실질적으로 동일한 크기로 형성될 수 있다.
상기 셀 어레이(CA)는 각각 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 도전형 반도체층(113)을 갖는 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)를 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 도전형 반도체층(113)과 같은 에피텍셜층들이 적층된 발광구조물(110)을 포함할 수 있다. 이러한 에피택셜층들은 하나의 웨이퍼에서 동일한 공정에 의해 성장될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)의 활성층(112)은 동일한 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(112)은 청색 광(예, 440㎚~460㎚)을 방출할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 동일한 구조를 가질 수 있으며, 이하에서는 설명이 중복되는 것을 방지하기 위해, 제1 발광소자(LED1)를 중심으로 설명한다.
상기 제1 도전형 반도체층(111)은 상기 셀 어레이(CA)의 일면을 제공할 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(113)은 상기 셀 어레이(CA)의 타면을 제공할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(111) 및 제2 도전형 반도체층(113)은 각각 n형 반도체층 및 p형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, AlxInyGa(1-x-y)N(0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 질화물 반도체일 수 있다. 활성층(112)은 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성층(122)은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN와 같은 질화물계 MQW일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 GaAs/AlGaAs 또는 InGaP/GaP, GaP/AlGaP와 같은 다른 반도체일 수 있다. 실시예에 따라서는, 상기 셀 어레이(CA)의 일면에 요철(R)이 형성될 수 있으며, 이에 의해 광 추출 효율이 더욱 향상될 수 있다. 이러한 요철(R)은 제1 도전형 반도체층(111)의 노출된 표면을 습식 식각하거나 플라즈마를 이용하여 건식 식각함으로써 얻어질 수 있다.
상기 셀 어레이(CA)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)를 각각 둘러싸도록 상기 타면에 배치된 절연층(120)을 포함할 수 있다. 상기 절연층(120)은 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)를 서로 전기적으로 분리시킬 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(120)은 후술하는 반사층(170)과 접하도록 배치되어, 제1 내지 제3 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3) 간에 이른바 빛샘 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광소자(LED1)에서 방출된 광이 제2 및 제3 발광소자(LED2, LED3)에서 방출된 광과 서로 간섭하는 것을 광학적으로 차단할 수 있다.
상기 절연층(120)은 전기적으로 절연성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 절연층(120)은 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물일 수 있다. 또한, 상기 절연층(120)은 추가적으로 광흡수율이 낮거나 반사성을 갖는 물질 또는 반사성 구조를 포함할 수 있다. 이러한 절연층(120)은 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)의 상호 광학적 간섭을 차단하여 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)의 독립적인 구동을 보장할 수 있다. 특정 예에서, 상기 절연층(120)은 서로 다른 굴절률을 갖는 복수의 절연막들이 교대로 적층된 분산 브래그 반사기(Distributed Bragg Reflector, DBR) 구조를 포함할 수 있다.
각각의 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 제1 도전형 반도체층(111)과 제2 도전형 반도체층(113)에 각각 전원을 인가하는 전극부(130)를 포함할 수 있다. 전극부(130)는 제1 및 제2 전극(131, 132)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 전극(131, 132)은 각각 제1 도전형 반도체층(111)의 메사 에칭된 영역과 제2 도전형 반도체층(113)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(131)은 Al, Au, Cr, Ni, Ti, Sn 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 제2 전극(132)은 반사성 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(132)은 Ag, Ni, Al, Cr, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등의 물질을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 2층 이상의 구조로 채용될 수 있다.
또한, 각각의 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 상기 발광소자 패키지(10)에 전원을 인가하기 위한 전극 패드부(140)를 포함할 수 있다. 상기 전극 패드부(140)는 제1 및 제2 전극 패드(141, 142)를 포함할 수 있으며, 상기 제1 및 제2 전극 패드(141, 142)는 각각 상기 제1 및 제2 전극(131,132)과 접속될 수 있다.
상기 발광소자 패키지(10)는 상기 셀 어레이(CA)의 하부면을 포장하면서 상기 전극 패드부(140)를 노출시키는 하부 몰딩부(150)를 포함할 수 있다. 상기 하부 몰딩부(150)는 상기 발광소자 패키지(10)를 견고하게 지지하기 위해서 높은 영률(Young's Modulus)을 가질 수 있다. 또한, 상기 하부 몰딩부(150)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(LEL1, LED2, LED3)에서 발생한 열을 효과적으로 방출하기 위하여 높은 열 전도도를 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 하부 몰딩부(150)는 에폭시 수지 또는 실리콘(silicone) 수지를 포함할 수 있다. 또한, 상기 하부 몰딩부(150)는 빛을 반사시키기 위한 광반사성 입자를 포함할 수 있다. 상기 광반사성 입자로는 이산화 티타늄(TiO2) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)는 'I'방향에서 보았을 때, 동일한 면적을 갖도록 배치될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며, 서로 다른 면적을 갖도록 배치될 수도 있다.
상기 격벽 구조(160)는 제1 면(164) 및 제1 면(164)과 반대에 위치하는 제2 면(165)을 가질 수 있다. 상기 제2 면(165)은 상기 셀 어레이(CA)의 제1 도전형 반도체층(111)과 접하여 배치될 수 있다. 상기 격벽 구조(160)는 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)을 가질 수 있으며, 상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163) 중 제1 및 제2 광방출창(162)은 각각 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)을 형성하기 위한 공간으로 제공될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 상기 격벽 구조(160)를 두께 방향을 관통하여 형성될 수 있으며, 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 각각 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)와 중첩되는 영역에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제1 및 제2 발광소자(LED1, LED2)에서 방출된 광은 제1 및 제2 광방출창(162)에 형성된 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)를 통해 방출될 수 있으며, 상기 제3 발광소자(LED3)에서 방출된 광은 제3 광방출창(163)을 통해 방출될 수 있다.
상기 격벽 구조(160)는 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)을 통해 방출되는 광이 서로 간섭하지 않도록 광차단 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 격벽 구조(160)는 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 격벽 구조(160)는 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO 또는 ZrO 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 격벽 구조(160)는 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)를 성장시키기 위한 성장용 기판으로 사용된 웨이퍼를 식각하여 마련할 수도 있다.
상기 제1 및 제2 광방출창(161, 162)에는 각각 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)가 배치될 수 있다. 이러한 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)는 상기 제1 및 제2 발광소자(LED1, LED2)와 접하는 면에 배치될 수 있다.
제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 다양한 형상으로 변형될 수 있다. 예를 들어, 도 3 내지 도 5와 같이, 상면('I') 방향에서 보았을 때, 상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)이 각각 직사각 기둥 형상의 공간부를 가지도록 형성할 수 있다. 일 실시예의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)의 길이(L)와 폭(W)은 실질적으로 동일하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 각각 길이(L)가 130㎛ 이하이고, 폭(W)이 30㎛ 이하인 직사각 기둥 형상의 공간부를 가질 수 있다.
상기 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)는 각각, 적어도 한 종류의 형광체 또는 양자점(Quantum Dot, QD)과 같은 파장변환물질이 액상의 바인더 수지에 분산된 상태로, 제1 및 제2 광방출창(161, 162)에 충전되어 경화된 것 일 수 있다. 일 실시예의 경우, 상기 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)에는 각각 청색광을 적색광 및 녹색광으로 파장변환할 수 있는 양자점이 포함될 수 있다.
구체적으로, 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)는 각각 적색 양자점(166a) 및 녹색 양자점(167a)이 바인더 수지(166c, 167c)에 분산된 액상의 감광성 수지 조성물을 제1 및 제2 광방출창(161, 162)에 충전한 후, 경화하여 형성할 수 있다. 바인더 수지는 아크릴계 폴리머를 포함하는 물질로 이루어 질 수 있다. 이러한 바인더 수지는 후술하는 제1 봉지부(180)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예의 경우, 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)의 광추출 효율을 향상하기 위한 광반사성 입자(166b, 167b)를 포함할 수 있다. 상기 광반사성 입자(166b, 167b)로는 이산화 티타늄(TiO2)이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 액상의 감광성 수지 조성물을 제1 및 제2 광방출창(161, 162)에 충전하게 되면, 모세관 현상에 의해 감광성 수지 조성물의 표면에 오목한 메니스커스(meniscus)(C1, C2)가 형성되게 된다. 감광성 수지 조성물을 경화하는 과정에서 메니스커스는 더욱 오목해지게 된다.
이와 같이, 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)의 표면에 형성된 메니스커스(C1, C2)로 인해, 제1 및 제2 파장변환부(166, 167) 상에 연성이 낮은 봉지부가 증착되면, 봉지부와 매니스커스가 접하는 영역에 균열(CR)이 발생할 수 있다. 이와 관련하여, 도 6 및 7을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 6은 도 5의 'B'부분을 확대한 도면이고, 도 7은 비교예의 도면이다.
도 6은 일 실시예로서, 제1 파장변환부(166) 상에 제1 봉지부(180)와 제2 봉지부(190)가 배치된 것을 볼 수 있다. 제2 파장변환부(167)도 동일한 구조이므로, 이하에서는 제1 파장변환부(166)를 중심으로 설명한다.
상기 격벽 구조(160)와 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)의 상부에는 파장변환물질의 열화를 방지하기 위한 제1 및 제2 봉지부(180, 190)가 배치될 수 있다. 제1 봉지부(190)는 상기 제1 및 제2 파장변환부(166, 167) 및 상기 격벽 구조(160)와 접하도록 배치되어, 상기 제1 및 제2 파장변환부(166, 167) 및 상기 격벽 구조(160)에서 방출되는 광을 전달하는 광도파로로서 사용될 수 있다. 상기 제1 봉지부(180)는 투광성 유기막층으로 이루어질 수 있으며, 파장변환부의 바인더 수지와 동일한 조성의 물질로 이루어질 수 있다. 일 실시예의 경우, 제1 봉지부(180)는 아크릴계 폴리머를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 상기 제1 봉지부(180)는 제3 광방출창(163)을 충전하며 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)를 덮도록 격벽 구조(160)의 제1 면(164) 상에 충분한 두께(T2)로 적층되도록 형성될 수 있다. 따라서, 제1 봉지부(180)의 제1 면(164)은 평탄면을 가질 수 있다.
상기 제2 봉지부(190)는 상기 제1 봉지부(180) 상에 배치되며, 투광성 무기막층으로 이루어질 수 있다. 일 실시예의 경우, 제2 봉지부(190)는 SiON으로 이루어질 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 파장변환부(166)의 표면에 메니스커스(C1)가 형성되며, 제1 파장변환부(166) 상에 는 제1 및 제2 봉지부(180, 190)가 배치된 것을 볼 수 있다. 제1 봉지부(180)는 제3 광방출창(163)을 충전하며 제1 파장변환부(166)를 덮도록 배치될 수 있다. 따라서, 제1 봉지부(180) 중 제1 파장변환부(166)의 메니스커스(C1)와 접하는 하면은 아래로 볼록한 계면이 형성된 영역을 가지며, 상면은 평탄면을 가지도록 형성될 수 있다. 제1 봉지부(180)는 제1 파장변환부(166)의 바인더 수지와 동일한 조성의 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지부(180)는 바인더 수지와 동일한 아크릴계 폴리머를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 봉지부(180)는 제1 파장변환부(166)와 유사한 열팽창 계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)를 가질 수 있다. 제1 봉지부(180)는, 격벽 구조(160)의 제1 면(164)을 덮으며 상면이 평탄면을 형성하기에 충분한 두께(T1)로 형성할 수 있다. 또한, 제1 봉지부(180)의 두께(T1)는 제2 봉지부(190)의 두께(T2) 보다 두껍게 형성될 수 있다. 제2 봉지부(190)의 두께(T2)가 제1 봉지부(180)의 두께(T1) 보다 두껍게 배치되면, 제1 봉지부(180)의 응력보다 제2 봉지부(190)의 응력이 커져, 제1 봉지부(180)에서 균열이 생기는 문제가 발생할 수 있다.
또한, 제1 봉지부(180)의 두께(T1)가 지나치게 두꺼울 경우, 제1 파장변환부(166)에서 방출된 광 중 제1 봉지부(180)의 계면(181)에서 전반사된 광이 인접한 제3 광방출창(163)으로 향하게 되어, 서브 픽셀들의 빛이 섞이게 되는 문제가 발생할 수 있다. 일 실시예의 경우, 제1 봉지부(180)의 두께(T1)는 10㎛ 이하일 수 있다. 또한, 제1 봉지부(180)의 두께(T1)는 제1 광방출창(161)의 폭(W)의 30% 이하일 수 있다.
도 7의 발광소자 패키지(10')는 도 6의 발광소자 패키지(10)의 비교예이다. 비교예는 도 6의 발광소자 패키지(10)와 비교할 때, 제2 봉지부(190')와 제1 파장변환부(166)가 직접 맞닿도록 배치되며, 제1 봉지부(180')는 제3 광방출창(163)에 제한적으로 충전된 차이점이 있다. 비교예의 제2 봉지부(190')의 두께(T3)는 일 실시예의 제2 봉지부(190)의 두께(T2)와 동일한 경루를 예로 들어 설명한다.
비교예는, 제1 파장변환부(166)와 제2 봉지부(190') 사이의 열팽창 계수 차이와, 격벽 구조(160)와 제2 봉지부(190') 사이의 열 팽창 계수의 차이로 인해, 투광성 무기막층인 제2 봉지부(190')에 균열(CR)이 발생한다. 특히, 이러한 균열(CR)은 상대적으로 충격에 약한 제1 파장변환부(166)의 메니스커스(C1)와, 제2 봉지부(190')가 맞닿는 부분에 집중되게 된다. 제2 봉지부(190')에 발생한 균열(CR)로 인해 제1 파장변환부(166)가 공기와 접하게 되어, 제1 파장변환부(166)의 열화를 가속할 수 있으며, 이는 발광소자 패키지(10')의 신뢰성을 저하시키는 원인으로 작용할 수 있다.
봉지부를 투광성 무기막층으로 형성할 경우, 공기를 차단하는 효과는 우수하나, 연성이 낮아 외부의 충격 또는 응력의 차이에 의해 균열이 발생하기 쉽다. 반면에, 봉지부를 유기막층으로 형성할 경우, 공기를 차단하는 효과는 무기막층에 비해 상대적으로 낮으나, 연성이 높아 외부의 충격 또는 응력의 차이가 발행해도 상대적으로 균열이 잘 생기지 않는 장점이 있다. 일 실시예의 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 투광성 무기막층인 제2 봉지부(190)의 하부에 투광성 유기막층인 제1 봉지부(180)를 배치하여, 유기막층의 높은 연성과 무기막층의 공기 차단 효과를 동시에 얻을 수 있도록 하였다. 또한, 제2 봉지부(190)의 하부에 제1 봉지부(180)의 평탄면이 접하도록 하여, 연성이 낮은 무기막층에 곡면이 형성되어 충격에 취약하게 되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 봉지부에 균열이 발생하는 것이 원천적으로 차단되므로, 발광소자 패키지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)의 측면에는 각각 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 광을 반사하기 위한 반사층(170)이 배치될 수 있다. 상기 반사층(170)은 상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)의 측면을 덮도록 배치될 수 있다. 따라서, 상기 반사층(170)은 상기 제1 내지 제2 발광소자(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 광이 격벽 구조(160)의 내부를 관통하게 됨으로써, 제1 내지 제3 서브 픽셀(SP1, SP2, SP3) 간에 이른바 빛샘 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 광이 서로 간섭되지 않도록 광학적으로 차단할 수 있다. 또한, 상기 반사층(170)은 상기 제1 내지 제2 발광소자(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 광을 반사하여, 상기 발광소자 패키지(10)의 전방(도 3의 'I'방향)으로 집중시킬 수 있다. 상기 반사층(170)은 고반사성 금속인 알루미늄(Al), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 8 내지 도 13을 참조하여, 발광소자 패키지의 제조공정에 대해 설명한다. 도 8 내지 도 13은 도 5의 발광소자 패키지의 주요 제조공정을 개략적으로 도시한 측 단면도이다. 앞서 설명한 발광소자 패키지(10)와 동일한 도면부호가 부여된 구성은, 설명이 중복되는 것을 방지하기 위해 생략한다.
구체적으로 상기 발광소자 패키지의 제조방법은 칩 스케일 패키지(Chip Scale Package)의 제조방법에 대한 것이다. 이러한 칩 스케일 패키지는 실질적으로 반도체 발광소자와 동일한 수준의 패키지 사이즈를 달성할 수 있다. 따라서, 디스플레이 패널에 이용되는 경우, 화소 사이즈 및 화소 피치를 감소시켜 고해상도의 디스플레이 패널을 제조할 수 있다. 또한, 웨이퍼 레벨로 모든 공정이 이루어지기 때문에 대량 생산에 적합하며, 발광구조물과 함께, 파장변환부 및 광 필터와 같은 광학 구조를 일체형으로 제조할 수 있다는 장점도 갖고 있다.
먼저, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 도전형 반도체층(111), 활성층(112) 및 제2 도전형 반도체층(113)을 각각 포함하는 발광구조물(110), 발광구조물(110)을 각각 둘러싸는 절연층(120), 전극부(130), 전극 패드부(140) 및 하부 몰딩부(150)를 포함하는 셀 어레이(CA)를, 임시 기판(TS)이 부착된 상태로 준비하고, 발광구조물(110)을 성장시킨 성장용 기판의 일 영역을 식각하여 제1 내지 제2 광방출창(162)을 형성하여 격벽 구조(160)를 마련할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 각각 상기 제1 내지 제3 발광소자(LED1, LED2, LED3)와 대응되는 영역을 식각하여 형성할 수 있다. 이러한 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 픽셀 단위(CELL1, CELL2)로 반복하여 마련할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)은 성장용 기판을 oxide-DRIE(oxide-deep reactive ion etching)와 같은 방법으로 건식식각하여 형성할 수 있다. 그러나, 이러한 방법 이외에도, 당업계에서 사용되는 다양한 건식 또는 습식 식각방법이 사용될 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 격벽 구조(160)는 절연 물질로 이루어질 수 있으며, SiO2, SiNx, Al2O3, HfO, TiO2 또는 ZrO 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3 광방출창(161, 162, 163)의 측면에 반사층(170)을 형성할 수 있다. 상기 반사층(170)은 고반사성 금속인 알루미늄(Al), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 및 구리(Cu) 중 적어도 하나를 포함하는 물질을 증착하여 형성할 수 있다. 상기 반사층(170)은 상기 절연층(120)과 접하도록 형성될 수 있다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 적색 양자점(166a)이 포함된 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅 또는 슬릿 코팅과 같은 방법을 이용하여 도포하여, 제1 광방출창(161)에 감광성 수지 조성물을 충전할 수 있다. 이를 노광하여 제1 파장변환부(166)를 형성할 수 있다. 격벽 구조(160)에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 소정의 패턴을 가진 마스크 하에서 노광하여 노광된 영역에서는 가교 중합이 일어나 폴리머 매트릭스 내에 양자점이 분산된 양자점 폴리머 복합체가 형성될 수 있다. 노광에 사용되는 광의 파장 및 세기는 양자점의 종류와 함량 등을 고려하여 선택할 수 있다. 동일하게, 녹색 양자점이 포함된 감광성 수지 조성물을 제2 광방출창(162)에 충전하여 제2 파장변환부(167)를 형성할 수 있다. 이와 같이, 액상의 감광성 수지 조성물을 제1 및 제2 광방출창(162)에 코팅하는 과정에서 제1 및 제2 파장변환부(166, 167)의 표면에 오목한 메니스커스(C1, C2)가 형성될 수 있다.
다음으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 파장변환부(166, 167) 및 상기 격벽 구조(160)를 덮으며, 제3 광방출창(163)을 채우도록 제1 봉지부(180)를 형성할 수 있다. 상기 제1 봉지부(180)는 격벽 구조(160)를 충분히 덮으며, 제1 면(164)에 평탄면이 형성되기에 충분한 두께(T1)를 갖도록 형성할 수 있다. 상기 제1 봉지부(180)의 두께(T1)는 후술하는 제2 봉지부(190) 보다 두껍게 형성하여, 제2 봉지부(190)의 응력에 의해 제1 봉지부(180)에 균열이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제1 봉지부(180)를 덮도록 제2 봉지부(190)를 형성하고, 셀 어레이(CA)에서 임시 기판(TS)을 분리한다. 이때, 셀 어레이(CA)의 손상을 방지하기 위해, 제2 봉지부(190) 상에 테이프와 같은 임시 지지체가 부착될 수 있다. 이를 블레이드(BL)를 이용하여 상기 격벽 구조(160) 및 셀 어레이(CA)를 픽셀 단위(CELL1, CELL2)로 절단하는 공정을 수행함으로써, 도 5에 도시된 발광소자 패키지(10)를 제조할 수 있다. 다만, 픽셀 단위(CELL1, CELL2)로 절단하는 공정은 이에 한정하는 것은 아니며, 레이저 또는 워터 젯(Water Jet)을 이용하여 분리하는 방법 등을 적용할 수도 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 디스플레이 장치
10: 발광소자 패키지
20: 디스플레이 패널
21: 제1 몰딩부
22: 제2 몰딩부
30: 회로 기판
110: 발광구조물
111: 제1 도전형 반도체층
112: 활성층
113: 제2 도전형 반도체층
120: 절연층
130: 전극부
131, 132: 제1 및 제2 전극
140: 전극 패드부
141, 142: 제1 및 제2 전극 패드
150: 하부 몰딩부
160: 격벽 구조
161, 162, 163: 제1 내지 제3 광방출창
164: 제1 면
165: 제2 면
166, 167: 제1 및 제2 파장변환부
170: 반사층
180: 제1 봉지부
190: 제2 봉지부
LED1, LED2, LED3: 제1 내지 제3 발광소자
CA: 셀 어레이

Claims (20)

  1. 제1 면 및 상기 제1 면과 반대에 위치하는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하고 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조;
    각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 상기 제1 면에 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이;
    상기 제1 및 제2 광방출창 내에 충전되며 상기 제2 면 방향에 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부;
    상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제3 광방출창의 바깥부분으로 연속하여 연장되어 상기 제1 및 제2 파장변환부의 상기 계면을 직접 접촉하며 덮고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및
    상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 파장변환부는 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지부의 두께는 상기 제2 봉지부의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 광방출창은 제1 면에서 보았을 때, 일 방향으로 긴 직사각형 형상을 가지며,
    상기 제1 봉지부의 두께는 상기 직사각형 형상의 폭 방향 길이의 30% 이하인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지부는 아크릴계 폴리머를 포함하는 물질로 이루어지며,
    상기 제2 봉지부는 SiON를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 봉지부와 상기 제2 봉지부가 접하는 면은 평탄면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 서로 나란하게 배치되며, 상기 제3 발광소자는 상기 제1 및 제2 발광소자 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 청색(Blue)의 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 파장변환부는 각각 적색광 및 녹색광을 방출하는 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 광방출창의 측면에는 각각 반사층이 배치된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  11. 폭 방향으로 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조;
    상기 제1 및 제2 광방출창에 각각 충전되며 입사된 광을 다른 파장의 광으로 제공하도록 구성되고, 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부;
    각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이;
    상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제1 및 제2 파장변환부를 덮어 평탄면을 이루고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및
    상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하며,
    상기 제1 봉지부는 상기 제3 광방출창의 바깥부분으로 연장되어 상기 격벽 구조 위를 지나 상기 제1 및 제2 파장변환부의 상기 계면을 연속하여 직접 접촉하도록 덮으며, 상기 제1 및 제2 파장변환부 위의 상기 제1 봉지부의 두께와 상기 격벽 구조의 위의 상기 제1 봉지부의 두께가 서로 다른 발광소자 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 파장변환부는 바인더 수지에 양자점이 분산된 감광성 수지 조성물을 경화한 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 상기 투광성 유기막층과 동일한 조성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 바인더 수지는 아크릴계 폴리머를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지부는 상기 제2 봉지부 보다 연성이 높은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지부는 아크릴계 폴리머를 포함하는 물질로 이루어지며,
    상기 제2 봉지부는 SiON를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제1 봉지부의 두께는 상기 제2 봉지부의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 봉지부의 두께는 10㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  19. 회로 기판과 상기 회로 기판 상에 행과 열을 이루어 배치된 복수의 발광소자 패키지를 포함하며, 상기 복수의 발광소자 패키지 각각은 하나의 화소를 제공하는 디스플레이 패널;
    상기 디스플레이 패널을 구동하기 위한 구동부; 및
    상기 구동부를 제어하기 위한 제어부;를 포함하고,
    상기 복수의 발광소자 패키지는 각각,
    제1 면 및 상기 제1 면과 반대에 위치하는 제2 면을 가지며, 상기 제1 면 및 제2 면을 관통하고 서로 이격된 제1 내지 제3 광방출창을 갖는 격벽 구조;
    각각 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 갖는 제1 내지 제3 발광소자를 포함하며, 상기 제1 내지 제3 광방출창에 각각 중첩되도록 상기 제1 면에 배치된 제1 내지 제3 발광소자를 포함하는 셀 어레이;
    상기 제1 및 제2 광방출창 내에 충전되며 상기 제2 면 방향에 오목한 메니스커스(meniscus)가 형성된 계면을 갖는 제1 및 제2 파장변환부;
    상기 제3 광방출창 내에 충전되며, 상기 제3 광방출창의 바깥부분으로 연속하여 연장되어 상기 제1 및 제2 파장변환부의 상기 계면을 직접 접촉하며 덮고, 투광성 유기막층으로 이루어진 제1 봉지부; 및
    상기 제1 봉지부를 덮으며 투광성 무기막층으로 이루어진 제2 봉지부;를 포함하는 디스플레이 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 파장변환부는 바인더 수지에 양자점이 분산된 감광성 수지 조성물을 경화한 물질로 이루어지며,
    상기 바인더 수지는 상기 제1 봉지부를 이루는 물질과 동일한 조성의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
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