CN112802832B - 微发光二极体显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种微发光二极体显示装置包括基板、微发光二极体晶片、保护层与漏斗管型结构阵列。微发光二极体晶片位于基板上。保护层覆盖微发光二极体晶片与基板。漏斗管型结构阵列位于保护层上且包括复数个漏斗管型结构。每一漏斗管型结构具有背对保护层的顶面。漏斗管型结构分别与微发光二极体晶片在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构的宽度从保护层往漏斗管型结构的顶面逐渐增加。当漏斗管型结构下方的微发光二极体晶片发光时，微发光二极体晶片发出的光线可进入漏斗管型结构并在漏斗管型结构的倾斜边缘发生全内反射，可增加微发光二极体显示装置的出光效率，还可收敛微发光二极体晶片的大角度光。

Description

微发光二极体显示装置及其制造方法
技术领域
本揭露是有关一种微发光二极体显示装置及一种微发光二极体显示装置的制造方法。
背景技术
Micro LED(Light-emitting diode)具备LCD(Liquid crystal display)与OLED(Organic light-emitting diode)两大显示技术的优点，可视为新世代的显示器技术。Micro LED的光场型一般为朗伯分布(Lambertian distribution)，因此应用于影像显示器需额外的结构搭配，如色彩转换膜、光纤偶合、阵列式透镜(Lens array)等。
色彩转换膜技术(Color conversion layer)是利用蓝光Micro LED经过色彩转换膜转换成红、绿、蓝光之三原色。由于只用单蓝光Micro LED，无法达成红、绿、蓝光所可混出之最大NTSC标准。另外，光纤耦合是把红、绿、蓝光耦合入同条光纤，但其技术含量高且制程成本高。此外，阵列式透镜(Lens array)的每颗Micro LED需搭配相对应之透镜，利用透镜收敛Micro LED的大角度光，以达所需的光场型，此方法制程成本高且难以让光均匀化。
目前Micro LED显示装置大多处于研究发展阶段，其显示与制造技术如何达至可量产的水准为一大课题。
发明内容
本揭露之一技术态样为一种微发光二极体显示装置。
根据本揭露之一实施方式，一种微发光二极体显示装置包括基板、复数个微发光二极体晶片、保护层与漏斗管型结构阵列。微发光二极体晶片位于基板上。保护层覆盖微发光二极体晶片与基板。漏斗管型结构阵列位于保护层上且包括复数个漏斗管型结构。每一漏斗管型结构具有背对保护层的顶面。漏斗管型结构分别与微发光二极体晶片在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构的宽度从保护层往漏斗管型结构的顶面逐渐增加。
在本揭露一实施方式中，上述每一漏斗管型结构具有倾斜边缘，且此倾斜边缘与保护层之间夹锐角，锐角在45度至85度的范围中。
在本揭露一实施方式中，上述漏斗管型结构的材料包括负型光阻。
在本揭露一实施方式中，上述微发光二极体晶片包括红色微发光二极体晶片、绿色微发光二极体晶片与蓝色微发光二极体晶片，漏斗管型结构为透明的且折射率在1.5至2的范围中。
在本揭露一实施方式中，上述微发光二极体晶片为蓝色微发光二极体晶片，且漏斗管型结构包括红色色阻、绿色色阻与蓝色色阻。
在本揭露一实施方式中，上述漏斗管型结构的材料包括二氧化钛或量子点(Quantum dot；QD)。
在本揭露一实施方式中，上述漏斗管型结构的顶面的面积大于漏斗管型结构的底面的面积。
在本揭露一实施方式中，上述漏斗管型结构的长轴线分别穿过微发光二极体晶片的中心。
在本揭露一实施方式中，上述漏斗管型结构直接接触保护层。
在本揭露一实施方式中，上述保护层位于漏斗管型结构与微发光二极体晶片之间。
本揭露之一技术态样为一种微发光二极体显示装置的制造方法。
根据本揭露之一实施方式，一种微发光二极体显示装置的制造方法包括设置复数个微发光二极体晶片于基板上；形成保护层覆盖微发光二极体晶片与基板；形成具有复数个漏斗管型结构的漏斗管型结构阵列于保护层上，其中漏斗管型结构分别与微发光二极体晶片在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构的宽度从保护层往漏斗管型结构的顶面逐渐增加。
在本揭露一实施方式中，上述形成漏斗管型结构阵列于保护层上包括：形成负型光阻于保护层上；使用紫外光照射负型光阻；以及蚀刻负型光阻，以形成漏斗管型结构阵列。
在本揭露一实施方式中，上述使用紫外光照射负型光阻包括：使紫外光通过光罩的复数个透光区，其中透光区分别与微发光二极体晶片在垂直方向上对齐，且透光区的宽度大于等于微发光二极体晶片的宽度。
在本揭露一实施方式中，上述微发光二极体显示装置的制造方法更包括将光罩靠近负型光阻的顶面。
在本揭露一实施方式中，上述蚀刻负型光阻使得负型光阻具有倾斜边缘，且倾斜边缘与保护层之间夹锐角。
在本揭露一实施方式中，上述形成该漏斗管型结构阵列于该保护层上包括：形成正型光阻于保护层上；使用紫外光照射正型光阻；蚀刻正型光阻，以形成在微发光二极体晶片上方的复数个开口；形成填充材于正型光阻的开口中，以形成漏斗管型结构阵列。
在本揭露一实施方式中，上述使用紫外光照射正型光阻包括使紫外光通过光罩的复数个透光区，其中透光区分别与微发光二极体晶片在垂直方向上对齐，且透光区的宽度大于等于微发光二极体晶片的宽度。
在本揭露一实施方式中，上述微发光二极体显示装置的制造方法更包括将光罩靠近正型光阻的顶面。
在本揭露一实施方式中，上述微发光二极体显示装置的制造方法更包括形成填充材于正型光阻的开口中后，去除正型光阻。
在本揭露一实施方式中，上述蚀刻正型光阻使得正型光阻具有倾斜边缘，且倾斜边缘与保护层之间夹钝角。
在本揭露上述实施方式中，由于微发光二极体显示装置具有位在保护层上的漏斗管型结构，且漏斗管型结构的宽度从保护层往漏斗管型结构的顶面逐渐增加，因此当漏斗管型结构下方的微发光二极体晶片发光时，微发光二极体晶片发出的光线可进入漏斗管型结构并在漏斗管型结构的倾斜边缘(Sloped edge)发生全内反射。如此一来，不仅可增加微发光二极体显示装置的出光效率，还可收敛微发光二极体晶片的大角度光，达到所需的光场型，且对微发光二极体显示装置的光均匀化有所助益。
附图说明
当与随附图示一起阅读时，可由后文实施方式最佳地理解本揭露内容的态样。注意到根据此行业中之标准实务，各种特征并未按比例绘制。实际上，为论述的清楚性，可任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1绘示根据本揭露一实施方式之微发光二极体显示装置的上视图。
图2绘示图1之微发光二极体显示装置沿线段2-2的剖视图。
图3绘示根据本揭露一实施方式之微发光二极体显示装置的制造方法的流程图。
图4、图5、图7绘示图3之微发光二极体显示装置的制造方法的各种中间步骤的剖面图。
图6绘示图5之光罩的下视图。
图8绘示根据本揭露另一实施方式之微发光二极体显示装置的制造方法的流程图。
图9至图12绘示图8之微发光二极体显示装置的制造方法的各种中间步骤的剖面图。
图13绘示根据本揭露一实施方式之漏斗管型结构及微发光二极体晶片阵列的立体图。
图14绘示图13之漏斗管型结构及微发光二极体晶片阵列的照度分布图。
附图标记：
100:微发光二极体显示装置 110:基板
120:微发光二极体晶片 130:保护层
140:漏斗管型结构 141:漏斗管型结构阵列
140a:负型光阻 140b:正型光阻
142:顶面 144:底面
141:倾斜边缘 146:倾斜边缘
150:盖板 160:填充材
200:光罩 202:透光区
204:遮光区 2-2:线段
L:光线 O1,O2,O3:开口
S1,S2,S3,S4,S5:步骤 S1’,S2’,S3’,S4’,S5’,S6’:步骤
UV:紫外光 W1,W2,W3:宽度
X:方向 Y:方向
Z:长轴线 θ1:锐角
θ2:钝角
具体实施方式
以下揭露内容提供用于实施所提供标的之不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置之特定实例以简化本揭露之实施例。当然，这些仅为实例，且并不意欲为限制性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上形成可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触之实施例，且亦可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭露之实施例可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化及清楚目的，且其自身并不表示所论述之各种实施例及/或配置之间的关系。
另外，为了描述简单，可在本文中使用诸如「在……之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及其类似术语之空间相对术语，以描述如诸图中所图示之一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘之定向以外，这些空间相对术语意欲涵盖元件在使用中或操作中之不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且可同样相应地解释本文中所使用之空间相对描述词。在本文的整个论述中，除非另作说明，否则不同附图中之相同或类似数字表示藉由使用相同或类似材料的相同或类似形成方法形成的相同或类似元件。
图1绘示根据本揭露一实施方式之微发光二极体显示装置100的上视图。图2绘示图1之微发光二极体显示装置100沿线段2-2的剖视图。同时参阅图1与图2，微发光二极体显示装置100包括基板110、复数个微发光二极体晶片120(Micro LED，μLED)、保护层130与具有复数个漏斗管型结构140的漏斗管型结构阵列141。微发光二极体晶片120位于基板110上。微发光二极体120可以为红色、绿色或蓝色微发光二极体，且排列方式并不用以限制本揭露。基板110可设有电晶体与电极，配置以点亮微发光二极体晶片120。保护层130覆盖微发光二极体晶片120与基板110。保护层130的材料可以为透明压克力胶，但并不以此为限。保护层130可避免其下方的微发光二极体晶片120与导线腐蚀。
漏斗管型结构阵列141位于保护层130上。漏斗管型结构140的折射率大于微发光二极体晶片120的折射率，微发光二极体晶片120的折射率大于保护层130的折射率。漏斗管型结构140具有背对保护层130的顶面142及朝向保护层130的底面144。漏斗管型结构140分别与微发光二极体晶片120在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构140的宽度W1从保护层130往漏斗管型结构140的顶面142逐渐增加。也就是说，漏斗管型结构140具有倾斜边缘146(Sloped edge)，且漏斗管型结构140的顶面142的面积大于漏斗管型结构140的底面144的面积。举例来说，顶面142的半径在3μm至30μm的范围中，底面144的半径在0至15μm的范围中，漏斗管型结构140的高度在3μm至10μm的范围中。此外，漏斗管型结构140的倾斜边缘146与保护层130之间夹锐角θ1。在本实施方式中，漏斗管型结构140的倾斜边缘146与保护层130之间的锐角θ1可在45度至85度的范围中，以利于光在漏斗管型结构140产生全内反射(Total internal reflection；TIR)。
由于微发光二极体显示装置100具有位在保护层130上的漏斗管型结构140，且漏斗管型结构140的宽度W1从保护层130往漏斗管型结构140的顶面142逐渐增加，因此当漏斗管型结构140下方的微发光二极体晶片120发光时，微发光二极体晶片120发出的光线L可进入漏斗管型结构140并在漏斗管型结构140的倾斜边缘146发生全内反射。如此一来，不仅可增加微发光二极体显示装置100的出光效率，还可收敛微发光二极体晶片120的大角度光，达到所需的光场型，且对微发光二极体显示装置100的光均匀化有所助益。
在一些实施方式中，漏斗管型结构140的材料可以为负型光阻、二氧化钛或量子点(Quantum dot；QD)，其制作方式可采用曝光显影技术(将于图3至图12说明)，于两相邻漏斗管型结构140之间形成开口O1，以形成漏斗管型结构140的阵列。相邻的漏斗管型结构140可由红、绿、蓝(RGB)光阻形成(将于图3至图7说明)，或者由蚀刻光阻后所填充的红、绿、蓝(RGB)量子点形成(将于图8至图12说明)。在一些实施方式中，微发光二极体晶片120可包括红色微发光二极体晶片、绿色微发光二极体晶片与蓝色微发光二极体晶片。漏斗管型结构140为透明的且其折射率在1.5至2的范围中，以利光向上传递。此外，在一些实施方式中，微发光二极体晶片120皆为蓝色微发光二极体晶片，且漏斗管型结构140包括红色色阻、绿色色阻与蓝色色阻。
在本实施方式中，漏斗管型结构140的长轴线Z可穿过微发光二极体晶片120的中心，使漏斗管型结构140对准微发光二极体晶片120。此外，漏斗管型结构140可直接接触保护层130的顶面，且保护层130位于漏斗管型结构140与微发光二极体晶片120之间。
微发光二极体显示装置100还包括盖板150，其作为微发光二极体显示装置100的上基板，可用来保护漏斗管型结构140并避免漏斗管型结构140受到污染。
应了解到，已叙述过的元件连接关系、材料与功效将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明图2之微发光二极体显示装置100的制造方法。
图3绘示根据本揭露一实施方式之微发光二极体显示装置的制造方法的流程图。首先在步骤S1中，设置复数个微发光二极体晶片于基板上。接着在步骤S2中，形成保护层覆盖微发光二极体晶片与基板。之后在步骤S3中，形成负型光阻于保护层上。接着在步骤S4中，使用紫外光照射负型光阻。之后在步骤S5中，蚀刻负型光阻，以形成漏斗管型结构阵列。在一些实施方式中，微发光二极体显示装置的制造方法并不限于上述步骤S1至步骤S5，例如在两前后步骤之间可进一步包括其他步骤，又例如步骤S1至S5亦可分别包括多个较详细的步骤。在以下叙述中，将说明上述微发光二极体显示装置的制造方法的各步骤。
图4、图5、图7绘示图3之微发光二极体显示装置的制造方法的各种中间步骤的剖面图。请参阅图4，微发光二极体晶片120可用转移的方式设置于基板110上，基板110上的微发光二极体晶片120可为相同颜色(例如蓝色)或不同颜色(例如红色、绿色、蓝色)，且排列方式可依设计需求而定。待微发光二极体晶片120设置于基板110上后，可形成保护层130覆盖微发光二极体晶片120与基板110。
同时参阅图4与图5，保护层130形成后，可形成负型光阻140a于保护层130上。微发光二极体晶片120的厚度可约为7μm，保护层130的厚度愈接近微发光二极体晶片120的厚度对于出光效率有正面助益。在一些实施方式中，负型光阻140a可采旋转涂布(Spincoating)的方式形成于保护层130上。接着，可使用紫外光UV照射负型光阻140a。在此步骤中，可将光罩200靠近负型光阻140a的顶面，并使紫外光UV通过光罩200的复数个透光区202，以对负型光阻140a曝光。光罩200的透光区202分别与微发光二极体晶片120在垂直方向上对齐，且透光区202的宽度W2大于等于微发光二极体晶片120的宽度W3，以在后续步骤保留微发光二极体晶片120上方的负型光阻140a。此外，光罩200的材料可以为玻璃，但并不以此为限。负型光阻140a可为透明的，其折射率可约为1.79，但并不用以限制本揭露。
图6绘示图5之光罩200的下视图。同时参阅图5与图6，光罩200的遮光区204围绕透光区202。紫外光UV可穿过光罩200的透光区202但会被遮光区204阻挡。紫外光UV的光强度从透光区202的中心往遮光区204渐减。经光罩200的透光区202曝光的负型光阻140a的区域经显影为不可溶解，而未经光罩200的透光区202曝光的负型光阻140a的区域经显影为可溶解。上述步骤可采接触式曝光，当紫外光UV穿过光罩200的透光区202时，会产生绕射效应。
请参阅图7，待负型光阻140a曝光显影后，可蚀刻负型光阻140a。由于绕射效应，使曝光显影后的负型光阻140a的边缘(侧壁)非垂直于保护层130，因此可形成漏斗管型结构140。相邻的漏斗管型结构140可由红、绿、蓝(RGB)的负型光阻140a形成。经由蚀刻负型光阻140a的步骤，可让负型光阻140a具有倾斜边缘146，且倾斜边缘146与保护层130之间夹锐角θ1。锐角θ1可在45度至85度的范围中。
经由以上步骤，可在保护层130上形成材料为负型光阻140a的漏斗管型结构阵列141，其中漏斗管型结构140分别与微发光二极体晶片120在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构140的宽度W1从保护层130往漏斗管型结构140的顶面142逐渐增加。也就是说，漏斗管型结构140的宽度W1往远离微发光二极体晶片120的方向(向上)逐渐增加。漏斗管型结构140利用狭缝绕射结合半导体制程技术，可制造漏斗管型结构140的阵列，本揭露有关漏斗管型结构140的制造方法可用于大量生产，且具有制程简易、低成本等优点。
待漏斗管型结构140形成后，可于图7的漏斗管型结构140上设置盖板150(见图2)，而得到图2的微发光二极体显示装置100。
应了解到，已叙述过的元件连接关系、材料与功效将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明图2之微发光二极体显示装置100的另一种制造方法。
图8绘示根据本揭露另一实施方式之微发光二极体显示装置的制造方法的流程图。首先在步骤S1’中，设置复数个微发光二极体晶片于基板上。接着在步骤S2’中，形成保护层覆盖微发光二极体晶片与基板。之后在步骤S3’中，形成正型光阻于保护层上。接着在步骤S4’中，使用紫外光照射正型光阻。之后在步骤S5’中，蚀刻正型光阻，以形成在微发光二极体晶片上方的复数个开口。接着在步骤S6’中，形成填充材于正型光阻的开口中，以形成漏斗管型结构阵列。在一些实施方式中，微发光二极体显示装置的制造方法并不限于上述步骤S1’至步骤S6’，例如在两前后步骤之间可进一步包括其他步骤，又例如步骤S1’至S6’亦可分别包括多个较详细的步骤。在以下叙述中，将说明上述微发光二极体显示装置的制造方法的各步骤。
图9至图12绘示图8之微发光二极体显示装置的制造方法的各种中间步骤的剖面图。请参阅图9，微发光二极体晶片120、保护层130与基板110之整体的形成方式与图4的实施方式雷同。微发光二极体晶片120可用转移的方式设置于基板110上，基板110上的微发光二极体晶片120可为相同颜色(例如蓝色)或不同颜色(例如红色、绿色、蓝色)，且排列方式可依设计需求而定。待微发光二极体晶片120设置于基板110上后，可形成保护层130覆盖微发光二极体晶片120与基板110。
保护层130形成后，可形成正型光阻140b于保护层130上。在一些实施方式中，正型光阻140b可采旋转涂布(Spin coating)的方式形成于保护层130上。接着，可使用紫外光UV照射正型光阻140b。在此步骤中，可将光罩200靠近正型光阻140b的顶面，并使紫外光UV通过光罩200的复数个透光区202，以对正型光阻140b曝光。光罩200的透光区202分别与微发光二极体晶片120在垂直方向上对齐，且透光区202的宽度W2大于等于微发光二极体晶片120的宽度W3，以在后续步骤移除微发光二极体晶片120上方的正型光阻140b。此外，光罩200的材料可以为玻璃，但并不以此为限。正型光阻140b可为透明的，但并不用以限制本揭露。
图9的光罩200其下视图与图6同。同时参阅图6与图9，光罩200的遮光区204围绕透光区202。紫外光UV可穿过光罩200的透光区202但会被遮光区204阻挡。紫外光UV的光强度从透光区202的中心往遮光区204渐减。经光罩200的透光区202曝光的正型光阻140b的区域经显影为可溶解，而未经光罩200的透光区202曝光的正型光阻140b的区域经显影为不可溶解。上述步骤可采接触式曝光，当紫外光UV穿过光罩200的透光区202时，会产生绕射效应。
请参阅图10，待正型光阻140b曝光显影后，可蚀刻正型光阻140b，以形成在微发光二极体晶片120上方的开口O2。由于绕射效应，使曝光显影后的正型光阻140b的边缘(侧壁)非垂直于保护层130，因此可使正型光阻140b具有倾斜边缘141。正型光阻140b的倾斜边缘141与保护层130之间夹钝角θ2，且钝角θ2可在95度至135度的范围中。
同时参阅图10与图11，待正型光阻140b的开口O2形成后，可形成填充材160于正型光阻140b的开口O2中。在本实施方式中，填充材160的材料包括二氧化钛或量子点，填充材160可于后续步骤形成漏斗管型结构140。量子点可提高演色性且增加出光效率。相邻的漏斗管型结构140可由蚀刻正型光阻140b后所填充的红、绿、蓝(RGB)量子点形成。在其他实施方式中，设计者可依实际需求选用合适的填充材160作为漏斗管型结构140，提升选用材料的弹性。
同时参阅图11与图12，形成填充材160于正型光阻140b的开口O2中后，可去除正型光阻140b，使两相邻填充材160之间具有开口O3。由于图11之正型光阻140b的倾斜边缘141，因此可在填充材160填入正型光阻140b后，让填充材160也具有倾斜边缘146，且倾斜边缘146与保护层130之间夹锐角θ1。锐角θ1可在45度至85度的范围中，且与图10的钝角θ2为互补。
经由以上步骤，可在保护层130上形成材料为填充材160(例如二氧化钛或量子点)的漏斗管型结构阵列141，其中漏斗管型结构140分别与微发光二极体晶片120在垂直方向上重叠，且漏斗管型结构140的宽度W1从保护层130往漏斗管型结构140的顶面142逐渐增加。也就是说，漏斗管型结构140的宽度W1往远离微发光二极体晶片120的方向(向上)逐渐增加。漏斗管型结构140利用狭缝绕射结合半导体制程技术，可制造漏斗管型结构140的阵列，本揭露有关漏斗管型结构140的制造方法可用于大量生产，且具有制程简易、低成本等优点。
待漏斗管型结构140形成后，可于图12的漏斗管型结构140上设置盖板150(见图2)，而得到图2的微发光二极体显示装置100。
图13绘示根据本揭露一实施方式之漏斗管型结构140及微发光二极体晶片120阵列的立体图。在本实施方式中，漏斗管型结构140及微发光二极体晶片120的排列以3x3阵列呈现，但并不用以限制本揭露。漏斗管型结构140及微发光二极体晶片120沿X方向与Y方向排列。漏斗管型结构140具有倾斜边缘146及相对的顶面142与底面144。倾斜边缘146位于顶面142与底面144之间且邻接顶面142与底面144。漏斗管型结构140的底面144朝向微发光二极体晶片120，漏斗管型结构140的顶面142背对微发光二极体晶片120。漏斗管型结构140的顶面142与底面144可以为矩形(例如正方形)。在一些实施方中，漏斗管型结构140的顶面142的尺寸(例如宽度或面积)大于微发光二极体晶片120。漏斗管型结构140的底面144的尺寸(例如宽度或面积)大于等于微发光二极体晶片120。
图14绘示图13之漏斗管型结构140及微发光二极体晶片120阵列的照度分布图。同时参阅图13与图14，漏斗管型结构140直立于对应的微发光二极体晶片120上，可产生类似画素(Pixel)之功能，且漏斗管型结构140相较垂直结构，更能提升微发光二极体晶片120的光均匀性，且能增加出光效率。由图14可知，漏斗管型结构140及微发光二极体晶片120阵列的照度分布相当均匀。
综上所述，由于微发光二极体显示装置具有位在保护层上的漏斗管型结构，且漏斗管型结构的宽度从保护层往漏斗管型结构的顶面逐渐增加，因此当漏斗管型结构下方的微发光二极体晶片发光时，微发光二极体晶片发出的光线可进入漏斗管型结构并在漏斗管型结构的倾斜边缘发生全内反射。如此一来，不仅可增加微发光二极体显示装置的出光效率，还可收敛微发光二极体晶片的大角度光，达到所需的光场型，且对微发光二极体显示装置的光均匀化有所助益。此外，微发光二极体显示装置的制造方法可在保护层上形成材料为负型光阻或填充材的漏斗管型结构。漏斗管型结构利用狭缝绕射结合半导体制程技术，可制造漏斗管型结构的阵列。微发光二极体显示装置的制造方法可用于大量生产，且具有制程简易、低成本等优点。
以上概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本揭露的各方面。本领域技术人员应当理解，他们可以容易地使用本揭露作为设计或修改其他工艺和结构以实现本文介绍的实施例的相同目的和/或实现本文介绍的实施例的相同优点的基础。本领域技术人员还应该认识到，这样的等同构造不脱离本揭露的精神和范围，并且他们可以在不脱离本揭露的精神和范围的情况下在本文中进行各种改变、替换和变更。

Claims (20)

1.一种微发光二极体显示装置，其特征在于，包括：
基板；
复数个微发光二极体晶片，位于所述基板上；
保护层，覆盖所述微发光二极体晶片与所述基板；以及
漏斗管型结构阵列，位于所述保护层上，且包括复数个漏斗管型结构，每一所述漏斗管型结构具有背对所述保护层的顶面，其中所述漏斗管型结构分别与所述微发光二极体晶片在垂直方向上重叠，且所述漏斗管型结构的宽度从所述保护层往所述漏斗管型结构的所述顶面逐渐增加，且所述保护层的折射率小于所述漏斗管型结构的折射率。
2.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中每一所述漏斗管型结构具有倾斜边缘，且所述倾斜边缘与所述保护层之间夹锐角，所述锐角在45度至85度的范围中。
3.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述漏斗管型结构的材料包括负型光阻。
4.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述微发光二极体晶片包括红色微发光二极体晶片、绿色微发光二极体晶片与蓝色微发光二极体晶片，所述漏斗管型结构为透明的且折射率在1.5至2的范围中。
5.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述微发光二极体晶片为蓝色微发光二极体晶片，且所述漏斗管型结构包括红色色阻、绿色色阻与蓝色色阻。
6.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述漏斗管型结构的材料包括二氧化钛或量子点。
7.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述漏斗管型结构的所述顶面的面积大于所述漏斗管型结构的底面的面积。
8.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述漏斗管型结构的长轴线分别穿过所述微发光二极体晶片的中心。
9.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述漏斗管型结构直接接触所述保护层。
10.如权利要求1所述之微发光二极体显示装置，其中所述保护层位于所述漏斗管型结构与所述微发光二极体晶片之间。
11.一种微发光二极体显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
设置复数个微发光二极体晶片于基板上；
形成保护层覆盖所述微发光二极体晶片与所述基板；
形成具有复数个漏斗管型结构的漏斗管型结构阵列于所述保护层上，其中所述漏斗管型结构分别与所述微发光二极体晶片在垂直方向上重叠，且所述漏斗管型结构的宽度从所述保护层往所述漏斗管型结构的顶面逐渐增加，且所述保护层的折射率小于所述漏斗管型结构的折射率。
12.如权利要求11所述之微发光二极体显示装置的制造方法，其中形成所述漏斗管型结构阵列于所述保护层上包括：
形成负型光阻于所述保护层上；
使用紫外光照射所述负型光阻；以及
蚀刻所述负型光阻，以形成所述漏斗管型结构阵列。
13.如权利要求12所述之微发光二极体显示装置的制造方法，其中使用紫外光照射所述负型光阻包括：
使所述紫外光通过光罩的复数个透光区，其中所述透光区分别与所述微发光二极体晶片在垂直方向上对齐，且所述透光区的宽度大于等于所述微发光二极体晶片的宽度。
14.如权利要求13所述之微发光二极体显示装置的制造方法，更包括：
将所述光罩靠近所述负型光阻的顶面。
15.如权利要求12所述之微发光二极体显示装置的制造方法，其中蚀刻所述负型光阻使得所述负型光阻具有倾斜边缘，且所述倾斜边缘与所述保护层之间夹锐角。
16.如权利要求11所述之微发光二极体显示装置的制造方法，其中形成所述漏斗管型结构阵列于所述保护层上包括：
形成正型光阻于所述保护层上；
使用紫外光照射所述正型光阻；
蚀刻所述正型光阻，以形成在所述微发光二极体晶片上方的复数个开口；
形成填充材于所述正型光阻的所述开口中，以形成所述漏斗管型结构阵列。
17.如权利要求16所述之微发光二极体显示装置的制造方法，其中使用紫外光照射所述正型光阻包括：
使所述紫外光通过光罩的复数个透光区，其中所述透光区分别与所述微发光二极体晶片在垂直方向上对齐，且所述透光区的宽度大于等于所述微发光二极体晶片的宽度。
18.如权利要求17所述之微发光二极体显示装置的制造方法，更包括：
将所述光罩靠近所述正型光阻的顶面。
19.如权利要求16所述之微发光二极体显示装置的制造方法，更包括：
形成所述填充材于所述正型光阻的所述开口中后，去除所述正型光阻。
20.如权利要求16所述之微发光二极体显示装置的制造方法，其中蚀刻所述正型光阻使得所述正型光阻具有倾斜边缘，且所述倾斜边缘与所述保护层之间夹钝角。
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