TWI781738B

TWI781738B - 發光陣列基板、發光陣列基板的製備方法及顯示面板

Info

Publication number: TWI781738B
Application number: TW110131326A
Authority: TW
Inventors: 廖金閱; 林輝巨
Original assignee: 鴻海精密工業股份有限公司
Priority date: 2021-08-24
Filing date: 2021-08-24
Publication date: 2022-10-21
Also published as: TW202310322A

Abstract

本申請提供一種發光陣列基板，其包括：基板；絕緣層，所述絕緣層開設有多個定位孔；複數發光二極體，每一發光二極體設於一定位孔內，每一發光二極體還包括一導航柱，所述導航柱為發光二極體遠離所述基板的部分；所述絕緣層包括相對設置的第一表面和第二表面，每一定位孔在第一表面形成一第一開口，在第二表面形成一第二開口，所述第一表面相較於所述第二表面靠近所述基板，所述第一開口的面積小於所述第二開口的面積，且所述第二開口的投影完全覆蓋所述第一開口的投影。本申請實施例還提供一種發光陣列基板的製備方法和一種顯示面板。

Description

發光陣列基板、發光陣列基板的製備方法及顯示面板

本申請涉及顯示技術領域，尤其是一種發光陣列基板、該發光陣列基板的製備方法及使用該發光陣列基板的顯示面板。

習知的採用微型發光二極體（Light-emitting Diode，LED）或迷你LED作為發光元件的顯示面板，由於其LED的尺寸較小（小於200μm），因此在裝配LED時通常會採用巨量轉移技術。流體自組裝技術作為巨量轉移技術的一個分支，具有高效率與低成本的特點，其具體為以液體為載體，將LED芯片運送至顯示面板的基板上預留的位置上，並藉由在LED芯片上設置一導航柱，即可準確的將LED芯片對位。然而，請參閱圖1，由於基板910上的預留位置通常為一孔壁941垂直於基板910的定位孔940，因此在自組裝過程中，LED芯片950上的導航柱951在流體的作用下會出現陷入到孔壁941的情況，並且由於定位孔940較深，LED芯片950不容易在流體的作用下脫出，從而影響LED芯片的裝配。

本申請一方面提供一種發光陣列基板，其包括：基板；絕緣層，設於所述基板的一表面上，並開設有多個定位孔；多個發光二極體，每一所述發光二極體設於一所述定位孔內，每一所述發光二極體還包括一導航柱，所述導航柱為所述發光二極體遠離所述基板的部分；所述絕緣層包括相對設置的第一表面和第二表面，每一所述定位孔貫穿所述絕緣層且在所述第一表面形成一第一開口，在所述第二表面形成一第二開口，所述第一表面相較於所述第二表面靠近所述基板，所述第一開口的面積小於所述第二開口的面積，且所述第二開口在所述表面上的投影完全覆蓋所述第一開口在所述表面上的投影。

上述發光陣列基板，藉由調整所述定位孔為所述第一開口在所述表面上的投影面積小於所述第二開口在所述表面上的投影面積，且所述第二開口在所述表面上的投影完全覆蓋所述第一開口在所述表面上的投影，可以使所述定位孔的孔壁相對於所述基板呈現一定的傾斜。在流體自組裝的過程中，由於所述定位孔的孔壁設置為傾斜的狀態，所述流體在流經所述定位孔時會沿所述孔壁的方向流動，也即所述發光二極體的導航柱沿流體流動的方向陷入所述定位孔的幾率會隨之降低；若所述發光二極體的導航柱陷入孔壁時，傾斜的孔壁會為所述發光二極體留出脫出的空間，從而使所述發光二極體在流體的作用下脫出。因此，本申請提供的發光陣列基板可以有效的防止所述發光二極體的導航柱陷入到所述定位孔的孔壁中。

在一實施例中，每一所述定位孔具有一連接所述第一開口和所述第二開口的孔壁，所述孔壁與所述基板之間的夾角的角度為30°-60°。

上述發光陣列基板，藉由設置所述定位孔的孔壁與所述基板的夾角角度為30°-60°，可以在實現防止所述導航柱陷入所述孔壁的同時，又不會由於孔壁過於平緩，導致所述發光二極體無法準確的固定到所述定位孔中。

在一實施例中，每一所述定位孔具有一連接所述第一開口和所述第二開口的孔壁，所述孔壁到所述基板的垂直距離沿著靠近所述第一開口的方向無級逐漸減小。

在一實施例中，每一所述定位孔為階梯孔。

在一實施例中，所述發光陣列基板還包括多個導電結構，所述多個導電結構間隔的設於所述基板的所述表面上，每一所述導電結構至少部分相對一所述定位孔裸露以與所述定位孔內的所述發光二極體電連接。

本申請實施例另一方面提供一種發光陣列基板的製備方法，其包括：提供一基板；在所述基板的一表面上設置絕緣層，所述絕緣層包括相對設置的第一表面和第二表面；在所述絕緣層上開設多個定位孔，每一所述定位孔貫穿所述絕緣層且在所述第一表面形成一第一開口，在所述第二表面形成一第二開口，所述第一表面相較於所述第二表面靠近所述基板，所述第一開口的面積小於所述第二開口的面積，且所述第二開口在所述表面上的投影完全覆蓋所述第一開口在所述表面上的投影；在每一所述定位孔內設置一發光二極體，每一所述發光二極體還包括一導航柱，所述導航柱為所述發光二極體遠離所述基板的部分。

上述發光陣列基板的製備方法，藉由設置所述定位孔為所述第一開口在所述表面上的投影面積小於所述第二開口在所述表面上的投影面積，且所述第二開口在所述表面上的投影完全覆蓋所述第一開口在所述表面上的投影，可以使所述定位孔的孔壁相對於所述基板呈現一定的傾斜。在設置所述發光二極體的過程中，可以避免所述導航柱陷入到所述定位孔的孔壁中。

在一實施例中，在所述絕緣層上開設多個定位孔具體為：在所述絕緣層遠離所述表面的一側設置一光罩，所述光罩包括多個透光區，所述多個透光區間隔排列；透過所述光罩，對所述絕緣層進行曝光蝕刻，所述絕緣層上對應每一透光區的位置經由所述曝光蝕刻形成一定位孔。

在一實施例中，每一所述透光區還包括多個子透光區，所述多個子透光區的透光率沿著靠近所述透光區中心的方向而逐漸增大。

在一實施例中，所述透光區的透光率沿著靠近所述透光區中心的方向而逐漸增大。

本申請又一方面提供一種顯示面板，其包括如前述的發光陣列基板，以及設於所述發光陣列基板遠離所述基板一側的光學功能層。

在一實施例中，所述發光陣列基板為所述顯示面板的背光模組，用於發出一白光，所述光學功能層可包括封裝層、液晶盒、位於所述液晶盒兩側的偏光片、增亮膜和蓋板中的其中一種或任意組合。

在一實施例中，所述發光陣列基板為自發光顯示基板，所述光學功能層可包括封裝層、偏光層和蓋板中的其中一種或任意組合。

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本申請的一部分實施例，而不是全部的實施例。

除非另有定義，本申請所使用的所有的技術和科學術語與屬於本申請的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。在本申請的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在於限制本申請。

為能進一步闡述本發明達成預定目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施方式，對本申請作出如下詳細說明。

本申請實施例提供一種發光陣列基板，請參閱圖2，發光陣列基板100包括基板10、多個導電結構30、多個發光二極體50（圖中僅示一個）以及絕緣層70。其中，多個導電結構30間隔的設於基板10的一表面11上，每一導電結構30包括一第一導電部31和一第二導電部33，絕緣層70同樣設於基板10的表面11上，且絕緣層70上開設有多個定位孔40，每一導電結構30相對於定位孔40裸露。每一發光二極體50設於一定位孔40中，且與每一導電結構30電連接。發光二極體50可以為微型無機發光二極體或者迷你發光二極體。

在一實施例中，絕緣層70包括相對設置的第一表面71和第二表面73，每一定位孔40貫穿絕緣層70且在所述第一表面71形成一第一開口711，在所述第二表面73形成一第二開口731，第一表面71相較於第二表面73靠近基板10，第一開口711的尺寸小於第二開口731的尺寸，且第二開口731的邊緣輪廓在表面11的投影完全覆蓋第一開口711的邊緣輪廓在表面11的投影。舉例而言，當第一開口711和第二開口731均為圓形開口時，可用開口的直徑代表所述第一開口711和第二開口731的尺寸，則，第一開口711的直徑大於第二開口731的直徑；當第一開口711和第二開口731均為矩形開口時，可用開口的長或寬代表所述第一開口711和第二開口731的尺寸，則，第一開口711的長與寬至少其中之一者大於第二開口731的長或者寬。在一些實施例中，第一開口711和第二開口731也可為不規則的形狀。

在本實施例中，第一開口711被基板10封閉，即，基板10形成定位孔40的底壁。

每一定位孔40具有連接第一開口711和第二開口731的孔壁41，設第一開口711上任意一點到第二開口731的最短距離構成的線段與基板10之間的夾角為孔壁41與基板10之間的夾角為θ，所述夾角θ的範圍為30°-60°。

在一實施例中，第一開口711和第二開口731的形狀相同，且第一開口711和第二開口731的幾何中心在表面11上的投影重合。在其他實施例中，第一開口711的形狀還可以不同於第二開口731的形狀，如第一開口711的形狀為正方形，第二開口731的形狀為圓形；或第二開口731的形狀為不規則圖形。第一開口711和第二開口731的幾何中心在表面11上的投影也可以不重合。

在一實施例中，請參閱圖2，孔壁41到基板10的垂直距離沿著從第二開口731靠近第一開口711的方向無級遞減，也即在圖2的剖視圖中，孔壁41表現為一條線段，定位孔40沿垂直於基板10方向的剖面為梯形。在其他實施例中，孔壁41到基板10的垂直距離還可以沿著從第二開口731靠近第一開口711的方向非均勻的逐漸減小，即從剖視方向看，孔壁41可以表現為不規則的平滑曲線。孔壁41到基板10的垂直距離還可以為沿著從第二開口731靠近第一開口711的方向整體減小，也即孔壁41到基板10的垂直距離在部分區域存在沿著從第二開口731靠近第一開口711的方向逐漸增加。

在另一實施例中，請參閱圖3，定位孔40為包括四級階梯的階梯孔，也即孔壁41從剖視方向看為階梯狀，每一級階梯的寬度和高度相同。在其他實施例中，定位孔40還可以為包括至少兩級階梯的階梯孔，每一級階梯的寬度和高度均可以不同，且孔壁41與基板10之間仍可視為形成一夾角，所述夾角的範圍為30°-60°。

在一實施例中，請參閱圖4，發光二極體50包括導航柱51、襯底52、緩衝層53、第一電極55、N型層56、帶隙層57、P型層58和第二電極59。導航柱51設於襯底52的一側，襯底52的另一側依次層疊設置緩衝層53、N型層56、帶隙層57、P型層58和第二電極59，N型層56遠離緩衝層53的一側還設有第一電極55。第一電極55與N型層56電連接，第二電極59與P型層58電連接，N型層56、帶隙層57和P型層58共同構成一PN結二極體。當N型層56與P型層58之間存在一電壓差時，發光二極體50發光。

在一實施例中，請一併參閱圖2和圖4，導電結構30包括第一導電部31和第二導電部33，第一導電部31用於接收一陰極電壓，第二導電部33用於接收一陽極電壓。基板10包括與每一導電結構30電連接的薄膜電晶體電路走線（圖未示），用於向每一第一導電部31施加一陰極電壓和向每一第二導電部33施加一陽極電壓。第一導電部31與第一電極55電連接，第二導電部33與第二電極59電連接，使得所述陰極電壓與所述陽極電壓共同作用於發光二極體50，從而使發光二極體50發光。

在一實施例中，請繼續參閱圖4，導航柱51為用於在發光二極體50的流體自組裝過程中起到導航作用的柱狀結構，導航柱51可位於襯底52遠離緩衝層53一側的幾何中心上。導航柱51的形狀可以是圓柱形、圓錐形或其他形狀。

在一實施例中，絕緣層70可以是有機材料或無機材料，且可以藉由曝光的方式進行蝕刻。

本申請實施例還提供一種發光陣列基板的製備方法，請參閱圖5，發光陣列基板100的製備方法包括：步驟S1：提供一基板10；步驟S2：在基板10的一表面11上設置絕緣層70，絕緣層70包括相對設置的第一表面71和第二表面73；步驟S3：在絕緣層70遠離表面11的一側設置一光罩a，光罩a包括多個透光區b，多個透光區b間隔排列；步驟S4：透過光罩a，對絕緣層70進行曝光蝕刻，從而在絕緣層70上開設多個貫穿第一表面71和第二表面73的定位孔40；步驟S5：在每一定位孔40內設置一發光二極體50。

在本實施例中，步驟S1還包括在基板10上設置多個互相間隔的導電結構30，基板10包括與每一導電結構30電連接的薄膜電晶體電路走線。

在本實施例中，步驟S2可藉由固化或沉積的方式生成絕緣層70，絕緣層70覆蓋基板10和導電結構30。

在本實施例中，請一併參閱圖6和圖7，步驟S3中的光罩a上設有多個相互間隔的透光區b，每一透光區b上還包括多個子透光區c，其中，子透光區c1-c5的透光率依次為100%、75%、50%、25%和0%，也即子透光區c的透光率沿著靠近透光區b中心的方向而逐漸增大。光罩a上不屬透光區b的部分透光率為0%。在其他實施例中，透光區b還可以包括至少三種不同透光率的子透光區c，且透光區b的透光率沿著靠近透光區b的中心方向而逐漸增大，多個相鄰子透光區c之間的透光率差可以相等，也可以不相等。

在本實施例中，請參閱圖8A-圖8E，每一子透光區c還包括透光率為0%的遮光部d1和透光率為100%的透光部d2，藉由設置遮光部d1和透光部d2在一子透光區c中的數量比，從而實現設置子透光區c整體透光率的效果。如圖8A中的子透光區c5只包括遮光部d1，因此子透光區c5的透光率為0%；圖8B中遮光部d1與透光部d2的數量比為3:1，因此子透光區c4整體的透光率為25%；圖8C中的遮光部d1與透光部d2的數量比為1:1，因此子透光區c3整體的透光率為50%；圖8D中的遮光部d1與透光部d2的數量比為1:3，因此子透光區c2整體的透光率為75%；而圖8E中的子透光區c1只包括透光部d2，因此子透光區c1的透光率為100%。遮光部d1和透光部d2控制光透過的表面均為正方形，且遮光部d1和透光部d2的表面面積相等，所述正方形的邊長為1μm。在其他實施例中，遮光部d1和透光部d2還可以以其他方式設置，如矩形、圓形或其他任意形狀，或透光部d2和遮光部d1以面積佔比的方式進行設置，使得子透光區c的透光率滿足要求。

在本實施例中，請繼續參閱圖6，步驟S4具體為藉由光罩a對絕緣層70進行曝光蝕刻，從而在絕緣層70對應每一透光區b的位置形成一定位孔40。不同的子透光區c對應的蝕刻程度不同，透光率為100%的子透光區c1貫穿絕緣層70，且在第一表面71上形成第一開口711，透光率為0%的子透光區c5不對絕緣層70進行蝕刻，透光率為25%的子透光區c4部分蝕刻絕緣層70，且在第二表面73上形成第二開口731，第一開口711的面積小於第二開口731的面積，且第二開口731在表面11的投影完全覆蓋第一開口711在表面11的投影。絕緣層70對應除子透光區c1外的子透光區c的位置形成定位孔40的孔壁41。

在本實施例中，子透光區c的透光率越高，對絕緣層70的蝕刻程度越高，藉由設置透光區b的多個子透光區c的透光率沿著靠近透光區b中心的方向逐漸增大，從而可以在絕緣層70上形成形狀為階梯孔的定位孔40。在其他實施例中，藉由設置透光區b的透光率沿著靠近透光區b中心的方向逐漸增大，可以在絕緣層70上形成孔壁41到基板10的垂直距離沿著靠近第一開口711的方向遞減的定位孔40。所述透光區b的透光率沿著靠近透光區b中心的方向逐漸增大可以藉由設置大量透光率不同的子透光區c來實現近似的效果。透光區b的透光率還可以設置為沿著靠近透光區b中心的方向整體增大，也即透光區b某一部分的透光率可以在沿著靠近透光區b中心的方向逐漸減小，從而在絕緣層70上形成孔壁41到基板10的垂直距離沿著靠近第一開口711的方向整體減小的定位孔40。

在本實施例中，步驟S4還包括設置曝光蝕刻時的光強度或曝光時間，從而控制每一子透光區c蝕刻絕緣層70的程度。藉由控制每一子透光區c指向透光區b的中心的寬度，以及對絕緣層70蝕刻的深度，從而控制孔壁41與基板10之間夾角的範圍為30°-60°。

在本實施例中，請參閱圖9，步驟S5中設置發光二極體50的方法為流體自組裝的方法，具體為將發光二極體50與一液體混合，利用所述液體的流動，帶動發光二極體50落入定位孔40內。其中所述液體的成分可以包括水、醇、酮、烷烴和有機酸，所述液體會在如刷子或氣流的干擾下產生液體流，從而帶動發光二極體50在基板10上移動，並依次落入定位孔40內。當發光二極體50設有導航柱51的一側落入定位孔40內時，發光二極體50會在流體的作用下翻轉，使設有第二電極59的一側落入定位孔40內，當發光二極體50設有第二電極59的一側落入定位孔40內時，由於導航柱51的橫截面積較小，因此發光二極體50不容易在流體的作用下脫離定位孔40。

本申請實施例藉由設置定位孔40為第一開口711在表面11上的投影面積小於第二開口731在表面11上的投影面積，且第二開口731在所述表面上的投影完全覆蓋第一開口711在表面11上的投影，可以使定位孔40的孔壁41相對於所述基板呈現一定的傾斜，且孔壁41與基板10之間夾角的範圍為30°-60°。在流體自組裝的過程中，由於定位孔40的孔壁41設置為傾斜的狀態，所述液體在流經定位孔40時會沿孔壁41的方向流動，也即發光二極體50的導航柱51沿液體流動的方向陷入定位孔40的幾率會隨之降低；若發光二極體50的導航柱51陷入孔壁時，整體傾斜的孔壁41也會為發光二極體50留出脫出的空間，從而使發光二極體50在流體的作用下脫出，設置孔壁41與基板10之間夾角的範圍為30°-60°，可以在實現防止導航柱51陷入孔壁41的同時，又不會由於孔壁41過於平緩，導致發光二極體50無法準確的固定到定位孔40中。因此，本申請提供的發光陣列基板100可以有效的提高發光二極體50的綁定效果。

本申請實施例還提供使用上述發光陣列基板100的顯示面板。請參圖10，顯示面板200包括上述發光陣列基板100和與發光陣列基板100層疊設置的光學功能層210。

在一實施例中，發光陣列基板100為顯示面板200的背光模組，用於發出一白光，此時光學功能層210包括液晶盒（液晶盒包括相對設置的彩色濾光基板和薄膜電晶體陣列基板，二者中間夾著液晶分子層）及分別位於液晶盒兩側的二偏光片，用於對所述白光進行調光，以使顯示面板200發出不同顏色和亮度的圖像光。此時，發光陣列基板100中的發光二極體50可以為迷你發光二極體。光學功能層210還可以包括封裝層、增亮膜和蓋板等結構的其中之一或任意組合，以保護發光陣列基板100並提高顯示面板200的顯示效果。

在一實施例中，發光陣列基板100為自發光顯示基板，多個發光二極體50可發出不同顏色和亮度的光，直接顯示圖像。此時，發光二極體50為微型無機發光二極體，而光學功能層210可包括封裝層、偏光層和蓋板等結構的其中之一或任意組合，以保護發光陣列基板100並提高顯示面板200的顯示效果。

本申請實施例提供的顯示面板200集成了前述的發光陣列基板100，可實現如上述的發光陣列基板100的所有有益效果。

本領域具有通常知識者應當認識到，以上的實施方式僅是用來說明本發明，而並非用作為對本發明的限定，只要在本發明的實質精神範圍之內，對以上實施例所作的適當改變和變化都落在本發明要求保護的範圍之內。

100:發光陣列基板 10、910:基板 11:表面 30:導電結構 31:第一導電部 33:第二導電部 40、940:定位孔 41、941:孔壁 50:發光二極體 950:LED芯片 51、951:導航柱 52:襯底 53:緩衝層 55:第一電極 56:N型層 57:帶隙層 58:P型層 59:第二電極 70:絕緣層 71:第一表面 711:第一開口 73:第二表面 731:第二開口 θ:夾角 a:光罩 b:透光區 c、c1、c2、c3、c4、c5:子透光區 d1:遮光部 d2:透光部 S1、S2、S3、S4、S5:步驟 200:顯示面板 210:光學功能層

圖1為習知的發光陣列基板組裝發光二極體的流程示意圖。

圖2為本申請一實施例的發光陣列基板的結構剖視圖。

圖3為本申請另一實施例的發光陣列基板的結構剖視圖。

圖4為本申請一實施例的發光二極體的剖視圖。

圖5為本申請一實施例的發光陣列基板的製備方法的流程圖。

圖6為本申請一實施例的發光陣列基板製備方法中步驟S4的示意圖。

圖7為本申請一實施例的光罩的俯視圖。

圖8A-圖8E為本申請一實施例的光罩不同子透光區的結構示意圖。

圖9為本申請一實施例的發光陣列基板製備方法中步驟S5的示意圖。

圖10為本申請一實施例的顯示面板的結構剖視圖。

100:發光陣列基板

10:基板

11:表面

30:導電結構

31:第一導電部

33:第二導電部

40:定位孔

41:孔壁

50:發光二極體

70:絕緣層

71:第一表面

711:第一開口

73:第二表面

731:第二開口

θ:夾角

Claims

一種發光陣列基板，其改良在於，包括：基板；絕緣層，設於所述基板的一表面上，並開設有複數定位孔；複數發光二極體，每一所述發光二極體設於一所述定位孔內，每一所述發光二極體還包括一導航柱，所述導航柱為所述發光二極體遠離所述基板的部分；所述絕緣層包括相對設置的第一表面和第二表面，每一所述定位孔貫穿所述絕緣層且在所述第一表面形成一第一開口，在所述第二表面形成一第二開口，所述第一表面相較於所述第二表面靠近所述基板，所述第一開口的面積小於所述第二開口的面積，且所述第二開口在所述表面上的投影完全覆蓋所述第一開口在所述表面上的投影。
如請求項1所述之發光陣列基板，其中，每一所述定位孔具有一連接所述第一開口和所述第二開口的孔壁，所述孔壁與所述基板之間的夾角的角度為30°-60°。
如請求項1所述之發光陣列基板，其中，每一所述定位孔具有一連接所述第一開口和所述第二開口的孔壁，所述孔壁到所述基板的垂直距離沿著靠近所述第一開口的方向無級逐漸減小。
如請求項1所述之發光陣列基板，其中，每一所述定位孔為階梯孔。
如請求項1所述之發光陣列基板，其中，所述發光陣列基板還包括複數導電結構，該等導電結構間隔的設於所述基板的所述表面上，每一所述導電結構至少部分相對一所述定位孔裸露以與所述定位孔內的所述發光二極體電連接。
一種發光陣列基板的製備方法，其改良在於，包括：提供一基板；在所述基板的一表面上設置絕緣層，所述絕緣層包括相對設置的第一表面和第二表面；在所述絕緣層上開設複數定位孔，每一所述定位孔貫穿所述絕緣層且在所述第一表面形成一第一開口，在所述第二表面形成一第二開口，所述第一表面相較於所述第二表面靠近所述基板，所述第一開口的面積小於所述第二開口的面積，且所述第二開口在所述表面上的投影完全覆蓋所述第一開口在所述表面上的投影；在每一所述定位孔內設置一發光二極體，每一所述發光二極體還包括一導航柱，所述導航柱為所述發光二極體遠離所述基板的部分。
如請求項6所述之發光陣列基板的製備方法，其中，在所述絕緣層上開設複數定位孔具體為：在所述絕緣層遠離所述表面的一側設置一光罩，所述光罩包括複數透光區，該等透光區間隔排列；透過所述光罩，對所述絕緣層進行曝光蝕刻，所述絕緣層上對應每一透光區的位置經由所述曝光蝕刻形成一定位孔。
如請求項7所述之發光陣列基板的製備方法，其中，每一所述透光區還包括複數子透光區，該等子透光區的透光率沿著靠近所述透光區中心的方向而逐漸增大。
如請求項7所述之發光陣列基板的製備方法，其中，所述透光區的透光率沿著靠近所述透光區中心的方向而逐漸增大。
一種顯示面板，其改良在於，包括如請求項1-5任意一項所述的發光陣列基板，以及與所述發光陣列基板層疊設置的光學功能層。
如請求項10所述之顯示面板，其中，所述發光陣列基板為所述顯示面板的背光模組，用於發出一白光，所述光學功能層包括封裝層、液晶盒、位於所述液晶盒兩側的偏光片、增亮膜和蓋板中的其中一種或任意組合。
如請求項10所述之顯示面板，其中，所述發光陣列基板為自發光顯示基板，所述光學功能層包括封裝層、偏光層和蓋板中的其中一種或任意組合。