CN111403462A - 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置 Download PDF

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CN111403462A CN202010232074.3A CN202010232074A CN111403462A CN 111403462 A CN111403462 A CN 111403462A CN 202010232074 A CN202010232074 A CN 202010232074A CN 111403462 A CN111403462 A CN 111403462A
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Abstract

本公开是关于一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，属于显示器领域。显示基板具有多个像素区域，显示基板包括盖板、位于盖板上且与多个像素区域对应设置的彩色滤光层、位于盖板上且位于相邻的像素区域之间的挡墙、以及位于彩色滤光层上的多块量子点薄膜，多块量子点薄膜与多个像素区域中的至少部分像素区域对应设置。挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。光致变色材料在遇到显示装置内部发出的光时，转化为能够挡光的颜色，滤光材料能够过滤各个颜色的光，从而实现遮光。采用上述材料制作挡墙时，可以将挡墙制作的较薄，使挡墙的厚度比黑矩阵和保护层形成的挡墙的厚度薄，可以减小显示装置的厚度。

Description

显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
技术领域
本公开涉及显示器领域，特别涉及一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
量子点有机发光显示器(英文：Quantum Dot Organic Light-Emitting Display，简称：QD-OLED)利用蓝光作为光源，在显示面板的红色像素单元和绿色像素单元分别布置有红色量子点(英文：Quantum Dot Red，简称：QD-R)薄膜和绿色量子点(英文：Quantum DotGreen，简称：QD-G)薄膜，红色量子点薄膜和绿色量子点薄膜可以将蓝光分别转化成红光和绿光。
示例性地，QD-OLED显示面板的可以包括QD-OLED阵列基板、位于QD-OLED阵列基板上的量子点薄膜、彩色滤光层和挡墙，以及覆盖在彩色滤光层和挡墙上的盖板，彩色滤光层和量子点薄膜位于像素区域、挡墙位于像素区域之间。QD-OLED阵列基板发出的光经过量子点薄膜和彩色滤光层后分别形成各像素区域对应颜色的光并射出，实现QD-OLED的全彩色显示。当QD-OLED阵列基板发出的光照射至挡墙时，被挡墙遮挡。
相关技术中，挡墙包括黑矩阵(英文：Black Matrix，简称：BM)和位于黑矩阵上的保护(英文：Over Coat，简称：OC)层。由于制作工艺的限制，保护层无法做薄，使最终挡墙的厚度较厚，导致整个QD-OLED厚度较厚。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置，可以减小显示装置的厚度。所述技术方案如下：
一方面，本公开提供了一种显示基板，所述显示基板具有多个像素区域，所述显示基板包括盖板、位于所述盖板上且与所述多个像素区域对应设置的彩色滤光层、位于所述盖板上且位于相邻的所述像素区域之间的挡墙、以及位于所述彩色滤光层上的多块量子点薄膜，多块所述量子点薄膜与多个所述像素区域中的至少部分所述像素区域对应设置；
所述挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述光致变色材料包括以下材料形成的混合物：光敏树脂、感光单体、光致变色材料以及溶剂。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述挡墙采用如下滤光层中的至少2个层叠而成：
红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述显示基板还包括设置在所述量子点薄膜和所述挡墙上的填充层；
所述填充层的厚度范围在4微米至6微米之间。
另一方面，本公开提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板具有多个像素区域，所述方法包括：
提供一盖板；
在所述盖板上形成彩色滤光层、多块量子点薄膜和挡墙，所述彩色滤光层与所述多个像素区域对应设置，多块所述量子点薄膜位于所述彩色滤光层上，多块所述量子点薄膜与多个所述像素区域中的部分所述像素区域对应设置，所述挡墙位于所述盖板上且位于相邻的所述像素区域之间，所述挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。
另一方面，本公开提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列基板和上述任一项所述的显示基板，以及位于所述阵列基板和所述显示基板之间的封装层。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述封装层包括第一氮化硅层、喷墨打印层和第二氮化硅层形成的叠层。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述喷墨打印层的厚度范围在4微米至6微米之间。
在本公开实施例的一种实现方式中，所述喷墨打印层的材料包括有机封装材料、二巯基二苯硫醚环氧预聚物和二羟基二苯硫醚环氧预聚物形成的混合物。
另一方面，本公开提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
在显示时，显示装置内部发出的光作为光源依次穿过量子点薄膜和彩色滤光层，并从盖板射出。当显示装置内部发出的光到达量子点薄膜时被转化为其他颜色的光，并穿过彩色滤光层从像素区域射出，从而在像素区域显示图像；当光到达非像素区域时，被挡墙遮挡，使光不能从非像素区域射出，保证显示效果。挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成，光致变色材料在遇到显示装置内部发出的光时，转化为能够挡光的颜色，从而实现挡光作用，滤光材料能够过滤各个颜色的光，实现挡墙的遮光作用。同时，采用上述材料制作挡墙时，可以将挡墙制作的较薄，使挡墙的厚度比黑矩阵和保护层形成的挡墙的厚度薄，可以减小显示装置的厚度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种显示基板的截面示意图；
图3是本公开实施例提供的一种显示基板的截面示意图；
图4是本公开实施例提供的一种光路示意图；
图5是本公开实施例提供的一种显示基板制作方法的流程图；
图6是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图7是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图8是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图9是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图10是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图11是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图12是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图13是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图14是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图15是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图16是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图；
图17是本公开实施例提供的一种显示面板的截面示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图。参见图1，显示基板10具有多个像素区域。多个像素区域包括绿色像素区域1、红色像素区域2和蓝色像素区域3。
图2是本公开实施例提供的一种显示基板的截面示意图。参见图2，显示基板10包括盖板101、位于盖板101上且与多个像素区域对应设置的多个彩色滤光层102、位于盖板101上且位于相邻的像素区域之间的挡墙103、以及位于彩色滤光层102上的多块量子点薄膜104，多块量子点薄膜104与多个像素区域中的至少部分像素区域对应设置，挡墙103采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。
在使用本公开的显示基板时，在显示时，显示装置内部发出的光作为光源依次穿过量子点薄膜104和彩色滤光层102，并从盖板101的射出。当显示装置内部发出的光到达量子点薄膜104时被转化为其他颜色的光，并穿过彩色滤光层102从像素区域射出，当光到达非像素区域时，被挡墙103遮挡，使光不能从非像素区域射出，保证显示效果。挡墙103采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成，光致变色材料在遇到显示装置内部发出的光时，转化为能够挡光的颜色，从而是实现挡光作用，滤光材料能够过滤各个颜色的光，实现挡墙的遮光作用。同时，采用上述材料制作挡墙103时，可以将挡墙103制作的较薄，使挡墙103的厚度比黑矩阵和保护层形成的挡墙的厚度薄，可以减小显示装置的厚度。
在本公开实施例中，盖板101用于支撑显示基板的内部结构，盖板101可以为玻璃盖板，可以保证盖板101的强度。
在本公开实施例中，彩色滤光层102位于像素区域，使从像素区域射出的光显示不同的颜色。彩色滤光层102可以包括绿色(英文：Green，简称：G)滤光层121、红色(英文：Red，简称：R)滤光层122和蓝色(英文：Blue，简称：B)滤光层123，当光到达相应颜色的滤光层时，将设定波长范围外的光滤掉，保证通过该滤光层的光的波长均在设定范围内，提高显示效果。
在本公开实施例中，绿色滤光层121对应绿色像素区域1，红色滤光层122对应红色像素区域2，蓝色滤光层123对应蓝色像素区域3。
在本公开实施例中，彩色滤光层102的厚度范围在1微米至3微米之间，例如可以为2微米。
在本公开实施例中，量子点薄膜104用于转化光，当显示装置以有颜色的光作为光源时。相应颜色的像素区域上可以不设置量子点薄膜104。
在本公开实施例中，QD-OLED一般是蓝光作为光源，所以上述显示基板的量子点薄膜104可以包括绿色量子点薄膜141和红色量子点薄膜142，绿色量子点薄膜141对应绿色像素区域1，红色量子点薄膜142对应红色像素区域2，当蓝光到达绿色量子点薄膜141时，绿色量子点薄膜141将蓝光转化为绿光，当蓝光到达红色量子点薄膜142时，红色量子点薄膜142将蓝光转化为红光。由于QD-OLED是蓝光作为光源，所以蓝色像素区域3并不需要设置蓝色的量子点薄膜。
也即在图2所示的实现方式中，多块量子点薄膜104与多个像素区域中的至少部分像素区域对应设置是指，在绿色像素区域1和红色像素区域2分别对应设置量子点薄膜104。
在QD-OLED中，QD-OLED发出蓝光，当蓝光到达蓝色滤光层123时，蓝光穿过蓝色滤光层123从盖板101射出；当蓝光到达绿色量子点薄膜141时，转化为绿光，绿光穿过绿色滤光层121从盖板101射出；当蓝光到达红色量子点薄膜142时，红色量子点薄膜142将蓝光转化为红光，红光穿过红色滤光层122从盖板101射出，从而使QD-OLED可以显示各种颜色。
在本公开实施例中，绿色量子点薄膜141搀杂有经蓝光激发能产生绿光的QD粒子，红色量子点薄膜142搀杂有经蓝光激发能产生红光的QD粒子，使蓝光穿过绿色量子点薄膜141和红色量子点薄膜142后分别变成绿光和红光。
在本公开实施例中，蓝光转化为绿光的效率与绿色量子点薄膜141的厚度有关，绿色量子点薄膜141的厚度越厚，蓝光转化为绿光的效率越高。所以会将绿色量子点薄膜141的厚度做的较厚，提高蓝光转化为绿光的效率。同理，也会将红色量子点薄膜142厚度做的较厚，提高蓝光转化为红光的效率，从而提高显示装置的显示效果。
在本公开实施例中，量子点薄膜104可以为掺杂有QD粒子的光刻(英文：Photoresis，简称：PR)胶，也即QD粒子和光刻胶的混合物。便于制作量子点薄膜104。
再次参见图2，显示基板10还包括设置在蓝色滤光层123上的散射(英文：Scatter)片106。
在该实现方式中，在蓝色滤光层123布置散射片106，散射片106可以提高发光均匀性，提高显示效果。同时，由于蓝色滤光层123上没有设置量子点薄膜，布置散射片106可以使显示基板更平整，便于后续膜层的制作。
示例性地，散射片106为掺杂有发散粒子的PR胶，也即发散粒子和光刻胶的混合物。将发散粒子均匀分散在PR胶中就可以保证蓝光的发光均匀性。
在本公开实施例中，量子点薄膜104和散射片106靠近盖板设置，盖板对温度的适应性强，上述PR胶可以为高温的PR材料制作，高温的PR材料的稳定性较好，提高量子点薄膜104和散射片106的稳定性。
在本公开实施例中，挡墙103位于非像素区域，将相邻的像素区域隔开，同时避免光从非像素区域射出，影响显示效果。由于量子点薄膜104的厚度变厚，所以需要较厚的挡墙103才能够将相邻像素区域隔开。
在图2所示的截面图中，挡墙103是使用光致变色材料制作的，形成光致变色光敏挡墙，光致变色光敏挡墙在遇到蓝光时能够转化为黑色，避免蓝光从非像素区域射出，影响显示效果。
在本公开实施例中，光致变色材料包括光敏树脂、感光单体、光致变色材料以及溶剂形成的混合物。该混合物制作挡墙，能够阻挡蓝光。
示例性地，光敏树脂可以包括有机硅光敏树脂或有机氟光敏树脂，感光单体可以包括重氮萘醌系感光单体，溶剂可以包括透明树脂。
在本公开实施例中，QD-OLED是利用蓝光作为光源，所以该光致变色光敏挡墙能够遮挡蓝光即可，就可以保证光不会从非像素区域射出。
在本公开实施例中，利用光致变色材料制作挡墙103，只需要使用一次掩膜板(英文：Mask)，相比相关技术中使用两次掩膜板分别制作黑矩阵和保护层，减少掩膜板，减小制作成本。
图3是本公开实施例提供的一种显示基板的截面示意图。参见图3，挡墙103包括绿色滤光层121、红色滤光层122和蓝色滤光层123堆叠形成的挡墙。
在本公开实施例中，绿色滤光层121只允许绿光穿过，红色滤光层122只允许红光穿过，蓝色滤光层123只允许蓝光穿过，在显示基板内只有这3种颜色的光，将绿色滤光层121、红色滤光层122和蓝色滤光层123叠置形成挡墙103，在光照射至挡墙103时，能够阻挡光从非像素区域射出，避免影响显示效果。
在本公开实施例中，采用滤光层材料制作挡墙103，在制作彩色滤光层时形成该挡墙103，避免制作保护层，可以节约制作费用，节约成本。
如图2所示，挡墙103是红色滤光层122、绿色滤光层121和蓝色滤光层123依次叠置形成的，在其他实现方式中，绿色滤光层121、红色滤光层122和蓝色滤光层123的叠置的顺序不限定。或者，挡墙103也可以是绿色滤光层121、红色滤光层122和蓝色滤光层123中两种颜色的滤光层堆叠形成的挡墙103。
在本公开实施例中，显示基板可以同时包括上述光致变色材料制作的挡墙和滤光材料制作的挡墙中任意一种，也可以同时包括上述光致变色材料制作的挡墙以及滤光材料制作的挡墙，例如包括光致变色材料制作的第一挡墙层和位于第一挡墙层上采用滤光材料制作的第二挡墙层。
再次参见图2和图3，显示基板10还包括设置在量子点薄膜104和挡墙103上的填充(英文：Filler)层105。
在本公开实施例中，填充层105可以起到平坦的作用，使显示基板10更加平坦，同时，填充层105可以起到支撑的作用，在组装显示面板时，用于支撑显示基板10。
示例性地，填充层105可以为树脂(英文：Resin)层。例如，可以为亚克力系的树脂。
在本公开实施例的一种实现方式中，填充层105的厚度H1范围在4微米(μm)至6微米之间。
相关技术中填充层的厚度一般在10微米左右，在本公开实施例中减小填充层105的厚度到4至6微米，从而减小显示基板10整体的厚度，减小QD-OLED显示面板的厚度，有利于设备的轻薄化设计。
示例性地，填充层105的厚度H1可以为5微米，一方面，能够减小填充层105的厚度，从而减小QD-OLED显示面板的厚度，另一方面，又能够保证填充层105的平坦和支撑的作用。
在本公开实施例的一种实现方式中，填充层105的折射率的范围在1.8至2.0之间。
在相关技术中，在QD-OLED显示面板发光时，并不是每一个像素区域均发光的，当其中一个像素区域发光时，像素区域下方的光经过各个膜层的折射，可能会从相邻的像素区域单照射出，如果此时相邻的像素区域是不需要发光的，那么就会造成像素区域间漏光串扰的现象，也即光的发散性。
相关技术中填充层的折射率一般在1.5左右，在本公开实施例中增大填充层105的折射率，使光穿过填充层105时折射的角度变大，使像素区域的光照至彩色滤光层102时的范围变小，减小光从相邻的像素区域射出的量，从而可以减小像素区域间漏光串扰的现象，同时提高光的利用率。
同时填充层105厚度越大，光的发散性越大，本公开通过减小填充层105的厚度减小光的发散性，同样可以减小像素区域间漏光串扰的现象。
光照射至填充层105，如果光的传播方向与填充层105垂直，那么此时光的传播方向不变。图4是本公开实施例提供的一种光路示意图。参见图4，当光的传播方向不与填充层105垂直时，光穿过填充层105后传播方向会发生变化，填充层105的折射率越大，那么光的传播方向变化越大，在光以相同的入射角度θ1照射时，填充层105的折射率越大则出射角度θ2越小，同时光在图4中横向方向上传播的距离L1越小，减小光从相邻的像素区域射出的量，从而可以减小像素区域间漏光串扰的现象。
在本公开实施例中，制作填充层105的材料可以是添加有高折射率的无机纳米粒子的聚合物纳米杂化光学材料，可以增大填充层105的折射率。
图5是本公开实施例提供的一种显示基板制作方法的流程图。显示基板具有多个像素区域，参见图5，该方法包括：
步骤S1：提供一盖板。
图6至图16是本公开实施例提供的一种显示基板制作过程图。下面结合图6至图16对显示基板制作过程进行介绍。
参见图6，提供一盖板101。
示例性地，盖板101可以为玻璃盖板，可以保证盖板101的强度。
步骤S2：在盖板上形成彩色滤光层、多块量子点薄膜和挡墙。
其中，彩色滤光层与多个像素区域对应设置，多块量子点薄膜位于彩色滤光层上，多块量子点薄膜与多个像素区域中的至少部分像素区域对应设置，挡墙位于盖板上且位于相邻的像素区域之间，挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。
本公开中的挡墙可以是两种材料制作，即该步骤S2中在盖板上形成挡墙有两种主要的实现的方式，下面对这两种主要的实现的方式进行介绍。
第一种，挡墙采用光致变色材料制作：
该步骤S2可以包括：
第一步：在盖板上制作挡墙。
参见图7，在盖板101上制作挡墙103。
示例性地，可以先在盖板101上制作一整层挡墙，然后对一整层挡墙进行图形化处理，就可以形成如图7所示挡墙103。
例如，可以通过蒸镀的方法在盖板101上制作一整层挡墙，然后通过刻蚀的方法对一整层挡墙进行图形化处理。
示例性地，光致变色材料为有机硅或有机氟光敏树脂、重氮萘醌系感光单体、光致变色材料以及溶剂形成的混合物。
第二步：在盖板上制作彩色滤光层。
参见图8，在盖板101上制作彩色滤光层102。
示例性地，可以通过蒸镀或者打印方法的方法依次在盖板101形成绿色滤光层121、红色滤光层122和蓝色滤光层123。
上述第一步和第二步是先制作挡墙103再制作彩色滤光层102，当然也可以先制作彩色滤光层102，再制作挡墙103。
第二种，挡墙采用滤光材料制作：
该步骤S2可以包括：
第1步：在盖板上形成一层红色滤光层薄膜。
参见图9，在盖板上形成一层红色滤光层薄膜1221。
第2步：对红色滤光层薄膜进行图形化处理。
参见图10，对红色滤光层薄膜1221进行图形化处理。
示例性地，可以通过蒸镀或者打印方法的方法在盖板101上制作红色滤光层薄膜1221，然后对红色滤光层薄膜1221进行刻蚀处理，将蓝色和绿色像素区域上的红色滤光层薄膜1221去除，形成如图10所示的红色滤光层薄膜1221。
上述第1步和第2步一方面形成红色像素区域内的红色滤光层，另一方面形成遮挡层的一部分。
第3步：在红色滤光层薄膜上制作绿色滤光层薄膜。
参见图11，在红色滤光层薄膜1221上制作绿色滤光层薄膜1211。
第4步，对绿色滤光层薄膜进行图形化处理。
参见图12，对绿色滤光层薄膜1211进行图形化处理。
示例性地，可以通过蒸镀或者打印方法的方法在红色滤光层薄膜1221上制作绿色滤光层薄膜1211。然后对绿色滤光层薄膜1211进行刻蚀处理，将蓝色和红色像素区域上的红色滤光层薄膜1221去除，形成如图12所示的蓝绿色滤光层薄膜1211。
上述第3步和第4步一方面形成绿色像素区域内的绿色滤光层，另一方面形成遮挡层的一部分。
第5步，在绿色滤光层薄膜上制作蓝色滤光层薄膜。
参见图13，在绿色滤光层薄膜1211上制作蓝色滤光层薄膜1231。
第6步：对蓝色滤光层薄膜进行图形化处理。
参见图14，对蓝色滤光层薄膜1231进行图形化处理。
示例性地，可以通过蒸镀或者打印方法的方法在绿色滤光层薄膜1211上制作蓝色滤光层薄膜1231。然后对蓝色滤光层薄膜1231进行刻蚀处理，将绿色和红色像素区域上的蓝色滤光层薄膜1231去除。最终形成如图14所示的彩色滤光层102和挡墙103。
上述第5步和第6步一方面形成蓝色像素区域内的蓝色滤光层，另一方面形成遮挡层的一部分。
在上述步骤中，制作滤光层的顺序不限制。
参见图15，在绿色像素区域和红色像素区域对应的彩色滤光层上分别制作绿色量子点薄膜141和红色量子点薄膜142。
在本公开实施例中，该步骤还包括：
在蓝色滤光层上制作的散射片。
参见图16，在蓝色滤光层123上制作的散射片106。
示例性地，可以通过涂布的方法在蓝色滤光层123上制作的散射片106。
示例性地，制作散射片106的材料可以为掺杂有发散粒子的PR胶。
在量子点薄膜上制作填充层。
示例性地，可以通过蒸镀的方式在量子点薄膜104上制作填充层105，就可以制作如图2或图3所示的显示基板。
示例性地，填充层105可以为树脂(英文：Resin)层，树脂具有绝缘性，保证填充层105的绝缘性。填充层105可以采用蒸镀的方式制备到量子点薄膜上。
图17是本公开实施例提供的一种显示面板的截面示意图。参见图17，显示面板包括阵列基板20和上述任意一幅图所示的显示基板10，以及位于阵列基板20和显示基板10之间的封装层30。
在使用本公开的显示面板时，在显示时，显示装置内部发出的光作为光源依次穿过量子点薄膜和彩色滤光层，并从盖板的另一侧射出。当显示装置内部发出的光到达量子点薄膜时被转化为其他颜色的光，并穿过彩色滤光层从像素区域射出，从而在像素区域显示图像；当光到达非像素区域时，被挡墙遮挡，使光不能从非像素区域射出，保证显示效果。挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成，光致变色材料在遇到显示装置内部发出的光时，转化为能够挡光的颜色，从而实现挡光作用，滤光材料能够过滤各个颜色的光，实现挡墙的遮光作用。同时，采用上述材料制作挡墙时，可以将挡墙制作的较薄，使挡墙的厚度比黑矩阵和保护层形成的挡墙的厚度薄，可以减小显示装置的厚度。
在本公开实施例的一种实现方式中，阵列基板20和显示基板10可以采用对盒的方式形成显示面板，也可以直接在阵列基板20上制作显示基板10。
再次参见图17，阵列基板20包括玻璃基板201、缓冲(英文：Buffer)层202、薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor，简称：TFT)阵列层203、平坦化(英文：Planarization，简称：PLN)层204、阳极(英文：Anode)层205、像素界定层(英文：Pixel Definition Layer，简称：PDL)206、有机发光(英文：Electro Luminescence，简称：EL)层207和阴极(英文：Cathode)层208。
缓冲层202用于保护TFT，确保TFT与玻璃基板201隔开，保证TFT能够正常工作。同时方便制作薄膜晶体管阵列层203。
示例性地，缓冲层202可为氧化硅层、氮化硅层或者氮氧化硅层，保证缓冲层202的绝缘效果，能够将TFT与玻璃基板201隔开。
在本公开实施例中，显示面板的像素区域包括多个子像素区域，每个子像素区域包括至少两个薄膜晶体管，例如包括7个薄膜晶体管，薄膜晶体管与集成电路(英文：Integrated Circuit，简称：IC)连接，通过集成电路控制薄膜晶体管，从而驱动有机发光层的亮暗，使显示面板工作。多个子像素区域所包含的薄膜晶体管构成薄膜晶体管阵列层203。
在本公开实施例中，平坦化层204可以使显示面板更加平坦易于布置阳极层205。平坦化层204可以为树脂(英文：Resin)层，树脂具有绝缘性，保证平坦化层204的绝缘性。
在本公开实施例中，阳极层205可以为氧化铟锡(英文：Indium Tin Oxide，简称：ITO)层或金属层。保证阳极层205的电信号传输的稳定性。同时氧化铟锡的电阻率较小，避免阳极层205消耗较多的电能。
在本公开实施例中，阴极层208可以为氧化铟锡层或金属层。保证阴极层208的电信号传输的稳定性。同时氧化铟锡的电阻率较小，避免阴极层208消耗较多的电能。阳极层205和阴极层208的材料可以相同，也可以不同。
在本公开实施例中，像素界定层206用于将有机发光显示器的各个子像素区域分隔开来，也即像素界定层206通过自身的凹槽结构形成多个子像素区域。
示例性地，有机发光层207具有分布在像素界定层206的凹槽内的发光单元，该有机发光层207可以包括层叠设置的空穴传输层、发光层和电子传输层。
再次参见图17，薄膜晶体管阵列层203包括依次叠层设置在缓冲层202上的有源(英文：Active，简称：Act)层231、栅极绝缘(英文：Gate Insulator，简称：GI)层232、栅极(英文：Gate)层233、绝缘(PVX)层234和源漏极(英文：Source Drain，简称：SD)层235。图17所示的薄膜晶体管阵列层203只是一种示例，在其他实现方式中，薄膜晶体管阵列层203也可以为其他结构，例如，制作两层栅极层。
栅极绝缘层232位于有源层231与栅极层233之间，通过栅极绝缘层232将有源层231和栅极层233隔开，保证有源层231和栅极层233之间相互隔开能够独立传输信号。绝缘层234位于栅极层233和源漏极层235之间，保证栅极层233和源漏极层235之间够独立传输信号。源漏极层235和阳极层205之间设置有平坦化层204，保证源漏极层235能够独立传输信号。
示例性地，有源层231可以为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)层。LTPS的迁移率高，稳定性好，可以满足高分辨率显示器的要求。
示例性地，栅极绝缘层232可以为无机绝缘层，例如氮化硅(化学式：SiN)绝缘层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。氮化硅和环形树脂的绝缘性好，保证栅极绝缘层232的绝缘性。
示例性地，绝缘层234可以为无机绝缘层，例如氮化硅绝缘层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。氮化硅和环形树脂的绝缘性好，保证绝缘层234的绝缘性。
示例性地，栅极层233可以为金属层或氧化铟锡层。保证栅极层233电信号传输的稳定性。
示例性地，源漏极层235可以为金属层或氧化铟锡层。保证源漏极层235电信号传输的稳定性。
再次参见图15，封装层30包括第一氮化硅层301、喷墨打印(英文：Ink Jet Print，简称：IJP)层302和第二氮化硅层303形成的叠层。
在该实现方式中，氮化硅的折射率大于氮氧化硅的折射率，将封装层30中的氮氧化硅换成氮化硅，提高封装层30的折射率避免像素区域间漏光串扰的现象。
在其他实现方式中，封装层30也可以采用多个周期的第一氮化硅层301、喷墨打印层302和第二氮化硅层303的叠层的形式，本公开对此不作限制。
示例性地，封装层30可以采用薄膜封装(英文：Thin-Film Encapsulation，简称：TFE)的形式进行封装，保证封装效果。
在本公开实施例的一种实现方式中，喷墨打印层302的折射率的范围在1.8至2.0之间。
在本公开实施例中增大喷墨打印层302的折射率，从而可以避免像素区域间漏光串扰的现象。
再次参见图4，有机发光层207产生的光照射至第一氮化硅层301、喷墨打印层302和第二氮化硅层303时，发生折射，由于第一氮化硅层301、喷墨打印层302和第二氮化硅层303的折射率较大，减小光的出光范围，避免光从相邻的像素区域射出，影响显示效果。
示例性地，喷墨打印层302的材料包括有机封装材料、二巯基二苯硫醚环氧预聚物(DGETDBT)和二羟基二苯硫醚环氧预聚物(DGETP)形成的混合物，二巯基二苯硫醚环氧预聚物和二羟基二苯硫醚环氧预聚物的折射率高，以提高喷墨打印层302的折射率。
在本公开实施例中，喷墨打印层302的厚度范围在4微米至6微米之间。
在该实现发射中，减小喷墨打印层302的厚度，一方面减小显示面板的厚度，一方面减小光的发散现象，从而减小像素间串扰的现象。
在本公开实施例中，第一氮化硅层301和第二氮化硅层303的厚度范围在1微米至3微米之间，例如可以为2微米。
本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一项所述的显示面板。
在具体实施时，本公开实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板(10)具有多个像素区域，所述显示基板(10)包括盖板(101)、位于所述盖板(101)上且与所述多个像素区域对应设置的彩色滤光层(102)、位于所述盖板(101)上且位于相邻的所述像素区域之间的挡墙(103)、以及位于所述彩色滤光层(102)上的多块量子点薄膜(104)，多块所述量子点薄膜(104)与多个所述像素区域中的至少部分所述像素区域对应设置；
所述挡墙(103)采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光致变色材料包括以下材料形成的混合物：光敏树脂、感光单体、光致变色材料以及溶剂。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述挡墙(103)采用如下滤光层中的至少2个层叠而成：
绿色滤光层(121)、红色滤光层(122)和蓝色滤光层(123)。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板(10)还包括位于所述量子点薄膜(104)和所述挡墙(103)上的填充层(105)；
所述填充层(105)的厚度(H1)范围在4微米至6微米之间。
5.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板具有多个像素区域，所述方法包括：
提供一盖板；
在所述盖板上形成彩色滤光层、多块量子点薄膜和挡墙，所述彩色滤光层与所述多个像素区域对应设置，多块所述量子点薄膜位于所述彩色滤光层上，多块所述量子点薄膜与多个所述像素区域中的至少部分所述像素区域对应设置，所述挡墙位于所述盖板上且位于相邻的所述像素区域之间，所述挡墙采用光致变色材料或滤光材料中的至少一种制成。
6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基板(20)和如权利要求1至4任一项所述的显示基板(10)，以及位于所述阵列基板(20)和所述显示基板(10)之间的封装层(30)。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述封装层(30)包括第一氮化硅层(301)、喷墨打印层(302)和第二氮化硅层(303)形成的叠层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述喷墨打印层(302)的厚度范围在4微米至6微米之间。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述喷墨打印层(302)的材料包括有机封装材料、二巯基二苯硫醚环氧预聚物和二羟基二苯硫醚环氧预聚物形成的混合物。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求6至9任一项所述的显示面板。
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