JP2003174344A - 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 - Google Patents

表面弾性波フィルターパッケージ製造方法

Info

Publication number
JP2003174344A
JP2003174344A JP2002108826A JP2002108826A JP2003174344A JP 2003174344 A JP2003174344 A JP 2003174344A JP 2002108826 A JP2002108826 A JP 2002108826A JP 2002108826 A JP2002108826 A JP 2002108826A JP 2003174344 A JP2003174344 A JP 2003174344A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
shielding layer
forming
manufacturing
saw filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002108826A
Other languages
English (en)
Inventor
Tae Hoon Kim
泰 勳 金
Chan Wang Park
贊 旺 朴
Joo Hun Park
柱 勳 朴
Jong-Tae Kim
鍾 泰 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2003174344A publication Critical patent/JP2003174344A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1078Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02913Measures for shielding against electromagnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/42Piezoelectric device making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49005Acoustic transducer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スプレーノズルを用いて導電性エポキシの金
属遮蔽層を形成することによりステップカバレージ改善
の為のフィレット形成工程を省略することができ、トッ
プモールディング方式を利用してパッケージの製品外形
を形成することにより酸化防止層無しの単一層の金属遮
蔽層のみ形成しながら、構造の堅固なSAWフィルター
パッケージを製造することにある。 【解決手段】 本発明は、基板12上に表面弾性波(S
AW)フィルターチップ13を搭載する段階と、前記基
板12と前記SAWフィルターチップ13との間の空間
にアンダーフィル16を形成する段階と、スプレー方式
で前記SAWフィルターチップ13の外郭部全体に金属
遮蔽層20を形成する段階と、前記金属遮蔽層20上に
樹脂類でモールディング22する段階とを含むSAWフ
ィルターチップパッケージ製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面弾性波(Su
rface Acoustic Wave)フィルターパ
ッケージの製造方法に関するものであって、より詳細に
は、スプレー方式により金属遮蔽層を形成し、トップモ
ールディング法を利用して工程を単純化しながらより堅
固なパッケージ構造を得られるSAWフィルターパッケ
ージの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】前記表面弾性波フィルター(以下、SA
Wフィルターという。)は周波数選択度を提供するため
のRF(無線周波数)フィルターまたはIF(影像周波
数)フィルターに応用される電子部品である。前記SA
Wフィルターは表面近傍や表面に沿って弾性波を伝播す
る活性化領域を含む。前記SAWフィルターの活性化領
域は表面状態によりかなり敏感に影響を受ける。従っ
て、基板上に搭載してパッケージングする場合には、表
面を外部の物理的影響から遮断すべくプロテクター(p
rotector)を付着してエアーギャップ領域を設
ける。特に、外部に対する信頼性を確保すべく基板に搭
載後、金属遮蔽層(metal shiel layer)
によりパッケージを完成する。
【0003】以下、従来のSAWフィルターチップのパ
ッケージ製造方法をより詳細に説明する。図2(A)な
いし図2(F)は従来のSAWフィルターチップのパッ
ケージ製造工程を各段階毎に示す工程断面図である。先
ず、図2(A)に示すように、下面にプロテクター10
5を設けたSAWフィルターチップ103と上面にフリ
ップチップボンディングのためにバンプ104を配置し
た基板102を用意する。
【0004】次いで、図2(B)に示すように、前記S
AWフィルターチップ103を基板102に配置して、
フリップチップボンディング方式により基板102の配
線部分と電気的に連結すると同時に機械的に固定する。
【0005】その後、図2(C)に示すように、基板と
チップとの空間にアンダーフィル106(underf
ill)を形成する。基板とチップとの間にアンダーフ
ィル106を形成する過程においても、チップ下面の活
性化領域はプロテクター105により形成されたエアー
ギャップで保護することができる。
【0006】このように、基板上に搭載したSAWフィ
ルターチップ103の外郭部にはパッケージ外部からの
電気的影響を遮断してSAWフィルターの信頼性を確保
するために金属遮蔽層をチップ外郭全体に形成しなけれ
ばならない。しかし、チップ103の縁端部と基板10
2との間に形成された段差の為に金属メッキ層を外郭全
体に均一に形成し難い。従って、図2(D)に示すよう
に、急激な傾斜を形成する段差を、比較的緩やかな傾斜
に転換すべくフィレット107(fillet)を形成す
る。前記フィレット107は絶縁物質から成り、チップ
103の縁端部に比較的緩やかな傾斜部を提供すること
によって円滑なメッキ作業を図ることができる。
【0007】次いで、図2(E)に示すように、メッキ
法によりチップ103の外郭部に金属遮蔽層108を形
成する。この際、形成する金属遮蔽層108は少なくと
も2層以上にしなければならない。つまり、外部に対す
る信頼性を確保すべく電気的影響の遮断が可能なメッキ
層で内層を形成してから、大気露出により発生し兼ねな
い酸化現象を防止すべくメッキ層で外層をさらに形成し
なければならない。
【0008】一方、従来のSAWフィルターパッケージ
方式においては、パッケージのサイズに鑑みてフィレッ
トの形状とサイズを制約する為、フィレットの形状は幅
を狭くすべきである。こうした所定の幅に制限されたフ
ィレットを段差部分に形成しても、図2(D)に示すよ
うに、チップ側面のステップカバレージ(step-co
verage)を完全に改善することは期待し難い。従
って、メッキ層を厚めに形成することによって段差の為
にメッキされない部分を無くすようにするしかない。前
記金属遮蔽層108の形成工程が完了すると、完成品を
識別すべくマーキング作業を施す。即ち、図2(F)に
示すように、金属遮蔽層108の上端面に濃色系のペー
ストを塗布して識別層109を形成する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のSA
Wフィルターチップのパッケージ製造方法においては、
金属遮蔽層が最外郭層として形成される為、チップ外郭
部全体に均一に形成されなければならない。従って、チ
ップと基板との段差によってメッキされない部分が発生
しないよう別途のフィレットを形成する工程が必要とな
る。さらに、金属遮蔽層は、外部に対する信頼性を確保
する役目ばかりでなく最外郭層として大気に露出される
ので、酸化防止のために更なるメッキ層を形成しなけれ
ばならない。従って、従来のSAWフィルターチップパ
ッケージ製造方法は、個別作業を要するフィレット形成
工程及び充分な厚さの少なくとも2層から成る金属層メ
ッキ工程により生産性が大幅に低下する。
【0010】さらに、従来の方法により製造されたSA
Wフィルターチップパッケージは、図2(E)に示すよ
うに構造上外郭の薄いパッケージ基板層やSAWフィル
ターチップの隅部が落下や外部圧力によって破損され易
いという問題を抱えていた。従って、当技術分野におい
ては、より簡素な工程から構造的に堅固なSAWフィル
ターチップのパッケージを製造できる新たな方法が要求
されてきた。
【0011】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたものであり、その目的は、フィレットを形成せ
ずに直接スプレー方式により金属遮蔽層を形成し、トッ
プモールディング方式によりパッケージの製品外形を単
純化して、工程を単純にしながら構造的に堅固なSAW
フィルターパッケージの製造方法を提供することにあ
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、基板上に表面弾性波(SAW)フィルター
チップを搭載する段階と、前記基板と前記SAWフィル
ターチップとの空間にアンダーフィルを形成する段階
と、スプレー方式により前記SAWフィルターチップの
外郭部全体に金属遮蔽層を形成する段階と、前記金属遮
蔽層上に樹脂類でモールディングする段階とを有するこ
とを要旨とする。本発明の一実施の形態においては、前
記SAWフィルターチップは下端面にエアーギャップを
形成すべく複数個のプロテクター構造物を設けることが
でき、さらに前記SAWフィルターチップは前記基板と
フリップチップボンディング方式により搭載される方式
を適用することが好ましい。特に、本発明の好ましき実
施の形態においては、チップ外郭部を樹脂類でモールデ
ィングする段階において、前記金属遮蔽層を含むようチ
ップ全体にEMC(epoxy molding com
pound)モールディングを施すことによって直方体
状等と製品外形を構造的に単純化することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の好ま
しき実施の形態を詳細に説明する。図1(A)ないし図
1(D)は本発明の好ましき実施の形態によるSAWフ
ィルターパッケージの製造工程を各段階別に示す工程断
面図である。
【0014】先ず図1(A)に示すように、下面に複数
個のプロテクター15を設けたSAWフィルターチップ
13と、上面にフリップチップボンディングのためのバ
ンプ14を設けた基板12を用意する。先に説明したよ
うに、前記プロテクター15はチップ下端面において活
性化領域を保護するエアーギャップを形成する構造物の
ことをいい、当業者によりドライフィルム等から容易に
製造され得る。基板12上に形成されたバンプ14は
金、銅、アルミニウム、またはこれらの合金から成るも
のとして基板上に配線とチップを連結するのに用いる。
【0015】次いで、図1(B)に示すように、前記S
AWフィルターチップ13を基板12に配置する。前記
バンプを用いて前記SAWフィルターチップ13をフリ
ップチップボンディング方式により基板12の配線部分
と電気的に連結すると同時に、機械的に連結固定する。
【0016】そして、図1(C)に示すように、基板1
2とチップ13との空間に流れ性のあるアンダーフィル
材を注入した後に硬化させることによりアンダーフィル
16を形成する。前記アンダーフィル16はチップ13
の下端面を外部から密封させながら、チップ13と基板
12との機械的連結を強化する役目を果たす。
【0017】図1(D)に示すように、基板12上に搭
載したSAWフィルターのチップ13の外郭部は外部か
らの電気的影響を避けるべく金属遮蔽層20をチップ外
郭全体に形成する。従来は、メッキ法により酸化防止用
金属層と電気遮蔽用金属層を各々形成したが、本発明に
おいてはスプレー方式により一つの遮蔽用金属層20の
み形成する。本発明において用いるスプレー方式は、ノ
ズルで導電性エポキシを分散させて金属層を形成する方
式である。従って、チップ縁端部に段差があってもチッ
プ外郭部全体に金属層を形成できるため、従来のフィレ
ット形成工程を省略することができる。その結果、工程
を単純化して材料コストの節減を図ることが可能にな
る。
【0018】さらに、本発明においては、前記金属遮蔽
層20を最外郭層として形成するのではなく、単に外部
の電気的影響を遮断してSAWフィルターの信頼性を確
保するのに用いる為、従来のように酸化現象を防止すべ
く別途の金属層を形成する必要が無い。
【0019】図1(E)においては、樹脂類から金属遮
蔽層20の形成されたチップ13外郭全体に樹脂モール
ディング部22を形成する。このように、前記金属遮蔽
層20は大気に露出されない為、先に説明したように、
金属遮蔽層20の形成工程において更なる酸化防止用金
属層を設ける必要が無い。
【0020】図1(E)の樹脂モールディング部22を
形成する工程は、EMC(epoxy molding
compound)を用いたトップモールディング方式
によることが製品外郭部を単純化して構造的に堅固にす
るのに好ましい。ここで用いる樹脂としては熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、またはエポキシ樹脂などである。
【0021】さらに、図1(E)に示すように、パッケ
ージの外形は樹脂モールディング部22により直方形状
に決定される。従って、樹脂類自体によりパッケージの
耐久性を強化できるばかりでなくチップの隅部が露出し
ない為、外部の衝撃にも破損の恐れが少なく取扱い易い
という利点がある。
【0022】本発明により完成したパッケージは製品サ
イズにおいても、従来のフィレットを形成するためのチ
ップ側面上の基板に対する所定幅でモールディング部を
形成できる為、従来のパッケージサイズを保つことがで
きる。最終的に、複数個のSAWフィルターを基板上に
搭載した後に複数個のパッケージを製造する場合には、
図1(E)に示すようにモールディング工程の完了した
後に、パッケージ単位でダイシングして個別SAWフィ
ルターパッケージを製造することもできる。
【0023】以上説明した本発明は上述した実施の形態
及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の
請求の範囲により限定される。従って、請求の範囲に記
載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な
形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分
野において通常の知識を有する者には明らかである。
【0024】
【発明の効果】上述したように、本発明のSAWフィル
ターパッケージ製造方法によると、従来採用されたフィ
レット形成工程を省略し、単一層の金属遮蔽層のみ形成
することによって全体の工程を単純化できるばかりでな
く、スプレー方式による金属遮蔽層を形成した後、トッ
プモールディング方式によりパッケージの製品外形を単
純化することによって構造的に堅固なSAWフィルター
パッケージを製造できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)ないし(E)は本発明の一実施の形態に
よるSAWフィルターチップのパッケージ製造工程を各
段階毎に示す工程断面図である。
【図2】(A)ないし(F)は従来のSAWフィルター
チップのパッケージ製造工程を各段階毎に示す工程断面
図である。
【符号の説明】
12 基板 13 SAWフィルターチップ 14 バンプ 15 プロテクター 16 アンダーフィル 20 金属遮蔽層 22 樹脂モールディング部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 柱 勳 大韓民国京畿道水原市八達区牛満2洞牛満 −住公アパート207洞605号 (72)発明者 金 鍾 泰 大韓民国京畿道水原市長安区亭子1洞ドン シンアパート205洞1403 Fターム(参考) 4M109 AA02 BA03 CA04 CA10 CA21 EE01 EE06 5J097 AA32 AA34 HA04 HA07 HA08 JJ04 JJ09 KK10

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に表面弾性波(SAW)フィルター
    チップを搭載する段階と、 前記基板と前記SAWフィルターチップとの空間にアン
    ダーフィルを形成する段階と、 スプレー方式により前記SAWフィルターチップの外郭
    部全体に金属遮蔽層を形成する段階と、 前記金属遮蔽層上に樹脂類によりモールディングする段
    階と、 を有することを特徴とする表面弾性波フィルターチップ
    パッケージ製造方法。
  2. 【請求項2】 前記SAWフィルターチップは下端面に
    エアーギャップを形成すべく複数個のプロテクター構造
    物を設けることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性
    波フィルターパッケージ製造方法。
  3. 【請求項3】 前記金属遮蔽層を形成する段階は、スプ
    レーノズルにより導電性エポキシをチップ外郭部に分散
    することにより前記金属遮蔽層を形成する段階であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルター
    パッケージ製造方法。
  4. 【請求項4】 前記樹脂類によりモールディングする段
    階は、前記金属遮蔽層全体を覆うようチップ全体にEM
    C(epoxy molding compound)モー
    ルディングを施すことを特徴とする請求項1に記載の表
    面弾性波フィルターパッケージ製造方法。
  5. 【請求項5】 前記基板上にSAWフィルターチップを
    搭載する段階は、前記SAWフィルターチップが前記基
    板にフリップチップボンディングにより搭載されること
    を特徴とする請求項1に記載の表面弾性波フィルターパ
    ッケージ製造方法。
JP2002108826A 2001-12-07 2002-04-11 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法 Pending JP2003174344A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2001-0077277A KR100431180B1 (ko) 2001-12-07 2001-12-07 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
KR2001-77277 2001-12-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003174344A true JP2003174344A (ja) 2003-06-20

Family

ID=19716765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002108826A Pending JP2003174344A (ja) 2001-12-07 2002-04-11 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6928719B2 (ja)
JP (1) JP2003174344A (ja)
KR (1) KR100431180B1 (ja)
DE (1) DE10217747B4 (ja)
GB (1) GB2382922B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252335A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置およびその製造方法

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7259969B2 (en) * 2003-02-26 2007-08-21 Wavezero, Inc. Methods and devices for connecting and grounding an EMI shield to a printed circuit board
US7239023B2 (en) * 2003-09-24 2007-07-03 Tai-Saw Technology Co., Ltd. Package assembly for electronic device
JP4645233B2 (ja) * 2005-03-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 弾性表面波装置
JP4712632B2 (ja) * 2006-07-24 2011-06-29 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
US8350367B2 (en) 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8212339B2 (en) * 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
WO2009113267A1 (ja) * 2008-03-14 2009-09-17 パナソニック株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8410584B2 (en) 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US20100110656A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
FR2940588B1 (fr) * 2008-12-19 2011-01-07 St Microelectronics Grenoble Ensemble multicomposant blinde a montage en surface
JP5442990B2 (ja) * 2008-12-24 2014-03-19 京セラ株式会社 回路装置の製造方法及び電子機器の製造方法
US8110902B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8212340B2 (en) 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8030750B2 (en) * 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8368185B2 (en) * 2009-11-19 2013-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
TWI540698B (zh) 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
DE102011016554B4 (de) 2011-04-08 2018-11-22 Snaptrack, Inc. Waferlevel-Package und Verfahren zur Herstellung
US20130075892A1 (en) * 2011-09-27 2013-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for Three Dimensional Integrated Circuit Fabrication
US8704341B2 (en) 2012-05-15 2014-04-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding
US8653634B2 (en) 2012-06-11 2014-02-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI-shielded semiconductor devices and methods of making
US9680445B2 (en) * 2014-10-31 2017-06-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Packaged device including cavity package with elastic layer within molding compound
JP6547617B2 (ja) * 2015-12-22 2019-07-24 株式会社村田製作所 電子部品
CN105810666A (zh) * 2016-03-30 2016-07-27 江苏长电科技股份有限公司 一种具有电磁屏蔽功能的封装结构的制作方法
US11558029B2 (en) * 2017-09-14 2023-01-17 Kyocera Corporation Acoustic wave device and communication apparatus
CN108022886A (zh) * 2017-11-30 2018-05-11 深圳华远微电科技有限公司 一种倒装芯片式滤波器的封装结构
US11011502B2 (en) * 2018-01-19 2021-05-18 Nepes Co., Ltd. Semiconductor package
WO2021114140A1 (zh) * 2019-12-11 2021-06-17 广东省半导体产业技术研究院 滤波芯片封装方法及封装结构
CN111525907B (zh) * 2020-04-30 2024-05-28 甬矽电子(宁波)股份有限公司 一种声表面波滤波芯片的封装结构及封装方法
CN112349607A (zh) * 2020-11-11 2021-02-09 北京航天微电科技有限公司 空气腔型薄膜滤波器的封装方法和空气腔型薄膜滤波器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722506A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0832399A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Meidensha Corp 弾性表面波素子及び圧電振動素子
JPH1093383A (ja) * 1996-05-15 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JPH10270975A (ja) * 1996-03-08 1998-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JPH11214955A (ja) * 1998-01-29 1999-08-06 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58137235A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体用容器のハ−メチツクシ−ル方法
JPH01143346A (ja) * 1987-11-30 1989-06-05 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2530056B2 (ja) * 1989-09-14 1996-09-04 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US5459368A (en) * 1993-08-06 1995-10-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device mounted module
DE69621983T2 (de) * 1995-04-07 2002-11-21 Shinko Electric Ind Co Struktur und Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips
JPH1174755A (ja) * 1997-08-29 1999-03-16 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JPH11150440A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Nec Corp フリップチップ実装型表面弾性波素子の樹脂封止構造
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
US6329739B1 (en) * 1998-06-16 2001-12-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Surface-acoustic-wave device package and method for fabricating the same
JP3722642B2 (ja) * 1999-04-28 2005-11-30 京セラ株式会社 弾性表面波装置
FR2799883B1 (fr) * 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques
KR100491218B1 (ko) * 2000-07-06 2005-05-25 가부시끼가이샤 도시바 탄성표면파장치 및 그 제조방법
KR100437490B1 (ko) * 2001-10-18 2004-06-25 주식회사 케이이씨 표면 탄성파 필터용 에어 캐비티 패키지

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0722506A (ja) * 1993-07-05 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH0832399A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Meidensha Corp 弾性表面波素子及び圧電振動素子
JPH10270975A (ja) * 1996-03-08 1998-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品とその製造方法
JPH1093383A (ja) * 1996-05-15 1998-04-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JPH11214955A (ja) * 1998-01-29 1999-08-06 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2000261284A (ja) * 1999-03-05 2000-09-22 Kyocera Corp 弾性表面波装置及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005252335A (ja) * 2004-03-01 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 集積回路装置およびその製造方法
JP4576849B2 (ja) * 2004-03-01 2010-11-10 パナソニック株式会社 集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2382922A (en) 2003-06-11
KR100431180B1 (ko) 2004-05-12
US6928719B2 (en) 2005-08-16
GB2382922B (en) 2005-06-15
KR20030046939A (ko) 2003-06-18
DE10217747A1 (de) 2003-06-26
US20030009864A1 (en) 2003-01-16
GB0207650D0 (en) 2002-05-15
DE10217747B4 (de) 2005-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003174344A (ja) 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法
JP3836746B2 (ja) 表面弾性波フィルターパッケージ製造方法
US10062582B2 (en) Fabrication method of package having ESD and EMI preventing functions
JP5258807B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI471985B (zh) 晶片封裝體及其製作方法
US7851894B1 (en) System and method for shielding of package on package (PoP) assemblies
KR100695255B1 (ko) 전자 부품 및 그 제조 방법
US8420437B1 (en) Method for forming an EMI shielding layer on all surfaces of a semiconductor package
US20100110656A1 (en) Chip package and manufacturing method thereof
US20110006408A1 (en) Chip package and manufacturing method thereof
JP2008028842A (ja) 弾性波デバイス及びその製造方法
JPH10214923A (ja) チップ・オン・ボード遮蔽構造およびその製造方法
KR101070814B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조방법
KR101762627B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP2020145394A (ja) 電子素子モジュール及びその製造方法
JP2009094434A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4551461B2 (ja) 半導体装置とこれを備えた通信機器及び電子機器
KR20130042171A (ko) 반도체 패키지 및 그의 제조 방법
KR101070799B1 (ko) 반도체패키지 및 그 제조방법
CN116072620A (zh) 芯片模组封装结构、封装方法及电路板
JP3701949B2 (ja) 半導体チップ搭載用配線基板及びその製造方法
JP4562371B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US11538726B2 (en) Method for forming packaged semiconductor die with micro-cavity
JP2010212379A (ja) 電子部品モジュール及びその製造方法
WO2022065255A1 (ja) 電子部品モジュール及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051011

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060111

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060123

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060704