JP2530056B2 - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Description
係り、特に多数の半導体装置を基板等に同時に実装する
表面実装用で、かつ半導体チップが大面積で、しかもパ
ッケージが薄型の場合に使用して最適な樹脂封止型半導
体装置及びその製造方法に関する。
い、SOP(Small Outline Package)、QFP(Quad Flat P
ackage)、PLCC(Plas−tic Leaded Chip Carrier)等
の表面実装用半導体パッケージのニーズが年々増加する
傾向にある。
イズも大型化し、10mm□を越す半導体チップも生産され
ている。
パッケージにおける最大の問題点は、従来の一般的なリ
ード部のみの加熱から、赤外線リフロ(IR)やベーパー
フェイズ・リフロ(VPS)等により、半導体パッケージ
全体が直接高温に曝されることで、半導体パッケージが
吸湿した際、半導体パッケージにクラックや膨れが発生
してしまう場合があることである。
導体装置は、第8図に示すように、吊りピンで四隅を支
持したダイパッド1の上面に、半導体チップ2をマウン
トし、この半導体チップ2の各電極と各リード部3のイ
ンナーリード3aとをボンディングワイヤ4でボンディン
グし、しかる後この半導体チップ2及びインナーリード
3aをモールド樹脂5で樹脂封止して構成され、このモー
ルド樹脂5の防湿処理は一般に何等施されていなかっ
た。
ると、ダイパッド1とモールド樹脂5との界面等に溜ま
った水分がこの時の熱によって蒸発し、同図に示すよう
に、半導体パッケージに膨れが発生したり、クラックが
発生してしまうことがあった。
生してしまうと、単に外観が損なわれるばかりでなく、
集積回路の耐湿信頼性も著しく低下してしまう。
を管理することを目的として、アルミニウムラミネート
包装材等により半導体パッケージを防湿包装し出荷包装
材開封後の使用期間の制限をしたり、全体加熱にて実装
不可能なものに関しては、局部加熱による実装が行われ
ている。
のメカニズムについては、各種の文献に述べられている
が、 (1)パッケージクラックの発生と半導体パッケージの
保管状態及び期間等、即ちモールド樹脂の吸湿水分量と
の間には、弱い相関関係が見られること。
図に示すようにモールド樹脂表面に膨れが発生するこ
と。
ケージ全体から発生するガスを分析すると、95%以上が
水分であること。
イパッド若しくは半導体チップとモールド樹脂の界面に
凝縮し、これが高温下で水蒸気化して高圧が加わること
によって発生するものと考えられる。
ことにより、パッケージクラックの発生を防止すること
も考えられるが、このような樹脂は未だ開発されていな
い。
CC84ピンの加湿・排湿時におけるパッケージ全体の濃度
とダイパッド裏面の濃度との関係を第9図に示す。この
図から、パッケージクラックの発生の最大原因であると
考えられるパッケージ濃度とダイパッド裏面の水分濃度
との間に強い相関関係があることが判る。
ッケージにおいては、ダイパッド裏面の水分濃度が600p
pm程度がクラックの発生の境界条件となると推定でき
る。常温常湿を25℃/60%と仮定した場合、上記PLCC84
ピンにおいて、このダイパッドの裏面の水分濃度が600p
pmに達するのは、約800時間である。
欠となり、防湿包装した場合においても、開封後の使用
期間の制限が必要となる。
の外部表面に水分の透過を防止する箔または板を接着す
ることにより、モールド樹脂内への水分の侵入を低減す
るとともに、赤外線加熱での樹脂の赤外線吸収量を大幅
に低減するようにしたものが提案されている。
は、モールド樹脂と箔または板との界面に接着剤を使用
しているため、箔または板が剥がれてしまう虞があるば
かりでなく、モールド樹脂と箔または板との界面から水
分がモールド樹脂の内部に入り込んでしまうと考えられ
る。
の貼り付けは、半導体パッケージ内への水分の侵入を防
止するため、モールド工程終了後一定時間内に行う必要
があって、作業性に劣るばかりでなく、工程管理も困難
になるといった問題点があると考えられる。
の樹脂封止半導体装置に比べ、実装時におけるダイパッ
ド裏面若しくは半導体チップ付近の水分濃度の著しい低
減を図るとともに、防湿効果の信頼性及び作業性の向上
を図ったものを提供することを目的とする。
導体装置は、 ダイバッド上に半導体チップをマウントし、リード部
を側方に突出させた状態で上記半導体チップをモールド
樹脂で樹脂封止される樹脂封止型半導体装置において、 ダイバッド及び半導体チップを金型キャビティ内に配
置する際に、無吸湿材料からなる一対のキャップがこれ
らキャップの間に隙間を形成しながら上記半導体チップ
に被冠されており、 上記キャビティ内側とキャップの外側との間にモール
ド樹脂が充填されていると共に上記キャップ間の隙間を
介してキャップの内側にモールド樹脂が充填されて、上
記キャップがモールド樹脂内に埋設して一体に固着され
ていることを特徴としている。
は、ダイパッド上に半導体チップをマウントし、その
後、リード部を側方に突出させた状態でダイパッド及び
半導体チップを金型キャビティ内に配置する際に、無吸
湿材料からなる一対のキャップを、これらキャップの間
に隙間を形成しながら、上記半導体チップに被冠し、 その後、このモールド金型のキャビティ内にモールド
樹脂を注入し、このキャビティ内側とキャップの外側と
の間に樹脂を充填すると共に、上記キャップ間の隙間を
介してキャップの内側に樹脂を充填して、上記キャップ
をモールド樹脂内に埋設して一体に固着することを特徴
としている。
装置または製造方法によれば、半導体チップの周囲は該
無吸湿材料のキャップによって覆われているので、水分
がモールド樹脂内に入り込んでしまうことを該無吸湿材
料によって確実に遮断して、実装時におけるダイパッド
裏面や半導体チップの付近の水分濃度の大幅な低減を図
ることができる。また、接着剤を使用していないので、
接着剤の有する耐熱性や耐湿性といった問題を考慮する
ことなく、確実に無吸湿材料をモールド樹脂に固着する
か、または金属膜をモールド樹脂の表面に形成すること
ができ、防湿効果の信頼性及び作業性の向上を図ること
ができる。
産性も高めながら、同時に、半導体装置が基板に装着さ
れた時に基板とのショートの危険性を無くして絶縁性を
向上でき、加えて、無防湿材料のキャップにより水分を
確実に遮断して防湿効果の信頼性を著しく高めることが
できる。
すもので、四隅を放射状に延びる吊りピン6で支持され
た矩形状のダイパッド1の上面には、半導体チップ2が
マウントされているとともに、この半導体チップ2の各
電極と各リード部3のインナーリード3aとは、ボンディ
ングワイヤ4でボンディングされている(第3図参
照)。
料のアルミニウム板で構成された一対のキャップ7,7が
配置されている。この各キャップ7は、矩形状の平板部
7aと、この平板部7aの各辺から傾斜して延びる傾斜板部
7bとから断面略コ字形のカップ状に形成され、この各傾
斜板部7b,7bの交点から放射状に水平に延びる4本の脚
部7cが備えられている。
cを夫々当接させた状態で、半導体チップ2は、一対の
キャップ7,7でその周囲を包囲されており、更にこのキ
ャップ7,7は、モールド樹脂5の内部に埋設されてい
る。
るアルミニウム板製のキャップ7,7で覆うことによっ
て、水分がモールド樹脂5を透過してダイパッド1の裏
面や半導体チップ2の付近に達してしまうことを該キャ
ップ7,7によって確実に遮断して、実装時におけるダイ
パッド1の裏面や半導体チップ2ぼ付近に水分濃度の大
幅な低減を図ることができるようになされている。
3図に基づいて説明する。
8に所定の加工を施して、その長さ方向に複数のキャッ
プ7を連続して形成した後、その各脚部7cの先端で切断
して分離する。
ントしてワイヤボンディングを施したものを、ダイパッ
ド1を保持する各吊りピン6を上記一対のキャップ7,7
の脚部7c,7cで上下方向から挟み込んだ状態で、ガイド
ピン9を介して位置決めする。
の端面間に隙間ができるようにしておく。
を一対のキャップ7,7の脚部7c,7cで夫々挟持した状態
で、下金型10と上金型11との間に入れ、型締めを行った
後、下金型10の樹脂注入口10aから両金型10,11間のキャ
ビティ内にモールド樹脂を注入する。
路により、即ちキャップ7,7の一側方からこの上方及び
下方に、並びに傾斜版7b,7bの端面間からこの内部に、
更にキャップ7,7の他側方まで流れて両金型10,11間のキ
ャビティ内にモールド樹脂が充填されて行き、これによ
ってキャップ7,7はモールド樹脂5内に埋設された状態
で固着される。
完成させるのである。
によって、接着剤の有する耐熱性や耐湿性といった問題
を考慮することなく、確実にキャップ7,7をモールド樹
脂5内に固着することができるとともに、モールド工程
時にキャップ7,7の固着を行うことにより、耐湿効果の
信頼性及び作業性の向上を図ることができる。
例を示すもので、第4図に示すものは、ダイパッド1側
の一方のキャップ7をモールド樹脂5内に埋設させ、他
方のキャップ7の平板部7aの表面を外部に露出させたも
の、第5図に示すものは、反対に半導体チップ2側の一
方のキャップ7をモールド樹脂5内に埋設させ、他方の
キャップ7の平板部7aの表面を外部に露出させたもので
あり、これによって一方では絶縁性を、他方では熱放熱
性を夫々図ったものである。
て、アルミニウム板を使用したものを示しているが、他
の金属材料またはガラス等の無吸湿材料を使用しても良
いことは勿論である。
モールド工程時にモールド樹脂5と一体に固着される。
果の比較を第6図及び第7図に示す。
ージの吸湿量変化を示すもので、同図実線は第8図に示
す従来の通常のパッケージにおける吸湿量変化を、一点
鎖線は上記第1図の第1実施例によるパッケージにおけ
る吸湿量変化を示すものである。
導体パッケージにおいては、従来の通常のパッケージに
比較して、パッケージ吸湿量を遥かに低減することがで
きることが判る。
ンの半導体パッケージを使用し、85℃/85%の加湿を168
時間行った後、215℃の温度のガルデル浸漬時のパッケ
ージの膨れ量を示すもので、同図実線は第8図に示す従
来の通常のパッケージにおける膨れ量変化を、破線は上
記第1実施例によるパッケージにおける膨れ量変化を夫
々示すものである。
においては、第60秒経過時にパッケージクラックが発生
してしまうの対し、本発明によるパッケージにおいて
は、140秒経過してもパッケージクラック発生しないこ
とが判る。
の半導体チップを搭載したQFP184ピンの半導体パッケー
ジに対し、各吸湿条件によりVPS(ベーパー・フェイズ
・ソルダリング)を行った後の内部クラック発生件数を
調べた実験結果を下表に示す。
時間経過後に内部クラックが発生するのに対し、本第1
乃至第3実施例では、85℃/85%の加湿で168時間経過し
ても、内部クラックが発生しないことが判る。
は2記載の発明によれば、半導体チップの周囲を無吸湿
材料で覆い、またはモールド樹脂のほぼ全表面を無吸湿
材料で覆い、これによって実装時におけるダイパッド裏
面若しくは半導体チップ付近の水分濃度を大幅に低減さ
せて、実装時にパッケージクラップや膨れが発生してし
まうことを防止するとともに、半導体装置の実装前の防
湿包装等といったパッケージ内の水分濃度の管理を廃止
するようにすることができる。
性や耐湿性といった問題を考慮することなく、モールド
樹脂をメッキ層で確実に覆うことができるとともに、高
温高湿度時等における無吸湿材料の剥がれ防止して信頼
性の向上を図り、更に作業性の向上を図ることができる
といった効果がある。
産性も高めながら、同時に、半導体装置が基板に装着さ
れた時に基板とのショートの危険性を無くして絶縁性を
向上でき、加えて、無吸湿材料のキャップにより水分を
確実に遮断して防湿効果の信頼性を著しく高めることが
できる。
角線に沿った断面図、第2図はキャップの製造例を示す
平面図、第3図はモールド工程時における右半分は対角
線に沿った左半分は中央線に沿った断面図、第4図及び
第5図は第1実施例の夫々異なる変形例を示す縦断正面
図、第6図は通常のパッケージと本発明によるパッケー
ジにおける85℃/85%加湿時のパッケージ吸湿量の変化
の状態を示すグラフ、第7図は同じくガルデル浸漬時
(215℃)のパッケージの膨れ量の変化を示すグラグ、
第8図は従来の半導体装置の縦断正面図、第9図は加湿
及び排湿時の半導体パッケージとダイパッド裏面の水分
濃度の関係を示すグラフである。 1…ダイパッド、2…半導体チップ、3…リード部、4
…ボンディングワイヤ、5…モールド樹脂、6…吊りピ
ン、7…キャップ(無吸湿材料)、10,11…金型。
Claims (2)
- 【請求項1】ダイパッド上に半導体チップをマウント
し、リード部を側方に突出させた状態で上記半導体チッ
プをモールド樹脂で樹脂封止される樹脂封止型半導体装
置において、 ダイパッド及び半導体チップを金型キャビティ内に配置
する際に、無吸湿材料からなる一対のキャップがこれら
キャップの間に隙間を形成しながら上記半導体チップに
被冠されており、 上記キャビティ内側とキャップの外側との間にモールド
樹脂が充填されていると共に上記キャップ間の隙間を介
してキャップの内側にモールド樹脂が充填されて、上記
キャップがモールド樹脂内に埋設して一体に固着されて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】ダイパッド上に半導体チップをマウント
し、その後、リード部を側方に突出させた状態でダイパ
ッド及び半導体チップを金型キャビティ内に配置する際
に、無吸湿材料からなる一対のキャップを、これらキャ
ップの間に隙間を形成しながら、上記半導体チップに被
冠し、 その後、このモールド金型のキャビティ内にモールド樹
脂を注入し、このキャビティ内側とキャップの外側との
間に樹脂を充填すると共に、上記キャップ間の隙間を介
してキャップの内側に樹脂を充填して、上記キャップを
モールド樹脂内に埋設して一体に固着することを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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US5446620A (en) | 1990-08-01 | 1995-08-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
US5475920A (en) * | 1990-08-01 | 1995-12-19 | Burns; Carmen D. | Method of assembling ultra high density integrated circuit packages |
US5367766A (en) * | 1990-08-01 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages method |
JPH05190721A (ja) * | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH05206354A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
JP2670408B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1997-10-29 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
US6205654B1 (en) | 1992-12-11 | 2001-03-27 | Staktek Group L.P. | Method of manufacturing a surface mount package |
US5484959A (en) * | 1992-12-11 | 1996-01-16 | Staktek Corporation | High density lead-on-package fabrication method and apparatus |
US5644161A (en) * | 1993-03-29 | 1997-07-01 | Staktek Corporation | Ultra-high density warp-resistant memory module |
US5801437A (en) * | 1993-03-29 | 1998-09-01 | Staktek Corporation | Three-dimensional warp-resistant integrated circuit module method and apparatus |
US5369056A (en) * | 1993-03-29 | 1994-11-29 | Staktek Corporation | Warp-resistent ultra-thin integrated circuit package fabrication method |
JPH0766331A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-03-10 | Motorola Inc | 半導体デバイス・パッケージの製造方法 |
JPH0786458A (ja) * | 1993-09-09 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US5408126A (en) * | 1993-12-17 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Manufacture of semiconductor devices and novel lead frame assembly |
WO1995031826A1 (en) * | 1994-05-17 | 1995-11-23 | Olin Corporation | Electronic packages with improved electrical performance |
US6025642A (en) * | 1995-08-17 | 2000-02-15 | Staktek Corporation | Ultra high density integrated circuit packages |
KR0179803B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1999-03-20 | 문정환 | 리드노출형 반도체 패키지 |
EP0786807B1 (en) * | 1996-01-25 | 2002-04-10 | STMicroelectronics S.r.l. | Plastic body surface-mounting semiconductor power device having dimensional characteristics optimized for use of standard shipping and testing modes |
US5783857A (en) * | 1996-07-25 | 1998-07-21 | The Whitaker Corporation | Integrated circuit package |
US5945732A (en) | 1997-03-12 | 1999-08-31 | Staktek Corporation | Apparatus and method of manufacturing a warp resistant thermally conductive integrated circuit package |
US6329705B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Leadframes including offsets extending from a major plane thereof, packaged semiconductor devices including same, and method of designing and fabricating such leadframes |
US6064286A (en) * | 1998-07-31 | 2000-05-16 | The Whitaker Corporation | Millimeter wave module with an interconnect from an interior cavity |
US6329220B1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Packages for semiconductor die |
US6559537B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Ball grid array packages with thermally conductive containers |
US6608763B1 (en) | 2000-09-15 | 2003-08-19 | Staktek Group L.P. | Stacking system and method |
AUPR244801A0 (en) * | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | A method and apparatus (WSM01) |
US6462408B1 (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-08 | Staktek Group, L.P. | Contact member stacking system and method |
KR100431180B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-05-12 | 삼성전기주식회사 | 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법 |
SG111092A1 (en) | 2002-11-15 | 2005-05-30 | St Microelectronics Pte Ltd | Semiconductor device package and method of manufacture |
US7623349B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-11-24 | Ati Technologies Ulc | Thermal management apparatus and method for a circuit substrate |
JP4695466B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-06-08 | 富士通株式会社 | 信頼性解析システムおよび信頼性解析方法 |
US8183680B2 (en) * | 2006-05-16 | 2012-05-22 | Broadcom Corporation | No-lead IC packages having integrated heat spreader for electromagnetic interference (EMI) shielding and thermal enhancement |
JP5015705B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-08-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置 |
US7989931B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-08-02 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with under paddle leadfingers |
US7902644B2 (en) * | 2007-12-07 | 2011-03-08 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system for electromagnetic isolation |
US8507319B2 (en) * | 2007-12-07 | 2013-08-13 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with shield |
DE102009045911A1 (de) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Robert Bosch Gmbh | Koppelvorrichtung, Anordnung mit einer Koppelvorrichtung, Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einer Koppelvorrichtung |
JP5188530B2 (ja) * | 2010-04-01 | 2013-04-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JP5956783B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2016-07-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE112015004424B4 (de) * | 2014-10-29 | 2021-05-20 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung |
CN109788626B (zh) * | 2017-11-10 | 2021-10-08 | 广州立景创新科技有限公司 | 具有防水洗结构的模组 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4173712A (en) * | 1978-08-30 | 1979-11-06 | General Ionex Corporation | Electrical circuit component protecting device |
JPS57173948A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS57196547A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Nec Corp | Semiconductor device |
JPS58176956A (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-17 | Hitachi Ltd | 電気素子 |
US4814943A (en) * | 1986-06-04 | 1989-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Printed circuit devices using thermoplastic resin cover plate |
JPS6397241U (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-23 | ||
JPS63169051A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS63250846A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 面付実装用lsiプラスチツクパツケ−ジとその製造方法 |
DE3725338A1 (de) * | 1987-07-30 | 1989-02-09 | Nukem Gmbh | Verkapselung von einem photovoltaischem element |
US4942454A (en) * | 1987-08-05 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin sealed semiconductor device |
US4953002A (en) * | 1988-03-31 | 1990-08-28 | Honeywell Inc. | Semiconductor device housing with magnetic field protection |
JPH0262356A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-03-02 | Hitachi Koki Co Ltd | 電子写真式印刷装置の用紙走行制御方法 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP2232697A patent/JP2530056B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-13 US US07/581,700 patent/US5223739A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04127456A (ja) | 1992-04-28 |
KR910007115A (ko) | 1991-04-30 |
KR930010071B1 (ko) | 1993-10-14 |
US5223739A (en) | 1993-06-29 |
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