JPH04127456A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH04127456A JPH04127456A JP2232697A JP23269790A JPH04127456A JP H04127456 A JPH04127456 A JP H04127456A JP 2232697 A JP2232697 A JP 2232697A JP 23269790 A JP23269790 A JP 23269790A JP H04127456 A JPH04127456 A JP H04127456A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に係
り、特に多数の半導体装置を基板等に同時に実装する表
面実装用で、かつ半導体チップが大面積で、しかもパッ
ケージが薄型の場合に使用して最適な樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関する。
り、特に多数の半導体装置を基板等に同時に実装する表
面実装用で、かつ半導体チップが大面積で、しかもパッ
ケージが薄型の場合に使用して最適な樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関する。
（従来の技術）
樹脂封止型半導体装置の基板への実装技術の発展に伴い
、Ｓ ＯＰ （Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）、Ｑ Ｆ Ｐ （Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ）、Ｐ Ｌ ＣＣ（Ｐｌａｓ−Ｌｌｃ Ｌｅａ
ｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）等の表面実装用半
導体パッケージのニーズが年々増加する傾向にある。
、Ｓ ＯＰ （Ｓｍａｌｌ ０ｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋ
ａｇｅ）、Ｑ Ｆ Ｐ （Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃ
ｋａｇｅ）、Ｐ Ｌ ＣＣ（Ｐｌａｓ−Ｌｌｃ Ｌｅａ
ｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）等の表面実装用半
導体パッケージのニーズが年々増加する傾向にある。
一方、集積回路の高機能化に伴い、半導体チップのサイ
ズも大型化し、１０ｍｍ口を超す半導体チップも生産さ
れている。
ズも大型化し、１０ｍｍ口を超す半導体チップも生産さ
れている。
しかしながら、こうした大型チップ表面実装用半導体パ
ッケージにおける最大の問題点は、従来の一般的なリー
ド部のみの加熱から、赤外線リフ口（ＩＲ）やペーパー
フェイズ・リフ口（ＶＰＳ）等により、半導体パッケー
ジ全体が直接高温に曝されることで、半導体パッケージ
が吸湿した際、半導体パッケージにクラックや膨れが発
生してしまう場合があることである。
ッケージにおける最大の問題点は、従来の一般的なリー
ド部のみの加熱から、赤外線リフ口（ＩＲ）やペーパー
フェイズ・リフ口（ＶＰＳ）等により、半導体パッケー
ジ全体が直接高温に曝されることで、半導体パッケージ
が吸湿した際、半導体パッケージにクラックや膨れが発
生してしまう場合があることである。
即ち、上記表面実装型の従来の一般的な樹脂封止型半導
体装置は、第１６図に示すように、吊りピンで四隅を支
持したダイパッド１の上面に、半導体チップ２をマウン
トし、この半導体チップ２の各電極と各リード部３のイ
ンナーリード３ａとをボンディングワイヤ４でボンディ
ングし、しかる後この半導体チップ２及びインナーリー
ド３ａをモールド樹脂５で樹脂封止して構成され、この
モールド樹脂５の防湿処理は一般に何等施されていなか
った。
体装置は、第１６図に示すように、吊りピンで四隅を支
持したダイパッド１の上面に、半導体チップ２をマウン
トし、この半導体チップ２の各電極と各リード部３のイ
ンナーリード３ａとをボンディングワイヤ４でボンディ
ングし、しかる後この半導体チップ２及びインナーリー
ド３ａをモールド樹脂５で樹脂封止して構成され、この
モールド樹脂５の防湿処理は一般に何等施されていなか
った。
このため、実装時に半導体パッケージ全体が加熱される
と、ダイパッド１とモールド樹脂５との界面等に溜まっ
た水分がこの時の熱によって蒸発し、同図に示すように
、半導体パッケージに膨れが発生したり、クラックが発
生してしまうことがあった。
と、ダイパッド１とモールド樹脂５との界面等に溜まっ
た水分がこの時の熱によって蒸発し、同図に示すように
、半導体パッケージに膨れが発生したり、クラックが発
生してしまうことがあった。
このように、半導体パッケージにクラックや膨れが発生
してしまうと、単に外観が損なわれるばかりでなく、集
積回路の耐湿信頼性も著しく低下してしまう。
してしまうと、単に外観が損なわれるばかりでなく、集
積回路の耐湿信頼性も著しく低下してしまう。
このため、従来から、半導体パッケージの水分の濃度を
管理することを目的として、アルミニウムラミネート包
装材等により半導体パッケージを防湿包装し出荷包装材
開封後の使用期間の制限をしたり、全体加熱にて実装不
可能なものに関しては、局部加熱による実装が行われて
いる。
管理することを目的として、アルミニウムラミネート包
装材等により半導体パッケージを防湿包装し出荷包装材
開封後の使用期間の制限をしたり、全体加熱にて実装不
可能なものに関しては、局部加熱による実装が行われて
いる。
なお、高温実装時におけるパッケージクラックの発生の
メカニズムについては、各種の文献に述べられているが
、 ■ パッケージクラックの発生と半導体パッケージの保
管状態及び期間等、即ちモールド樹脂の吸湿水分量との
間には、強い相関関係が見られること。
メカニズムについては、各種の文献に述べられているが
、 ■ パッケージクラックの発生と半導体パッケージの保
管状態及び期間等、即ちモールド樹脂の吸湿水分量との
間には、強い相関関係が見られること。
■ パッケージクラック発生の前駆現象として、第１６
図に示すようにモールド樹脂表面に膨れが発生すること
。
図に示すようにモールド樹脂表面に膨れが発生すること
。
■ 半導体パッケージを加熱してクラックさせ、パッケ
ージ全体から発生するガスを分析すると、９５％以上が
水分であること。
ージ全体から発生するガスを分析すると、９５％以上が
水分であること。
などの事実から、モールド樹脂に吸湿された水分が、ダ
イパッド若しくは半導体チップとモールド樹脂の界面に
凝縮し、これが高温下で水蒸気化して高圧が加わること
によって発生するものと考えられる。
イパッド若しくは半導体チップとモールド樹脂の界面に
凝縮し、これが高温下で水蒸気化して高圧が加わること
によって発生するものと考えられる。
ここに、モールド樹脂の高温時破断強度を向上させるこ
とにより、パッケージクラックの発生を防止することも
考えられるが、このような樹脂は未だ開発されていない
。
とにより、パッケージクラックの発生を防止することも
考えられるが、このような樹脂は未だ開発されていない
。
次に、フィック（Ｐｉｃｋ）の拡散方程式により導いた
ＰＬＣＣ８４ピンの加湿・排湿時におけるパッケージ全
体の濃度とダイパッド裏面の濃度との関係を第１７図に
示す。この図から、パッケージクラックの発生の最大原
因であると考えられるパッケージ濃度とダイパッド裏面
の水分濃度との間に強い相関関係があることが判る。
ＰＬＣＣ８４ピンの加湿・排湿時におけるパッケージ全
体の濃度とダイパッド裏面の濃度との関係を第１７図に
示す。この図から、パッケージクラックの発生の最大原
因であると考えられるパッケージ濃度とダイパッド裏面
の水分濃度との間に強い相関関係があることが判る。
実験によれば、ＰＬＣＣ８４ピン、１０龍０半導体チッ
プのパッケージにおいては、ダイパッド裏面の水分濃度
が６００ ｐｐｍ程度がクラックの発生の境界条件とな
ると推定できる。常温常湿を２５℃／６０％と仮定した
場合、上記ＰＬＣＣ８４ピンにおいて、このダイパッド
の裏面の水分濃度が６００ ｐｐｍに達するのは、約８
００時間である。
プのパッケージにおいては、ダイパッド裏面の水分濃度
が６００ ｐｐｍ程度がクラックの発生の境界条件とな
ると推定できる。常温常湿を２５℃／６０％と仮定した
場合、上記ＰＬＣＣ８４ピンにおいて、このダイパッド
の裏面の水分濃度が６００ ｐｐｍに達するのは、約８
００時間である。
従って、実装時にパッケージの水分濃度の管理が不可欠
となり、防湿包装した場合においても、開封後の使用期
間の制限が必要となる。
となり、防湿包装した場合においても、開封後の使用期
間の制限が必要となる。
このため、特開昭６３−１８７６５２号として、モール
ド樹脂の外部表面に水分の透過を防止する箔または板を
接着することにより、モールド樹脂内への水分の侵入を
低減するとともに、赤外線加熱での樹脂の赤外線吸収量
を大幅に低減するようにしたものが提案されている。
ド樹脂の外部表面に水分の透過を防止する箔または板を
接着することにより、モールド樹脂内への水分の侵入を
低減するとともに、赤外線加熱での樹脂の赤外線吸収量
を大幅に低減するようにしたものが提案されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記特開昭６３−１８７６５２号に記載
のものは、モールド樹脂と箔または板との界面に接着剤
を使用しているため、箔または板か剥がれてしまう虞が
あるばかりでなく、モールド樹脂と箔または板との界面
から水分がモールド樹脂の内部に入り込んでしまうと考
えられる。
のものは、モールド樹脂と箔または板との界面に接着剤
を使用しているため、箔または板か剥がれてしまう虞が
あるばかりでなく、モールド樹脂と箔または板との界面
から水分がモールド樹脂の内部に入り込んでしまうと考
えられる。
更に、箔または板を貼り付ける工程が増え、しかもこの
貼り付けは、半導体パッケージ内への水分の侵入を防止
するため、モールド工程終了後−定時間内に行う必要が
あって、作業性に劣るばかりでなく、工程管理も困難に
なるといった問題点があると考えられる。
貼り付けは、半導体パッケージ内への水分の侵入を防止
するため、モールド工程終了後−定時間内に行う必要が
あって、作業性に劣るばかりでなく、工程管理も困難に
なるといった問題点があると考えられる。
本発明は上記に鑑み、防湿処理が施されていない通常の
樹脂封止半導体装置に比べ、実装時におけるダイパッド
裏面若しくは半導体チップ付近の水分濃度の著しい低減
を図るとともに、防湿効果の信頼性及び作業性の向上を
図ったものを提供することを目的とする。
樹脂封止半導体装置に比べ、実装時におけるダイパッド
裏面若しくは半導体チップ付近の水分濃度の著しい低減
を図るとともに、防湿効果の信頼性及び作業性の向上を
図ったものを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明に係る樹脂封止型半導
体装置は、吊りピンにより支持したダイパッド上に半導
体チップをマウントし、リード部を側方に突出させた状
態で上記半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止した樹
脂封止型半導体装置において、上記半導体チップの周囲
を上記モールド樹脂に一体に固着した無吸湿材料で覆っ
たもの、及び上記樹脂封止型半導体装置において、上記
モールド樹脂のほぼ全表面を絶縁テープを内部に介在さ
せつつ無吸湿材料で覆ったもの、更に上記樹脂封止型半
導体装置において、上記モールド樹脂の表面に該モール
ド樹脂との密着性が良好な金属膜を上記リード部と接触
しないように形成し、この金属膜の表面に金属層を積層
したものである。
体装置は、吊りピンにより支持したダイパッド上に半導
体チップをマウントし、リード部を側方に突出させた状
態で上記半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止した樹
脂封止型半導体装置において、上記半導体チップの周囲
を上記モールド樹脂に一体に固着した無吸湿材料で覆っ
たもの、及び上記樹脂封止型半導体装置において、上記
モールド樹脂のほぼ全表面を絶縁テープを内部に介在さ
せつつ無吸湿材料で覆ったもの、更に上記樹脂封止型半
導体装置において、上記モールド樹脂の表面に該モール
ド樹脂との密着性が良好な金属膜を上記リード部と接触
しないように形成し、この金属膜の表面に金属層を積層
したものである。
また、樹脂封止型半導体装置の製造方法は、−対のカッ
プ状無吸湿材料の内部に半導体チップを位置決めして装
管し、この内部に半導体チップを装管した無吸湿材料を
モールド金型のキャビティ内に配置し、しかる後、この
モールド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入して
上記無吸湿材料をモールド樹脂に一体に固着するように
したもの、及び吊りピンにより支持したダイパッド上に
半導体チップをマウントし、リード部を側方に突出させ
た状態で上記半導体チップをモールド樹脂によって樹脂
封止した後、このモールド樹脂の表面に無電解メッキに
よる無電解メッキ層を上記リード部に接触しないように
形成し、しかる後、上記無電解メッキ層の表面に電解メ
ッキによる電解メッキ層を形成するようにしたものであ
る。
プ状無吸湿材料の内部に半導体チップを位置決めして装
管し、この内部に半導体チップを装管した無吸湿材料を
モールド金型のキャビティ内に配置し、しかる後、この
モールド金型のキャビティ内にモールド樹脂を注入して
上記無吸湿材料をモールド樹脂に一体に固着するように
したもの、及び吊りピンにより支持したダイパッド上に
半導体チップをマウントし、リード部を側方に突出させ
た状態で上記半導体チップをモールド樹脂によって樹脂
封止した後、このモールド樹脂の表面に無電解メッキに
よる無電解メッキ層を上記リード部に接触しないように
形成し、しかる後、上記無電解メッキ層の表面に電解メ
ッキによる電解メッキ層を形成するようにしたものであ
る。
（作 用）
上記のように構成した請求項１または２記載の半導体装
置によれば、半導体チップの周囲は無吸湿材料によって
覆われているか、または半導体チップのほぼ全周囲は絶
縁テープを介在させつつ無吸湿材料によって覆われてい
るので、水分がモールド樹脂内に入り込んでしまうこと
を該無吸湿材料によって確実に遮断して、実装時におけ
るダイパッド裏面や半導体チップの付近の水分濃度の大
幅な低減を図ることができる。
置によれば、半導体チップの周囲は無吸湿材料によって
覆われているか、または半導体チップのほぼ全周囲は絶
縁テープを介在させつつ無吸湿材料によって覆われてい
るので、水分がモールド樹脂内に入り込んでしまうこと
を該無吸湿材料によって確実に遮断して、実装時におけ
るダイパッド裏面や半導体チップの付近の水分濃度の大
幅な低減を図ることができる。
また、請求項３記載の半導体装置によれば、モールド樹
脂の表面は、金属膜を介して金属層で覆われているので
、水分がモールド樹脂内に入り込んでしまうことを該金
属膜によって確実に遮断して、実装時におけるダイパッ
ド裏面や半導体チップの付近の水分濃度の大幅な低減を
図ることができる。
脂の表面は、金属膜を介して金属層で覆われているので
、水分がモールド樹脂内に入り込んでしまうことを該金
属膜によって確実に遮断して、実装時におけるダイパッ
ド裏面や半導体チップの付近の水分濃度の大幅な低減を
図ることができる。
更に、請求項４または５記載の製造方法によれば、接着
剤を使用していないので、接着剤の有する耐熱性や耐湿
性といった問題を考慮することなく、確実に無吸湿材料
をモールド樹脂に固着するか、または金属膜をモールド
樹脂の表面に形成することができ、防湿効果の信頼性及
び作業性の向上を図ることができる。
剤を使用していないので、接着剤の有する耐熱性や耐湿
性といった問題を考慮することなく、確実に無吸湿材料
をモールド樹脂に固着するか、または金属膜をモールド
樹脂の表面に形成することができ、防湿効果の信頼性及
び作業性の向上を図ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明に係る半導体装置の第１実施例を示す
もので、四隅を放射状に延びる吊りピン６で支持された
矩形状のダイパッド１の上面には、半導体チップ２がマ
ウントされているとともに、この半導体チップ２の各電
極と各リード部３のインナーリード３ａとは、ボンディ
ングワイヤ４でボンディングされている（第３図参照）
。
もので、四隅を放射状に延びる吊りピン６で支持された
矩形状のダイパッド１の上面には、半導体チップ２がマ
ウントされているとともに、この半導体チップ２の各電
極と各リード部３のインナーリード３ａとは、ボンディ
ングワイヤ４でボンディングされている（第３図参照）
。
上記半導体チップ２の表面及び裏面側には、無吸湿材料
のアルミニウム板で構成された一対のキャップ７．７が
配置されている。この各キャップ７は、矩形状の平板部
７ａと、この平板部７ａの各辺から傾斜して延びる傾斜
板部７ｂとから断面路コ字形のカップ状に形成され、こ
の各傾斜板部７ｂ、７ｂの交点から放射状に水平に延び
る４本の脚部７ｃが備えられている。
のアルミニウム板で構成された一対のキャップ７．７が
配置されている。この各キャップ７は、矩形状の平板部
７ａと、この平板部７ａの各辺から傾斜して延びる傾斜
板部７ｂとから断面路コ字形のカップ状に形成され、こ
の各傾斜板部７ｂ、７ｂの交点から放射状に水平に延び
る４本の脚部７ｃが備えられている。
そして、上記各吊りピン６の表裏両面にこの脚部７ｃ、
７ｃを夫々当接させた状態で、半導体チップ２は、一対
のキャップ７．７でその周囲を包囲されており、更にこ
のキャップ７．７は、モールド樹脂５の内部に埋設され
ている。
７ｃを夫々当接させた状態で、半導体チップ２は、一対
のキャップ７．７でその周囲を包囲されており、更にこ
のキャップ７．７は、モールド樹脂５の内部に埋設され
ている。
このように、半導体チップ２の周囲を、無吸湿材料たる
アルミニウム板製のキャップ７．７て覆うことによって
、水分がモールド樹脂５を透過してダイパッド１の裏面
や半導体チップ２の付近に達してしまうことを該キャッ
プ７．７によって確実に遮断して、実装時におけるダイ
パッド１の裏面や半導体チップ２ぼ付近に水分濃度の大
幅な低減を図ることができるようなされている。
アルミニウム板製のキャップ７．７て覆うことによって
、水分がモールド樹脂５を透過してダイパッド１の裏面
や半導体チップ２の付近に達してしまうことを該キャッ
プ７．７によって確実に遮断して、実装時におけるダイ
パッド１の裏面や半導体チップ２ぼ付近に水分濃度の大
幅な低減を図ることができるようなされている。
この第１図に示す半導体装置の製造例を第２図及び第３
図に基づいて説明する。
図に基づいて説明する。
先ず、第２図に示すように、平板状のアルミニウム板８
に所定の加工を施して、その長さ方向に複数のキャップ
７を連続して形成した後、その各脚部７ｃの先端で切断
して分離する。
に所定の加工を施して、その長さ方向に複数のキャップ
７を連続して形成した後、その各脚部７ｃの先端で切断
して分離する。
そして、ダイパッド１の上面に半導体チップ２をマウン
トしてワイヤボンディングを施したものを、ダイパッド
１を保持する各吊りピン６を上記一対のキャップ７．７
の脚部７ｃ、７ｃで上下方向から挾み込んだ状態で、ガ
イドピン９を介して位置決めする。
トしてワイヤボンディングを施したものを、ダイパッド
１を保持する各吊りピン６を上記一対のキャップ７．７
の脚部７ｃ、７ｃで上下方向から挾み込んだ状態で、ガ
イドピン９を介して位置決めする。
この時、キャップ７．７の各上下に位置する傾斜板７ｂ
、７ｂの端面間に隙間ができるようにしておく。
、７ｂの端面間に隙間ができるようにしておく。
このように半導体チップ２の各吊りピン６の表裏両面を
一対のキャップ７．７の脚部７ｃ、７ｃで夫々挟持した
状態で、下金型１０と上金型〕１との間に入れ、型締め
を行った後、下金型１０の樹脂注入口１０ａから両金型
１０，１１間のキャビティ内にモールド樹脂を注入する
。
一対のキャップ７．７の脚部７ｃ、７ｃで夫々挟持した
状態で、下金型１０と上金型〕１との間に入れ、型締め
を行った後、下金型１０の樹脂注入口１０ａから両金型
１０，１１間のキャビティ内にモールド樹脂を注入する
。
すると、このモールド樹脂は、第３図の矢印に示す経路
により、即ちキャップ７．７の一側方からこの上方及び
下方に、並びに傾斜板７ｂ、 ７ｂの端面間からこの
内部に、更にはキャップ７．７の他側方まで流れて両金
型１０．１１間のキャビティ内にモールド樹脂が充填さ
れて行き、これによってキャップ７．７はモールド樹脂
５内に埋設された状態で固着される。
により、即ちキャップ７．７の一側方からこの上方及び
下方に、並びに傾斜板７ｂ、 ７ｂの端面間からこの
内部に、更にはキャップ７．７の他側方まで流れて両金
型１０．１１間のキャビティ内にモールド樹脂が充填さ
れて行き、これによってキャップ７．７はモールド樹脂
５内に埋設された状態で固着される。
そして、この後、所定の後工程を施して半導体装置を完
成させるのである。
成させるのである。
このようにして、接着剤を使用する必要をなくずことに
よって、接着剤の有する耐熱性や耐湿性といった問題を
考慮することなく、確実にキャップ７．７をモールド樹
脂５内に固着することができるとともに、モールド工程
時にキャップ７．７の固着を行うことにより、耐湿効果
の信頼性及び作業性の向上を図ることができる。
よって、接着剤の有する耐熱性や耐湿性といった問題を
考慮することなく、確実にキャップ７．７をモールド樹
脂５内に固着することができるとともに、モールド工程
時にキャップ７．７の固着を行うことにより、耐湿効果
の信頼性及び作業性の向上を図ることができる。
第４図乃至第７図は上記第１実施例の夫々異なる変形例
を示すもので、第４図に示すものは、無吸湿材料のアル
ミニウム板製のキャップ７．７の平板部７ａ、７ａの表
面を外部に露出させたものである。
を示すもので、第４図に示すものは、無吸湿材料のアル
ミニウム板製のキャップ７．７の平板部７ａ、７ａの表
面を外部に露出させたものである。
このように、キャップ７．７の平板部７ａ。
７ａの表面を外部に露出させることにより、防湿及びパ
ッケージの熱放熱性の向上を図ることができる。
ッケージの熱放熱性の向上を図ることができる。
第５図に示すものは、上記第４図に示すものに、更に外
部に露出させたキャップ７．７の平板部７ａ、７ａの表
面に絶縁コーティング１２．１２を施して、パッケージ
表面の絶縁効果を図るようにしたものである。
部に露出させたキャップ７．７の平板部７ａ、７ａの表
面に絶縁コーティング１２．１２を施して、パッケージ
表面の絶縁効果を図るようにしたものである。
なお、絶縁コーティング以外にも、ポリイミド等の絶縁
材フィルム（図示せず）を貼り付けるようにすることも
できる。
材フィルム（図示せず）を貼り付けるようにすることも
できる。
第６図に示すものは、ダイパッド１側の一方のキャップ
７をモールド樹脂５内に埋設させ、他方のキャップ７の
平板部７ａの表面を外部に露ｔｉ１させたもの、第７図
に示すものは、反対に半導体チップ２側の一方のキャッ
プ７をモールド樹脂５内に埋設させ、他方のキャップ７
の平板部７ａの表面を外部に露出させたものであり、こ
れによって一方では絶縁性を、他方では熱放熱性を夫々
図ったものである。
７をモールド樹脂５内に埋設させ、他方のキャップ７の
平板部７ａの表面を外部に露ｔｉ１させたもの、第７図
に示すものは、反対に半導体チップ２側の一方のキャッ
プ７をモールド樹脂５内に埋設させ、他方のキャップ７
の平板部７ａの表面を外部に露出させたものであり、こ
れによって一方では絶縁性を、他方では熱放熱性を夫々
図ったものである。
なお、上記第１実施例においては、無吸湿材料として、
アルミニウム板を使用したものを示しているが、他の金
属材料またはガラス等の無吸湿材料を使用しても良いこ
とは勿論である。
アルミニウム板を使用したものを示しているが、他の金
属材料またはガラス等の無吸湿材料を使用しても良いこ
とは勿論である。
また、これらの変形例においても、キャップ７．７は、
モールド工程時にモールド樹脂５と一体に固着される。
モールド工程時にモールド樹脂５と一体に固着される。
第８図及び第９図は、第２実施例を示すもので、上記第
１実施例と同様に、四隅を放射状に延びる吊りピンで支
持された矩形状のダイパッド１の上面には、半導体チッ
プ２がマウントされているとともに、この半導体チップ
２の各電極とリード部３の各インナーリード３ａとはボ
ンディングワイヤ４でボンディングされている。更に、
半導体チップ２及びインナーリード３ａは、モールド樹
脂５によって樹脂封止されている。
１実施例と同様に、四隅を放射状に延びる吊りピンで支
持された矩形状のダイパッド１の上面には、半導体チッ
プ２がマウントされているとともに、この半導体チップ
２の各電極とリード部３の各インナーリード３ａとはボ
ンディングワイヤ４でボンディングされている。更に、
半導体チップ２及びインナーリード３ａは、モールド樹
脂５によって樹脂封止されている。
このモールド樹脂５の全表面は、ポリイミドフィルム等
の絶縁テープ１３で覆われているのであるが、この絶縁
テープ１３は、接着剤１４ａを介してモールド樹脂５の
表面に貼付けられているとともに、第８図Ａ部において
、リード部３とは熱圧着によって接合されている。そし
て、この絶縁テープ１３の表面に、リード部３の近傍ま
で延びて無吸湿材料たるアルミニウムフィルム１５が接
着剤１４ｂを介して貼付けられている。
の絶縁テープ１３で覆われているのであるが、この絶縁
テープ１３は、接着剤１４ａを介してモールド樹脂５の
表面に貼付けられているとともに、第８図Ａ部において
、リード部３とは熱圧着によって接合されている。そし
て、この絶縁テープ１３の表面に、リード部３の近傍ま
で延びて無吸湿材料たるアルミニウムフィルム１５が接
着剤１４ｂを介して貼付けられている。
このように、モールド樹脂５の表面と無吸湿材料たるア
ルミニウムフィルム１５との間に絶縁テープ１３を介在
させることにより、リード部３がアルミニウムフィルム
１５によってショートしてしまうことを防止しつつ、ア
ルミニウムフィルム１５の貼付は面積を最大限となすこ
とかできる。
ルミニウムフィルム１５との間に絶縁テープ１３を介在
させることにより、リード部３がアルミニウムフィルム
１５によってショートしてしまうことを防止しつつ、ア
ルミニウムフィルム１５の貼付は面積を最大限となすこ
とかできる。
また、半導体チップ２のほぼ全周囲を、絶縁テープ１３
を介在させつつ無吸湿材料たるアルミニウムフィルム１
５で覆うことによって、水分がモールド樹脂５の内部に
入り込んでしまうことを該アルミニウムフィルム１５に
よって確実に遮断して、実装時におけるダイパッド１の
裏面や半導体チップ２の付近の水分濃度の大幅な低減を
図ることができるようなされている。
を介在させつつ無吸湿材料たるアルミニウムフィルム１
５で覆うことによって、水分がモールド樹脂５の内部に
入り込んでしまうことを該アルミニウムフィルム１５に
よって確実に遮断して、実装時におけるダイパッド１の
裏面や半導体チップ２の付近の水分濃度の大幅な低減を
図ることができるようなされている。
更に、このアルミニウムフィルム１５上には、絶縁コー
ティング］６が施され、これによって、基板への信頼性
を高めるよう構成されている。
ティング］６が施され、これによって、基板への信頼性
を高めるよう構成されている。
なお、上記無吸湿材料として、上記アルミニウムフィル
ム１５の他に、他の金属材料またはガラス等の他の無吸
湿材料を使用できることは勿論である。
ム１５の他に、他の金属材料またはガラス等の他の無吸
湿材料を使用できることは勿論である。
次に、上記第２実施例の製造例を説明する。
先ず、リードフレームのダイパッド１の上面に半導体チ
ップ２をマウントし、ワイヤボンディングを施した後、
モールド樹脂５による樹脂封止を行い、アフタキュアに
よってモールド樹脂５の物性の安定化及びモールド樹脂
５中の水分の排出を図る。
ップ２をマウントし、ワイヤボンディングを施した後、
モールド樹脂５による樹脂封止を行い、アフタキュアに
よってモールド樹脂５の物性の安定化及びモールド樹脂
５中の水分の排出を図る。
一方、第９図に示すように、所定の大きさの絶縁テープ
１３の裏面に接着剤１４ａを塗布し、表面の所定箇所に
接着剤１４ｂを介して無吸湿材料たるアルミニウムフィ
ルム１５を貼付け、更に絶縁コーティング１６を施した
貼着テープ１７を予め用意しておく。
１３の裏面に接着剤１４ａを塗布し、表面の所定箇所に
接着剤１４ｂを介して無吸湿材料たるアルミニウムフィ
ルム１５を貼付け、更に絶縁コーティング１６を施した
貼着テープ１７を予め用意しておく。
そして、この貼着テープ１７を、接着剤１４ａを介して
モールド樹脂５の表面に上下方向から貼付け、更に絶縁
テープ１３と各リード部３とを第８図Ａ部において熱圧
着によって接合させる。
モールド樹脂５の表面に上下方向から貼付け、更に絶縁
テープ１３と各リード部３とを第８図Ａ部において熱圧
着によって接合させる。
更に、通常のメッキ工程からカット及びベント工程等の
通常の後工程を経て半導体装置を完成させるのである。
通常の後工程を経て半導体装置を完成させるのである。
第１０図及び第１１図は、第３実施例を示すもので、上
記第１実施例を異なる点は、モールド樹脂５のほぼ全表
面を絶縁テープ１３を内部に介在させつつアルミニウム
フィルム（無吸湿材料）１５で覆う代わりに、モールド
樹脂５の表面の上下平坦面に、このモールド樹脂５との
密着性が良好な厚さ０．２μｍ程度のニッケル膜からな
る金属膜（無電解メッキ層）１８を形成し、この金属膜
１８の表面に、厚さ３μｍ程度の銅膜と厚さ５μｍ程度
のニッケル膜とからなる金属層（電解メッキ層）１９を
積層し、更にこの金属層１９の表面をポリイミドフィル
ムからなる絶縁フィルム２０で覆って基板に対する絶縁
効果を与えた点にある。
記第１実施例を異なる点は、モールド樹脂５のほぼ全表
面を絶縁テープ１３を内部に介在させつつアルミニウム
フィルム（無吸湿材料）１５で覆う代わりに、モールド
樹脂５の表面の上下平坦面に、このモールド樹脂５との
密着性が良好な厚さ０．２μｍ程度のニッケル膜からな
る金属膜（無電解メッキ層）１８を形成し、この金属膜
１８の表面に、厚さ３μｍ程度の銅膜と厚さ５μｍ程度
のニッケル膜とからなる金属層（電解メッキ層）１９を
積層し、更にこの金属層１９の表面をポリイミドフィル
ムからなる絶縁フィルム２０で覆って基板に対する絶縁
効果を与えた点にある。
このように、半導体チップ２の上下平坦面を、金属層１
９で覆うことによって、水分がモールド樹脂５の内部に
入り込んでしまうことを該金属膜１９によって確実に遮
断して、実装時におけるダイパッド１の裏面や半導体チ
ップ２の付近の水分濃度の大幅な低減を図るとともに、
パッケージとしての熱放散性を向上させることができる
ようなされている。
９で覆うことによって、水分がモールド樹脂５の内部に
入り込んでしまうことを該金属膜１９によって確実に遮
断して、実装時におけるダイパッド１の裏面や半導体チ
ップ２の付近の水分濃度の大幅な低減を図るとともに、
パッケージとしての熱放散性を向上させることができる
ようなされている。
なお、上記のように、モールド樹脂５の表面の上下平坦
面に、即ち外方に尖頭状に突出する傾斜した端面を除い
て金属膜１８及び金属層１９の順次積層したのは、この
金属膜１８の存在によって各リード３がショートしてし
まうことを防止するためである。
面に、即ち外方に尖頭状に突出する傾斜した端面を除い
て金属膜１８及び金属層１９の順次積層したのは、この
金属膜１８の存在によって各リード３がショートしてし
まうことを防止するためである。
次に、上記第３実施例の製造例を説明する。
先ず、上記のように傾斜した端面に金属膜１８が形成さ
れてしまうことを防止するため、ここにレジストを塗布
してリード部３を保護しておく。
れてしまうことを防止するため、ここにレジストを塗布
してリード部３を保護しておく。
このレジストは、例えば硬化後フィルム状（保護フィル
ム）となって、下記の無電解メッキ工程で無電解メッキ
が該端面に付かなくするようにしたものである。
ム）となって、下記の無電解メッキ工程で無電解メッキ
が該端面に付かなくするようにしたものである。
次に、モールド樹脂５の露出部表面、即ち上下平坦面を
荒らすため、湿式処理によるエツチングを施す。このエ
ツチングは、金属膜１８との密着性を確保するための基
本操作であり、エツチング液として、通常硫酸とクロム
酸の混合液が用いられる。このようにエツチングを施す
ことにより、第１３図に示すように、モールド樹脂５の
表面に封管したごみや油等を取り除くとともに、モール
ド樹脂５中のフィラー２１が飛び出した凹凸のある表面
５ａを得ることができ、これによって金属膜１８との密
着性を確保することができる。
荒らすため、湿式処理によるエツチングを施す。このエ
ツチングは、金属膜１８との密着性を確保するための基
本操作であり、エツチング液として、通常硫酸とクロム
酸の混合液が用いられる。このようにエツチングを施す
ことにより、第１３図に示すように、モールド樹脂５の
表面に封管したごみや油等を取り除くとともに、モール
ド樹脂５中のフィラー２１が飛び出した凹凸のある表面
５ａを得ることができ、これによって金属膜１８との密
着性を確保することができる。
次に、触媒付与工程に移るが、これは下記の無電解メッ
キに必要な触媒核（Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ等）を作成するた
めのもので、キャタリスト液（例えば、ＰｄＣΩ２０．
１〜０．４ｇ／Ｄ。
キに必要な触媒核（Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ等）を作成するた
めのもので、キャタリスト液（例えば、ＰｄＣΩ２０．
１〜０．４ｇ／Ｄ。
ＳｎＣ＃ ’３〜３０ｇ／ＩＩ 、３６％ＨＣＩ）
１００〜３００ｍ１））に上記エツチング後の半導体装
置を浸漬させた後、水洗いし、更にアクセレーター液（
例えば、Ｈ２ＳＯ４５０〜１５０ｇ／ＩＩ’）で処理し
、次の反応でＰｄ触媒核を形成させる。
１００〜３００ｍ１））に上記エツチング後の半導体装
置を浸漬させた後、水洗いし、更にアクセレーター液（
例えば、Ｈ２ＳＯ４５０〜１５０ｇ／ＩＩ’）で処理し
、次の反応でＰｄ触媒核を形成させる。
Ｓｎ２”・Ｐｄ””５）−９ｎ２”＋Ｐｄ”−＋Ｐｄ’
＋Ｓｎ”なお、この触媒核を作成する方法として、Ｐ
ｄスパッタ法等の乾式法を採用することもできることは
勿論である。
＋Ｓｎ”なお、この触媒核を作成する方法として、Ｐ
ｄスパッタ法等の乾式法を採用することもできることは
勿論である。
このようにして格付けさせたモールド樹脂５の表面に、
無電解銅メッキまたは無電解ニッケルメッキ等により、
０６２〜１．０μｍ程度の金属膜（無電解メッキ層）１
８を形成する。第１０図及び第１１図に示す実施例では
、０． ２μｍのニッケル膜を形成しているが、これは
上記モールド樹脂の格付けを行った半導体装置を無電解
ニッケルメッキ液中に浸漬させることによって行う。
無電解銅メッキまたは無電解ニッケルメッキ等により、
０６２〜１．０μｍ程度の金属膜（無電解メッキ層）１
８を形成する。第１０図及び第１１図に示す実施例では
、０． ２μｍのニッケル膜を形成しているが、これは
上記モールド樹脂の格付けを行った半導体装置を無電解
ニッケルメッキ液中に浸漬させることによって行う。
次に、半導体装置としての外観や各種機能を向上させる
ために、銅・ニッケル・クロム等の通常の電解メッキを
施して、上記金属膜１８の上面に金属層（電解メッキ層
）１９を、目的に応じて皮膜厚さ１０〜５０μｍ程度形
成する。第１０図及び第１１図に示す実施例では、３μ
ｍの銅膜と２μｍのニッケル膜により、この金属層（電
解メッキ層）１９を構成しているが、目的に応じて厚さ
及び材質を変更できることは勿論である。
ために、銅・ニッケル・クロム等の通常の電解メッキを
施して、上記金属膜１８の上面に金属層（電解メッキ層
）１９を、目的に応じて皮膜厚さ１０〜５０μｍ程度形
成する。第１０図及び第１１図に示す実施例では、３μ
ｍの銅膜と２μｍのニッケル膜により、この金属層（電
解メッキ層）１９を構成しているが、目的に応じて厚さ
及び材質を変更できることは勿論である。
そして、上記モールド樹脂５の端面に塗布したレジスト
を剥離しく保護フィルムを取り外し）、しかる後、金属
層１９を絶縁フィルム２０で覆い、更に上記と同様な後
工程を施して、半導体装置を完成させるのである。
を剥離しく保護フィルムを取り外し）、しかる後、金属
層１９を絶縁フィルム２０で覆い、更に上記と同様な後
工程を施して、半導体装置を完成させるのである。
なお、この絶縁フィルム２０としてポリイミドフィルム
を使用しているか、基板に対して絶縁効果を与えるもの
であれば、この面積、材質及び厚さ等についてその目的
に応じて変えることができることは勿論である。
を使用しているか、基板に対して絶縁効果を与えるもの
であれば、この面積、材質及び厚さ等についてその目的
に応じて変えることができることは勿論である。
なお、第１２図に示すように、モールド樹脂５の上下平
坦面にそのほぼ全域に亙って四部５ｂを形成しておき、
この凹部５ｂ内に上記と同様にして金属膜（無電解メッ
キ層）１８及び金属層（電解メッキ層）１９を順次積層
し、更に絶縁フィルム２０で金属層１９の表面を覆うこ
とにより、金属膜１８及び金属層１９の剥がれをより防
止するようにすることもできる。
坦面にそのほぼ全域に亙って四部５ｂを形成しておき、
この凹部５ｂ内に上記と同様にして金属膜（無電解メッ
キ層）１８及び金属層（電解メッキ層）１９を順次積層
し、更に絶縁フィルム２０で金属層１９の表面を覆うこ
とにより、金属膜１８及び金属層１９の剥がれをより防
止するようにすることもできる。
而して、上記第１乃至第３の各実施例と第１６図に示す
従来例との効果の比較を第１４図及び第１５図に示す。
従来例との効果の比較を第１４図及び第１５図に示す。
第１４図は、８５℃／８５％の加湿時における半導体パ
ッケージの吸湿量変化を示すもので、同図実線は第１６
図に示す従来の通常のパッケージにおける吸湿量変化を
、−点鎖線は上記第１図及び第８図に示す第１及び第２
実施例によるパッケージにおける吸湿量変化を、破線は
上記第１０図に示す第３実施例によるパッケージにおけ
る吸湿−変化を夫々示すものである。
ッケージの吸湿量変化を示すもので、同図実線は第１６
図に示す従来の通常のパッケージにおける吸湿量変化を
、−点鎖線は上記第１図及び第８図に示す第１及び第２
実施例によるパッケージにおける吸湿量変化を、破線は
上記第１０図に示す第３実施例によるパッケージにおけ
る吸湿−変化を夫々示すものである。
この図より明らかなように、本第１乃至第３実施例によ
る半導体パッケージにおいては、従来の通常のパッケー
ジに比較して、パッケージ吸湿量を遥かに低減すること
ができることが判る。
る半導体パッケージにおいては、従来の通常のパッケー
ジに比較して、パッケージ吸湿量を遥かに低減すること
ができることが判る。
第１５図は、１５■ｌＯの半導体チップを搭載したＱＦ
Ｐ１８４ピンの半導体パッケージを使用し、８５℃／８
５％の加湿を１６８時間行った後、２１５℃の温度のガ
ルデル浸漬時のパッケージの膨れ量を示すもので、同図
実線は第１６図に示す従来の通常のパッケージにおける
膨れ量変化を、破線は上記第１及び第３実施例によるパ
ッケージにおける膨れ量変化を夫々示すものである。
Ｐ１８４ピンの半導体パッケージを使用し、８５℃／８
５％の加湿を１６８時間行った後、２１５℃の温度のガ
ルデル浸漬時のパッケージの膨れ量を示すもので、同図
実線は第１６図に示す従来の通常のパッケージにおける
膨れ量変化を、破線は上記第１及び第３実施例によるパ
ッケージにおける膨れ量変化を夫々示すものである。
同図より明らかなように、従来の一般的なパッケージに
おいては、約６０秒経過時にパッケージクラックが発生
してしまうの対し、本発明によるパッケージにおいては
、１４０秒経過してもパッケージクラックが発生しない
ことが判る。
おいては、約６０秒経過時にパッケージクラックが発生
してしまうの対し、本発明によるパッケージにおいては
、１４０秒経過してもパッケージクラックが発生しない
ことが判る。
上記第１乃至第３実施例及び従来例に従って作成され、
１５ｍｍ０の半導体チップを搭載したＱＦＰ１８４ピン
の半導体パッケージに対し、各吸湿条件によりＶＰＳ
（ベーパー中フェイズ帝ソルダリング）を行った後の内
部クラック発生件数を調べた実験結果を下表に示す。
１５ｍｍ０の半導体チップを搭載したＱＦＰ１８４ピン
の半導体パッケージに対し、各吸湿条件によりＶＰＳ
（ベーパー中フェイズ帝ソルダリング）を行った後の内
部クラック発生件数を調べた実験結果を下表に示す。
表
パッケージ：ＱＦＰ１８４ピン：１５ｍ？半導体チップ
ｖｐｓ条件：２１５℃Ｘ１ｓｌｎ：２回この表によれば
、従来例では、８５℃／８５％の加湿で２４時間経過後
に内部クラックが発生するのに対し、本第１乃至第３実
施例では、８５℃／８５％の加湿で１６８時間経過して
も、内部クラックが発生しないことが判る。
ｖｐｓ条件：２１５℃Ｘ１ｓｌｎ：２回この表によれば
、従来例では、８５℃／８５％の加湿で２４時間経過後
に内部クラックが発生するのに対し、本第１乃至第３実
施例では、８５℃／８５％の加湿で１６８時間経過して
も、内部クラックが発生しないことが判る。
本発明は上記のような構成であるので、請求項１または
２記載の発明によれば、半導体チップの周囲を無吸湿材
料で覆い、またはモールド樹脂のほぼ全表面を無吸湿材
料で覆い、これによって実装時におけるダイパッド裏面
若しくは半導体チップ付近の水分濃度を大幅に低減させ
て、実装時にパッケージタラップや膨れが発生してしま
うことを防止するとともに、半導体装置の実装前の防湿
包装等といったパッケージ内の水分濃度の管理を廃止す
るようにすることができる。
２記載の発明によれば、半導体チップの周囲を無吸湿材
料で覆い、またはモールド樹脂のほぼ全表面を無吸湿材
料で覆い、これによって実装時におけるダイパッド裏面
若しくは半導体チップ付近の水分濃度を大幅に低減させ
て、実装時にパッケージタラップや膨れが発生してしま
うことを防止するとともに、半導体装置の実装前の防湿
包装等といったパッケージ内の水分濃度の管理を廃止す
るようにすることができる。
また、請求項３記載の発明によれば、上記と同様に実装
時におけるダイパッド裏面若しくは半導体チップ付近の
水分濃度を低減させて、実装時にパッケージタラップや
膨れが発生してしまうことを防止することができるとと
もに、金属製品と同様の外観を得ることができ、更に耐
摩耗性や耐熱性等の物性及びマーキング性を向上させる
ことかできる。
時におけるダイパッド裏面若しくは半導体チップ付近の
水分濃度を低減させて、実装時にパッケージタラップや
膨れが発生してしまうことを防止することができるとと
もに、金属製品と同様の外観を得ることができ、更に耐
摩耗性や耐熱性等の物性及びマーキング性を向上させる
ことかできる。
しかも、請求項４または５記載の製造方法によれば、接
着剤を使用することがないので、接着剤の耐熱性や耐湿
性といった問題を考慮することなく、モールド樹脂をメ
ッキ層で確実に覆うことかできるとともに、高温高湿時
等における無吸湿材料の剥がれ防止して信頼性の向上を
図り、更に作業性の向上を図ることができるといった効
果がある。
着剤を使用することがないので、接着剤の耐熱性や耐湿
性といった問題を考慮することなく、モールド樹脂をメ
ッキ層で確実に覆うことかできるとともに、高温高湿時
等における無吸湿材料の剥がれ防止して信頼性の向上を
図り、更に作業性の向上を図ることができるといった効
果がある。
第１図は本発明に係る半導体装置の第１実施例を示す対
角線に沿った断面図、第２図はキャップの製造例を示す
平面図、第３図はモールド工程時における右半分は対角
線に沿った左半分は中央線に沿った断面図、第４図乃至
第７図は第１実施例の夫々異なる変形例を示す縦断正面
図、第８図は第２実施例を示す縦断正面図、第９図は第
８図の一部拡大図、第１０図は第３実施例を示す縦断正
面図、第１１図は第１０図の一部拡大図、第１２図は第
３実施例の変形例を示す第１０図相当図、第１３図は表
面を荒らしてメッキ層を形成するまでを工程順に示す断
面図、第１４図は通常のパッケージと本発明によるパッ
ケージにおける８５℃／８５％加湿時のパッケージ吸湿
量の変化の状態を示すグラフ、第１５図は同じくガンデ
ル浸漬時（２１５℃）のパッケージの膨れ量の変化を示
すグラフ、第１６図は従来の半導体装置の縦断正面図、
第１７図は加湿及び排湿時の半導体パッケージとダイパ
ッド裏面の水分濃度の関係を示すグラフである。 １・・・ダイパッド、２・・・半導体チップ、３・・・
リード部、４・・・ボンディングワイヤ、５・・・モー
ルド樹脂、６・・・吊りピン、７・・・キャップ（無吸
湿材料）、１０．１１・・・金型、１２．１６・・・絶
縁コーティング、１３・・・絶縁テープ（ポリイミドフ
ィルム）、１４ａ、１４ｂ・・・接着剤、１５・・・ア
ルミニウムフィルム（無吸湿材料）、１７・・・粘着テ
ープ、１８・・・金属膜（無電解メッキ層）、１９・・
・金属層（電解メッキ層） ２０・・・絶縁フィルム （アルミニラ ムフィルム）
角線に沿った断面図、第２図はキャップの製造例を示す
平面図、第３図はモールド工程時における右半分は対角
線に沿った左半分は中央線に沿った断面図、第４図乃至
第７図は第１実施例の夫々異なる変形例を示す縦断正面
図、第８図は第２実施例を示す縦断正面図、第９図は第
８図の一部拡大図、第１０図は第３実施例を示す縦断正
面図、第１１図は第１０図の一部拡大図、第１２図は第
３実施例の変形例を示す第１０図相当図、第１３図は表
面を荒らしてメッキ層を形成するまでを工程順に示す断
面図、第１４図は通常のパッケージと本発明によるパッ
ケージにおける８５℃／８５％加湿時のパッケージ吸湿
量の変化の状態を示すグラフ、第１５図は同じくガンデ
ル浸漬時（２１５℃）のパッケージの膨れ量の変化を示
すグラフ、第１６図は従来の半導体装置の縦断正面図、
第１７図は加湿及び排湿時の半導体パッケージとダイパ
ッド裏面の水分濃度の関係を示すグラフである。 １・・・ダイパッド、２・・・半導体チップ、３・・・
リード部、４・・・ボンディングワイヤ、５・・・モー
ルド樹脂、６・・・吊りピン、７・・・キャップ（無吸
湿材料）、１０．１１・・・金型、１２．１６・・・絶
縁コーティング、１３・・・絶縁テープ（ポリイミドフ
ィルム）、１４ａ、１４ｂ・・・接着剤、１５・・・ア
ルミニウムフィルム（無吸湿材料）、１７・・・粘着テ
ープ、１８・・・金属膜（無電解メッキ層）、１９・・
・金属層（電解メッキ層） ２０・・・絶縁フィルム （アルミニラ ムフィルム）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、吊りピンにより支持したダイパッド上に半導体チッ
プをマウントし、リード部を側方に突出させた状態で上
記半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止した樹脂封止
型半導体装置において、上記半導体チップの周囲を上記
モールド樹脂に一体に固着した無吸湿材料で覆ったこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、吊りピンにより支持したダイパッド上に半導体チッ
プをマウントし、リード部を側方に突出させた状態で上
記半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止した樹脂封止
型半導体装置において、上記モールド樹脂のほぼ全表面
を絶縁テープを内部に介在させつつ無吸湿材料で覆った
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ３、吊りピンにより支持したダイパッド上に半導体チッ
プをマウントし、リード部を側方に突出させた状態で上
記半導体チップをモールド樹脂で樹脂封止した樹脂封止
型半導体装置において、上記モールド樹脂の表面に該モ
ールド樹脂との密着性が良好な金属膜を上記リード部と
接触しないように形成し、この金属膜の表面に金属層を
積層したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ４、一対のカップ状無吸湿材料の内部に半導体チップを
位置決めして装着し、この内部に半導体チップを装着し
た無吸湿材料をモールド金型のキャビティ内に配置し、
しかる後、このモールド金型のキャビティ内にモールド
樹脂を注入して上記無吸湿材料をモールド樹脂に一体に
固着することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
方法。 ５、吊りピンにより支持したダイパッド上に半導体チッ
プをマウントし、リード部を側方に突出させた状態で上
記半導体チップをモールド樹脂によって樹脂封止した後
、このモールド樹脂の表面に無電解メッキによる無電解
メッキ層を上記リード部に接触しないように形成し、し
かる後、上記無電解メッキ層の表面に電解メッキによる
電解メッキ層を形成することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-239471 | 1989-09-14 | ||
| JP23947189 | 1989-09-14 | ||
| JP2-155729 | 1990-06-14 | ||
| JP15572990 | 1990-06-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127456A true JPH04127456A (ja) | 1992-04-28 |
| JP2530056B2 JP2530056B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=26483656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232697A Expired - Lifetime JP2530056B2 (ja) | 1989-09-14 | 1990-09-03 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5223739A (ja) |
| JP (1) | JP2530056B2 (ja) |
| KR (1) | KR930010071B1 (ja) |
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