JPH0239865B2 - - Google Patents

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JPH0239865B2
JPH0239865B2 JP59063178A JP6317884A JPH0239865B2 JP H0239865 B2 JPH0239865 B2 JP H0239865B2 JP 59063178 A JP59063178 A JP 59063178A JP 6317884 A JP6317884 A JP 6317884A JP H0239865 B2 JPH0239865 B2 JP H0239865B2
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Hiroyuki Fukazawa
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
（技術分野） この発明は、半田付け等の熱処理に際してモー
ルド樹脂に亀裂等による外観不良及び機能不良を
生じさせないようにした表面実装型ICに内在す
る水分の排出方法に関する。 （従来技術） 従来、特開昭58−100447号公報等に放熱板とフ
ラツトICとの接続のために、パツケージの裏面
に開口を設ける技術が開示されている。 一方、フラツトICは第１図（平面図）のよう
になつていて、そのＡ部断面図は第２図ａ、第２
図ｂのようになつている。第２図ａはジヤンクシ
ヨンコーテイングレジン（以下JCRと言う）を使
用しない場合であり、第２図ｂはJCRを使用した
場合を示している。 この第１図、第２図ａ、第２図ｂにおいて、ま
ず、アイランドサポート１１によつてささえられ
たアイランド２にICチツプ３がダイスポンドさ
れAuワイヤ４によつて外部リード１にワイヤボ
ンドし｛一部はその後、耐湿性向上のためにJCR
が塗布されているものである（第２図ｂ）｝、それ
をモールド樹脂５によつて封止した構造になつて
いる。 ところで、フラツトICはプリント基板７に塔
載する際、今まで、第３図に示すように端子部の
み半田ごてで加熱し、半田付けを行ない、モール
ド樹脂５には熱がほとんど加わらなかつたため、
何ら問題はなかつたが、ここ数年のうちにその実
装方式に変化がおこり、より量産向きにするため
に、パツケージ全体を加熱する方法になつてい
る。なお、フラツトICに限らず上述した実装方
式がなされるICを一般に表面実装型ICという。 具体的には、第４図ａに示すとおり、プリント
基板７に半田ペースト８を塗布しておき、プリン
ト基板７にフラツトIC９を載せ、温風または赤
外線等により加熱するようにしている。 また、第４図ｂの場合は、プリント基板７上に
接着剤１０を塗布しておき、この接着剤１０上に
フラツトIC９を載せ、フラツトIC９をプリント
基板７に接着し、その接着後半田槽に浸漬すると
いうような方法である。 しかし、第４図ａのようなプラスチツクス部を
含むパツケージ全体を加熱してしまうような方法
で半田付けを行うと、放置（少くとも23℃60％
RHの雰囲気中で１週間以上）によつて吸湿した
IC内部の水分が、200℃以上という温度に曝れる
と、その水分が気化して、内部よりパツケージ外
側へ多大な応力を発生させる。 内部のICチツプ周辺では密閉されているので、
外部に逃げられない。また、この際、モールド樹
脂の強度は減少し、ほぼ０（Kg／cm2）近くまで、
例えば0.1Kg／cm2弱くなつているので、特にモー
ルド肉厚が薄いフラツトICでは、モールド部が
風船のようにふくれ、やがて第５図ａ（外観不良
を示すフラケツトICの断面図）、第５図ｂ（第５
図ａの平面図）、第５図ｃ（第５図ａの底面図）に
示すように、モールド樹脂５の表面および裏面に
イ，ロで示すように亀裂が生じ、外観を大きくそ
こねてしまい外観不良となることがある。またモ
ールド樹脂５の表面及び裏面の亀裂イ，ロから容
易に水分が入りAl配線が腐食され、やがて断線
し、もつて機能不良となることがある。特にモー
ルド樹脂５の表面の亀裂イは亀裂時のストレスに
よりAl配線の断線を招き機能不良となることが
ある。 さらに、場合によつては、ICチツプ３の表面
とモールド樹脂５との間にすきまがあいているこ
とがあるため、このような状態でICを使用する
と容易に水分が入り、ICチツプ３の表面のAl配
線が蝕刻（腐蝕）され、やがて断線してICとし
ての機能を果たさなくなるという欠点があつた。 （発明の目的） この発明の目的は、パツケージの半田付け等の
熱処理に際してモールド樹脂に亀裂等による外観
不良及び機能不良の発生をなくし、信頼性を向上
させることができる表面実装型ICに内在する水
分の排出方法を得ることにある。 （発明の概要） この発明の要点は、表面実装型ICの内部に封
止された水分を外部へ排出する方法において、 リードフレームのアイランドの上面に搭載され
たICチツプと上記リードフレームとをワイヤに
よつて電気的に接続し、それらをモールド樹脂に
よつて封止するに際し、上記アイランドの下面を
覆う樹脂部をごく薄い層として封止する工程と、 上記樹脂封止された表面実装型ICをそのICに
内在した水分が膨張する温度に熱する工程と、 上記熱する工程中で膨張された上記水分により
上記薄層に亀裂を生じさせる工程とを含むもので
ある。 （実施例） 以下、この発明の表面実装型ICに内在する水
分の排出方法の実施例について図面に基づき説明
する。第６図ａはJCR６を使用しない場合のこの
発明の第１の実施例を示す断面図であり、第６図
ｂはJCR６を使用した場合のこの発明の第１の実
施例の断面図である。 この第６図ａ、第６図ｂにおいて、第２図ａ、
第２図ｂと同一部分には同一符号を付してその説
明を省略し、この発明の特徴をなす部分を重点的
に述べる。第６図ａ、第６図ｂに示すように、裏
面のモールド樹脂５に極度に肉厚の薄い部分Ｄ
を、円柱（φ1〜２mm）あるいは多角柱状にもう
けてある。製造に際しては、それぞれ成形金型に
円柱あるいは多角柱の突起を設け、トランスフア
成形等によりモールド樹脂を注入してつくる。 このプラスチツクICを半田槽に浸漬すると、
モールド樹脂５が殆どふくらまないうちに第６図
ｂのＤの部分のみが割れる（第７図Ｅ部）。従つ
て、モールド樹脂５とICチツプ３との間にすき
まがあきにくく、耐湿性もよい。 次に、この発明の第２の実施例について第８図
ａ、第８図ｂにより説明する。第８図ａはJCR６
を使用しない場合のこの発明の第２の実施例の断
面図であり、第８図ｂはJCR６を使用した場合の
この発明の第２の実施例の断面図である。 この第８図ａ、第８図ｂの実施例では、第１の
実施例で薄くしたモールド樹脂５の肉厚をさらに
薄くしていき、第８図ａ、第８図ｂの下部のごと
く、IC裏面に円柱あるいは多角形状にモールド
樹脂５のない部分Ｆを設ける。この場合のＦ部の
肉厚の薄い部分は0.1mmと０mmをわずかに超える
程度で、肉厚の厚い部分は0.85mmである。 この発明は以上説明したように、第１の実施例
ではプラスチツクIC裏面に割れやすい部分を設
けたので、200℃以上の半田槽に全面浸漬した時
に従来のICでは、第５図ａ〜第５図ｃに示した
ように、イ，ロの部分で生じた大きな亀裂がこの
発明では大きな亀裂は生ぜず、第７図のＥ部のよ
うな肉眼では検知できない小さな亀裂にとどまる
という利点がある。なお、肉眼では検知できない
小さな亀裂ならば外観不良にならないものであ
る。 さらに、第２の実施例のようにすれば、その効
果の現われやすさは完全なものとなり、第５図ａ
〜第５図ｃのイあるいはロ部のような亀裂は生じ
なくなる。また、第１、第２の実施例とも耐湿性
はよく、特に、JCR６をICチツプ３の表面に塗布
したものは、プリント基板に塔載する以前とほぼ
変わらぬ実力をもつ。 次の第１表は従来のICおよびこの発明の各実
施例のプレツシヤクツカーテスト（atom121℃
100％RH）における結果の不良数を示したもの
である。なお、中間のデータは省くが、いずれ
も、外観、機能ともに不良なしである。又、かか
る表面実装型ICの内部に封止された水分を外部
へ排出する方法において、 リードフレームのアイランドの上面に搭載され
たICチツプと上記リードフレームとをワイヤに
よつて電気的に接続し、それらをモールド樹脂に
よつて封止するに際し、上記アイランドの下面を
覆う樹脂部をごく薄い層（第６図ａ，ｂのＤ部）
として封止する工程と、 上記樹脂封止された表面実装型ICをそのICに
内在した水分が膨張する温度に熱する工程と、 上記熱する工程中で膨張された上記水分により
上記薄層（第６図ａ，ｂのＤ部）に亀裂（第７図
のＥ部）を生じさせる工程とを含む。
【表】 （発明の効果） この発明は以上説明したように、表面実装型
ICの内部に封止された水分を外部へ排出する方
法において、 リードフレームのアイランドの上面に搭載され
たICチツプと上記リードフレームとをワイヤに
よつて電気的に接続し、それらをモールド樹脂に
よつて封止するに際し、上記アイランドの下面を
覆う樹脂部をごく薄い層（第６図ａ，ｂのＤ部）
として封止する工程と、 上記樹脂封止された表面実装型ICをそのICに
内在した水分が膨張する温度に熱する工程と、 上記熱する工程中で膨張された上記水分により
上記薄層（第６図ａ，ｂのＤ部）に亀裂（第７図
のＥ部）を生じさせる工程とを含むようにしたの
で、表面実装型ICに内在する水分が、プリント
基板に半田付けする際などの加熱によつて膨張し
た場合、アイランドの下面を覆う薄い樹脂層に亀
裂を発生させて水蒸気として排出させるので、水
分の排出に伴うパツケージの亀裂の発生場所を特
定することができ、これにより、アイランドの上
面に搭載されたICチツプとリードフレームとを
電気的接続するワイヤに対して腐食・断線等を防
止し、しかもその亀裂をICの不良とならない程
度の小さなものにとどめることが出来る。 また、ガス抜きされたICに生じた亀裂は、内
在する水分量によつて形状が異なるものであり、
これを観察することによつて製造時におけるIC
に吸収された水分量を知ることができ、製造工程
の改善に寄与出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のIC内部を説明するための平面
図、第２図ａはジヤンクシヨンコーテイングレジ
ンを使用しない場合の第１図のＡ部の断面図、第
２図ｂはジヤンクシヨンコーテイングレジンを使
用した場合の第１図のＡ部の断面図、第３図はフ
ラツトICの従来のプリント基板に対する半田付
け方法を示す図、第４図ａは半田を用いてプリン
ト基板にフラツトICを熱風または赤外線加熱を
行う従来の半田付け方法を示す図、第４図ｂはプ
リント基板に接着剤を塗布してフラツトICを載
置した状態で半田槽へ浸漬する従来の半田付け方
法を示す図、第５図ａはモールド樹脂に亀裂を生
じた場合の従来のフラツトICの断面図、第５図
ｂは第５図ａの平面図、第５図ｃは第５図ａの底
面図、第６図ａはジヤンクシヨンコーテイングレ
ジンを使用しない場合のこの発明のフラツトパツ
ケージ型ICの一実施例の断面図、第６図ｂはジ
ヤンクシヨンコーテイングレジンを使用した場合
のこの発明のフラツトパツケージ型ICの一実施
例の断面図、第７図はこの発明のフラツトパツケ
ージ型ICを260℃の半田槽に浸漬した後の断面
図、第８図ａはジヤンクシヨンコーテイングレジ
ンを使用しない場合のこの発明のフラツトパツケ
ージ型ICの第２の実施例を示す断面図、第８図
ｂはジヤンクシヨンコーテイングレジンを使用し
た場合のこの発明のフラツトパツケージ型ICの
第２の実施例の断面図である。 １……外部リード、２……アイランド、３……
ICチツプ、４……Auワイヤ、５……モールド樹
脂、６……ジヤンクシヨンコーテイングレジン、
１１……アイランドサポート、Ｄ……モールド樹
脂の肉厚の薄い部分、Ｅ……モールド樹脂の肉厚
の薄い部分の割れた部分、Ｆ……モールド樹脂の
ない部分。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 表面実装型ICの内部に封止された水分を外
    部へ排出する方法において、 リードフレームのアイランドの上面に搭載され
    たICチツプと上記リードフレームとをワイヤに
    よつて電気的に接続し、それらをモールド樹脂に
    よつて封止するに際し、上記アイランドの下面を
    覆う樹脂部をごく薄い層として封止する工程と、 上記樹脂封止された表面実装型ICをそのICに
    内在した水分が膨張する温度に熱する工程と、 上記熱する工程中で膨張された上記水分により
    上記薄層に亀裂を生じさせる工程とを含むことを
    特徴とする表面実装型ICに内在する水分の排出
    方法。
JP59063178A 1984-04-02 1984-04-02 表面実装型ｉｃに内在する水分の排出方法 Granted JPS60208847A (ja)

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